JP7427461B2 - 露光装置、及び物品の製造方法 - Google Patents
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Description
そのため、露光装置の鏡筒内に温調ガスを供給することで、光学素子及びその周囲のガスを冷却することが行われている。
特許文献1は、結像性能の低下を抑制するために、鏡筒内の投影光学系への温調ガス供給を露光時には行わず、非露光時にのみ行う露光装置を開示している。
また、露光時において鏡筒内への温調ガス供給を停止すると、上記のように鏡筒内のガスの温度や圧力が変動することに伴って屈折率が変化することで、結像性能が低下してしまう。
そこで本発明は、露光による熱の影響を低減しつつ結像性能の低下を抑制することができる露光装置を提供することを目的とする。
なお、以下の説明では、プレート4の感光面に垂直な方向をZ方向、プレート4の感光面内において互いに直交する二方向をそれぞれX方向及びY方向とする。
図1(a)及び(b)はそれぞれ、第一実施形態に係る光学装置を備える露光装置100の非露光時及び露光時における模式的断面図を示している。
また、図1(a)及び(b)に示されているように、投影光学系5は、反射ミラー7、凹面鏡8、凸面鏡9を備えている。
本実施形態に係る光学装置は、投影光学系5、鏡筒11、ルーバー16、制御部18及び圧力センサ19から構成される。
そして、露光装置100では、マスク3が載置される不図示のマスクステージとプレート4が載置される不図示のプレートステージとが、Y方向に沿って互いに同期して走査される。
なお一般的には、鏡筒11や露光装置100の各構成部品は、その性能を保証するために不図示の温調チャンバ内に設置される。
そして、ルーバー16によって給気口15から供給された温調ガス17の進行方向が設定される。
その場合、プレート4上の感光体への露光光12の照射量を増加させるために、照明系1の照度を上げると共に、プレート4が載置される不図示のプレートステージの走査速度を下げることが考えられる。
ここで、プレート4上の感光体へ照射される単位時間あたりのエネルギーを露光量(DOSE)としたとき、このような露光プロセスを高DOSE露光プロセス(高負荷露光プロセス、高エネルギー入射プロセス)と呼ぶことができる。
これは、投影光学系5に含まれる光学素子に入射する露光光12のエネルギーが大きくなり、光学素子が大きく発熱することで、光学素子の周囲のガスが暖められるからである。
これにより、温度が上昇したZ方向上方にあるガスの屈折率が変化するため、このような状態において露光プロセスを行うと、通常DOSE露光プロセスと比較して結像性能が低下する虞がある。
そのため、凹面鏡8や凸面鏡9の鉛直方向上下それぞれの周囲のガスの間で上記に示したような温度差が生じ、像高に応じた結像性能の低下が顕著になってしまう。
そのため、露光時やアライメント時には一時的に温調ガスの供給を停止することで、結像性能の低下を抑制する方法も知られている。
また、鏡筒11内のガスの温度や圧力が変動することに伴って屈折率が変化することで、結像性能が不安定になってしまう。
そして、露光が終了する、すなわち露光装置100が非露光時になると(ステップS5)、温調ガスが鏡筒11の光路空間内に供給されるようにルーバー16の向きを設定し(ステップS6)、ステップS1に戻る。
そのため、本実施形態に係る光学装置を備える露光装置100では、鏡筒11内の圧力を監視するための圧力センサ19が設けられている。
なおこれに限らず、複数ロットのプレート4を処理する際に各ロット間において露光動作を待機している際にルーバー16の向きを切り替えても構わない。
また、プレート4に対してアライメント処理をしている、すなわち投影光学系5の光路上をアライメント光が通過している際には、ルーバー16の向きの切り替えを行わない方が好ましい。
一方、従来の露光装置のように鏡筒11内への温調ガス供給を停止すると、鏡筒11の内部空間の圧力は大気圧に変化する。
このとき、鏡筒11内への温調ガス供給の停止に伴うガスの屈折率の変化Δnは、以下の式(1)から求めることができる。
Δn=n1-n0 ・・・(1)
そして、温度T及び湿度Hはそれぞれ、23度及び50%のまま変化しないとすると、屈折率の変化Δnは式(2)から2.66×10-9と求めることができる。
この屈折率の変化は、結像性能に影響を与える。具体的には、屈折率の変化は、光路の長さに比例してフォーカスやディストーションのずれを引き起こし、これらのずれによってマスク3からプレート4へ転写されるパターンの線幅が広がる等、結像性能の低下につながる。
具体的には、アライメントスコープ2、マスク3及びプレート4を用いたアライメント機構における計測再現性を評価した。
その結果、露光時に鏡筒11内の光路空間へ空気供給を行った場合は、行わなかった場合に比べてアライメント機構における計測再現性が40%低下することが見いだされた。
このようにアライメント機構における計測再現性が低下すると、アライメントにおけるずれ等につながり、オーバーレイ精度が低下する。
また、露光時において、温調ガスが鏡筒11の光路空間外に供給されるようにルーバー16の向きを切り替えるため、上記に示したようなオーバーレイ精度の低下も抑制することができる。
また、本実施形態に係る光学装置では、鏡筒11へ供給されるガス及び鏡筒11から排出されるガスは空気としているが、これに限られない。例えば、鏡筒11内の投影光学系5に悪影響を及ぼさずに鏡筒11内を温調することができるものであれば、不活性ガス等他のガスを用いても構わない。
図3は、第二実施形態に係る光学装置を備える露光装置200の露光時における模式的断面図を示している。
なお、本実施形態に係る光学装置は、ルーバー16の代わりに非露光時供給口20a及び露光時供給口20bが設けられている以外は、第一実施形態に係る光学装置と同一の構成であるため、同一の部材には同一の付番を付して、説明を省略する。
一方、非露光時には温調ガスが鏡筒11の光路空間内に供給されるように非露光時供給口20a(ガス供給口)から鏡筒11内へ温調ガスを供給する。
また、露光時において、温調ガスが鏡筒11の光路空間外に供給されるように露光時供給口20bから鏡筒11内へ温調ガスを供給しているため、オーバーレイ精度の低下も抑制することができる。
図4は、第三実施形態に係る光学装置を備える露光装置300の露光時における模式的断面図を示している。
なお、本実施形態に係る光学装置は、エアロパーツ21が新たに設けられている以外は、第一実施形態に係る光学装置と同一の構成であるため、同一の部材には同一の付番を付して、説明を省略する。
これにより、所定の排気口14への温調ガスの指向性をより高めることができる。なお、エアロパーツ21のX方向における長さは、鏡筒11の内部空間のX方向における幅と略同一となっている。
これにより、露光時と非露光時とで鏡筒11内の圧力は変化しない、すなわち鏡筒11内のガスの屈折率が変化しないため、屈折率の変化に伴う結像性能の低下を抑制することができる。
また、露光時において、温調ガスが鏡筒11の光路空間外に供給されるようにルーバー16の向きを切り替えるため、上記に示したようなオーバーレイ精度の低下も抑制することができる。
図5は、第四実施形態に係る光学装置を備える露光装置400の露光時における模式的断面図を示している。
なお、本実施形態に係る光学装置は、ルーバー16の代わりに可動エアロパーツ22が設けられている以外は、第一実施形態に係る光学装置と同一の構成であるため、同一の部材には同一の付番を付して、説明を省略する。
一方、非露光時においては可動エアロパーツ22のYZ断面内における中心が位置P2に配置されるように、可動エアロパーツ22を移動させる。これにより、非露光時においては温調ガスが鏡筒11の光路空間内に供給される。
なお、可動エアロパーツ22のX方向における長さは、鏡筒11の内部空間のX方向における幅と略同一となっている。
また、露光時において、温調ガスが鏡筒11の光路空間外に供給されるように可動エアロパーツ22を移動させているため、オーバーレイ精度の低下も抑制することができる。
図6は、第五実施形態に係る光学装置を備える露光装置500の露光時における模式的断面図を示している。
なお、本実施形態に係る光学装置は、光量検知センサ24が新たに設けられている以外は、第一実施形態に係る光学装置と同一の構成であるため、同一の部材には同一の付番を付して、説明を省略する。
上記で述べたように、プレート4のアライメント時にはルーバー16の向きは切り替えない方が好ましい。
そのため、露光装置500ではアライメントが行われていないとき、すなわち光量検知センサ24の検知結果から投影光学系5の光路上をアライメント光が通過していないときに温調ガスが鏡筒11の光路空間内に供給されるようにルーバー16の向きを設定する。一方で、非露光時、具体的には露光開始の直前において温調ガスが鏡筒11の光路空間外に供給されるようにルーバー16の向きを設定する。
また、露光時において、温調ガスが鏡筒11の光路空間外に供給されるようにルーバー16の向きを設定するため、上記に示したようなオーバーレイ精度の低下も抑制することができる。
次に、第一乃至第五実施形態のいずれかに係る光学装置を備える露光装置を用いた物品の製造方法について説明する。
例えば、半導体デバイスは、ウエハに回路パターンを作るための前工程と、前工程で作られた回路チップを製品として完成させるための、加工工程を含む後工程とを経ることにより製造される。
前工程は、第一乃至第五実施形態のいずれかに係る光学装置を備える露光装置を使用して感光剤が塗布されたウエハを露光する露光工程と、感光剤を現像する現像工程とを含む。
これらの露光、現像、エッチング等の工程を繰り返して、ウエハ上に複数の層からなる回路パターンが形成される。
後工程で、回路パターンが形成されたウエハに対してダイシングを行い、チップのマウンティング、ボンディング、検査工程を行う。
11 鏡筒
16 ルーバー(進行方向設定手段)
18 制御部
Claims (11)
- 原版のパターンの像を基板に投影し、前記基板を露光する露光装置であって、
前記パターンの像を前記基板に投影する投影光学系と、
前記投影光学系を収納する鏡筒と、
ガス供給手段から前記鏡筒内に供給されるガスの進行方向を設定する進行方向設定手段と、
前記基板を露光する露光時と非露光時とで、前記進行方向が異なるように前記進行方向設定手段を制御する制御部と、
を備え、
前記制御部は、前記露光時において前記供給されたガスが前記投影光学系の光路を通過しないように前記進行方向設定手段を制御する一方で、前記非露光時においては前記供給されたガスが前記投影光学系の光路を通過するように前記進行方向設定手段を制御することを特徴とする露光装置。 - 前記進行方向設定手段は、前記鏡筒に設けられた可変ルーバーであることを特徴とする請求項1に記載の露光装置。
- 前記進行方向設定手段は、前記鏡筒に設けられた複数のガス供給口であることを特徴とする請求項1に記載の露光装置。
- 前記鏡筒には、前記鏡筒内におけるガスの進行路を制限するエアロパーツが設けられていることを特徴とする請求項1乃至3のいずれか一項に記載の露光装置。
- 前記進行方向設定手段は、前記鏡筒に設けられた可動エアロパーツであることを特徴とする請求項1に記載の露光装置。
- 前記制御部は、前記非露光時において前記進行方向が変更されるように、前記進行方向設定手段を制御することを特徴とする請求項1乃至5のいずれか一項に記載の露光装置。
- 前記制御部は、前記投影光学系の光路上をアライメント光が通過していない際に前記進行方向が変更されるように、前記進行方向設定手段を制御することを特徴とする請求項6に記載の露光装置。
- 前記制御部は、前記基板が交換される際に前記進行方向が変更されるように、前記進行方向設定手段を制御することを特徴とする請求項6または7に記載の露光装置。
- 前記投影光学系の光路上における光量を検知する光量検知センサを備え、
前記制御部は、該光量検知センサの検知結果から前記基板のアライメントが行われているかどうか判断することを特徴とする請求項1乃至8のいずれか一項に記載の露光装置。 - 前記鏡筒内の圧力を検知する圧力センサを備え、
該圧力センサの検知結果から前記圧力が静定したと判断した後、露光を行うことを特徴とする請求項1乃至9のいずれか一項に記載の露光装置。 - 請求項1乃至10のいずれか一項に記載の露光装置を用いて前記基板を露光する工程と、
露光された前記基板を現像する工程と、
現像された前記基板を加工して物品を得る工程と、
を有することを特徴とする物品の製造方法。
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Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2008292761A (ja) | 2007-05-24 | 2008-12-04 | Canon Inc | 露光装置及びデバイス製造方法 |
JP2015079074A (ja) | 2013-10-16 | 2015-04-23 | キヤノン株式会社 | 露光装置 |
JP2016095412A (ja) | 2014-11-14 | 2016-05-26 | キヤノン株式会社 | 露光装置、および物品の製造方法 |
Family Cites Families (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH1092735A (ja) * | 1996-09-13 | 1998-04-10 | Nikon Corp | 露光装置 |
WO2003030229A1 (fr) * | 2001-09-27 | 2003-04-10 | Nikon Corporation | Aligneur et procede de fabrication du dispositif |
JP2003124092A (ja) * | 2001-10-09 | 2003-04-25 | Canon Inc | 露光装置及びその制御方法、デバイス製造方法 |
TWI616932B (zh) * | 2003-05-23 | 2018-03-01 | Nikon Corp | Exposure device and component manufacturing method |
US7136142B2 (en) * | 2004-05-25 | 2006-11-14 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus having a gas flushing device |
JP5517847B2 (ja) * | 2010-09-08 | 2014-06-11 | キヤノン株式会社 | 露光装置、及びそれを用いたデバイスの製造方法 |
JP7016661B2 (ja) * | 2017-10-06 | 2022-02-07 | キヤノン株式会社 | 露光装置および物品の製造方法 |
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Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2008292761A (ja) | 2007-05-24 | 2008-12-04 | Canon Inc | 露光装置及びデバイス製造方法 |
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