JPH0782526A - 塗布液、着色膜およびその製造方法 - Google Patents
塗布液、着色膜およびその製造方法Info
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- JPH0782526A JPH0782526A JP5187276A JP18727693A JPH0782526A JP H0782526 A JPH0782526 A JP H0782526A JP 5187276 A JP5187276 A JP 5187276A JP 18727693 A JP18727693 A JP 18727693A JP H0782526 A JPH0782526 A JP H0782526A
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- forming
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- Surface Treatment Of Glass (AREA)
- Paints Or Removers (AREA)
- Formation Of Various Coating Films On Cathode Ray Tubes And Lamps (AREA)
- Surface Treatment Of Optical Elements (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【構成】酸窒化チタン粒子とSi(OR)mRn で示される化合
物あるいはその加水分解物を含む着色膜形成用塗布液お
よび該塗布液を塗布してなる着色膜。 【効果】塗布液は長期安定性に優れ、着色膜は、熱安定
性、耐候性に優れるとともに、特定の可視光波長に吸収
を生じないため陰極線管に適用した場合、コントラスト
の向上を図ることができる。
物あるいはその加水分解物を含む着色膜形成用塗布液お
よび該塗布液を塗布してなる着色膜。 【効果】塗布液は長期安定性に優れ、着色膜は、熱安定
性、耐候性に優れるとともに、特定の可視光波長に吸収
を生じないため陰極線管に適用した場合、コントラスト
の向上を図ることができる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は陰極線管用パネル等に適
用される塗布液とそれを塗布することによりできる着色
帯電防止膜、あるいは着色低反射帯電防止膜およびそれ
らの製造方法に関する。
用される塗布液とそれを塗布することによりできる着色
帯電防止膜、あるいは着色低反射帯電防止膜およびそれ
らの製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】帯電防止膜、着色膜、着色帯電防止膜、
低反射帯電防止膜、着色低反射帯電防止膜のコーティン
グ方法は従来より光学機器においてはいうまでもなく、
民生用機器特にＴＶ、コンピューター端末の陰極線管
（ＣＲＴ）に関し多くの検討がなされてきた。
低反射帯電防止膜、着色低反射帯電防止膜のコーティン
グ方法は従来より光学機器においてはいうまでもなく、
民生用機器特にＴＶ、コンピューター端末の陰極線管
（ＣＲＴ）に関し多くの検討がなされてきた。
【０００３】帯電防止に関しては例えば特開昭６３−７
６２４７号にはブラウン管パネル表面を３５０℃程度に
加熱してＣＶＤ法により酸化錫および酸化インジウム等
の導電性酸化物層を設ける方法が提案されている。
６２４７号にはブラウン管パネル表面を３５０℃程度に
加熱してＣＶＤ法により酸化錫および酸化インジウム等
の導電性酸化物層を設ける方法が提案されている。
【０００４】膜の着色に関しては特開平１−２７５６６
４号に水溶性フタロシアニン化合物を用いる方法が提案
されている。帯電防止性能をもつ着色膜については特開
平１−２５１５４５号にメチルバイオレットを用いた帯
電防止膜の記載がある。
４号に水溶性フタロシアニン化合物を用いる方法が提案
されている。帯電防止性能をもつ着色膜については特開
平１−２５１５４５号にメチルバイオレットを用いた帯
電防止膜の記載がある。
【０００５】低反射性に関しては例えば特開昭６１−１
１８９３１号記載の如くブラウン管表面に防眩効果をも
たせるため表面に微細な凹凸を有するSiO2層を付着させ
たり、弗酸により表面をエッチングして凹凸を設ける等
の方法が採られてきた。しかし、これらの方法は、外部
光を散乱させるノングレア処理と呼ばれ、本質的に低反
射層を設ける方法ではないため、反射率の低減には限界
があり、またブラウン管等においては解像度を低下させ
る原因ともなっていた。
１８９３１号記載の如くブラウン管表面に防眩効果をも
たせるため表面に微細な凹凸を有するSiO2層を付着させ
たり、弗酸により表面をエッチングして凹凸を設ける等
の方法が採られてきた。しかし、これらの方法は、外部
光を散乱させるノングレア処理と呼ばれ、本質的に低反
射層を設ける方法ではないため、反射率の低減には限界
があり、またブラウン管等においては解像度を低下させ
る原因ともなっていた。
【０００６】低反射帯電防止膜については特開平３−９
３１３６号にイオンプレーティング法による光学多層膜
を設ける方法が記載されている。
３１３６号にイオンプレーティング法による光学多層膜
を設ける方法が記載されている。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】上述の方法のうち、Ｃ
ＶＤ法による帯電防止膜を付与させる手法は装置コスト
がかかることに加えてブラウン管表面を高温に加熱する
ためブラウン管内の蛍光体の脱落を生じたり、寸法精度
が低下する等の問題があった。またこの場合通常４００
℃程度の高温を必要とし、低温で焼成した場合充分低抵
抗な膜が得られない欠点があった。
ＶＤ法による帯電防止膜を付与させる手法は装置コスト
がかかることに加えてブラウン管表面を高温に加熱する
ためブラウン管内の蛍光体の脱落を生じたり、寸法精度
が低下する等の問題があった。またこの場合通常４００
℃程度の高温を必要とし、低温で焼成した場合充分低抵
抗な膜が得られない欠点があった。
【０００８】また上記着色膜の水溶性フタロシアニン化
合物を用いる方法は、有機染料を用いるため耐熱性、耐
候性に乏しく特定波長に吸収をもつため可視光全波長領
域にわたっての均一な吸収を得ることが難しいという欠
点を有している。メチルバイオレットを含む帯電防止膜
も同様な理由より耐熱性、耐候性に乏しく可視光全波長
領域にわたっての均一な吸収を得ることが難しい。
合物を用いる方法は、有機染料を用いるため耐熱性、耐
候性に乏しく特定波長に吸収をもつため可視光全波長領
域にわたっての均一な吸収を得ることが難しいという欠
点を有している。メチルバイオレットを含む帯電防止膜
も同様な理由より耐熱性、耐候性に乏しく可視光全波長
領域にわたっての均一な吸収を得ることが難しい。
【０００９】またイオンプレーティングによる方法は工
業的に安価とはいえず、また可視光波長領域にわたって
の均一な吸収を得られないため、陰極線管に成膜したと
きコントラストの向上も望めない。
業的に安価とはいえず、また可視光波長領域にわたって
の均一な吸収を得られないため、陰極線管に成膜したと
きコントラストの向上も望めない。
【００１０】本発明は従来技術が有していた前述の欠点
を解決し、低温熱処理が可能な着色膜、あるいは着色帯
電防止膜、着色低反射帯電防止膜およびそれらの製造方
法を新規に提供することを目的とする。
を解決し、低温熱処理が可能な着色膜、あるいは着色帯
電防止膜、着色低反射帯電防止膜およびそれらの製造方
法を新規に提供することを目的とする。
【００１１】
【課題を解決するための手段】本発明は、酸窒化チタン
とＳｉ（ＯＲ）m Ｒn （ｍ＋ｎ＝４、ｍ＝１〜４、ｎ＝
０〜３、Ｒ＝Ｃ1 〜Ｃ4 のアルキル基）の加水分解物か
らなる溶液を基体に塗布することにより得られたことを
特徴とする３８０ｎｍから７００ｎｍの波長領域におい
て透過率が低下された着色膜を提供する。
とＳｉ（ＯＲ）m Ｒn （ｍ＋ｎ＝４、ｍ＝１〜４、ｎ＝
０〜３、Ｒ＝Ｃ1 〜Ｃ4 のアルキル基）の加水分解物か
らなる溶液を基体に塗布することにより得られたことを
特徴とする３８０ｎｍから７００ｎｍの波長領域におい
て透過率が低下された着色膜を提供する。
【００１２】また、本発明は、前述の溶液にＳｎ、Ｉ
ｎ、Ｓｂ、Ｚｎ、ＡｌおよびＧａの群から選ばれる少な
くとも１種の化合物を含むことからなる溶液を基体に塗
布することにより得られたことを特徴とする３８０ｎｍ
から７００ｎｍの波長領域において透過率が低下され、
かつ帯電防止能を有することを特徴とする着色帯電防止
膜を提供し、かつ、基体上に形成される多層膜におい
て、該多層膜のうちの少なくとも１層が、前記の着色帯
電防止膜であることを特徴とする多層低反射着色帯電防
止膜を提供する。
ｎ、Ｓｂ、Ｚｎ、ＡｌおよびＧａの群から選ばれる少な
くとも１種の化合物を含むことからなる溶液を基体に塗
布することにより得られたことを特徴とする３８０ｎｍ
から７００ｎｍの波長領域において透過率が低下され、
かつ帯電防止能を有することを特徴とする着色帯電防止
膜を提供し、かつ、基体上に形成される多層膜におい
て、該多層膜のうちの少なくとも１層が、前記の着色帯
電防止膜であることを特徴とする多層低反射着色帯電防
止膜を提供する。
【００１３】さらに、本発明は、基体表面に形成される
着色膜、着色帯電防止膜、または着色低反射帯電防止膜
の製造方法において、基体表面に酸窒化チタンとＳｉ
（ＯＲ）m Ｒn （ｍ＋ｎ＝４、ｍ＝１〜４、ｎ＝０〜
３、Ｒ＝Ｃ1 〜Ｃ4 のアルキル基）の加水分解物からな
る溶液、あるいは酸窒化チタンとＳｎ、Ｉｎ、Ｓｂ、Ｚ
ｎ、ＡｌおよびＧａの群から選ばれる少なくとも１種の
化合物とＳｉ（ＯＲ）m Ｒ n （ｍ＋ｎ＝４、ｍ＝１〜
４、ｎ＝０〜３、Ｒ＝Ｃ1 〜Ｃ4 のアルキル基）の加水
分解物からなる溶液を塗布した後、加熱および／または
紫外線を照射することを特徴とする着色膜、着色帯電防
止膜膜および着色低反射帯電防止膜の製造方法を提供す
る。
着色膜、着色帯電防止膜、または着色低反射帯電防止膜
の製造方法において、基体表面に酸窒化チタンとＳｉ
（ＯＲ）m Ｒn （ｍ＋ｎ＝４、ｍ＝１〜４、ｎ＝０〜
３、Ｒ＝Ｃ1 〜Ｃ4 のアルキル基）の加水分解物からな
る溶液、あるいは酸窒化チタンとＳｎ、Ｉｎ、Ｓｂ、Ｚ
ｎ、ＡｌおよびＧａの群から選ばれる少なくとも１種の
化合物とＳｉ（ＯＲ）m Ｒ n （ｍ＋ｎ＝４、ｍ＝１〜
４、ｎ＝０〜３、Ｒ＝Ｃ1 〜Ｃ4 のアルキル基）の加水
分解物からなる溶液を塗布した後、加熱および／または
紫外線を照射することを特徴とする着色膜、着色帯電防
止膜膜および着色低反射帯電防止膜の製造方法を提供す
る。
【００１４】発明の着色膜、着色帯電防止膜および着色
低反射帯電防止膜はディスプレイ用途に供されるガラス
物品に好ましく用いられる。ガラス物品としての陰極線
管は近年コンピューターの端末表示等に使用される場合
高解像度の要求とともにハイコントラストの要求も高ま
りつつある。しかしコントラストの向上を期してガラス
自体の透過率を低下させた場合、ディスプレイの大型化
に伴ってフェイスプレートの肉厚も厚くなっていること
から、特に大型ディスプレイでは透過率の著しい低下が
問題となる。
低反射帯電防止膜はディスプレイ用途に供されるガラス
物品に好ましく用いられる。ガラス物品としての陰極線
管は近年コンピューターの端末表示等に使用される場合
高解像度の要求とともにハイコントラストの要求も高ま
りつつある。しかしコントラストの向上を期してガラス
自体の透過率を低下させた場合、ディスプレイの大型化
に伴ってフェイスプレートの肉厚も厚くなっていること
から、特に大型ディスプレイでは透過率の著しい低下が
問題となる。
【００１５】本発明ではガラス自体の透過率を下げるこ
となくその表面に膜を形成しこの膜で光吸収を生じさせ
ることによりコントラストの向上を図る。したがって種
々の肉厚をもつディスプレイ用ガラスパネルへの適用が
極めて容易に可能となる。陰極線管の発光スペクトルは
複数のスペクトルで構成されるが、発光スペクトルのバ
ランスを崩さずにコントラストの向上を図るには特定の
光吸収を持つ着色膜よりも可視光領域にわたって均一の
光吸収を持つ着色膜が好ましい。
となくその表面に膜を形成しこの膜で光吸収を生じさせ
ることによりコントラストの向上を図る。したがって種
々の肉厚をもつディスプレイ用ガラスパネルへの適用が
極めて容易に可能となる。陰極線管の発光スペクトルは
複数のスペクトルで構成されるが、発光スペクトルのバ
ランスを崩さずにコントラストの向上を図るには特定の
光吸収を持つ着色膜よりも可視光領域にわたって均一の
光吸収を持つ着色膜が好ましい。
【００１６】このような観点より鋭意研究を行なった結
果酸窒化チタンを含む着色膜を構成することにより、可
視光領域において均一な光吸収を可能とし上記の問題点
を解決することができた。
果酸窒化チタンを含む着色膜を構成することにより、可
視光領域において均一な光吸収を可能とし上記の問題点
を解決することができた。
【００１７】本発明における酸窒化チタンの組成は特に
限定されないが、窒素を０. １〜３０ｗｔ％含有するＴ
ｉＯx （１．０≦ｘ＜２．０）であることが好ましい。
また、窒素元素の酸化物中での安定化のために短周期型
周期表において示される３Ａ〜７Ａ、８または１Ｂ族元
素を酸窒化チタンに対して５. ０％以下添加するのも好
ましい。
限定されないが、窒素を０. １〜３０ｗｔ％含有するＴ
ｉＯx （１．０≦ｘ＜２．０）であることが好ましい。
また、窒素元素の酸化物中での安定化のために短周期型
周期表において示される３Ａ〜７Ａ、８または１Ｂ族元
素を酸窒化チタンに対して５. ０％以下添加するのも好
ましい。
【００１８】また、本発明では上記酸窒化チタンにＳｉ
（ＯＲ）m Ｒn （ｍ＋ｎ＝４、ｍ＝１〜４、ｎ＝０〜
３、Ｒ＝Ｃ1 〜Ｃ4 のアルキル基）の加水分解物を加え
ることにより溶液中の粒子の安定性が向上し脂肪族炭化
水素類、芳香族炭化水素類、ハロゲン化炭化水素類、ア
ルコール類、ケトン類、エーテル類、エステル類、アル
コールエステル類、ケトンエステル類、エーテルアルコ
ール類、ケトンエーテル類、エステルエーテル類のうち
の１種または２種以上の混合物からなる有機溶剤で希釈
した場合でも凝集沈殿を生じることがない。
（ＯＲ）m Ｒn （ｍ＋ｎ＝４、ｍ＝１〜４、ｎ＝０〜
３、Ｒ＝Ｃ1 〜Ｃ4 のアルキル基）の加水分解物を加え
ることにより溶液中の粒子の安定性が向上し脂肪族炭化
水素類、芳香族炭化水素類、ハロゲン化炭化水素類、ア
ルコール類、ケトン類、エーテル類、エステル類、アル
コールエステル類、ケトンエステル類、エーテルアルコ
ール類、ケトンエーテル類、エステルエーテル類のうち
の１種または２種以上の混合物からなる有機溶剤で希釈
した場合でも凝集沈殿を生じることがない。
【００１９】さらに本発明ではこの着色膜用塗布液にＳ
ｎ、Ｉｎ、Ｓｂ、Ｚｎ、Ａｌ、およびＧａの群から選ば
れる少なくとも１種の酸化物を含有することにより、塗
布成膜後ディスプレイのオン・オフ時に生起する静電気
を抑える帯電防止性能も付与させ、埃等の付着を抑制す
ることも可能とした。さらには上記着色帯電防止膜上に
当該被膜よりも低屈折率を有する膜を構成し解像度を損
なうことなく蛍光灯の映り込み等を抑制する低反射性能
をも付与することも可能とした。
ｎ、Ｉｎ、Ｓｂ、Ｚｎ、Ａｌ、およびＧａの群から選ば
れる少なくとも１種の酸化物を含有することにより、塗
布成膜後ディスプレイのオン・オフ時に生起する静電気
を抑える帯電防止性能も付与させ、埃等の付着を抑制す
ることも可能とした。さらには上記着色帯電防止膜上に
当該被膜よりも低屈折率を有する膜を構成し解像度を損
なうことなく蛍光灯の映り込み等を抑制する低反射性能
をも付与することも可能とした。
【００２０】一般に、薄膜の光学的性能はその膜を構成
する屈折率と膜厚で決定される。ここで一定の屈折率ｎ
S を有する基体上に屈折率ｎを有する薄膜を付着させ、
屈折率ｎ0 の媒質中より波長λの光が入射した場合のエ
ネルギー反射率Ｒは光が膜中を通過する際の位相差をΔ
とするとΔ＝４πｎｄ／λ（ｄ：膜厚）であり、Δ＝
（２ｍ＋１）π、すなわち位相差Δが半波長の奇数倍の
とき極小値をとり、このとき、 Ｒ＝（（ｎ2 −ｎ0 ｎS ）／（ｎ2 ＋ｎ0 ｎS ））2 ・・・（１） となる。
する屈折率と膜厚で決定される。ここで一定の屈折率ｎ
S を有する基体上に屈折率ｎを有する薄膜を付着させ、
屈折率ｎ0 の媒質中より波長λの光が入射した場合のエ
ネルギー反射率Ｒは光が膜中を通過する際の位相差をΔ
とするとΔ＝４πｎｄ／λ（ｄ：膜厚）であり、Δ＝
（２ｍ＋１）π、すなわち位相差Δが半波長の奇数倍の
とき極小値をとり、このとき、 Ｒ＝（（ｎ2 −ｎ0 ｎS ）／（ｎ2 ＋ｎ0 ｎS ））2 ・・・（１） となる。
【００２１】無反射条件を満たすには、（１）式におい
て、Ｒ＝０とおき、 ｎ＝（ｎ0 ｎS ）1/2 ・・・・（２） が必要とされる。（２）式を２層構成に拡張した場合、 ｎS ｎ1 2＝ｎ2 2ｎ0 ・・・・（３） となる。ただし、ｎ1 は媒質側層、ｎ2 は基体側層の屈
折率である。
て、Ｒ＝０とおき、 ｎ＝（ｎ0 ｎS ）1/2 ・・・・（２） が必要とされる。（２）式を２層構成に拡張した場合、 ｎS ｎ1 2＝ｎ2 2ｎ0 ・・・・（３） となる。ただし、ｎ1 は媒質側層、ｎ2 は基体側層の屈
折率である。
【００２２】ここでｎ0 ＝１（空気）、ｎS ＝１. ５２
（ガラス）を（３）式に適用した場合、ｎ2 ／ｎ1 ＝
１．２３となり、この場合、２層構成膜の最大の低反射
性が得られる。勿論ｎ2 ／ｎ1 ＝１．２３を満たさなく
ても、２層膜の屈折率がこれに近い値をとれる場合、低
反射性が得られる。したがって、基体側に設ける高屈折
率層と媒質側に設ける低屈折率層は両者の屈折率比がで
きるだけ1.23に近い値を選択するのが望ましい。
（ガラス）を（３）式に適用した場合、ｎ2 ／ｎ1 ＝
１．２３となり、この場合、２層構成膜の最大の低反射
性が得られる。勿論ｎ2 ／ｎ1 ＝１．２３を満たさなく
ても、２層膜の屈折率がこれに近い値をとれる場合、低
反射性が得られる。したがって、基体側に設ける高屈折
率層と媒質側に設ける低屈折率層は両者の屈折率比がで
きるだけ1.23に近い値を選択するのが望ましい。
【００２３】本発明において、所望の低反射膜を得るに
は、多層膜間の屈折率差と合わせて膜厚も重要な要素で
ある。反射防止性能を有する多層の低反射膜の構成とし
ては、反射防止をしたい波長をλとして、基体側より高
屈折率層および低屈折率層を光学厚みλ／２およびλ／
４で構成した低反射膜、基体側より中屈折率層、高屈折
率層および低屈折率層を光学厚みλ／４、λ／２および
λ／４で順次形成した３層の低反射膜、基体側より低屈
折率層、中屈折率層、高屈折率層および低屈折率層を光
学厚みλ／４、λ／４、λ／２およびλ／４で順次形成
した４層の低反射膜等が典型的な例として知られてい
る。
は、多層膜間の屈折率差と合わせて膜厚も重要な要素で
ある。反射防止性能を有する多層の低反射膜の構成とし
ては、反射防止をしたい波長をλとして、基体側より高
屈折率層および低屈折率層を光学厚みλ／２およびλ／
４で構成した低反射膜、基体側より中屈折率層、高屈折
率層および低屈折率層を光学厚みλ／４、λ／２および
λ／４で順次形成した３層の低反射膜、基体側より低屈
折率層、中屈折率層、高屈折率層および低屈折率層を光
学厚みλ／４、λ／４、λ／２およびλ／４で順次形成
した４層の低反射膜等が典型的な例として知られてい
る。
【００２４】本発明で用いる酸窒化チタン粒子は還元処
理した酸化チタンを用いる。還元処理にはＮ2 ガス、Ｎ
Ｈ3 ガス等を用いることができる。
理した酸化チタンを用いる。還元処理にはＮ2 ガス、Ｎ
Ｈ3 ガス等を用いることができる。
【００２５】酸窒化チタン自体導電性を有しているた
め、帯電防止膜を構成する場合、導電補助成分として機
能する。酸窒化チタンの被膜中における含有割合につい
ては、着色膜の場合１〜９０ｗｔ％が好ましくこれ以下
の場合、着色性能が充分でなくこれ以上の場合は膜の強
度が低下し好ましくない。
め、帯電防止膜を構成する場合、導電補助成分として機
能する。酸窒化チタンの被膜中における含有割合につい
ては、着色膜の場合１〜９０ｗｔ％が好ましくこれ以下
の場合、着色性能が充分でなくこれ以上の場合は膜の強
度が低下し好ましくない。
【００２６】着色帯電防止膜、着色低反射帯電防止膜の
場合は、酸窒化チタンの被膜中における含有割合が１〜
８０ｗｔ％であることが好ましい。酸窒化チタン量が少
なすぎると着色性能が充分でなく、また多すぎると帯電
防止能および膜の透過率が悪化し好ましくない。また、
溶液中のＳｉ（ＯＲ）m Ｒn （ｍ＋ｎ＝４、ｍ＝１〜
４、ｎ＝０〜３、Ｒ＝Ｃ1 〜Ｃ4 のアルキル基）の加水
分解物の含有量については、酸化物換算で全固形分に対
して０．５〜６５ｗｔ％が好ましい。これより少ないと
酸窒化チタンを含む溶液に有機溶媒を混合させた場合凝
集が生じることがある。また、これよりも多いと着色性
能および帯電防止能が悪化し好ましくない。
場合は、酸窒化チタンの被膜中における含有割合が１〜
８０ｗｔ％であることが好ましい。酸窒化チタン量が少
なすぎると着色性能が充分でなく、また多すぎると帯電
防止能および膜の透過率が悪化し好ましくない。また、
溶液中のＳｉ（ＯＲ）m Ｒn （ｍ＋ｎ＝４、ｍ＝１〜
４、ｎ＝０〜３、Ｒ＝Ｃ1 〜Ｃ4 のアルキル基）の加水
分解物の含有量については、酸化物換算で全固形分に対
して０．５〜６５ｗｔ％が好ましい。これより少ないと
酸窒化チタンを含む溶液に有機溶媒を混合させた場合凝
集が生じることがある。また、これよりも多いと着色性
能および帯電防止能が悪化し好ましくない。
【００２７】本発明で用いる酸化物には、Ｓｂをドープ
したＳｎＯ2 、ＩＴＯ、ＡｌをドープしたＺｎＯ、また
はＧａをドープしたＺｎＯなどを用いることができる。
これらの酸化物は導電性を有するので着色膜に導電性を
付与することができ、これでもって帯電防止性能を付与
することができる。これら酸化物は、塗布液中に粒子と
して分散させて用いることも可能であり、また溶液とし
て用いて基体上で酸化物化させることも可能である。
したＳｎＯ2 、ＩＴＯ、ＡｌをドープしたＺｎＯ、また
はＧａをドープしたＺｎＯなどを用いることができる。
これらの酸化物は導電性を有するので着色膜に導電性を
付与することができ、これでもって帯電防止性能を付与
することができる。これら酸化物は、塗布液中に粒子と
して分散させて用いることも可能であり、また溶液とし
て用いて基体上で酸化物化させることも可能である。
【００２８】液中に粒子として添加する場合、分散媒中
の粒子の平均粒径は３０ｎｍ以下となっていることが好
ましい。溶液を用いる場合、キレート錯体のような有機
化合物、硝酸塩のような無機化合物を用い上記の酸窒化
チタンとＳｉ（ＯＲ）m Ｒn（ｍ＋ｎ＝４、ｍ＝１〜
４、ｎ＝０〜３、Ｒ＝Ｃ1 〜Ｃ4 のアルキル基）の加水
分解物からなる溶液と混合して用いる。
の粒子の平均粒径は３０ｎｍ以下となっていることが好
ましい。溶液を用いる場合、キレート錯体のような有機
化合物、硝酸塩のような無機化合物を用い上記の酸窒化
チタンとＳｉ（ＯＲ）m Ｒn（ｍ＋ｎ＝４、ｍ＝１〜
４、ｎ＝０〜３、Ｒ＝Ｃ1 〜Ｃ4 のアルキル基）の加水
分解物からなる溶液と混合して用いる。
【００２９】溶液の基体への塗布方法は、スピンコート
法、ディップ法、スプレー法、ロールコーター法、メニ
スカスコーター法等、種々考えられるが、特にスピンコ
ート法は量産性、再現性に優れ、好ましく用いられる。
かかる方法によって１０ｎｍ〜１μｍ程度の膜が形成可
能である。
法、ディップ法、スプレー法、ロールコーター法、メニ
スカスコーター法等、種々考えられるが、特にスピンコ
ート法は量産性、再現性に優れ、好ましく用いられる。
かかる方法によって１０ｎｍ〜１μｍ程度の膜が形成可
能である。
【００３０】また、着色低反射帯電防止膜において低屈
折率膜を構成する物質としては珪素化合物が屈折率、膜
強度の点より好ましく用いられる。珪素化合物としは、
Ｓｉ（ＯＲ）m Ｒn （ｍ＋ｎ＝４、ｍ＝１〜４、ｎ＝０
〜３、Ｒ＝Ｃ1 〜Ｃ4 のアルキル基）で示される化合物
あるいは部分加水分解物を用いることが好ましいが、珪
弗化水素酸、硼酸を含む水溶液に二酸化珪素粉末を飽和
させてなる溶液より析出させてできる珪素化合物も使用
可能である。Ｓｉ（ＯＲ）m Ｒn で示される化合物ある
いは部分加水分解物の着色帯電防止膜上への塗布方法と
しては、前述した方法と同様に種々の方法が好ましく用
いられる。
折率膜を構成する物質としては珪素化合物が屈折率、膜
強度の点より好ましく用いられる。珪素化合物としは、
Ｓｉ（ＯＲ）m Ｒn （ｍ＋ｎ＝４、ｍ＝１〜４、ｎ＝０
〜３、Ｒ＝Ｃ1 〜Ｃ4 のアルキル基）で示される化合物
あるいは部分加水分解物を用いることが好ましいが、珪
弗化水素酸、硼酸を含む水溶液に二酸化珪素粉末を飽和
させてなる溶液より析出させてできる珪素化合物も使用
可能である。Ｓｉ（ＯＲ）m Ｒn で示される化合物ある
いは部分加水分解物の着色帯電防止膜上への塗布方法と
しては、前述した方法と同様に種々の方法が好ましく用
いられる。
【００３１】本発明の着色膜は酸窒化チタンを含有する
ため、高屈折率を有し上記低屈折率膜との２層で構成し
た場合前述の低反射性能が容易に発現される。
ため、高屈折率を有し上記低屈折率膜との２層で構成し
た場合前述の低反射性能が容易に発現される。
【００３２】本発明において、着色膜、着色帯電防止膜
および着色低反射帯電防止膜を形成する基体としては特
に限定されるものではなく、目的に応じてソーダライム
シリケートガラス、アルミノシリケートガラス、硼珪酸
塩ガラス、リチウムアルミノシリケートガラス、石英ガ
ラス等のガラス、鋼玉等の単結晶、マグネシア、サイア
ロン等の透光性セラミックス、ポリカーボネート等のプ
ラスチックも使用可能である。
および着色低反射帯電防止膜を形成する基体としては特
に限定されるものではなく、目的に応じてソーダライム
シリケートガラス、アルミノシリケートガラス、硼珪酸
塩ガラス、リチウムアルミノシリケートガラス、石英ガ
ラス等のガラス、鋼玉等の単結晶、マグネシア、サイア
ロン等の透光性セラミックス、ポリカーボネート等のプ
ラスチックも使用可能である。
【００３３】
【作用】本発明の着色膜においては着色成分として窒素
を含有してなる酸化チタンを用いるので着色性能に関し
て熱安定性、耐候性に優れている。また、特定の可視光
波長に吸収を生じないため陰極線管に適用した場合、陰
極線管内の蛍光体の発するスペクトルのバランスを崩す
ことなくコントラストの向上を図ることができる。
を含有してなる酸化チタンを用いるので着色性能に関し
て熱安定性、耐候性に優れている。また、特定の可視光
波長に吸収を生じないため陰極線管に適用した場合、陰
極線管内の蛍光体の発するスペクトルのバランスを崩す
ことなくコントラストの向上を図ることができる。
【００３４】全可視光領域における均一な吸収に起因し
て低反射特性も向上する。さらには窒素を含有してなる
酸化チタン自体も導電性を有しているため酸窒化チタン
も帯電防止能を発現させる成分として機能している。
て低反射特性も向上する。さらには窒素を含有してなる
酸化チタン自体も導電性を有しているため酸窒化チタン
も帯電防止能を発現させる成分として機能している。
【００３５】また、上記酸窒化チタンにＳｉ（ＯＲ）m
Ｒn （ｍ＋ｎ＝４、ｍ＝１〜４、ｎ＝０〜３、Ｒ＝Ｃ1
〜Ｃ4 のアルキル基）の加水分解物を加えることにより
溶液中の粒子の安定性が向上し脂肪族炭化水素類、芳香
族炭化水素類、ハロゲン化炭化水素類、アルコール類、
ケトン類、エーテル類、エステル類、アルコールエステ
ル類、ケトンエステル類、エーテルアルコール類、ケト
ンエーテル類、エステルエーテル類のうちの１種または
２種以上の混合物からなる有機溶剤で希釈した場合でも
凝集沈殿を生じることがなく、広範な塗布条件に対応で
きる塗布液が得られる。
Ｒn （ｍ＋ｎ＝４、ｍ＝１〜４、ｎ＝０〜３、Ｒ＝Ｃ1
〜Ｃ4 のアルキル基）の加水分解物を加えることにより
溶液中の粒子の安定性が向上し脂肪族炭化水素類、芳香
族炭化水素類、ハロゲン化炭化水素類、アルコール類、
ケトン類、エーテル類、エステル類、アルコールエステ
ル類、ケトンエステル類、エーテルアルコール類、ケト
ンエーテル類、エステルエーテル類のうちの１種または
２種以上の混合物からなる有機溶剤で希釈した場合でも
凝集沈殿を生じることがなく、広範な塗布条件に対応で
きる塗布液が得られる。
【００３６】
【実施例】以下に実施例により本発明を具体的に説明す
るが、本発明はこれらの実施例に限定されるものではな
い。得られた液の評価結果は下記のように行った。
るが、本発明はこれらの実施例に限定されるものではな
い。得られた液の評価結果は下記のように行った。
【００３７】1 ）液中の粒子の分散安定性評価 大塚電子製レーザー粒径解析システムＬＰＡ−３１００
により液合成直後および５℃で４週間静置保存したのち
の液中の粒子の平均粒径を測定した。得られた膜の評価
は下記のように行った。 ２）透過率評価 日立製作所製スペクトロフォトメータＵ−３５００によ
り３８０ｎｍ、５５０ｎｍ、７８０ｎｍの透過率を測定
した。 ３）ヘーズ評価 スガ試験機製直読ヘーズコンピュータにより膜自体のヘ
ーズを測定した。
により液合成直後および５℃で４週間静置保存したのち
の液中の粒子の平均粒径を測定した。得られた膜の評価
は下記のように行った。 ２）透過率評価 日立製作所製スペクトロフォトメータＵ−３５００によ
り３８０ｎｍ、５５０ｎｍ、７８０ｎｍの透過率を測定
した。 ３）ヘーズ評価 スガ試験機製直読ヘーズコンピュータにより膜自体のヘ
ーズを測定した。
【００３８】４）導電性評価 着色帯電防止膜、着色低反射帯電防止膜について三菱油
化製ハイレスタ抵抗測定器により相対湿度３０％以下の
雰囲気中で膜表面の表面抵抗値を測定した。 ５）耐擦傷性 １ｋｇ重の荷重下、消しゴムで膜表面を50回往復後、そ
の表面の傷の付きを目視で判断した。評価基準は以下の
通りとした。 ○：傷が全く付かない △：傷が多少付く ×：多くの傷が付くか剥離
化製ハイレスタ抵抗測定器により相対湿度３０％以下の
雰囲気中で膜表面の表面抵抗値を測定した。 ５）耐擦傷性 １ｋｇ重の荷重下、消しゴムで膜表面を50回往復後、そ
の表面の傷の付きを目視で判断した。評価基準は以下の
通りとした。 ○：傷が全く付かない △：傷が多少付く ×：多くの傷が付くか剥離
【００３９】６）鉛筆硬度 １ｋｇ重の荷重下、鉛筆で膜表面を走査し、その後目視
により表面の傷の生じ始める鉛筆の硬度を膜の鉛筆硬度
と判断した。 ７）視感反射率 着色低反射帯電防止膜についてＧＡＭＭＡ分光反射スペ
クトル測定器により膜の３８０ｎｍ〜７００ｎｍの視感
反射率を測定した。
により表面の傷の生じ始める鉛筆の硬度を膜の鉛筆硬度
と判断した。 ７）視感反射率 着色低反射帯電防止膜についてＧＡＭＭＡ分光反射スペ
クトル測定器により膜の３８０ｎｍ〜７００ｎｍの視感
反射率を測定した。
【００４０】実施例１ 酸窒化チタン（窒素含有量が１０ｗｔ％でありかつバナ
ジウムを１ｗｔ％含有する）１５ｇをあらかじめｐＨ
３．０に調整した水溶液８５ｇ中に添加してサンドミル
で４時間粉砕して９０℃で１時間加熱したのち、濃度５
ｗｔ％に調整しゾルを得た（Ａ液）。Ｓｉ（ＯＥｔ）4
のエタノール溶液（酸化物換算で固形分５ｗｔ％）にＳ
ｉ（ＯＥｔ）4 に対してｐＨ２．８に調整した硝酸酸性
水溶液を８ｍｏｌ比添加し、２時間８０℃で加熱還流し
た（Ｂ液）。Ａ液とＢ液をＡ液：Ｂ液＝２：３重量比と
なるように混合し酸化物換算で１．２ｗｔ％となるよう
にエタノールおよびブタノール（エタノール：ブタノー
ル＝３：２ｗｔ比）からなる混合有機溶媒で希釈し着色
膜用コート液とした。
ジウムを１ｗｔ％含有する）１５ｇをあらかじめｐＨ
３．０に調整した水溶液８５ｇ中に添加してサンドミル
で４時間粉砕して９０℃で１時間加熱したのち、濃度５
ｗｔ％に調整しゾルを得た（Ａ液）。Ｓｉ（ＯＥｔ）4
のエタノール溶液（酸化物換算で固形分５ｗｔ％）にＳ
ｉ（ＯＥｔ）4 に対してｐＨ２．８に調整した硝酸酸性
水溶液を８ｍｏｌ比添加し、２時間８０℃で加熱還流し
た（Ｂ液）。Ａ液とＢ液をＡ液：Ｂ液＝２：３重量比と
なるように混合し酸化物換算で１．２ｗｔ％となるよう
にエタノールおよびブタノール（エタノール：ブタノー
ル＝３：２ｗｔ比）からなる混合有機溶媒で希釈し着色
膜用コート液とした。
【００４１】実施例２ Ｓｂが８ｍｏｌ％ドープされたＳｎＯ2 粉末（１次粒径
１０ｎｍ）１５ｇを水８５ｇ中に添加してサンドミルで
１６時間粉砕して９０℃で１時間加熱した後、濃度５ｗ
ｔ％に調整しゾルを得た（Ｃ液）。Ａ液とＢ液とＣ液を
各酸化物換算でＡ液：Ｂ液：Ｃ液＝３：２：５重量比と
なるように混合し、エタノール、ＩＰＡ、２−エトキシ
エタノール（エタノール：ＩＰＡ：２−エトキシエタノ
ール＝４：５：１ｗｔ比）からなる混合有機溶媒で０．
９ｗｔ％に希釈し着色帯電防止膜用コート液とした。
１０ｎｍ）１５ｇを水８５ｇ中に添加してサンドミルで
１６時間粉砕して９０℃で１時間加熱した後、濃度５ｗ
ｔ％に調整しゾルを得た（Ｃ液）。Ａ液とＢ液とＣ液を
各酸化物換算でＡ液：Ｂ液：Ｃ液＝３：２：５重量比と
なるように混合し、エタノール、ＩＰＡ、２−エトキシ
エタノール（エタノール：ＩＰＡ：２−エトキシエタノ
ール＝４：５：１ｗｔ比）からなる混合有機溶媒で０．
９ｗｔ％に希釈し着色帯電防止膜用コート液とした。
【００４２】実施例３ 実施例２におけるＳｂが８ｍｏｌ％ドープされたＳｎＯ
2 粉末をＩＴＯ粉末（Ｓｎ／Ｉｎ＝１０／９０ｍｏｌ
比、１次粒径３０ｎｍ) に変更し水８５ｇをＫＯＨであ
らかじめｐＨ８．０に調整した水溶液に変更した以外は
実施例２と同様に行った。
2 粉末をＩＴＯ粉末（Ｓｎ／Ｉｎ＝１０／９０ｍｏｌ
比、１次粒径３０ｎｍ) に変更し水８５ｇをＫＯＨであ
らかじめｐＨ８．０に調整した水溶液に変更した以外は
実施例２と同様に行った。
【００４３】実施例４ 実施例２におけるＳｂが８ｍｏｌ％ドープされたＳｎＯ
2 粉末をＡｌが１０ｍｏｌ％ドープされたＺｎＯ粉末
（１次粒径２０ｎｍ) に変更した以外は実施例２と同様
に行った。
2 粉末をＡｌが１０ｍｏｌ％ドープされたＺｎＯ粉末
（１次粒径２０ｎｍ) に変更した以外は実施例２と同様
に行った。
【００４４】実施例５ 実施例４におけるＡｌが１０ｍｏｌ％ドープされたＺｎ
Ｏ粉末をＧａが８ｍｏｌ％ドープされたＺｎｏＯ粉末
（１次粒径４０ｎｍ) に変更した以外は実施例４と同様
に行った。
Ｏ粉末をＧａが８ｍｏｌ％ドープされたＺｎｏＯ粉末
（１次粒径４０ｎｍ) に変更した以外は実施例４と同様
に行った。
【００４５】比較例１ 実施例１におけるＡ液をエタノールおよびブタノール
（エタノール：ブタノール＝３：２ｗｔ比）からなる混
合有機溶媒で希釈した。
（エタノール：ブタノール＝３：２ｗｔ比）からなる混
合有機溶媒で希釈した。
【００４６】比較例２ 実施例１におけるｐＨ２．８の硝酸酸性水溶液をｐＨ
０．１の硝酸酸性水溶液に変更した以外は実施例１と同
様に行った。
０．１の硝酸酸性水溶液に変更した以外は実施例１と同
様に行った。
【００４７】比較例３ 実施例２におけるＡ液とＢ液とＣ液の混合比を各酸化物
換算でＡ液：Ｂ液：Ｃ液＝５：０：５重量比と変更した
以外は実施例２と同様に行った。
換算でＡ液：Ｂ液：Ｃ液＝５：０：５重量比と変更した
以外は実施例２と同様に行った。
【００４８】実施例６ 実施例１において得られたコート液をブラウン管パネル
表面に１５０ｒｐｍの回転速度で６０秒間塗布し、その
後１６０℃で３０分加熱して約９０ｎｍの膜を得た。
表面に１５０ｒｐｍの回転速度で６０秒間塗布し、その
後１６０℃で３０分加熱して約９０ｎｍの膜を得た。
【００４９】比較例４ 銅フタロシアニンブルー０．０２ｇをＢ液４０ｇに添加
し酸化物換算で１．４ｗｔ％になるようにエタノールお
よびブタノール（エタノール：ブタノール＝３：２ｗｔ
比）からなる混合有機溶媒で希釈しブラウン管パネル表
面に１００ｒｐｍの回転速度で６０秒間塗布しその後１
６０℃で３０分間加熱し膜を得た。
し酸化物換算で１．４ｗｔ％になるようにエタノールお
よびブタノール（エタノール：ブタノール＝３：２ｗｔ
比）からなる混合有機溶媒で希釈しブラウン管パネル表
面に１００ｒｐｍの回転速度で６０秒間塗布しその後１
６０℃で３０分間加熱し膜を得た。
【００５０】実施例７ 実施例２において得られたコート液をブラウン管パネル
表面に１００ｒｐｍの回転速度で６０秒間塗布し、その
後１６０℃で３０分加熱して約１００ｎｍの膜を得た。
表面に１００ｒｐｍの回転速度で６０秒間塗布し、その
後１６０℃で３０分加熱して約１００ｎｍの膜を得た。
【００５１】実施例８ 実施例３において得られたコート液をブラウン管パネル
表面に１００ｒｐｍの回転速度で６０秒間塗布し、その
後２５４ｎｍの波長を主波長とする紫外線を３０分照射
して約１００ｎｍの膜を得た。
表面に１００ｒｐｍの回転速度で６０秒間塗布し、その
後２５４ｎｍの波長を主波長とする紫外線を３０分照射
して約１００ｎｍの膜を得た。
【００５２】実施例９ 実施例４において得られたコート液をブラウン管パネル
表面に１００ｒｐｍの回転速度で６０秒間塗布し、その
後３６５ｎｍの波長を主波長とする紫外線を３０分照射
して約９０ｎｍの膜を得た。
表面に１００ｒｐｍの回転速度で６０秒間塗布し、その
後３６５ｎｍの波長を主波長とする紫外線を３０分照射
して約９０ｎｍの膜を得た。
【００５３】実施例１０ 実施例５において得られたコート液をブラウン管パネル
表面に１００ｒｐｍの回転速度で６０秒間塗布し、その
後３７０℃で１０分加熱して約９０ｎｍの膜を得た。
表面に１００ｒｐｍの回転速度で６０秒間塗布し、その
後３７０℃で１０分加熱して約９０ｎｍの膜を得た。
【００５４】実施例１１ 実施例７において１６０℃、３０分の加熱処理を６０
℃、１０分の加熱処理に変更し約１００ｎｍの厚さの膜
を得た。この膜の上にＢ液を酸化物換算で０．９５ｗｔ
％にエタノールおよびブタノール（エタノール：ブタノ
ール＝３：２ｗｔ比）からなる混合有機溶媒で希釈した
溶液を実施例６記載のスピンコート法で塗布し１６０℃
で３０分加熱処理し着色低反射帯電防止膜を得た。
℃、１０分の加熱処理に変更し約１００ｎｍの厚さの膜
を得た。この膜の上にＢ液を酸化物換算で０．９５ｗｔ
％にエタノールおよびブタノール（エタノール：ブタノ
ール＝３：２ｗｔ比）からなる混合有機溶媒で希釈した
溶液を実施例６記載のスピンコート法で塗布し１６０℃
で３０分加熱処理し着色低反射帯電防止膜を得た。
【００５５】実施例１２ 硝酸インジウムを酸化物換算で５ｗｔ％となるようにア
セチルアセトンに溶解し１３０℃で１時間還流を行った
（Ｄ液）。塩化第１錫をアセチルアセトンに酸化物換算
で５ｗｔ％となるように溶解し１３５℃で２時間加熱還
流を行った（Ｅ液）。Ｄ液とＥ液を各酸化物換算で１．
２ｗｔ％となるようにエタノールで希釈した後、Ｄ液：
Ｅ液＝８５：１５重量比となるように混合した（Ｆ
液）。実施例１１におけるＣ液をＦ液に変更し２層塗布
後の焼成を370 ℃、６分に変更した以外は実施例１１と
同様に行った。
セチルアセトンに溶解し１３０℃で１時間還流を行った
（Ｄ液）。塩化第１錫をアセチルアセトンに酸化物換算
で５ｗｔ％となるように溶解し１３５℃で２時間加熱還
流を行った（Ｅ液）。Ｄ液とＥ液を各酸化物換算で１．
２ｗｔ％となるようにエタノールで希釈した後、Ｄ液：
Ｅ液＝８５：１５重量比となるように混合した（Ｆ
液）。実施例１１におけるＣ液をＦ液に変更し２層塗布
後の焼成を370 ℃、６分に変更した以外は実施例１１と
同様に行った。
【００５６】比較例５ 銅フタロシアニンブルー０．０２ｇをエタノールおよび
ブタノール（エタノール：ブタノール＝３：２ｗｔ比）
からなる混合有機溶媒５０ｇに添加した（Ｇ液）。Ｂ液
とＣ液を各酸化物換算でＢ液：Ｃ液＝２：４重量比とな
るように混合し、エタノール、ＩＰＡ、２−エトキシエ
タノール（エタノール：ＩＰＡ：２−エトキシエタノー
ル＝４：５：１ｗｔ比）からなる混合有機溶媒で０．９
ｗｔ％に希釈した（Ｈ液）。
ブタノール（エタノール：ブタノール＝３：２ｗｔ比）
からなる混合有機溶媒５０ｇに添加した（Ｇ液）。Ｂ液
とＣ液を各酸化物換算でＢ液：Ｃ液＝２：４重量比とな
るように混合し、エタノール、ＩＰＡ、２−エトキシエ
タノール（エタノール：ＩＰＡ：２−エトキシエタノー
ル＝４：５：１ｗｔ比）からなる混合有機溶媒で０．９
ｗｔ％に希釈した（Ｈ液）。
【００５７】Ｈ液とＧ液をＨ液：Ｇ液＝１：９ｗｔ比と
なるように混合しブラウン管パネル表面に１００ｒｐｍ
の回転速度で６０秒間塗布し、その後６０℃で１０分加
熱して約９０ｎｍの膜を得た。この膜の上にＢ液を酸化
物換算で０．９５ｗｔ％にエタノールおよびブタノール
（エタノール：ブタノール＝３：２ｗｔ比）からなる混
合有機溶媒で希釈し実施例６記載のスピンコート法で塗
布し１６０℃で３０分加熱処理した。実施例１〜５およ
び比較例１〜３において作成された塗布液の評価結果を
表１に示す。実施例６および比較例４において作成され
た着色膜の評価結果を表２に示す。実施例７〜１２およ
び比較例５において作成された着色帯電防止膜および着
色低反射帯電防止膜の評価結果を表３に示す。
なるように混合しブラウン管パネル表面に１００ｒｐｍ
の回転速度で６０秒間塗布し、その後６０℃で１０分加
熱して約９０ｎｍの膜を得た。この膜の上にＢ液を酸化
物換算で０．９５ｗｔ％にエタノールおよびブタノール
（エタノール：ブタノール＝３：２ｗｔ比）からなる混
合有機溶媒で希釈し実施例６記載のスピンコート法で塗
布し１６０℃で３０分加熱処理した。実施例１〜５およ
び比較例１〜３において作成された塗布液の評価結果を
表１に示す。実施例６および比較例４において作成され
た着色膜の評価結果を表２に示す。実施例７〜１２およ
び比較例５において作成された着色帯電防止膜および着
色低反射帯電防止膜の評価結果を表３に示す。
【００５８】
【表１】
【００５９】
【表２】
【００６０】
【表３】
【００６１】
【発明の効果】本発明の塗布液は長期安定性に優れ且
つ、着色膜は、熱安定性、耐候性に優れるとともに、特
定の可視光波長に吸収を生じないため陰極線管に適用し
た場合、陰極線管内の蛍光体の発するスペクトルのバラ
ンスを崩すことなくコントラストの向上を図ることがで
きる。また、本発明において用いる窒素を含有してなる
酸化チタンは導電性を有しているため、本発明の着色膜
は、帯電防止能も発現することができる。
つ、着色膜は、熱安定性、耐候性に優れるとともに、特
定の可視光波長に吸収を生じないため陰極線管に適用し
た場合、陰極線管内の蛍光体の発するスペクトルのバラ
ンスを崩すことなくコントラストの向上を図ることがで
きる。また、本発明において用いる窒素を含有してなる
酸化チタンは導電性を有しているため、本発明の着色膜
は、帯電防止能も発現することができる。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｇ０２Ｂ 1/10 (72)発明者 真田 恭宏 神奈川県横浜市神奈川区羽沢町1150番地 旭硝子株式会社中央研究所内 (72)発明者 平塚 和也 神奈川県横浜市神奈川区羽沢町1150番地 旭硝子株式会社中央研究所内
Claims (11)
- 【請求項１】酸窒化チタン粒子とＳｉ（ＯＲ）m Ｒn
（ｍ＋ｎ＝４、ｍ＝１〜４、ｎ＝０〜３、Ｒ＝Ｃ1 〜Ｃ
4 のアルキル基）で示される化合物あるいはその加水分
解物を含む着色膜形成用塗布液。 - 【請求項２】前記酸窒化チタンが窒素を０. ３〜３０ｗ
ｔ％含有するＴｉＯx （１．０≦ｘ＜２．０）であるこ
とを特徴とする請求項１記載の着色膜形成用塗布液。 - 【請求項３】前記のＳｉ（ＯＲ）m Ｒn （ｍ＋ｎ＝４、
ｍ＝１〜４、ｎ＝０〜３、Ｒ＝Ｃ1〜Ｃ4 のアルキル
基）の加水分解物がｐＨ０．１〜６．０の酸性溶液を用
いることにより得られたものであることを特徴とする請
求項１記載の着色膜形成用塗布液。 - 【請求項４】請求項１、２、または３記載の着色膜形成
用塗布液を基体に塗布することにより得られたことを特
徴とする３８０ｎｍから７００ｎｍの波長領域において
透過率が低下された着色膜。 - 【請求項５】請求項１、２、または３記載の着色膜形成
用塗布液中にＳｎ、Ｉｎ、Ｓｂ、Ｚｎ、ＡｌおよびＧａ
の群から選ばれる少なくとも１種の化合物を含むことを
特徴とする着色膜形成用塗布液。 - 【請求項６】請求項５記載の着色膜形成用塗布液を基体
に塗布することにより得られたことを特徴とする３８０
ｎｍから７００ｎｍの波長領域において透過率が低下さ
れ、かつ帯電防止能を有する着色帯電防止膜。 - 【請求項７】基体上に形成される多層膜において、該多
層膜の内の少なくとも１層が、請求項６記載の着色帯電
防止膜であることを特徴とする多層着色帯電防止膜。 - 【請求項８】基体上に形成される多層膜において、基体
側から請求項６記載の着色帯電防止膜、その上に該着色
帯電防止膜よりも低屈折率を有する膜が順次形成される
ことを特徴とする多層着色低反射帯電防止膜。 - 【請求項９】請求項４、６、７、または８記載の着色
膜、着色帯電防止膜または着色低反射帯電防止膜が形成
されることを特徴とするガラス物品。 - 【請求項１０】請求項４、６、７、または８記載の着色
膜、着色帯電防止膜または着色低反射帯電防止膜がパネ
ル表面に形成されることを特徴とする陰極線管。 - 【請求項１１】基体表面に形成される着色膜、着色帯電
防止膜、または着色低反射帯電防止膜の製造方法におい
て、請求項１、２、３、または５記載の着色膜形成用塗
布液を塗布した後、加熱および／または紫外線を照射す
ることを特徴とする着色膜、着色帯電防止膜および着色
低反射帯電防止膜の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18727693A JP3544687B2 (ja) | 1993-06-30 | 1993-06-30 | 塗布液、着色膜およびその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18727693A JP3544687B2 (ja) | 1993-06-30 | 1993-06-30 | 塗布液、着色膜およびその製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0782526A true JPH0782526A (ja) | 1995-03-28 |
| JP3544687B2 JP3544687B2 (ja) | 2004-07-21 |
Family
ID=16203169
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP18727693A Expired - Fee Related JP3544687B2 (ja) | 1993-06-30 | 1993-06-30 | 塗布液、着色膜およびその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3544687B2 (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0704880A3 (en) * | 1994-09-28 | 1998-09-30 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | High-pressure discharge lamp, method for manufacturing a discharge tube body for high-pressure discharge lamps and method for manufacturing a hollow tube body |
| EP0941773A1 (fr) * | 1998-03-13 | 1999-09-15 | Saint-Gobain Vitrage | Procédé de dépÔt de couches à base d'oxyde(s) métallique(s) |
| JP2001207082A (ja) * | 2000-01-26 | 2001-07-31 | Toyota Central Res & Dev Lab Inc | 親水性材料 |
-
1993
- 1993-06-30 JP JP18727693A patent/JP3544687B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (7)
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|---|---|---|---|---|
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