JP2002229215A

JP2002229215A - 露光方法及び露光装置

Info

Publication number: JP2002229215A
Application number: JP2001022042A
Authority: JP
Inventors: Katsuya Machino; 勝弥町野
Original assignee: Nikon Corp
Current assignee: Nikon Corp
Priority date: 2001-01-30
Filing date: 2001-01-30
Publication date: 2002-08-14
Also published as: KR20020063798A; CN1369747A; TW518662B

Abstract

(57)【要約】【課題】大きい平面度を有する大型の基板に対して、
高い生産性で精度良く露光処理を行うことができる露光
方法及び露光装置を提供することを目的とする。【解決手段】投影光学系ＰＬによりマスクＭのパター
ンを基板Ｐに露光する露光装置ＥＸは基板Ｐの平面度を
検出する検出装置６を備えており、制御装置ＣＯＮＴは
検出装置６の検出結果に基づいて基板Ｐに対する投影領
域の大きさを所定の大きさに設定する。投影領域の大き
さの設定は、マスクＭａ〜Ｍｄに対する照明領域の大き
さをブラインド部Ｂで設定することにより行われる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、露光方法及び露光
装置に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】パーソナルコンピュータやテレビ受像機
等の表示素子として多用されるようになってきた液晶デ
ィスプレイを製造する際に、マスクと感光剤を塗布され
たガラス基板とを静止した状態でマスクに露光光を照射
し、このマスクに形成されているパターンの像を投影光
学系を介してガラス基板上に転写し、ガラス基板を順次
ステップ移動させてパターンをつなぎ合わせることによ
り大画面を形成するステップ・アンド・リピート型の露
光装置が用いられている。

【０００３】

【発明が解決しようとする課題】ところで、近年のパタ
ーンの微細化の要望に伴い、露光装置に用いられる投影
光学系の開口数ＮＡは大きく設定されているが、開口数
ＮＡが大きくなると投影光学系の焦点深度は、ｋλ／Ｎ
Ａ² （ｋは定数、λは波長）の関係から浅くなる。した
がって、液晶ディスプレイを製造する際に用いられるガ
ラス基板の表面（露光処理面）は、投影光学系の焦点深
度内におさまるように小さい平面度を有していなければ
ならない。しかしながら、ガラス基板は一般にガラス圧
延で製造されるため、所望の平面度を得ることが困難で
ある。

【０００４】このように、ガラス基板表面の露光領域全
てを投影光学系の焦点深度内に一度におさめて露光処理
することは困難であるため、従来では、ガラス基板上の
露光処理面が投影光学系の焦点深度内におさまるように
予測しながらガラス基板上の露光領域を複数の小領域に
分割し、この分割領域のそれぞれに対して露光処理を行
い、これら分割領域に形成された分割パターンをガラス
基板上でつなぎ合わせることにより所定のパターンを形
成していた。具体的には、まず、ガラス基板上の分割領
域のそれぞれが投影光学系の焦点深度内におさまるよう
に予測して分割領域の大きさをそれぞれ設定し、この設
定した分割領域に応じた分割パターンを有するマスクを
それぞれ設計・製作する。次いで、これらのマスクを用
いて試験的にガラス基板に対して露光処理を行う。そし
て、ガラス基板の平面度によりガラス基板の分割領域が
投影光学系の焦点深度内におさまらないことに起因する
不良パターンが形成されたら、この分割領域が焦点深度
内におさまるように分割領域の大きさを再度設定し直
し、この再度設定し直した分割領域に応じたマスクを新
たに制作し直し、再度露光処理を行うことによって露光
領域全てにおいてパターンが所定の精度を有するように
していた。

【０００５】しかしながら、このような方法では、大露
光領域を、予測に基づいて複数の小露光領域に分割し、
露光処理を行うので、試験的な露光処理を行わなければ
ならず、生産性や作業効率が悪かった。しかも、試験的
に露光処理を行った後、分割領域が投影光学系の焦点深
度内におさまっていなかったら、焦点深度内におさまる
ように新たに分割領域の大きさを予測して設定し直し、
この分割領域に応じた分割パターンを有するマスクも新
たに制作し直さなければならないので、とても効率が悪
かった。

【０００６】本発明は、このような事情に鑑みてなされ
たもので、大きい平面度を有する大型の基板に対して、
高い生産性且つ良好な作業効率で精度良く露光処理を行
うことができる露光方法及び露光装置を提供することを
目的とする。

【０００７】

【課題を解決するための手段】上記の課題を解決するた
め本発明は、実施の形態に示す図１〜図９に対応付けし
た以下の構成を採用している。本発明の露光方法は、投
影光学系（ＰＬ）によりパターン（ＰＡ）を基板（Ｐ）
に露光する露光方法において、基板（Ｐ）の平面度を検
出し、この検出結果に基づいて基板（Ｐ）に対する投影
領域の大きさを設定することを特徴とする。

【０００８】本発明の露光装置は、投影光学系（ＰＬ）
によりパターン（ＰＡ）を基板（Ｐ）に露光する露光装
置（ＥＸ）において、基板（Ｐ）の平面度を検出する検
出装置（６、ＣＯＮＴ）と、この検出装置（６、ＣＯＮ
Ｔ）の検出結果に基づいて基板（Ｐ）に対する投影領域
の大きさを設定する設定装置（ＣＯＮＴ、Ｍ、Ｂ）とを
備えることを特徴とする。

【０００９】本発明によれば、基板（Ｐ）の平面度を検
出し、この検出結果に基づいて基板（Ｐ）に対する投影
領域の大きさを設定するので、例えば、設定した投影領
域に対応する基板（Ｐ）の露光処理面を効率良く投影光
学系（ＰＬ）の焦点深度内におさめることができる。こ
のように、平面度に応じた最適な投影領域を効率良く設
定することができるので、高い生産性を実現することが
できるとともに、精度良い露光処理を効率良く行うこと
ができる。

【００１０】

【発明の実施の形態】《第１実施形態》以下、本発明の
露光方法及び露光装置の第１実施形態について図面を参
照しながら説明する。図１は露光装置の全体構成図であ
る。

【００１１】図１に示すように、露光装置ＥＸは、光源
１からの光束をマスクステージＭＳＴに保持されたマス
クＭ（Ｍａ〜Ｍｄ）に照明する照明光学系ＩＬと、この
照明光学系ＩＬ内に配され露光光ＥＬを通過させる開口
の面積を調整してこの露光光ＥＬによるマスクＭ（Ｍａ
〜Ｍｄ）の照明範囲を規定するブラインド部（設定装
置）Ｂと、露光光ＥＬで照明されたマスクＭ（Ｍａ〜Ｍ
ｄ）のパターンＰＡ（ＰＡａ〜ＰＡｄ）の像を角形のガ
ラス基板（基板）Ｐ上に投影する投影光学系ＰＬとを備
えている。露光装置ＥＸ全体の動作は制御装置（設定装
置、露光制御部）ＣＯＮＴの指示に基づいて行われる。

【００１２】なお、本実施形態における露光装置ＥＸ
は、マスクＭと基板Ｐとを静止した状態でマスクＭのパ
ターンを露光し、基板Ｐを順次ステップ移動させるステ
ップ・アンド・リピート型の露光装置である。ここで、
本実施形態においては、基板Ｐ上に所定のパターンを転
写するに際し、この所定のパターンを複数の部分に分割
してそれぞれの分割パターンＰＡａ〜ＰＡｄを複数のマ
スクＭａ〜Ｍｄのそれぞれに形成し、これらのマスクＭ
ａ〜Ｍｄを交換しながら分割パターンＰＡａ〜ＰＡｄを
基板Ｐでつなぎ合わせる（画面継ぎをする）ことにより
１つの合成パターンを形成するものである。

【００１３】光源１は、例えば、ｇ線（４３６ｎｍ）、
ｈ線（４０５ｎｍ）、ｉ線（３６５ｎｍ）、及び更に微
細な領域では発振波長１９３ｎｍのＡｒＦレーザーエキ
シマレーザー、発振波長１５７ｎｍのフッ素レーザー
（Ｆ₂レーザー）、発振波長１４６ｎｍのクリプトンダ
イマーレーザー（Ｋｒ₂レーザー）、発振波長１２６
ｎｍのアルゴンダイマーレーザー（Ａｒ₂レーザー）
などによって構成される。

【００１４】光源１から出射された露光光ＥＬは楕円鏡
２によって集光され、照明光学系ＩＬの折り返しミラー
３ａを反射して照明光学系ＩＬを構成する光学ユニット
ＩＵに入射する。光学ユニットＩＵは、リレーレンズ、
露光光ＥＬを均一化するためのオプティカルインテグレ
ータ、露光光ＥＬをオプティカルインテグレータに入射
させるインプットレンズ、オプティカルインテグレータ
から射出した露光光ＥＬをマスクＭ上に集光するための
リレーレンズ、コンデンサレンズ等の複数のレンズ（光
学素子）を有している。

【００１５】図１に示すように、パターンＰＡａ〜ＰＡ
ｄをそれぞれ備えたマスクＭａ〜Ｍｄはマスクチェンジ
ャ７に搭載されている。マスクチェンジャ７はマスクス
テージＭＳＴの上方に移動自在に配置されており、マス
クステージＭＳＴに対してマスクＭａ〜Ｍｄのそれぞれ
をロード・アンロードすることができるようになってい
る。

【００１６】マスクチェンジャ７に搭載されるべきマス
クＭはマスクライブラリ（不図示）に収容されている。
マスクライブラリ内のマスクＭをマスクチェンジャ７に
搭載するには、マスクライブラリから不図示のローダに
よりマスクＭをマスクステージＭＳＴにロードし、マス
クチェンジャ７がマスクステージＭＳＴ上のマスクＭを
受け取ることによって、マスクＭがマスクチェンジャ７
に搭載される。一方、マスクチェンジャ７に搭載されて
いるマスクＭをマスクライブラリ内に戻すには、マスク
チェンジャ７からマスクＭをマスクステージＭＳＴにロ
ードし、マスクステージＭＳＴ上のマスクＭを前記不図
示のローダによりマスクライブラリに戻す。

【００１７】光学ユニットＩＵから射出された露光光Ｅ
Ｌは、折り返しミラー３ｂで反射し、２次元方向（ＸＹ
方向）に移動可能なマスクステージＭＳＴ上のマスクＭ
（Ｍａ〜Ｍｄ）に入射する。さらに、マスクＭを透過し
た露光光ＥＬは投影光学系ＰＬに入射し、この投影光学
系ＰＬを構成する複数のレンズ（光学素子）を透過して
基板Ｐに入射し、マスクＭのパターンの像を基板Ｐ表面
に形成する。

【００１８】基板Ｐは、その表面に感光剤を塗布されて
おり、基板ホルダＰＨに保持されている。基板Ｐを保持
する基板ホルダＰＨは基板ステージＰＳＴ上に設置され
ている。基板ステージＰＳＴは、ＸＹＺ方向に移動可能
に設けられているともに、Ｚ軸まわりに回転可能に設け
られている。さらに、露光光ＥＬの光軸ＡＸに対して傾
斜方向にも移動可能となっており、基板Ｐを支持した
際、基板Ｐのレベリング調整ができるようになってい
る。

【００１９】基板ステージＰＳＴのＸＹ平面内での位置
は、レーザ干渉計５で検出されている。一方、基板ステ
ージＰＳＴのＺ方向の位置は投光系６ａと受光系６ｂと
を備えた焦点検出系（検出装置）６で検出される。これ
らレーザ干渉計５及び焦点検出系６の検出結果は制御装
置ＣＯＮＴに出力され、基板ステージＰＳＴは、制御装
置ＣＯＮＴの指示に基づいて駆動機構ＰＳＴＤを介して
移動される。また、焦点検出系６は基板ホルダＰＨに保
持される基板Ｐの表面（露光処理面）の位置を検出し、
この基板Ｐの位置に関する情報を制御装置ＣＯＮＴに出
力するようになっている。制御装置ＣＯＮＴは、露光処
理を行う前に、焦点検出系６による基板Ｐの表面位置の
検出結果に基づいて、基板Ｐの表面位置が投影光学系Ｐ
Ｌの焦点位置と合致するように、駆動機構ＰＳＴＤを介
して基板ステージＰＳＴを移動する。なお、投影光学系
ＰＬの結像位置に基板Ｐを合わせるときに、焦点検出系
６は必ずしも基板Ｐ上の投影光学系ＰＬの投影領域の中
心位置を検出する必要はない。例えば、図３（ｂ）に示
す４枚のマスクＭａ〜Ｍｄのパターンを基板Ｐ上で継ぎ
合わせて露光する場合には、焦点検出系６は、基板Ｐ上
でつなぎ合わせが行われる位置（図５のマスクＭａ〜Ｍ
ｄの×部分の投影位置）を検出して、その検出結果の平
均位置が投影光学系ＰＬの結像位置に合うようにしても
いい。これにより、基板Ｐ上の継ぎ合わせ部分の線幅変
化が少なく高品質の液晶デバイスを製造することができ
る。

【００２０】さらに、焦点検出系（検出装置）６は、基
板Ｐ表面の複数の位置を検出し、この検出結果を制御装
置ＣＯＮＴに出力する。制御装置ＣＯＮＴは基板Ｐ表面
の複数の位置情報に基づいて、基板Ｐの平面度を求める
ようになっている。すなわち、基板Ｐ表面の複数の位置
を検出可能な焦点検出系６と、この検出結果に基づいて
基板Ｐの平面度を求める制御装置ＣＯＮＴによって、基
板Ｐの平面度を検出する検出装置が構成されている。

【００２１】照明光学系ＩＬ内に配置されているブライ
ンド部（設定装置）Ｂは、露光光ＥＬによるマスクＭに
対する照明範囲を調整するものであって、照明範囲の大
きさを所定の大きさに設定することにより基板Ｐに対す
る投影光学系ＰＬの投影領域の大きさを設定するもので
ある。

【００２２】図２（ａ）に示すように、ブラインド部Ｂ
は、光源側ブラインドＢ１と、投影光学系側ブラインド
Ｂ２とを備えている。ブラインドＢ１、Ｂ２はそれぞ
れ、一体に設けられたガラスブラインドＢｇとノーマル
ブラインドＢｎとを備えている。ガラスブラインドＢｇ
は画面継ぎ（重複露光）を行う露光処理時に用いられ、
ノーマルブラインドＢｎは画面継ぎを行わない露光処理
時に用いられる。光源側ブラインドＢ１、投影光学系側
ブラインドＢ２は、制御装置ＣＯＮＴの指示により駆動
する駆動機構Ｄによって、図２中、Ｙ方向（露光光ＥＬ
の光軸ＡＸと交わる方向）に移動可能となっており、露
光処理時において、ガラスブラインドＢｇとノーマルブ
ラインドＢｎとを切り替える際には、それぞれのブライ
ンドＢ１、Ｂ２（ブラインド部Ｂ全体）を図２中、Ｙ方
向に移動させる。

【００２３】ノーマルブラインドＢｎは開口部１４を有
しており、その周囲は遮光部１６となっている。開口部
１４には不図示のナイフエッジが設けられている。そし
て、光源側ブラインドＢ１及び投影光学系側ブランドＢ
２を駆動機構Ｄによって移動させ、それぞれの開口部１
４を組み合わせることによって形成される露光光ＥＬの
通過する開口の大きさを変化させることにより、マスク
Ｍに対する露光光ＥＬの照明範囲が調整される。

【００２４】ガラスブラインドＢｇは、透明なガラス基
板で構成される光透過部１５ａを有している。光透過部
１５ａの周囲は遮光部１６となっている。また、光透過
部１５ａと遮光部１６との境界、すなわち、ガラス基板
からなる光透過部１５ａの端部には、クロム等の遮光性
部材の密度を変化させながら蒸着した減光部１５ｂが設
けられている。減光部１５ｂにおけるクロム膜は露光装
置ＥＸの解像限界以下の大きさのドット状にしてガラス
基板に対して蒸着されており、このドット状のクロム膜
の密度を光透過部１５ａから遮光部１６に向かうにした
がって大きくなるように設定することによって減光部１
５ｂの減光率を変化させている。

【００２５】画面継ぎを行う際のマスクＭに対する露光
光ＥＬの照明範囲の設定は、図２（ｂ）に示すように、
光源側ブラインドＢ１及び投影光学系側ブラインドＢ２
の各ガラスブラインドＢｇ、Ｂｇを所定量組み合わせる
ことにより行う。つまり、光源側ブラインドＢ１及び投
影光学系側ブランドＢ２を駆動機構Ｄによって移動し、
それぞれの光透過部１５ａを所定量組み合わせることに
よって形成される露光光ＥＬの透過する透過部の大きさ
を調整することにより、マスクＭに対する露光光ＥＬの
照明範囲が調整される。そして、減光部１５ｂに対応す
る基板Ｐでの減光領域を重ね合わせるように露光するこ
とにより、合成パターンの全ての領域において、露光量
を均一にすることができる。なお、減光部１５ｂは、図
２中、上下部分に設けられていて横の部分には設けられ
ていないが、露光処理を行うに際し、光源側あるいは投
影光学系側の少なくとも一方のガラスブラインドＢｇを
横方向（Ｙ方向）に移動させながら露光することにより
光量分布が生じ、投影領域に減光領域が形成されるの
で、この減光領域を基板Ｐで重ね合わせることにより、
合成パターンの全ての領域において露光量を均一にする
ことができる。

【００２６】ガラスブランドＢｇの減光部１５ｂは蒸着
によって形成されており、光量分布の調整を分子レベル
で精度良く行うことができるので、画面継ぎ（重複露
光）を行うに際し、合成パターンの全ての領域における
露光量の均一化を精度良く行うことができる。したがっ
て、例えば、同一の部分パターンが繰り返して形成され
ている繰り返しパターン（ピクセルパターン）の重ね合
わせを精度良く行うことができる。

【００２７】次に、制御装置ＣＯＮＴにより、マスクＭ
に形成されたパターンを基板Ｐに露光する方法について
図３、図４を参照しながら説明する。はじめに、制御装
置ＣＯＮＴは、基板Ｐの露光領域を投影光学系ＰＬの焦
点深度内におさめるために投影領域の最適化を行うかど
うか、すなわち、露光領域に対して一括して露光処理す
るか、あるいは露光領域を分割して分割領域ごとに露光
処理するかを判別する。これは、これから露光処理され
ようとするパターンが所定の精度を必要とするパターン
かどうかに応じて判断される。例えば、ドライバが組み
込まれるパターンやコンタクトホールパターンなど所定
の解像度が必要なパターンであれば最適化を行う（ＹＥ
Ｓ）と判断し、絶縁層など所定の解像度でなくても許容
されるパターンであれば最適化を行わない（ＮＯ）と判
断する（ステップＳ１）。

【００２８】制御装置ＣＯＮＴは、ステップＳ１におい
て最適化を行う（ＹＥＳ）と判断した場合に、所定の解
像度を必要とするパターンを露光するに際し、基板Ｐの
平面度に関するデータが必要なので、データの取得を開
始する（ステップＳ２）。一方、制御装置ＣＯＮＴは、
ステップＳ１において最適化を行わない（ＮＯ）と判断
した場合に、通常の露光動作を開始する（ステップＳ１
４）。

【００２９】次いで、制御装置ＣＯＮＴは、基板Ｐの平
面度の検出を行うかどうかを判別する（ステップＳ
３）。制御装置ＣＯＮＴは、ステップＳ３において基板
Ｐの平面度の検出を行う（ＹＥＳ）と判断した場合、露
光処理されるべき基板Ｐを基板ステージＰＳＴにロード
する（ステップＳ４）。

【００３０】次いで、制御装置ＣＯＮＴは、焦点検出系
（検出装置）６を制御して基板Ｐの全ての露光領域（基
板Ｐの表面全面）における複数点の位置に関する情報を
検出する。制御装置ＣＯＮＴは検出装置６の検出結果に
基づいて、基板Ｐの平面度を求める（ステップＳ５）。
なお、検出装置６は基板Ｐの全面（全露光領域）につい
て格子状に位置検出を行う。

【００３１】一方、制御装置ＣＯＮＴは、ステップＳ３
において基板Ｐの平面度の検出を行わない（ＮＯ）と判
断した場合に、この制御装置ＣＯＮＴに接続した記憶装
置に基板Ｐの平面度に関する情報を要求する（ステップ
Ｓ６）。ここで、記憶装置には、検出装置６とは別の平
面度検出装置によって検出された基板Ｐの平面度に関す
る情報が記憶されている。この別の平面度検出装置とし
ては、例えば、露光装置ＥＸに隣接するコータ・デベロ
ッパ内に設けられた平面度検出装置がある。このコータ
・デベロッパ内の平面度検出装置は、現像処理後の基板
Ｐの平面度を検出するものであるが、一般に、ガラス基
板からなる基板Ｐの１ロット毎の形状はほぼ同じなの
で、現像処理後の基板Ｐの平面度の検出データを用いる
ことができる。制御装置ＣＯＮＴは、記憶装置に記憶さ
れている平面度に関するデータを受領する（ステップＳ
７）。

【００３２】制御装置ＣＯＮＴは、ステップＳ５あるい
はステップＳ７において基板Ｐの平面度に関する情報を
取得したら、この平面度を有する基板Ｐに対して露光処
理を行っていいかどうかを判断する。具体的には、投影
光学系ＰＬの焦点深度と平面度との差ＤＥＬを基板Ｐの
全露光領域について求め、この差ＤＥＬが所定値δより
大きいかどうかを判別する（ステップＳ８）。

【００３３】ここで、所定値δは予め設定されている許
容値であって、投影光学系ＰＬの焦点深度内に基板Ｐの
露光処理面をおさめることができるかどうかに影響を与
える要因のうち、基板Ｐの平面度以外の要因を数値化し
たものである。具体的には、基板Ｐ上の感光剤の不均一
性や、基板ホルダＰＨの平面度、オートフォーカス精
度、オートフォーカスと投影光学系ＰＬとの同焦点誤
差、光学系の像面湾曲などであって、前述した差ＤＥＬ
が所定値δ以上なら、投影光学系ＰＬの焦点深度に対し
て基板Ｐの平面度は許容される値となる。

【００３４】制御装置ＣＯＮＴは、この差ＤＥＬが所定
値δより大きければ通常の露光処理動作へ（ステップＳ
１４）、差ＤＥＬが所定値δより小さければこの差が所
定値δより大きい条件を満たすような投影領域を求める
ためステップＳ９へと進む。

【００３５】なお、平面度は良好だが基板Ｐが全体的に
傾斜しているような場合がある。このため、制御装置Ｃ
ＯＮＴは、ステップＳ８において基板Ｐ全体のレベリン
グ補正が必要かどうかを判断する。具体的には、基板ホ
ルダＰＨの平面をａ₁ｘ＋ｂ₁ｙ＋ｃ₁ｚ＋ｄ₁＝０とし、
基板Ｐの平面度のデータから近似される基板Ｐの平面を
ａ₂ｘ＋ｂ₂ｙ＋ｃ₂ｚ＋ｄ₂＝０とする。ここで、基板ス
テージＰＳＴのレベリング（チルティング）角をθとす
ると、

【数１】を満たすときに、制御装置ＣＯＮＴは、基板Ｐのレベリ
ング補正を行ってステップＳ１４へと進む。なお、制御
装置ＣＯＮＴは、上式を満たさない場合や、平面度の測
定データから近似される基板の平面度が得られない場合
にステップＳ９において、基板Ｐ全体のレベリング補正
は行わずに露光領域（例えば、４４ｍｍ×４４ｍｍ）毎
に近似平面を算出してレベリング補正を行う。なお、制
御装置ＣＯＮＴは、露光領域毎の近似平面を算出する場
合に、局所的に平面度の悪い特異点（ｘ₃，ｙ₃，ｚ₃）
を除いて算出する。

【００３６】制御装置ＣＯＮＴは、ステップＳ９におい
て、レベリング補正が行われた露光領域の近似平面ａ₂'
ｘ＋ｂ₂'ｙ＋ｃ₂'ｚ＋ｄ₂'＝０に対する特異点（ｘ₃，
ｙ₃，ｚ₃）の距離Ｈを次式により算出する。

【数２】制御装置ＣＯＮＴは、投影光学系ＰＬの焦点深度と算出
された距離Ｈとの差であるＤＥＬと、所定値δとを比較
し、差ＤＥＬが大きい場合にステップＳ１０へと進む。
制御装置ＣＯＮＴは、差ＤＥＬが所定値δより小さい場
合に露光領域を順次小さくしていき（最終的には１０ｍ
ｍ×１０ｍｍ程度になるまで）、差ＤＥＬが所定値δよ
り大きくなる露光領域を設定し、ステップＳ１０へと進
む。

【００３７】制御装置ＣＯＮＴは、差ＤＥＬが所定値δ
以上になるような投影領域の大きさを求めたら、この求
めた大きさを有する投影領域を得るための処理を行うか
どうかを判別する。具体的には、複数の分割パターンを
基板Ｐでつなぎ合わせて基板Ｐに所定のパターンを露光
するに際し、ステップＳ９で求めた投影領域の大きさに
応じた分割パターンを有する複数のマスクＭに変更する
かどうかを判別する（ステップＳ１０）。

【００３８】制御装置ＣＯＮＴは、ステップＳ１０でマ
スクＭを変更する（ＹＥＳ）と判断したら、ステップＳ
９で求めた投影領域の大きさに応じた分割パターンを有
するマスクＭを選択し、これらマスクＭをマスクチェン
ジャ７に搭載させるとともに、所定の分割パターンを備
えたマスクＭをマスクステージＭＳＴにロードする（ス
テップＳ１１）。

【００３９】例えば、図５（ａ）に示すようなマスクＭ
に形成されたパターンＰＡを基板Ｐに露光したい場合に
おいて、パターンＰＡを図５（ｂ）に示すような４つの
分割パターンＰＡａ〜ＰＡｄによって形成し、分割パタ
ーンＰＡａ〜ＰＡｄのそれぞれが形成されたマスクＭａ
〜Ｍｄを用いて露光処理を行うつもりだったものが、基
板Ｐの平面度を検出した結果、この平面度が図６（ａ）
に示すように大きい（悪い）ものであった場合には、投
影領域を小さく設定し直さなくてはこの投影領域に対応
した基板Ｐの露光処理面を投影光学系ＰＬの焦点深度内
におさめることができない。したがって、小さい投影領
域で露光処理を行うために、図５（ｃ）に示すように、
パターンＰＡを例えば６つの分割パターンＰＡａ〜ＰＡ
ｆにすることによってそれぞれの分割パターンを小さく
し、この分割パターンＰＡａ〜ＰＡｆのそれぞれを有す
るマスクＭａ〜Ｍｆを用いて露光処理を行う。このため
に、制御装置（露光制御部）ＣＯＮＴは、マスクチェン
ジャ７に保持されていたマスクＭａ〜Ｍｄを、マスクＭ
ａ〜Ｍｆに変更するよう指示する。そして、これらマス
クＭａ〜Ｍｄをマスクチェンジャ７からアンロードし、
マスクＭａ〜Ｍｆをマスクチェンジャ７にロードする。

【００４０】一方、検出装置６により、基板Ｐの平面度
が図６（ｂ）に示すように小さい（良い）ものであると
検出された場合には、図５（ｂ）の４つの分割パターン
ＰＡａ〜ＰＡｄのような大きい投影領域を形成する分割
パターンであっても、この投影領域に対応した基板Ｐの
露光処理面を投影光学系ＰＬの焦点深度内におさめるこ
とが可能なのでマスクＭａ〜Ｍｄは交換されず、通常の
露光処理動作が行われる。なお、基板Ｐの平面度が図６
（ｂ）に示したものよりもさらに小さい（良い）もので
ある場合には、パターンＰＡを大きな分割パターンによ
って露光処理可能となるので、例えば、マスクチェンジ
ャ７に保持されている４つの分割マスクＭａ〜Ｍｄを、
図５（ｄ）に示すような大きな分割パターンＰＡａ、Ｐ
Ａｂを有する２つのマスクＭａ、Ｍｂに交換することも
もちろん可能である。

【００４１】制御装置ＣＯＮＴは、ステップＳ１０にお
いて、マスクＭを変更しない（ＮＯ）と判断した場合に
は、そのときの投影領域内において投影光学系ＰＬの焦
点深度内に基板Ｐの露光処理面がおさまらないので、焦
点深度オーバーの警告を発する（ステップＳ１５）。制
御装置ＣＯＮＴは、ステップＳ１５の後、所定の処理を
継続するかどうかを判別する（ステップＳ１６）。制御
装置ＣＯＮＴは、処理を継続しない（ＮＯ）と判断した
場合には、一連の所定の処理を終了する。

【００４２】制御装置ＣＯＮＴは、ステップＳ１１にお
いてロードされたマスクＭが適正マスクかどうかを判別
する（ステップＳ１２）。この適正マスクとは、例え
ば、同一の部分パターンが繰り返して形成されている繰
り返しパターンを有しているものである。繰り返しパタ
ーンを有していれば、容易に精度良く画面継ぎを行うこ
とができる。

【００４３】制御装置ＣＯＮＴは、ステップＳ１２にお
いて適正マスクである（ＹＥＳ）と判断した場合、つま
り、繰り返しパターンを有しているマスクであると判断
した場合、ブラインド部Ｂの設定を行う（ステップＳ１
３）。つまり、画面継ぎを行うためにブラインド部Ｂの
うちガラスブラインドＢｇを最適に設定し、分割パター
ンＰＡａ〜ＰＡｄ（ＰＡａ〜ＰＡｆ）の周辺部をつなぎ
合わせるように基板Ｐに露光し、全体として所定のパタ
ーンＰＡを基板Ｐに形成する。一方、制御装置ＣＯＮＴ
は、ステップＳ１２において適正マスクではない（Ｎ
Ｏ）と判断した場合、適正マスク無しの警告を行う（ス
テップＳ１７）。制御装置ＣＯＮＴは、適正マスク無し
の警告を行った後、処理を継続するかどうかの判別を行
う（ステップＳ１６）。

【００４４】このとき、投影領域に対応した基板Ｐの露
光処理面が焦点深度内において更に最適位置（例えば焦
点深度内の中央値）になるように、各分割パターンＰＡ
ａ〜ＰＡｄ（ＰＡａ〜ＰＡｆ）のそれぞれをガラスブラ
インドＢｇによって更に分割して露光してもよい。つま
り、例えば１つの分割パターンＰＡａに対する露光光の
照明領域をガラスブランドＢｇで更に小領域に分割し、
これら小領域を基板Ｐでつなぎ合わせるようにしてもよ
い。

【００４５】このように、パターンが同一の部分パター
ンを繰り返して形成される繰り返しパターン（ピクセル
パターン）を有していればガラスブラインドＢｇを使用
することができるので、適正な分割領域を設定し各投影
領域に対応する基板Ｐの露光処理面を投影光学系ＰＬの
焦点深度内におさめることができる。つまり、繰り返し
パターンであれば、パターンのどの部分でも用いること
も可能であるので、基板Ｐが広い範囲で所望の平面度を
有していればマスクＭ（分割パターン）に対する照明領
域を広く設定することができる。一方、基板Ｐにおいて
所望の平面度を有する範囲が狭ければマスクＭ（分割パ
ターン）に対する照明領域を狭く設定すればよい。

【００４６】制御装置ＣＯＮＴは、ステップＳ１６にお
いて、処理を継続すると判断した場合、つまり、マスク
チェンジャ７に搭載されたマスクＭを用いて処理を継続
したい場合に、ステップＳ１３に進み、ガラスブライン
ドＢｇを設定する。つまり、ステップＳ１０において、
制御装置ＣＯＮＴは投影領域に対応した基板Ｐの露光処
理面が投影光学系ＰＬの焦点深度内におさまらないと判
断したマスクＭを交換しなかったので、所望の投影領域
よりは大きい投影領域を形成してしまうパターン（分割
パターン）を有したマスクＭがマスクチェンジャ７（マ
スクステージＭＳＴ）に保持されていることになる。し
たがって、この所望のパターンより大きいパターンを有
するマスクＭに対してガラスブラインドＢｇによって投
影領域を制御することにより、所望の投影領域（小さい
投影領域）を作り出すことができる。つまり、分割パタ
ーンＰＡａ〜ＰＡｄ（ＰＡａ〜ＰＡｆ）のうち、例えば
１つの分割パターンＰＡａに対してガラスブラインドＢ
ｇで照明領域を分割することによって分割パターンＰＡ
ａを更に分割する。

【００４７】以上、説明したように、基板Ｐの平面度を
検出し、この検出結果に基づいて基板Ｐに対する投影領
域の大きさを設定することにより、精度良い露光処理を
効率良く行うことができる。つまり、従来では、基板の
平面度を検出せずに、基板Ｐの平面度の最悪値を予測
し、この予測に基づいて分割パターンを有するマスクを
制作し、このマスクを用いて試験的に露光処理及び現像
処理を行い、基板Ｐの平面度に起因して基板Ｐの露光処
理面が投影光学系ＰＬの焦点深度内に入らなかった場合
（形成されたパターンの解像度が所定精度以下であった
場合）、マスクの分割パターンを更に小さいものに作り
直して再び露光処理を行う、といった効率の悪い作業を
行なっていた。しかしながら、本発明のように、基板Ｐ
の平面度を検出し、この検出結果に基づいて投影領域の
大きさを設定し、露光処理を行うようにしたので、従来
のようなマスクの作り直しや試験的な露光・現像処理が
不用となる。したがって、スループットは向上し、高い
生産性で精度良い露光処理を効率良く行うことができ
る。

【００４８】そして、投影光学系ＰＬの焦点深度に応じ
て投影領域の大きさを設定するようにしたので、焦点深
度の大きい投影光学系ＰＬを用いた際には、大きな投影
領域で露光処理が可能となり、少ない露光処理回数、少
ない枚数のマスクで露光処理が行われるので、低コスト
で効率良い露光処理が実現される。一方、焦点深度の小
さい投影光学系ＰＬを用いた際には、小さな投影領域で
精度良い露光処理を行うことができる。そして、基板Ｐ
の露光処理面が投影光学系ＰＬの焦点深度内に入るよう
に、基板Ｐの平面度に応じて投影領域の大きさを大きく
したり小さくしたりする調整を自動的に行うことによっ
て、基板Ｐの全ての露光領域において高精度なパターン
を形成することができる。このように、平面度に応じた
最適な投影領域を効率良く設定することができるので、
高い生産性を実現することができるとともに、精度良い
露光処理を効率良く行うことができる。

【００４９】パターンを複数の分割パターンによって形
成し、この複数の分割パターンを基板Ｐでつなぎ合わせ
てこの基板Ｐにパターンを露光するようにしたので、そ
れぞれ所望の平面度を有する投影領域に対してそれぞれ
分割パターンを形成することができる。したがって、全
体として高精度なパターンを形成することができる。

【００５０】複数の分割パターンは、複数のマスクにそ
れぞれ形成されているので、これらマスクを取り替えな
がら露光処理することにより、作業性良く露光処理する
ことができる。

【００５１】このとき、パターンは、同一の部分パター
ンが繰り返して形成されている繰り返しパターンを有し
ているので、画面継ぎを行うに際し、つなぎ合わせ部分
のパターンの位置合わせを高精度に行わなくても、つな
ぎ合わせ部とつなぎ合わせ部以外の部分とのパターンの
形状をいずれの位置においても容易に同じにすることが
できる。さらにこの場合、つなぎ合わせ処理をガラスブ
ラインドＢｇを用いて精度良く容易に行うことができ
る。

【００５２】《第２実施形態》次に、本発明の露光方法
及び露光装置の第２実施形態について説明する。ここ
で、前述した第１実施形態と同一もしくは同等の構成部
分については、同一の符号を用いるとともに、その説明
を簡略もしくは省略するものとする。

【００５３】第１実施形態においては、複数の分割パタ
ーンを、複数のマスクにそれぞれ形成し、それぞれのマ
スクに露光光を照射して、これら複数の分割パターンの
像を基板Ｐでつなぎ合わせるようにして基板Ｐ上に所定
のパターンを露光する構成であったが、第２実施形態に
おいては、使用するマスクＭは所定のパターンを備えた
１枚のマスクのみであり、ブラインド部（設定装置）Ｂ
によりマスクＭに対する露光光の照明領域を複数に分割
して投影領域を変更することにより、マスクに形成され
ているパターンを複数に分割し、それぞれの分割パター
ンを基板Ｐでつなぎ合わせて基板Ｐにパターンを露光す
る。

【００５４】図７（ａ）に示すようなマスクＭに形成さ
れたパターンＰＡを基板Ｐに露光する際、基板Ｐの平面
度を検出しこの検出結果に基づいて基板Ｐに対する投影
領域の大きさを図７（ｂ）のような４つの分割パターン
（分割領域）ＰＡａ〜ＰＡｄに設定したとする。この場
合、ブラインド部ＢのガラスブラインドＢｇを組み合わ
せてマスクＭに対する露光光ＥＬの照明領域を複数に分
割することにより、マスクＭに形成されているパターン
ＰＡを複数の分割パターンＰＡａ〜ＰＡｄとし、これら
複数の分割パターンＰＡａ〜ＰＡｄを基板Ｐでつなぎ合
わせることができる。

【００５５】つまり、図７（ｂ）に示すように、ブライ
ンド部Ｂ（ガラスブラインドＢｇ）を調整して、マスク
Ｍに対する照明領域を設定し、分割領域ＰＡａ〜ＰＡｄ
に露光光ＥＬを順次照射する。このとき、隣接する分割
パターンのつなぎ合わせ部を、ガラスブラインドＢｇの
減光部１５ｂによる減光領域どうしが重なり合うように
調整することにより、露光領域全体の露光量を均一化す
ることができる。

【００５６】基板Ｐの平面度が大きい（悪い）あるいは
投影光学系ＰＬの焦点深度が小さく、各投影領域に対応
する基板Ｐの露光処理面を投影光学系ＰＬの焦点深度内
におさめるために投影領域の大きさを小さく（分割パタ
ーンの分割数を多く）しなければならないときは、図７
（ｃ）に示すように、ガラスブラインドＢｇの重ね合わ
せ量を調整して、パターンＰＡを例えば６つの分割パタ
ーン（分割領域）ＰＡａ〜ＰＡｆとする。また、基板Ｐ
の平面度が小さい（良い）あるいは投影光学系ＰＬの焦
点深度が大きい場合には、投影領域の大きさを大きくす
ることができるので、図７（ｄ）に示すように、ガラス
ブラインドＢｇを調整して、パターンＰＡを例えば２つ
の分割パターン（分割領域）ＰＡａ、ＰＡｂとする。

【００５７】こうして、ガラスブラインドＢｇを調整す
ることにより、１つのマスクＭに対する露光光ＥＬの照
明領域の大きさを任意に設定することができる。そし
て、この照明領域の大きさを調整することによって基板
Ｐでの投影領域の大きさを任意に設定することができ
る。こうして設定した投影領域に応じたパターンを基板
Ｐでつなぎ合わせることによって、基板Ｐに所定のパタ
ーンを形成することができる。

【００５８】以上説明したように、所定のパターンＰＡ
を複数の分割パターンによって形成する際、所定のパタ
ーンＰＡに対する露光光ＥＬの照明領域の大きさを設定
して投影領域の大きさを設定することにより、この投影
領域の大きさに応じた分割パターンを形成することがで
きる。そして、本実施形態のように、分割パターンを形
成する際にブラインド部Ｂ（ガラスブラインドＢｇ）を
用いることにより使用するマスクの枚数を少なくするこ
とができる。さらに、パターンが、同一の部分パターン
が繰り返して形成されている繰り返しパターンであれ
ば、任意の位置から分割領域を設定することができる。

【００５９】以上、第１、第２実施形態で説明したよう
に、所定のパターンＰＡを有するマスクＭを用いて、こ
のパターンＰＡをガラスブラインドＢｇで分割しながら
露光処理を行ってもよいし、小さい複数の分割パターン
ＰＡａ〜ＰＡｄ（ＰＡａ〜ＰＡｆ）をそれぞれ有するマ
スクＭａ〜Ｍｄ（Ｍａ〜Ｍｆ）を用いて露光処理を行っ
てもよい。さらには、分割パターンを有するマスクＭａ
〜ＭｆとガラスブラインドＢｇとを併用し、分割パター
ンＰＡａ〜ＰＡｆを更に分割することも可能である。

【００６０】なお、同一の部分パターンが繰り返して形
成されている繰り返しパターン（ピクセルパターン）で
あれば、例えば、図５（ｂ）に示した分割パターンＰＡ
ａのうち繰り返しパターン部分を用いて、分割パターン
ＰＡｂが露光されるべき基板Ｐ上の領域に対してガラス
ブラインドＢｇを用いて分割パターンＰＡａの繰り返し
パターン部分を露光してもよい。つまり、図５において
は、４枚（または６枚）のマスクを用いて繰り返しパタ
ーンを露光しているが、繰り返しパターンであれば、１
枚のマスクを用いてガラスブラインドＢｇを調整しつつ
露光することにより広い範囲の露光領域を露光すること
ができる。この場合、周辺部パターン（配線パターン）
を１枚のマスクで形成することは不可能であるが、ピク
セルパターン部分は繰り返しパターンなので１枚のマス
クで対応することができる。

【００６１】さらに、図８（ａ）に示すような配線パタ
ーン（周辺部パターン）ＰＡ１とピクセルパターン（繰
り返しパターン）ＰＡ２とを備えたパターンを露光した
い場合、図８（ｂ）に示すように、配線パターンＰＡ１
の角部を備えたマスクＭ１、Ｍ３と、形成されたパター
ンの大部分がピクセルパターンＰＡ２であるマスクＭ２
とを用意しておき、ピクセルパターンＰＡ２を露光した
い際には、マスクＭ２を用いて投影光学系ＰＬの焦点深
度に応じた投影領域の大きさの設定をガラスブラインド
Ｂｇによって行いつつ露光処理することにより、ピクセ
ルパターンＰＡ２を形成する際にマスクＭ２は交換され
る必要が無くなるので、作業性良く露光処理を行うこと
ができる。

【００６２】なお、上記実施形態においては、露光処理
に用いられるマスクＭはマスクチェンジャ７からマスク
ステージＭＳＴにロードされ露光されるが、マスクステ
ージＭＳＴを設けずに、マスクチェンジャ７をＸＹ方向
に移動して所定のマスクＭ（Ｍａ〜Ｍｄ（Ｍｆ））を露
光光ＥＬの光路上に配置し、マスクチェンジャ７に搭載
したままで露光する構成とすることも可能である。

【００６３】なお、本実施形態の露光装置として、マス
クＭと基板Ｐとを同期移動してマスクＭのパターンＰＡ
を露光する走査型の露光装置にも適用することができ
る。

【００６４】露光装置の用途としては角型のガラスプレ
ートに液晶表示素子パターンを露光する液晶用の露光装
置に限定されることなく、例えば、ウェーハにパターン
を露光する半導体製造用の露光装置や、薄膜磁気ヘッド
を製造するための露光装置にも広く適当できる。

【００６５】投影光学系ＰＬの倍率は等倍系のみならず
縮小系および拡大系のいずれでもよい。

【００６６】投影光学系ＰＬとしては、エキシマレーザ
などの遠紫外線を用いる場合は硝材として石英や蛍石な
どの遠紫外線を透過する材料を用い、Ｆ₂レーザやＸ線
を用いる場合は反射屈折系または屈折系の光学系にし
（マスクも反射型タイプのものを用いる）、また、電子
線を用いる場合には光学系として電子レンズおよび偏向
器からなる電子光学系を用いればいい。なお、電子線が
通過する光路は真空状態にすることはいうまでもない。

【００６７】基板ステージＰＳＴやマスクステージＭＳ
Ｔにリニアモータを用いる場合は、エアベアリングを用
いたエア浮上型およびローレンツ力またはリアクタンス
力を用いた磁気浮上型のどちらを用いてもいい。また、
ステージは、ガイドに沿って移動するタイプでもいい
し、ガイドを設けないガイドレスタイプでもよい。

【００６８】ステージの駆動装置として平面モ−タを用
いる場合、磁石ユニット（永久磁石）と電機子ユニット
のいずれか一方をステージに接続し、磁石ユニットと電
機子ユニットの他方をステージの移動面側（ベース）に
設ければよい。

【００６９】基板ステージＰＳＴの移動により発生する
反力は、特開平８−１６６４７５号公報に記載されてい
るように、フレーム部材を用いて機械的に床（大地）に
逃がしてもよい。本発明は、このような構造を備えた露
光装置においても適用可能である。

【００７０】マスクステージＭＳＴの移動により発生す
る反力は、特開平８−３３０２２４号公報に記載されて
いるように、フレーム部材を用いて機械的に床（大地）
に逃がしてもよい。本発明は、このような構造を備えた
露光装置においても適用可能である。

【００７１】以上のように、本願実施形態の露光装置
は、本願特許請求の範囲に挙げられた各構成要素を含む
各種サブシステムを、所定の機械的精度、電気的精度、
光学的精度を保つように、組み立てることで製造され
る。これら各種精度を確保するために、この組み立ての
前後には、各種光学系については光学的精度を達成する
ための調整、各種機械系については機械的精度を達成す
るための調整、各種電気系については電気的精度を達成
するための調整が行われる。各種サブシステムから露光
装置への組み立て工程は、各種サブシステム相互の、機
械的接続、電気回路の配線接続、気圧回路の配管接続等
が含まれる。この各種サブシステムから露光装置への組
み立て工程の前に、各サブシステム個々の組み立て工程
があることはいうまでもない。各種サブシステムの露光
装置への組み立て工程が終了したら、総合調整が行わ
れ、露光装置全体としての各種精度が確保される。な
お、露光装置の製造は温度およびクリーン度等が管理さ
れたクリーンルームで行うことが望ましい。

【００７２】半導体デバイスは、図９に示すように、デ
バイスの機能・性能設計を行うステップ２０１、この設
計ステップに基づいたマスク（レチクル）を製作するス
テップ２０２、デバイスの基材となる基板（ウェーハ、
ガラスプレート）を製造するステップ２０３、前述した
実施形態の露光装置によりレチクルのパターンをウエハ
に露光するウエハ処理ステップ２０４、デバイス組み立
てステップ（ダイシング工程、ボンディング工程、パッ
ケージ工程を含む）２０５、検査ステップ２０６等を経
て製造される。

【００７３】

【発明の効果】本発明の露光方法及び露光装置は以下の
ような効果を有するものである。請求項１に記載の露光
方法及び請求項７に記載の露光装置によれば、基板の平
面度を検出し、この検出結果に基づいて基板に対する投
影領域の大きさを設定することにより、精度良い露光処
理を効率良く行うことができる。しかも、従来のような
マスクの作り直しや試験的な露光・現像処理を不要とす
ることができるので、高い生産性で精度良い露光処理を
効率良く行うことができる。

【００７４】請求項２に記載の露光方法及び請求項８に
記載の露光装置によれば、投影領域の大きさの設定は、
投影光学系の焦点深度に応じて設定されるので、例え
ば、焦点深度の大きい投影光学系を用いた際には、大き
な投影領域で露光処理が可能となり、少ない露光処理回
数、少ない枚数のマスクで露光処理がを行うことがで
き、低コストで効率良い露光処理を実現することができ
る。一方、焦点深度の小さい投影光学系を用いた際に
は、小さな投影領域で精度良い露光処理を行うことがで
きる。このように、平面度に応じた最適な投影領域を効
率良く設定することができるので、高い生産性を実現す
ることができるとともに、精度良い露光処理を効率良く
行うことができる。

【００７５】請求項３に記載の露光方法及び請求項９に
記載の露光装置によれば、パターンは複数の分割パター
ンから形成され、この複数の分割パターンを基板でつな
ぎ合わせてこの基板にパターンを露光するようにしたの
で、それぞれ所望の平面度を有する投影領域に対してそ
れぞれ分割パターンを形成することができる。したがっ
て、全体として高精度なパターンを形成することができ
る。

【００７６】請求項４に記載の露光方法によれば、複数
の分割パターンは、複数のマスクにそれぞれ形成されて
いるので、これらマスクを取り替えながら露光処理する
ことにより、作業性良く露光処理することができる。

【００７７】請求項５に記載の露光方法によれば、パタ
ーンは、同一の部分パターンが繰り返して形成されてい
る繰り返しパターンを有しているので、画面継ぎを行う
に際し、つなぎ合わせ部分のパターンの位置合わせを高
精度に行わなくても、つなぎ合わせ部とつなぎ合わせ部
以外の部分とのパターンの形状をいずれの位置において
も容易に同じにすることができる。

【００７８】請求項６に記載の露光方法によれば、基板
上でつなぎ合わせが行われる位置に対して投影光学系の
結像位置を合わせるので、つなぎ合わせ部の線幅を均一
にすることができる。投影領域の中心に対して投影光学
系の結像位置を合わせると、つなぎ合わせ部が投影領域
の周辺になり投影光学系の収差を受けてしまうが、請求
項６の露光方法では、つなぎ合わせ部が投影光学系の収
差の影響を受けにくくなるという効果を有している。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の露光装置の一実施形態を示す全体概略
構成図である。

【図２】ブラインド部を説明するための図である。

【図３】本発明の露光方法の一実施形態を説明するため
のフローチャート図である。

【図４】本発明の露光方法の一実施形態を説明するため
のフローチャート図である。

【図５】本発明の露光方法の第１実施形態を説明するた
めの図である。

【図６】基板の平面度を説明するための図である。

【図７】本発明の露光方法の第２実施形態を説明するた
めの図である。

【図８】本発明の露光方法の他の実施形態を説明するた
めの図である。

【図９】半導体デバイスの製造工程の一例を示すフロー
チャート図である。

【符号の説明】

６焦点検出系（検出装置）Ｂブラインド部（設定装置）Ｂｇガラスブラインド（設定装置）ＣＯＮＴ制御装置（検出装置、設定装置、露光制御
部）ＭマスクＭａ〜Ｍｆ分割マスク（設定装置）Ｐガラス基板（基板）ＰＡパターンＰＡａ〜ＰＡｆ分割パターンＰＬ投影光学系

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.⁷ 識別記号ＦＩテーマコート゛(参考）Ｈ０１Ｌ 21/027 Ｈ０１Ｌ 21/30 ５１４Ｃ５１４Ａ

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】投影光学系によりパターンを基板に露光
する露光方法において、前記基板の平面度を検出し、該検出結果に基づいて前記基板に対する投影領域の大き
さを設定することを特徴とする露光方法。
【請求項２】請求項１に記載の露光方法において、前記投影領域の大きさの設定は、前記投影光学系の焦点
深度に応じて設定することを特徴とする露光方法。
【請求項３】請求項１又は２に記載の露光方法におい
て、前記パターンは複数の分割パターンから形成され、該複数の分割パターンを前記基板でつなぎ合わせて前記
基板に前記パターンを露光することを特徴とする露光方
法。
【請求項４】請求項３に記載の露光方法において、前記複数の分割パターンは、複数のマスクにそれぞれ形
成されていることを特徴とする露光方法。
【請求項５】請求項１〜４のいずれかに記載の露光方
法において、前記パターンは、同一の部分パターンが繰り返して形成
されている繰り返しパターンを有していることを特徴と
する露光方法。
【請求項６】請求項３〜６のいずれかに記載の露光方
法において、前記基板上で前記つなぎ合わせが行われる位置を検出
し、該検出結果に応じて前記基板を前記投影光学系の結
像位置に位置合わせすることを特徴とする露光方法。
【請求項７】投影光学系によりパターンを基板に露光
する露光装置において、前記基板の平面度を検出する検出装置と、該検出装置の検出結果に基づいて前記基板に対する投影
領域の大きさを設定する設定装置とを備えることを特徴
とする露光装置。
【請求項８】請求項７に記載の露光装置において、前記設定装置は、前記投影光学系の焦点深度に応じて前
記投影領域の大きさを設定することを特徴とする露光装
置。
【請求項９】請求項７又は８に記載の露光装置におい
て、前記パターンは複数の分割パターンから形成されてお
り、該複数の分割パターンを前記基板でつなぎ合わせて前記
基板に前記パターンを露光する露光制御部を備えたこと
を特徴とする露光装置。