TWI612556B

TWI612556B - 曝光裝置、曝光方法及元件製造方法

Info

Publication number: TWI612556B
Application number: TW103145927A
Authority: TW
Inventors: Naoyuki Kobayashi; Akikazu Tanimoto; Yasushi Mizuno; Kenichi Shiraishi; Katsushi Nakano; Soichi Owa
Original assignee: Nikon Corp
Priority date: 2003-05-23
Filing date: 2004-05-21
Publication date: 2018-01-21
Also published as: US8760617B2; KR20120005562A; JP2011139105A; EP2466620A2; TWI503865B; JP5440228B2; US20130169945A1; EP2498131A3; US20080030695A1; EP2466618A3; KR101536033B1; JP2015029154A; US20160216612A1; TW201137939A; EP2466615A3; US20070064210A1; US20080225250A1; JP5252025B2; EP2466616A3; EP2535769A2

Description

曝光裝置、曝光方法及元件製造方法

本發明係關於透過投影光學系統與液體將圖案像投影至基板上以使基板曝光之曝光裝置，以及元件製造方法。

半導體元件及液晶顯示元件，係使用將光罩上形成之圖案轉印至感光性基板上之所謂的微影法來加以製造。此微影製程中所使用之曝光裝置，具有支持光罩之光罩載台與支持基板之基板載台，一邊逐次移動光罩載台及基板載台、一邊透過投影光學系統將光罩圖案轉印至基板。近年來，為因應元件圖案更進一步之高積體化，皆要求投影光學系統具有更高的解像度。投影光學系統之解像度，隨著所使用之曝光波長越短、投影光學系統之數值孔徑越大而越高。因此，隨著積體電路之微細化，投影曝光裝置所使用之曝光波長亦年年短波長化，且投影光學系統之孔徑數亦增大。目前，雖仍以krF準分子雷射248nm之曝光波長為主流，但波長更短之ArF準分子雷射之193nm亦日漸實用化。又，在進行曝光時，與解像度同樣的，焦深(DOF)亦非常重要。解像度R及焦深δ分別以下式定義。

R=k1‧λ/NA (1)

δ=±k2‧λ/NA² (2)

此處，λ係曝光波長、NA係投影光學系統之數值孔徑、k1,k2係製程係數。根據式(1)、式(2)可知，為提高解像度R，而縮短曝光波長λ、加大孔徑數NA時，焦深δ將變窄。

若焦深變得過窄的話，欲將基板表面對齊投影光學系統之像面將會非常困難，而有曝光動作時裕度(margin)不足之虞。因此，作為一種實質上縮短曝光波長且使焦深廣之方法，例如於國際公開第99/49504號中提出了一種液浸法。此液浸法，係將投影光學系統之下面與晶圓表面之間，以水、或有機溶劑等液體加以充滿，利用曝光用光在液體中之波長為空氣中之1/n倍(n係液體之折射率，一般為1.2~1.6左右)之特性，來提昇解像度且將焦深擴大至約n倍的方法。

然而，上揭先前技術存在如下之問題點。上述國際公開第99/49504號公報所揭示之曝光裝置，係進行液體的供應及回收，以在基板上之一部分形成液浸區域。該曝光裝置於結束液浸曝光後，在未能充分回收液浸區域之液體的狀態下，例如，將基板載台上移動至基板的載置及卸載位置，準備要卸載原基板而載置新基板時，可能造成殘留(附著)於投影光學系統前端或液體供應嘴、回收嘴的液體，往下掉落於周圍之裝置或構件，例如掉落至載台的導引面或載台之干涉儀用反射面等。

此外，若有液體殘留於投影光學系統前端之光學元件時，該殘留液體氣化後，有可能在投影光學系統前端的光學元件造成殘留痕跡(即水痕)，在之後的曝光處理時恐會連帶使基板上的形成圖案受到不良影響。又，在曝光處理之外，在使用基板載台上的基板周圍所配置之基準平面構件或基準標記構件時，亦有可能形成液浸區域，若是該等液浸區域的液體未能充分回收，即有可能在該等構件上殘留痕跡，或是使殘留於該等構件上的液體四處飛散。

本發明係有鑑於上揭問題而為，其目的在於，提供一種曝光裝置，其能在透過投影光學系統與液體將圖案投影至基板之際，充分去除多餘的液體俾在基板上形成所需的元件圖案，且提供使用該曝光裝置之元件製造方法。

為解決以上課題，本發明係採用對應圖1~圖26所示之各實施形態的以下構成。但賦予各要件後括號內之符號僅係例示該要件，並無限定各要件之意圖。

根據本發明之第1態樣，係透過液體(1)將圖案像投影至基板(P)上俾使該基板曝光之曝光裝置(EX)，其具備：投影光學系統(PL)，用以將圖案像投影至基板上；以及，液體去除機構(40,60,160,174,178,180,183,251,257)，係用以去除上述投影光學系統像面附近之配置零件(27,13,14,31,32,151,152)上的殘留液體。

根據本發明，配置在投影光學系統像面附近之零件，例如有投影光學系統前端之光學元件、用以決定曝光區域之定位用基準構件、各種感測器、光穿透光學構件、液體供應機構之噴嘴、回收機構之嘴等等，殘留於其上之多餘液體，藉由液體去除機構來加以而去除，故可防止殘留液體往下掉落或四處飛散，或是在該些零件上造成附著痕(水痕)。因之，能使期望的圖案以高精度形成於基板上。

本發明之第2態樣係一種曝光裝置(EX)，係在基板(P)上的一部分形成液浸區域(AR2)，透過液浸區域的液體(1)，將圖案像投影至上述基板(P)上以使該基板曝光，其具備：投影光學系統(PL)，用以將圖案像投影至上述基板上；基板載台(PST)，可在保持上述基板的情況下移動；液體供應機構(10)，用以將液體供應至基板上，以形成上述液浸區域；第1液體回收機構(30)，用以自上述基板上回收液體；以及第2液體回收機構(20)，其具有設在上述基板載台的回收口(23)，在上述基板之曝光後實施液體回收。

根據本發明，於液浸曝光結束後，用以自基板上的液浸區域回收液體者，並不限於第1液體回收機構，經由在載台上具回收口之第2液體回收機構來進行回收，可防止殘留液體往下掉落或四處飛散，或是造成殘留液體的附著痕。因而，能以高精度將期望的圖案形成於基板上。

根據本發明之第3態樣，係透過液體將圖案像投影至基板上以使該基板曝光之曝光裝置(EX)，其具備有：投影光學系統(PL)，用以將圖案像投影至基板上；以及檢測裝置(100,198)，係用以檢測配置在上述投影光學系統(PL)像面側附近之零件(2,151,152等)的表面狀態。

根據本發明，可藉由檢測裝置的使用，檢測配置在投影光學系統像面附近之零件的表面狀態(是否有附著液體等異物)，因而，可根據該結果採取適切的處置，例如，採洗淨作業以去除零件表面的異物等。

根據本發明之第4態樣，係提供一種元件製造方法，其特徵在於，係使用上述態樣之曝光裝置(EX)。根據本發明，能抑制環境變化或不使投影光學系統像面附近之光學元件產生附著痕之狀態下製造出具期望性能之元件。

EX‧‧‧曝光裝置

MST‧‧‧光罩載台

PST‧‧‧基板載台

IL‧‧‧照明光學系統

EL‧‧‧曝光用光

PL‧‧‧投影光學系統

CONT‧‧‧控制裝置

AR1‧‧‧投影區域

AR2‧‧‧液浸區域

SP‧‧‧膜層材料

MSTD‧‧‧光罩載台驅動裝置

PK‧‧‧鏡筒

SP‧‧‧膜層材料

MRY‧‧‧記憶裝置

PFM‧‧‧基準標記

MFM‧‧‧基板標記

M‧‧‧光罩

P‧‧‧基板

1‧‧‧液體

1A‧‧‧照明區域

2‧‧‧光學元件

2a‧‧‧液體接觸面

4‧‧‧焦點檢測系統

4a‧‧‧發光部

4b‧‧‧受光部

5‧‧‧基板對準系統

6‧‧‧光罩對準系統

7‧‧‧基準構件

10‧‧‧液體供應機構

11‧‧‧第1液體供應部

11A,12A‧‧‧供應管

12‧‧‧第2液體供應部

13‧‧‧第1供應嘴

14‧‧‧第2供應嘴

20‧‧‧第2液體回收裝置

21‧‧‧液體吸收構件

22,45,67,145‧‧‧流路

23,44,144‧‧‧槽部(回收口)

26,46,68,146,148‧‧‧管路

27,47,69,147‧‧‧收納槽

28,48,70,148A‧‧‧閥

29,49,71,149‧‧‧泵

30‧‧‧液體回收機構

31‧‧‧第1回收嘴

32‧‧‧第2回收嘴

33A,34A‧‧‧回收管

33‧‧‧第1液體回收部

34‧‧‧第2液體回收部

35‧‧‧分割構件

40‧‧‧第1液體去除裝置

41‧‧‧噴吹裝置

41A‧‧‧氣體供應部

42‧‧‧液體吸收構件

43‧‧‧噴嘴部

43A‧‧‧噴吹口

47A‧‧‧排出流路

50,55‧‧‧移動鏡

51,56‧‧‧雷射干涉儀

52Z‧‧‧載台

53XY‧‧‧載台

54‧‧‧基座

57‧‧‧輔助板

60‧‧‧第2液體去除裝置

61‧‧‧噴吹裝置

62‧‧‧回收裝置(吸引裝置)

63‧‧‧氣體供應部

64‧‧‧噴嘴部

64A‧‧‧噴吹口

64B‧‧‧凹部

65‧‧‧回收口(槽部)

66‧‧‧液體吸收構件

69A‧‧‧排出流路

72‧‧‧槽部

73‧‧‧覆蓋構件

81‧‧‧吸引裝置

81A‧‧‧吸引部

82‧‧‧吸嘴

82A‧‧‧吸入口

84‧‧‧覆蓋構件

85‧‧‧乾燥氣體供應部

86‧‧‧管路

90‧‧‧洗淨站

91‧‧‧洗淨板

94‧‧‧槽部

95‧‧‧洗淨機構

96‧‧‧洗淨用液體供應部

97A‧‧‧噴射口

98‧‧‧回收管

98A‧‧‧回收口

99‧‧‧回收部

100‧‧‧異物檢測系統

118‧‧‧發光部

119‧‧‧分岐反射鏡

120‧‧‧第1受光部

121‧‧‧第2受光部

126‧‧‧顯示裝置

138‧‧‧照度計(量測系統)

138A‧‧‧板狀構件(上板)

138B‧‧‧受光元件(受光系統)

138C‧‧‧光學系統

138P‧‧‧針孔

142‧‧‧液體吸收構件

147A‧‧‧排出流路

151‧‧‧第1光學構件

152‧‧‧第2光學構件

160‧‧‧氣體噴嘴

161‧‧‧噴吹口

171‧‧‧液體供應部

172‧‧‧供應管

173‧‧‧供應嘴

174‧‧‧液體供應口

175‧‧‧液體回收部

176‧‧‧回收管

177‧‧‧回收嘴

178‧‧‧回收口

181‧‧‧氣體供應管

182,185,253‧‧‧流路切換裝置

183,257‧‧‧氣體供應部

184‧‧‧氣體供應管

190,280‧‧‧液體接收構件

191‧‧‧側壁部

192‧‧‧板狀彈性構件

193‧‧‧驅動機構

194‧‧‧臂部

195‧‧‧致動部

196‧‧‧軸部

198‧‧‧攝影裝置

250‧‧‧中央台

250A‧‧‧中央台上面

251‧‧‧吸附孔

252‧‧‧流路

254‧‧‧第1流路

255‧‧‧第2流路

256‧‧‧真空系統

258‧‧‧槽部

264‧‧‧開口部

第1圖，係本發明之曝光裝置之一實施形態例的概略構成圖。

第2圖，係顯示用以形成液浸區域之液體供應機構及液體回收機構的概略構成圖。

第3圖，係基板載台的俯視圖。

第4圖，係顯示第2液體回收裝置例的圖。

第5(a)及5(b)圖，係顯示液體去除機構之第1液體去除裝置例的概略圖。

第6圖，係顯示液體去除機構之第1液體去除裝置例的概略圖。

第7圖，係顯示液體去除機構之第1液體去除裝置例的概略圖。

第8圖，係顯示液體去除機構之第2液體去除裝置例的概略圖。

第9圖，係用以說明基板載台之移動狀態的示意圖。

第10圖，係顯示液體去除機構之第2液體去除裝置例的概略圖。

第11圖，係顯示液體去除機構之第2液體去除裝置例的概略圖。

第12圖，係顯示液體去除機構之第2液體去除裝置例的概略圖。

第13圖，係顯示洗淨機構例的概略圖。

第14圖，係顯示洗淨機構例的概略圖。

第15圖，係顯示異物檢測系統例的概略圖。

第16圖，係顯示基板載台之其他實施形態的俯視圖。

第17圖，係顯示第1液體去除裝置例的概略圖。

第18圖，係顯示本發明之曝光裝置之其他實施形態的示意圖。

第19圖，係顯示本發明之液體去除動作之其他實施形態的示意圖。

第20(a)及20(b)圖，係顯示氣體噴嘴與光學元件之關係的圖。

第21圖，係顯示本發明之曝光裝置之其他實施形態的示意圖。

第22圖，係顯示本發明之曝光裝置之其種實施形態的示意圖。

第23圖，係顯示本發明之曝光裝置之其他實施形態的示意圖。

第24圖，係顯示本發明之曝光裝置之其他實施形態的示意圖。

第25圖，係從上方觀察第24圖之基板載台之主要部位的俯視圖。

第26圖，係半導體元件之製程例的流程圖。

第27圖，係顯示本發明之曝光裝置之曝光步驟例的流程圖。

以下，參照圖式說明本發明之曝光裝置的實施形態，然而本發明不侷限於以下所載內容。

〈使用第1及第2液體去除裝置之曝光裝置的實施形態〉

圖1係本發明之曝光裝置之一實施形態之概略結構圖。圖1中，曝光裝置EX，具備：光罩載台MST，係用以支持光罩(標線片)M；基板載台PST，係用以支持基板P；照明光學系統IL，係以曝光用光EL照明於光罩載台MST所支持之光罩M；投影光學系統PL，係使得被曝光用光EL所照射的光罩M之圖案像，能投影曝光於被基板載台PST所支持的基板P；控制裝置CONT，係統籌控制曝光裝置EX全體之動作。

本實施形態之曝光裝置EX，係為了實質縮短曝光波長以提高解析度並同時顧及焦深之擴大，而使用液浸法之液浸曝光裝置，其具備：液體供應機構10，係用以將液體1供應至基板P上；以及液體回收機構30，係用以自基板P上回收液體1。本實施形態之液體1係使用純水。在曝光裝置EX內，至少在將光罩M的圖案像轉印至基板P上之過程當中，由液體供應機構10所供應的液體1，在基板P上之至少一部分(包含投影光學系統PL之投影區域AR1)形成液浸區域AR2。具體而言，曝光裝置EX中，在投影光學系統PL的前端部之光學元件2及基板P的表面(曝光面)間滿佈液體1，使基板P曝光時，透過位於投影光學系統PL與基板P間的液體1及投影光學系統PL，將光罩M的圖案像投影於基板P上。

此處，本實施形態，係以使用掃描型曝光裝置(所謂之掃描步進器)之情形為例來進行說明，此型之曝光裝置，係一邊使光罩M與基板P於掃描方向以彼此不同之面向(反方向)同步移動，一邊將光罩M上所形成之圖案曝光至基板P。以下之說明中，係於水平面內取光罩M與基板P之同步移動方向(掃描方向、既定方向)為X軸方向、於水平面內取與X軸方向正交之方向為Y軸方向(非掃描方向)、取與X軸及Y軸方向垂直且與投影光學系統PL之光軸AX一致的方向為Z軸方向。此外，取繞X軸、Y軸、及Z軸方向分別為θ X方向、θ Y方向、及θ Z方向。又，此處所指之「基板」包含在半導體晶圓上塗布光阻者，所謂之「光罩」則包含其上形成欲縮小投影至基板上之元件圖案的標線片。

照明光學系統IL，係用來以曝光用光EL照明被光罩載台 MST所支持之光罩M，具有：曝光用光源，用以使曝光用光源所射出之光束照度均勻化之光學積分器，用以將來自光學積分器之曝光用光EL加以聚光之聚光透鏡，中繼透鏡系統，及可變視野光闌(用來將曝光用光EL照射於光罩M上之照明區域設定成狹縫狀)等。光罩M上之既定照明區域，係使用照明光學系統IL以照度分佈均勻之曝光用光EL來加以照明。從照明光學系統IL射出之曝光用光EL，例如係使用從水銀燈射出之紫外線帶之亮線(g線、h線、i線)以及KrF準分子雷射光(波長248nm)等之遠紫外光(DUV光)、ArF準分子雷射光(波長193nm)及F2雷射光(波長157nm)等之真空紫外光等。本實施形態，係使用ArF準分子雷射光。如前所述，本實施形態之液體1為純水，即使曝光用光EL為ArF準分子雷射光亦能穿透。此外，純水亦能使紫外線帶之亮線(g線、h線、i線)以及KrF準分子雷射光(波長248nm)等遠紫外光(DUV光)穿透。

光罩載台MST係用來支持光罩M，能在與投影光學系統PL 之光軸AX垂直的平面內，亦即能在XY平面內進行2維移動及θ Z方向之微小旋轉。光罩載台MST係以線性馬達等之光罩載台驅動裝置MSTD來加以驅動。光罩載台驅動裝置MSTD係以控制裝置CONT加以控制。光罩載台MST上設有移動鏡50。於移動鏡50之對向位置設有雷射干涉儀51。光罩載台MST上光罩M之2維方向位置、及旋轉角，係以雷射干涉儀51即時加以測量，測量結果被輸出至控制裝置CONT。控制裝置CONT，根據雷射干涉儀51之測量結果來驅動光罩載台驅動裝置MSTD，據以進行光罩載台MST所支持之光罩M之定位。

投影光學系統PL，係以既定投影倍率β將光罩M之圖案投影曝光至基板P，以複數個光學元件(透鏡)構成，此等光學元件係以金屬構件之鏡筒PK來加以支持。本實施形態中，投影倍率β係例如1/4或1/5之縮小系統。又，投影光學系統PL可以是等倍系統或放大系統任一者。此外，在本實施形態之投影光學系統PL前端部之光學元件2係以能裝卸(更換)之方式設於鏡筒PK。又，前端部的光學元件2係外露(突出)於鏡筒PK，液浸區域AR2的液體1僅接觸於光學元件2。藉而，可防止由金屬所構成的鏡筒PK受到腐蝕。

光學元件2係由螢石形成。螢石與純水的親和性佳，故可使得液體1幾乎全面的緊貼於光學元件2的液體接觸面2a。亦即，在本實施形態中所供應者，係與光學元件2的液體接觸面2a間具有高親和性之液體(純水)1，因而，可以確保光學元件2之液體接觸面2a與液體1的高密合性。光學元件2亦可使用具有對水之高親和性的石英。又，亦可對光學元件2的液體接觸面2a施以親水化(親液體化)處理，以進一步提昇與液體1間的親和性。

又，曝光裝置EX具有焦點檢測系統4。焦點檢測系統4具有發光部4a及受光部4b，來自發光部4a的檢測光透過液體1後由斜上方投射至基板P表面(曝光面)，由受光部4b接收基板P表面之反射光。控制裝置CONT控制焦點檢測系統4的動作，且根據受光部4b之受光結果，檢測出基板P表面相對於既定基準面在Z軸方向的位置(聚焦位置)。又，使用焦點檢測系統4求出基板P表面之複數個點之焦點位置，亦可求得基板P之傾斜姿勢。再者，焦點檢測系統4之構成例，例如可使用日本專利特開平8-37149號公報所揭示者。

基板載台PST係用以支持基板P者，其具備：Z載台52，係透過基板保持具保持基板P；XY載台53，係用以支持Z載台52；及基座54，係用以支持XY載台53。基板載台PST係藉由線型馬達等基板載台驅動裝置PSTD所驅動。基板載台驅動裝置PSTD係由控制裝置CONT所控制。再者，當然倚可將Z載台與XY載台設置成一體。藉由基板載台PST 的XY載台53的驅動，可據以控制基板P在XY方向的位置(即與投影光學系統PL的像面實質平行之方向的位置)。

在基板載台PST(Z載台52)之上，設有隨基板載台PST一同相對移動於投影光學系統PL之移動鏡55。又，在對向於移動鏡55的位置，設有雷射干涉儀56。基板載台PST上之基板P，其在2維方向之位置以及旋轉角度係由雷射干涉儀56即時加以量測，量測結果輸出至控制裝置CONT。該控制裝置CONT根據雷射干涉儀56的量測結果，透過基板載台驅動裝置PSTD來驅動XY載台53，據以進行被基板載台PST所支持的基板P在X軸方向及Y軸方向的定位。

又，控制裝置CONT係透過基板載台驅動裝置PSTD來驅動基板載台PST之Z載台52，據以對由Z載台52所保持的基板P在Z軸方向的位置(焦點位置)、及θ X、θ Y方向的位置進行控制。亦即，係由控制裝置CONT根據焦點檢測系統4的檢測結果而下達指令，以驅使Z載台52動作，控制基板P的焦點位置(Z位置)及傾斜角度，以使基板P的表面(曝光面)與透過投影光學系統PL及液體1所形成的像面一致。

在基板載台PST(Z載台52)上，設有圍繞基板P、其表面平坦的輔助板57。輔助板57係設置成，其表面與基板保持具所保持之基板P的表面約略同高。此處，在基板P的邊緣部與輔助板57之間雖有0.1~2mm左右之縫隙，然而，受液體1的表面張力所致，液體1幾乎不會流入該縫隙內，即使使基板P的周邊附近曝光時，亦可由輔助板57將液體1保持於投影光學系統PL之下。

在投影光學系統PL的前端附近，設有基板之對準系統5，其係用以檢測出基板P上之對準標記，或是設於Z載台52上之基準標記。又，在光罩載台MST的附近，設有光罩對準系統6，其係透過光罩M與投影光學系統PL而檢測出設於Z載台52上之基準標記。又，所採用之基板對準系統5的結構，可選用例如日本專利特開平4-65603號公報中所揭示者；所採用之光罩對準系統6的結構，可選用特開平7-176468號公報中所揭示者。

在基板對準系統5的附近，設有用以除去殘留在基準構件(具有設在Z載台52之上述基準標記)之液體1的第1液體去除裝置40。又，基板載台PST設置有第2液體回收裝置20來回收液體1。

液體供應機構10係用以將既定液體1供應至基板P上以形成液浸區域AR2者。其具備：第1液體供應部11及第2液體供應部12，可送出液體1；第1供應嘴13，其係透過形成流路之供應管11A與第1液體供應部11相連，具有供應口以將此第1液體供應部11送出之液體1供應至基板P上；以及第2供應嘴14，其係透過形成流路之供應管12A與第2液體供應部12相連，具有供應口以將此第2液體供應部12送出之液體1供應至基板P上。第1及第2供應嘴13,14，在液浸曝光中係接觸於液浸區域AR2之液體1。第1及第2供應嘴13,14之配置，係近接於基板P的表面，在基板P的表面方向係被設置於相異之位置。具體而言，當液體供應機構10的第1供應嘴13之設置處，係面對投影區域AR1之掃描方向的一端之側(-X側)時，第2供應嘴14則被設置成對向於第1供應嘴13，即掃描方向之另一側(+X側)。

第1及第2液體供應部11,12分別具有收納槽以儲存液體 1，以及加壓泵等，分別透過供應管11A,12A及供應嘴13,14朝著基板P上供應液體1。又，第1及第2液體供應部11,12的液體供應動作，係由控制裝置CONT所控制，控制裝置CONT可分別控制第1及第2液體供應部11,12對基板P上之單位時間的液體供應量。又，第1及第2液體供應部11,12分別具有液體1之溫度調整機構，使得被供應至基板P上之液體1，其溫度保持在與裝置收容槽約略相同之23℃。

由液體供應部11,12所供應的純水(液體)，以穿透率為99% /mm以上者較佳，此時，溶解於純水中的碳化合物，若以TOC(total organic carbon)的值表示有機系化合物中的碳素總量時，以3ppb以下者較佳。

液體回收機構(第1液體回收裝置)30係用以自基板P上回收液體1者，其具備：第1及第2回收嘴31,32，係具有接近基板P表面配置之回收口；以及第1及第2液體回收部33,34，係分別透過形成流路的回收管33A,34A與該第1及第2回收嘴31,32相連。第1及第2回收嘴31,32在液浸曝光中係接觸於液浸區域AR2之液體1。第1及第2液體回收部33,34具備有例如真空泵等吸引裝置，以及用以儲存該已回收液體1之收納槽，透過第1及第2回收嘴31,32，以及回收管33A,34A來回收基板P上之液體1。第1及第2液體回收部33,34的液體回收動作係由控制裝置CONT所控制。控制裝置CONT能分別控制第1及第2液體回收部33,34之單位時間液體回收量。

圖2係顯示液體供應機構10及液體回收機構30之概略構成的俯視圖。如圖2所示，投影光學系統PL的投影區域AR1，係被設定成以Y軸方向(非掃描方向)為長邊方向之狹縫狀(矩形狀)，滿佈液體1的液浸區域AR2係包含投影區域AR1而形成在基板P上的一部分。如以上所述，用以形成投影區域AR1的液浸區域AR2之液體供應機構10，其第1供應嘴13之設置處，係面對投影區域AR1之掃描方向的一端之側(-X側)，其第2供應嘴14之設置處，係上述的反側，即掃描方向的另一側(+X側)。第1及第2供應嘴13,14，分別形成為以Y軸方向為長邊方向之直線狀(俯視)。第1及第2供應嘴13,14的供應口，分別形成為以Y軸方向為長邊方向之狹縫狀，朝向基板P的表面。液體供應機構10係藉由第1及第2供應嘴13,14的供應口，同時由投影區域AR1的X方向之±側來供應液體1。

由圖2可知，液體回收機構30之第1及第2回收嘴31,32，分別具有面向基板P表面之連續形成的圓弧狀回收口。又，由彼此相對配置之第1及第2回收嘴31,32，構成略圓環狀的回收口。第1及第2回收嘴31,32之各自的回收口配置，係圍繞液體供應機構10之第1及第2供應嘴13,14以及投影區域AR1。又，在圍繞投影區域AR1連續形成之回收口內部具有複數個區隔構件35。

由第1及第2供應嘴13,14的供應口供應至基板P上之液體 1，係以擴至投影光學系統PL的前端部(光學元件2)之下端面與基板P之間的方式供應。又，由第1及第2供應嘴13,14所供應的液體1，係由第1及第2回收嘴31,32的回收口來回收之。

圖3所示者，係由上方觀察基板載台PST的Z載台52時，所得之概略俯視圖。在矩形狀的Z載台52之彼此垂直的2個側面，配置有移動鏡55，在Z載台52的約略中央處，係透過未圖示的保持具來保持基板P。在基板P的周圍，如以上所述般地設有輔助板57，其平面高度與基板P 的表面約略同高。又，在輔助板57的周圍，設有液體吸收構件21，其係構成回收液體1之第2液體回收裝置20的一部分。液體吸收構件21係具有既定幅寬之環狀構件，配置於以環狀形成於Z載台52上的槽部(回收口)23。液體吸收構件21可由例如多孔質陶瓷等多孔性材料來構成。或者，液體吸收構件21之形成材料，亦可使用多孔性材料的海棉。使用上述多孔性材料所構成之液體吸收構件21，可在液體吸收構件21保持既定量的液體1。

圖4係第2液體回收裝置20之截面圖。第2液體回收裝置 20，具備：上述液體吸收構件21，其係配置在以環狀形成於Z載台52上的槽部(回收口)23；流路22，其係形成於Z載台52內部，與槽部23連通；管路26，其係設置於Z載台52外部，以其中一端與流路22相連；收納槽27，其係連接於管路26的另一端，且設置在Z載台52外部；以及作為吸引裝置之泵29，其係透過閥28與上述收納槽27相連。液體回收裝置20，驅動泵29以吸引由液體吸收構件21所回收的液體1，將其聚集於收納槽27。收納槽27設有排放流路27A，一旦在收納槽27所聚集的液體1達到既定量，在收納槽27內的液體1即透過排放流路27A排至外部。

回到圖3，在Z載台52的一隅附近設有基準構件7。於基準構件7，以既定位置關係設有由基板對準系統5所檢測的基準標記PFM，與由光罩對準系統6所檢測的基板標記MFM。又，基準構件7的表面大致平坦，亦可作為焦點檢測系統4之基準面。再者，焦點檢測系統4的基準面，亦可設置在Z載台52上之異於基準構件7的他處。又，基準構件7與輔助板57可一體設置。

又，在Z載台52上之基準構件7的附近，設有液體吸收構件42，其係構成為用以去除基準構件7之殘留液體1的第1液體去除裝置40的一部分。此外，在Z載台52之另一隅附近，設有第2液體去除裝置60，其係用以去除殘留在投影光學系統PL前端之光學元件2或前端附近的鏡筒PK之液體1。

接著，一邊參照圖27之流程圖，一邊詳述使用上述曝光裝置以將光罩M的圖案曝光於基板P時，所採之實施步驟。

由液體供應機構10供應液體1之前，在基板P上並無液體1的狀態下，求取對準標記之位置資訊。控制裝置CONT一邊監測干涉儀56的輸出使投影光學系統PL的光軸AX部分沿圖3的波浪狀箭頭43前進，一邊移動XY載台53。在上述移動進行中，基板對準系統5係在未透過液體1的情況下，檢測出照射區域S1~S11所對應之形成於基板P上的複數個對準標記(未圖示)(如圖27之步驟SA1)。再者，基板對準系統5在檢測對準標記時，係在XY載台53停止的狀態下進行。其結果，可求得由雷射干涉儀56所規定之座標系統內各對準標記之位置資訊。再者，由基板對準系統5檢測對準標記時，可檢測出基板P上之所有對準標記，亦可僅檢測其中一部分。

又，在該XY載台53移動之際，藉由焦點檢測系統4，在未透過液體1的條件下檢測基板P的表面資訊(圖27之步驟SA2)。以焦點檢測系統4來檢測表面資訊時，係對於基板P的所有照射區域S1~S11逐一進行，將檢測得之結果，對應基板P的掃描方向(X軸方向)位置而儲存於控制裝置CONT。再者，由焦點檢測系統4所檢測之表面資訊，亦可僅針對一部分之曝光照射區域進行。

基板P之對準標記的檢測及基板P之表面資訊的檢測結束後，控制裝置CONT即移動XY載台53，以在基準構件7上定位出基板對準系統5之檢測區域。基板對準系統5係檢測出基準構件7上之基準標記PFM，以求出雷射干涉儀56所規定之座標系統內的基準標記PFM之位置資訊(圖27之步驟SA3)。

結束此基準標記PFM之檢測處理，即可據以得知，基準標記PFM與基板P上之複數個對準標記之位置關係，亦即是基準標記PFM與基板P上之複數個照射區域S1~S11之位置關係。又，因基準標記PFM與基準標記MFM具有既定之位置關係，故可分別決定出，XY平面內基準標記MFM與基板P上之複數個照射區域S1~S11間的位置關係。

又，在基板對準系統5所進行的基準標記PFM之檢測之前或之後，控制裝置CONT藉由焦點檢測系統4來檢測基準構件7的表面(基準面)之表面資訊(圖27之步驟SA4)。結束該基準構件7表面之檢測處理，即可得知基準構件7表面與基板P表面的關係。

接著，控制裝置CONT移動XY載台53，以藉由光罩對準系統6來檢測基準構件7上之基準標記MFM。此時，投影光學系統PL的前端部與基準構件7呈對向。在此際，控制裝置CONT開始液體供應機構10及液體回收機構30對液體1的供應及回收，俾在投影光學系統PL與基準構件7之間形成充滿液體1的液浸區域。再者，基準構件7在XY方向的尺寸，較供應嘴13,14及回收嘴31,32要大得多，可順暢的在基準構件7上形成液浸區域AR2。

接著，控制裝置CONT藉由光罩對準系統6，透過光罩M、投影光學系統PL及液體1來進行基準標記MFM之檢測(圖27之步驟SA5)。據此，即可使用基準標記MFM而得知光罩透過投影光學系統及液體1後在XY平面內的位置，亦即是光罩M的圖案像之投影位置資訊。

以上所述之檢測處理結束後，控制裝置CONT即停止由液體供應機構10將液體1供應至基準構件7上之供應動作。另一方面，控制裝置CONT對於液體回收機構30自基準構件7上回收液體1之回收動作，仍持續一既定期間(步驟SA5.1)。又，經過上述既定期間後，控制裝置CONT停止液體回收機構30之回收動作，且為了除去液體回收機構30未能完全回收而殘留在基準構件7上之液體1，而移動基板載台PST使其朝後述第1液體去除裝置40之噴吹裝置41的方向移動。

圖5之示意圖，係用以表達作為液體去除機構的一部分之第1液體去除裝置40，對於設置在基板載台PST(Z載台52)上之基準構件7予以去除殘留液體1的狀態；其中，圖5(a)係概略立體圖，圖5(b)係截面圖。圖5中的第1液體去除裝置40，具備對基準構件7噴吹氣體之噴吹裝置41，以及與基準構件7相鄰設置之液體吸收構件42。噴吹裝置41具有可送出氣體之氣體供應部41A，以及連接於氣體供應部41A之噴嘴部43。噴嘴部43之噴吹口43A，係平行於基準構件7表面之面內方向的狹縫狀，且接近基準構件7配置。又，液體吸收構件42之配置位置，係隔著基準構件7且與噴嘴部43之噴吹口43A對向處。氣體供應部41A及噴嘴部43，係由獨立於投影光學系統PL之其他未圖示之支持部所支持，液體吸收構件42之配置處，係設於Z載台52之作為回收口用途的槽部44內。液體吸收構件42之構成與第2液體回收裝置20之液體吸收構件21相同，皆可由例如多孔質陶瓷或海棉等多孔性材料來構成，可保持既定量之液體1。由氣體供應部41A所送出的氣體，透過噴嘴部43之狹縫狀噴吹口43A，能將高速的氣體由斜上方吹至基準構件7。控制裝置CONT，藉由第1液體去除裝置40的噴嘴部43對基準構件7噴吹氣體，來吹飛殘留於基準構件7上的液體1加以去除(步驟SA5.2)。此時，控制裝置CONT係一邊使基板載台PST(即基準構件7)朝向第1液去除裝置40之噴嘴部43移動，一邊使噴嘴部43朝基準構件7噴吹氣體，因此可不須對基準構件7的表面全體噴吹氣體。被吹飛的液體1，係由噴嘴部43的噴吹口43A之對向處所配置的液體吸收構件42來予以保持(回收)。

如圖5(b)所示，在Z載台52內部形成有與槽部44相連的流路45，配置在槽部44內之液體吸收構件42的底部與流路45相連。連接於配置有液體吸收構件42之槽部44的流路45，又連接至設在Z載台52外部之管部46的一端。另一方面，管路46的另一端，則透過設於Z載台52外部之收納槽47及閥48，連接至作為吸引裝置之泵49。第1液體去除機構40在驅動氣體供應部41A的同時，亦驅動泵49以吸引由液體吸收構件42所回收的液體1，將其集中於收納槽47內。收納槽47具有排出流路47A，當收納槽47所累積的液體1達到既定量，在收納槽47內的液體1即透過排出流路47A而排至外部。

接著，控制裝置CONT即移動XY載台53以將基板P移動至投影光學系統PL之下，俾對於基板P上之各照射區域S1~S11進行曝光(圖27之步驟SA6)。在基板P被配置於投影光學系統PL下的狀態，控制裝置CONT開始驅動液體供應機構10，以將液體供應至基板P上。為形成液浸區域AR2而分別自液體供應機構10之第1及第2液體供應部11,12送來的液體1，流過供應管11A,12A後，透過第1及第2供應嘴13,14供應至基板P上，而在投影光學系統PL及基板P之間形成液浸區域AR2。此時，第1及第2供應嘴13,14之供應口，係配置在投影區域AR1的X軸方向(掃描方向)兩側，控制裝置CONT藉由液體供應機構10的供應口，由投影區域AR1的兩側同時朝基板P上供應液體1。據此，供應至基板P上之液體1，在基板P上形成了至少較投影區域AR1為寬的液浸區域AR2。又，控制裝置CONT控制液體回收機構30之第1及第2液體回收部33,34，與液體供應機構10的液體1之供應動作並行地自基板P上回收液體。亦即，控制裝置CONT為了在基板P的曝光當中形成液浸區域AR2，係同時進行液體供應機構10之液體供應動作及液體回收機構(第1液體回收機構)30之液體回收動作(圖27之步驟SA7)。藉此，由第1及第2供應嘴13,14的供應口流至投影區域AR1外側之基板P上液體1，係由第1及第2回收嘴31,32的回收口來予以回收。如前所述，液體回收機構30係由圍繞於投影區域AR1的回收口來回收基板P上的液體1。

接著，使用上述檢測處理中所求得之各項資訊，對基板P 上之各照射區域S1~S11進行掃描曝光(圖27之步驟SA8)。亦即，對於各個照射區域進行掃描曝光中，係根據液體1之供應前求得之基準標記PFM與各照射區域S1~S11間之位置關係的資訊、以及液體1之供應後使用基準標記MFM所求得之光罩M之圖案像的投影位置資訊，來進行基板P上之各照射區域S1~S11與光罩M之位置對準。

又，對各照射區域S1~S11之掃描曝光中，係根據液體1 之供應前所求得之基板P的表面資訊、以及在掃描曝光中使用焦點檢測系統4所測得之基板P表面的面資訊，不使用焦點檢測系統4，來調整基板P表面與透過液體1所形成之像面間的位置關係。

本實施形態中，自投影區域AR1的掃描方向兩側朝基板P 供應液體1之際，控制裝置CONT控制液體供應機構10之第1及第2液體供應部11,12之液體供應動作時，就掃描方向而言，自投影區域AR1的之前方向所供應的液體，其單位時間之液體供應量，要多於來自反向側之供體供應量。例如，當基板P邊朝+X方向移動以進行曝光處理時，控制裝置CONT係使來自投影區域AR1之-X側(亦即第1供應嘴13)之液體量，要多於來自+X側(亦即第2供應嘴14)之液體量，另一方面，當基板P邊朝-X方向移動以進行曝光處理時，則係使來自投影區域AR1之+X側的液體量，多於來自-X側之液體量。

基板P上之各照射區域S1~S11的掃描曝光結束後，控制裝置CONT即停止液體供應機構10之液體供應動作，且移動基板載台PST，使設於基板載台PST之第2液體回收裝置20的回收口23來到投影光學系統PL之對向處。又，控制裝置CONT併用液體回收機構(第1液體回收裝置)30及第2液體回收裝置20，對存在於投影光學系統PL之下的液體1進行回收(步驟SA9)。如前所述，在回收液浸區域AR2的液體1時，係同時使用設在基板載台PST的上方、且具有回收口之液體回收機構(第1液體回收裝置)30，以及設置在基板載台PST上、且具有回收口之第2液體回收裝置20，因此可抑制液體1殘留在投影光學系統PL的前端或基板P上。

再者，第2液體回收裝置20係在基板P的曝光結束後用來回收液浸區域AR2之液體1，然而，亦可在液浸曝光中回收已流至基板P(輔助板57)外側之液體1。又，第2液體回收裝置20之回收口23，係於基板P之周圍設成環狀，然而，若是考量結束基板P之曝光後該基板載台PST之移動方向，而將一部分設置在基板P(輔助平板57)附近之既定位置處亦可。又，在液浸曝光的前後，為了顧及在回收動作伴隨有較大振動時仍不會影響液浸曝光本體，可將液體回收機構30之回收功率設定為較液浸曝光進行中要大。

又，在結束液浸曝光後，未能完全回收基板P上之液體1 時，雖然基板P並非裝置之構成零件，例如，若是移動支持基板P的基板載台PST，以使基板P位在遠離投影光學系統PL的位置，具體而言，係配置在第1液體去除裝置40之上述噴吹裝置41的下方，而後朝基板P噴吹以去除液體，透過液體吸收構件被泵42來吸引被吹散的液體1，將其集中於收納槽47內。又，被吹散開來的液體1，亦可由第2液體回收裝置20予以回收。理所當然的，該噴吹動作並非獨針對基板P，對於輔助板57或輔助板57外側之Z載台52表面亦可。

如以上所示，第1液體去除裝置40可去除殘存於基準構件 7上的液體1，然而，對於基板載台PST上之基準構件7以外的零件(區域)所殘留的液體1，亦可予以去除。例如，若在液浸曝光中，液體1流(或四處飛散)至基板P的外側，導致液體1附著於基板載台PST(Z載台52)上之際，可在結束基板P的曝光後，藉第1液體去除裝置40來回收基板載台PST上的液體1。此時，被第1液體去除裝置40的噴吹裝置41吹散開來的液體1，亦可由配置在第2液體回收裝置20的槽部(回收口)23之液體吸收構件 21來回收。

又，亦可使噴吹裝置41的噴嘴部43朝基板載台PST移動，俾在基板P之曝光進行中或曝光結束後，用來回收流至基板P外側之液體1。

如以上所揭示般，本發明設有第1液體去除裝置40，用以去除在基板載台PST(Z載台52)所配置的基準構件7之殘留液體1，因而，可防止液體1殘留於基準構件7上。又，在結束基板P的曝光後，亦併用基板載台PST上的回收口來回收液體1，故可防止液體1殘存於投影光學系統PL、或噴嘴前端、或是基板P上，而能避免液體1往下掉落或飛散至基板等處。

又，上述實施形態中，第1液體去除裝置40具有配置在基準構件7附近之液體吸收構件42，然而，亦可省略液體吸收構件42。此時，亦可使得自基準構件7去除的液體1，暫留於不會影響曝光動作或量測動作之基板載台PST上的既定區域內。

圖6係第1液體去除裝置40之其他實施形態。在以下的說明中，對於與上述實施形態為相同或相等之部分，係賦與同一符號，並簡化或省略其說明。圖6中之第1液體去除裝置40，具有用以吸引附著於基準構件7上之液體1的吸引裝置81。吸引裝置81，係隔著基準構件7配置在噴吹裝置41之對向位置。吸引裝置81具有：吸引部81A，其中包含收納槽與泵；以及吸引嘴82，其係連接於吸引部81A。又，吸引嘴82之吸入口82A的配置處，係緊靠於基準構件7。欲去除殘留在基準構件7上之液體1時，除了以噴吹裝置41對基準構件7噴吹氣體，且利用吸引裝置81來吸引基準構件7上的液體1。

再者，參照圖6所說明之例中，第1液體去除裝置40雖併設有噴吹裝置41及吸引裝置81，然而，其結構亦可僅含有吸引裝置81。吸引裝置81由吸入口82A來吸引基準構件7上殘留的液體1，藉以去除(回收)該液體1。再者，吸引裝置81的吸嘴部82亦可朝基板載台PST移動，俾在基板P之曝光進行中或結束曝光後，用來回收流至基板P外側之液體1。

又，圖6的實施形態中，第1液體去除裝置40亦在基準構件7的附近配置有液體吸收構件42，然而亦可省略液體吸收構件42。

圖7係第1液體去除裝置40之其他實施形態的截面圖。如圖7所示，第1液體去除裝置40具備：覆蓋構件84，其係用以覆蓋基準構件7；以及，乾燥氣體供應部85，其係用以將乾燥氣體供應至覆蓋構件84之內部空間。乾燥氣體供應部85透過管路86，將乾燥之氣體，供應至基準構件7的上方所設置之覆蓋構件84的內部空間。藉由該作法，可促進基準構件7之殘留液體1的汽化，以去除液體1。

再者，此處之第1液體去除裝置40的作用，係用以去除搭載於基板載台PST之基準構件7等零件之液體，然而，其適用之範圍，亦可如日本專利特開平11-135400號中所揭示者，當曝光裝置EX除基板載台PST外尚具備量測部或參照部之其他載台時，亦可用來去除該載台上之零件的液體。

接著，一邊參照圖8一邊詳述第2液體去除裝置60，其係用以去除投影光學系統PL前端之光學元件2或前端附近的鏡筒PK之殘留液體1等。在圖8中的第2液體去除裝置60具備：噴吹裝置61，其係將氣體吹向構成投影光學系統PL之前端零件的光學元件2、或是其附近之鏡筒 PK；以及，回收裝置(吸引裝置)62，其係用以回收原本殘留於投影光學系統PL前端，後因噴吹裝置61的噴吹而被吹散開來以致往下掉落的液體。噴吹裝置61具有氣體供應部63，以及噴嘴部64，後者係連接氣體供應部63、且設置在Z載台52的凹部64B內；噴嘴部64的噴吹口64A之配置方式，可位於投影光學系統PL的前端附近且朝向上方。另一方面，回收裝置62具備：回收口(槽部)65，其係設於Z載台52；液體吸收構件66，其係配置在回收口65內，由多孔性材料所構成；流路67，其係形成於Z載台52內部，且連接於槽部66；管路68，其係設於Z載台52外部，以其中一端連接於流路67；收納槽69，其係設於Z載台52外部，且連接於管路68之另一端；以及泵71，其係作為吸引裝置，透過閥70與該收納槽69連接。回收裝置62驅動泵71，以吸引由液體吸收構件66所回收的液體1，將其集中於收納槽69。收納槽69設有排出流路69A，一旦收納槽69內累積的液體1達到既定量，收納槽69內的液體1即透過排出流路69A而排至外部。

本實施形態中，噴吹裝置61的噴嘴部64之噴吹口64A，係以Y軸為長邊方向之狹縫狀(參照圖3)；回收裝置62之回收口65，係在緊鄰噴吹口64A之+X側的位置所形成之以Y軸為長邊方向之矩形狀。又，第2液體去除裝置60在基板P之曝光結束後，能用來去除殘留液體1的部位，不僅限於在基板P曝光進行中液浸區域AR2的液體1所接觸之投影光學系統PL前端，亦可去除液體供應機構10之供應嘴(零件)13,14，液體回收機構30之回收嘴(零件)31,32之殘留液體。當然，亦可僅去除投影光學系統PL前端或噴嘴之液體。

對基板P之液浸曝光結束後(結束步驟SA8後)，如前所述，控制裝置CONT使用液體回收機構(第1液體回收裝置)30自基板P上回收液體1(步驟SA9)。又，以液體回收機構30自基板P上回收液體1之動作一旦結束，控制裝置CONT即移動基板PST，將第2液體去除裝置60配置在投影光學系統PL之下。又，第2液體去除裝置60乃藉著配置於斜下方之噴吹裝置61之噴嘴部64，朝著投影光學系統PL前端噴吹，殘留於該投影光學系統PL前端之液體1乃被吹散開來而被去除(步驟SA10)。被吹散開來的液體1，往下落入鄰接於噴嘴部64之液體吸收構件66上，被回收至配置有回收裝置62之液體吸收構件66的回收口65內。此時，控制裝置CONT係一邊驅使基板載台PST往例如與噴吹口64A及回收口65的長邊方向(Y軸方向)正交之X軸方向移動，一邊驅動第2液體去除裝置60。藉上述作法，除了可去除投影光學系統PL前端之殘留液體1外，對配置於周圍之液體供應機構10的供應嘴13,14、或液體回收機構30之回收嘴31,32噴吹氣體，亦可去除殘留在此等供應嘴13,14及回收嘴31,32之液體1。

如以上之說明，對於曝光進行中接觸液浸區域AR2之液體1 的投影光學系統PL前端，供應嘴13,14，及回收嘴31,32等所殘留的液體1已被去除，即使如圖9之示意圖所示，基板載台PST自投影光學系統PL之下(曝光處理位置A)移動，直至基板P的裝載及卸載位置(裝載及卸載位置B)，因上述投影光學系統PL前端之殘留液體1往下掉落而引發周邊裝置負面影響或是導致環境變化等意外狀況，能夠被妥為控制。特別是，在投影光學系統PL前端的光學元件2不會因殘存液體1而造成附著痕(水痕)。

又，第2液體去除裝置60係設於基板載台PST，因此，若一邊移動基板載台PST一邊驅動第2液體去除裝置60，即使未再設有致動器，仍可使第2液體去除裝置60一邊對投影光學系統PL及供應嘴、回收嘴進行掃描一邊噴吹氣體。又，如圖9所示之例，在結束液浸曝光後，從曝光處理位置A移動至裝載及卸載位置B之期間，係以第2液體去除裝置60來進行氣體之噴吹動作，據此，液體去除動作(噴吹動作)與載台移動動作係同時進行，可提昇連續曝光作業中對時間之利用效率。因此，第2液體去除裝置60之較佳預設位置，係基板載台PST自曝光處理位置A移動至裝載及卸載位置B之期間內通過投影光學系統PL之下的位置。

圖10及圖11，係第2液體去除裝置60之變形例。如圖10 所示，亦可先在Z載台52上形成大的槽部72，將噴吹裝置61之噴嘴部64及回收裝置62之流路(回收口)67配置在上述槽部72之內。在圖10之例中並未設有液體吸收構件66。此種未設有液體吸收構件之結構亦可。又，如圖11所示，亦可在槽部72內設置複數個噴吹裝置61之噴嘴部64(圖11所示例中為2個)。再者，如圖10及圖11所示，設置尺寸(寬度)較投影光學系統PL前端為大之槽部72，並在其中配置噴嘴部64及回收口67，如此，由於可以槽部72全數回收被氣體吹散而落下之液體1，因此可抑制液體1飛散至周圍。

或者，其結構亦可如圖12所示般，在噴嘴部64的噴吹口 64A及回收口65之周遭，設有覆蓋構件73以防止被氣體吹散開來的液體飛散至周圍。圖12之覆蓋構件73的配置，係形成為俯視呈U字形、而能配置成圍繞投影光學系統PL的前端。又，覆蓋構件73，係形成為噴嘴部64之噴吹口64A配置在U字形開口側。再者，覆蓋構件73係形成為其U字形之開口側面向基板載台PST的移動方向(X軸方向)。投影光學系統PL之前端，係由該U字狀開口側來進出覆蓋構件73的內側。在該覆蓋構件73的內側設有以Y軸方向為長邊方向之噴吹口64A及回收口65，藉而，經由一次的基板載台PST的掃描移動，能夠顧及到避免液體1的飛散，並且以極佳效率去除投影光學系統PL的前端部分等之液體。

再者，亦可透過第2液體去除裝置60之回收裝置62的回收口65，在基板P曝光進行中用來回收流至基板P外側的液體1。此時，回收裝置62之回收口65，若以既定間隔而在基板P的周圍設置成複數個，係較佳作法。

又，在圖8~圖12之實施形態中，第2液體去除裝置60在噴嘴部64的附近具有回收裝置62，然而若將其省略亦可。此時，自投影光學系統PL前端去除的液體1，亦可暫留在不會影響曝光動作或量測動作之基板載台PST上之既定區域。

又，圖8~圖12之實施形態中，第2液體去除裝置60係配置在基板載台PST上，然而，亦可將第2液體去除裝置60配置在不同於基板載台PST之其他構件。例如，亦可另行裝載異於基板載台PST且能移動於投影光學系統PL之像面側的載台，將第2液體去除裝置60配置於該載台。

又，亦可在投影光學系統PL、供應嘴、回收嘴、第2液體去除裝置60的噴嘴部64之噴吹口64A的附近，設置吸引口。或者，亦可捨上述噴吹口64A不用而代之以吸引口，俾用來回收附著在投影光學系統PL前端面或供應嘴、回收嘴的液體1。

此外，即便是去除了投影光學系統PL前端的液體1，液體 1中所含的雜質仍有可能附著於投影光學系統PL前端之光學元件2，造成光學元件2的污染。此處之雜質或異物，例如有光阻之殘屑、或含於光阻之電解質的析出物等。因此，最好是能在去除(吹散、吸引)投影光學系統PL前端的光學元件2之液體的前後，洗淨該光學元件2。

圖13，係顯示洗淨投影光學系統PL前端之狀態的示意圖。圖13所示實施形態中，基板載台PST(Z載台52)上，在基板保持具所保持的基板P之其他位置處，設有洗淨站90。洗淨站90設有洗淨板91。洗淨板91係尺寸約略同於基板P之板狀構件。

在結束液浸曝光後(或是之前)，為洗淨投影光學系統PL前端之光學元件2，控制裝置CONT移動基板載台PST將洗淨板91(洗淨站90)配置於投影光學系統PL之下。又，控制裝置CONT驅動液體供應機構10及液體回收機構30，以在投影光學系統PL與洗淨板91之間形成液浸區域AR2。以該洗淨板91上形成液浸區域AR2之液體1，來洗淨投影光學系統PL前端之光學元件2。在結束洗淨處理後，如前所述，使用第2液體去除裝置60，去除殘留在投影光學系統PL前端之光學元件2的液體1。

再者，圖13所示之洗淨站90，係使用液體供應機構10及液體回收機構30在洗淨板91上形成液浸區域AR2，以該液浸區域AR2的液體1來洗淨投影光學系統PL前端之光學元件2，然而，亦可如圖14之示例般，在洗淨站90設置洗淨機構95，使用該洗淨機構95來洗淨投影光學系統PL前端之光學元件2。圖14所示之洗淨站90的洗淨機構95，具備：洗淨用液體供應部96；噴射部97，係連接至洗淨用液體供應部96，並具有噴射口97A，俾朝投影光學系統PL前端之光學元件2射出洗淨用液體供應部96所供應之洗淨用液體；回收管98，其係具有回收口98A，用以回收洗淨光學元件2後的廢水；以及回收部99，其係連接至回收管98，係由泵及收納槽等而構成。噴射口97A及回收口98A，係配置在基板載台PST(Z載台52)上所形成的槽部94內。在結束液浸曝光後，將洗淨站90配置在投影光學系統PL之下，藉由洗淨機構95的噴射部97，朝投影光學系統PL前端之光學元件2噴射洗淨用液體，以洗淨光學元件2。此時，係將噴射口97A及回收口98A配置在槽部94，以防止洗淨用液體飛散至周圍。

又，洗淨站90(洗淨板91)雖係配置在基板載台PST上，然而，亦可配置在異於基板載台PST之構件。例如，可另裝載異於基板載台PST且能移動於投影光學系統PL之像面側的載台，並將洗淨站配置於該載台。

又，在洗淨動作及液體去除動作之後，最好是能以異物檢測系統來確認投影光學系統PL前端之光學元件2是否附著有異物。圖15係顯示異物檢測系統100例的示意圖。再者，此處所指的異物，除了包含上述光阻碎屑及光阻內所含之電解質的析出物等外，亦包含殘留的液體(液滴)1。

圖15中，異物檢測系統100係設在基板載台PST(Z載台52) 上，其具備：發光部118，係使用既定之照射光，由斜下方照射於投影光學系統PL前端之光學元件2表面；分岐反射鏡，係配置在連結光學元件2表面及發光部118之光程上；第1受光部120，係設置在基板載台PST上，用以接收始於發光部118的照射後由光學元件2表面反射之反射光；第2受光部121，係配置於基板載台PST之上方位置，用以接收始於發光部118的照射後由分岐反射鏡119分岐開來之分岐光。此處，構成異物檢測系統100之發光部118及第1受光部120等，係設在基板載台PST上之基板保持具或洗淨站以外的位置。又，第1及第2受光部120、121之受光結果，係作為光電訊號而輸出至構成異物檢測系統100的一部分之控制裝置CONT。控制裝置CONT根據第1及第2受光部120、121所輸出的光電訊號，以光學元件2表面的光反射率作為實反射率來加以運算，將運算所得之實反射率與預先儲存之既定反射率加以對比後，根據對比結果來測定光學元件2表面之污染程度。亦即，若是光學元件2有異物附著，肇因於該異物所產生的散射光將會改變反射率，造成第1受光部120之受光量的改變。在控制裝置CONT中預先儲存之既定反射率，係本裝置完成時，經實測後認定其污染程度不致影響光學元件2表面之光學特性之光學元件2表面的光反射率。

如之前參照圖13或圖14所說明者，結束投影光學系統PL 前端的光學元件2之洗淨處理後，控制裝置CONT即移動基板載台PST，將異物檢測系統100配置在投影光學系統PL之下。又，當照射來自發光部118之既定照射光時，該照射光中穿透分岐反射鏡119的照射光在照射光學元件2的表面後被該表面反射，由第1受光部120接收該反射光。另一方面，由分岐反射鏡119所分岐的照射光(分岐光)，不會到達光學元件2的表面而係由第2受光部121來接收。又，在兩個受光部120,121經過光電變換後之光電訊號，分別被輸出至控制裝置CONT。控制裝置CONT根據來自第1受光部120之光電訊號與來自第2受光部121之光電訊號，計算光學元件2表面之反射率。亦即，一般而論，以某種入射角射入2個介質之交界面時，若以Io表示入射光束的能量強度、以Ir表示反射光束的能量強度的話，則其反射率R為R=Ir/Io。因而，控制裝置CONT，係設根據來自第1受光部120之光電訊號的能量強度為Ir，設根據來自第2受光部121之光電訊號的能量強度為Io，來求出光學元件2表面之實反射率Rr。接著，控制裝置CONT讀出預先儲存之既定反射率Ro，計算該既定反射率Ro與上述實反射率Rr之差值ΔR(=Ro-Rr)。然後，將根據所求得之兩反射率Ro、Rr之差值ΔR的顯示訊號輸出至顯示裝置126。顯示裝置126根據該顯示訊號，以數值來表示光學元件2表面之污染程度。當污染程度超過既定之容許值時，控制裝置CONT即判斷光學元件2表面存有之異物已超過容許值，而控制洗淨裝置再次施以洗淨處理。

又，上述結構，雖係以照射光照射光學元件2，來檢測光學元件2表面之散射光，然而，當光學元件2附著有異物時，由於在投影光學系統PL之像面側可觀測出照度不均或遠心偏離現象，因此，可使用設在基板載台PST上之照度計，分別量測焦點面與散焦面之照度，即能檢測出是否附著有異物。

又，在圖15之實施形態中，雖係以光照射於光學元件2，藉由接收其散射光，來檢測光學元件2的表面所附著之液體或異物(雜質)，然而，檢測方法並不限於此，例如，亦可使用上述光罩對準系統6來進行檢測。

又，以異物檢測系統進行之檢測，並不僅侷限於光學元件2 表面之洗淨後，亦可在基板P之交換中等既定時間點檢測投影光學系統PL前端之光學元件2是否附著有異物，當檢測出異物時即進行洗淨動作。

又，上述異物檢測系統100，雖係用以檢測投影光學系統PL 前端之光學元件2的異物，然而，亦可檢測投影光學系統PL的像面側、與液體接觸之其他零件表面之異物。

〈使用第1液體去除裝置之曝光裝置的其他實施形態〉

圖16，係顯示具有第1液體去除裝置之曝光裝置的其他實施形態。本實施形態中，在Z載台52所設有的板狀構件(上板)138A，係構成照度計(量測系統138)的一部分，用以接收穿透過投影光學系統PL而照射於其像面側(基板P側)的光；此外，另在其附近設有液體吸收構件142，用以回收自板狀構件138A去除的液體。液體吸收構件142係配置在形成於Z載台52之槽部144內。又，板狀構件138A，係在玻璃板表面以含鉻等遮光性材料之薄膜施以圖案化、其中央部設有針孔138P者。又，板狀構件138A的上面具有撥液性，本實施形態中，係將氟系化合物等具有撥液性的材料塗覆於板狀構件138A的表面。

圖17，係對設於基板載台PST、且構成照度計138的一部分之板狀構件138A去除附著液體之狀態的示意圖。本實施形態中的照度計138，係如日本專利特開昭57-117238號公報(對應之美國專利4,465,368)所揭示者，在複數個位置量測透過投影光學系統PL而照射至像面側的曝光用光之照度(強度)，以量測出照射於投影光學系統PL的像面側之曝光源之照度不均程度(照度分布)。照度計138，具有：板狀構件138A，係設置在基板載台PST(Z載台52)，於玻璃板表面具有圖案化之遮光膜、其中央部形成有針孔138P；光學系統138C，係埋設於Z載台52，被通過針孔138P的光所照射；以及，受光元件(受光系統)138B，係用以接收通過光學系統138C的光。又，例如，亦可在光學系統138C及受光元件138B之間設置中繼光學系統，而將受光元件138B配置在Z載台52的外側。

以照度計138來量測照度分布時，係在使投影光學系統PL 與照度計138的板狀構件138A呈對向狀態下，將投影光學系統PL及板狀構件138A之間充滿液體。接著，將針孔138P依序移動至曝光用光所照射之區域內的複數個位置，以上述方式，求得各位置之曝光用光的照度(即量測出照度之不均勻性)。求得照度分布之後，控制裝置CONT即移動基板載台PST，將照度計138的板狀構件138A配置在第1液體去除裝置40之噴嘴部43之下。

如前所述，在Z載台52上，於鄰接板狀構件138A的位置設有液體吸收構件142，用以回收第1液體去除裝置40自板狀構件138A所去除的液體。液體吸收構件142之結構亦與上述液體吸收構件42相同，可由多孔質陶瓷或海棉等多孔性材料構成，能保持既定量的液體。

控制裝置CONT，藉由從第1液體去除裝置40之噴嘴部43 對板狀構件138A噴吹氣體，以將附著於板狀構件138A的液體吹散而加以去除。被吹散的液體1，被保持於(回收至)配置在第1液體去除裝置40之噴嘴部43之噴吹口43A對向處的液體吸收構件142。又，由於已對板狀構件138A的表面施以撥液處理，因此不僅可防止液體浸入針孔138P的內部，經噴吹動作亦能有效的自板狀構件138A去除液體。

在Z載台52內部，形成有與槽部144連通之流路145。液體吸收構件142配置於槽部144內，其底部接於流路145。流路145連接於設在Z載台外部之管路146的一端。另一方面，管路146的另一端，係透過設在Z載台52外部、具有收納槽147及閥148A之管路148，與泵149連接。控制裝置CONT驅動第1液體去除裝置40之氣體供應部41A，且驅動泵149將液體吸收構件142所回收的液體吸引至收納槽147。收納槽147具有排出流路147A，當收納槽147所累積的液體1達到既定量，液體1即透過排出流路147A而由收納槽147排至外部。

再者，以第1液體去除裝置40由板狀構件138A去除液體的方法，亦可使用先前實施形態所揭示之、由吸引液體或吹以乾燥氣體等方式來進行，亦可適當組合此等方法。又，板狀構件138A的表面並無全面施以撥液性之必要，可僅使其中一部分(例如針孔138P的周圍)具有撥液性。又，具撥液性者並不限於照度計138的板狀構件138A的上面，對基板載台PST上之其他零件表面施以撥液性亦可。此外，當第1液體去除裝置40之液體去除能力極佳時，亦可省略撥液性材料之塗層(coating)。

又，在基板載台PST上配置之感測器，除照度計外，亦配置有如日本專利特開平11-16816號公報(對應美國專利公開號2002/0061469)所揭示之照射量監測儀，或是日本專利特開2002-14005號公報(對應美國專利公開號2002/0041377)所揭示之用來量測成像特性的空間像量測計等，通過投影光學系統PL及液體的曝光用光透過光穿透部後被受光部接收之感測器。由於此等感測器中，形成光穿透部之的平坦部之表面亦可能殘留(附著)液體，因此上述使用第1液體去除裝置40以去除液體的方法，亦可運用在上列諸感測器。又，在基板載台PST上，如日本專利特開昭62-183522號公報(對應美國專利4,480,747號)之揭示般配置有反射構件時，亦可使用第1液體去除機構40，以去除殘留(附著)於其表面的液體。

又，如日本專利特開平11-238680號公報、特開2000- 97616號公報、或國際公開W002/063664號(對應美國專利公開2004/0041377號)之揭示使用可裝拆於基板載台PST之感測器之情形時，自基板載台PST卸下感測器之際，可使用第1液體去除裝置40自感測器表面去除殘留(附著)之液體。

〈使用第3液體去除裝置之曝光裝置的實施形態〉

圖18係使用第3液體去除裝置之曝光裝置的示意圖。圖18之中的焦點檢測系統4，具有發光部4a及受光部4b。本實施形態中，於投影光學系統PL之前端部附近設有由焦點檢測系統4之發光部4a射出之檢測光可穿透的第1光學構件151，及在基板P上反射之檢測光可穿透的第2光學構件152。第1光學構件151及第2光學構件152，係在與投影光學系統PL前端的光學元件2分離的狀態下被支持著，第1光學構件151係配置於光學元件2的-X側，第2光學元件152係配置於光學元件2之+X側。第1及第2光學構件151,152之配置位置，係在能接觸於液浸區域AR2的液體1而又不妨礙曝光用光EL之光程及基板P之移動的位置。

又，如圖18所示，例如，在基板P的曝光處理中，係以液體供應機構10及液體回收機構30進行液體1的供應及回收，以將通過投影光學系統PL之曝光用光EL的光程，亦即光學元件2與基板P(基板P上之投影區域AR1)間之曝光用光EL的光程全部充滿液體1。又，當光學元件2及基板P間之曝光用光EL的光程全部充滿液體1，在基板P上形成為液浸區域AR2覆蓋投影區域AR1之全部的期望狀態時，形成該液浸區域AR2的液體1係分別與第1光學構件151及第2光學構件152之端面緊密接觸。當基板P上形成液浸區域AR2，且液體1分別與第1光學構件151及第2 光學構件152的端面緊密接觸時，自焦點檢測系4之發光部4a所射出的檢測光，以及該基板P上之反射光光程中，第1光學構件151及第2光學構件152間的光程即全部被液體1所充滿。又，當檢測光的所有光程充滿液體1時，焦點檢測系統4之發光部4a所射出的檢測光，係被設定為照射在基板P上的投影光學系統PL之投影區域AR1。

又，上述第1及第2光學構件151,152端面的液體接觸面，例如，係經由親液化處理而具有親液性。藉由上揭作法，液浸區域AR2的液體1較易與第1及第2光學構件151,152的液體接觸面密合，故易維持液浸區域AR2的形狀。

又，圖18中，液體供應機構10及液體回收機構30之圖示已簡化。圖18所示之液體供應機構10，具有：液體供應部171，用以送出液體1；供應管172，係連接於供應嘴173及液體供應部171。由液體供應部171所送出的液體1，在通過供應管172後，藉由供應嘴173的液體供應口174而供應至基板P上。又，圖18所示之液體回收機構30，具備：液體回收部175，用以回收液體1；以及回收管176，係連接於回收嘴177及液體回收部175。基板P上的液體1，由回收嘴177的回收口178予以回收後，透過回收管176而被液體回收部175所回收。

又，此處所說明之第1光學構件151及第2光學構件152 雖係彼此獨立之構件，然而，亦可配置成圍繞投影光學系統PL前端部之光學元件2的環狀光學構件，將檢測光照射於該環狀光學構件的一部分，通過液浸區域AR2及基板P表面之檢測光，透過該環狀光學構件的一部分來加以受光。將光學構件設成環狀，使液浸區域AR2之液體1密接於環狀光學構件之內側面，即能維持良好的液浸區域AR2之形狀。又，在本實施形態中，第1光學構件151及第2光學構件152雖係與投影光學系統PL分離，然而，第1光學構件151及第2光學構件152與投影光學系統PL之光學元件2亦可構成為一體。

在圖18所示之狀態下進行液浸曝光處理後，控制裝置 CONT係如圖13所示般地，將洗淨板(或虛擬基板)配置於投影光學系統PL之下，使用液體供應機構10及液體回收機構30以在洗淨板上形成液浸區域AR2，藉著該液浸區域AR2的液體1，來洗淨投影光學系統PL前端部之光學元件2、第1及第2光學構件151,152，或是供應嘴173的供應口174附近，或回收嘴177的回收口178附近等處。待結束上述洗淨作業後，控制裝置CONT使用液體回收機構30等來回收液浸區域AR2之液體1。

回收液浸區域AR2的液體1後，控制裝置CONT係如圖19 所示般，以未圖示之驅動裝置，將用來噴吹氣體之氣體噴嘴160(第3液體去除裝置)配置於投影光學系統PL之下。此時，基板載台PST將基板P移動至裝載及卸載位置(參照圖9)，以進行基板P之裝載。又，在投影光學系統PL之下配置有液體接收構件280，其係用以接收由光學元件2等往下掉落的液體1。氣體噴嘴160在未使用之狀態，係配置在曝光裝置(EX)內不會與基板載台PST發生干涉之既定位置。氣體噴嘴160之配置處，亦可在基板載台PST上之基板保持具以外的位置。

控制裝置CONT，從氣體噴嘴160的噴吹口161吹出氣體，使用所吹出的氣體來移動附著於光學元件2、第1及第2光學構件151,152或供應嘴173、回收嘴177之液體1。例如，如圖19所示，控制裝置CONT 將氣體噴嘴160的噴吹口161與基板面(X方向)平行的移動至光學元件2下面2a之曝光用光EL通過區域的對向處後，從噴吹口161吹出氣體。在維持噴吹氣體之狀態，氣體噴嘴160朝向曝光用光EL之通過區域的外側移動。據此，可使得光學元件2的下面2a中，曝光用光EL通過之區域所附著之液體，即光學元件2的下面2a中投影區域AR1之對應區域所附著之液體(液滴)1，被移動至該區域的外側。本實施形態中，通過曝光用光EL的區域，係在光學元件2的下面2a之略中央部，因此，藉上述作法，即能使附著(殘留)在下面2a中央部之液體1，朝下面2a之端部移動(參照圖19之符號1')。換言之，控制裝置CONT使用吹出之氣體，不吹乾附著在曝光用光EL之通過區域的液體1，而係將其推向該區域的外側，藉此方法來去除附著在曝光用光之通過區域的液體。如此，可在光學元件2的下面2a中，至少防止在曝光用光EL之通過區域形成水痕。本實施形態中，氣體噴嘴160及其附屬裝置，係作為第3液體去除裝置之功能。

又，本實施形態中，係由曝光用光EL之通過區域將液體外推(去除)，然而，其方式不侷限於此，亦可視實際需要，使液體從期望之區域退去。

圖20(a)係噴吹口161之一例。如圖20(a)所示般，本實施形態中的噴吹口161，係以Y軸方向為長邊方向之狹縫狀。圖20(b)係表示光學元件2的下面2a。投影區域AR1係以Y軸方向為長邊方向之狹縫狀(矩形狀)。又，噴吹口161的尺寸，較光學元件2的下面2a為小。如以上所述，當光學元件2的下面2a中央部的附著液體1被退去時，控制裝置CONT先是在氣體噴嘴160的噴吹口161與光學元件2的下面2a之略中央部維持對向狀態下，由噴吹口161吹出氣體，且一邊維持該噴吹狀態一邊使氣體噴嘴160往+X側(或-X側)移動。亦即，控制裝置CONT使氣體噴嘴160沿X軸方向移動。藉上述作法，控制裝置CONT能平順的移動(外推)液體1，使其退至光學元件2的下面2a之投影區域AR1的對應區域之外側。附著在光學元件2的下面2a中央部(投影區域AR1之對應區域之中央部位)的液體1，若是沿著Y軸方向而退到投影區域AR1之對應區域的外側時，因投影區域AR1係以Y軸方向為長邊方向，故其移動距離較長。一旦具有較長的移動距離，其移動時間亦加長。因而，在較重視時間效率之情形時，最好是能使附著在光學元件2的下面2a中央部(投影區域AR1之對應區域的中央部位)的液體1沿X軸方向移動。如此，液體1能平順的往投影區域AR1之對應區域的外側移動。

本實施形態中，由氣體噴嘴160的噴吹口161所吹出的氣體，係透過含有化學式過濾網或粒子去除濾網之過濾裝置(未圖示)的潔淨氣體。據此，可防止光學元件2等受到污染。又，所使用的氣體，宜與曝光裝置EX之設置環境大致相同，具體而言，宜與收納曝光裝置EX之收容槽內部所使用氣體大略相同。本實施形態中係使用空氣(乾燥空氣)。此外，所吹出的氣體以氮氣(乾燥氮氣)為佳。若使用的氣體異於曝光裝置EX之設置環境時，彼此相異的氣體間之折射率差值，可能造成量測載台位置的干涉儀發生測定光之光程改變等狀況，而導致量測誤差等不良狀況，然而，若是噴吹口161所吹出的氣體，與曝光裝置EX之設置環境為大致相同的氣體，可防止上述不良狀況。

往曝光用光EL通過區域的外側移動(退去)的液體1，例如，係藉由氣體噴嘴160所吹出的氣體或以既定的乾燥裝置加以汽化(乾燥)而去除之。

再者，即使移動至曝光用光EL通過區域外側之液體已乾，由於在氣體噴嘴160吹出氣體前已進行光學元件2之下面2a之洗淨作業，因此，可抑制在曝光用光EL通過區域的外側液體乾燥處附著雜質等。

又，本實施形態中，亦可吸引(回收)移動至曝光用光EL通過區域外側之液體。

同樣的，控制裝置CONT，對於第1及第2光學構件151,152之液體接觸面側的端面中，至少對於附著在焦點檢測系統4之檢測光所通過區域的液體(液滴)，係使用氣體噴嘴160之吹出氣體來使其移動(退去)。藉由上述作法，第1及第2光學構件151,152之上述端面中，至少在檢測光之通過區域，能避免造成水痕(附著雜質)。

同樣的，控制裝置CONT，對於附著(殘留)在供應嘴173或回收嘴177的液體1，係使用氣體噴嘴160所吹出的氣體來使其退去。據此，可防止在供應嘴173或回收嘴177形成水痕。由於水痕係異物(雜質)，因此，例如在供應嘴173(供應口174)或回收嘴177(回收口178)形成水痕的話，在形成液浸區域AR2時，可能因水痕的存在造成異物(雜質)混入液浸區域AR2。此時將使曝光精度或量測精度劣化。又，考量到液體回收機構30之回收能力隨回收嘴177(回收口178)對液體1的接觸角(親和性)而異，若是在回收嘴177形成水痕造成與液體1間的接觸角改變，亦可能使液體回收機構30之回收能力劣化。又，以本實施形態所示方法來去除附著在噴嘴173、吸嘴177的液體1，可防止上述不良狀況。

如以上之說明，將附著在光學元件2或第1及第2光學構件151,152之既定區域(照射曝光用光或檢測光之區域)的液體，藉由對該既定區域在一邊移動氣體噴嘴160(噴吹口161)一邊噴吹氣體的情形下使其往既定區域外側移動(退去)，即能防止在該既定區域形成水痕。

此外，本實施形態中，使附著在光學元件2的下面2a之液體1退至端部時，係先以氣體吹向下面2a的中央部，在維持該噴吹氣體的狀態下使氣體噴嘴160朝著下面2a的端部以略直線狀移動，然而，移動氣體噴嘴160時，亦可使噴吹口161相對下面2a呈一螺旋狀軌跡。又，噴吹口161的形狀並不侷限於狹縫狀，例如，亦可是圓形、或任意形狀。此外，亦可在噴吹口161配置多孔質體。

又，本實施形態中，氣體噴嘴160雖為1個(噴吹口161)，但是，當然可設置複數個氣體噴嘴160(噴吹口161)而併用該等噴嘴。又，在複數個氣體噴嘴160中，例如，可使用第1氣體噴嘴160所吹出的氣體，來去除附著於光學元件2的液體1；使用第2氣體噴嘴160吹出的氣體，去除附著於第1光學構件151或第2光學構件152之液體1，併行上述去除動作來去除液體。如前所述，藉由使用複數個氣體噴嘴160，分別對複數個既定區域一併進行液體之去除動作，藉此，液體去除作業之進行，將可具有良好的效率。

又，為移動(退去)附著在光學元件2或第1及第2光學構件 151,152端面的液體1，例如，亦可使用圖8所示之第2液體去除裝置60之噴吹口64A所吹出的氣體。

上述實施形態中，雖係由下方對光學元件2或第1及第2 光學構件151,152噴吹氣體的構成，然而，亦可由上方來噴吹氣體。例如，如圖21如示，使氣體噴嘴160的噴吹口161朝著下方或斜下方設置，將附著在第2光學構件152之液體接觸面側端面的液體1予以去除(退去)，亦為可接受的作法。當然，使用該氣體噴嘴160來去除附著在第1光學構件151端面的液體1亦可。或者，可在第1光學構件151(或第2光學構件152)的一部分形成流路163，且在第1光學構件151之液體接觸面側端面設置連接該流路163之氣體噴嘴164，使氣體由上方透過流路163及氣體噴嘴164吹在第1光學構件151之上述端面。又，流路163之設置位置，係在不妨礙焦點檢測系統4之檢測光光程之處。

再者，上述實施形態中，係先予洗淨投影光學系統PL前端部之光學元件2，或第1及第2光學構件151,152，或供應嘴173之供應口174附近，或回收嘴177之回收口178附近，之後始使用氣體噴嘴160以去除液體，然而亦可省略洗淨步驟。

又，若使氣體160與上述實施形態2同樣的設置在基板載台PST，藉著基板載台PST的移動來移動氣體噴嘴160亦可。

又，若是如特開平11-135400號所揭示般，另裝載異於基板載台PST且能移動於投影光學系統PL之像面側的其他載台，將氣體噴嘴160配置在該載台亦可。

又，在上述實施形態中，係由噴吹口161吹出氣體，以移動光學元件2，或第1及第2光學構件151,152，或是噴嘴173、吸嘴177之附著液體1，然而，亦可使殘留(附著)於基板載台PST上的液體1受噴吹口161的噴吹而移動。例如，使噴吹口161之配置處，係對向於基板載台 PST的上面，如圖3之圖例所說明般地，由噴吹口161對基準構件7噴吹，對基準構件7上所附著的液體1未予乾燥，而移動(退去)至基準構件7的外側(或是基準構件7上之檢測對象區域的外側)。同樣的，亦可如圖16等圖例所示者，將照度不均感測器138的上板138A上所附著的液體1，或者是日本專利特開平11-16816號公報所揭示之照射量監測儀，又或如日本專利特開2002-14005號公報所揭示之空間像量測計之上板上所附著的液體1，藉由從噴吹口161噴吹氣體，不使其乾燥而使其移動(退去)。

〈使用第4液體去除裝置之曝光裝置之實施形態〉

圖22所示，係具有異於第1~第3液體去除裝置(即指第4 液體去除裝置)之曝光裝置的實施形態圖。圖22中，在供應管172的途中，例如，係透過三方閘門等流路切換裝置182而連接於氣體供應管181之其中一端。另一方面，氣體供應管181的另一端則連接於氣體供應部180。流路切換裝置182，在連接液體供應部171及供應口174之流路打開時，關閉連接氣體供應部180及供應口174之流路。另一方面，流路切換裝置182在連接液體供應部171及供應口174之流路關閉時，打開連接氣體供應部180及供應口174之流路。同樣的，在回收管176的途中，係透過流路切換裝置185連接於氣體供應管184之其中一端，另一端則與氣體供應部183連接。流路切換裝置185，在連接液體回收部175及回收口178之流路打開時，關閉連接氣體供應口183及回收口178之流路。另一方面，流路切換裝置185在連接液體回收部175及回收口178之流路關閉時，打開連接氣體供應口183及回收口178之流路。在該實施形態中，氣體供應部180,183，供應口174及回收口178，以及流路切換裝置182等，係作為第4液體去除裝置(液體去除機構)以去除殘留液體。

例如，在基板P上形成液浸區域AR2時，控制裝置CONT 係驅動流路切換裝置182,185，以打開連接液體供應部171及供應口174的流路，且亦打開連接液體回收部175及回收口178的流路。此時，連接氣體供應口180及供應口174的流路，以及連接氣體供應部183及回收口178之流路，係關閉。

在結束基板P的液浸曝光後，控制裝置CONT即停止液體供應機構10之液體供應動作，液體回收機構30之液體回收動作，係在停止該液體供應動作後仍持續既定時間，以回收形成液浸區域AR2之液體1。控制裝置CONT在停止液體供應機構10之液體供應動作時，驅動流路切換裝置182，關閉連接液體供應部171及供應口174之流路，在此同時亦打開連接氣體供應部180及供應口174之流路。又，當液浸區域AR2的液體1大致除盡後，控制裝置CONT即驅動氣體供應部180開始供應氣體。由氣體供應部180所供應的氣體，透過氣體供應管181及流路切換裝置182，由供應嘴173的供應口174吹出。據此，在流路切換裝置182及供應口174間的流路之殘留液體1，透過供應口174被吹至外側而去除。再者，使用由氣體供應部180所供應、由供應口174吹出的氣體，例如，亦可去除第1及第2光學構件151,152的端面上所附著的液體1，或是基板載台PST(含量測構件等)上所附著的液體1。

同樣的，在結束以液體回收機構30進行之液浸區域AR2 的液體1之回收動作後，控制裝置CONT即驅動流路切換裝置185，在關閉連接液體回收部175及回收口178之流路的同時，亦打開連接氣體供應部 183及回收口178之流路。又，控制裝置CONT，係使用氣體供應部183所供應的氣體，將流路切換裝置185及回收口178間的流路所殘留之液體1透過回收口178吹至外側以去除之。又，使用該回收口178吹出的氣體，亦可去除(退去)第1及第2光學構件151,152端面所附著的液體1，或是基板載台PST(含量測構件等)上所附著的液體1。

如以上之說明，不進行液體1的供應或回收時，可由氣體供應部180,183供應乾淨的氣體，來防止於供應管172及供應嘴173的內部流路、或是供應口174附近、或回收管176、或回收嘴177的內部流路、或回收口178附近產生水痕。此實施形態中，液體及液體去除氣體之供應口(排出口)為共用，因而可簡化液體供應口附近的結構，使曝光裝置更精簡化。

〈使用第3液體去除裝置之其他曝光裝置之實施形態〉

圖23所示，係使用圖19所示之第3液體去除裝置的曝光裝置之變形例。圖23中，具有噴吹口161的氣體噴嘴160，係裝於液體接收構件190內。液體接收構件190係盤狀構件，其形成面積，大於光學元件2，噴嘴173與吸嘴177，以及第1及第2光學構件151,152的占有面積，使得液體接收構件190的上面，可以接收各構件往下掉落的液體1。又，在液體接收構件190的上面，以可替換之設置方式，設有由多孔質體或海棉狀構件所構成之液體吸收構件199。藉此，能夠良好的回收(收集)及保持上述各構件往下滴落的液體1。此外，在液體接收構件190形成有側壁部191，因此可防止收集的液體1自液體接收構件190流出。

液體接收構件190可藉由驅動機構193來進行移動。驅動機構193係由臂部194、致動部195、及軸部196所構成。臂部194的其中一個端部，係連接於液體接收構件190的側面，另一端則連接致動部195。又，致動部195之安裝方式，係透過軸部196，懸吊於曝光裝置EX的主體或投影光學系統PL之支柱等既定支持部CL。藉由驅動致動部195，安裝於臂部194的一端部之液體接收構件190，能以軸部196為旋轉中心繞θ Z方向旋轉。控制裝置CONT驅動驅動機構193之致動部195，以旋轉液體接收構件190，來使液體接收構件190進退於投影光學系統PL之下方區域。又，致動部195在透過臂部194使液體接收構件190移動於Z軸方向的同時，亦可移動於XY方向。

又，於液體接收構件190，例如設有由CCD等所構成之攝影裝置198。攝影裝置198可將光學元件2、第1及第2光學構件151,152之表面資訊輸出為影像。

控制裝置CONT，在移動(去除)附著在光學元件2或第1及第2光學構件151,152等的液體1時，係驅動致動部195，使光學元件2及液體接收構件190呈對向，使得氣體噴嘴160連同液體接收構件190一邊相對移動於光學元件2，一邊對光學元件2噴吹氣體。光學元件2中，附著在與曝光用光EL的光程上對應區域的液體1，因噴吹之氣體而移動，不久即掉落。由光學元件2往下掉落的液體1，被液體接收構件190所保持。以此方式，例如，即使在投影光學系統PL及液體接收構件190之下配置有基板載台PST之情形時，仍可因為有液體接收構件190來承接液體1，而能防止由光學元件2等所去除之液體1附著在基板載台PST。

又，控制裝置CONT根據攝影裝置198之攝影結果，控制氣體噴嘴160之噴吹動作。例如，控制裝置CONT根據攝影裝置198之攝影結果來取得液體1之附著位置，實施噴吹時便能使液體1的附著位置與氣體噴嘴160的位置對齊。藉此作法，能更確實的去除液體1。又，當控制裝置CONT判斷出液體1已由光學元件2去除時，即終止以氣體噴嘴160進行之噴吹動作。

此外，亦可設置將液體接收構件190與第1及第2光學構件151,152等加以定位之定位機構。作為此定位機構，可使用如圖23之虛線所示的板狀彈性構件192。圖23所示例中，板狀彈性構件192之設置處，係在液體接收構件190之側壁部191的上面191A。當液體接收構件190因致動部195的驅動往Z方向移動而接近第1及第2光學構件151,152時，板狀彈性構件(定位機構)192即挾住第1及第2光學構件151,152的外側部分。藉此，進行第1及第2光學構件151,152與液體接收構件190的定位。在此狀態下，將氣體噴嘴160吹出之氣體噴吹於光學元件2的期望區域(此時，係對應投影區域AR1的區域)，即能良好的去除附著在該區域的液體1。

〈使用第3液體去除裝置之曝光裝置的再一實施形態〉

圖24，係顯示具有第3液體去除機構之曝光裝置的其他變形例。此例中，用以去除液體的氣體，並非由噴嘴噴出，而係由吸附基板之吸附孔噴出。圖24中的基板載台PST設有中央台250，其設置位置係在基板載台PST之略中央部位(俯視時)，並可移動於Z軸方向。中央台250可藉由未圖示之驅動機構移動於Z軸方向，設置成可從基板載台PST(Z載台52)的上面突出。又，在中央台250的上面250A設有吸附孔251。吸附孔251係連接於設在基板載台PST內部之流路252的其中一端。另一方面，流路252的另一端則透過流路切換裝置253，連接於第1流路254之一端或第2 流路255之一端的其中之一。第1流路254的另一端連接於真空系統256，第2流路255的另一端連接氣體供應部257。流路切換裝置253，在連接流路252與第1流路254以打開連接真空系統256與吸附孔251之流路時，係關閉連接氣體供應部257與吸附孔251的流路。另一方面，流路切換裝置253，在連接流路252與第2流路255以打開連接氣體供應部257與吸附孔251的流路時，則係關閉連接真空系統256與吸附孔251之流路。

控制裝置CONT，在將基板P裝載於基板載台PST時，係使中央台250上昇，將基板P裝載於中央台250上，驅動真空系統256以透過吸附孔251來吸附保持基板P之內面。又，控制裝置CONT，在吸附保持基板P的狀態使中央台250下降，將基板P保持於Z載台52上之基板保持具。於基板保持具例如設有突銷挾持(pin chuck)機構，基板保持具係以突銷挾持機構來吸附保持著基板P。另一方面，欲自基板載台PST卸載基板P時，控制裝置CONT解除基板保持具對基板P之吸附保持作用，並以中央台250吸附保持著基板P而上昇。藉由中央台250在吸附保持著基板P的狀態而上昇，使基板P能自Z載台離開而卸載。

本實施形態中，係藉著設於中央台250之吸附孔251來吹出氣體，使用所吹出的氣體，來移動(退去)附著在光學元件2的下面2a或第1及第2光學構件151,152的液體1。控制裝置CONT，在除去附著於光學元件2或第1及第2光學構件151,152之液體1時，係驅動流路切換裝置253，打開連接氣體供應部257及吸附孔251之流路。然後，控制裝置CONT，一邊沿著XY平面移動基板載台PST一邊由吸附孔251吹出氣體。藉著所吹出的氣體，例如，使得光學元件2的下面2a中，曝光用光EL之光程上的對應區域所附著的液體1被氣體所移動，終至往下掉落。

本實施形態中，在Z載台52(基板保持具)設有可收集液體1 之液體接收構件DP。液體接收構件DP與圖23所示之液體接收構件190同為盤狀，與基板P為大致相同大小之圓形物。又，液體接收構件DP可設置於基板保持具。自光學元件2朝下掉落的液體1，被設置在基板保持具的液體接收構件DP保持。在液體接收構件DP的上面設有液體保持構件261，液體1由液體保持構件261回收與保持。又，液體接收構件DP設有側壁部262，以防止保持的液體1自液體接收構件DP外流。

圖25係基板保持具所保持的液體接收構件DP之俯視圖。在圖25中，在中央台250的上面250A設有複數個吸附孔251，本實施形態係設置了3個。又，在液體接收構件DP設有複數個(3個)開口部264，用以對應於複數個吸附孔251。亦即，吸附孔251，即使在液體接收構件DP被保持於基板保持具之狀態下仍然係外露1。因此，能將吸附孔251吹出的氣體吹向光學元件2等。又，在中央台250的上面250A設有複數個(3個)槽部258，其係由上面250A的中央部位呈放射狀延伸，該複數個槽部258，係在上面250A的中央部位連接。又，在槽部258的內側配置有吸附孔251。作為曝光處理對象的基板P，其內面被吸附保持於中央台250的上面250A時，係在基板P的內面與上面250A彼此密接的狀態下驅動真空系統256，以在基板P的內面與槽部258所形成的空間內造成負壓，據以將基板P吸附保持於中央台250。又，以中央台250來保持液體接收構件DP時，對於開口部264或槽部258的形狀或尺寸、或是吸附孔251的尺寸或位置等，亦經由最佳化之設定，使得中央台250能夠保持著液體接收構件DP。或者，亦可將不同於吸附孔251之其他吸附孔，例如以專用之吸附孔及相對應之槽部來吸附保持液體接收構件DP，並預先設置在中央台250的上面250A(參照圖25的符號251'及258')，使用該吸附孔251'將液體接收構件DP吸附保持於上面250A亦可。又，亦可使用此中央台250，與曝光處理對象基板P同樣的，進行液體接收構件DP對基板載台PST之裝載及卸載。又，在進行光學元件2等之液體去除作業時，係將液體接收構件DP裝載於基板載台PST上，待結束液體去除作業時，將基板載台PST上之液體接收構件DP予以卸載。又，在以基板保持具的突銷挾持機構來吸附保持液體接收構件DP時，例如亦可預先將突銷挾持機構中之負壓化區域分割成複數個，以在與液體接收構件DP中除開口部264以外部分之內面之間形成大致密閉空間，藉由在對應上述開口部264之區域以外的區域選擇性的進行負壓化，即能將液體接收構件DP吸附保持於基板保持具。

再者，液體接收構件DP所保持的液體1，有可能透過開口部264浸入液體接收構件DP的內面與中央台250的上面250A(甚至是基板保持具的上面)之間，因此為防止該液體1的浸入，可預先將密封構件設置在液體接收構件DP的內面或開口部264附近。

又，在將吸附孔251吹出的氣體吹向光學元件2等之前，例如，可先移動基板載台PST到達載置及卸置位置B(參照圖9)等遠離投影光學系統PL的位置，使吸附孔251先在該位置吹出氣體。雖然在吸附孔251的內部或附近可能存有異物(殘屑)，然而，若是預先在遠離投影光學系統PL的位置進行噴吹動作以去除異物，之後才朝著光學元件2等噴吹氣體，即能防止光學元件2等受到污染。

又，圖24之實施形態中，亦可在基板載台PST上保持基板 P之基板保持具以外的位置，設置如圖8所示之噴吹口64A，使用該噴吹口64A吹出的氣體，移動附著在光學元件2等之液體1。

又，上述實施形態中，雖係說明了第1~第4液體去除裝置，然而，該等去除裝置可單獨裝載於曝光裝置EX，亦可將該等去除裝置適當組合後裝載於曝光裝置EX。

此外，上述實施形態之液體1係使用純水。使用純水之優點在於，在半導體製造工廠易於大量取得，且對基板P上的光阻或光學元件(透鏡)等無不良影響。又，由於純水不僅對環境無不良影響，且雜質含量極低，因此亦可期待其對基板P表面、以及設在投影光學系統PL前端面之光學元件表面的洗淨作用。

又，純水(水)對波長為193nm左右之曝光用光EL的折射率 n被認為在1.47~1.44左右，而作為曝光用光EL之光漁而使用ArF準分子雷射光(波長193nm)時，在基板P上為1/n，亦即被短波長化成約134nm左右，能獲得高的解像度。再者，由於焦深與空氣中相較約為n倍，亦即被放大約1.44倍左右，因此只要能確保與在空氣中使用時相同程度之焦深即可之情形時，能更進一步的增加投影光學系統PL之孔徑數，就此點而言，亦能提昇解像度。

本實施形態中，係於投影光學系統PL之前端安裝有光學元件2，可藉由此透鏡來調整投影光學系統PL之光學特性，例如調整像差(球面像差、彗形像差等)。此外，作為安裝在投影光學系統PL前端之光學元件，亦可以是用於投影光學系統PL之光學特性調整所使用之光學板。或者，亦可是能使曝光用光EL穿透之平行平面板。以較透鏡便宜之平行平面板來作為與液體1接觸之光學元件，則在曝光裝置EX之搬送、組裝、調整時等，即使在該平行平面板附著會使投影光學系統PL之透射率、曝光用光EL在基板P上之照度、及照度分佈之均勻性降低的物質(例如矽系有機物等)時，只要在供應液體1之前一刻更換該平行平面板即可，與使用透鏡作為與液體1接觸之光學元件的情形相較，具有更換成本較低之優點。亦即，由於曝光用光EL之照射而從光阻產生之飛散粒子、或液體1中雜質等之附著會污染與液體1接觸之光學元件表面，而必須定期更換該光學元件，但若使用便宜的平行平面板來作為此光學元件，則與透鏡相較不但更換零件的成本低，且能縮短更換所需時間，抑制維修保養費用(運轉成本)的上昇及生產率之降低。

又，在因液體1之流動而使投影光學系統PL前端之光學元件與基板P間之壓力較大時，亦可不採取更換該光學元件之構成，而堅固的固定光學元件以避免因該壓力而移動。

又，本實施形態中，投影光學系統PL與基板P之間係充滿液體1之構成，但亦可以是例如在基板P表面安裝由平行平面板所形成之玻璃蓋板的狀態充滿液體1之構成。

又，上述實施形態之液體1雖為水，但亦可是水以外之液體，例如，在曝光用光EL之光源為F2雷射時，由於此F2雷射不會穿透水，因此，此時作為液體1可使用能使F2雷射穿透之例如氟系油(氟系液體)、或全氟化聚醚(PFPE)。又，作為液體1，除此以外，亦可使用曝光用光之穿透性高且折射率盡可能的高，並且對投影光學系統PL及基板P表面所塗之光阻安定者(例如杉木油、cedar oil)。此時，亦係視所使用之液體1的極性進行表面處理。

又，使用上述液浸法時，投影光學系統的數值孔徑NA有時達到0.9~1.3。當投影光學系統的開口數如此之大時，若係先前作為曝光用光所使用之隨機偏光光線的話，有時會因偏光效果而使成像性能惡化，因此，最好是能使用偏光照明。此時，係進行對準光罩(標線片)的L&S圖案(即line and space)之線狀圖案的長邊方向之直線偏光照明，作成從光罩(標線片)圖案中，射出大量S偏光成分(TE偏光成分)，亦即，大量射出沿線狀圖案之長邊方向的偏光方向成分之繞射光較佳。當投影光學系統PL與塗布於基板P表面之光阻之間充滿液體時，相較於在投影光學系統PL與塗布於基板P表面之光阻之間充滿空氣(氣體)之情形，由於有助於提昇對比之S偏光成分(TE偏光成分)的繞射光在光阻表面的穿透率較高，因此，即使在投影光學系統的數值孔徑NA超過1.0之情形時，仍能取得極佳之成像性能。又，若再適度組合相移式光罩、或日本專利特開平6-188169號公報所揭示之對準線狀圖案長邊方向之斜入射照明法(特別是雙極照明法)等，將更富有效果。例如，將穿透率6%之半色調型的相移式光罩(半間距45nm左右之圖案)，併用於直線偏光照明法與雙極照明法時，若設照明系統的光瞳面中，由形成雙極之二光束的外接圓所決定的照明δ為0.95、該光瞳面中各光束的半徑為0.125δ、投影光學系統PL的開口數NA=1.2的話，較諸於使用隨機偏光光線，可使得焦深(DOF)增加150nm左右。

又，例如，以ArF準分子雷射光為曝光用光，且使用1/4 縮小倍率的投影光學系統PL，將極細之L&S圖案(例如25~50nm左右之 L&S圖案)曝光於基板P上時，因為光罩M的結構(例如圖案的精細度或鉻之厚度)所致，使光罩M因波導(Wave guide)效果而發生偏光板的作用，自光罩M所射出的S偏光成分(TE偏光成分)繞射光，要多於造成對比降低之P偏光成分(TM偏光成分)。此時，儘管使用上述直線偏光照明者乃是較佳作法，然而，即始以隨機偏光光線之光源來照明光罩M，在投影光學系統PL的數值孔徑NA高達0.9~1.3的情況下，亦能獲得高解析度。

又，將光罩M上極細的L&S圖案曝光於基板P上時，亦有可能因波導效果使P偏光成分(TM偏光成分)大於S偏光成分(TE偏光成分)，然而，例如以ArF準分子雷射光為曝光用光，且使用1/4縮小倍率之投影光學系統PL，將大於25nm之L&S圖案曝光於基板P上時，由於自光罩M所射出的S偏光成分(TE偏光成分)繞射光會多於P偏光成分(TM偏光成分)之繞射光，因此，即使投影光學系統PL的數值孔徑NA高達0.9~1.3，亦能獲得高解析性能。

再者，不僅是對準光罩(標線片)之線狀圖案長邊方向的直線偏光照明(S偏光照明)，若如日本專利特開平6-53120號公報之揭示般，偏光照明法(於以光軸為中心之圓的切線(圓周)方向進行直線偏光)與斜入射照明法之組合亦是非常有效的。特別是，當光罩(標線片)的圖案並不僅只於沿一既定方向之線狀圖案，而亦混有沿複數個不同方向之線狀圖案時，若同樣採取特開平6-53120號公報之揭示般，併用以下方法，即於以光軸為中心之圓的切線方向進行直線偏光之偏光照明法、與環帶照明法之併用，藉此，即使投影光學系統的數值孔徑NA較大，亦能獲得高成像性能。例如，將穿透率6%的半色調型相移式光罩(半間距63nm之圖案)，與偏光照明法 (於以光軸為中心之圓的切線方向進行直線偏光)與環帶照明法(環帶比3/4)併用來進行照明時，設照明δ為0.95、投影光學系統PL的數值孔徑NA=1.00的話，與使用隨機偏光光線之情形相較，焦深(DOF)可增加250nm。若是半間距為55nm之圖案、且投影光學系統的數值孔徑NA=1.2時，焦深可增加100nm左右。

又，作為上述各實施形態之基板P，不僅是半導體元件製造用之半導體晶圓，亦可適用顯示元件用之玻璃基板、薄膜磁頭用陶瓷晶圓、或用於曝光裝置之光罩或標線片原板(合成石英、矽晶圓)等。

作為曝光裝置EX，除可使用同步移動光罩M與基板P來掃描曝光光罩M之圖案的步進掃描(step & scan)方式之掃描型曝光裝置(掃描步進器)外，亦可適用在光罩M與基板P靜止狀態下將光罩M之圖案予以一次性的曝光，並使基板P依序步進移動之步進重複(step & repeat)方式之投影曝光裝置(步進器)。此外，本發明亦能適用於在基板P上將至少2個圖案加以部分重疊轉印之步進接合(step & stitch)方式之曝光裝置。

又，本發明亦能適用於雙載台型之曝光裝置。關於雙載台型曝光裝置之構造及曝光動作，例如，已揭示於日本專利特開平10-163099號及特開平10-214783號(對應美國專利第6,341,007號、6,400,441號、6,549,269號及6,590,634號)、特表2000-505958號(對應美國專利第5,969,441號)或美國專利第6,208,407號中，本案在申請國之法令許可範圍內，援用該等之揭示作為本說明書之部分記載。

又，上述實施形態中，雖係採用在投影光學系統PL與基板 P之間局部的充滿液體之曝光裝置，但本發明亦能適用於將保持有曝光對象基板之載台在液槽中移動之液浸曝光裝置，或適用於在載台上形成既定深度之液體槽、於其中保持基板之液浸曝光裝置。作為將保持有曝光對象基板之載台在液槽中移動之液浸曝光裝置，例如已詳細的揭示於日本專利特開平6-124873號公報中，而作為在載台上形成既定深度之液體槽、於其中保持基板之液浸曝光裝置，例如已詳細的揭示於美國專利5,825,043號公報(特開平10-303114號公報)中，本案在申請國法令許可範圍內，援用美國專利5,825,043號公報之揭示作為本說明書記載之一部分。

作為曝光裝置EX之種類，本發明並不限於將半導體元件圖案曝光至基板P之半導體元件製造用的曝光裝置，亦能廣泛的適用於液晶顯示元件製造用或顯示器製造用之曝光裝置，或用以製造薄膜磁頭、攝影元件(CCD)或標線片、光罩等的曝光裝置等。

於基板載台PST或光罩載台MST使用線性馬達時，無論是採用空氣懸浮型(使用空氣軸承)或磁氣懸浮型(使用羅倫茲力或反作用)之任一種皆可。又，各載台PST、MST，可以是沿導軌移動之型式、或不設置導軌之無導軌型式者皆可。使用線性馬達之例，已揭示於美國專利第5,623,853號及第5,528,118號中，本案在申請國之法令許可範圍內，援用該等之揭示作為本說明書之部分記載。

作為各載台PST、MST之驅動機構，可使用將磁鐵2維配置之磁鐵單元、與將線圈2維配置之電樞單元予以對向，藉電磁力來驅動各載台PST、MST之平面馬達。此時，將磁鐵單元與電樞單元之任一方接觸於載台PST、MST，將磁鐵單元與電樞單元之另一方設在載台PST、MST之移動面側即可。

因基板載台PST之移動所產生之反作用力，可使用框架構件將其機械性的釋放至地面，以避免傳至投影光學系統PL。此反作用力之處理方法，例如已詳細的揭示於美國專利第5,528,118號(日本專利特開平8-166475號)公報中，本案在申請國之法令許可範圍內，援用該等之揭示作為本說明書之部分記載。

又，因光罩載台MST之移動所產生之反作用力，可使用框架構件將其機械性的釋放至地面，以避免傳至投影光學系統PL。此反作用力之處理方法，例如已詳細的揭示於美國專利第5,874,820號(日本專利特開平8-330224號)公報中，本案在申請國之法令許可範圍內，援用該等之揭示作為本說明書之部分記載。

如上述般，本案實施形態之曝光裝置EX，係將包含本案申請專利範圍所例舉之各構成要素的各種次系統，以能保持既定機械精度、電氣精度、光學精度之方式，加以組裝製造。為確保上述各種精度，於此組裝之前後，對各種光學系統進行用以達成光學精度之調整，對各種機械系統進行用以達成機械精度之調整，對各種電氣系統則進行用達成各種電氣精度之調整。各種次系統組裝至曝光裝置之步驟，包含各種次系統彼此間之機械連接、電氣迴路之連接、氣壓迴路之連接等。此各種次系統組裝至曝光裝置之步驟前，當然有各個次系統之組裝步驟。各種次系統組裝至曝光裝置之步驟結束後，即進行綜合調整，以確保曝光裝置舔之各種精度。又，曝光裝置的製造以在溫度及清潔度等受到管理的無塵室中進行較佳。

半導體元件等之微元件，係如圖26所示，經微元件之功能、性能設計步驟201，根據此設計步驟製作光罩(標線片)的步驟202，製造基板(元件之基材)的步驟203，使用前述實施形態之曝光裝置EX將光罩之圖案曝光至基板的曝光處理步驟204，元件組裝步驟(切割製程、結合製程、封裝製程)205，檢查步驟206而製造。

根據本發明，能夠去除殘留在投影光學系統像面附近之零件上的液體，避免因殘留液體的掉落而造成曝光裝置內的環境變化或裝置之銹蝕。特別是，去除殘留在投影光學系統前端之光學元件的液體1，能夠防止該光學元件發生附著痕(水痕)。因而，能使得期望的圖案以高精度形成於基板上。

PFM,MFM‧‧‧基準標記