JP2001300453A - 物品表面の洗浄方法と洗浄装置、およびこれらによる光学素子の製造方法と装置、並びに光学系、露光方法、露光装置、デバイス製造方法 - Google Patents

物品表面の洗浄方法と洗浄装置、およびこれらによる光学素子の製造方法と装置、並びに光学系、露光方法、露光装置、デバイス製造方法

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JP2001300453A JP2000120015A JP2000120015A JP2001300453A JP 2001300453 A JP2001300453 A JP 2001300453A JP 2000120015 A JP2000120015 A JP 2000120015A JP 2000120015 A JP2000120015 A JP 2000120015A JP 2001300453 A JP2001300453 A JP 2001300453A
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  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
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Abstract

(57)【要約】 【課題】大口径のレンズにおいてもコンパクトで溶剤等
の洗浄液を殆ど使用することなく、紫外領域においてき
わめて良好な光学特性を得る洗浄が可能となる物品表面
の洗浄方法と洗浄装置、およびこれらによる光学素子の
製造方法と装置、並びに光学系、露光方法、露光装置、
デバイス製造方法を提供する。 【解決手段】例えばイオン化された気体によって物品の
表面の静電気を除去する静電気除去工程と、例えばレン
ズ材料等の結晶構造を維持する範囲内で高エネルギー光
を照射することにより前記物品の表面の汚染物質を除去
する汚染物質除去工程と、を有する物品表面の洗浄方法
または装置、およびこれらによる光学素子の製造方法と
装置、光学系、露光方法、露光装置、デバイス製造方法
を構成する。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、物品表面の洗浄方
法と洗浄装置、およびこれらによる光学素子の製造方法
と装置、並びに光学系、露光方法、露光装置、デバイス
製造方法に関し、例えば、高機能が要求される用途に用
いられるレンズ、特に口径が非常に大きくかつ高精度な
光学素子等を洗浄する方法およびそこで使用する洗浄機
に関するものである。
【0002】
【従来の技術】従来、CaF2、MgF2、等のフッ化物
系結晶材料からなるレンズ等の光学素子は、その光学特
性が極めて広範囲の波長帯にわたって良好な透過率をも
つとともに、低分散であることから、高級カメラレン
ズ、テレビジョンカメラレンズ等の高機能が要求される
高精度なレンズに用いられてきた。
【0003】また、CaF2、MgF2、等のフッ化物系
結晶材料からなる光学素子はエキシマレーザー等の短波
長光でもその透過率が高いことから、短波長用の光学素
子として使用することが検討され始めている。上記のよ
うな光学素子の洗浄においては、従来は洗浄槽に洗浄液
を入れた中にレンズを浸漬させて超音波洗浄法により洗
浄するのが一般的であった。このような洗浄糟を数槽設
けておき界面活性剤、純水等により洗浄した後、最終的
にイソプロピールアルコール洗浄を行おうとした場合で
は、洗浄槽が大きくなり洗浄機本体も高価で巨大とな
り、さらに乾燥等で使用される溶剤も非常に多くなる。
すなわち、従来一般的に行われてきた上記したいわゆ
る、WET法による洗浄方法においては、大口径レンズ
等の洗浄においては、特に装置が巨大化し、溶剤の使用
量が多くなるほか、紫外領域で使用する光学素子の特性
を満足することができず、静電気によるパーティクルの
付着を回避することも困難である。また、環境保護とい
う観点から言えば、溶剤使用を削減していくか、さらに
溶剤を使用しない洗浄方法が、今後、ますます必要とな
ってくる。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】上記したように、従来
の高精度で、大口径レンズの洗浄は、上記WET法で行
われていたが、さらに短波長の紫外光を扱う光学素子の
レンズ表面の汚染物質を除去するためには、WET法に
よる洗浄のみでは不十分であり、DRY洗浄が重要にな
ってきた。すなわち、エキシマレーザーの波長領域では
レンズ表面の汚染物質によりレンズの透過率が低下して
しまうのだが、特に汚染物質として有機物残さがレンズ
の透過率低下をもたらすことが判ってきた。この有機物
残さを除去する観点からは、DRY洗浄が有効であり、
DRY雰囲気では絶縁物質から成るレンズ表面には静電
気が蓄積しやすくパーティクル等が吸着しやすくなると
いう点に問題があった。
【0005】そこで、本発明は、上記従来技術の課題を
解決し、大口径のレンズにおいてもコンパクトで溶剤等
の洗浄液を殆ど使用することなく、紫外領域においてき
わめて良好な光学特性を得る洗浄が可能となる物品表面
の洗浄方法と洗浄装置、およびこれらによる光学素子の
製造方法と装置、並びに光学系、露光方法、露光装置、
デバイス製造方法を提供することを目的とするものであ
る。
【0006】
【課題を解決するための手段】本発明は、上記課題を達
成するため、つぎの(1)〜(53)のように構成した
物品表面の洗浄方法と洗浄装置、およびこれらによる光
学素子の製造方法と装置、並びに光学系、露光方法、露
光装置、デバイス製造方法を提供するものである。 (1)物品の表面の静電気を除去する静電気除去工程
と、前記物品の表面の汚染物質を除去する汚染物質除去
工程と、を有する物品表面の洗浄方法。 (2)前記静電気除去工程と前記汚染物質除去工程と
は、実質的に同時に行なわれることを特徴とする上記
(1)に記載の物品表面の洗浄方法。 (3)前記物品が光学素子であることを特徴とする上記
(1)または上記(2)に記載の物品表面の洗浄方法。 (4)前記光学素子がレンズ、プリズム、ミラー、平行
平板等であることを特徴とする上記(3)に記載の物品
表面の洗浄方法。 (5)前記レンズは、紫外光の透過率が高い材料で形成
されていることを特徴とする上記(4)に記載の物品表
面の洗浄方法。 (6)前記紫外光の透過率が高い材料が、石英、CaF
2、MgF2であることを特徴とする上記(5)に記載の
物品表面の洗浄方法。 (7)前記静電気除去工程は、前記物品の表面にイオン
を照射する工程を含むことを特徴とする上記(1)〜
(6)のいずれかに記載の物品表面の洗浄方法。 (8)前記イオンを照射する工程は、イオン化された気
体を前記物品の表面に向けて照射した後、該気体を吸引
器によって吸引することを特徴とする上記(7)に記載
の物品表面の洗浄方法。 (9)前記気体は、酸素、窒素、アルゴン、水蒸気等の
気体からなり、またはこれらの気体或はこれらの気体の
混合ガスにオゾンを混合したことを特徴とする上記
(8)に記載の物品表面の洗浄方法。 (10)前記吸引器は、前記物品表面を流れる前記気体
の下流側に配置されていることを特徴とする上記(8)
または上記(9)に記載の物品表面の洗浄方法。 (11)前記汚染物質除去工程は、レーザー光を照射す
る工程を含むことを特徴とする上記(1)〜(10)の
いずれかに記載の物品表面の洗浄方法。 (12)前記レーザー光は、その照射エネルギーが前記
レンズ材料等の物品の結晶構造を維持する範囲内である
ことを特徴とする上記(11)に記載の物品表面の洗浄
方法。 (13)前記レーザー光は、エキシマレーザー光等の紫
外線レーザー光であることを特徴とする上記(11)ま
たは上記(12)に記載の物品表面の洗浄方法。 (14)物品の表面にイオンを照射するイオン照射工程
と、前記物品の表面にレーザー光を照射するレーザー光
照射工程と、を有する物品表面の洗浄方法。 (15)前記イオン照射工程と前記レーザー光照射工程
とは、実質的に同時に行なわれることを特徴とする上記
(14)に記載の物品表面の洗浄方法。 (16)前記物品が、光学素子であることを特徴とする
上記(14)または上記(15)に記載の物品表面の洗
浄方法。 (17)前記光学素子がレンズ、プリズム、ミラー、平
行平板などであることを特徴とする上記(16)に記載
の物品表面の洗浄方法。 (18)前記レンズは、紫外光の透過率が高い材料で形
成されていることを特徴とする上記(17)に記載の物
品表面の洗浄方法。 (19)前記紫外光の透過率が高い材料が、石英、Ca
2、MgF2であることを特徴とする上記(16)に記
載の物品表面の洗浄方法。 (20)前記イオン照射工程は、イオン化された気体を
前記物品の表面に向けて照射した後、該気体を吸引器に
よって吸引することを特徴とする上記(14)〜(1
9)のいずれかに記載の物品表面の洗浄方法。 (21)前記気体は、酸素、窒素、アルゴン、水蒸気等
の気体からなり、またはこれらの気体或はこれらの気体
の混合ガスにオゾンを混合したことを特徴とする上記
(20)に記載の物品表面の洗浄方法。 (22)前記吸引器は、前記物品表面を流れる前記気体
の下流側に配置されていることを特徴とする上記(2
0)または上記(21)に記載の物品表面の洗浄方法。 (23)前記レーザー光の照射は、該レーザー光の照射
エネルギーが前記レンズ材料等の物品の結晶構造を維持
する範囲内であることを特徴とする上記(14)〜上記
(22)のいずれかに記載の物品表面の洗浄方法。 (24)前記レーザー光は、エキシマレーザー光等の紫
外線レーザー光であることを特徴とする上記(12)〜
(22)のいずれかに記載の物品表面の洗浄方法。 (25)上記(1)〜(24)のいずれかに記載の物品
表面の洗浄方法によって光通過面を清浄にする工程を含
むことを特徴とするレンズ、プリズム、ミラー、平行平
板などの光学素子の製造方法。 (26)上記(25)に記載の方法で作られた光学素子
を含むことを特徴とする光学系。 (27)上記(26)に記載の光学系を含むことを特徴
とする露光装置。 (28)上記(27)に記載の露光装置によりウエハを
露光する段階と、該露光したウエハを現像する段階とを
含むことを特徴とするデバイス製造方法。 (29)上記(1)〜(24)のいずれかに記載の物品
表面の洗浄方法によって光学系の光通過面を清浄にする
工程を有することを特徴とする露光方法。 (30)物品の表面の静電気を除去する静電気除去手段
と、前記物品の表面の汚染物質を除去する汚染物質除去
手段と、を有する物品表面の洗浄装置。 (31)前記静電気除去手段と前記汚染物質除去手段と
によって、前記静電気除去と汚染物質除去とが実質的に
同時に行なわれるように構成されていることを特徴とす
る上記(30)に記載の物品表面の洗浄装置。 (32)前記物品が光学素子であることを特徴とする上
記(30)または上記(31)に記載の物品表面の洗浄
装置。 (33)前記光学素子がレンズ、プリズム、ミラー、平
行平板等であることを特徴とする上記(32)に記載の
物品表面の洗浄装置。 (34)前記レンズは、紫外光の透過率が高い材料で形
成されていることを特徴とする上記(33)に記載の物
品表面の洗浄装置。 (35)前記紫外光の透過率が高い材料が、石英、Ca
2、MgF2であることを特徴とする上記(34)に記
載の物品表面の洗浄装置。 (36)前記静電気除去手段は、前記物品の表面にイオ
ン化された気体を照射する手段を備えていることを特徴
とする上記(30)〜(35)のいずれかに記載の物品
表面の洗浄装置。 (37)前記静電気除去手段は、前記イオン化された気
体を前記物品の表面に向けて照射した後、該照射された
気体を吸引する吸引器を備えていることを特徴とする上
記(36)に記載の物品表面の洗浄装置。 (38)前記気体は、酸素、窒素、アルゴン、水蒸気等
の気体からなり、またはこれらの気体或はこれらの気体
の混合ガスに、オゾン発生器からのオゾンを混合するよ
うに構成したことを特徴とする上記(36)または上記
(37)に記載の物品表面の洗浄装置。 (39)前記吸引器は、前記物品表面を流れる前記気体
の下流側に配置されていることを特徴とする上記(3
7)または上記(38)に記載の物品表面の洗浄装置。 (40)前記汚染物質除去手段は、レーザー光を照射す
る手段と、該レーザー光が所定の部分に照射されるよう
に前記物品を移動調整する手段を備えていることを特徴
とする上記(30)〜(39)のいずれかに記載の物品
表面の洗浄装置。 (41)前記レーザー光を照射する手段は、該レーザー
光のエネルギー密度と照射時間がレンズ材料等の物品の
結晶構造を維持する範囲内で、前記レーザー光を照射す
る構成を備えていることを特徴とする上記(40)に記
載の物品表面の洗浄装置。 (42)前記レーザー光は、エキシマレーザー光等の紫
外線レーザー光であることを特徴とする上記(40)ま
たは上記(41)に記載請の物品表面の洗浄装置。 (43)物品の表面にイオンを照射するイオン照射手段
と、前記物品の表面にレーザー光を照射するレーザー光
照射手段と、を有する物品表面の洗浄装置。 (44)前記イオン照射手段とレーザー光照射手段と
が、実質的に同時に行なわれるように構成されているこ
とを特徴とする上記(43)に記載の物品表面の洗浄装
置。 (45)前記物品が光学素子であることを特徴とする上
記(43)または上記(44)に記載の物品表面の洗浄
装置。 (46)前記光学素子がレンズ、プリズム、ミラー、平
行平板等であることを特徴とする上記(45)に記載の
物品表面の洗浄装置。 (47)前記レンズは、紫外光の透過率が高い材料で形
成されていることを特徴とする上記(46)に記載の物
品表面の洗浄装置。 (48)前記紫外光の透過率が高い材料が、石英、Ca
2、MgF2であることを特徴とする上記(47)に記
載の物品表面の洗浄装置。 (49)前記洗浄装置は、前記イオン照射手段によって
イオン化された気体を前記物品の表面に向けて照射した
後、該照射された気体を吸引する吸引器を備えているこ
とを特徴とする上記(43)〜(48)のいずれかに記
載の物品表面の洗浄装置。 (50)前記気体は、酸素、窒素、アルゴン、水蒸気等
の気体からなり、またはこれらの気体或はこれらの気体
の混合ガスに、オゾン発生器からのオゾンを混合するよ
うに構成したことを特徴とする上記(49)に記載の物
品表面の洗浄装置。 (51)前記吸引器は、前記物品表面を流れる前記気体
の下流側に配置されていることを特徴とする上記(4
9)または上記(50)に記載の物品表面の洗浄装置。 (52)前記洗浄装置は、前記レーザー光照射手段によ
って照射されたレーザー光が所定の部分に照射されるよ
うに前記物品を移動調整する手段を備えていることを特
徴とする上記(43)〜(51)のいずれかに記載の物
品表面の洗浄装置。 (53)前記レーザー光照射手段は、該レーザー光のエ
ネルギー密度と照射時間がレンズ材料等の物品の結晶構
造を維持する範囲内で、前記レーザー光を照射する構成
を備えていることを特徴とする上記(43)〜(52)
のいずれかに記載の物品表面の洗浄装置。 (54)前記レーザー光は、エキシマレーザー光等の紫
外線レーザー光であることを特徴とする上記(43)〜
(53)のいずれかに記載の物品表面の洗浄装置。 (55)上記(33)〜(42)または上記(46)〜
(54)のいずれかに記載の洗浄方法によって光通過面
を清浄にする工程を含むことを特徴とするレンズ、プリ
ズム、ミラー、平行平板などの光学素子の製造装置。 (56)上記(40)〜(42)または上記(46)〜
(54)のいずれかに記載の洗浄装置によって光学系の
光通過面を清浄にすることを特徴とする露光装置。
【0007】
【発明の実施の形態】本発明の実施の形態においては、
上記構成を適用することによって、大口径のレンズにお
いてもコンパクトで有機溶剤等の洗浄液を大幅に削減す
るか、またはほとんど使用しなくても良く、また紫外領
城においてきわめて良好な光学特性を得る洗浄が可能と
なる物品表面の洗浄方法または洗浄装置を実現すること
ができ、このような洗浄方法または洗浄装置を必要とす
る分野、特に光学素子の製造方法または装置、あるいは
光学系、露光方法、露光装置、デバイス製造方法等に好
適に適用することができる。
【0008】この点を更に説明すると、通常のレンズの
加工工程においては、レンズ材料から、まず大まかなレ
ンズ形状を形成し、その後、研磨により最終的な面形
状、面粗さを得る。したがって、レンズ加工工程での汚
染物質は、加工工程により異なるが、基本的には研磨
剤、ゴミ等の無機物、および油、指紋等の有機物であ
る。これらの汚染物質は、共有結合、静電力、ファンデ
ルワールス力等によって、レンズの各加工工程で発生す
る。ところで、一般的に、レンズは最終的な面形状、面
粗さが得られた後、表面にレンズの透過率向上のための
反射防止膜が形成される。そのため、レンズ加工が終了
した後、最終洗浄は非常に重要となる。特に、紫外線領
城で使用される、たとえばエキシマレーザー用等のレン
ズでは非常に高い透過率が要求されるため、レンズ加工
後の最終洗浄がレンズの光学性能を左右することとな
る。さらに、このような波長領域での透過率劣化を引き
起こす要因として、有機物が関与していることが判って
きたため、レンズ表面の有機物除去が洗浄において重要
であり、またこの洗浄時にパーティクル等の欠陥を付着
させてはいけないことも重要である。
【0009】これに対して、上記した構成を用い、例え
ば、レンズ表面に向けてイオン化された気体を該レンズ
表面の静電気を除去する範囲で照射することにより、レ
ンズ表面の静電気を除去する一方、前記レンズ処理表面
にレンズ材料の結晶構造を維持する範囲内で高エネルギ
ー光照射により、処理表面から汚染物質を除去すること
が可能となる。したがって、このような洗浄方法で洗浄
すると、レンズ表面にある有機物汚染に対して非常に有
効な結果が得られ、またパーティクル等の欠陥も付着し
にくくなる。
【0010】これを、さらに具体的に説明すると、例え
ばレンズ表面に対して、イオン化した気体を照射しレン
ズ表面の静電気を完全に除去し、パーティクルの等の付
着を防止した状態で、この部分に照射源であるパルス形
または連続波レーザまたは高エネルギランプによって照
射する。特に、パルス形エキシマレーザによりレンズ表
面を照射した場合には、そのエネルギにより有機物は瞬
間的にガス化し、イオン化した気体流と一緒にレンズ表
面から飛散して洗浄が行われる。また、イオン化された
気体にオゾンを混合することにより、不活性ガスを単独
に用いた場合に比べて、さらに除去性を向上させること
が可能となる。これは、オゾンが存在することにより、
有機物のガス化の促進がさらに助長されることによるも
のと考えられる。
【0011】
【実施例】以下に、本発明の実施例について説明する。 [実施例1]図1に本発明の実施例1における照射によ
るレンズ洗浄機の概略構成図を示す。つぎに本実施例に
おけるレンズ洗浄の手順を説明すると、まず、研磨加工
によりレンズ3(外径200mm、曲率半径250m
m、凸レンズ、レンズ材料CaF2)の表面に付着した
研磨剤、油分、その他のゴミをあらかじめ拭き取り等に
より、大体のよごれを除去しておく。
【0012】次に、このレンズを本実施例の洗浄機のレ
ンズホルダー4にセットする。レンズの有効部分を完全
に洗浄するとういう観点からこのホルダーはレンズのコ
バ部分にのみ接触するような構造になっている。一般的
にはレンズは外径が円であり、レンズ中心に対して点対
称のものがほとんどである。そこで前記レンズホルダー
4はレンズ中心を軸に回転できる構造にした。本実施例
ではレンズを10rpmの回転スピードで回転させた。
【0013】レンズ3を回転した状態で、さらにKrF
エキシマレーザー光(波長248nm)をラムダフィジ
ック社製エキシマレーザLPX200によりレンズ中心
部分から150mj/cm2のエネルギーで照射しなが
らレーザービーム(ビーム径12×23mm2)を半径
方向に2mm/secの速度で移動させた。この時レー
ザビームの焦点が常にレンズ表面で合うようにした。な
おレーザの反復速度は20Hzであった。また同時にレ
ンズ表面に向かって3M社製(#961イオナイズドエ
アーブロアー)のイオナイザー6よりイオン化されたク
リーンエアー7を500ml/sec照射し、レンズに
対してその向かい側に気体を吸入する吸入器9を設け
た。
【0014】レンズ表面の汚染物質は、レーザ照射によ
りガス化またはレンズ表面から飛び出し、前記混合ガス
と共に吸入器に吸引される。高倍率顕微鏡、分光器等に
よる評価の結果では、研磨剤、ゴミ、および有機膜残さ
がほぼ完全に除去できることを確認した。パーティクル
に関しては0.5μm以上の粒径の欠陥が5個/cm 2
以下と良好であった。
【0015】[実施例2]実施例2においては、実施例
1と同様に、まず研磨加工によりレンズ(外径250m
m、曲率半径280mm、凹レンズ、レンズ材料SiO
2)の表面に付着した研磨剤、油分、その他のゴミをあ
らかじめ拭き取り等により、大体のよごれを除去してお
く。次にこのレンズを本実施例の洗浄機のレンズホルダ
ーにセットする。レンズの有効部分を完全に洗浄すると
いう観点からこのホルダーはレンズのコバ部分にのみ接
触するような構造になっている。実施例1の場合と同じ
ように、この凹レンズを洗浄する時においても、レンズ
中心に対して点対称であるため、レンズをレンズ中心を
軸にして回転させながら処理を行った。本実施例でも、
レンズを10rpmの回転スピードで回転させた。
【0016】レンズを回転した状態で、KrFエキシマ
レーザー光(248nm)をラムダフィジック社製エキ
シマレーザーLPX200によりレンズ中心部分から2
00mj/cm2のエネルギーで照射しながらレーザー
ビーム(ビーム径12×23mm2)を半径方向に3m
m/secの速度で移動させた。この場合にもレーザー
ビームの焦点が常にレンズ表面で合うようにしてある。
なおレーザーの反復速度は10Hzであった。また同時
にレンズ表面に向かって3M社製(#961イオナイズ
ドエアーブロアー)のイオナイザー6よりイオン化され
たアルゴンガス7を500ml/sec照射し、同時に
レンズ中心部に向けてオゾン発生器8よりオゾンを40
ml/sec照射し、レンズに対してその向かい側には
前記混合ガスを吸入する吸入器を設けた。
【0017】レンズ表面に残っていた汚染物質は、レー
ザー照射により瞬間的にガス化またはレンズ表面から飛
び出し、前記混合ガスと共に吸入器に吸引される。高倍
率顕微鏡、分光器等による評価の結果から、研磨剤、ゴ
ミ、および有機膜残さがほぼ完全に除去できることを確
認した。
【0018】(比較例)比較例においては、実施例1と
同様にして洗浄条件として、イオン化せずにクリーンエ
アーをレンズ表面に照射する検討を行った。その結果レ
ンズ表面に0.5μm粒径以上のパーティクルが100
個/cm2以上付着している事が観測されイオン化した
気体を照射した場合に比ベパーティクルの付着する確率
が増加していることが解ったまた、実施例2に対して、
洗浄条件として、レンズ中心部分に送るガスにオゾンを
混合させない検討を行った。その結果オゾンを混合した
実施例2に比較して、特に有機膜残さ除去性がやや劣る
ことが、評価の結果判明した。
【0019】
【発明の効果】以上に、説明したように、本発明によれ
ば、大口径のレンズにおいてもコンパクトで溶剤等の洗
浄液を殆ど使用することなく、紫外領城においてきわめ
て良好な光学特性を得る洗浄が可能となる物品表面の洗
浄方法または洗浄装置を実現することができ、このよう
な洗浄方法または洗浄装置を必要とする分野、特に光学
素子の製造方法または装置、あるいは光学系、露光方
法、露光装置、デバイス製造方法等に好適に適用するこ
とができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の実施例におけるレンズ洗浄機の概念
図。
【符号の説明】
1:エキシマレーザー光源 2:レーザー光焦点制御装置 3:レンズ 4:レンズホルダー 5:3次元制御ステージ 6:イオナイザー 7:イオン化気体 8:オゾン発生装置 9:吸入器 10:回転ステージ
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き Fターム(参考) 3B116 AA03 AB01 AB34 AB42 BB22 BB77 BB88 BB89 BC01 CA05 CC05 5F046 AA28 CA04 CB02 CB10 CB12 CB19

Claims (56)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】物品の表面の静電気を除去する静電気除去
    工程と、前記物品の表面の汚染物質を除去する汚染物質
    除去工程と、を有することを特徴とする物品表面の洗浄
    方法。
  2. 【請求項2】前記静電気除去工程と前記汚染物質除去工
    程とは、実質的に同時に行なわれることを特徴とする請
    求項1に記載の物品表面の洗浄方法。
  3. 【請求項3】前記物品が光学素子であることを特徴とす
    る請求項1または請求項2に記載の物品表面の洗浄方
    法。
  4. 【請求項4】前記光学素子がレンズ、プリズム、ミラ
    ー、平行平板等であることを特徴とする請求項3に記載
    の物品表面の洗浄方法。
  5. 【請求項5】前記レンズは、紫外光の透過率が高い材料
    で形成されていることを特徴とする請求項4に記載の物
    品表面の洗浄方法。
  6. 【請求項6】前記紫外光の透過率が高い材料が、石英、
    CaF2、MgF2であることを特徴とする請求項5に記
    載の物品表面の洗浄方法。
  7. 【請求項7】前記静電気除去工程は、前記物品の表面に
    イオンを照射する工程を含むことを特徴とする請求項1
    〜6のいずれか1項に記載の物品表面の洗浄方法。
  8. 【請求項8】前記イオンを照射する工程は、イオン化さ
    れた気体を前記物品の表面に向けて照射した後、該気体
    を吸引器によって吸引することを特徴とする請求項7に
    記載の物品表面の洗浄方法。
  9. 【請求項9】前記気体は、酸素、窒素、アルゴン、水蒸
    気等の気体からなり、またはこれらの気体或はこれらの
    気体の混合ガスにオゾンを混合したことを特徴とする請
    求項8に記載の物品表面の洗浄方法。
  10. 【請求項10】前記吸引器は、前記物品表面を流れる前
    記気体の下流側に配置されていることを特徴とする請求
    項8または請求項9に記載の物品表面の洗浄方法。
  11. 【請求項11】前記汚染物質除去工程は、レーザー光を
    照射する工程を含むことを特徴とする請求項1〜10の
    いずれか1項に記載の物品表面の洗浄方法。
  12. 【請求項12】前記レーザー光は、その照射エネルギー
    が前記レンズ材料等の物品の結晶構造を維持する範囲内
    であることを特徴とする請求項11に記載の物品表面の
    洗浄方法。
  13. 【請求項13】前記レーザー光は、エキシマレーザー光
    等の紫外線レーザー光であることを特徴とする請求項1
    1または請求項12に記載の物品表面の洗浄方法。
  14. 【請求項14】物品の表面にイオンを照射するイオン照
    射工程と、前記物品の表面にレーザー光を照射するレー
    ザー光照射工程と、を有することを特徴とする物品表面
    の洗浄方法。
  15. 【請求項15】前記イオン照射工程と前記レーザー光照
    射工程とは、実質的に同時に行なわれることを特徴とす
    る請求項14に記載の物品表面の洗浄方法。
  16. 【請求項16】前記物品が、光学素子であることを特徴
    とする請求項14または請求項15に記載の物品表面の
    洗浄方法。
  17. 【請求項17】前記光学素子がレンズ、プリズム、ミラ
    ー、平行平板などであることを特徴とする請求項16に
    記載の物品表面の洗浄方法。
  18. 【請求項18】前記レンズは、紫外光の透過率が高い材
    料で形成されていることを特徴とする請求項17に記載
    の物品表面の洗浄方法。
  19. 【請求項19】前記紫外光の透過率が高い材料が、石
    英、CaF2、MgF2であることを特徴とする請求項1
    6に記載の物品表面の洗浄方法。
  20. 【請求項20】前記イオン照射工程は、イオン化された
    気体を前記物品の表面に向けて照射した後、該気体を吸
    引器によって吸引することを特徴とする請求項14〜1
    9のいずれか1項に記載の物品表面の洗浄方法。
  21. 【請求項21】前記気体は、酸素、窒素、アルゴン、水
    蒸気等の気体からなり、またはこれらの気体或はこれら
    の気体の混合ガスにオゾンを混合したことを特徴とする
    請求項20に記載の物品表面の洗浄方法。
  22. 【請求項22】前記吸引器は、前記物品表面を流れる前
    記気体の下流側に配置されていることを特徴とする請求
    項20または請求項21に記載の物品表面の洗浄方法。
  23. 【請求項23】前記レーザー光の照射は、該レーザー光
    の照射エネルギーが前記レンズ材料等の物品の結晶構造
    を維持する範囲内であることを特徴とする請求項14〜
    22のいずれか1項に記載の物品表面の洗浄方法。
  24. 【請求項24】前記レーザー光は、エキシマレーザー光
    等の紫外線レーザー光であることを特徴とする請求項1
    2〜22のいずれか1項に記載の物品表面の洗浄方法。
  25. 【請求項25】請求項1〜24のいずれか1項に記載の
    物品表面の洗浄方法によって光通過面を清浄にする工程
    を含むことを特徴とするレンズ、プリズム、ミラー、平
    行平板などの光学素子の製造方法。
  26. 【請求項26】請求項25に記載の方法で作られた光学
    素子を含むことを特徴とする光学系。
  27. 【請求項27】請求項26に記載の光学系を含むことを
    特徴とする露光装置。
  28. 【請求項28】請求項27に記載の露光装置によりウエ
    ハを露光する段階と、該露光したウエハを現像する段階
    とを含むことを特徴とするデバイス製造方法。
  29. 【請求項29】請求項1〜24のいずれか1項に記載の
    物品表面の洗浄方法によって光学系の光通過面を清浄に
    する工程を有することを特徴とする露光方法。
  30. 【請求項30】物品の表面の静電気を除去する静電気除
    去手段と、前記物品の表面の汚染物質を除去する汚染物
    質除去手段と、を有することを特徴とする物品表面の洗
    浄装置。
  31. 【請求項31】前記静電気除去手段と前記汚染物質除去
    手段とによって、前記静電気除去と汚染物質除去とが実
    質的に同時に行なわれるように構成されていることを特
    徴とする請求項30に記載の物品表面の洗浄装置。
  32. 【請求項32】前記物品が光学素子であることを特徴と
    する請求項30または請求項31に記載の物品表面の洗
    浄装置。
  33. 【請求項33】前記光学素子がレンズ、プリズム、ミラ
    ー、平行平板等であることを特徴とする請求項32に記
    載の物品表面の洗浄装置。
  34. 【請求項34】前記レンズは、紫外光の透過率が高い材
    料で形成されていることを特徴とする請求項33に記載
    の物品表面の洗浄装置。
  35. 【請求項35】前記紫外光の透過率が高い材料が、石
    英、CaF2、MgF2であることを特徴とする請求項3
    4に記載の物品表面の洗浄装置。
  36. 【請求項36】前記静電気除去手段は、前記物品の表面
    にイオン化された気体を照射する手段を備えていること
    を特徴とする請求項30〜35のいずれか1項に記載の
    物品表面の洗浄装置。
  37. 【請求項37】前記静電気除去手段は、前記イオン化さ
    れた気体を前記物品の表面に向けて照射した後、該照射
    された気体を吸引する吸引器を備えていることを特徴と
    する請求項36に記載の物品表面の洗浄装置。
  38. 【請求項38】前記気体は、酸素、窒素、アルゴン、水
    蒸気等の気体からなり、またはこれらの気体或はこれら
    の気体の混合ガスに、オゾン発生器からのオゾンを混合
    するように構成したことを特徴とする請求項36または
    請求項37に記載の物品表面の洗浄装置。
  39. 【請求項39】前記吸引器は、前記物品表面を流れる前
    記気体の下流側に配置されていることを特徴とする請求
    項37または請求項38に記載の物品表面の洗浄装置。
  40. 【請求項40】前記汚染物質除去手段は、レーザー光を
    照射する手段と、該レーザー光が所定の部分に照射され
    るように前記物品を移動調整する手段を備えていること
    を特徴とする請求項30〜39のいずれか1項に記載の
    物品表面の洗浄装置。
  41. 【請求項41】前記レーザー光を照射する手段は、該レ
    ーザー光のエネルギー密度と照射時間がレンズ材料等の
    物品の結晶構造を維持する範囲内で、前記レーザー光を
    照射する構成を備えていることを特徴とする請求項40
    に記載の物品表面の洗浄装置。
  42. 【請求項42】前記レーザー光は、エキシマレーザー光
    等の紫外線レーザー光であることを特徴とする請求項4
    0または請求項41に記載の物品表面の洗浄装置。
  43. 【請求項43】物品の表面にイオンを照射するイオン照
    射手段と、前記物品の表面にレーザー光を照射するレー
    ザー光照射手段と、を有する物品表面の洗浄装置。
  44. 【請求項44】前記イオン照射手段とレーザー光照射手
    段とが、実質的に同時に行なわれるように構成されてい
    ることを特徴とする請求項43に記載の物品表面の洗浄
    装置。
  45. 【請求項45】前記物品が光学素子であることを特徴と
    する請求項43または請求項44に記載の物品表面の洗
    浄装置。
  46. 【請求項46】前記光学素子がレンズ、プリズム、ミラ
    ー、平行平板等であることを特徴とする請求項45に記
    載の物品表面の洗浄装置。
  47. 【請求項47】前記レンズは、紫外光の透過率が高い材
    料で形成されていることを特徴とする請求項46に記載
    の物品表面の洗浄装置。
  48. 【請求項48】前記紫外光の透過率が高い材料が、石
    英、CaF2、MgF2であることを特徴とする請求項4
    7に記載の物品表面の洗浄装置。
  49. 【請求項49】前記洗浄装置は、前記イオン照射手段に
    よってイオン化された気体を前記物品の表面に向けて照
    射した後、該照射された気体を吸引する吸引器を備えて
    いることを特徴とする請求項43〜48のいずれか1項
    に記載の物品表面の洗浄装置。
  50. 【請求項50】前記気体は、酸素、窒素、アルゴン、水
    蒸気等の気体からなり、またはこれらの気体或はこれら
    の気体の混合ガスに、オゾン発生器からのオゾンを混合
    するように構成したことを特徴とする請求項49に記載
    の物品表面の洗浄装置。
  51. 【請求項51】前記吸引器は、前記物品表面を流れる前
    記気体の下流側に配置されていることを特徴とする請求
    項49または請求項50に記載の物品表面の洗浄装置。
  52. 【請求項52】前記洗浄装置は、前記レーザー光照射手
    段によって照射されたレーザー光が所定の部分に照射さ
    れるように前記物品を移動調整する手段を備えているこ
    とを特徴とする請求項43〜51のいずれか1項に記載
    の物品表面の洗浄装置。
  53. 【請求項53】前記レーザー光照射手段は、該レーザー
    光のエネルギー密度と照射時間がレンズ材料等の物品の
    結晶構造を維持する範囲内で、前記レーザー光を照射す
    る構成を備えていることを特徴とする請求項43〜52
    のいずれか1項に記載の物品表面の洗浄装置。
  54. 【請求項54】前記レーザー光は、エキシマレーザー光
    等の紫外線レーザー光であることを特徴とする請求項4
    3〜53のいずれか1項に記載の物品表面の洗浄装置。
  55. 【請求項55】請求項33〜42または請求項46〜5
    4のいずれか1項に記載の洗浄方法によって光通過面を
    清浄にする工程を含むことを特徴とするレンズ、プリズ
    ム、ミラー、平行平板などの光学素子の製造装置。
  56. 【請求項56】請求項40〜42または請求項46〜5
    4のいずれか1項に記載の洗浄装置によって光学系の光
    通過面を清浄にすることを特徴とする露光装置。
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Cited By (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2010501999A (ja) * 2006-12-08 2010-01-21 キヤノン株式会社 露光装置
JP2011062651A (ja) * 2009-09-18 2011-03-31 Hugle Electronics Inc 除塵システム
JP2011082551A (ja) * 2005-09-16 2011-04-21 Asml Netherlands Bv 放電発生器を備えたリソグラフィ装置及びリソグラフィ装置の素子を洗浄する方法
JP2012211951A (ja) * 2011-03-30 2012-11-01 Shin Etsu Chem Co Ltd フォトマスク関連基板の洗浄方法及び洗浄装置
JP2012531054A (ja) * 2009-06-23 2012-12-06 エーエスエムエル ネザーランズ ビー.ブイ. リソグラフィ装置およびデバイス製造方法
JP2012248902A (ja) * 2003-05-23 2012-12-13 Nikon Corp 露光装置及びデバイス製造方法
JP2015178048A (ja) * 2014-03-18 2015-10-08 株式会社ニューフレアテクノロジー 偏向器用クリーニング装置及び偏向器のクリーニング方法
CN108816963A (zh) * 2018-08-01 2018-11-16 中山普宏光电科技有限公司 一种紫外光和紫外激光双光源清洗设备
JP2019202336A (ja) * 2018-05-24 2019-11-28 本田技研工業株式会社 光学部品の洗浄方法及び洗浄装置

Cited By (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2012248902A (ja) * 2003-05-23 2012-12-13 Nikon Corp 露光装置及びデバイス製造方法
JP2011082551A (ja) * 2005-09-16 2011-04-21 Asml Netherlands Bv 放電発生器を備えたリソグラフィ装置及びリソグラフィ装置の素子を洗浄する方法
JP2010501999A (ja) * 2006-12-08 2010-01-21 キヤノン株式会社 露光装置
JP2012531054A (ja) * 2009-06-23 2012-12-06 エーエスエムエル ネザーランズ ビー.ブイ. リソグラフィ装置およびデバイス製造方法
JP2011062651A (ja) * 2009-09-18 2011-03-31 Hugle Electronics Inc 除塵システム
JP2012211951A (ja) * 2011-03-30 2012-11-01 Shin Etsu Chem Co Ltd フォトマスク関連基板の洗浄方法及び洗浄装置
JP2015178048A (ja) * 2014-03-18 2015-10-08 株式会社ニューフレアテクノロジー 偏向器用クリーニング装置及び偏向器のクリーニング方法
JP2019202336A (ja) * 2018-05-24 2019-11-28 本田技研工業株式会社 光学部品の洗浄方法及び洗浄装置
JP7038004B2 (ja) 2018-05-24 2022-03-17 本田技研工業株式会社 光学部品の洗浄方法及び洗浄装置
CN108816963A (zh) * 2018-08-01 2018-11-16 中山普宏光电科技有限公司 一种紫外光和紫外激光双光源清洗设备
CN108816963B (zh) * 2018-08-01 2024-02-06 中山普宏光电科技有限公司 一种紫外光和紫外激光双光源清洗设备

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