JP2002270483A

JP2002270483A - 露光方法および露光装置

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Publication number: JP2002270483A
Application number: JP2001063024A
Authority: JP
Inventors: Kazuhiko Hori; 和彦堀
Original assignee: Nikon Corp
Current assignee: Nikon Corp
Priority date: 2001-03-07
Filing date: 2001-03-07
Publication date: 2002-09-20
Anticipated expiration: 2021-03-07
Also published as: JP4635354B2; KR20020071726A; TW526541B; CN1276305C; CN1374561A

Abstract

(57)【要約】【課題】基板上にパターンを継ぎ合わせて画面合成を
行う際に、継ぎ合わせ精度を正確に追い込む。【解決手段】基板上にパターンＡ、Ｂを継ぎ合わせて
所望のパターンを露光する。パターンＡ、Ｂとは異なる
第１マークＭＫと、継ぎ合わされるパターンＡ、Ｂとを
基板に露光する予備露光工程と、基板に露光された第１
マークＭＫとパターンＡ、Ｂとの相対位置関係に基づい
て継ぎ合わされるパターンＡ、Ｂを露光する際の補正量
を設定する設定工程とを含む。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、半導体デバイスや
液晶表示デバイス等の製造工程でマスクのパターンを基
板上に露光する露光方法および露光装置に関し、特に複
数の分割パターンの一部同士を基板上で互いにつなぎ合
わせることによって大面積のパターンを露光する、いわ
ゆる画面合成を行う際に用いて好適な露光方法および露
光装置に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】従来、この種の露光装置では、露光対象
となる感光性基板の大型化に対応するために、感光性基
板の露光領域を複数の単位領域（ショット）に分割し、
各単位露光領域に対する露光を複数回に亙って繰り返
し、最終的に所望の大面積を有するパターンを合成する
手法、いわゆる画面合成の手法が用いられている。画面
合成を行う場合、パターン投影用のレチクルの描画誤
差、投影光学系のディストーション、感光性基板を位置
決めするステージの位置決め誤差等に起因して、各単位
露光領域の境界位置において継ぎ合わされるパターンに
切れ目が発生する事がある。そこで、パターンの切れ目
の発生を防止するために、各単位露光領域の境界を微少
量だけ重ね合わせることによって、すなわち、各単位露
光領域を部分的に重複させることによって画面合成を行
う場合もある。

【０００３】このような画面合成を行う際に最も注意し
なければならない点は、レチクルの製造誤差や投影光学
系のレンズ収差、感光性基板等の試料を位置決めするス
テージの位置決め精度・走り精度などに起因した画面合
成部分のパターン間のずれを極力小さくして画面継ぎ精
度を確保することである。すなわち、上記のような画面
合成では、隣接する二つのパターンの間の相対位置ずれ
によってパターンの継ぎ目部分に段差が発生し、製造デ
バイスの特性が損なわれることがある。さらに、半導体
デバイスや液晶表示用デバイス製造では、画面合成され
た単層のパターンを複数の層（通常、液晶パネル製造で
は５〜８層）に重ね合わせているため、各層における単
位露光領域の重ね合わせ誤差がパターンの継ぎ目部分で
不連続に変化することになる。この場合、特にアクティ
ブマトリックス液晶デバイスでは、パターン継ぎ目部分
でコントラストが不連続に変化して、デバイスの品質が
低下することになる。

【０００４】一般に、第２層以降の露光レイヤーにおけ
る画面継ぎ精度は、ショットとショットとの重ね合わせ
精度の差が重要であることが知られているため、例えば
第１層に形成されたアライメントマークを計測し、その
計測結果から第２層以降のレイヤーにおけるレチクルお
よび感光性基板のオフセットを求めて補正すればよい。
つまり、第２層（例えば、ソース・ドレイン層）で継ぎ
合わせ露光を行う際には、前レイヤーである第１層（例
えば、ゲート層）に形成されたアライメントマークとい
う基準が存在するため、このアライメントマークをオフ
アクシス等のセンサで計測して、継ぎ合わされるソース
・ドレイン層のパターンをそれぞれ対応するゲート層の
パターンと高精度に重ね合わせるように追い込むこと
で、結果として第２層でのパターンの継ぎ合わせが高精
度に行われる。

【０００５】このように、第２層以降のパターンの継ぎ
合わせ精度は、第１層におけるパターンの継ぎ合わせ精
度に依存しているが、通常の露光処理では、第１層で画
面を継ぎ合わせる際に下地に基準がなく、機械精度やパ
ターンの製造精度に依存して露光が行われるため、継ぎ
合わせ精度を高精度に追い込むことが困難である。これ
に対して従来では、例えば以下の２つの方法により第１
層における継ぎ精度を確保していた。

【０００６】（１）プロセス中レチクル製造誤差や投影光学系のレンズ収差について
は、図１０に示すように、それぞれが２辺で継ぎ合わさ
れるパターンＡ〜Ｄにより所望のパネルパターンが画面
合成される場合、図１１に示すように、レチクル内のパ
ターンＡ近傍に複数の特殊パターン、具体的には複数の
２次元マークを継ぎ合わされる辺に沿って配置し、被露
光物である感光性基板が搭載されるステージ側からこれ
らのマークの位置を測定し、各マークの設計位置と測定
結果との位置ずれ誤差を統計処理することで、そのレチ
クル上のパターンをステージ上で最も理想的な格子状に
露光できるように補正パラメータ（シフト、回転、倍率
等）を求めていた。なお、このステージ側からマークの
位置を計測する方法としては、ステージにスリットマー
クを有する基準マーク部材を設け、基準マーク部材の下
方から露光波長と同一波長の検知光を照射し、ステージ
を走査移動しながらスリットマーク、投影光学系、レチ
クル上のマークを介して入射する検知光を光量検出器で
モニタすることで、ステージ座標系に対するマークの位
置を計測する、いわゆるＩＳＳ（ImageSlit Sensor）計
測等を用いることができる。

【０００７】そして、パターンＢ〜Ｄについても、パタ
ーンＡと同様に継ぎ合わされる辺に沿ってマークを配置
し、これらのマークの位置を計測することで、各パター
ンＢ〜Ｄを理想格子状に露光できるように補正パラメー
タを求めていた。また、感光性基板を位置決めするステ
ージの位置決め精度や走り精度については、調整時に誤
差を可能な限り小さく追い込むことで画面継ぎ精度を維
持していた。

【０００８】（２）テスト露光プロセス露光を実施する前にパターンＡ〜Ｄを画面合成
して所望パターンの継ぎ合わせ露光を実施し、その継ぎ
合わせ部分を測定器で計測することで、図１２に示すよ
うに位置ずれ量Ｚを求め、この位置ずれ量Ｚを設計値か
らのずれとして、プロセス露光における露光制御データ
のレチクル部分にオフセットとして入力する方法があっ
た。

【０００９】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上述し
たような従来の露光方法および露光装置には、以下のよ
うな問題が存在する。上記（１）の技術では、実際に転
写されるパターンＡ〜Ｄを測定していないこと、実際に
露光後のパターンを計測していないこと、ＩＳＳ計測等
の光学的原理で計測していること等の理由により、補正
パラメータに基づいて露光しても、実際に露光したパタ
ーンには設計値からのずれが生じることがあった。これ
には、幾つかの原因が考えられるが、例えば計測原理に
基づく誤差や再現性の限界、プロセス条件に依存した感
光性基板の変形、実パターンと計測用マークとの製造誤
差などが挙げられる。

【００１０】また、上記（２）の技術では、上述したよ
うに第１層で画面合成を行う場合、下地に基準がないた
め継ぎ合わせ精度を厳しく追い込むことが困難であるこ
とに加えて、例えば第１層に露光されたパターンの１つ
の位置を計測するセンサを別途設け、計測したパターン
の位置に基づいて他のパターンを露光する方法を採った
としても、通常のパターン形状は層毎に、例えばＸ方向
またはＹ方向の一方向にのみ延在することが多いため、
上記パターンの１つの位置をＸ、Ｙの両方向で検出する
ことは困難である。そのため、計測できない側の方向
（Ｙ方向またはＸ方向）に関しては、継ぎ合わせ精度を
充分に追い込むことが難しい。

【００１１】このような理由により、上記（１）、
（２）の技術は、継ぎ合わせ精度の追い込み方法として
は必ずしも充分なものではなかった。

【００１２】本発明は、以上のような点を考慮してなさ
れたもので、基板上にパターンを継ぎ合わせて画面合成
を行う際に、継ぎ合わせ精度を正確に追い込むことがで
きる露光方法および露光装置を提供することを目的とす
る。

【００１３】

【課題を解決するための手段】上記の目的を達成するた
めに本発明は、実施の形態を示す図１ないし図１２に対
応付けした以下の構成を採用している。本発明の露光方
法は、基板（Ｐ）上にパターン（Ａ〜Ｄ）を継ぎ合わせ
て所望のパターンを露光する露光方法において、パター
ン（Ａ〜Ｄ）とは異なる第１マーク（ＭＫ）と、継ぎ合
わされるパターン（Ａ〜Ｄ）とを基板（Ｐ）に露光する
予備露光工程と、基板（Ｐ）に露光された第１マーク
（ＭＫ）とパターン（Ａ〜Ｄ）との相対位置関係に基づ
いて継ぎ合わされるパターン（Ａ〜Ｄ）を露光する際の
補正量を設定する設定工程とを含むことを特徴とするも
のである。

【００１４】また、本発明の露光装置は、基板（Ｐ）上
にパターン（Ａ〜Ｄ）を継ぎ合わせて所望のパターンを
露光する露光装置において、基板（Ｐ）に露光された、
パターン（Ａ〜Ｄ）とは異なる第１マーク（ＭＫ）と継
ぎ合わされるパターン（Ａ〜Ｄ）との相対位置関係に基
づいて、継ぎ合わされるパターン（Ａ〜Ｄ）を露光する
際の補正量を記憶する記憶装置（３３）と、記憶装置
（３３）に記憶された補正量に基づいて、パターンを基
板（Ｐ）上で継ぎ合わせる補正装置（２３）とを備える
ことを特徴とするものである。

【００１５】従って、本発明の露光方法および露光装置
では、例えば第１マーク（ＭＫ）をＸ方向およびＹ方向
に延在する二次元マークとして、パターン（Ａ〜Ｄ）と
ともに基板（Ｐ）に露光し、露光したパターン（Ａ〜
Ｄ）および第１マーク（ＭＫ）を計測することにより、
パターン（Ａ〜Ｄ）の継ぎ合わせずれを二次元的に補正
量として求めることができる。そのため、実露光におい
て、この補正量で補正した状態でパターンを継ぎ合わせ
ることで、継ぎ合わせ精度を充分に追い込むことができ
る。しかも、本発明では、補正量を求める際に実際に転
写されるパターンを用いているので、実露光時に必要な
補正量を直接求めることができる。

【００１６】

【発明の実施の形態】以下、本発明の露光方法および露
光装置の実施の形態を、図１ないし図９を参照して説明
する。ここでは、ステッパ方式の露光装置により、感光
性基板である液晶表示デバイス製造用のガラスプレート
（以下、単にプレートと称する）に複数のレチクルのパ
ターンを正立等倍で画面合成する場合の例を用いて説明
する。これらの図において、従来例として示した図１０
乃至図１２と同一の構成要素には同一符号を付し、その
説明を省略する。

【００１７】図１は、液晶表示デバイス用露光装置９の
概略構成図である。この露光装置９は、レチクル（マス
ク）Ｒに形成された液晶表示デバイスのパターンを感光
剤（レジスト）が塗布されたプレート（基板）Ｐ上に投
影露光するものであって、光源１０、照明光学系１１、
投影光学系１２、レチクルステージ（マスクステージ）
１３およびプレートステージ（基板ステージ）１４から
概略構成されている。ここで、投影光学系１２の光軸に
平行にＺ軸が、光軸に垂直な面内において、図１の紙面
に平行にＸ軸が、光軸に垂直な面内において図１の紙面
に垂直にＹ軸がそれぞれ設定されているものとする。

【００１８】光源１０は、露光光としてのビームＢを発
するものであり、超高圧水銀ランプ等で構成されてい
る。光源１０から射出されたビームＢは、照明光学系１
１に入射する。

【００１９】照明光学系１１は、ビームＢの光路を開閉
するシャッタ１５と、反射ミラー１６、１７と、波長選
択フィルター１８と、ビームＢを均一化するためのオプ
ティカルインテグレータ（フライアイレンズ等）１９
と、可変視野絞り２０と、コンデンサ光学系２１とから
構成されている。シャッタ１５は、シャッタ駆動部２２
を介して制御装置（補正装置）２３により制御されるこ
とでビームＢの光路を開閉するように駆動される。そし
て、シャッタ１５の開動作に応じて照明光学系１１に入
射したビームＢは、波長選択フィルター１８において露
光に必要な波長（ｇ線やｈ線、ｉ線）が通過し、オプテ
ィカルインテグレータ１９で照度が均一化される。照度
が均一化されたビームＢは、ビームスプリッタ２４を透
過した後、コンデンサ光学系２１で集光され、可変視野
絞り２０の開口によって規定されるレチクルＲ上の照明
領域を重畳的に照明する。可変視野絞り２０の開口の位
置および大きさは、不図示のブラインド駆動部を介して
制御装置２３により制御される。

【００２０】レチクルステージ１３は、レチクルＲを保
持するものであって、レチクルステージ駆動系２５によ
ってＸＹ座標系上で二次元に移動可能になっている。ま
た、レチクルステージ１３の上方には、光電センサーで
あるレチクルアライメント系２６ａ、２６ｂが配置され
ている。レチクルアライメント系２６ａ、２６ｂは、光
源１０が発するビームＢと同じ波長のアライメント光を
照射し、その反射光をＣＣＤカメラで受光して画像処理
を行うものである。そして、本露光装置では、Ｃｒ等で
直線状に形成されたレチクルＲ上のアライメントマーク
を検出し、この検出結果に基づいてレチクルステージ駆
動系２５を介してレチクルステージ１３を駆動すること
により、レチクルＲをＸＹ座標系で所定の位置にアライ
メント（位置合わせ）するようになっている。

【００２１】投影光学系１２は、レチクルＲの照明領域
に存在するパターンの像をプレートＰ上に結像させる。
そして、プレートＰ上に塗布された感光剤が感光するこ
とで、プレートＰ上にパターン像が転写される。この投
影光学系１２の結像特性（倍率等）は、制御装置２３の
制御により調整される。

【００２２】プレートステージ１４は、プレートＰを保
持するものであって、ステージ駆動装置２７によってＸ
Ｙ座標系上を二次元に移動可能に構成されている。この
プレートステージ１４上には、移動鏡２８が設置されて
いる。そして、プレートステージ１４の位置（ひいては
プレートＰの位置）は、レーザ干渉計２９から出射され
たレーザ光が移動鏡２８で反射してレーザ干渉計２９に
入射し、その反射光と入射光との干渉に基づいて正確に
計測されるようになっている。このレーザ干渉計２９に
よる計測結果は、制御装置２３に出力される。なお、説
明の便宜上、図１においてはプレートステージ１４のＸ
方向の位置を計測するための移動鏡２８、レーザ干渉計
２９のみを示しているが、Ｙ方向の位置を計測するため
の移動鏡、レーザ干渉計がもう一組備えられている。

【００２３】投影光学系１２とプレートステージ１４と
の間には、斜入射型のオートフォーカス系３０ａ、３０
ｂが配置されており、プレートＰの表面が常に投影光学
系１２の光軸方向の所定位置になるように位置決めされ
る。すなわち、プレートＰの被露光面が投影光学系１２
の焦点面に一致するように、プレートステージ１４をＺ
方向に駆動する構成になっている。

【００２４】また、プレートステージ１４上には、投影
光学系１２の光軸方向に関してプレートＰの被露光面と
略一致する位置に、円盤状の基準マーク部材３２が配設
されている。この基準マーク部材３２には、矩形状の開
口のスリットマーク（不図示）が設けられている。そし
て、プレートステージ１４中の基準マーク部材３２の下
方には、ミラー３４およびコンデンサレンズ３５が配設
され、光ファイバ３６によって検出光として伝送された
ビームＢ（露光光）が、コンデンサレンズ３５およびミ
ラー３４を介して下方から基準マーク部材３２に照明さ
れるようになっている。

【００２５】照明された基準マーク部材３２上のスリッ
トマークの像は、投影光学系１２を介してレチクルＲ上
に逆投影される。そして、レチクルＲを透過したビーム
Ｂは、コンデンサ光学系２１、反射ミラー１７を介して
ビームスプリッタ２４に入射する。ビームスプリッタ２
４に入射したビームＢは、ここで反射し、光電センサー
である光量センサー３７に入射する。光量センサー３７
は、入射したビームＢの強度に応じた電気信号を制御装
置２３に出力する。なお、光量センサー３７は、レチク
ルＲと共役な面に配置されている。

【００２６】制御装置２３は、光量センサー３７から出
力された信号とレーザ干渉計２９等から出力された信号
とを用いてレチクル上のマークの位置を検出するととも
に、検出したマークの位置と設計位置とのずれ量を用い
て所定の演算処理（最小二乗法等）を実行することで、
レチクルＲの回転補正量、ＸＹシフト補正量、ＸＹ倍率
オフセット量等の補正パラメータを算出する。そして、
制御装置２３は、算出した補正パラメータに基づいて、
レチクルステージ駆動系２５を介してレチクルＲを位置
決めするとともに、投影光学系１２の結像特性を調整す
る。

【００２７】また、制御装置２３は、上記投影光学系１
２、シャッタ駆動部２２、ブラインド駆動部、レチクル
ステージ駆動系２５、ステージ駆動装置２７を統括的に
制御しており、プレートステージ１４の位置を検出しつ
つ、プレートステージ１４を介してプレートＰを二次元
的に移動させることにより、プレートＰ上にレチクルＲ
のパターンを継ぎ合わせて所望のパターンを露光形成す
る。さらに、制御装置２３には、シーケンスパラメータ
等の各種露光データ（レシピ）や、補正パラメータ等を
記憶する記憶装置３３が付設されている（図１参照）。

【００２８】続いて、プロセス処理に先立って実施する
処理（予備露光工程）について説明する。この予備露光
工程は、プロセス処理で露光されるゲートパターンをプ
レートＰに露光するパターン露光工程と、ゲートパター
ンが露光されたプレートＰにマークＭＫを露光するマー
ク露光工程とに大別される。なお、ここでは、図１０に
示したように、プレートＰの第１層にパターンＡ〜Ｄが
継ぎ合わされてゲート層（ゲートパターン）が画面合成
されるものとする。

【００２９】各パターンＡ〜Ｄは、図１２にも示したよ
うに、Ｘ方向に延在する走査線パターン（単位パター
ン）３８と、走査線パターン３８に沿って所定のピッチ
ＬＸ（例えば１００μｍのピッチ）で配列された複数の
ゲート電極パターン（単位パターン）３９とがＹ方向に
所定のピッチ（ＬＹとする）で配列された同一のゲート
パターンを有しており、パターンＡ〜Ｄが継ぎ合わされ
る分割ラインは通常、走査線パターンと交叉するように
設定されている。なお、このゲートパターンは、露光さ
れたプレートＰを現像した後に、レジストが当該ゲート
パターンでプレートＰ上に残る、いわゆるポジパターン
でレチクルＲに形成されている。

【００３０】一方、テスト露光に用いられるレチクルＲ
Ｔを図２（ａ）に示す。この図に示すように、レチクル
ＲＴのほぼ中央には、プロセス処理でプレートＰに形成
される上記ゲートパターンや他のパターン（ソース・ド
レインパターン等）とは異なる第１マークとしてのマー
クＭＫが形成されている。図２（ｂ）に示すように、各
マークＭＫは、Ｙ方向に延在してＸ方向の位置計測に用
いられるＸマークＸＭと、Ｘ方向に延在してＹ方向の位
置計測に用いられるＹマークＹＭとから構成されてい
る。

【００３１】ＸマークＸＭの配列ピッチＰＸは、ゲート
電極パターン３９の配列ピッチＬＸの１／ｎ（ｎは自然
数）に、ここではＰＸ＝ＬＫ（すなわちｎ＝１）に設定
されている。また、ＹマークＹＭの配列ピッチＰＹは、
走査線パターン３８の配列ピッチＬＹの１／ｍ（ｍは自
然数）に、ここではＰＹ＝ＬＹ（すなわちｍ＝１）に設
定されている。なお、これらマークＭＫは、露光された
プレートＰを現像した後に、レジストが当該マークＭＫ
形状でプレートＰ上から除去される、いわゆるネガパタ
ーンでレチクルＲに形成されている。

【００３２】そして、まずパターン露光工程ではゲート
パターンを有するレチクルＲを用いて、プレートＰ上の
第１層にゲートパターンを露光する。このとき、パター
ンＡ〜Ｄをそれぞれ有する４枚のレチクルを交換しなが
ら、図３に示すように、Ｙ方向に延在する分割ラインＤ
ＬＹ、およびＸ方向に延在する分割ラインＤＬＸでパタ
ーンＡ〜Ｄを順次継ぎ合わせて露光することでプレート
Ｐ上にパネルパターンを画面合成する。

【００３３】なお、パターンＡ〜Ｄをそれぞれ有する複
数のレチクルを用いずに、パネルパターンを構成するゲ
ートパターンやソース・ドレインパターンが一定のピッ
チで繰り返し配置される形状特性を利用し、可変視野絞
り２０の駆動を調整することで、１枚のレチクル上の照
明領域をパターン毎に変更する手順としてもよい。この
場合、レチクルの枚数が減少するとともに、レチクル交
換時間を低減することができ、生産効率の向上に寄与で
きる。

【００３４】次に、テスト露光用レチクルＲＴをレチク
ルステージ１３上にセットし、プレートステージ１４を
順次移動させることで、マークＭＫをプレートＰの中心
および分割ラインＤＬＹ、ＤＬＸに沿って各回４つずつ
複数回（図３では９回）露光する。なお、このレチクル
ＲＴを用いてのマークＭＫの露光に際しては、プレート
Ｐに対するアライメントを行わず、ゲートパターンの露
光後に連続して実施することが好ましい。これにより、
プレートアライメントに伴う誤差が発生して、継ぎ合わ
せ精度以外の誤差要因がテスト露光結果に含まれてしま
うことを防止できる。

【００３５】このマーク露光工程においてマークＭＫ
は、各回の露光において分割ラインＤＬＹ（及び／又は
ＤＬＸ）を跨いだ各パターンの双方に露光される。すな
わち、マークＭＫは、プレートＰ上で隣接して継ぎ合わ
されるパターンの双方に１度のショットで同時に露光さ
れる。また、各マークＭＫは、図４（ａ）に示すよう
に、パターン露光工程で形成されたゲートパターンに対
して、図４（ｂ）に示すように、ＸマークＸＭがゲート
パターンの中、ゲート電極パターン３９のＸ方向の中心
に位置するように、且つＹマークＹＭがゲートパターン
の中、走査線パターン３８のＹ方向の中心に位置するよ
うに重ね合わせられる。

【００３６】なお、レチクルＲ上においてマークＭＫ
は、レチクル中央付近、すなわち投影光学系１２の光軸
近傍に配置されているので、投影光学系１２を介して投
影される際の倍率やローテーションに起因するレチクル
成分の誤差を最も小さくすることができる構成になって
いる。

【００３７】このように、予備露光工程でプレートＰ上
にゲートパターンおよびマークＭＫの双方が露光される
と、プレートＰに現像処理を施す。ここで、ゲートパタ
ーンはポジパターンであるため、レチクルＲ上のゲート
パターン以外の領域を透過したビームＢにより、プレー
トＰ上のレジストは、図４（ａ）に示すように、ゲート
パターンに対応する領域外４０が露光され、ゲートパタ
ーンに対応した領域（パターン３８、３９部分）が未露
光領域となる。そして、マークＭＫはネガパターンであ
るため、図４（ｂ）に示すように、未露光領域であるパ
ターン３８、３９上に露光形成されることになる。従っ
て、予備露光工程後にプレートＰに対して現像処理を実
施しても、ゲートパターン内にマークＭＫが形成される
ことになる（ただし、図４（ｂ）中、ゲートパターンか
ら突出したＸマークＸＭの両端は現像処理により除去さ
れる）。なお、潜像計測が可能であれば、プレートＰを
現像することなく、予備露光工程後に直ちに後述する計
測工程に移行可能である。

【００３８】予備露光工程後においては、プレートＰに
転写されたゲートパターンとマークＭＫとの相対位置関
係を、例えば重ね合わせ測定器で測定する。具体的に
は、図５に示すように、例えば分割ラインＤＬＹを挟ん
でＸ方向で隣り合うゲートパターンとマークＭＫとの相
対位置関係をパターンＡ、Ｂ側の双方でそれぞれ測定す
る。

【００３９】ここで、図５に示すパターンＡ、Ｂの双方
を１つのウィンドウ内に取り込んでエッジ検出する場
合、ゲート電極パターン３９の配列ピッチＬＸ（図１２
参照）が画素ピッチで３００μｍ、ＲＧＢ分割で１００
μｍ程度であるため、測定器における対物レンズの検出
倍率を大幅に下げる必要に迫られる。しかしながら、検
出倍率を下げることは検出分解能を下げることになり、
結果として測定精度を下げることになる。従って、本実
施の形態では、パターンＡ、Ｂ毎にゲートパターンとマ
ークＭＫとの相対位置関係を測定することで、せいぜい
数十μｍ程度のエリア計測で充分になり、対物レンズの
検出倍率を高めた状態で１つのウィンドウ内でエッジ検
出を実行することができる。

【００４０】以下、相対位置計測について詳述する。例
えば、図５中、左側のショット（パターンＡ）における
ゲートパターンとマークＭＫとの重ねずれ量は、Ｘ方向
についてはゲート電極パターン３９とＸマークＸＭとの
重ねずれ量ＯＶＬ_Xとなり、Ｙ方向については走査線パ
ターン３８とＹマークＹＭとの重ねずれ量ＯＶＬ_Yとな
る。同様に、右側のショット（パターンＢ）におけるゲ
ートパターンとマークＭＫとの重ねずれ量は、Ｘ方向に
ついてはゲート電極パターン３９とＸマークＸＭとの重
ねずれ量ＯＶＲ_Xとなり、Ｙ方向については走査線パタ
ーン３８とＹマークＹＭとの重ねずれ量ＯＶＲ_Yとな
る。

【００４１】ここで、マークＭＫは、一枚のレチクルＲ
Ｔ上に形成され、マーク位置およびマーク間の距離を予
め計測できるので、プレートＰ上の位置もゲートパター
ンに比較して信頼性が高い。そのため、上記の重ねずれ
量は、マークＭＫの位置が基準となり、このマークＭＫ
に対するゲートパターンの重ねずれ及び継ぎずれ（継ぎ
誤差）と見なすことができる。

【００４２】そして、パターンＡとパターンＢとの間の
継ぎ精度は、測定された上記重ねずれ量を用いた以下の
式で表される。Ｘ方向：｜ＯＶＬ_X−ＯＶＲ_X｜Ｙ方向：｜ＯＶＬ_Y−ＯＶＲ_Y｜ …（１）このように、従来では困難であったＸ方向およびＹ方向
の双方の継ぎ精度を別途容易に求めることができる。

【００４３】なお、上述したパターンＡ、Ｂ間の継ぎ精
度ではなく、例えばＹ方向に隣接するパターンＡ、Ｃ間
の継ぎ精度を求めるには、図示していないものの、分割
ラインＤＬＸを挟んでＹ方向で隣り合うゲートパターン
とマークＭＫとの相対位置関係を上記と同様の手順でパ
ターンＡ、Ｃの双方でそれぞれ測定する。そして、上側
のショット（パターンＡ）におけるゲートパターンとマ
ークＭＫとのＸ方向の重ねずれ量（ＯＶＵ_Xとする）お
よびＹ方向の重ねずれ量（ＯＶＵ_Yとする）を求めると
ともに、下側のショット（パターンＣ）におけるゲート
パターンとマークＭＫとのＸ方向の重ねずれ量（ＯＶＤ
_Xとする）およびＹ方向の重ねずれ量（ＯＶＤ_Yとする）
を求め、式（１）に準じた以下の式を用いることで、パ
ターンＡ、Ｃ間の継ぎ精度を求めることができる。Ｘ方向：｜ＯＶＵ_X−ＯＶＤ_X｜Ｙ方向：｜ＯＶＵ_Y−ＯＶＤ_Y｜

【００４４】また、上記と同様の手順で他の箇所につい
ても、ゲートパターンとマークＭＫとの重ねずれ量をそ
れぞれ計測する。そして、例えばパターンＡを露光する
際の補正量、すなわちパターンＡを有するレチクルＲを
用いて露光する際の補正パラメータ（シフトＸ、Ｙ、回
転、倍率等）は、図６に示すように、複数のマークＭＫ
の中、パターンＡが継ぎ合わされる辺に沿って形成され
た複数のマークとゲートパターンとの重ねずれ量と設計
値とを最小二乗法等を用いた統計演算処理することによ
り求められる。同様に、パターンＢ〜Ｄを露光する際の
補正パラメータを、各パターンが継ぎ合わされる辺に沿
って形成されたマークとゲートパターンとの重ねずれ量
を用いて求める。

【００４５】これらの補正パラメータは、レチクルＲの
パターン誤差と投影光学系１２のディストーションとを
含めて、実際にプレートＰ上に露光したゲートパターン
を用いて算出されるため、これらの誤差を含めた補正が
可能になる。このように、計測工程で求められた各パタ
ーンＡ〜Ｄ毎の補正パラメータは、記憶装置３３に記憶
される。

【００４６】予備露光工程および計測工程が終了する
と、露光工程（実露光工程）に移行する。予備露光工程
で使用された、例えばパターンＡを有するレチクルＲが
不図示の搬送系によりレチクルステージ１３上に搬送さ
れると、制御装置２３は、まずレチクルＲ上の照明領域
外に形成されたレチクルマーク（不図示）をレチクルア
ライメント系２６ａ、２６ｂにより計測させ、レチクル
ステージ駆動系２５を介してレチクルＲ自体のアライメ
ントを行う。

【００４７】次に、制御装置２３は、オートフォーカス
系３０ａ、３０ｂを用いて、基準マーク部材３２および
プレートＰを投影光学系１２の光軸方向について、レチ
クルＲと共役な位置に位置合わせする。

【００４８】続いて、制御装置２３は、設定工程におい
て、記憶装置３３から予め求めたレチクルＲの回転補正
量、ＸＹシフト補正量、ＸＹ倍率オフセット量を読み出
し、これらの補正パラメータに基づいてレチクルステー
ジ１３を介してレチクルＲを位置決めするとともに、投
影光学系１２の結像特性を調整する。これにより、図６
に示すように、理想格子Ｋに対してずれが生じていたレ
チクルＲのパターンＡは補正される。

【００４９】レチクルＲに対するアライメントが完了し
たら、パターンＡが露光されるべきプレートＰ上の領域
がショット領域に位置決めされるように、ステージ駆動
装置２７を介してプレートステージ１４を駆動し、ビー
ムＢでレチクルＲを照明してプレートＰ上の第１層に、
ゲートパターンの一部であるパターンＡを露光する。こ
の後、パターンＡと同様の手順でパターンＢ〜Ｄをそれ
ぞれ有する各レチクルに対して、記憶装置３３から読み
出した補正パラメータを用いてアライメントするととも
に、プレートＰを位置決めした後に各パターンＢ〜Ｄを
露光することにより、プレートＰ上にはパターンＡ〜Ｄ
が継ぎ合わされたパネルパターンが画面合成される。

【００５０】この画面合成により、パターンＡ〜Ｄのそ
れぞれは、あたかもプレートＰ上の第ゼロ層に形成され
たマークＭＫと高精度に重ね合わされることと同等とな
り、各パターンＡ〜Ｄのそれぞれと第ゼロ層との重ね合
わせが高精度に行われることにより、結果としてパター
ンＡ〜Ｄの継ぎ合わせ精度が向上することになる。

【００５１】そして、プレートＰ上の第２層以降に露光
されるパターン（ソース・ドレインパターン等）は、当
該パターンを有するレチクルに交換するとともに、第１
層のゲートパターン露光時に形成されたプレートアライ
メントマークを用いて、このレチクルのアライメントお
よび投影光学系１２の結像特性調整を実施することで、
ゲートパターンに高精度に重ね合わされる。なお、第２
層以降を第１層に高精度に重ね合わせるためには、プレ
ートアライメントマークを用いる方法の他に、上記のテ
スト露光を第２層以降に露光されるパターンに対しても
実施し、予め当該パターンを継ぎ合わせて露光する際の
補正パラメータを求めておく方法も採用することもでき
る。

【００５２】以上のように本実施の形態の露光方法およ
び露光装置では、予備露光工程においてプロセスで転写
されるゲートパターンとマークＭＫとをプレートＰ上に
露光し、これらの重ねずれ量に基づいて、ゲートパター
ンを露光する際の補正パラメータを予め求めているの
で、プレートＰ上に第ゼロ層が存在してこの第ゼロ層に
ゲートパターンを重ね合わせて露光する場合と同等の精
度で露光することができ、結果として、プレートＰ上の
第１層に複数のパターンを継ぎ合わせる際にも、継ぎ合
わせ精度を充分に追い込むことが可能になる。

【００５３】また、本実施の形態では、マークＭＫを二
次元マークとし、継ぎ合わされるパターン毎にマークＭ
Ｋを露光することで、継ぎ合わせ誤差をＸ方向およびＹ
方向の双方で検出することができる。そのため、予備露
光工程ではパターン毎の補正パラメータのみならず、継
ぎ合わされるパターン間の相対的な継ぎ合わせ精度も求
めることができる。これにより、本実施の形態では、補
正パラメータを用いることで各パターンＡ〜Ｄ毎にアラ
イメント精度を追求し結果的に継ぎ合わせ精度を向上さ
せるものとしたが、例えばパターンＡを基準としてパタ
ーンＡに対する相対的な継ぎ合わせ精度を用いてパター
ンＢ〜Ｄの補正パラメータを補正して継ぎ合わせること
も可能になる。

【００５４】しかも、本実施の形態では、ゲートパター
ンをポジパターンとし、マークＭＫをネガパターンとす
るとともに、マークＭＫの配列ピッチを走査線パターン
３８、ゲート電極パターン３９の配列ピッチに対応させ
てこれらを重ね合わせて露光しているので、重ねずれ量
を計測する際の範囲を数十μｍ程度に狭くすることがで
きる。そのため、測定器における検出倍率を高くした状
態でエッジ検出を実行でき、対物レンズ倍率に起因する
測定精度の悪化に影響されることなく、より高精度な検
出が可能になるとともに、新たな測定器を別途調達する
ことなく、従来より使用されている重ね合わせ測定器等
を使用することができ、高精度及び低コスト化に寄与す
ることができる。加えて、本実施の形態では、レチクル
ＲＴ上のマークＭＫがレチクル中央付近に配置されてい
るので、投影される際の倍率やローテーションに起因す
るレチクル成分の誤差を最も小さくすることができ、よ
り高精度の継ぎ合わせを実現することができる。

【００５５】なお、上記実施の形態において、第１マー
クとしてのマークＭＫをゲートパターンが形成されたレ
チクルＲとは異なるレチクルＲＴに形成する構成とした
が、これに限定されるものではなく、例えばゲートパタ
ーンを有するレチクルＲに直接第１マークを形成しても
よい。この場合、第１マークをパターンＡと離間した隅
部に配置する構成となるが、レチクルステージ１３が移
動可能であれば、第１マークを投影光学系１２の光軸近
傍に位置決めした状態でテスト露光を実施することで、
投影される際の倍率やローテーションに起因するレチク
ル成分の誤差が最も小さくなるため好ましい。

【００５６】また、上記の実施形態では、ゲートパター
ンがポジパターンで、第１マークであるマークＭＫがネ
ガパターンである構成としたが、逆にゲートパターンが
ネガパターンで第１マークがポジパターンであってもよ
い。また、第１マークの形状も上述したものに限定され
ず、Ｘ方向およびＹ方向が共にエッジ検出できれば、図
７に示すように、Ｌ字形状を呈するマークＭＫであって
もよい。

【００５７】さらに、上記実施の形態では、予備露光工
程で一回の露光でマークＭＫを４つずつプレートＰ上に
露光形成する構成としたが、例えば可変視野絞り２０の
駆動を制御することで、図８に示すように、継ぎ合わさ
れるパターンに跨って、マークＭＫを２つずつ個別に露
光形成してもよい。また、上記実施の形態では、継ぎ合
わされるパターンＡ〜Ｄが同一のゲートパターンを有す
るものとして説明したが、これに限られず、互いに異な
るパターン同士を継ぎ合わせる場合にも適用可能であ
る。

【００５８】なお、本実施の形態の基板としては、液晶
表示デバイス用のガラスプレートＰのみならず、半導体
デバイス用の半導体ウエハや、薄膜磁気ヘッド用のセラ
ミックウエハ、あるいは露光装置で用いられるマスクま
たはレチクルの原版（合成石英、シリコンウエハ）等が
適用される。

【００５９】露光装置９としては、レチクルＲとプレー
トＰとを静止した状態でレチクルＲのパターンを露光
し、プレートＰを順次ステップ移動させるステップ・ア
ンド・リピート方式の露光装置（ステッパー）の他に、
レチクルＲとプレートＰとを同期移動してレチクルＲの
パターンを走査露光するステップ・アンド・スキャン方
式の走査型露光装置（スキャニング・ステッパー；USP
5,473,410）にも適用することができる。

【００６０】露光装置９の種類としては、プレートＰに
液晶表示デバイスパターンを露光する液晶表示デバイス
製造用の露光装置に限られず、ウエハに半導体デバイス
パターンを露光する半導体デバイス製造用の露光装置
や、薄膜磁気ヘッド、撮像素子（ＣＣＤ）あるいはレチ
クルなどを製造するための露光装置などにも広く適用で
きる。

【００６１】また、ビームＢの光源１０として、超高圧
水銀ランプから発生する輝線（ｇ線（４３６ｎｍ）、ｈ
線（４０４．７ｎｍ）、ｉ線（３６５ｎｍ））、ＫｒＦ
エキシマレーザ（２４８ｎｍ）、ＡｒＦエキシマレーザ
（１９３ｎｍ）、Ｆ₂レーザ（１５７ｎｍ）のみなら
ず、Ｘ線や電子線などの荷電粒子線を用いることができ
る。例えば、電子線を用いる場合には電子銃として、熱
電子放射型のランタンヘキサボライト（ＬａＢ₆）、タ
ンタル（Ｔａ）を用いることができる。さらに、電子線
を用いる場合は、レチクルＲを用いる構成としてもよい
し、レチクルＲを用いずに直接ガラス基板上にパターン
を形成する構成としてもよい。また、ＹＡＧレーザや半
導体レーザ等の高周波などを用いてもよい。

【００６２】投影光学系１２の倍率は、等倍系のみなら
ず縮小系および拡大系のいずれでもよい。また、投影光
学系１２としては、エキシマレーザなどの遠紫外線を用
いる場合は硝材として石英や蛍石などの遠紫外線を透過
する材料を用い、Ｆ₂レーザやＸ線を用いる場合は反射
屈折系または屈折系の光学系にし（レチクルＲも反射型
タイプのものを用いる）、また電子線を用いる場合には
光学系として電子レンズおよび偏向器からなる電子光学
系を用いればよい。なお、電子線が通過する光路は、真
空状態にすることはいうまでもない。また、投影光学系
１２を用いることなく、レチクルＲとプレートＰとを密
接させてレチクルＲのパターンを露光するプロキシミテ
ィ露光装置にも適用可能である。さらに、上記実施の形
態では、投影光学系１２をシングルレンズとして図示し
たが、投影領域が互いに重複するように投影レンズを複
数配置した、いわゆるマルチレンズ方式の投影光学系で
あってもよい。

【００６３】プレートステージ１４やレチクルステージ
１３にリニアモータ（USP5,623,853またはUSP5,528,118
参照）を用いる場合は、エアベアリングを用いたエア浮
上型およびローレンツ力またはリアクタンス力を用いた
磁気浮上型のどちらを用いてもよい。また、各ステージ
１３、１４は、ガイドに沿って移動するタイプでもよ
く、ガイドを設けないガイドレスタイプであってもよ
い。

【００６４】各ステージ１３、１４の駆動機構として
は、二次元に磁石を配置した磁石ユニット（永久磁石）
と、二次元にコイルを配置した電機子ユニットとを対向
させ電磁力により各ステージ１３、１４を駆動する平面
モータを用いてもよい。この場合、磁石ユニットと電機
子ユニットとのいずれか一方をステージ１３、１４に接
続し、磁石ユニットと電機子ユニットとの他方をステー
ジ１３、１４の移動面側（ベース）に設ければよい。

【００６５】プレートステージ１４の移動により発生す
る反力は、投影光学系１２に伝わらないように、特開平
８−１６６４７５号公報（USP5,528,118）に記載されて
いるように、フレーム部材を用いて機械的に床（大地）
に逃がしてもよい。本発明はこのような構造を備えた露
光装置においても適用可能である。レチクルステージ１
３の移動により発生する反力は、投影光学系１２に伝わ
らないように、特開平８−３３０２２４号公報（US S/N
08/416,558）に記載されているように、フレーム部材
を用いて機械的に床（大地）に逃がしてもよい。本発明
はこのような構造を備えた露光装置においても適用可能
である。

【００６６】以上のように、本願実施形態の基板処理装
置である露光装置９は、本願特許請求の範囲に挙げられ
た各構成要素を含む各種サブシステムを、所定の機械的
精度、電気的精度、光学的精度を保つように、組み立て
ることで製造される。これら各種精度を確保するため
に、この組み立ての前後には、各種光学系については光
学的精度を達成するための調整、各種機械系については
機械的精度を達成するための調整、各種電気系について
は電気的精度を達成するための調整が行われる。各種サ
ブシステムから露光装置への組み立て工程は、各種サブ
システム相互の、機械的接続、電気回路の配線接続、気
圧回路の配管接続等が含まれる。この各種サブシステム
から露光装置への組み立て工程の前に、各サブシステム
個々の組み立て工程があることはいうまでもない。各種
サブシステムの露光装置への組み立て工程が終了した
ら、総合調整が行われ、露光装置全体としての各種精度
が確保される。なお、露光装置の製造は温度およびクリ
ーン度等が管理されたクリーンルームで行うことが望ま
しい。

【００６７】液晶表示デバイスや半導体デバイス等のデ
バイスは、図９に示すように、液晶表示デバイス等の機
能・性能設計を行うステップ２０１、この設計ステップ
に基づいたレチクルＲ（マスク）を製作するステップ２
０２、石英等からガラスプレートＰ、またはシリコン材
料からウエハを製作するステップ２０３、前述した実施
の形態の露光装置９によりレチクルＲのパターンをガラ
スプレートＰ（またはウエハ）に露光するステップ２０
４、液晶表示デバイス等を組み立てるステップ（ウエハ
の場合、ダイシング工程、ボンディング工程、パッケー
ジ工程を含む）２０５、検査ステップ２０６等を経て製
造される。

【００６８】

【発明の効果】以上説明したように、請求項１に係る露
光方法は、継ぎ合わされるパターンと第１マークとを基
板に露光した後に、第１マークとパターンとの相対位置
関係に基づいて、継ぎ合わされるパターンを露光する際
の補正量を設定する手順となっている。これにより、こ
の露光方法では、基板上にに複数のパターンを継ぎ合わ
せる際にも、継ぎ合わせ精度を充分に追い込むことがで
きるという効果を奏する。

【００６９】請求項２に係る露光方法は、継ぎ合わされ
るパターン毎に第１マークを露光する手順となってい
る。これにより、この露光方法では、パターン毎の補正
パラメータのみならず、継ぎ合わされるパターン間の相
対的な継ぎ合わせ精度も求めることができるため、基準
となるパターンに対する相対的な継ぎ合わせ精度を用い
て他のパターンの補正パラメータを補正して継ぎ合わせ
ることも可能になるという効果を奏する。

【００７０】請求項３に係る露光方法は、第１マークが
単位パターンの配列ピッチに対応して配列される構成と
なっている。これにより、この露光方法では、第１マー
クと単位パターンとの重ねずれ量を計測する際の範囲を
数十μｍ程度に狭くすることができ、測定器における検
出倍率を高くした状態でエッジ検出を実行することで、
対物レンズ倍率に起因する測定精度の悪化に影響される
ことなくより高精度な検出が可能になるという効果が得
られる。

【００７１】請求項４に係る露光方法は、第１マークと
パターンとを重ね合わせて露光する手順となっている。
これにより、この露光方法では、第１マークと単位パタ
ーンとの重ねずれ量を計測する際の範囲を数十μｍ程度
に狭くすることができ、測定器における検出倍率を高く
した状態でエッジ検出を実行することで、対物レンズ倍
率に起因する測定精度の悪化に影響されることなくより
高精度な検出が可能になるという効果が得られる。

【００７２】請求項５に係る露光方法は、パターンがネ
ガパターンとポジパターンとのいずれか一方であり、第
１マークがネガパターンとポジパターンとのいずれか他
方である構成となっている。これにより、この露光方法
では、第１マークと単位パターンとの重ねずれ量を計測
する際の範囲を数十μｍ程度に狭くすることができ、測
定器における検出倍率を高くした状態でエッジ検出を実
行することで、対物レンズ倍率に起因する測定精度の悪
化に影響されることなくより高精度な検出が可能になる
という効果が得られる。

【００７３】請求項６に係る露光方法は、パターンが基
板の第１層に形成される手順となっている。これによ
り、この露光方法では、基板に基準となるパターンが形
成されていない場合でも、複数のパターンを継ぎ合わせ
る際の継ぎ合わせ精度を充分に追い込むことができると
いう効果を奏する。

【００７４】請求項７に係る露光方法は、第１マークが
マスクの中央に形成される構成となっている。これによ
り、この露光方法では、第１マークが投影される際の倍
率やローテーションに起因するマスク成分の誤差を最も
小さくすることができ、より高精度の継ぎ合わせを実現
できるという効果を奏する。

【００７５】請求項８に係る露光方法は、継ぎ合わされ
るパターンが同一のパターンである構成となっている。
これにより、この露光方法では、基板上に同一のパター
ンを継ぎ合わせる際にも、継ぎ合わせ精度を充分に追い
込むことができるという効果を奏する。

【００７６】請求項９に係る露光装置は、第１マークと
パターンとの相対位置関係に基づいて、継ぎ合わされる
パターンを露光する際の補正量を記憶し、記憶した補正
量に基づいてパターンを基板上で継ぎ合わせる構成とな
っている。これにより、この露光装置では、基板上にに
複数のパターンを継ぎ合わせる際にも、継ぎ合わせ精度
を充分に追い込むことができるという効果を奏する。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の実施の形態を示す図であって、露
光装置の概略構成図である。

【図２】（ａ）は本発明の露光方法に用いられるマ
ークを有するレチクルの平面図であり、（ｂ）はマーク
の詳細図である。

【図３】基板上に複数のパターンとマークとが露光
された平面図である。

【図４】（ａ）はゲートパターンの部分拡大図、
（ｂ）はゲートパターンとマークとが重ね合わされた部
分拡大図である。

【図５】分割ラインを挟んで露光されたゲートパタ
ーンとマークの部分拡大図である。

【図６】理想格子とパターンとの相対位置関係を示
す図である。

【図７】他の形状を呈するマークとゲートパターン
とが重ね合わされた部分拡大図である。

【図８】別のマークの露光方法を説明する図であ
る。

【図９】液晶表示（半導体）デバイスの製造工程の
一例を示すフローチャート図である。

【図１０】複数のパターンが継ぎ合わされること示
す図である。

【図１１】レチクルに形成されたパターンおよび２
次元マークを示す平面図である。

【図１２】継ぎ合わされたパターンにずれが発生し
ていることを示す図である。

【符号の説明】

Ａ〜ＤパターンＭＫマーク（第１マーク）Ｐガラスプレート（プレート、基板）Ｒレチクル（マスク）９露光装置２３制御装置（補正装置）３３記憶装置３８走査線パターン（単位パターン）３９ゲート電極パターン（単位パターン）

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】基板上にパターンを継ぎ合わせて所望
のパターンを露光する露光方法において、前記パターンとは異なる第１マークと、前記継ぎ合わさ
れるパターンとを前記基板に露光する予備露光工程と、前記基板に露光された前記第１マークと前記パターンと
の相対位置関係に基づいて前記継ぎ合わされるパターン
を露光する際の補正量を設定する設定工程とを含むこと
を特徴とする露光方法。
【請求項２】請求項１記載の露光方法において、前記第１マークを前記継ぎ合わされるパターン毎に露光
することを特徴とする露光方法。
【請求項３】請求項２記載の露光方法において、前記パターンは、所定ピッチで配列された単位パターン
を有し、前記第１マークは、前記所定ピッチに対応して配列され
ることを特徴とする露光方法。
【請求項４】請求項１から３のいずれか１項に記載
の露光方法において、前記第１マークと前記パターンとを重ね合わせて露光す
ることを特徴とする露光方法。
【請求項５】請求項１から４のいずれか１項に記載
の露光方法において、前記パターンはネガパターンとポジパターンとのいずれ
か一方であり、前記第１マークは、前記ネガパターンと前記ポジパター
ンとのいずれか他方であることを特徴とする露光方法。
【請求項６】請求項１から５のいずれか１項に記載
の露光方法において、前記基板には複数層のパターンが形成され、前記パターンは第１層に形成されるパターンであること
を特徴とする露光方法。
【請求項７】請求項１から６のいずれか１項に記載
の露光方法において、前記第１マークは、マスクの中央
に形成されていることを特徴とする露光方法。
【請求項８】請求項１から７のいずれか１項に記載
の露光方法において、前記継ぎ合わされるパターンは、同一のパターンである
ことを特徴とする露光方法。
【請求項９】基板上にパターンを継ぎ合わせて所望
のパターンを露光する露光装置において、前記基板に露光された、前記パターンとは異なる第１マ
ークと前記継ぎ合わされるパターンとの相対位置関係に
基づいて前記継ぎ合わされるパターンを露光する際の補
正量を記憶する記憶装置と、該記憶装置に記憶された補正量に基づいて、前記パター
ンを前記基板上で継ぎ合わせる補正装置とを備えること
を特徴とする露光装置。