JP2000500284A

JP2000500284A - 側壁を効果的にレーザ剥離するためにビームを斜めに回転させる方法と装置

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Publication number: JP2000500284A
Application number: JP9518032A
Authority: JP
Inventors: メナヘムゲヌット; リヴスヒッツ（ブヤナー）ボリス; オッファーテハル−ザハヴ; エリーゼルイスケヴイッチ
Original assignee: オラミルセミコンダクターエクイプメントリミテッド
Priority date: 1995-11-09
Filing date: 1996-11-04
Publication date: 2000-01-11
Also published as: EP0859682A1; KR19990067434A; IL115933A0; US6265138B1; WO1997017163A1; AU7331196A

Abstract

(57)【要約】表面の剥離すべき側壁から被覆物質をほぼ完全に、かつ、迅速に除去する方法と装置であって、処理される表面の面に関し入射角αにて表面にレーザビームを入射させ、この角度はα＞０であり、ビーム入射面の方位角を周期的に切換えるか徐々に変えることが含まれている。

Description

【発明の詳細な説明】側壁を効果的にレーザ剥離するためにビームを斜めに回転させる方法と装置発明の分野この発明は、紫外レーザ表面処理方法、特に基板表面から異物を除去する方法に関する。さらに詳しく述べると、この発明は、改良された乾式レーザ剥離処理による半導体ウェーハから強靭なホトレジストを除去するために紫外レーザ放射線ビームを斜めの方向から利用する方法に関する。発明の背景種々の製品をつくる場合、表面に保護物質の層を塗布する必要があるが、この保護物質の層は特定の製造工程が完了した後に除去しなければならない。このような方法の１例は、いわゆる「マスキング」である。この方法では、マスクを通して照射された保護物質の層を用いて表面にパターンをつくり、次いでこの表面を現像液で処理して表面のマスクしない部分から物質を除去し、所定のパターンを残す。次いでこの表面をイオン注入またはエッチング剤で処理し、表面のマスクしない部分に化学種を導入、またはマスクしない部分から物質を除去する。これらの処理が完了すると、保護マスクの役割は終わり、保護マスクを除去しなければならない。この方法は当該分野では従来からよく知られており、たとえば、米国特許第5,114,834号に記載されている。現代のＶＬＳＩ/ＵＬＳＩ（超大規模集積）回路工業には、次のように主要なホトレジスト剥離方法が２つ存在する：１）酸または有機溶媒を用いる湿式剥離、２）プラズマ・オゾン・オゾン/Ｎ₂Ｏまたは紫外線/オゾンをベースとする剥離を用いる乾式剥離。これらの方法は不確実で、特に、ＶＬＳＩ/ＵＬＳＩ工業の将来の小型化を考えると、完璧な方法からほど遠い方法である。現在の技術は約０.５μｍの機能サイズを有する装置を処理しうるが、今世紀末までには装置の加工可能サイズは０. ２５μｍまで小さくなると考えられている。このようなサイズの変化が予想されるので、製造技術、特に剥離工程においてかなりの変更を必要とする。上で述べたホトレジストを剥離する従来技術は、以下で説明するように、将来の装置には不適当になるであろう。湿式剥離法単独では、ホトレジストの化学的・物理的特性を変え、ホトレジストの除去を非常に困難なものとするような強靭な処理の後では、ホトレジストの完全剥離はできないので、これは完璧な解決策ではない。このような処理には、たとえば、高線量注入（ＨＤＩ）・反応性イオンエッチング（ＲＩＥ）・紫外線による深い硬化および高温ポストベークがある。ＨＤＩまたはＲＩＥの後、注入パターンまたはエッチングされた壁の側壁は最も除去困難である。さらに、湿式法には他にもいくつか問題がある。すなわち、剥離液の強度は時間とともに変わり、溶液に蓄積された汚染物がウェーハの性能に不利な影響を及ぼす粒子源となりうる。また、剥離した化学物質には、腐食性で毒性のある物質が含まれ、取扱コストや廃棄コストを高め、また、液相の表面張力と物質移動がホトレジストの除去を不均一で困難なものにする。乾式法もいくつか大きな欠点がある。すなわち、金属および微粒子による汚染、プラズマ・電荷・電流・電界およびプラズマにより誘起される紫外線による損傷並びに温度による損傷を受ける欠点があり、さらに不完全な除去という欠点がある。上で述べたように、種々の作製工程の間に、ホトレジストは自身を硬化させる化学的・物理的変化を受け、これが従来技術による剥離処理を行うことを極めて困難なものにする。ホトレジストを完全に除去するためには、通常湿式処理と乾式処理を含む、複数の逐次工程が必要である。当該分野はこの問題にいろいろな方向から取り組み、その結果種々の技術を用いる商業的なホトレジスト除去装置を利用できる。たとえば、紫外線灰化装置が日立（ＵＡ-3150Ａ）から販売されており、乾式化学灰化装置も、たとえば、米国のＦusion Ｓemiconductor Ｓystemsから販売されており、この装置はＮ₂Ｏとオゾンを用いて化学的灰化によりホトレジストを除去し、たとえば、ＵＮＡ-200 灰化装置（ＵＬＶＡＣＪapan Ｌtd.）におけるようにマイクロ波プラズマ灰化も行われる。プラズマ・ホトレジスト除去も使われ、たとえば、Ａspen装置（米国のＭattson Ｔechnology）およびＡＵＲＡ200(米国のＧＡＳＯＮＩＣＳＩＰＣ)のように市販の装置を利用できる。さらに最近になって、米国特許第5,114,834号に記載されている酸化雰囲気中でレーザ紫外放射線を用いたアブレーションによるホトレジストの除去が行われている。アブレーション処理は、ホトレジストがレーザパルス・エネルギを強く吸収することにより起こる。この処理方法は、ホトレジスト内の化学結合の解裂による爆風と瞬間加熱を伴う、ホトレジスト層が周辺ガスへ局部的に放出される現象である。一部はガス化し、一部はばらばらに分解されたホトレジストが表面から上方に吹き飛ばされ、周辺ガスを瞬間的に加熱する。アブレーション生成物は、爆風により、および紫外レーザ放射線の光化学反応や処理ガスにより迅速に燃焼する。このプロセスの核心は照射ゾーンを流れる反応性ガス中で起こるアブレーションされたホトレジストの燃焼を伴うレーザ・アブレーションである。レーザ放射線と迅速な燃焼を組み合わせると、ホトレジストの硬質部分（側壁）アブレーション限界が瞬間的に低下する。燃焼したアブレーション生成物は、真空吸引またはガス掃引により除去され、完全に清浄な表面が残される。米国特許第5,114,834号は、重要で新規な方法を提供するが、この方法では処理量、すなわち、一定時間に剥離できるウェーハの数、が工業的に受け入れられるレベルに達していない。レーザ剥離処理量は、剥離速度、すなわち、単位時間あたりのホトレジストの単位面積を完全剥離するのに必要なレーザパルス数により決まる。この明細書を通して、半導体ウェーハからホトレジストをアブレーションする方法を参照しているが、これは単純化するために行っている。すなわち、この方法が周知の方法であり広く取り組まれた問題であるからである。しかし、以下に説明するこの発明は決してウェーハからホトレジストの剥離に限定されるものではなく、必要により変更を加えて、フラットパネル表示装置（ＦＰＤ）からホトレジストの剥離と浄化、あるいは、レンズ・半導体ウェーハ・またはホトマスクなどの種々の対象物からの残滓の除去など他の多くの用途にも適用できる。マイクロ・リソグラフィ処理において、ホトレジストとともに剥離される最も強靭な構造物は、ＶＬＳＩ/ＵＬＳＩパターンの側壁を形成しているフィルムである。しかし、当該技術は今まで、乾式法ではこのような強靭な側壁フィルムを有効、かつ、完全に除去できる適切な手段を提供できなかった。発明の概要ウェーハ表面（剥離対象の側壁を含む）からホトレジストを完全、かつ、迅速に除去するこの発明による方法には、処理される基板面に対し比較的垂直なα＞０の斜めの入射角でレーザビームを与え、そして周期的に（ウェーハ上をレーザビーム・フットプリントで走査する間に）レーザビーム方位角を切換え、ビームを斜めに回転させる方法が含まれている。図面の簡単な説明図１はビーム入射角αに関する制約を概略説明しており、図２（ａとｂ）は、Ａl上の側壁フィルムの剥離度に関する実験結果を、入射角αとパルス数の関数としてまとめており、すなわち、ａ）は結果の二次元表示であり、また、ｂ）は対応する三次元表示であり、図３は、この発明の一つの実施態様によるレーザビーム方位角φの不連続な光学的切換を概略説明しており、図４は、この発明の別の実施態様によるレーザビーム方位角φの不連続な光学的切換を概略説明しており、図５は、この発明のさらに別の実施態様によるレーザビーム方位角φの連続切換を概略示しており、図６は、側壁フィルムを完全に剥離するためのレーザビーム方位角方向の役割を説明している実験結果を示している。発明の詳細な説明もちろん、角αの大きさは、図１に概略説明しているように、ウェーハ上のＶＬＳＩ/ＵＬＳＩ回路の幾何学的構造に依存する。下でより詳しく説明するように、この発明の好適な実施態様によると、側壁フィルムの剥離速度はビーム入射角αとともに速くなり（図２）、剥離速度を最大にするためには角αを下記ルールに従って選択することが望ましい： α＝α_max＝アークコタンジェント（ＡＲ）_max ここで、（ＡＲ）_maxは任意の型のウェーハの最大アスペクト比である。このアスペクト比は、図１を参照して下でより詳しく説明するように、金属突起部の高さと２つの隣接突起部間の間隔の比h/wとして定義される。入射角として角α_maxを用いて側壁をレーザ剥離すると、ウェーハ表面に垂直なレーザビームを用いて操作した時に得られた結果と比べて、処理時間を短縮できる。この結果は、図２で説明した現象の直接的帰結として２倍を超えることができる。当業者が認めているように、角αについて広範囲の値を与えうるレーザ剥離器の光学ラインを有するこの発明の装置に、同じ装置を用いた場合異なる入射角を必要とするバルクおよび側壁の剥離と浄化操作の両方を行わせるという目的を与えることが望ましい。レーザビーム方位角の切換は、不連続に行うこともできるし、連続的に行うこともできる。側壁の場合は方向の数が限られており、図３と４に概略説明しているように、切換は不連続である。円い壁におけるように、あるいは、多数の側壁方向が含まれ、輪郭が連続的に変わる場合は、切換は、図５に概略示すように連続的に行う方が好ましい。切換操作は、図３で概略示しているように、レーザビームの方位角を変えて光学的に行うか、あるいは、図４に示しているように、ウェーハの回転により機械的に行われる。側壁フィルム剥離に関する上述の効果は、実際の剥離結果に関する実験テータを示す、図６で説明している。図６の写真は、ただ一つの方位角でレーザビームを連続的に照射した後に残った側壁フィルムを示している。残った側壁は入射ビームに平行であることがはっきりと見てとれる。これらの側壁を完全に除去するためには、ビーム方位角を△φ＝９０°切り換える必要がある。図面の詳細な説明この明細書で述べた入射角は、図１と図２を参照して定義する。図１は、アスペクト比（下に定義した）が最大の幾何学的構造要素を含む、一般的に数字１で示した、ウェーハ部分の断面を概略示している。基板上の金属の突起物２と２’ はマイクロ・リソグラフィ処理の間の金属エッチングの結果として生じた側壁３により覆われている。角度αは処理表面に対する垂線とレーザビームの間の角度として定義する。レーザビームの可能な３つの方向を、幾何学的構造要素の上に、Ｌ¹(α＝α_max)、Ｌ²(α＞α_max)およびＬ³(α＜α_max)により概略示している。入射角α＜α_maxにおいては、図１ではっきり示しているように、側壁フィルムはレーザビームにより完全に照射されており、入射角α＞α_maxにおいては、フィルムの上部だけが照射されている。図１から分かるように、入射角α_maxの値はアスペクト比ＡＲ＝h/wの最大値と関連している。ここで、「h」は金属突起物の高さであり、「w」は２つの隣接突起物の間の間隔である。すでに述べたように、図２（ａとｂ）はＡl上の側壁フィルムの剥離度（以後、レスポンスと呼ぶ）に関する実験結果を、入射角αとパルス数の関数としてまとめており、ａ）は結果の二次元表示であり、ｂ）は対応する三次元表示である。図２ａと２ｂにおいて、Ｘ軸は角度軸、Ｙ軸はパルス数の軸であり、また、３次元表示で追加されたＺ軸はレスポンスである。このレスポンスの値は０〜３の範囲にあり、３は完全除去、０は全く除去されていないことを示している。図２に示した実験データから分かるように、側壁フィルムのレーザ剥離速度は、入射角αが大きくなると増大し、レーザ剥離器の光学ラインはその角度で斜めのビーム入射を与える必要がある： α≦α_max＝アークコタンジェント（h/w）_max 当業者が認めているように、右の側壁フィルムを除去するためには追加の剥離が必要である。このためには、図１に示したレーザビームの方位角を、角度をφ ＝１８０°だけ変える必要がある。図３と４は、この発明の２つの選択可能な実施態様、すなわち、光学的手段と機械的手段による、レーザビームの方位角をφ＝１８０°切り換えることができる２つの方法を示している。図３は、ウェーハにレーザビームのフットプリントを走査する間のレーザビーム方位角を光学的に切換える原理を示している。ウェーハ４はチャック５に取り付けられており、走査ヘッド６(ここからレーザビームはウェーハ５に到達する) は走査移動において、ウェーハへ相対的に移動する。この図で概略示した特定の実施態様では、走査ヘッド６には回転ミラー７および２つの固定ミラー８と８’ が含まれている。回転ミラー７は、第１の位置（Ｓ-Ｓ'）から第２の位置（Ｔ- Ｔ'）へ頻度ｆにて移動する。レーザビームＬは、回転ミラー７の表面に当たり、回転ミラー７がＴ-Ｔ’の位置にある時に、傾斜した固定ミラー８に移動し、第１の方位角で固定ミラーからウェーハ表面に達し、一方、回転ミラー７がＳ- Ｓ’の位置にある時に、傾斜した固定ミラー８’に達し、１８０°変えた方位角でウェーハ表面に当たる。図３に示したスキームによると、ウェーハの走査は速度ｖにて進行し、ビームの入射角が入射面ＯＭＰにてαである点Ｐで、パルス反復速度ｆでレーザビームＬはウェーハ表面に当たる。時間間隔△ｔ＝１/ｆにおいて、ビーム方位角は、上で説明したミラーの適切な回転により交互に△φ＝１８０°変わる。この手順と装置は、迅速な切換が必要な場合に用いると最も便利である。ただし、これらは当業者には明白である適切な調節により比較的ゆっくり変える場合も利用できる。方位角の変化がウェーハ全体の走査が完了した後でのみ、すなわち、ウェーハの端でのみ起きる場合、たとえば、遅い切換が必要ならば、同じ光学的スキームを使用できる。その場合、方位角φの切換は、いかなる時間間隔△ｔ＝Ｄ/ｖにても行うことができる。ここで、Ｄはウェーハの直径であり、ｖは走査速度である。図４は、レーザビームのフットプリントがウェーハの端に到達する度にウェーハ９を角度△φ＝１８０°回転させて行うことができる機械的手段（△φ＝１８０°）によりゆっくりした不連続な切換を行う状況を説明している。角をＡ-Ｂ- Ｃ-Ｄで識別している小さな正方形要素が、図４ａと図４ｂの間の△φ＝１８０ °の回転を説明するために、レーザビームの入射点で示されている。レーザビームＬとウェーハの垂直面Ｎの間の角度αも示されている。図５はウェーハ１０とレーザビームＬの方位角面の連続的・相対的回転を説明している。ここで、ウェーハの回転は次の角速度で示され式中ｎは、連続的に剥離する壁を表すために図５に概略示した、側壁フィルムＡ・Ｂ・Ｃ・等すべてを完全に剥離するのに必要なレーザビーム・フットプリントによるウェーハ通過数である。図６は、ウェーハ上の側壁の２つの方向の一つに対し垂直なレーザビーム入射面にて側壁フィルムを剥離する実験結果を示している。これらの図は５０パルスと１００パルスで、光学顕微鏡（図６ａと６ｃ）と走査型電顕（図６ｂ、６ｄおよび６ｅ）でとったものである。図６ａと６ｃは５０パルス、一方図６ｃ、６ｄおよび６ｅは１００パルスである。数字１と２はレーザビームの方向を示している。これらは、ウェーハ表面に直角方向が異なる２種類の側壁がある場合は、完全剥離には、一つのレーザビーム方位角方向では不十分であることを示している。この発明の上記およびその他の特徴や利点については、以下の非限定的な・説明のための実施例によりさらによく理解できるであろう。実施例１金属蒸着後の６インチウェーハを、厚さ１.２μｍのノポラック型ポジティブ・ホトレジストの層で被覆し、上で述べた通常の方法でパターン化し、ＲＩＥにかけた。ＲＩＥ処理の間に、金属の側壁並びにホトレジストを、いわゆる側壁を形成する有機金属ポリマーフィルムで被覆した。ＲＩＥの後、このウェーハをベースとカバーからなる処理チェンバで処理した。ベースとカバーは気密接合部により接続され、ベースとカバーにより画定された処理チェンバの内部を加圧または真空に保持できるようになっている。このベースはＮ_xＯ_yガス入口と酸素/オゾン入口および照射ゾーンを通過したガスを排気するガス出口を具備している。ベースはさらに剥離すべきエレメント、たとえば、ウェーハをその上に載せるチャックを具備している。チャックの中央から真空をかけ、処理中ウェーハを正しい位置に保持する。剥離すべきエレメント、たとえば、シリコン・ウェーハの上に溶融シリカの窓を具備している。この窓は、チェンバの上に配置された源泉から生じるレーザビームを通過させる。シリカ製カバーフレームはシリカ窓を正しい位置に保持し、チェンバを加圧または真空状態に保持する上で役立つ。このようなチェンバは同じ出願人のイスラエル係属特許出願第115,934号に記載され、クレイムされており、その説明をこの明細書で参考として援用する。この方法は米国特許第5,114,835号により操作し、反応性ガスとしてオゾンを用いる。チェンバ内の圧力は４００ｍｂａｒに保持する。レーザ放射線を、入射角を垂直ウェーハ面について５°〜４５°の範囲で変えて用いた。用いたレーザはＬambda Ｐhysik ＬＰＸ 315 ＩＭＣエキシマレーザであった。統計学的ソフトウエアにかけた実験結果は、図２の２ａを２次元表示、２ｂを３次元表示で示している。プロットは、剥離に必要なパルス数の減少を照射の入射角増加の関数として示している。上で説明したように、０〜３の値がレスポンスであり、側壁フィルムの除去度合いを示している。すなわち、３は完全除去を示し、０は全く除去されないことを示している。（Ｓ.Ｗ．Ａlはアルミニウム上の側壁を示している）。５°の場合と比較した４５°で照射した場合の改良の度合は、レスポンス２.７５の線を見ると判明する。５°では５０パルス必要であるが、４５°で放射した場合は、わずか２０パルスで同じ除去成績をうることができる。これは、入射角を大きくすると、剥離処理量が２倍以上になることを示している。レスポンス３.０の線を見ると、１０〜３０°の範囲で最も劇的な改良が認められることが分かる。完全除去は、オージェ電子分光法(ＡＥＳ)・走査型電顕（ＳＥＭ）・全反射蛍光Ｘ線（ＴＸＲＦ）および原子吸収分光法（ＡＡＳ）などの分析法により確認した。実施例２パターン化したノボラック型ホトレジストの層(高線量注入した、厚さ１.２μ ｍの層、注入線量は５×１０¹⁵原子/ｃｍ²および８０ｋｅｖのエネルギであった )で被覆した６インチのウェーハを、実施例１で説明したように、処理チェンバでレーザ放射線により処理した。レーザビームの入射面の方位角の効果を、パターンの光学顕微鏡写真とＳＥＭ写真を示す図６ではっきりと見ることができる。レーザビームに平行な側壁に比べ、ビーム入射面に垂直な側壁が優先的にエッチングされていることをはっきりと見ることができる。剥離処理を短時間で完了させるために、レーザビーム面の方位角を９０°（ウェーハ面において）変える必要がある。図６ａと６ｂの側壁を、それぞれ、図６ｃと６ｄの側壁を比較すれば分かるように、倍数のパルスを用いた時でさえもビーム方位角の切換なしでは、側壁は全く除去されない（図６ｄ）。一方、入射ビームに垂直な剥離方向にある側壁をすべて除去するためには１００パルスで十分であった（図６ｄ）。したがって、図６ｄの残りの側壁をすべて除去するためには、この発明によるとビーム方位角を切換える必要がある。方位角を変えないと、側壁の完全除去に必要なパルス数は、方位角を変えた場合よりもかなり多くなることを、実験は示している。図６ｅは、図６ｄの残留側壁の一つをより詳細に示している。上述の説明と実施例はすべて説明のためのものであり、この発明を限定するためのものではない。レーザビームの方位角を変えた種々の手段において多くの修正した方法を行うことができ、また、種々の角度を用いることができ、さらに種々の光学並びに機械装置を用いることができるが、これらはすべてこの発明の範囲内にある。

【手続補正書】特許法第１８４条の８第１項【提出日】１９９７年１０月３０日（１９９７．１０．３０）【補正内容】（３４条補正）米国特許第4,914,270号には、加工物から位置と方向が正確な側壁を備えている連続薄層物質を除去して特定の輪郭をした３次元の形状に段階的に接近させる、レーザ成形装置が開示されている。この装置にはレーザビーム発生手段と加工物表面を横断してビームを繰り返し走査させる手段が含まれている。ここで、このビームはレーザ表面に対し垂直な軸について所定の角度を形成する。米国特許第4,914,270号はブランク基板の成形に関するもので、すでに成形された側壁からホトレジストなどの被覆物質の除去に関するものではない。マイクロ・リソグラフィ処理において、ホトレジストとともに剥離される最も強靭な構造物は、ＶＬＳＩ/ＵＬＳＩパターンの側壁を形成しているフィルムである。しかし、当該技術は今まで、乾式法ではこのような強靭な側壁フィルムを有効、かつ、完全に除去できる適切な手段を提供できなかった。発明の概要ウェーハ表面（剥離対象の側壁を含む）からホトレジストを除去するこの発明による方法には、処理される基板面に対し比較的垂直なα＞０の斜めの入射角でレーザビームを与え、そして周期的に（ウェーハ上をレーザビーム・フットプリントで走査する間に）レーザビーム方位角を切換え、ビームを斜めに回転させ、異物を完全に、かつ、加速して剥離する方法が含まれている。図面の簡単な説明図１はビーム入射角αに関する制約を概略説明しており、図２（ａとｂ）は、Ａl上の側壁フィルムの剥離度に関する実験結果を、入射角αとパルス数の関数としてまとめており、すなわち、ａ）は結果の二次元表示であり、また、ｂ）は対応する三次元表示であり、図３は、この発明の一つの実施態様によるレーザビーム方位角φの不連続な光学的切換を概略説明しており、図４は、この発明の別の実施態様によるレーザビーム方位角φの不連続な光学的切換を概略説明しており、図５は、この発明のさらに別の実施態様によるレーザビーム方位角φの連続切換を概略示しており、請求の範囲１．基板(１)表面の側壁から被覆物質(３)を紫外線レーザ処理により除去する方法であって、前記表面におけるレーザビーム(Ｌ)入射を前記表面の垂線に関し入射角αにて行い、前記角度がα＞０であり、ビーム入射面の方位角を周期的に切換えるか徐々に変え、異物をほぼ完全、かつ、加速させて剥離することを特徴とする方法。２．前記被覆物質がホトレジストもしくは有機および無機異物である請求の範囲第１項に記載の方法。３．前記基板に突起物(２，２')があり、角度αの大きさが、α＜α_max＝アークコタンジェント(ＡＲ)_maxであり、式中、(ＡＲ)_maxが基板突起物の高さと２つの隣接した突起物の間の間隔の最大比である請求の範囲第１項に記載の方法。４．前記ビーム方位角を不連続に切換える請求の範囲第１から第３項までのいずれか一つに記載の方法。５．前記ビーム方位角を連続的に切換える請求の範囲第１から第３項までのいずれか一つに記載の方法。６．ビーム方位角切換頻度が前記レーザビームのパルス反復速度に等しい請求の範囲第１から第４項までのいずれか一つに記載の方法。中Ｄは基板(９)の直径、ｖは走査速度であり、そしてｎは基板の側壁すべてから異物の完全除去に必要なレーザビーム・フットプリントが基板を通過する回数である請求の範囲第１、第３または第５項のいずれか一つに記載の方法。８．基板(４)の表面の側壁から被覆物質を紫外線レーザ処理によりほぼ完全に、かつ、加速して除去する装置であって、ビーム(Ｌ)を発生するレーザ源、前記ビームを前記表面の面に関して角度αにて前記表面に衝突させる手段(６,８,８') 、およびビーム入射面の方位角を周期的に切換えたり徐々に変える手段(７)を具備し、前記角度がα＞０であることを特徴とする装置。９．前記ビームを前記表面(４)に衝突させる手段が、一つ以上の光学的構成要素 (８，８')を含む請求の範囲第８項に記載の装置。１０．前記ビーム入射面の方位角を変える手段に回転式光学的構成要素(７)が含まれる請求の範囲第８または第９項に記載の装置。１１．前記光学的構成要素にミラー(７)が含まれる請求の範囲第９または第１０項に記載の装置。１２．前記ビーム入射面の方位角を変える手段に基板表面を回転させる手段が含まれる請求の範囲第８、第９または第１１項に記載の装置。

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (81)指定国ＥＰ(ＡＴ，ＢＥ，ＣＨ，ＤＥ，ＤＫ，ＥＳ，ＦＩ，ＦＲ，ＧＢ，ＧＲ，ＩＥ，ＩＴ，ＬＵ，ＭＣ，ＮＬ，ＰＴ，ＳＥ)，ＯＡ(ＢＦ，ＢＪ，ＣＦ，ＣＧ，ＣＩ，ＣＭ，ＧＡ，ＧＮ，ＭＬ，ＭＲ，ＮＥ，ＳＮ，ＴＤ，ＴＧ)，ＡＰ(ＫＥ，ＬＳ，ＭＷ，ＳＤ，ＳＺ，ＵＧ)，ＵＡ(ＡＭ，ＡＺ，ＢＹ，ＫＧ，ＫＺ，ＭＤ，ＲＵ，ＴＪ，ＴＭ)，ＡＬ，ＡＭ，ＡＴ，ＡＵ，ＡＺ，ＢＡ，ＢＢ，ＢＧ，ＢＲ，ＢＹ，ＣＡ，ＣＨ，ＣＮ，ＣＵ，ＣＺ，ＤＥ，ＤＫ，ＥＥ，ＥＳ，ＦＩ，ＧＢ，ＧＥ，ＨＵ，ＩＬ，ＩＳ，ＪＰ，ＫＥ，ＫＧ，ＫＰ，ＫＲ，ＫＺ，ＬＣ，ＬＫ，ＬＲ，ＬＳ，ＬＴ，ＬＵ，ＬＶ，ＭＤ，ＭＧ，ＭＫ，ＭＮ，ＭＷ，ＭＸ，ＮＯ，ＮＺ，ＰＬ，ＰＴ，ＲＯ，ＲＵ，ＳＤ，ＳＥ，ＳＧ，ＳＩ，ＳＫ，ＴＪ，ＴＭ，ＴＲ，ＴＴ，ＵＡ，ＵＧ，ＵＳ，ＵＺ，ＶＮ (72)発明者テハル−ザハヴオッファーイスラエル国 42311 ナタニアビンヤミンアヴェニュウ 28 (72)発明者イスケヴイッチエリーゼルイスラエル国 26000 キリヤット−モズキンネヴェ−ガニムアニレヴイッチストリート１／11

Claims

【特許請求の範囲】１．表面の剥離すべき側壁から被覆物質をほぼ完全に、かつ、迅速に除去する方法であって、表面におけるレーザビーム入射を処理される表面の面に関し入射角 αにて行い、前記角度がα＞０であり、ビーム入射面の方位角を周期的に切換えるか徐々に変えることを特徴とする方法。２．前記被覆物質がホトレジストもしくは有機および無機異物である請求の範囲第１項に記載の方法。３．前記角度αの大きさが、α＜α_max＝アークコタンジェント（ＡＲ）_maxであり、ここで、ＡＲは剥離される側壁の幾何学構造要素のアスペクト比である請求の範囲第１項に記載の方法。４．前記ビーム方位角を不連続に切換える請求の範囲第１から第３項までのいずれか一つに記載の方法。５．前記ビーム方位角を連続的に切換える請求の範囲第１から第３項までのいずれか一つに記載の方法。６．前記ビーム方位角切換頻度がパルス反復速度ｆに等しい請求の範囲第１から第４項までのいずれか一つに記載の方法。の範囲第１、第３または第５項のいずれか一つに記載の方法。８．表面の剥離すべき側壁から被覆物質を除去する装置であって、ビームを発生するレーザ源、前記ビームを処理される表面の面に関して角度αにて前記表面に衝突させる手段、およびビーム入射面の方位角を周期的に切換えたり徐々に変える手段を具備し、前記角度がα＞０であることを特徴とする装置。９．前記ビームを前記表面に衝突させる手段が一つ以上の光学的構成要素を含む請求の範囲第８項に記載の装置。１０．前記ビーム入射面の方位角を変える手段に回転式光学的構成要素が含まれる請求の範囲第８または第９項に記載の装置。１１．前記光学的構成要素にミラーが含まれる請求の範囲第９または第１０項に記載の装置。１２．前記ビーム入射面の方位角を変える手段に処理される表面を回転させる手段が含まれる請求の範囲第８、第９または第１１項に記載の装置。１３．表面の剥離すべき側壁から被覆物質をほぼ完全に、かつ、迅速に除去する方法であって、特に実施例に示され、かつ、ほぼ記載された通りの方法。１４．表面の剥離すべき側壁から被覆物質を除去する装置であって、特に実施例に示され、かつ、ほぼ記載された通りの装置。