JP2008283052A - 液浸露光装置および半導体装置の製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】液浸露光装置は、照明光学系2と、レジスト膜を含む基板3が設置される載置手段4と、投影レンズ5を含む投影光学系6と、基板3上に液体7を供給するための液浸ノズル8を含む液体供給手段9と、基板3上に設けられた複数のアライメントマークの位置を計測するための計測手段12と、計測手段12にて取得された計測値と、複数のアライメントマークの計測中に生じる計測環境の変化に起因する計測誤差を補正するための補正値とに基づいて、基板3を液浸露光する時に、フォトマスク1のパターンの像が基板3の所定の位置に投影されるように、基板が載置された載置手段4の位置を制御する制御手段11とを備えている。
【選択図】 図1
Description
ウェハの場合、上記体積の変化の一つとしては、ウェハ倍率がある。ウェハ倍率はX方向およびY方向のそれぞれにある。ウェハ倍率は、例えば、アライメントマークMi(i=1,2,…,8)の計測の前に、液浸ノズル8がそのアライメントマークMi上を通過する回数(スキャン回数)によって変わる。
図1に示した液浸露光装置を用いて、従来と同様に、アライメントマークM1−M8の位置が計測される。この計測結果はステージ制御装置11に入力される。
スキャン回数とウェハ倍率誤差との関係に基づいて、アライメントマークM1−M8の計測値に対する補正値がステージ制御装置11にて求められ、アライメントマークM1−M8の計測値が補正される。これは以下のようにして決められる。
(Px2’,Py2’)=(Px2+Δx,Py2+Δy)
(Px3’,Py3’)=(Px3+Δx,Py3+Δy)
(Px4’,Py4’)=(Px4+2Δx,Py4+2Δy)
(Px5’,Py5’)=(Px5,Py5)
(Px6’,Py6’)=(Px6,Py6)
(Px7’,Py7’)=(Px7,Py7)
(Px8’,Py8’)=(Px8+Δx,Py8+Δy)
[S4]
補正後のアライメントマークM1−M8の計測値(アライメント補正値)を用いて、フォトマスク1と基板3との位置合わせ(アライメント)が行われ、基板3が露光される。
Claims (5)
- フォトマスク上に形成されたパターンを照明するための光源を含む照明光学系と、
被加工基板と該被加工基板上に形成されたレジスト膜とを含む基板が設置される載置手段と、
前記レジスト膜上に前記フォトマスクのパターンの像を投影するための投影レンズを含む投影光学系と、
前記投影光学系により、前記フォトマスクのパターンの像を前記レジスト膜上に投影する時に、前記基板と前記投影レンズとの間が液体で満たされるように、前記基板の一部の領域上に液体を供給するための液浸ノズルを含む液体供給手段と、
前記フォトマスクと前記基板との位置合わせのために、前記基板上に設けられた複数のアライメントマークMi(i=1,2,…)の位置を計測するための計測手段と、
前記計測手段にて取得された計測値と、前記アライメントマークMiの計測中に生じる計測環境の変化に起因する計測誤差を補正するための補正値とに基づいて、前記基板を液浸露光する時に、前記フォトマスクのパターンの像が前記基板の所定の位置に投影されるように、前記基板が載置された前記載置手段の位置を制御する制御手段と
を具備してなることを特徴とする液浸露光装置。 - 被加工基板と該被加工基板上に形成されたレジスト膜とを含む基板と、フォトマスクとの位置合わせを行う工程と、
液浸ノズルにより前記基板上に液体を供給し、該液を介して前記レジスト膜の一部の領域を選択的に液浸露光する工程と、
前記基板と投影レンズとの間が液体で満たされるように、液浸ノズルにより前記基板の一部の領域上に液体を供給し、前記液を介して前記レジスト膜を液浸露光する工程と、
前記レジスト膜を現像することにより、前記レジスト膜からなるレジストパターンを形成する工程とを含み、
前記基板と前記フォトマスクとの位置合わせを行う工程は、
前記基板上に設けられた複数のアライメントマークMi(i=1,2,…)の位置を計測する工程と、
前記複数のアライメントマークMiの位置を計測する工程にて取得された計測値と、前記アライメントマークMiの計測中に生じる計測環境の変化に起因する計測誤差を補正するための補正値とに基づいて、前記基板を液浸露光する時に、前記フォトマスクのパターンの像が前記基板の所定の位置に投影されるように、前記基板が載置された載置手段の位置を制御する工程と
を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 前記アライメントマークMiの計測中に生じる計測環境の変化は、アライメントマークMiを計測する際に、それよりも後に計測されるアライメントマークMj(j>i)上を前記液浸ノズルが通過することによって生じる環境変化であることを特徴とする請求項1に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記補正値は、前記アライメントマークMiの計測の前に、前記液浸ノズルがそのアライメントマークMi上を通過する回数と、前記アライメントマークMiが前記液体に浸水されている時間、前記液浸ノズルから吐出される前記液体の流量、前記液浸ノズルから吐出される前記液体の水圧および前記基板の温度の少なくとも一つ以上に基づいて求めることを特徴とする請求項2または3に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記補正値は、前記アライメントマークMiの所定位置からのずれ量の一次線近似にて算出することを特徴とする請求項2ないし4のいずれか1項に記載の半導体装置の製造方法。
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