CN112327534B - 基板对组标记方法及其显示面板、显示装置 - Google Patents

基板对组标记方法及其显示面板、显示装置 Download PDF

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Abstract

本申请公开了一种基板对组标记的制备方法及其显示面板、显示装置，该方法包括：提供具有BM标记的CF基板；将具有BM标记的CF基板作为基准玻璃基板；基准玻璃基板上包括多个BM标记；提供基于BPS工艺制备的CF基板；将基于BPS工艺制备的CF基板作为待标记CF基板；基于基准玻璃基板上的各个BM标记的BM标记位置，在待标记CF基板上分别制备一一对应各BM标记的各个LOC标记，使得各BM标记位置与各对应LOC标记的LOC标记位置一一对应重合，进而改善LOC产品单独制造时因玻璃精度差异导致的标记(mark)偏移，达到Cell制程正常且精准的对组需求，提升BPS产品的LOC标记精度，改善Cell制程的对组精度，减少了破片率，且提升了良率。

Description

基板对组标记方法及其显示面板、显示装置
技术领域
本申请涉及显示技术领域，更具体地说，涉及一种基板对组标记方法及其显示面板、显示装置。
背景技术
BPS(Black Photo Spacer，黑色膜柱)技术是LCD(Liquid Crystal Display，液晶显示器)技术中一种把BM(Black Matrix，黑色矩阵)和PS(间隙控制)两道制程合成一道制程的技术，其工艺流程(flow)因无CF(Color Filter，彩色滤光片)BM制程，Cell PI(polyimide，聚酰亚胺)工艺或对组等标记(Mark)均需使用LOC机台(氧化铟锡激光切割机)制作，Cell制程通过读取TFT/CF mark，达到识别玻璃位置状况，实现对组。但LOC机台抓边通常采用机械抓边，制作的Mark位置相对偏移较大，在Cell制程的TFT(Thin FilmTransistor，薄膜晶体管)/CF板贴合对组时无法找到CF侧制作的全部mark，导致无法正常对组，盲对导致的TFT/CF板相对位置偏移引发后续制程发生破片，导致良率降低。
在实现过程中，发明人发现传统技术中至少存在如下问题：目前的BPS产品Cell制程时TFT/CF板贴合对组无法找到CF侧制作的全部mark，导致无法正常对组，盲对导致的TFT/CF板相对位置偏移引发后续制程发生破片，导致良率降低。
发明内容
基于此，有必要目前的BPS产品Cell制程时TFT/CF板贴合对组无法找到CF侧制作的全部mark，导致无法正常对组，盲对导致的TFT/CF板相对位置偏移引发后续制程发生破片，导致良率降低的问题，提供一种基板对组标记的制备方法及其显示面板、显示装置。
为了实现上述目的，本发明实施例提供了一种基板对组标记的制备方法，包括以下步骤：
提供具有BM标记的CF基板；将具有BM标记的CF基板作为基准玻璃基板；基准玻璃基板上包括多个BM标记；
提供基于BPS工艺制备的CF基板；将基于BPS工艺制备的CF基板作为待标记CF基板；
基于基准玻璃基板上的各个BM标记的BM标记位置，在待标记CF基板上分别制备一一对应各BM标记的各个LOC标记，使得各BM标记位置与各对应LOC标记的LOC标记位置一一对应重合。
在其中一个实施例中，在待标记CF基板上分别制备一一对应各BM标记的各个LOC标记的步骤包括：
采用LOC机台，在待标记CF基板上分别激光制备一一对应各BM标记的各个LOC标记。
在其中一个实施例中，在待标记CF基板上分别制备一一对应各BM标记的各个LOC标记的步骤之后包括：
若LOC标记位置与BM标记位置存在差异，补偿相应存在差异的LOC标记位置，直至各BM标记位置与各对应LOC标记的LOC标记位置一一对应重合。
在其中一个实施例中，BM标记的数量至少2个；LOC标记的数量至少2个。
在其中一个实施例中，基准玻璃基板的尺寸与待标记CF基板的尺寸相同。
另一方面，本发明实施例还提供了一种显示面板，包括采用如上述任一项的基板对组标记的制备方法制备得到的各个LOC标记。
另一方面，本发明实施例还提供了一种显示装置，包括如上述的显示面板。
在其中一个实施例中，显示面板为液晶显示面板。
上述技术方案中的一个技术方案具有如下优点和有益效果：
上述的基板对组标记的制备方法的各实施例中，提供具有BM标记的CF基板；将具有BM标记的CF基板作为基准玻璃基板；基准玻璃基板上包括多个BM标记；提供基于BPS工艺制备的CF基板；将基于BPS工艺制备的CF基板作为待标记CF基板；基于基准玻璃基板上的各个BM标记的BM标记位置，在待标记CF基板上分别制备一一对应各BM标记的各个LOC标记，使得各BM标记位置与各对应LOC标记的LOC标记位置一一对应重合，进而改善LOC产品单独制造时因玻璃精度差异导致的标记(mark)偏移，达到Cell制程正常且精准的对组需求。本申请通过采用非BPS产品的CF基板作为基准玻璃基板，根据基准玻璃基板的BM标记(mark)，调整基于BPS工艺制备的CF基板的每个LOC标记(mark)位置都和BM标记(mark)相对位置一致，不需额外增加或者改造设备，提升BPS产品的LOC标记(mark)精度，改善Cell制程的对组精度，减少了破片率，且提升了良率。
附图说明
下面将结合附图及实施例对本申请作进一步说明，附图中：
图1为一个实施例中基板对组标记的制备方法的第一流程示意图；
图2为一个实施例中基板对组标记的制备方法的第二流程示意图；
图3为一个实施例中基板对组标记的制备方法的LOC激光制备示意图；
图4为一个实施例中基板对组标记的制备方法的第三流程示意图；
图5为一个实施例中基板对组标记的制备方法的制备示意图。
具体实施方式
为了便于理解本申请，下面将参照相关附图对本申请进行更全面的描述。附图中给出了本申请的首选实施例。但是，本申请可以以许多不同的形式来实现，并不限于本文所描述的实施例。相反地，提供这些实施例的目的是使对本申请的公开内容更加透彻全面。
需要说明的是，当一个元件被认为是“连接”另一个元件，它可以是直接连接到另一个元件并与之结合为一体，或者可能同时存在居中元件。本文所使用的术语“安装”、“一端”、“另一端”以及类似的表述只是为了说明的目的。
除非另有定义，本文所使用的所有的技术和科学术语与属于本申请的技术领域的技术人员通常理解的含义相同。本文中在本申请的说明书中所使用的术语只是为了描述具体的实施例的目的，不是旨在于限制本申请。本文所使用的术语“及/或”包括一个或多个相关的所列项目的任意的和所有的组合。
在一个实施例中，如图1所示，提供了一种基板对组标记的制备方法，该方法包括以下步骤：
步骤S110，提供具有BM标记的CF基板；将具有BM标记的CF基板作为基准玻璃基板；基准玻璃基板上包括多个BM标记。
其中，BM(Black Matrix，黑色矩阵)指的是为保证彩色滤光片的遮光效果，而在彩色透光片(CF)之外涂覆的不透光的黑色遮光层。BM可用于遮挡色彩的空隙，防止漏光或者混色。BM标记(mark)可用来为CF基板与TFT基板对组时提供对位基准。CF(Color Filter，彩色滤光片)基板可以是用来显示彩色的玻璃基板。在一个示例中，具有BM标记的CF基板可以是非BPS工艺制备的显示产品。
具体地，提供具有BM标记的CF基板，将具有BM标记的CF基板作为基准玻璃基板。基准玻璃基板上包括多个BM标记，在一个示例中，基准玻璃基板上可包括至少2个BM标记。
在一个示例中，CF基板上制备BM标记的制备过程可以是：在CF基板上采用标记(mask)曝光制作BM标记。例如，Cell PI/对组等mark转印至玻璃基板的BM光阻上，从而实现精度高的BM标记，相对位置稳定(例如误差可以是±3um)。
进一步的，在CF基板上采用标记(mask)曝光制作BM标记时，可同时在CF基板上制作多个BM标记。
步骤S120，提供基于BPS工艺制备的CF基板；将基于BPS工艺制备的CF基板作为待标记CF基板。
其中，BPS(Black Photo Spacer，黑色膜柱)工艺是LCD(Liquid CrystalDisplay，液晶显示器)技术中一种把BM(Black Matrix，黑色矩阵)和PS(间隙控制)两道制程合成一道制程。需要说明的是，基于BPS工艺制备的显示产品通常采用LOC工艺制备LOC标记。
具体地，提供基于BPS工艺制备的CF基板，并将该基于BPS工艺制备的CF基确认为待标记CF基板。
进一步的，基于BPS工艺制备的CF基板未包含BM标记(mark)。
步骤S130，基于基准玻璃基板上的各个BM标记的BM标记位置，在待标记CF基板上分别制备一一对应各BM标记的各个LOC标记，使得各BM标记位置与各对应LOC标记的LOC标记位置一一对应重合。
其中，LOC标记指的是基于LOC(氧化铟锡激光切割)工艺制备得到的标记。LOC标记的形状可以是但不限于是正方形或长方形。BM标记的形状可以是但不限于是正方形或长方形。BM标记位置可以用二维坐标系表示；LOC标记位置可以用二维坐标系表示。
需要说明的是，对于LOC技术，是利用激光(laser)在CF基板图案化(pattering)刻蚀，对于BPS(黑色光间隔物)产品，CF侧只有ITO(氧化铟锡)，需要LOC技术，用于CF ITO标记(mark)和)制作的设备。
具体地，由于在基准玻璃基板上已制备了各BM标记，进而根据基准玻璃基板上的各个BM标记的BM标记位置，在待标记CF基板上分别制备一一对应各BM标记的各个LOC标记，使得各BM标记位置与各对应LOC标记的LOC标记位置一一对应重合。
例如，在基准玻璃基板上具有第一BM标记和第二BM标记，进而根据第一BM标记对应的第一BM标记位置和第二BM标记对应的第二BM标记位置，在待标记CF基板上制备对应第一BM标记的第一LOC标记，以及制备对应第二BM标记的第二LOC标记，使得第一BM标记位置与第一LOC标记位置相同，第二BM标记位置与第二LOC标记位置相同，即第一BM标记与第一LOC标记完全重合，第二BM标记与第二LOC标记完全重合，达到Cell制程正常且精准的对组需求。
具体而言，提供具有BM标记的CF基板；将具有BM标记的CF基板作为基准玻璃基板；基准玻璃基板上包括多个BM标记；提供基于BPS工艺制备的CF基板；将基于BPS工艺制备的CF基板作为待标记CF基板；基于基准玻璃基板上的各个BM标记的BM标记位置，在待标记CF基板上分别制备一一对应各BM标记的各个LOC标记，使得各BM标记位置与各对应LOC标记的LOC标记位置一一对应重合，进而改善LOC产品单独制造时因玻璃精度差异导致的标记(mark)偏移，达到Cell制程正常且精准的对组需求。
上述的基板对组标记的制备方法的实施例中，通过采用非BPS产品的CF基板作为基准玻璃基板，根据基准玻璃基板的BM标记(mark)，调整基于BPS工艺制备的CF基板的每个LOC标记(mark)位置都和BM标记(mark)相对位置一致，不需额外增加或者改造设备，提升BPS产品的LOC标记(mark)精度，改善Cell制程的对组精度，减少了破片率，且提升了良率。
在一个实施例中，如图2所示，提供了一种基板对组标记的制备方法，该方法包括以下步骤：
步骤S210，提供具有BM标记的CF基板；将具有BM标记的CF基板作为基准玻璃基板；基准玻璃基板上包括多个BM标记。
步骤S220，提供基于BPS工艺制备的CF基板；将基于BPS工艺制备的CF基板作为待标记CF基板。
其中，上述步骤S210和步骤S220的具体内容过程可参考上文内容，此处不再赘述。
步骤S230，基于基准玻璃基板上的各个BM标记的BM标记位置，采用LOC机台，在待标记CF基板上分别激光制备一一对应各BM标记的各个LOC标记，使得各BM标记位置与各对应LOC标记的LOC标记位置一一对应重合。
其中，LOC机台指的是氧化铟锡激光切割机。
具体地，由于在基准玻璃基板上已制备了各BM标记，进而根据基准玻璃基板上的各个BM标记的BM标记位置，在待标记CF基板上采用LOC机台分别激光制备一一对应各BM标记的各个LOC标记，使得各BM标记位置与各对应LOC标记的LOC标记位置一一对应重合。
上述的基板对组标记的制备方法的实施例中，通过采用非BPS产品的CF基板作为基准玻璃基板，根据基准玻璃基板的BM标记(mark)，在待标记CF基板上采用LOC机台激光(laser)制备出所需要LOC标记(mark)，使得基于BPS工艺制备的CF基板的每个LOC标记(mark)位置都和BM标记(mark)相对位置一致，不需额外增加或者改造设备，提升BPS产品的LOC标记(mark)精度，改善Cell制程的对组精度，减少了破片率，且提升了良率。
在一个具体的实施例中，如图3所示，LOC标记的制备过程为：采用LOC机台制作，基于laser ITO(Indium Tin Oxide，氧化铟锡)制程，根据基准玻璃基板上的各个BM标记的BM标记位置，将每个LOC标记(mark)单独激光(laser)制备至待标记CF基板上，使得各BM标记位置与各对应LOC标记的LOC标记位置一一对应重合。其中，ITO为整面性薄膜，无相关标记(mark)。
上述实施例中，通过在待标记基板上采用LOC机台激光制备各个LOC标记，实现将LOC标记的精度从±200um改善至±20um。提升BPS产品LOC mark相对位置精度，进而改善了Cell制程的对组精度，提升了良率。
需要说明的是，传统的LOC标记(mark)精度误差为±200um以上，无法满足Cell对组需求。
在一个实施例中，如图4所示，提供了一种基板对组标记的制备方法，该方法包括以下步骤：
步骤S410，提供具有BM标记的CF基板；将具有BM标记的CF基板作为基准玻璃基板；基准玻璃基板上包括多个BM标记。
步骤S420，提供基于BPS工艺制备的CF基板；将基于BPS工艺制备的CF基板作为待标记CF基板。
步骤S430，基于基准玻璃基板上的各个BM标记的BM标记位置，在待标记CF基板上分别制备一一对应各BM标记的各个LOC标记，使得各BM标记位置与各对应LOC标记的LOC标记位置一一对应重合。
其中，上述步骤S410、步骤S420和步骤S430的具体内容过程可参考上文内容，此处不再赘述。
步骤S440，若LOC标记位置与BM标记位置存在差异，补偿相应存在差异的LOC标记位置，直至各BM标记位置与各对应LOC标记的LOC标记位置一一对应重合。
具体地，在待标记CF基板上分别制备一一对应各BM标记的各个LOC标记后，若LOC标记位置与BM标记位置存在差异，则补偿相应存在差异的LOC标记位置，直至各BM标记位置与各对应LOC标记的LOC标记位置一一对应重合，进而进一步的改善LOC产品单独制造时因玻璃精度差异导致的标记(mark)偏移，达到Cell制程正常且精准的对组需求。
在一个具体的实施例中，如图5所示，基板对组标记的具体制备过程为：采用非BPS工艺制备且具有BM标记的CF基板作为基准玻璃基板，根据基准玻璃基板的BM标记(mark)，调整基于BPS工艺制备的CF基板的每个LOC标记(mark)位置都和BM标记(mark)相对位置一致，若LOC标记(mark)与BM标记(mark)存在差异，则补偿(offset)相应存在差异的LOC标记(mark)位置，直到各BM标记位置与各对应LOC标记的LOC标记位置一一对应重合，不需额外增加或者改造设备，提升BPS产品的LOC标记(mark)精度，改善Cell制程的对组精度，减少了破片率，且提升了良率。
需要说明的是，在待标记CF基板上的LOC标记完成制备后，后续可直接激光(laser)在BPS产品玻璃基板上。
在一个实施例中，BM标记的数量至少为2个；LOC标记的数量至少为2个。
具体地，例如，BM标记的数量为4个；LOC标记的数量为4个，BM标记可分布制备在基准玻璃基板的相邻两侧边的拐角处。LOC标记可分布制备在基准玻璃基板的相邻两侧边的拐角处。
在一个实施例中，基准玻璃基板的尺寸与待标记CF基板的尺寸相同。
具体地，基准玻璃基板的形状可以是矩形形状；待标记CF基板的形状可以是矩形形状。
在一个实施例中，BM标记设于基准玻璃基板的任意一处位置；LOC标记设于所述待标记基板对应所述BM标记的位置。
例如，BM标记可设于基准玻璃基板每相邻两边的相交处；LOC标记设于待标记基板每相邻两边的相交处。又如，BM标记还可设于基准玻璃基板的对角线的任意一处位置；LOC标记还可设于待标记基板对应BM标记的位置。
需要说明的是，BM标记和LOC标记的设置位置不限于上述说明的位置，还可以是其他位置，再此不在赘述。
上述的实施例中，通过采用非BPS产品的CF基板作为基准玻璃基板，调整BPS产品的每个LOC标记(mark)位置都和BM标记(mark)相对位置一致，提升BPS产品的LOC标记(mark)精度。改善了BPS产品单独制造时因玻璃精度差异导致的LOC标记(mark)偏移，达到Cell制程精准对组需求，减少了破片率，提升了良率。
应该理解的是，虽然图1、图2和图4的流程图中的各个步骤按照箭头的指示依次显示，但是这些步骤并不是必然按照箭头指示的顺序依次执行。除非本文中有明确的说明，这些步骤的执行并没有严格的顺序限制，这些步骤可以以其它的顺序执行。而且，图1、图2和图4中的至少一部分步骤可以包括多个子步骤或者多个阶段，这些子步骤或者阶段并不必然是在同一时刻执行完成，而是可以在不同的时刻执行，这些子步骤或者阶段的执行顺序也不必然是依次进行，而是可以与其它步骤或者其它步骤的子步骤或者阶段的至少一部分轮流或者交替地执行。
另一方面，在一个实施例中，还提供了一种显示面板，该显示面板包括采用如上述任一项的基板对组标记的制备方法制备得到的各个LOC标记。
其中，制备LOC标记的制备方法如可以是：
提供具有BM标记的CF基板；将具有BM标记的CF基板作为基准玻璃基板；基准玻璃基板上包括多个BM标记；
提供基于BPS工艺制备的CF基板；将基于BPS工艺制备的CF基板作为待标记CF基板；
基于基准玻璃基板上的各个BM标记的BM标记位置，在待标记CF基板上分别制备一一对应各BM标记的各个LOC标记，使得各BM标记位置与各对应LOC标记的LOC标记位置一一对应重合。
上述实施例中，通过提供具有BM标记的CF基板；将具有BM标记的CF基板作为基准玻璃基板；基准玻璃基板上包括多个BM标记；提供基于BPS工艺制备的CF基板；将基于BPS工艺制备的CF基板作为待标记CF基板；基于基准玻璃基板上的各个BM标记的BM标记位置，在待标记CF基板上分别制备一一对应各BM标记的各个LOC标记，使得各BM标记位置与各对应LOC标记的LOC标记位置一一对应重合，进而改善LOC产品单独制造时因玻璃精度差异导致的标记(mark)偏移，达到Cell制程正常且精准的对组需求。本申请通过采用非BPS产品的CF基板作为基准玻璃基板，根据基准玻璃基板的BM标记(mark)，调整基于BPS工艺制备的CF基板的每个LOC标记(mark)位置都和BM标记(mark)相对位置一致，不需额外增加或者改造设备，提升BPS产品的LOC标记(mark)精度，改善Cell制程的对组精度，减少了破片率，且提升了良率。
关于显示面板的具体限定可以参见上文中对于基板对组标记的制备方法的限定，在此不再赘述。
在一个实施例中，还提供了一种显示装置，该显示装置包括如上述的显示面板。
其中，显示面板包括采用如上述任一项的基板对组标记的制备方法制备得到的各个LOC标记。
其中，制备LOC标记的制备方法如可以是：
提供具有BM标记的CF基板；将具有BM标记的CF基板作为基准玻璃基板；基准玻璃基板上包括多个BM标记；
提供基于BPS工艺制备的CF基板；将基于BPS工艺制备的CF基板作为待标记CF基板；
基于基准玻璃基板上的各个BM标记的BM标记位置，在待标记CF基板上分别制备一一对应各BM标记的各个LOC标记，使得各BM标记位置与各对应LOC标记的LOC标记位置一一对应重合。
上述实施例中，通过提供具有BM标记的CF基板；将具有BM标记的CF基板作为基准玻璃基板；基准玻璃基板上包括多个BM标记；提供基于BPS工艺制备的CF基板；将基于BPS工艺制备的CF基板作为待标记CF基板；基于基准玻璃基板上的各个BM标记的BM标记位置，在待标记CF基板上分别制备一一对应各BM标记的各个LOC标记，使得各BM标记位置与各对应LOC标记的LOC标记位置一一对应重合，进而改善LOC产品单独制造时因玻璃精度差异导致的标记(mark)偏移，达到Cell制程正常且精准的对组需求。本申请通过采用非BPS产品的CF基板作为基准玻璃基板，根据基准玻璃基板的BM标记(mark)，调整基于BPS工艺制备的CF基板的每个LOC标记(mark)位置都和BM标记(mark)相对位置一致，不需额外增加或者改造设备，提升BPS产品的LOC标记(mark)精度，改善Cell制程的对组精度，减少了破片率，且提升了良率。
在一个具体的实施例中，显示面板为液晶显示面板。
关于显示装置的具体限定可以参见上文中对于基板对组标记的制备方法及显示面板的限定，在此不再赘述。
以上所述实施例的各技术特征可以进行任意的组合，为使描述简洁，未对上述实施例中的各个技术特征所有可能的组合都进行描述，然而，只要这些技术特征的组合不存在矛盾，都应当认为是本说明书记载的范围。
以上所述实施例仅表达了本申请的几种实施方式，其描述较为具体和详细，但并不能因此而理解为对申请专利范围的限制。应当指出的是，对于本领域的普通技术人员来说，在不脱离本申请构思的前提下，还可以做出若干变形和改进，这些都属于本申请的保护范围。因此，本申请专利的保护范围应以所附权利要求为准。

Claims (8)

1.一种基板对组标记的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
提供具有BM(黑色矩阵)标记的CF(彩色滤光片)基板；将所述具有BM标记的CF基板作为基准玻璃基板；所述基准玻璃基板上包括多个BM标记；
提供基于BPS(黑色膜柱)工艺制备的CF基板；将所述基于BPS工艺制备的CF基板作为待标记CF基板；
基于所述基准玻璃基板上的各个所述BM标记的BM标记位置，在所述待标记CF基板上分别制备一一对应各所述BM标记的各个LOC(氧化铟锡激光切割)标记，使得各所述BM标记位置与各对应所述LOC标记的LOC标记位置一一对应重合。
2.根据权利要求1所述的基板对组标记的制备方法，其特征在于，所述在所述待标记CF基板上分别制备一一对应各所述BM标记的各个LOC标记的步骤包括：
采用LOC机台，在所述待标记CF基板上分别激光制备一一对应各所述BM标记的各个LOC标记。
3.根据权利要求1所述的基板对组标记的制备方法，其特征在于，所述在所述待标记CF基板上分别制备一一对应各所述BM标记的各个LOC标记的步骤之后包括：
若所述LOC标记位置与所述BM标记位置存在差异，补偿相应存在差异的所述LOC标记位置，直至各所述BM标记位置与各对应所述LOC标记的LOC标记位置一一对应重合。
4.根据权利要求1所述的基板对组标记的制备方法，其特征在于，所述BM标记的数量为至少2个；所述LOC标记的数量为至少2个。
5.根据权利要求1所述的基板对组标记的制备方法，其特征在于，所述基准玻璃基板的尺寸与所述待标记CF基板的尺寸相同。
6.一种显示面板，其特征在于，包括采用如权利要求1至5中任一项所述的基板对组标记的制备方法制备得到的各个LOC标记。
7.一种显示装置，其特征在于，包括如权利要求6所述的显示面板。
8.根据权利要求7所述的显示装置，其特征在于，所述显示面板为液晶显示面板。
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