JPH06139822A - 透明導電膜、低反射帯電防止膜およびこれらの製造方法 - Google Patents
透明導電膜、低反射帯電防止膜およびこれらの製造方法Info
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- JPH06139822A JPH06139822A JP4309337A JP30933792A JPH06139822A JP H06139822 A JPH06139822 A JP H06139822A JP 4309337 A JP4309337 A JP 4309337A JP 30933792 A JP30933792 A JP 30933792A JP H06139822 A JPH06139822 A JP H06139822A
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- Non-Insulated Conductors (AREA)
- Manufacturing Of Electric Cables (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【構成】ＳｂをドープしたＳｎＯ2 微粒子あるいはＳｎ
をドープしたＩｎ2 Ｏ3微粒子の少なくとも１種を全固
形分量に対し、酸化物換算で５０〜９５重量％、粒径８
００Å以下のＴｉＯ2 微粒子を全固形分量に対し酸化物
換算で１〜４０重量％含む溶液を基体上に塗布した後、
加熱かつ／または紫外線を照射する。 【効果】高強度、高屈折率を有する低抵抗透明導電膜を
提供できる。
をドープしたＩｎ2 Ｏ3微粒子の少なくとも１種を全固
形分量に対し、酸化物換算で５０〜９５重量％、粒径８
００Å以下のＴｉＯ2 微粒子を全固形分量に対し酸化物
換算で１〜４０重量％含む溶液を基体上に塗布した後、
加熱かつ／または紫外線を照射する。 【効果】高強度、高屈折率を有する低抵抗透明導電膜を
提供できる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明はブラウン管パネル等の基
体表面に塗布される高強度を有する透明導電膜および低
反射帯電防止膜に関するものである。
体表面に塗布される高強度を有する透明導電膜および低
反射帯電防止膜に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】コーティングにより透明基体に様々な機
能を付与させる試みは、光学的機器に於いては言うまで
もなく、民生用機器に於いてもＴＶ、コンピューター端
末の陰極線管（ＣＲＴ）等に於いては低反射性、帯電防
止性付与等を目的として種々の試みが行われてきた。従
来の方法は例えば特開昭61-118931 号記載の如くブラウ
ン管表面に防眩効果をもたせるために表面に微細な凹凸
を有するＳｉＯ2 層を付着させたり、弗酸により表面を
エッチングして凹凸を設ける等の方法がなされてきた。
しかしこれらの方法は外部光を散乱させるノングレアー
処理とよばれ、本質的に低反射層を設ける手法でないた
め、反射率の低減には限界があり、またブラウン管など
に於いては解像度を低下させる要因ともなっていた。
能を付与させる試みは、光学的機器に於いては言うまで
もなく、民生用機器に於いてもＴＶ、コンピューター端
末の陰極線管（ＣＲＴ）等に於いては低反射性、帯電防
止性付与等を目的として種々の試みが行われてきた。従
来の方法は例えば特開昭61-118931 号記載の如くブラウ
ン管表面に防眩効果をもたせるために表面に微細な凹凸
を有するＳｉＯ2 層を付着させたり、弗酸により表面を
エッチングして凹凸を設ける等の方法がなされてきた。
しかしこれらの方法は外部光を散乱させるノングレアー
処理とよばれ、本質的に低反射層を設ける手法でないた
め、反射率の低減には限界があり、またブラウン管など
に於いては解像度を低下させる要因ともなっていた。
【０００３】また帯電防止膜の付与に於いても多くの検
討がなされてきており、例えば特開昭63-76247号記載の
通り、ブラウン管パネル表面を350 ℃程度に加熱しＣＶ
Ｄ法により酸化スズや酸化インジウム等の導電性酸化物
層を設ける方法が採用されている。
討がなされてきており、例えば特開昭63-76247号記載の
通り、ブラウン管パネル表面を350 ℃程度に加熱しＣＶ
Ｄ法により酸化スズや酸化インジウム等の導電性酸化物
層を設ける方法が採用されている。
【０００４】またゾルを用いた湿式コーティングによる
導電性付与の方法に付いても例えば特開昭62-278705 号
には結晶質の微結晶酸化スズ・アンチモンゾルを用いる
旨記載がある。
導電性付与の方法に付いても例えば特開昭62-278705 号
には結晶質の微結晶酸化スズ・アンチモンゾルを用いる
旨記載がある。
【０００５】上述の方法のうち、ＣＶＤ法によって帯電
防止膜を付与させる手法は装置コストがかかることに加
え、ブラウン管を高温加熱するためブラウン管内の蛍光
体の脱落を生じたり、寸法精度が低下する等の問題があ
った。またこの場合通常４００℃程度の高温を必要と
し、低温で焼成した場合は充分低抵抗な膜が得られない
欠点があった。また結晶質の酸化スズゾルを用いた場合
焼成に必要な温度は溶媒の蒸発温度に依存し、アルコー
ル等の低沸点溶媒を用いれば比較的低温での焼成は可能
である。しかしながらＣＶＤ法等に比べ酸化スズ粒子間
の粒界抵抗が増大し低抵抗化が困難となる欠点がある。
また対擦傷性が著しく劣るため、バインダー成分を添加
する必要がありこのため抵抗は一層増加する欠点を有し
ている。
防止膜を付与させる手法は装置コストがかかることに加
え、ブラウン管を高温加熱するためブラウン管内の蛍光
体の脱落を生じたり、寸法精度が低下する等の問題があ
った。またこの場合通常４００℃程度の高温を必要と
し、低温で焼成した場合は充分低抵抗な膜が得られない
欠点があった。また結晶質の酸化スズゾルを用いた場合
焼成に必要な温度は溶媒の蒸発温度に依存し、アルコー
ル等の低沸点溶媒を用いれば比較的低温での焼成は可能
である。しかしながらＣＶＤ法等に比べ酸化スズ粒子間
の粒界抵抗が増大し低抵抗化が困難となる欠点がある。
また対擦傷性が著しく劣るため、バインダー成分を添加
する必要がありこのため抵抗は一層増加する欠点を有し
ている。
【０００６】更に特開平2-312136号、特開平3-22327
号、特開平3-56582 号明細書にはＳｎＯ2 等の導電性微
粒子とシリカゾルを併用した場合安定的な帯電防止性能
が得られる旨記載があるが、この場合は導電性と膜強度
を充分両立し得ない点に問題があった。特開平3-179649
にはＴｉＯ2 等の微粒子によって表面に凹凸を付けこれ
によって反射防止させ、更にその上にＳｉＯ2 の平滑層
を設けることにより透過光の拡散を抑える旨記載がある
が、この場合導電性が得られないことに加え、干渉効果
による本質的な反射防止性が得られない点に問題があっ
た。
号、特開平3-56582 号明細書にはＳｎＯ2 等の導電性微
粒子とシリカゾルを併用した場合安定的な帯電防止性能
が得られる旨記載があるが、この場合は導電性と膜強度
を充分両立し得ない点に問題があった。特開平3-179649
にはＴｉＯ2 等の微粒子によって表面に凹凸を付けこれ
によって反射防止させ、更にその上にＳｉＯ2 の平滑層
を設けることにより透過光の拡散を抑える旨記載がある
が、この場合導電性が得られないことに加え、干渉効果
による本質的な反射防止性が得られない点に問題があっ
た。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】本発明は従来技術が有
していた前述の欠点を解消し、低温で焼成可能な高強度
を有する透明導電性材料およびそれを用いる帯電防止
膜、低反射帯電防止膜とその製造方法に関する技術を新
たに提供するものである。
していた前述の欠点を解消し、低温で焼成可能な高強度
を有する透明導電性材料およびそれを用いる帯電防止
膜、低反射帯電防止膜とその製造方法に関する技術を新
たに提供するものである。
【０００８】
【課題を解決するための手段】即ち低温で焼成可能な導
電膜を作るためにはＳｂをドープしたＳｎＯ2 を含むゾ
ル液を用いる方法が有効であるが、抵抗値自体はＣＶＤ
法等に比べ不利である。そこで本発明者らは鋭意検討の
結果、ＳｂをドープしたＳｎＯ2 微粒子あるいはＳｎを
ドープしたＩｎ2 Ｏ3 微粒子の少なくとも１種を全固形
分量に対し、酸化物換算で５０〜９５重量％、粒径８０
０Å以下のＴｉＯ2 微粒子を全固形分量に対し酸化物換
算で１〜４０重量％含む溶液を基体上に塗布した後、加
熱かつ／または紫外線を照射することにより高強度を有
し更に低抵抗かつ高屈折率を有する透明導電膜が得られ
ることを見いだしたものである。
電膜を作るためにはＳｂをドープしたＳｎＯ2 を含むゾ
ル液を用いる方法が有効であるが、抵抗値自体はＣＶＤ
法等に比べ不利である。そこで本発明者らは鋭意検討の
結果、ＳｂをドープしたＳｎＯ2 微粒子あるいはＳｎを
ドープしたＩｎ2 Ｏ3 微粒子の少なくとも１種を全固形
分量に対し、酸化物換算で５０〜９５重量％、粒径８０
０Å以下のＴｉＯ2 微粒子を全固形分量に対し酸化物換
算で１〜４０重量％含む溶液を基体上に塗布した後、加
熱かつ／または紫外線を照射することにより高強度を有
し更に低抵抗かつ高屈折率を有する透明導電膜が得られ
ることを見いだしたものである。
【０００９】本発明で用いる材料に於いてＳｂをドープ
した結晶質ＳｎＯ2 微粒子を分散させたゾル液、および
Ｓｎをドープした結晶質Ｉｎ2 Ｏ3 微粒子を分散させた
ゾル液では微粒子に於けるドープ量としてはＳｎＯ2 の
場合ＳｂがＳｎとＳｂの合計量に対して５〜２０ｍｏｌ
％好ましくは８〜２０ｍｏｌ％、Ｉｎ2 Ｏ3 の場合Ｓｎ
がＩｎとＳｎの合計量に対して１〜２０ｍｏｌ％好まし
くは２〜１５ｍｏｌ％の範囲であることが好ましい。ま
た粒径としては２０Å〜０．１μｍ好ましくは５０〜７
００Åであることが好ましい。これらの微粒子は後述
の、ＴｉＯ2 微粒子を含む液あるいはＴｉＣｌ4 溶液、
珪素化合物を含む液に添加して分散させることも可能で
あるし、また単独のゾル液として調製し後述の液と混合
することも可能である。
した結晶質ＳｎＯ2 微粒子を分散させたゾル液、および
Ｓｎをドープした結晶質Ｉｎ2 Ｏ3 微粒子を分散させた
ゾル液では微粒子に於けるドープ量としてはＳｎＯ2 の
場合ＳｂがＳｎとＳｂの合計量に対して５〜２０ｍｏｌ
％好ましくは８〜２０ｍｏｌ％、Ｉｎ2 Ｏ3 の場合Ｓｎ
がＩｎとＳｎの合計量に対して１〜２０ｍｏｌ％好まし
くは２〜１５ｍｏｌ％の範囲であることが好ましい。ま
た粒径としては２０Å〜０．１μｍ好ましくは５０〜７
００Åであることが好ましい。これらの微粒子は後述
の、ＴｉＯ2 微粒子を含む液あるいはＴｉＣｌ4 溶液、
珪素化合物を含む液に添加して分散させることも可能で
あるし、また単独のゾル液として調製し後述の液と混合
することも可能である。
【００１０】単独のゾル液として調製する場合の分散溶
媒，分散法としては種々の物が使用可能である。例えば
水、アルコール、エステル、エーテル、炭化水素等の溶
媒中に微粒子を添加し、酸あるいはアルカリを添加しｐ
Ｈを調整しあるいはセルロース、ポリビニルアルコール
を加えた後コロイドミル、サンドミル、ボールミル、ホ
モミキサー等市販の粉砕機や超音波により分散させて得
ることができる。また、これら導電性微粒子が分散した
ゾル液をオートクレーブ等の加圧容器にいれて加熱およ
び加圧処理すなわちいわゆる水熱処理を行うことも好ま
しく可能である。
媒，分散法としては種々の物が使用可能である。例えば
水、アルコール、エステル、エーテル、炭化水素等の溶
媒中に微粒子を添加し、酸あるいはアルカリを添加しｐ
Ｈを調整しあるいはセルロース、ポリビニルアルコール
を加えた後コロイドミル、サンドミル、ボールミル、ホ
モミキサー等市販の粉砕機や超音波により分散させて得
ることができる。また、これら導電性微粒子が分散した
ゾル液をオートクレーブ等の加圧容器にいれて加熱およ
び加圧処理すなわちいわゆる水熱処理を行うことも好ま
しく可能である。
【００１１】また本発明で用いる粒径８００Å以上のＴ
ｉＯ2 微粒子としては種々の物が採用可能であるが、結
晶型としてルチル型、アナタース型あるいは非晶質のい
ずれも使用しうる。この場合粒径としては特に規定はな
いが８００Åを超えると塗布面にムラを生じやすいた
め、５０〜８００Åの粒径のＴｉＯ2 を用いることが好
ましい。ＴｉＯ2 を含む液は先述のＳｂをドープした結
晶質ＳｎＯ2 微粒子、Ｓｎをドープした結晶質Ｉｎ2 Ｏ
3 微粒子と同時に分散させて用いることも可能である
し、先述の方法で単独のＴｉＯ2 を含む液を作ることも
可能である。
ｉＯ2 微粒子としては種々の物が採用可能であるが、結
晶型としてルチル型、アナタース型あるいは非晶質のい
ずれも使用しうる。この場合粒径としては特に規定はな
いが８００Åを超えると塗布面にムラを生じやすいた
め、５０〜８００Åの粒径のＴｉＯ2 を用いることが好
ましい。ＴｉＯ2 を含む液は先述のＳｂをドープした結
晶質ＳｎＯ2 微粒子、Ｓｎをドープした結晶質Ｉｎ2 Ｏ
3 微粒子と同時に分散させて用いることも可能である
し、先述の方法で単独のＴｉＯ2 を含む液を作ることも
可能である。
【００１２】上記の微粒子の分散液にはさらにマトリッ
クスとしてＴｉＣｌ4 あるいはＴｉＣｌ3 のうち少なく
とも１種を添加した場合には屈折率が一層増大するとと
もにレベリング性が向上するので好ましい。上記Ｔｉ塩
化物はアルコール等の有機溶媒に溶解し、水およびまた
はＣｌ- のカウンターイオンを含んだｐＨ調整剤を添加
して部分加水分解させた後、上記微粒子分散液に添加す
ることが好ましい。また膜の付着強度および硬度を向上
させるため、微粒子分散液に珪素化合物を添加すること
も好ましく可能である。珪素化合物としては種々のもの
が採用可能であるが、Ｓｉアルコキシドを添加する場合
特に性能の向上が著しい。
クスとしてＴｉＣｌ4 あるいはＴｉＣｌ3 のうち少なく
とも１種を添加した場合には屈折率が一層増大するとと
もにレベリング性が向上するので好ましい。上記Ｔｉ塩
化物はアルコール等の有機溶媒に溶解し、水およびまた
はＣｌ- のカウンターイオンを含んだｐＨ調整剤を添加
して部分加水分解させた後、上記微粒子分散液に添加す
ることが好ましい。また膜の付着強度および硬度を向上
させるため、微粒子分散液に珪素化合物を添加すること
も好ましく可能である。珪素化合物としては種々のもの
が採用可能であるが、Ｓｉアルコキシドを添加する場合
特に性能の向上が著しい。
【００１３】具体的にはＳｉ（ＯＲ）m Ｒn （ｍ＝１〜
４，ｎ＝０〜３、Ｒ＝Ｃ1 〜Ｃ4 のアルキル基）で示さ
れるＳｉアルコキシドあるいはその部分加水分解物を含
む溶液を微粒子分散液に添加して使用しうる。Ｓｉアル
コキシドは前述のＴｉ塩化物溶液に添加した後、微粒子
分散液に添加することもできるがこの場合液の長期安定
性が向上するため特に好ましい。
４，ｎ＝０〜３、Ｒ＝Ｃ1 〜Ｃ4 のアルキル基）で示さ
れるＳｉアルコキシドあるいはその部分加水分解物を含
む溶液を微粒子分散液に添加して使用しうる。Ｓｉアル
コキシドは前述のＴｉ塩化物溶液に添加した後、微粒子
分散液に添加することもできるがこの場合液の長期安定
性が向上するため特に好ましい。
【００１４】全体の組成としては、ＳｂをドープしたＳ
ｎＯ2 微粒子およびＳｎをドープしたＩｎ2 Ｏ3 微粒子
のうち少なくとも１種を全固形分量に対し、酸化物換算
で５０〜９５重量％の範囲にあることが好ましい。これ
らの範囲を下回った場合は抵抗が増大し、また上回った
場合は液の安定性が損なわれ、かつ塗布した膜の外観が
悪化する等の問題が生じ好ましくない。Ｔｉ微粒子は全
固形分量に対して酸化物換算で１〜４０重量％の範囲に
あることが好ましい。これらの範囲を下回った場合は屈
折率が向上せず、上回った場合は抵抗が増大し好ましく
ない。
ｎＯ2 微粒子およびＳｎをドープしたＩｎ2 Ｏ3 微粒子
のうち少なくとも１種を全固形分量に対し、酸化物換算
で５０〜９５重量％の範囲にあることが好ましい。これ
らの範囲を下回った場合は抵抗が増大し、また上回った
場合は液の安定性が損なわれ、かつ塗布した膜の外観が
悪化する等の問題が生じ好ましくない。Ｔｉ微粒子は全
固形分量に対して酸化物換算で１〜４０重量％の範囲に
あることが好ましい。これらの範囲を下回った場合は屈
折率が向上せず、上回った場合は抵抗が増大し好ましく
ない。
【００１５】Ｔｉ塩化物は酸化物換算で２〜５０重量％
の範囲にあることが好ましい。この範囲を上回った場合
は液の安定性および塗膜の外観が悪化するため好ましく
ない。また珪素化合物に付いては酸化物換算で全固形分
量に対し、固形分換算で１〜４０重量％の範囲にあるこ
とが好ましい。珪素化合物を添加した場合膜の強度が向
上するとともに塗膜の外観が向上する。これを上回った
場合は抵抗が増大すると共に、屈折率が低下し低反射性
が損なわれるため好ましくない。
の範囲にあることが好ましい。この範囲を上回った場合
は液の安定性および塗膜の外観が悪化するため好ましく
ない。また珪素化合物に付いては酸化物換算で全固形分
量に対し、固形分換算で１〜４０重量％の範囲にあるこ
とが好ましい。珪素化合物を添加した場合膜の強度が向
上するとともに塗膜の外観が向上する。これを上回った
場合は抵抗が増大すると共に、屈折率が低下し低反射性
が損なわれるため好ましくない。
【００１６】膜の硬化法としては加熱による場合５０℃
以上が必要であるが、上限は通常は基板に用いられるガ
ラス、プラスチック等の軟化点によって決定される。こ
の点も考慮すると好ましい温度範囲は１００〜５００℃
である。加熱により成膜する際の雰囲気としては特に制
限はなく、空気中、不活性雰囲気例えば窒素、Ａｒ等が
好ましく用いられる。また真空、Ｈ2 等還元雰囲気を用
いることもできる。特に不活性、還元雰囲気を用いた場
合抵抗の低減に効果があり好ましい。また膜の硬化法と
しては紫外線を照射する場合１８０〜４９０ｎｍの波長
を有する紫外線を用いると好ましい。
以上が必要であるが、上限は通常は基板に用いられるガ
ラス、プラスチック等の軟化点によって決定される。こ
の点も考慮すると好ましい温度範囲は１００〜５００℃
である。加熱により成膜する際の雰囲気としては特に制
限はなく、空気中、不活性雰囲気例えば窒素、Ａｒ等が
好ましく用いられる。また真空、Ｈ2 等還元雰囲気を用
いることもできる。特に不活性、還元雰囲気を用いた場
合抵抗の低減に効果があり好ましい。また膜の硬化法と
しては紫外線を照射する場合１８０〜４９０ｎｍの波長
を有する紫外線を用いると好ましい。
【００１７】一般に、薄膜の光学的性能はその膜を構成
する屈折率と膜厚で決定される。ここで一定の屈折率ｎ
s を有する基体上に屈折率ｎを有する薄膜を付着し、屈
折率ｎ0 の媒質中より波長λの光が入射した場合のエネ
ルギー反射率Ｒは光が膜中を通過する際の位相差をΔと
するとΔ＝４πｎｄ／λ（ｄ：膜厚） Δ＝（２ｍ＋１）π、すなわち位相差Δが半波長の奇数
倍の時、極小値をとり、このとき Ｒ＝（（ｎ2 −ｎ0 ｎs ）／（ｎ2 ＋ｎ0 ｎs ））2 （１）式となる。
する屈折率と膜厚で決定される。ここで一定の屈折率ｎ
s を有する基体上に屈折率ｎを有する薄膜を付着し、屈
折率ｎ0 の媒質中より波長λの光が入射した場合のエネ
ルギー反射率Ｒは光が膜中を通過する際の位相差をΔと
するとΔ＝４πｎｄ／λ（ｄ：膜厚） Δ＝（２ｍ＋１）π、すなわち位相差Δが半波長の奇数
倍の時、極小値をとり、このとき Ｒ＝（（ｎ2 −ｎ0 ｎs ）／（ｎ2 ＋ｎ0 ｎs ））2 （１）式となる。
【００１８】無反射条件を満たすには、（１）式におい
て、Ｒ＝０とおき、 ｎ＝（ｎ0 ｎs ）1/2 （２） が必要とされる。（２）式を２層構成に拡張した場合、 ｎs ｎ1 2＝ｎ2 2ｎ0 （３） となる。（ｎ1 ：媒質側層、ｎ2 ：基体側層）
て、Ｒ＝０とおき、 ｎ＝（ｎ0 ｎs ）1/2 （２） が必要とされる。（２）式を２層構成に拡張した場合、 ｎs ｎ1 2＝ｎ2 2ｎ0 （３） となる。（ｎ1 ：媒質側層、ｎ2 ：基体側層）
【００１９】ここでｎ0 ＝１（空気）、ｎs ＝１．５２
（ガラス）を（３）式に適用した場合、ｎ2 ／ｎ1 ＝
１．２３となり、この場合２層構成膜の最大の低反射性
が得られる。もちろんｎ2 ／ｎ1 ＝１．２３を満たさな
くても２層膜の屈折率がこれに近い値をとれる場合低反
射性が発現される。したがって単膜による低反射性を発
現させる場合は（２）式により近い屈折率を選択するこ
とが望ましい。
（ガラス）を（３）式に適用した場合、ｎ2 ／ｎ1 ＝
１．２３となり、この場合２層構成膜の最大の低反射性
が得られる。もちろんｎ2 ／ｎ1 ＝１．２３を満たさな
くても２層膜の屈折率がこれに近い値をとれる場合低反
射性が発現される。したがって単膜による低反射性を発
現させる場合は（２）式により近い屈折率を選択するこ
とが望ましい。
【００２０】また、２層による低反射性を発現させる場
合は基体側に設ける高屈折率と媒質側に設ける低屈折率
層は両者の屈折率比ができるだけ１．２３に近い値を選
択することが望ましい。本発明における透明でかつ導電
性を有する帯電防止膜はＳｂドープＳｎＯ2 ゾル、かつ
あるいはＳｎドープＩｎ2 Ｏ3 ゾルと高屈折率を有する
ＴｉＯ2 を分散させたゾルをを混合してなるため、上述
の多層膜構成に於ける高屈折率膜として好ましく使用可
能である。本発明に於いて多層膜および単層膜の膜厚は
従来から知られている方法により定めることができる。
合は基体側に設ける高屈折率と媒質側に設ける低屈折率
層は両者の屈折率比ができるだけ１．２３に近い値を選
択することが望ましい。本発明における透明でかつ導電
性を有する帯電防止膜はＳｂドープＳｎＯ2 ゾル、かつ
あるいはＳｎドープＩｎ2 Ｏ3 ゾルと高屈折率を有する
ＴｉＯ2 を分散させたゾルをを混合してなるため、上述
の多層膜構成に於ける高屈折率膜として好ましく使用可
能である。本発明に於いて多層膜および単層膜の膜厚は
従来から知られている方法により定めることができる。
【００２１】本発明の帯電防止膜は多層の低反射帯電防
止膜、更には防眩性を有した帯電防止膜あるいは低反射
帯電防止膜の製造にも応用できる。反射防止性能を有す
る多層の低反射膜の構成としては、反射を防止したい波
長をλとして、基体側より高屈折率層−低屈折率層を光
学厚みλ／２−λ／４で形成した２層の低反射膜、基体
側より中屈折率層−高屈折率層−低屈折率層を光学厚み
λ／４−λ／２−λ／４で形成した３層の低反射膜、基
体より低屈折率層−中屈折率層−高屈折率層−低屈折率
層をλ／４−λ／４−λ／２−λ／４で形成した４層の
低反射膜が典型的な例として知られており、本発明に於
いては低屈折率層としては種々公知な低屈折率物質例え
ばＳｉＯ2 、ＭｇＦ2 等を用いて多層の低反射膜を製造
することも可能である。
止膜、更には防眩性を有した帯電防止膜あるいは低反射
帯電防止膜の製造にも応用できる。反射防止性能を有す
る多層の低反射膜の構成としては、反射を防止したい波
長をλとして、基体側より高屈折率層−低屈折率層を光
学厚みλ／２−λ／４で形成した２層の低反射膜、基体
側より中屈折率層−高屈折率層−低屈折率層を光学厚み
λ／４−λ／２−λ／４で形成した３層の低反射膜、基
体より低屈折率層−中屈折率層−高屈折率層−低屈折率
層をλ／４−λ／４−λ／２−λ／４で形成した４層の
低反射膜が典型的な例として知られており、本発明に於
いては低屈折率層としては種々公知な低屈折率物質例え
ばＳｉＯ2 、ＭｇＦ2 等を用いて多層の低反射膜を製造
することも可能である。
【００２２】２層低反射帯電防止膜の構成例としては基
体／本発明の透明高屈折率導電膜／低屈折率膜（ＭｇＦ
2 、ＳｉＯ2 ）が挙げられる。かかるＳｉＯ2 を主成分
とする低屈折率膜の形成方法としては、上に珪素化合物
を含む液、あるいは珪素化合物を含む液とＺｒ（Ｃ5 Ｈ
7 Ｏ2 ）n （ＯＲ）m （但し、ｎ＋ｍ＝４、ｎ＝１〜
３、ｍ＝１〜３、Ｒ：炭素数１〜４のアルキル基）を含
む液を混合してなる溶液のうちいずれかの液を塗布した
後加熱かつ／または紫外線を照射する方法が挙げられ
る。ここでＺｒ化合物は、膜の強度を向上させるために
用いるものである。また上記珪素化合物としては種々の
ものが好ましく使用可能であるが、Ｓｉ（ＯＥｔ）4 等
シリコンアルコキサイドあるいはその部分加水分解物を
用いた場合成膜性、膜強度が高く好ましい。
体／本発明の透明高屈折率導電膜／低屈折率膜（ＭｇＦ
2 、ＳｉＯ2 ）が挙げられる。かかるＳｉＯ2 を主成分
とする低屈折率膜の形成方法としては、上に珪素化合物
を含む液、あるいは珪素化合物を含む液とＺｒ（Ｃ5 Ｈ
7 Ｏ2 ）n （ＯＲ）m （但し、ｎ＋ｍ＝４、ｎ＝１〜
３、ｍ＝１〜３、Ｒ：炭素数１〜４のアルキル基）を含
む液を混合してなる溶液のうちいずれかの液を塗布した
後加熱かつ／または紫外線を照射する方法が挙げられ
る。ここでＺｒ化合物は、膜の強度を向上させるために
用いるものである。また上記珪素化合物としては種々の
ものが好ましく使用可能であるが、Ｓｉ（ＯＥｔ）4 等
シリコンアルコキサイドあるいはその部分加水分解物を
用いた場合成膜性、膜強度が高く好ましい。
【００２３】本発明に於いて単層または多層の透明導電
膜、帯電防止膜あるいは低反射帯電防止膜を形成する基
体としては特に限定されるものではなく目的に応じてソ
ーダライムアルミノシリケートガラス、アルミノシリケ
ートガラス、ホウ珪酸塩硝子、リチウイムアルミノシリ
ケートガラス、石英ガラスなどのガラス、綱玉等の単結
晶、マグネシア、サイアロン等の透光性セラミックス、
ポリカーボネート等のプラスチックなどが使用できる。
膜、帯電防止膜あるいは低反射帯電防止膜を形成する基
体としては特に限定されるものではなく目的に応じてソ
ーダライムアルミノシリケートガラス、アルミノシリケ
ートガラス、ホウ珪酸塩硝子、リチウイムアルミノシリ
ケートガラス、石英ガラスなどのガラス、綱玉等の単結
晶、マグネシア、サイアロン等の透光性セラミックス、
ポリカーボネート等のプラスチックなどが使用できる。
【００２４】基体への塗布方法はスピンコート法、ディ
ップ法、スプレー法、ロールコーター法、メニスカスコ
ーター法等種々考えられるが特にスピンコーター法は量
産性、再現性に優れ好ましくは採用可能である。かかる
方法によっては１００Å〜１μｍ程度の厚さの膜が形成
可能である。
ップ法、スプレー法、ロールコーター法、メニスカスコ
ーター法等種々考えられるが特にスピンコーター法は量
産性、再現性に優れ好ましくは採用可能である。かかる
方法によっては１００Å〜１μｍ程度の厚さの膜が形成
可能である。
【００２５】防眩性を付与する手法としては種々の方法
が採用可能であるが、例えば既述の２層低反射帯電防止
膜の製造工程において、低屈折率膜を透明導電膜上に塗
布する際、前記液をスプレーコートすることにより、か
かる低屈折率層の表面に凹凸を形成し、防眩性を付与す
る方法や、または、スピンコートなどにより透明導電膜
および低屈折率膜を形成し、さらにこの低屈折率膜上
に、かかる低屈折率膜を形成するために用いた液をスプ
レーコートした後、加熱かつ／または紫外線を照射して
表面に凹凸を有する膜を形成し、防眩性を有する低反射
帯電防止膜を形成する方法等が挙げられる。
が採用可能であるが、例えば既述の２層低反射帯電防止
膜の製造工程において、低屈折率膜を透明導電膜上に塗
布する際、前記液をスプレーコートすることにより、か
かる低屈折率層の表面に凹凸を形成し、防眩性を付与す
る方法や、または、スピンコートなどにより透明導電膜
および低屈折率膜を形成し、さらにこの低屈折率膜上
に、かかる低屈折率膜を形成するために用いた液をスプ
レーコートした後、加熱かつ／または紫外線を照射して
表面に凹凸を有する膜を形成し、防眩性を有する低反射
帯電防止膜を形成する方法等が挙げられる。
【００２６】防眩性を有する膜を塗布する際の液として
は特に限定はないが、前記低屈折率膜に用いた珪素化合
物を含む液を用いた場合、強度、外観等の面で好まし
い。また防眩膜を施した場合、膜のギラツキが軽減され
るとともに、汚れが付きにくくかつ見えにくくなるため
防汚性の点からも好ましい。
は特に限定はないが、前記低屈折率膜に用いた珪素化合
物を含む液を用いた場合、強度、外観等の面で好まし
い。また防眩膜を施した場合、膜のギラツキが軽減され
るとともに、汚れが付きにくくかつ見えにくくなるため
防汚性の点からも好ましい。
【００２７】陰極線管の前表面に形成する低反射停電防
止膜に防眩性を付与する場合、その防眩性の程度として
は、グロス値６０％以上８０％以下が好ましい。６０％
未満だとヘーズが高くなるとともに解像度が悪くなり、
８０％を超えると膜がぎらついて見える傾向があるため
である。
止膜に防眩性を付与する場合、その防眩性の程度として
は、グロス値６０％以上８０％以下が好ましい。６０％
未満だとヘーズが高くなるとともに解像度が悪くなり、
８０％を超えると膜がぎらついて見える傾向があるため
である。
【００２８】
【作用】本発明に於ける透明導電膜の構成成分によって
高強度な高屈折率導電膜が得られる理由は必ずしも明ら
かではないが、高強度が発現する理由としては酸化物微
粒子によって膜中に微細な凹凸ができこれによって特に
本発明の導電膜を基体側層とする２層構成の膜とした場
合上層と下層の界面積が増大し密着強度が増加刷ること
によるとおもわれる。また高導電性を有するＳｎＯ2 等
の微粒子と高屈折率を有するＴｉＯ2 微粒子を含むこと
により高屈折率かつ高導電性が発現される。
高強度な高屈折率導電膜が得られる理由は必ずしも明ら
かではないが、高強度が発現する理由としては酸化物微
粒子によって膜中に微細な凹凸ができこれによって特に
本発明の導電膜を基体側層とする２層構成の膜とした場
合上層と下層の界面積が増大し密着強度が増加刷ること
によるとおもわれる。また高導電性を有するＳｎＯ2 等
の微粒子と高屈折率を有するＴｉＯ2 微粒子を含むこと
により高屈折率かつ高導電性が発現される。
【００２９】
【実施例】以下に実施例により本発明を具体的に説明す
るが本発明はこれらの実施例に限定されるものではな
い。得られた膜の評価法は下記の通りである。 １）導電性評価 ハイレスタ抵抗測定器（三菱油化製）を用い、相対湿度
３０％以下の雰囲気中で膜表面の表面抵抗値を測定 ２）視感反射率（２層製膜時） ＧＡＭＭＡ分光反射スペクトル測定器により膜の４００
ｎｍ〜７００ｎｍでの視感反射率を測定した。
るが本発明はこれらの実施例に限定されるものではな
い。得られた膜の評価法は下記の通りである。 １）導電性評価 ハイレスタ抵抗測定器（三菱油化製）を用い、相対湿度
３０％以下の雰囲気中で膜表面の表面抵抗値を測定 ２）視感反射率（２層製膜時） ＧＡＭＭＡ分光反射スペクトル測定器により膜の４００
ｎｍ〜７００ｎｍでの視感反射率を測定した。
【００３０】３）グロス値 ＨＯＲＩＢＡ製グロスメーターにより測定した。 ４）対擦傷性 １ｋｇ荷重下で消しゴム（ＬＩＯＮ社製５０−５０）で
膜表面を５０回および２００回往復擦傷後その表面の傷
の有無を目視で確認した。評価基準は以下の通りとし
た。 ○：傷が全く付かない △：傷が多少付く ×：多くの傷が付くか膜が剥離
膜表面を５０回および２００回往復擦傷後その表面の傷
の有無を目視で確認した。評価基準は以下の通りとし
た。 ○：傷が全く付かない △：傷が多少付く ×：多くの傷が付くか膜が剥離
【００３１】［実施例１］Ｓｂを１５ｍｏｌ％ドープし
たＳｎＯ2 粉末（１次粒径１００Å）とＴｉＯ2粉末
（１次粒径１５０Å）重量比で８：２かつ総固形分２０
％となるように水中に分散し、サンドミルで解膠しゾル
を得た。このゾルをエタノールで固形分３％となるよう
に希釈した（Ａ1 液）。Ａ1 液をガラス板にスピンコー
ターを用い１５００ｒｐｍの回転速度で５秒間塗布し、
その後１８０℃で３０分間加熱して透明導電膜を得た。
たＳｎＯ2 粉末（１次粒径１００Å）とＴｉＯ2粉末
（１次粒径１５０Å）重量比で８：２かつ総固形分２０
％となるように水中に分散し、サンドミルで解膠しゾル
を得た。このゾルをエタノールで固形分３％となるよう
に希釈した（Ａ1 液）。Ａ1 液をガラス板にスピンコー
ターを用い１５００ｒｐｍの回転速度で５秒間塗布し、
その後１８０℃で３０分間加熱して透明導電膜を得た。
【００３２】［実施例２］Ｓｂを１５ｍｏｌ％ドープし
たＳｎＯ2 粉末（１次粒径１００Å）とＴｉＯ2粉末
（１次粒径１５０Å）重量比で７：３かつ総固形分２０
％となるように水中に分散し、サンドミルで解膠しゾル
を得た。このゾルをエタノールで固形分３％となるよう
に希釈した（Ａ2 液）。Ａ2 液をガラス板にスピンコー
ターを用い１５００ｒｐｍの回転速度で５秒間塗布し、
その後１８０℃で３０分間加熱して透明導電膜を得た。
たＳｎＯ2 粉末（１次粒径１００Å）とＴｉＯ2粉末
（１次粒径１５０Å）重量比で７：３かつ総固形分２０
％となるように水中に分散し、サンドミルで解膠しゾル
を得た。このゾルをエタノールで固形分３％となるよう
に希釈した（Ａ2 液）。Ａ2 液をガラス板にスピンコー
ターを用い１５００ｒｐｍの回転速度で５秒間塗布し、
その後１８０℃で３０分間加熱して透明導電膜を得た。
【００３３】［実施例３］Ｓｂを１５ｍｏｌ％ドープし
たＳｎＯ2 粉末（１次粒径１００Å）を固形分２０％と
なるように水中に分散し、サンドミルで解膠しゾルを得
た（Ａ3 液）。ＴｉＯ2 粉末（１次粒径１５０Å）を固
形分２０％となるように水中に分散し、サンドミルで解
膠しゾルを得た（Ａ4 液）。Ａ3 液とＡ4 液を重量比で
８：２かつ総固形分３％となるようにエタノールで混合
希釈した（Ａ5 液）。Ａ5 液をガラス板にスピンコータ
ーを用い１５００ｒｐｍの回転速度で５秒間塗布し、そ
の後１８０℃で３０分間加熱して透明導電膜を得た。
たＳｎＯ2 粉末（１次粒径１００Å）を固形分２０％と
なるように水中に分散し、サンドミルで解膠しゾルを得
た（Ａ3 液）。ＴｉＯ2 粉末（１次粒径１５０Å）を固
形分２０％となるように水中に分散し、サンドミルで解
膠しゾルを得た（Ａ4 液）。Ａ3 液とＡ4 液を重量比で
８：２かつ総固形分３％となるようにエタノールで混合
希釈した（Ａ5 液）。Ａ5 液をガラス板にスピンコータ
ーを用い１５００ｒｐｍの回転速度で５秒間塗布し、そ
の後１８０℃で３０分間加熱して透明導電膜を得た。
【００３４】［実施例４］Ｓｎを１０ｍｏｌ％ドープし
たＩｎ2 Ｏ3 粉末（１次粒径２００Å）とＴｉＯ2 末
（１次粒径１５０Å）重量比で８：２かつ総固形分２０
％となるように水中に分散し、サンドミルで解膠しゾル
を得た。このゾルをエタノールで固形分３％となるよう
に希釈した（Ａ6 液）。Ａ6 液をガラス板にスピンコー
ターを用い１５００ｒｐｍの回転速度で５秒間塗布し、
その後１８０℃で３０分間加熱して透明導電膜を得た。
たＩｎ2 Ｏ3 粉末（１次粒径２００Å）とＴｉＯ2 末
（１次粒径１５０Å）重量比で８：２かつ総固形分２０
％となるように水中に分散し、サンドミルで解膠しゾル
を得た。このゾルをエタノールで固形分３％となるよう
に希釈した（Ａ6 液）。Ａ6 液をガラス板にスピンコー
ターを用い１５００ｒｐｍの回転速度で５秒間塗布し、
その後１８０℃で３０分間加熱して透明導電膜を得た。
【００３５】［実施例５］ＴｉＣｌ4 を酸化物換算固形
分量が３％となるようにエタノールに希釈した。（Ｂ1
液）ケイ酸エチルを酸化物換算で３％となるように添加
しこれに加水分解触媒として塩酸酸性水溶液をＳｉＯ2
に対して８ｍｏｌ比滴下し更に１時間撹拌した（Ｂ2
液）。Ｂ1 液とＢ2 液を重量比で１：２になるように混
合し撹拌した（Ｂ3 液）。実施例１におけるＡ1 液にＢ
3 液を重量比で９１：９になるように混合し、その後超
音波分散処理を２時間行った（Ｂ4 液）。Ｂ4 液をガラ
ス板にスピンコーターを用い１５００ｒｐｍの回転速度
で５秒間塗布し、その後１８０℃で３０分間加熱して透
明導電膜を得た。
分量が３％となるようにエタノールに希釈した。（Ｂ1
液）ケイ酸エチルを酸化物換算で３％となるように添加
しこれに加水分解触媒として塩酸酸性水溶液をＳｉＯ2
に対して８ｍｏｌ比滴下し更に１時間撹拌した（Ｂ2
液）。Ｂ1 液とＢ2 液を重量比で１：２になるように混
合し撹拌した（Ｂ3 液）。実施例１におけるＡ1 液にＢ
3 液を重量比で９１：９になるように混合し、その後超
音波分散処理を２時間行った（Ｂ4 液）。Ｂ4 液をガラ
ス板にスピンコーターを用い１５００ｒｐｍの回転速度
で５秒間塗布し、その後１８０℃で３０分間加熱して透
明導電膜を得た。
【００３６】［実施例６］実施例１で得たＡ1 液をガラ
ス板にスピンコーターを用いて７５０ｒｐｍの回転速度
で５秒間塗布した後６０℃で１０分間乾燥し、その後実
施例５におけるＢ2 を１５００ｒｐｍの回転速度で５秒
間塗布し１６０℃で３０分間焼成した。
ス板にスピンコーターを用いて７５０ｒｐｍの回転速度
で５秒間塗布した後６０℃で１０分間乾燥し、その後実
施例５におけるＢ2 を１５００ｒｐｍの回転速度で５秒
間塗布し１６０℃で３０分間焼成した。
【００３７】［実施例７］実施例３で得たＡ5 液をガラ
ス板にスピンコーターを用いて７５０ｒｐｍの回転速度
で５秒間塗布した後６０℃で１０分間乾燥し、その後実
施例５におけるＢ2 を５００ｒｐｍの回転速度で５秒間
塗布し１６０℃で３０分間焼成した。
ス板にスピンコーターを用いて７５０ｒｐｍの回転速度
で５秒間塗布した後６０℃で１０分間乾燥し、その後実
施例５におけるＢ2 を５００ｒｐｍの回転速度で５秒間
塗布し１６０℃で３０分間焼成した。
【００３８】［実施例８］実施例５で得たＢ4 液をガラ
ス板にスピンコーターを用いて７５０ｒｐｍの回転速度
で５秒間塗布した後６０℃で３０分間乾燥し、その後実
施例５におけるＢ2 を１５００ｒｐｍの回転速度で５秒
間塗布し１８０℃で３０分間焼成した。
ス板にスピンコーターを用いて７５０ｒｐｍの回転速度
で５秒間塗布した後６０℃で３０分間乾燥し、その後実
施例５におけるＢ2 を１５００ｒｐｍの回転速度で５秒
間塗布し１８０℃で３０分間焼成した。
【００３９】［実施例９］実施例１で得たＡ1 液をガラ
ス板にスピンコーターを用いて７５０ｒｐｍの回転速度
で５秒間塗布した後６０℃で３０分間乾燥し、その後実
施例５におけるＢ2 を１５００ｒｐｍの回転速度で５秒
間塗布し４５０℃で３０分間焼成した。
ス板にスピンコーターを用いて７５０ｒｐｍの回転速度
で５秒間塗布した後６０℃で３０分間乾燥し、その後実
施例５におけるＢ2 を１５００ｒｐｍの回転速度で５秒
間塗布し４５０℃で３０分間焼成した。
【００４０】［実施例１０］実施例５で得たＢ4 液をガ
ラス板にスピンコーターを用いて５００ｒｐｍの回転速
度で５秒間塗布した後、２５０℃で３０分間加熱した。
その後実施例１に於けるＢ1 液を８００ｒｐｍの回転速
度で５秒間塗布し４５０℃で３０分間焼成した。
ラス板にスピンコーターを用いて５００ｒｐｍの回転速
度で５秒間塗布した後、２５０℃で３０分間加熱した。
その後実施例１に於けるＢ1 液を８００ｒｐｍの回転速
度で５秒間塗布し４５０℃で３０分間焼成した。
【００４１】［実施例１１］実施例５で得たＢ4 液をガ
ラス板にスピンコーターを用いて５００ｒｐｍの回転速
度で５秒間塗布した後、２５０℃で３０分間加熱した。
その後実施例１に於けるＢ1 液を８００ｒｐｍの回転速
度で５秒間塗布し４５０℃で３０分間焼成した。さらに
その上にＢ1 液をスプレーコート法で１０秒間塗布し４
５０℃で１０分間加熱した。
ラス板にスピンコーターを用いて５００ｒｐｍの回転速
度で５秒間塗布した後、２５０℃で３０分間加熱した。
その後実施例１に於けるＢ1 液を８００ｒｐｍの回転速
度で５秒間塗布し４５０℃で３０分間焼成した。さらに
その上にＢ1 液をスプレーコート法で１０秒間塗布し４
５０℃で１０分間加熱した。
【００４２】［比較例１］Ｓｂを１５ｍｏｌ％ドープし
たＳｎＯ2 粉末（１次粒径１００Å）とＴｉＯ2粉末
（１次粒径１５０Å）を重量比で４：６かつ総固形分２
０％となるように水中に分散し、サンドミルで解膠しゾ
ルを得た。このゾルをエタノールで固形分３％となるよ
うに希釈した（Ａ1 液）。Ａ1 液をガラス板にスピンコ
ーターを用い１５００ｒｐｍの回転速度で５秒間塗布
し、その後１８０℃で３０分間加熱して透明導電膜を得
た。
たＳｎＯ2 粉末（１次粒径１００Å）とＴｉＯ2粉末
（１次粒径１５０Å）を重量比で４：６かつ総固形分２
０％となるように水中に分散し、サンドミルで解膠しゾ
ルを得た。このゾルをエタノールで固形分３％となるよ
うに希釈した（Ａ1 液）。Ａ1 液をガラス板にスピンコ
ーターを用い１５００ｒｐｍの回転速度で５秒間塗布
し、その後１８０℃で３０分間加熱して透明導電膜を得
た。
【００４３】［比較例２］ＴｉＯ2 粉末（１次粒径１５
０Å）を固形分２０％となるように水中に分散し、サン
ドミルで解膠しゾルを得た。このゾルをエタノールで固
形分３％となるように希釈した（Ｈ2 液）。Ｈ2 液をガ
ラス板にスピンコーターを用いて７５０ｒｐｍの回転速
度で５秒間塗布した後６０℃で３０分間乾燥し、その後
実施例５におけるＢ2 液を１５００ｒｐｍの回転速度で
５秒間塗布し１８０℃で３０分間焼成した。
０Å）を固形分２０％となるように水中に分散し、サン
ドミルで解膠しゾルを得た。このゾルをエタノールで固
形分３％となるように希釈した（Ｈ2 液）。Ｈ2 液をガ
ラス板にスピンコーターを用いて７５０ｒｐｍの回転速
度で５秒間塗布した後６０℃で３０分間乾燥し、その後
実施例５におけるＢ2 液を１５００ｒｐｍの回転速度で
５秒間塗布し１８０℃で３０分間焼成した。
【００４４】
【表１】
【００４５】
【発明の効果】本発明によれば、基体を高温に加熱する
ことなく、強固でかつ高導電性を有する透明導電膜を製
造しうる。本発明は生産性に優れ、かつ真空を必要とし
ないので装置も比較的簡単なものでよい。特にＣＲＴの
フェイス面等の大面積の基体にも充分適用でき、量産可
能であり、工業的価値は非常に高い。
ことなく、強固でかつ高導電性を有する透明導電膜を製
造しうる。本発明は生産性に優れ、かつ真空を必要とし
ないので装置も比較的簡単なものでよい。特にＣＲＴの
フェイス面等の大面積の基体にも充分適用でき、量産可
能であり、工業的価値は非常に高い。
Claims (8)
- 【請求項１】ＳｂをドープしたＳｎＯ2 微粒子あるいは
ＳｎをドープしたＩｎ2 Ｏ3 微粒子の少なくとも１種を
全固形分量に対し、酸化物換算で５０〜９５重量％、粒
径８００Å以下のＴｉＯ2 微粒子を全固形分量に対し酸
化物換算で１〜４０重量％含む溶液を基体上に塗布した
後、加熱かつ／または紫外線を照射することにより得ら
れることを特徴とする透明導電膜。 - 【請求項２】ＳｂをドープしたＳｎＯ2 微粒子あるいは
ＳｎをドープしたＩｎ2 Ｏ3 微粒子の少なくとも１種を
全固形分量に対し、酸化物換算で５０〜９５重量％、粒
径８００Å以下のＴｉＯ2 粒子を全固形分量に対し酸化
物換算で１〜４０重量％含む溶液を基体上に塗布した
後、加熱かつ／または紫外線を照射することを特徴とす
る透明導電膜の製造方法。 - 【請求項３】基体上にＳｂをドープしたＳｎＯ2 微粒子
あるいはＳｎをドープしたＩｎ2 Ｏ3 微粒子の少なくと
も１種を全固形分量に対し、酸化物換算で５０〜９５重
量％、粒径８００Å以下のＴｉＯ2 粒子を全固形分量に
対し酸化物換算で１〜４０重量％含む溶液を基体上ある
いは他層上に塗布した後、加熱かつ／または紫外線を照
射することにより透明導電膜を形成し、次いでその上に
珪素化合物を含む液、あるいは珪素化合物とＺｒ（Ｃ5
Ｈ7 Ｏ2 ）n （ＯＲ）m （但し、ｎ＋ｍ＝４、ｎ＝１〜
３、ｍ＝１〜３、Ｒ：Ｃ１〜Ｃ４のアルキル基）とを含
む液のいずれかを塗布した後、加熱かつ／または紫外線
を照射して低屈折率膜を形成することにより２層からな
り低反射性を有する低反射導電膜を形成することを特徴
とする低反射帯電防止膜の製造方法。 - 【請求項４】低屈折率膜形成用の液を透明導電膜に塗布
する際、前記液をスプレーコートすることにより、かか
る低屈折率層の表面に凹凸を形成し、防眩性を有する低
反射帯電防止膜を形成することを特徴とする請求項３の
低反射帯電防止膜の製造方法。 - 【請求項５】請求項３の方法により透明導電膜および低
屈折率膜を形成し、さらにこの低屈折率膜上に、珪素化
合物を含む液をスプレーコートした後、加熱かつ／また
は紫外線を照射して、表面に凹凸を有する膜を形成し、
防眩性を有する低反射帯電防止膜を形成することを特徴
とする低反射帯電防止膜の製造方法。 - 【請求項６】珪素化合物がＳｉ（ＯＭｅ）4 、Ｓｉ（Ｏ
Ｅｔ）4 、Ｓｉ（ＯＰｒ）4 、Ｓｉ（ＯＢｕ）4 の内少
なくとも１種、あるいはその加水分解物からなることを
特徴とする請求項３項の低反射帯電防止膜の製造方法。 - 【請求項７】透明導電膜を形成するために塗布する溶液
が、さらに、ＴｉＣｌ4 、ＴｉＣｌ3 のうち少なくとも
１種、および／または珪素化合物を含むことを特徴とす
る請求項１記載の透明導電膜または請求項３記載の透明
導電膜の製造方法。 - 【請求項８】請求項３〜６いずれか１項の方法により形
成された低反射帯電防止膜。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4309337A JPH06139822A (ja) | 1992-10-23 | 1992-10-23 | 透明導電膜、低反射帯電防止膜およびこれらの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4309337A JPH06139822A (ja) | 1992-10-23 | 1992-10-23 | 透明導電膜、低反射帯電防止膜およびこれらの製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06139822A true JPH06139822A (ja) | 1994-05-20 |
Family
ID=17991801
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4309337A Withdrawn JPH06139822A (ja) | 1992-10-23 | 1992-10-23 | 透明導電膜、低反射帯電防止膜およびこれらの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06139822A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6002460A (en) * | 1997-02-25 | 1999-12-14 | Nec Corporation | Electrically conductive non-glare polarizing plate |
| WO2005081265A1 (ja) * | 2004-02-24 | 2005-09-01 | Ulvac, Inc. | 透明導電膜形成用分散液、透明導電膜の形成方法及び透明電極 |
-
1992
- 1992-10-23 JP JP4309337A patent/JPH06139822A/ja not_active Withdrawn
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6002460A (en) * | 1997-02-25 | 1999-12-14 | Nec Corporation | Electrically conductive non-glare polarizing plate |
| WO2005081265A1 (ja) * | 2004-02-24 | 2005-09-01 | Ulvac, Inc. | 透明導電膜形成用分散液、透明導電膜の形成方法及び透明電極 |
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Legal Events
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| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
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