JP2000193950A - Stn型液晶表示素子用干渉パネルの製造方法 - Google Patents

Stn型液晶表示素子用干渉パネルの製造方法

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JP2000193950A
JP2000193950A JP10372171A JP37217198A JP2000193950A JP 2000193950 A JP2000193950 A JP 2000193950A JP 10372171 A JP10372171 A JP 10372171A JP 37217198 A JP37217198 A JP 37217198A JP 2000193950 A JP2000193950 A JP 2000193950A
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JP
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liquid crystal
crystal display
type liquid
marks
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JP10372171A
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Tetsuo Morihara
哲雄 森原
Akira Sugimoto
晃 杉本
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Hiroshima Opt Corp
Kyocera Display Corp
Original Assignee
Hiroshima Opt Corp
Kyocera Display Corp
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 機種ごとにフォトリソ用のフォトマスクを用
意する必要をなくす。 【解決手段】 マザー基板1から、サイズなどが異なる
異機種のSTN型液晶表示素子用の干渉パネルを多面取
りするにあたって、マザー基板1の各々に、各機種ごと
に共通とされるマザー基板同士の位置合わせマーク2お
よび空セル切断用基準マーク3(共通マーク)を形成し
た後、ミドルコート層、オーバーコート層およびシール
材などを順次形成する際、そのいずれかの工程におい
て、一方のマザー基板1に対して、得ようとする機種に
対応するセル切断マーク4などの個別マークをその工程
時に形成する。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、STN型液晶表示
素子を白黒表示とするのに用いられる干渉パネルの製造
方法に関するものである。
【0002】
【従来の技術】STN層で生ずる複屈折による青色もし
くは黄色の色つきを光学的に補償して白黒化する方法の
一つとして、2層の液晶パネルを組み合わせる方法があ
る。
【0003】この方法は、STN表示セルに対して、そ
れと同じツイスト角、セルギャップでねじれの方向が逆
の液晶セル(干渉パネル)を、隣り合う液晶の配向が直
交するように配置する。
【0004】これに用いられる干渉パネルは、表示電極
がパターニングされておらず、駆動電圧が印加されない
点を除いて表示セルと同じ構造を備えており、表示セル
とほぼ同様の工程を経て製造される。
【0005】図5を参照して、その工程を概略的に説明
すると、まず、一対のITO(Indium Tin
Oxide)膜付きのマザー基板1を用意する。この図
にはその一方のみしか示されていないが、相手方のマザ
ー基板も同一の大きさで、この例でマザー基板1は6面
取り基板である。
【0006】各マザー基板1にフォトマスクをかけてフ
ォトリソ法により、各マザー基板1に、それらを重ね合
わせる際の目印としての重ね合わせマーク2と、空セル
切断時の基準となる空セル切断基準マーク3とをそれぞ
れ所定位置に形成する。これと同時に各セル領域Aごと
に、このマザー基板1から個々のセルを切り出す際のセ
ル切断マーク4を形成する。
【0007】次に、各マザー基板1にミドルコート層、
オーバーコート層(配向膜)を形成しラビングする。そ
して、一方のマザー基板1上に面内スペーサを散布し、
他方のマザー基板1にシール材を印刷する。しかる後、
マザー基板1同士を重ね合せて一体的に積層し、空セル
切断基準マーク3を指標として3つの空セルが連なる2
つのスティック基板を切り出し、その各空セル内にST
N液晶を注入する。その後において、今度はセル切断マ
ーク4を指標として、各スティック基板からそれぞれ3
つのパネルが切り出される。
【0008】
【発明が解決しようとする課題】このようにして、マザ
ー基板から干渉パネルが多面取りされるのであるが、上
記の従来技術には次のような課題があった。
【0009】すなわち、重ね合わせマーク2および空セ
ル切断基準マーク3は、各マザー基板に対して同一の位
置に形成されるいわゆる共通マークである。これに対し
て、セル切断マーク4は機種ごとに異なった位置に形成
されるいわゆる個別マークである。
【0010】従来では、これらの共通マーク2,3およ
び個別マーク4を同じフォトマスクに持たせて、同時に
形成するようにしていた。したがって、マザー基板が同
じ大きさであっても、機種ごとにそれ専用のフォトマス
クが必要となり、効率が悪いばかりでなく、コスト的に
も負担であった。
【0011】
【課題を解決するための手段】本発明は、このような課
題を解決するためになされたもので、その目的は、機種
ごとにフォトマスクを用意する必要なく、共通のフォト
マスクで済ませられるようにしたSTN型液晶表示素子
用干渉パネルの製造方法を提供することにある。
【0012】本発明によれば、この目的は、シール材を
介して互いに貼り合わせられる所定の縦・横寸法を有す
る一対のITO膜付きマザー基板から、サイズなどが異
なる異機種のSTN型液晶表示素子用の干渉パネルを多
面取りするSTN型液晶表示素子用干渉パネルの製造方
法において、上記ITO膜付きマザー基板の各々に、各
機種ごとに共通とされるマザー基板同士の位置合わせマ
ークおよび空セル切断用基準マーク(共通マーク)を形
成した後、ミドルコート層、オーバーコート層およびシ
ール材などを順次形成するにあたって、そのいずれかの
工程において、一方のマザー基板に対して、得ようとす
る機種に対応するセル切断マークなどの個別マークをそ
の工程時に形成することにより達成される。
【0013】すなわち、まず、マザー基板に対してフォ
トリソ法により共通マークのみを形成する。機種ごとに
異なる位置に形成される個別マークについては、その後
の例えばシール印刷時に形成する。これにより、フォト
マスクを機種ごとに用意する必要がなく、共通マーク形
成用の一つのフォトマスクで済む。なお、個別マークを
形成する例えばシール印刷工程などは、表示セル用のも
のを援用することができる。
【0014】
【発明の実施の形態】次に、本発明を実施例により説明
する。
【0015】干渉パネルを作製するにあたって、本発明
では図1に示されているように、マザー基板1に共通マ
ークのみを形成する。このマザー基板1は6面取り基板
であるが、各セル領域Aにはマークは形成しない。マザ
ー基板1には、先に説明したように、その片面にITO
膜が付けられており、共通マークの形成はフォトリソ法
による。
【0016】この例においても、共通マークは重ね合わ
せマーク2と空セル切断時の基準となる空セル切断基準
マーク3の2つである。重ね合わせマーク2には、図2
(a)に示されている二重丸マーク2aと小丸マーク2
bとが用いられ、その各々は対角線的に配置されてい
る。
【0017】空セル切断基準マーク3は、図2(b)に
示されている十文字形であり、例えばマザー基板1をス
ティック基板に分割する際の基準位置に設けられる。図
示されていないが、このマザー基板1と対となるマザー
基板にも同様にして共通マークとしての重ね合わせマー
ク2と空セル切断基準マーク3とが形成される。
【0018】そして、表示電極のパターニングを行なう
ことなく、各マザー基板1のITO膜上にミドルコート
層とオーバーコート層(配向膜)とを順次形成した後、
ラビングする。
【0019】次に、図3に示されているように、一方の
マザー基板1の各セル領域A内に、シール材6を液晶を
封入するための注入口を開けて四角枠状に印刷する。こ
の実施例においては、このシール印刷時に個別マークと
してのセル切断マーク4を同時に形成する。図4にマザ
ー基板1の一部を摘示するが、この実施例では、セル切
断マーク4を三角形状として、各セル領域Aの四隅に配
置している。
【0020】図示されていない他方のマザー基板上には
面内スペーサを散布する。そして、マザー基板1同士を
重ね合わせマーク2に基づいて重ね合わせて圧着し、シ
ール材6を介して接合する。
【0021】しかる後、空セル切断基準マーク3に基づ
いて、マザー基板1を例えば縦1列のスティック状に分
割して注入口出しを行ない、各セル内にSTN液晶を注
入する。その注入口を樹脂にて封止した後、隣接するセ
ル領域Aのセル切断マーク4,4間の中心線(図4の一
点鎖線参照)に沿って個々のセル(干渉パネル)を切り
出す。
【0022】このようにして、干渉パネルが作製される
が、本発明によれば、フォトリソ法によってマザー基板
に形成されるマークは共通マークだけであるから、フォ
トマスクは1種類だけ用意しておけばよい。
【0023】個別マークはフォトリソ後の例えばシール
印刷により形成されるため、機種が異なるごとに、それ
に対応してフォトリソ用のフォトマスクを用意する必要
はない。なお、上記実施例では、個別マークをシール印
刷工程で形成するようにしているが、ミドルコート層も
しくはオーバーコート層の形成工程で個別マークを形成
するようにしてもよく、効果に変わりはない。
【0024】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
マザー基板に対してフォトリソ法により形成するマーク
は各機種の共通マークのみとし、各機種ごとの個別マー
クはフォトリソ後の例えばシール印刷工程などで形成す
るようにしたことにより、機種ごとにフォトリソ用のフ
ォトマスクを用意する必要がなく、共通のフォトマスク
で済ませることができる。したがって、干渉パネルを効
率よく、しかもより安価に製造することが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の製造方法の内、マザー基板に共通マー
クを形成する工程を説明するための説明図。
【図2】上記共通マークの形状を例示した図面。
【図3】本発明の製造方法の内、マザー基板に個別マー
クを形成する工程を説明するための説明図。
【図4】図4の一部を摘示した図面。
【図5】従来の製造方法を説明するための説明図。
【符号の説明】
1 マザー基板 2 重ね合わせマーク(共通マーク) 3 空セル切断基準マーク(共通マーク) 4 セル切断マーク(個別マーク) 6 シール材 A セル領域
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 杉本 晃 広島県三次市四拾貫町91番地 広島オプト 株式会社内 Fターム(参考) 2H088 EA02 FA06 FA16 FA27 HA01 HA03 HA04 MA16 2H090 HA05 HA14 HC10 HC19 JC02 JC12 JC13 LA03

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 シール材を介して互いに貼り合わせられ
    る所定の縦・横寸法を有する一対のITO膜付きマザー
    基板から、サイズなどが異なる異機種のSTN型液晶表
    示素子用の干渉パネルを多面取りするSTN型液晶表示
    素子用干渉パネルの製造方法において、 上記ITO膜付きマザー基板の各々に、各機種ごとに共
    通とされるマザー基板同士の位置合わせマークおよび空
    セル切断用基準マークを形成した後、ミドルコート層、
    オーバーコート層およびシール材などを順次形成するに
    あたって、そのいずれかの工程において、一方のマザー
    基板に対して、得ようとする機種に対応するセル切断マ
    ークなどをその工程時に形成するようにしたことを特徴
    とするSTN型液晶表示素子用干渉パネルの製造方法。
JP10372171A 1998-12-28 1998-12-28 Stn型液晶表示素子用干渉パネルの製造方法 Withdrawn JP2000193950A (ja)

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