CN103092005B - 玻璃基板的曝光对位方法 - Google Patents
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Abstract
本发明公开一种玻璃基板的曝光对位方法，包含：将一基准片进行一基准片掩模工艺，利用一曝光机及一第一层光掩模板进行曝光；计算所述基准片的一第一内、外标记及一第二内、外标记的位置，并储存计算后的一数据，以作为曝光的对位基准；及对一玻璃基板进行一玻璃基板掩模工艺，利用所述曝光机及一玻璃基板光掩模板进行曝光，在所述玻璃基板上投影出：至少两层曝光区；及至少一拼接区，所述拼接区是根据所述数据进行对位曝光。通过将所述基准片于曝光时所形成的第一内、外标记及第二内、外标记进行数据的计算及储存，使所述玻璃基板曝光的拼接区能以所述数据作为对位基准，可确保所述玻璃基板曝光的图形对位精度，进而可避免所述玻璃基板的曝光图形偏移。
Description
【技术领域】
本发明是有关于一种曝光对位方法，特别是有关于一种玻璃基板的曝光对位方法。
【背景技术】
在目前液晶显示器(Liquid Crystal Display，LCD)大尺寸的薄膜晶体管(Thin Film Transistor，TFT)阵列基板制作中，曝光工艺会遇到单个大尺寸玻璃基板的图形要比光掩模板(Photo Mask)的图形还要大的情况，在这种情况下，需要把光掩模板上图形分成多块在单个大尺寸玻璃基板上进行多次曝光，以多个光掩模板图形来拼接单个大尺寸玻璃基板上的图形。
请参阅图1所示，在薄膜晶体管(TFT)阵列基板曝光工艺中，利用一曝光机11及一光掩模板14对一玻璃基板12进行曝光，所述玻璃基板12的第一层曝光在一曝光区域121的左右两边会对应所述光掩模板14的数个对位孔141、142，分别制作出数个对位标记122、123(一般各3个)，所述玻璃基板12的后几层曝光将与第一层曝光的对位标记122、123对位后进行曝光，以确保所述玻璃基板12的后几层曝光与第一层曝光的重叠精度，而不会造成图形偏移。
然而，在单个大尺寸玻璃基板上进行曝光，需要将光掩模板图形分割成多块，在单个大尺寸玻璃基板上进行多次曝光拼接，以形成大尺寸的曝光图形，进而在单个大尺寸玻璃基板上产生所述光掩模板曝光重叠的拼接曝光区，由于所述拼接曝光区是在单个大尺寸玻璃基板上的显示区，因此对位标记只能产生在所述单个大尺寸玻璃基板的曝光区域外围的左右两边，对位标记不能产生在拼接曝光区(显示区)中，因而使所述单个大尺寸玻璃基板的拼接曝光区在后几层曝光与第一层曝光无法利用对位标记实现自动对位，因而难以确保所述拼接曝光区的后几层曝光与第一层曝光的对位精度，导致所述拼接曝光区后几层曝光与第一层曝光的图形偏移。
故，有必要提供一种玻璃基板的曝光对位方法，以解决上述现有技术所存在的问题。
【发明内容】
本发明的主要目的在于提供一种玻璃基板的曝光对位方法，其中通过将基准片于曝光时所形成的第一内、外标记及第二内、外标记进行数据的计算及储存，可确保玻璃基板的拼接区图形对位精度。
本发明的次要目的在于提供一种玻璃基板的曝光对位方法，其中通过将基准片于曝光时所形成的第一内、外标记及第二内、外标记进行数据的计算及储存，可避免玻璃基板的曝光区图形偏移。
为达成本发明的前述目的，本发明提供一种玻璃基板的曝光对位方法，所述玻璃基板的曝光对位方法包含：(S1)将一基准片进行一基准片掩模工艺，利用一曝光机及一第一层光掩模板进行曝光，在所述基准片上投影出：一第一曝光区；一第二曝光区；及一模拟拼接区，连接于所述第一曝光区及第二曝光区之间，所述第一曝光区分别于两侧形成数个第一外标记及数个第一内标记，所述第一外标记位于所述第一曝光区外，所述第一内标记位于所述第二曝光区中，所述第二曝光区分别于两侧形成数个第二内标记及数个第二外标记，所述第二内标记位于所述第一曝光区中，所述第二外标记位于所述第二曝光区外；(S2)计算所述步骤(S1)中的第一内、外标记及第二内、外标记的位置，并储存计算后的一数据，以作为曝光的对位基准；及(S3)对一玻璃基板进行一玻璃基板掩模工艺，利用所述曝光机及一玻璃基板光掩模板进行曝光，在所述玻璃基板上投影出：至少两层曝光区；及至少一拼接区，连接于所述两曝光区之间，其中所述拼接区是根据步骤(S2)的所述数据进行对位曝光。
在本发明的一实施例中，在步骤(S1)中，利用m个所述基准片进行所述基准片掩模工艺，以在每一基准片上形成数个第一内、外标记及数个第二内、外标记。
在本发明的一实施例中，所述m为一正整数，并介于3至5。
在本发明的一实施例中，在步骤(S3)中，所述曝光机及玻璃基板光掩模板在所述玻璃基板上投影出：数层曝光区及数个拼接区，其中所述拼接区是根据步骤(S2)的所述数据进行对位曝光。
在本发明的一实施例中，所述数据为座标位置。
在本发明的一实施例中，所述第一层光掩模板的两侧分别具有数个对位孔，用以曝光所述第一曝光区两侧的第一内标记和第一外标记，及所述第二曝光区两侧的第二内标记和第二外标记。
在本发明的一实施例中，所述基准片的尺寸相等于所述玻璃基板。
在本发明的一实施例中，所述玻璃基板是一薄膜晶体管阵列基板或一彩色滤光片基板。
如上所述，通过将所述基准片于曝光时所形成的第一内、外标记及第二内、外标记进行数据的计算及储存，使所述玻璃基板在进行第二道以上的拼接掩模工艺皆能以所述数据作为拼接区的对位基准，可确保所述玻璃基板的拼接区的图形对位精度，进而可避免所述玻璃基板的后几层曝光与第一层曝光的图形偏移。
【附图说明】
图1是一种现有的玻璃基板的曝光对位方法的使用示意图。
图2是本发明一实施例玻璃基板的曝光对位方法的流程图。
图3、4是图2玻璃基板的曝光对位方法的基准片的使用示意图。
图5、6是图2玻璃基板的曝光对位方法的玻璃基板的使用示意图。
【具体实施方式】
以下各实施例的说明是参考附加的图式，用以例示本发明可用以实施的特定实施例。再者，本发明所提到的方向用语，例如「上」、「下」、「顶」、「底」、「前」、「后」、「左」、「右」、「内」、「外」、「侧面」、「周围」、「中央」、「水平」、「横向」、「垂直」、「纵向」、「轴向」、「径向」、「最上层」或「最下层」等，仅是参考附加图式的方向。因此，使用的方向用语是用以说明及理解本发明，而非用以限制本发明。另外，为让本发明上述目的、特征及优点更明显易懂，下文特举本发明较佳实施例，并配合附图，作详细说明如下：
请参照图2、3所示，其显示依照本发明的一实施例的玻璃基板的曝光对位方法的流程图，本实施例的所述玻璃基板是一薄膜晶体管阵列基板或一彩色滤光片基板，其玻璃基板的曝光对位方法包括如下步骤：
如步骤101，将至少一个基准片21在一平台20上进行一基准片掩模工艺，利用一曝光机22及一第一层光掩模板23进行曝光，其中所述基准片21可以选自可重复使用的板体，其尺寸相同于后续步骤的玻璃基板，所述基准片21预先涂布有一金属沉积层及一光刻胶层(photoresist)，于曝光后，再对所述基准片21进行蚀刻及去除所述光刻胶层，使所述基准片21用以进行模拟的玻璃基板的基准片掩模工艺；在一实施方式中，所述基准片21或亦可直接取材自相同于后续步骤的玻璃基板。所述第一层光掩模板23是一不透光的板体，但具有图案化窗孔，如例产品的一部分图案，其对应于欲在玻璃基板上成形的一半图案化结构的形状。所述第一层光掩模板23的两侧分别具有数个对位孔231、232，所述对位孔231、232例如是十字型开孔，但并不限于此。
请参照图3所示，所述曝光机22先在所述基准片21的表面上投影出一第一曝光区211，并于所述第一曝光区211两侧形成数个第一外标记214及数个第一内标记215，所述对位孔232、231分别用以曝光所述第一外标记214及第一内标记215。
接着如图4所示，另在所述基准片21的表面上投影出一第二曝光区212及形成一模拟拼接区213，并于所述第二曝光区212两侧形成数个第二外标记216及数个第二内标记217，所述对位孔231、232分别用以曝光所述第二外标记216及第二内标记217。其中所述模拟拼接区213为所述第一曝光区211及第二曝光区212的重叠部分，且连接于所述第一曝光区211及第二曝光区212之间，所述第一外标记214位于所述第一曝光区211外，所述第一内标记215位于所述第二曝光区212中，所述第二内标记217位于所述第一曝光区211中，所述第二外标记216位于所述第二曝光区212外。
续参照图2、4所示，如步骤102，利用一计算机25的一摄像机251获取所述步骤101中所述基准片21的第一内、外标记215、214及第二内、外标记217、216的影像，接着以所述计算机25计算所述第一内、外标记215、214及第二内、外标记217、216的座标位置，并储存所述基准片21计算后的一数据，以作为所述曝光机22进行曝光的对位基准。在本实施例中，可利用m个所述基准片21进行所述基准片掩模工艺，在每一基准片21上形成数个第一内、外标记215、214及数个第二内、外标记217、216，所述m为一正整数并介于3至5，于步骤102利用所述摄像机251获取m个所述基准片21的第一内、外标记215、214及第二内、外标记217、216的影像，再计算并储存m个所述数据，接着取全部数据的平均值作为曝光的对位基准，以提高曝光对位基准的精确度。
请参照图2、5所示，如步骤103，对一玻璃基板31(或一个以上)在所述平台上20正式进行一玻璃基板掩模工艺，利用所述曝光机22及一玻璃基板光掩模板33进行第一层曝光，所述曝光机22的投影使所述玻璃基板31上的一第一光刻胶层(photoresist，未绘示)曝光，而在所述玻璃基板31上投影出一曝光区311，其中在所述第一层曝光之前，所述玻璃基板31上没有其他图形，所述平台上20通过引线(pin)卡位所述玻璃基板31及配合调整所述玻璃基板光掩模板33的位置，即可进行所述第一层曝光对位及实现曝光，而不需要利用所述基准片21的数据对位。
接着请参照图6所示，对所述玻璃基板31进行第二层或第二层以上的曝光(图6仅绘示第二层说明)，在所述玻璃基板31上投影出另一曝光区312及形成一拼接区313，所述拼接区313为所述曝光区311、312的重叠部分，且连接于所述两曝光区311、312之间，其中所述拼接区313是根据步骤102的所述数据进行对位曝光，也就是说，利用与所述玻璃基板31尺寸相等的基准片21，先模拟重叠的曝光区并计算储存座标位置的数据，再依照所述数据的座标位置调整所述玻璃基板光掩模板33的曝光位置，并进行曝光、蚀刻及去除所述光刻胶层，以完成第一层及第二层曝光后的重叠图形。
在本实施例中，是以所述曝光机22及所述玻璃基板光掩模板33，并配合所述基准片21的数据与所述第一层对位，进行第二至五层曝光，接着进行蚀刻及去除所述光刻胶层，以形成五层曝光区及五个拼接区，通过所述拼接区的对位，可保证所述玻璃基板31上的五层曝光图形，即薄膜场效应晶体管(Thin Film Transistor，TFT)图形之间的重叠精度，同时也可保证同一层的两个曝光区之间图形的重叠精度，以避免图形偏移。
如上所述，通过将所述基准片21于曝光时所形成的第一内、外标记215、214及第二内、外标记217、216进行数据的计算及储存，使所述玻璃基板31在进行第二层或第二层以上的曝光皆能以所述数据作为拼接区313的对位基准，可确保所述玻璃基板31的拼接区313的图形对位精度，进而可避免所述玻璃基板31的图形偏移。
本发明已由上述相关实施例加以描述，然而上述实施例仅为实施本发明的范例。必需指出的是，已公开的实施例并未限制本发明的范围。相反地，包含于权利要求书的精神及范围的修改及均等设置均包括于本发明的范围内。
Claims (9)
1.一种玻璃基板的曝光对位方法，其特征在于：所述玻璃基板的曝光对位方法包含︰
(S1)将至少一基准片进行一基准片掩模工艺，利用一曝光机及一第一层光掩模板进行曝光，在所述基准片上投影出：一第一曝光区；一第二曝光区；及一模拟拼接区，连接于所述第一曝光区及第二曝光区之间，所述第一曝光区分别于两侧形成数个第一外标记及数个第一内标记，所述第一外标记位于所述第一曝光区外，所述第一内标记位于所述第二曝光区中，所述第二曝光区分别于两侧形成数个第二内标记及数个第二外标记，所述第二内标记位于所述第一曝光区中，所述第二外标记位于所述第二曝光区外；
(S2)计算所述步骤(S1)中的第一内、外标记及第二内、外标记的位置，并储存计算后的一数据，以作为曝光的对位基准；及
(S3)对一玻璃基板进行一玻璃基板掩模工艺，利用所述曝光机及一玻璃基板光掩模板进行曝光，在所述玻璃基板上投影出：至少两层曝光区；及至少一拼接区，连接于所述两曝光区之间，其中所述拼接区是根据步骤(S2)的所述数据进行对位曝光。
2.如权利要求1所述玻璃基板的曝光对位方法，其特征在于：在步骤(S1)中，利用m个所述基准片进行所述基准片掩模工艺，以在每一基准片上形成数个第一内、外标记及数个第二内、外标记。
3.如权利要求2所述玻璃基板的曝光对位方法，其特征在于：所述m为一正整数，并介于3至5。
4.如权利要求1所述玻璃基板的曝光对位方法，其特征在于：在步骤(S3)中，所述曝光机及玻璃基板光掩模板在所述玻璃基板上投影出：数层曝光区及数个拼接区，其中所述拼接区是根据步骤(S2)的所述数据进行对位曝光。
5.如权利要求1所述玻璃基板的曝光对位方法，其特征在于：所述数据为座标位置。
6.如权利要求1所述玻璃基板的曝光对位方法，其特征在于：所述第一层光掩模板的两侧分别具有数个对位孔，用以曝光所述第一曝光区两侧的第一内标记和第一外标记，及所述第二曝光区两侧的第二内标记和第二外标记。
7.如权利要求1所述玻璃基板的曝光对位方法，其特征在于：所述基准片的尺寸相等于所述玻璃基板。
8.如权利要求1所述玻璃基板的曝光对位方法，其特征在于：所述玻璃基板是一薄膜晶体管阵列基板或一彩色滤光片基板。
9.如权利要求1所述玻璃基板的曝光对位方法，其特征在于：在步骤(S1)中，所述基准片在曝光后，再对所述基准片进行蚀刻及去除光阻。
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