KR20160055365A - 표시 패널 및 이의 제조 방법 - Google Patents

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KR20160055365A
KR20160055365A KR1020140154716A KR20140154716A KR20160055365A KR 20160055365 A KR20160055365 A KR 20160055365A KR 1020140154716 A KR1020140154716 A KR 1020140154716A KR 20140154716 A KR20140154716 A KR 20140154716A KR 20160055365 A KR20160055365 A KR 20160055365A
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pattern
data line
electrode
passivation layer
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KR1020140154716A
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박철원
강훈
스기타니코이치
주진호
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삼성디스플레이 주식회사
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Abstract

표시 패널은 제1 기판, 제2 기판, 액정층, 게이트 라인, 데이터 라인, 박막 트랜지스터, 유기 패턴, 제1 패시베이션층, 공통 전극, 제2 패시베이션층 및 화소 전극을 포함한다. 상기 유기 패턴은 상기 데이터 라인 및 상기 박막 트랜지스터의 측면과 접촉하며, 상기 화소 영역들과 중첩한다. 상기 제1 패시베이션층은 상기 데이터 라인, 상기 박막 트랜지스터 및 상기 유기 패턴 상에 배치된다. 상기 공통 전극은 상기 제1 패시베이션층 상에 배치되며, 상기 화소 영역들과 중첩한다. 상기 제2 패시베이션층은 상기 공통 전극을 커버한다. 상기 화소 전극은 상기 제2 패시베이션층 상에 배치되어 상기 공통 전극과 중첩하며, 제1 콘택홀을 통하여 상기 드레인 전극과 전기적으로 연결되고, 제2 콘택홀을 통하여 상기 데이터 라인과 전기적으로 연결된다.

Description

표시 패널 및 이의 제조 방법{DISPLAY PANEL AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME}
본 발명은 표시 패널 및 이의 제조 방법에 관한 것으로, 보다 상세하게는 AUA 불량 및 잔상 불량이 개선된 표시 패널 및 이의 제조 방법에 관한 것이다.
최근, 대면적이 용이하고 박형 및 경량화가 가능한 평판 디스플레이(flat panel display, FPD)가 표시 장치로서 널리 이용되고 있으며, 이러한 평판 디스플레이로는 액정 표시 장치(liquid crystal display, LCD), 플라스마 디스플레이 패널(plasma display panel, PDP), 유기 발광 표시 장치(organic light emitting display, OLED) 등이 사용되고 있다.
액정 표시 장치는 현재 가장 널리 사용되고 있는 평판 표시 장치 중 하나로서, 액정의 특정한 분자 배열에 전압을 인가하여 분자 배열을 변환시키고, 이러한 분자 배열의 변환에 의해 발광하는 액정 셀의 복굴절성, 선광성, 2 색성 및 광 산란 특성 등의 광학적 성질의 변화를 시각 변화로 변환하여 영상을 표시하는 디스플레이 장치이다.
최근, 종래의 액정 표시 장치의 낮은 측면 시인성 문제를 해결하기 위하여, PVA(patterned vertical alignment) 모드, IPS(in-plane switching) 모드 등을 갖는 액정 표시 장치가 개발되었다. 그렇지만 PVA 모드를 갖는 액정 표시 장치의 경우에는 잔상이 발생하는 문제가 있고, 측면 시야각의 증가에 한계를 가지며, IPS 모드를 갖는 액정 표시 장치는 표시되는 영상의 휘도가 낮은 단점이 있다. 이러한 단점을 해결하기 위하여, 측면 시인성과 휘도를 모두 증가시킬 수 있는 PLS(plane to line switching) 모드를 갖는 액정 표시 장치가 개발되었다.
이러한 PLS 모드를 갖는 액정 표시 장치는 기판 상에 공통 전극 및 상기 공통 전극과 중첩하는 화소 전극을 포함하며, 최근 개구율 향상을 위하여 데이터 라인과 화소 전극을 연결한다. 따라서, 상기 데이터 라인 상에 상기 데이터 라인과 화소 전극을 연결하기 위하여 콘택홀이 형성된다.
상기 콘택홀을 형성하기 위하여 2번의 노광 공정이 요구된다. 구체적으로, 상기 기판을 평탄화하기 위한 유기막을 식각하기 위한 첫번째 노광 공정 및 상기 데이터 라인을 노출하기 위한 두번째 노광 공정이 요구된다.
다만, 현재, 노광 설비의 오버레이 마진(overlay margin)은 1㎛로서, 2번의 노광 공정에 따라 원하는 콘택홀의 위치에서 최대 2㎛ 가량 엇갈려 콘택홀이 형성될 수 있다. 따라서, 상기 데이터 라인에 인접하여 형성된 유기막 상의 패시베이션층이 식각되어, 상기 유기막의 일부를 노출할 수 있다. 상기 유기막이 노출되는 경우, AUA(active unfilled area) 불량 및 고온 잔상 불량이 발생할 수 있다.
이에 본 발명의 기술적 과제는 이러한 점에서 착안된 것으로, 본 발명의 목적은 AUA 불량 및 고온 잔상 불량이 개선된 표시 패널을 제공하는 것이다.
또한, 본 발명의 다른 목적은 상기 표시 패널의 제조 방법을 제공하는 것이다.
상기한 목적을 실현하기 위한 일 실시예에 따른 표시 패널은 제1 기판, 제2 기판, 액정층, 게이트 라인, 데이터 라인, 박막 트랜지스터, 유기 패턴, 제1 패시베이션층, 공통 전극, 제2 패시베이션층 및 화소 전극을 포함한다. 상기 제1 기판은 복수의 화소 영역들을 가지며, 상기 제2 기판은 상기 제1 기판에 대향하며, 상기 액정층은 상기 제1 기판 및 상기 제2 기판 사이에 배치된다. 상기 게이트 라인은 상기 제1 기판 상에 제1 방향으로 연장되며, 상기 데이터 라인은 상기 게이트 라인 상에 배치되며, 상기 제1 방향과 교차하는 제2 방향으로 연장된다. 상기 박막 트랜지스터는 상기 게이트 라인 및 상기 데이터 라인과 연결되며, 게이트 전극, 반도체 패턴, 소스 전극 및 드레인 전극을 포함한다. 상기 유기 패턴은 상기 데이터 라인 및 상기 박막 트랜지스터의 측면과 접촉하며, 상기 화소 영역들과 중첩한다. 상기 제1 패시베이션층은 상기 데이터 라인, 상기 박막 트랜지스터 및 상기 유기 패턴 상에 배치된다. 상기 공통 전극은 상기 제1 패시베이션층 상에 배치되며, 상기 화소 영역들과 중첩한다. 상기 제2 패시베이션층은 상기 공통 전극을 커버한다. 상기 화소 전극은 상기 제2 패시베이션층 상에 배치되어 상기 공통 전극과 중첩하며, 제1 콘택홀을 통하여 상기 드레인 전극과 전기적으로 연결되고, 제2 콘택홀을 통하여 상기 데이터 라인과 전기적으로 연결된다.
일 실시예에 있어서, 상기 유기 패턴은 상기 반도체 패턴 상에 서로 이격된 상기 소스 전극 및 드레인 전극 사이에 배치될 수 있다.
일 실시예에 있어서, 상기 유기 패턴은 포지티브형 감광성 유기 물질을 포함할 수 있다.
일 실시예에 있어서, 상기 제1 패시베이션층은 상기 유기 패턴을 커버할 수 있다.
일 실시예에 있어서, 상기 화소 전극은 슬릿 패턴을 가질 수 있다.
일 실시예에 있어서, 상기 제2 콘택홀은 상기 데이터 라인 상에 형성되며, 상기 제2 콘택홀의 폭은 상기 데이터 라인의 폭보다 작게 형성될 수 있다.
일 실시예에 있어서, 상기 제2 콘택홀의 폭은 상기 데이터 라인의 폭보다 1㎛ 이하로 작게 형성될 수 있다.
일 실시예에 있어서, 컬러 필터 및 블랙 매트릭스를 더 포함하며, 상기 컬러 필터는 상기 제2 기판 상에 배치되며 상기 화소 영역들과 중첩하며, 상기 블랙 매트릭스는 상기 컬러 필터 상에 배치되며, 상기 게이트 라인, 상기 데이터 라인 및 상기 박막 트랜지스터와 중첩할 수 있다.
일 실시예에 있어서, 컬러 필터 및 블랙 매트릭스를 더 포함하며, 상기 컬러 필터는 상기 제1 기판 상에 배치되며 상기 화소 영역들과 중첩하며, 상기 블랙 매트릭스는 상기 제2 기판 상에 배치되며, 상기 게이트 라인, 상기 데이터 라인 및 상기 박막 트랜지스터와 중첩할 수 있다.
일 실시예에 있어서, 및 블랙 매트릭스를 더 포함하며, 상기 컬러 필터는 상기 제1 기판 상에 배치되며 상기 화소 영역들과 중첩하며, 상기 블랙 매트릭스는 상기 데이터 라인 및 상기 박막 트랜지스터 상에 배치될 수 있다.
상기한 목적을 실현하기 위한 다른 실시예에 따른 표시 패널의 제조 방법이 제공된다. 상기 방법에 따르면, 게이트 전극 및 상기 게이트 전극과 중첩하는 반도체 패턴이 형성된 제1 기판 상에 금속층을 형성한다. 상기 금속층 상에 포토 패턴을 형성한다. 상기 포토 패턴을 마스크로 하여 상기 금속층을 식각하여, 소스 전극, 드레인 전극 및 데이터 라인을 포함하는 데이터 패턴을 형성한다. 상기 제1 기판 상에 유기층을 형성한다. 상기 포토 패턴과 중첩하는 유기층을 현상하여 유기 패턴을 형성한다. 상기 포토 패턴을 제거한다. 상기 제1 기판 상에 무기 물질을 도포하여 제1 패시베이션층을 형성한다. 상기 제1 패시베이션층 상에 상기 유기 패턴과 중첩하는 공통 전극을 형성한다. 상기 제1 기판 상에 무기 물질을 도포하여 제2 패시베이션층을 형성한다. 상기 제1 패시베이션층 및 상기 제2 패시베이션층을 식각하여 상기 드레인 전극을 노출하는 제1 콘택홀 및 상기 데이터 라인을 노출하는 제2 콘택홀을 형성한다. 상기 제2 패시베이션층 상에 상기 공통 전극과 중첩하며, 상기 제1 콘택홀을 통하여 상기 드레인 전극과 전기적으로 연결되고, 상기 제2 콘택홀을 통하여 상기 데이터 라인과 전기적으로 연결되는 화소 전극을 형성한다. 상기 제1 기판 및 상기 제1 기판과 대향하는 제2 기판을 합착한다. 상기 제1 기판 및 상기 제2 기판 사이에 액정을 주입하여 액정층을 형성한다.
일 실시예에 있어서, 상기 유기 패턴을 경화시킬 수 있다.
일 실시예에 있어서, 상기 유기 패턴은 70℃ 내지 110℃의 온도로 경화시킬 수 있다.
일 실시예에 있어서, 상기 포토 패턴은 네거티브형 감광성 유기 물질을 포함할 수 있다.
일 실시예에 있어서, 상기 유기층은 포지티브형 감광성 유기 물질을 포함할 수 있다.
일 실시예에 있어서, 상기 무기 물질은 실리콘 산화물(SiOx) 또는 실리콘 질화물(SiNx)을 포함할 수 있다.
일 실시예에 있어서, 상기 공통 전극 및 상기 화소 전극은 인듐 틴 옥사이드(ITO), 인듐 징크 옥사이드(IZO), 알루미늄 도핑된 징크 옥사이드(AZO)를 포함하는 투명 도전체를 포함할 수 있다.
일 실시예에 있어서, 상기 화소 전극은 슬릿 패턴을 가질 수 있다.
일 실시예에 있어서, 상기 제2 콘택홀은 상기 데이터 라인 상에 형성되며, 상기 제2 콘택홀의 폭은 상기 데이터 라인의 폭보다 작게 형성될 수 있다.
일 실시예에 있어서, 상기 제2 콘택홀의 폭은 상기 데이터 라인의 폭보다 1㎛ 이하로 작게 형성될 수 있다.
본 발명의 실시예들에 따르면, 유기 패턴이 데이터 패턴과 중첩하지 않으며 액정에 노출되지 않아, AUA 불량 및 고온 잔상 불량을 방지할 수 있다.
도 1은 일 실시예에 따른 표시 패널의 제1 화소의 평면도이다.
도 2는 도 1의 I-I' 선을 따라 절단한 일 실시예에 따른 표시 패널의 단면도이다.
도 3a 내지 도 3k는 일 실시예에 따른 표시 패널의 제조 방법을 설명하기 위한 단면도들이다.
도 4는 도 1의 I-I' 선을 따라 절단한 일 실시예에 따른 표시 패널의 단면도이다.
도 5는 도 1의 I-I' 선을 따라 절단한 일 실시예에 따른 표시 패널의 단면도이다.
이하, 도면들을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예들을 보다 상세하게 설명하기로 한다.
도 1은 일 실시예에 따른 표시 패널의 제1 화소의 평면도이다. 도 2는 도 1의 I-I' 선을 따라 절단한 일 실시예에 따른 표시 패널의 단면도이다.
도 1 및 도 2를 참조하면, 상기 표시 패널은 복수의 게이트 라인들(GL), 복수의 데이터 라인들(DL) 및 복수의 화소들을 포함한다.
상기 게이트 라인(GL)은 제1 방향(D1)으로 연장될 수 있다. 상기 데이터 라인(DL)은 상기 제1 방향(D1)과 교차하는 제2 방향(D2)으로 연장될 수 있다. 이와는 달리, 상기 게이트 라인(GL)은 상기 제2 방향(D2)으로 연장될 수 있고, 상기 데이터 라인(DL)은 상기 제1 방향(D1)으로 연장될 수 있다.
상기 화소들은 매트릭스 형태로 배치된다. 상기 화소들은 상기 게이트 라인들(GL) 및 상기 데이터 라인들(DL)에 의해 정의되는 영역에 배치될 수 있다.
각 화소는 인접한 게이트 라인(GL) 및 인접한 데이터 라인(DL)에 연결될 수 있다.
예를 들어, 상기 화소는 직사각형 형상을 가질 수 있다. 이와 달리, 상기 화소는 V자 형상 및 Z 자 형상 등을 가질 수 있다.
일 실시예에 따른 표시 패널은 제1 기판(100), 제2 기판(200) 및 액정층(300)을 포함한다.
상기 제1 기판(100)은 제1 베이스 기판(110), 게이트 절연층(120), 데이터 패턴, 유기 패턴(130), 제1 패시베이션층(140), 공통 전극(CE), 제2 패시베이션층(150) 및 화소 전극(PE)을 포함한다.
상기 제1 베이스 기판(110)은 투명한 절연기판이다. 예를 들어, 유리기판 또는 투명한 플라스틱 기판일 수 있다. 상기 제1 베이스 기판(110)은 영상을 표시하는 복수의 화소 영역을 갖는다. 상기 화소 영역은 복수의 열과 복수의 행을 가진 매트릭스 형태로 배열된다. 상기 화소 영역은 상기 게이트 라인들(GL) 및 상기 데이터 라인들(DL)에 의해 정의될 수 있다.
상기 화소는 스위칭 소자(switching element)를 더 포함한다. 예를 들어, 상기 스위칭 소자는 박막 트랜지스터(Thin Film Transistor; TFT)일 수 있다. 상기 스위칭 소자는 인접한 게이트 라인(GL) 및 인접한 데이터 라인(DL)에 연결될 수 있다. 상기 스위칭 소자는 상기 게이트 라인(GL) 및 상기 데이터 라인(DL)이 교차하는 영역에 배치될 수 있다.
상기 제1 베이스 기판(110) 상에 게이트 전극(GE) 및 게이트 라인(GL)을 포함하는 게이트 패턴이 배치된다. 상기 게이트 라인(GL)은 상기 게이트 전극(GE)과 전기적으로 연결된다.
상기 게이트 절연층(120)은 상기 게이트 패턴이 배치된 상기 제1 베이스 기판(110) 상에 배치되어, 상기 게이트 패턴을 커버한다. 상기 게이트 절연층(120)은 상기 게이트 패턴을 절연한다.
상기 게이트 절연층(120) 상에 반도체 패턴(SM)을 형성한다. 상기 반도체 패턴(SM)은 상기 게이트 전극(GE)과 중첩하여 배치된다.
상기 반도체 패턴(SM)이 형성된 상기 게이트 절연층(120) 상에 데이터 라인(DL), 소스 전극(SE) 및 드레인 전극(DE)을 포함하는 데이터 패턴이 배치된다. 상기 소스 전극(SE)은 상기 반도체 패턴(SM)과 중첩하고, 상기 데이터 라인(DL)에 전기적으로 연결된다.
상기 드레인 전극(DE)은 상기 반도체 패턴(SM) 상에 상기 소스 전극(SE)으로부터 이격된다. 상기 반도체 패턴(SM)은 상기 소스 전극(SE) 및 상기 드레인 전극(DE) 사이에서 전도 채널(conductive channel)을 이룬다.
상기 게이트 전극(GE), 상기 소스 전극(SE), 상기 드레인 전극(DE) 및 상기 반도체 패턴(SM)은 상기 박막 트랜지스터(TFT)를 구성한다.
상기 게이트 절연층(120)은 무기 절연 물질을 포함할 수 있다. 예를 들어, 상기 게이트 절연층(120)은 실리콘 산화물(SiOx) 또는 실리콘 질화물(SiNx)을 포함할 수 있다.
상기 게이트 절연층(120) 상에 상기 데이터 패턴의 측면과 접촉하는 상기 유기 패턴(130)이 배치된다. 따라서, 상기 유기 패턴(130)은 상기 데이터 패턴과 중첩하지 않는다.
예를 들어, 상기 유기 패턴(130)은 상기 데이터 라인(DL) 및 상기 박막 트랜지스터(TFT)의 측면과 접촉할 수 있다. 상기 유기 패턴(130)은 상기 화소 영역들과 중첩한다.
또한, 상기 유기 패턴(130)은 상기 반도체 패턴(SM) 상에 서로 이격된 상기 소스 전극(SE) 및 상기 드레인 전극(DE) 사이에 배치될 수 있다.
상기 유기 패턴(130)은 감광성 유기 물질을 포함할 수 있다. 예를 들어, 상기 감광성 유기 물질은 포토아크릴 등과 같은 포지티브형(positive-type) 감광성 유기 물질일 수 있다.
상기 제1 패시베이션층(140)은 상기 데이터 패턴 및 상기 유기 패턴(130) 상에 배치된다. 예를 들어, 상기 제1 패시베이션층(140)은 상기 데이터 라인(DL), 상기 박막 트랜지스터(TFT) 및 상기 유기 패턴(130) 상에 배치될 수 있다.
예를 들어, 상기 제1 패시베이션층(140)은 상기 유기 패턴(130)을 커버할 수 있다. 따라서, 상기 제1 패시베이션층(140)은 상기 유기 패턴(130)의 상부면 및 측면을 커버하며, 상기 유기 패턴(130)이 노출되는 것을 방지할 수 있다.
상기 제1 패시베이션층(140)은 무기 절연 물질을 포함할 수 있다. 예를 들어, 상기 제1 패시베이션층(140)은 실리콘 산화물(SiOx) 또는 실리콘 질화물(SiNx)을 포함할 수 있다.
상기 공통 전극(CE)은 상기 제1 패시베이션층(140) 상에 배치된다. 상기 공통 전극(CE)은 상기 화소 영역들과 중첩한다.
상기 공통 전극(CE)에는 공통 전압(common voltage)이 인가되어, 상기 화소 전극(PE)과 상기 액정층(300) 내에 프린지 필드(fringe field)를 형성한다. 따라서, 상기 표시 패널이 PLS 모드로 동작할 수 있다.
예를 들어, 상기 공통 전극(CE)은 인듐 틴 옥사이드(ITO), 인듐 징크 옥사이드(IZO), 알루미늄 도핑된 징크 옥사이드(AZO)와 같은 투명 도전체를 포함할 수 있다.
상기 제2 패시베이션층(150)은 상기 공통 전극(CE)을 커버한다. 따라서, 상기 제2 패시베이션층(150)은 상기 공통 전극(CE)을 절연할 수 있다.
예를 들어, 상기 제2 패시베이션층(150)은 상기 제1 패시베이션층(140) 및 상기 공통 전극(CE) 상에 배치된다.
상기 제2 패시베이션층(150)은 무기 절연 물질을 포함할 수 있다. 예를 들어, 상기 제2 패시베이션층(150)은 실리콘 산화물(SiOx) 또는 실리콘 질화물(SiNx)을 포함할 수 있다.
상기 화소 전극(PE)은 상기 제2 패시베이션층(150) 상에 배치된다. 상기 화소 전극(PE)은 상기 공통 전극(CE)과 중첩하며, 상기 화소 전극(PE)에는 계조 전압(grayscale voltage)이 인가된다.
상기 화소 전극(PE)은 제1 콘택홀(CNT1)을 통하여 상기 박막 트랜지스터(TFT)의 상기 드레인 전극(DE)과 전기적으로 연결된다. 상기 화소 전극(PE)은 제2 콘택홀(CNT2)을 통하여 상기 데이터 라인(DL)과 전기적으로 연결된다. 따라서, 상기 화소 전극(PE)은 상기 데이터 패턴을 통하여 상기 계조 전압이 인가될 수 있다.
상기 제2 콘택홀(CNT2)은 상기 데이터 라인(DL) 상에 형성된다. 예를 들어, 상기 제2 콘택홀(CNT2)의 폭(w2)은 상기 데이터 라인(DL)의 폭(w1)보다 작을 수 있다. 예를 들어, 상기 제2 콘택홀(CNT2)의 폭(w2)은 상기 데이터 라인(DL)의 폭(w1)보다 1㎛ 이하로 작게 형성될 수 있다.
예를 들어, 상기 데이터 라인(DL)의 폭(w1)은 4㎛ 내지 6㎛ 일 수 있으며, 상기 제2 콘택홀(CNT2)의 폭(w2)은 3㎛ 내지 5㎛ 일 수 있다.
예를 들어, 상기 화소 전극(PE)은 인듐 틴 옥사이드(ITO), 인듐 징크 옥사이드(IZO), 알루미늄 도핑된 징크 옥사이드(AZO)와 같은 투명 도전체를 포함할 수 있다.
예를 들어, 상기 화소 전극(PE)은 슬릿 패턴을 가질 수 있다.
상기 화소 전극(PE) 및 상기 공통 전극(CE)은 서로 중첩하여 형성될 수 있다. 따라서, 공통 전압이 인가되는 상기 공통 전극(CE)과 계조 전압이 인가되는 상기 화소 전극(PE)에 의하여, 상기 액정층(300) 내에 프린지 필드(fringe field)를 형성한다. 따라서, 상기 표시 패널이 PLS 모드로 동작할 수 있다.
상기 제2 기판(200)은 제2 베이스 기판(210), 컬러 필터(CF) 및 블랙 매트릭스(BM)를 포함한다.
상기 제2 베이스 기판(210)은 투명한 절연기판이다. 예를 들어, 유리기판 또는 투명한 플라스틱 기판일 수 있다.
상기 컬러 필터(CF)는 상기 제2 베이스 기판(210) 상에 배치된다. 인접한 컬러 필터(CF)들은 인접한 데이터 라인들(DL) 사이에 배치될 수 있다.
상기 컬러 필터(CF)는 상기 액정층(300)을 투과하는 광에 색을 제공하기 위한 것이다. 예를 들어, 상기 컬러 필터(CF)는 적색 컬러 필터(red), 녹색 컬러 필터(green), 및 청색 컬러 필터(blue)일 수 있다.
상기 컬러 필터(CF)는 상기 각 화소 영역과 중첩한다. 서로 인접한 화소 사이에서 서로 다른 색을 갖도록 배치될 수 있다.
예를 들어, 상기 컬러 필터(CF)는 제1 방향(D1) 및 상기 제1 방향(D1)과 교차하는 제2 방향(D2)으로 서로 인접한 화소 영역의 경계에서 이격되어 형성될 수 있다. 즉, 상기 컬러 필터(CF)는 상기 제1 방향(D1) 및 상기 제2 방향(D2)으로 게이트 라인들(GL) 및 데이터 라인들(DL)을 경계로 하여 섬(island) 형태로 형성될 수 있다. 이와 달리, 상기 컬러 필터(CF)는 서로 인접한 화소 영역의 경계에서 일부가 인접한 컬러 필터(CF)에 의해 중첩될 수 있다.
상기 블랙 매트릭스(BM)는 상기 컬러 필터(CF) 상에 배치되어, 광을 차단할 수 있다.
상기 블랙 매트릭스(BM)는 화소의 비표시 영역(non-display area)에 대응되어 형성되어, 외부로부터 제공되는 광을 차단할 수 있다.
예를 들어, 상기 블랙 매트릭스(BM)는 상기 게이트 라인(GL), 상기 데이터 라인(DL) 및 상기 박막 트랜지스터(TFT)와 중첩할 수 있다.
예를 들어, 상기 블랙 매트릭스(BM)는 감광성 유기 물질을 포함하는 블랙 물질로 형성될 수 있다.
예를 들어, 상기 블랙 물질은 카본 블랙, 유/무기 안료, 또는 유색(R, G, B) 혼합 안료 등의 착색제를 포함함으로써 블랙을 나타낼 수 있다.
상기 액정층(300)은 상기 제1 기판(100) 및 상기 제2 기판(200) 사이에 배치된다.
상기 액정층(300)은 액정 분자(liquid crystal molecule)를 포함할 수 있다. 상기 액정층(300)은 상기 제1 전극 및 상기 제2 전극 사이에 인가되는 전계에 의하여 액정 분자의 배열을 조절하여 상기 화소의 광 투과율이 조절된다.
도시 하지는 않았으나, 상기 액정 표시 장치는 상기 액정층(300)의 상기 액정 분자들을 배향하기 위한 배향막(미도시)을 포함할 수 있다.
상기 배향막은 상기 액정층(300)의 상기 액정 분자들을 프리 틸트(pre-tilt)시키기 위한 것이다.
도 3a 내지 도 3k는 일 실시예에 따른 표시 패널의 제조 방법을 설명하기 위한 단면도들이다.
도 3a를 참조하면, 제1 베이스 기판(110) 상에 게이트 전극(GE)을 형성한다.
상기 게이트 전극(GE) 상에 무기 절연 물질을 증착하여, 게이트 절연층(120)을 형성한다.
상기 게이트 절연층(120) 상에 상기 게이트 전극(GE)과 중첩하는 반도체 패턴(SM)을 형성한다.
상기 반도체 패턴(SM)이 형성된 상기 게이트 절연층(120) 상에 금속 물질을 증착하여 데이터 패턴을 형성하기 위한 금속층(ML)을 형성한다.
예를 들어, 상기 금속 물질은 구리(Cu), 알루미늄(Al), 몰리브데늄(Mo), 티타늄(Ti) 또는 이들의 합금을 포함할 수 있다.
도 3b를 참조하면, 상기 금속층(ML) 상에 포토레지스트 물질을 도포하여 포토레지스트층을 형성한다.
예를 들어, 상기 포토레지스트층은 감광성 유기 물질(photosensitive organic material)을 포함할 수 있다. 상기 감광성 유기 물질은 네거티브형(negative-type) 감광성 유기 물질일 수 있다.
마스크를 이용하여 상기 포토레지스트층을 패터닝하여 상기 금속층(ML) 상에 포토 패턴(PR)을 형성할 수 있다.
상기 포토 패턴(PR)은 포토리쏘그라피 공정(photolithography process)을 통하여 상기 포토레지스트층을 패터닝하여 형성될 수 있다.
도 3c를 참조하면, 상기 포토 패턴(PR)을 마스크로 하여 상기 금속층(ML)을 식각하여, 데이터 패턴을 형성할 수 있다.
상기 데이터 패턴은 소스 전극(SE), 드레인 전극(DE) 및 데이터 라인(DL)을 포함한다.
상기 소스 전극(SE) 및 상기 드레인 전극(DE)은 상기 반도체 패턴(SM)과 중첩할 수 있다. 상기 드레인 전극(DE)은 상기 반도체 패턴(SM) 상에 상기 소스 전극(SE)으로부터 이격된다. 상기 반도체 패턴(SM)은 상기 소스 전극(SE) 및 상기 드레인 전극(DE) 사이에서 전도 채널(conductive channel)을 형성한다.
도 3d를 참조하면, 상기 데이터 패턴 및 상기 포토 패턴(PR) 상에 감광성 유기 물질을 도포하여 유기층(OL)을 형성한다.
예를 들어, 상기 감광성 유기 물질은 포토아크릴 등과 같은 포지티브형(positive-type) 감광성 유기 물질일 수 있다.
도 3e를 참조하면, 상기 포토 패턴(PR)과 중첩하는 상기 유기층(OL)의 영역을 노광한다. 상기 노광을 통하여 상기 유기층(OL)의 일부는 현상될 수 있도록 활성화된다.
상기 유기층(OL)을 현상하여 유기 패턴(130)을 형성할 수 있다. 예를 들어, 상기 유기 패턴(130)은 상기 게이트 절연층(120) 상에 배치되며, 상기 데이터 패턴의 측면과 접촉할 수 있다. 따라서, 상기 유기 패턴(130)은 상기 데이터 패턴과 중첩하지 않는다.
예를 들어, 상기 유기 패턴(130)은 상기 데이터 라인(DL) 및 상기 박막 트랜지스터(TFT)의 측면과 접촉할 수 있다. 상기 유기 패턴(130)은 상기 화소 영역들과 중첩한다.
또한, 상기 유기 패턴(130)은 상기 반도체 패턴(SM) 상에 서로 이격된 상기 소스 전극(SE) 및 상기 드레인 전극(DE)의 측면과 접촉할 수 있다. 상기 유기 패턴(130)은 상기 소스 전극(SE) 및 상기 드레인 전극(DE) 사이에 배치될 수 있다.
상기 유기층(OL)을 현상한 후, 상기 유기 패턴(130)을 경화시킬 수 있다. 상기 유기 패턴(130)은 상기 포토 패턴(PR)을 제거하기 전에 경화시킬 수 있다. 따라서, 상기 포토 패턴(PR)은 댐(dam) 역할을 하여, 상기 유기 패턴(130)이 경화되더라도 상기 데이터 패턴과 중첩하지 않는다. 예를 들어, 상기 유기 패턴(130)은 70℃ 내지 110℃의 온도로 경화될 수 있다.
도 3f를 참조하면, 상기 유기 패턴(130)을 형성한 후, 상기 포토 패턴(PR)을 제거할 수 있다.
상기 포토 패턴(PR)은 유기 용매 또는 알칼리 수용액 등으로 이루어진 스트리퍼(stripper)를 사용하여 제거할 수 있다. 예를 들어, 상기 스트리퍼는, 수산화 나트륨(sodium hydroxide, NaOH), 수산화 칼륨(potassium hydroxide, KOH) 등의 알카리 수산화물, 수산화 암모늄(ammonium hydroxide, NH3OH) 또는 테트라메틸암모늄 하이드록사이드(tetramethylammonium hydroxide, TMAH)를 함유하는 수용액을 포함할 수 있다.
도 3g를 참조하면, 상기 제1 베이스 기판(110) 상에 무기 물질을 도포하여 제1 패시베이션층(140)을 형성한다.
상기 제1 패시베이션층(140)은 상기 데이터 패턴 및 상기 유기 패턴(130) 상에 형성된다. 예를 들어, 상기 제1 패시베이션층(140)은 상기 데이터 라인(DL), 상기 박막 트랜지스터(TFT) 및 상기 유기 패턴(130) 상에 배치될 수 있다.
예를 들어, 상기 제1 패시베이션층(140)은 상기 유기 패턴(130)을 커버할 수 있다. 따라서, 상기 제1 패시베이션층(140)은 상기 유기 패턴(130)의 상부면 및 측면을 커버하며, 상기 유기 패턴(130)이 노출되는 것을 방지할 수 있다.
예를 들어, 상기 무기 물질은 실리콘 산화물(SiOx) 또는 실리콘 질화물(SiNx)을 포함할 수 있다.
도 3h를 참조하면, 상기 제1 패시베이션층(140) 상에 공통 전극(CE)을 형성한다.
상기 공통 전극(CE)은 상기 유기 패턴(130)과 중첩하여 형성될 수 있다. 상기 공통 전극(CE)은 상기 화소 영역들과 중첩한다.
상기 공통 전극(CE)에는 공통 전압(common voltage)이 인가되어, 상기 화소 전극(PE)과 상기 액정층(300) 내에 프린지 필드(fringe field)를 형성한다. 따라서, 상기 표시 패널이 PLS 모드로 동작할 수 있다.
예를 들어, 상기 공통 전극(CE)은 인듐 틴 옥사이드(ITO), 인듐 징크 옥사이드(IZO), 알루미늄 도핑된 징크 옥사이드(AZO)와 같은 투명 도전체를 포함할 수 있다.
도 3i를 참조하면, 상기 제1 베이스 기판(110) 상에 무기 물질을 도포하여 제2 패시베이션층(150)을 형성한다.
상기 제2 패시베이션층(150)은 상기 공통 전극(CE)을 커버한다. 따라서, 상기 제2 패시베이션층(150)은 상기 공통 전극(CE)을 절연할 수 있다.
예를 들어, 상기 제2 패시베이션층(150)은 상기 제1 패시베이션층(140) 및 상기 공통 전극(CE) 상에 형성된다.
예를 들어, 상기 무기 물질은 실리콘 산화물(SiOx) 또는 실리콘 질화물(SiNx)을 포함할 수 있다.
도 3j를 참조하면, 상기 제1 패시베이션층(140) 및 상기 제2 패시베이션층(150)을 식각하여, 제1 콘택홀(CNT1) 및 제2 콘택홀(CNT2)을 형성한다.
상기 제1 패시베이션층(140) 및 상기 제2 패시베이션층(150)의 일부가 제거되어 상기 제1 콘택홀(CNT1)을 통하여, 상기 드레인 전극(DE)의 일부를 노출한다.
상기 제1 패시베이션층(140) 및 상기 제2 패시베이션층(150)의 일부가 제거되어 상기 제2 콘택홀(CNT2)을 통하여, 상기 데이터 라인(DL)의 일부를 노출한다.
상기 제2 콘택홀(CNT2)은 상기 데이터 라인(DL) 상에 형성된다. 예를 들어, 상기 제2 콘택홀(CNT2)의 폭(w2)은 상기 데이터 라인(DL)의 폭(w1)보다 작을 수 있다. 예를 들어, 상기 제2 콘택홀(CNT2)의 폭(w2)은 상기 데이터 라인(DL)의 폭(w1)보다 1㎛ 이하로 작게 형성될 수 있다.
예를 들어, 상기 데이터 라인(DL)의 폭(w1)은 4㎛ 내지 6㎛ 일 수 있으며, 상기 제2 콘택홀(CNT2)의 폭(w2)은 3㎛ 내지 5㎛ 일 수 있다.
도 3k를 참조하면, 상기 제2 패시베이션층(150) 상에 화소 전극(PE)을 형성한다.
상기 화소 전극(PE)은 상기 공통 전극(CE)과 중첩하며, 상기 화소 전극(PE)에는 계조 전압(grayscale voltage)이 인가된다.
상기 화소 전극(PE)은 제1 콘택홀(CNT1)을 통하여 상기 박막 트랜지스터(TFT)의 상기 드레인 전극(DE)과 전기적으로 연결된다. 상기 화소 전극(PE)은 제2 콘택홀(CNT2)을 통하여 상기 데이터 라인(DL)과 전기적으로 연결된다. 따라서, 상기 화소 전극(PE)은 상기 데이터 패턴을 통하여 상기 계조 전압이 인가될 수 있다.
예를 들어, 상기 화소 전극(PE)은 인듐 틴 옥사이드(ITO), 인듐 징크 옥사이드(IZO), 알루미늄 도핑된 징크 옥사이드(AZO)와 같은 투명 도전체를 포함할 수 있다.
예를 들어, 상기 화소 전극(PE)은 슬릿 패턴을 가질 수 있다.
상기 화소 전극(PE) 및 상기 공통 전극(CE)은 서로 중첩하여 형성될 수 있다. 따라서, 공통 전압이 인가되는 상기 공통 전극(CE)과 계조 전압이 인가되는 상기 화소 전극(PE)에 의하여, 상기 액정층(300) 내에 프린지 필드(fringe field)를 형성한다. 따라서, 상기 표시 패널이 PLS 모드로 동작할 수 있다.
도 2 내지 도 3k를 참조하면, 제2 베이스 기판(210) 상에 컬러 필터(CF) 및 블랙 매트릭스(BM)을 형성할 수 있다.
상기 제2 기판(200)은 투명한 절연기판이다. 예를 들어, 유리기판 또는 투명한 플라스틱 기판일 수 있다.
상기 컬러 필터(CF)는 상기 제2 베이스 기판(210) 상에 형성된다. 인접한 컬러 필터(CF)들은 인접한 데이터 라인들(DL) 사이에 형성될 수 있다.
상기 블랙 매트릭스(BM)은 상기 컬러 필터(CF) 상에 형성된다.
상기 블랙 매트릭스(BM)는 화소의 비표시 영역(non-display area)에 대응되어 형성되어, 외부로부터 제공되는 광을 차단할 수 있다.
예를 들어, 상기 블랙 매트릭스(BM)는 상기 게이트 라인(GL), 상기 데이터 라인(DL) 및 상기 박막 트랜지스터(TFT)와 중첩할 수 있다.
예를 들어, 상기 블랙 매트릭스(BM)는 감광성 유기 물질을 포함하는 블랙 물질로 형성될 수있다.
예를 들어, 상기 블랙 물질은 카본 블랙, 유/무기 안료, 또는 유색(R, G, B) 혼합 안료 등의 착색제를 포함함으로써 블랙을 나타낼 수 있다.
상기 제1 기판(100)에 대향하도록 상기 제2 기판(200)을 배치할 수 있다.
상기 제1 기판(100) 및 상기 제2 기판(200) 상에 액정을 주입하여 상기 액정층(300)을 형성할 수 있다.
상기 액정층(300)은 액정 분자(liquid crystal molecule)를 포함할 수 있다. 상기 액정층(300)은 상기 플라즈몬 컬러 필터(PCF) 및 상기 화소 전극(PE) 사이에 인가되는 전계에 의하여 액정 분자의 배열을 조절하여 상기 화소의 광 투과율이 조절된다.
도시 하지는 않았으나, 상기 표시 패널은 상기 액정층(300)의 상기 액정 분자들을 배향하기 위한 배향막(미도시)을 포함할 수 있다.
상기 배향막은 상기 액정층(300)의 상기 액정 분자들을 프리 틸트(pre-tilt)시키기 위한 것이다.
도 4는 도 1의 I-I' 선을 따라 절단한 일 실시예에 따른 표시 패널의 단면도이다.
도 4의 일 실시예에 따른 표시 패널은 제1 기판(100)이 컬러 필터(CF)를 포함하는 것을 제외하고는 도 1 내지 도 2의 일 실시예에 따른 표시 패널과 동일한 바, 중복되는 설명은 생략하거나 간략히 하도록 한다.
도 4를 참조하면, 일 실시예에 따른 표시 패널은 제1 기판(100), 제2 기판(200) 및 액정층(300)을 포함한다.
상기 제1 기판(100)은 제1 베이스 기판(110), 게이트 절연층(120), 데이터 패턴, 컬러 필터(CF), 유기 패턴(130), 제1 패시베이션층(140), 공통 전극(CE), 제2 패시베이션층(150) 및 화소 전극(PE)을 포함한다. 즉, 상기 제1 기판은 컬러 필터가 어레이 기판에 형성된 COA(color filter on array) 구조를 갖는다.
상기 컬러 필터(CF)는 상기 게이트 절연층(120) 상에 배치된다. 상기 컬러 필터(CF)는 상기 화소 영역들과 중첩한다.
인접한 컬러 필터(CF)들은 인접한 데이터 라인들(DL) 사이에 배치될 수 있다.
상기 컬러 필터(CF)는 상기 액정층(300)을 투과하는 광에 색을 제공하기 위한 것이다. 예를 들어, 상기 컬러 필터(CF)는 적색 컬러 필터(red), 녹색 컬러 필터(green), 및 청색 컬러 필터(blue)일 수 있다.
상기 컬러 필터(CF)는 상기 각 화소 영역에 대응하여 제공된다. 서로 인접한 화소 사이에서 서로 다른 색을 갖도록 배치될 수 있다.
예를 들어, 상기 컬러 필터(CF)는 제1 방향(D1) 및 상기 제1 방향(D1)과 교차하는 제2 방향(D2)으로 서로 인접한 화소 영역의 경계에서 이격되어 형성될 수 있다. 즉, 상기 컬러 필터(CF)는 상기 제1 방향(D1) 및 상기 제2 방향(D2)으로 게이트 라인들(GL) 및 데이터 라인들(DL)을 경계로 하여 섬(island) 형태로 형성될 수 있다. 이와 달리, 상기 컬러 필터(CF)는 서로 인접한 화소 영역의 경계에서 일부가 인접한 컬러 필터(CF)에 의해 중첩될 수 있다.
상기 유기 패턴(130)은 상기 컬러 필터(CF) 상에 배치된다. 예를 들어, 상기 유기 패턴(130)은 상기 컬러 필터(CF)를 커버할 수 있다.
상기 제2 기판(200)은 제2 베이스 기판(210) 및 블랙 매트릭스(BM)를 포함한다.
상기 액정층(300)은 상기 제1 기판(100) 및 상기 제2 기판(200) 사이에 배치된다.
도 5는 도 1의 I-I' 선을 따라 절단한 일 실시예에 따른 표시 패널의 단면도이다.
도 5의 일 실시예에 따른 표시 패널은 제1 기판(100)이 블랙 매트릭스(BM)를 포함하는 것을 제외하고는 도 4의 일 실시예에 따른 표시 패널과 동일한 바, 중복되는 설명은 생략하거나 간략히 하도록 한다.
도 5를 참조하면, 일 실시예에 따른 표시 패널은 제1 기판(100), 제2 기판(200) 및 액정층(300)을 포함한다.
상기 제1 기판(100)은 제1 베이스 기판(110), 게이트 절연층(120), 데이터 패턴, 컬러 필터(CF), 유기 패턴(130), 제1 패시베이션층(140), 공통 전극(CE), 제2 패시베이션층(150), 화소 전극(PE) 및 블랙 매트릭스(BM)를 포함한다. 즉, 상기 제1 기판은 컬러 필터가 어레이 기판에 형성된 COA(color filter on array) 구조 및 블랙 매트릭스가 어레이 기판에 형성된 BOA 구조(black matrix on array)를 갖는다.
상기 블랙 매트릭스(BM)는 상기 제1 베이스 기판(110) 상에 배치되어, 광을 차단할 수 있다.
상기 블랙 매트릭스(BM)는 화소의 비표시 영역(non-display area)에 대응되어 형성되어, 외부로부터 제공되는 광을 차단할 수 있다.
예를 들어, 상기 블랙 매트릭스(BM)는 상기 게이트 라인(GL), 상기 데이터 라인(DL) 및 상기 박막 트랜지스터(TFT) 상에 배치되어, 이들과 중첩할 수 있다.
예를 들어, 상기 블랙 매트릭스(BM)는 감광성 유기 물질을 포함하는 블랙 물질로 형성될 수 있다.
예를 들어, 상기 블랙 물질은 카본 블랙, 유/무기 안료, 또는 유색(R, G, B) 혼합 안료 등의 착색제를 포함함으로써 블랙을 나타낼 수 있다.
예를 들어, 상기 블랙 매트릭스(BM)은 상기 제1 기판(100) 및 상기 제2 기판(200)의 셀 갭(cell gap)을 유지하는 컬럼 스페이서의 역할을 할 수 있다.
상기 제2 기판(200)은 제2 베이스 기판(210)을 포함한다.
상기 액정층(300)은 상기 제1 기판(100) 및 상기 제2 기판(200) 사이에 배치된다.
이상에서는 실시예들을 참조하여 설명하였지만, 해당 기술 분야의 숙련된 통상의 기술자는 하기의 특허 청구의 범위에 기재된 본 발명의 사상 및 영역으로부터 벗어나지 않는 범위 내에서 본 발명을 다양하게 수정 및 변경시킬 수 있음을 이해할 수 있을 것이다.
본 발명의 실시예들에 따른 표시 패널 및 이의 제조 방법은 액정 표시 장치 등에 적용될 수 있다.
100, 200: 제1, 2 기판 110, 210: 제1, 2 베이스 기판
120: 게이트 절연층 130: 유기 패턴
140: 제1 패시베이션층 150: 제2 패시베이션층
300: 액정층 CF: 컬러 필터
BM: 블랙 매트릭스 CE: 공통 전극
PE: 화소 전극

Claims (20)

  1. 복수의 화소 영역들을 가지는 제1 기판;
    상기 제1 기판에 대향하는 제2 기판;
    상기 제1 기판 및 상기 제2 기판 사이에 배치되는 액정층;
    상기 제1 기판 상에 제1 방향으로 연장되는 게이트 라인;
    상기 게이트 라인 상에 배치되며, 상기 제1 방향과 교차하는 제2 방향으로 연장되는 데이터 라인;
    상기 게이트 라인 및 상기 데이터 라인과 연결되며, 게이트 전극, 반도체 패턴, 소스 전극 및 드레인 전극을 포함하는 박막 트랜지스터;
    상기 데이터 라인 및 상기 박막 트랜지스터의 측면과 접촉하며, 상기 화소 영역들과 중첩하는 유기 패턴;
    상기 데이터 라인, 상기 박막 트랜지스터 및 상기 유기 패턴 상에 배치되는 제1 패시베이션층;
    상기 제1 패시베이션층 상에 배치되며, 상기 화소 영역들과 중첩하는 공통 전극;
    상기 공통 전극을 커버하는 제2 패시베이션층; 및
    상기 제2 패시베이션층 상에 배치되어 상기 공통 전극과 중첩하며, 제1 콘택홀을 통하여 상기 드레인 전극과 전기적으로 연결되고, 제2 콘택홀을 통하여 상기 데이터 라인과 전기적으로 연결되는 화소 전극을 포함하는 표시 패널.
  2. 제1항에 있어서, 상기 유기 패턴은 상기 반도체 패턴 상에 서로 이격된 상기 소스 전극 및 드레인 전극 사이에 더 배치되는 것을 특징으로 하는 표시 패널.
  3. 제1항에 있어서, 상기 유기 패턴은 포지티브형 감광성 유기 물질을 포함하는 것을 특징으로 하는 표시 패널.
  4. 제1항에 있어서, 상기 제1 패시베이션층은 상기 유기 패턴을 커버하는 것을 특징으로 하는 표시 패널.
  5. 제1항에 있어서, 상기 화소 전극은 슬릿 패턴을 가지는 것을 특징으로 하는 표시 패널.
  6. 제1항에 있어서, 상기 제2 콘택홀은 상기 데이터 라인 상에 형성되며, 상기 제2 콘택홀의 폭은 상기 데이터 라인의 폭보다 작은 것을 특징으로 하는 표시 패널.
  7. 제6항에 있어서, 상기 제2 콘택홀의 폭은 상기 데이터 라인의 폭보다 1㎛ 이하로 작게 형성되는 것을 특징으로 하는 표시 패널.
  8. 제1항에 있어서, 상기 제2 기판 상에 배치되며, 상기 화소 영역들과 중첩하는 컬러 필터; 및
    상기 컬러 필터 상에 배치되며, 상기 게이트 라인, 상기 데이터 라인 및 상기 박막 트랜지스터와 중첩하는 블랙 매트릭스를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 표시 패널.
  9. 제1항에 있어서, 상기 제1 기판 상에 배치되며, 상기 화소 영역들과 중첩하는 컬러 필터; 및
    상기 제2 기판 상에 배치되며, 상기 게이트 라인, 상기 데이터 라인 및 상기 박막 트랜지스터와 중첩하는 블랙 매트릭스를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 표시 패널.
  10. 제1항에 있어서, 상기 제1 기판 상에 배치되며, 상기 화소 영역들과 중첩하는 컬러 필터; 및
    상기 데이터 라인 및 상기 박막 트랜지스터 상에 배치되며, 상기 제1 기판 및 상기 제2 기판 사이의 셀 갭을 유지하는 블랙 컬럼 스페이서를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 표시 패널.
  11. 게이트 전극 및 상기 게이트 전극과 중첩하는 반도체 패턴이 형성된 제1 기판 상에 금속층을 형성하는 단계;
    상기 금속층 상에 포토 패턴을 형성하는 단계;
    상기 포토 패턴을 마스크로 하여 상기 금속층을 식각하여, 소스 전극, 드레인 전극 및 데이터 라인을 포함하는 데이터 패턴을 형성하는 단계;
    상기 제1 기판 상에 유기층을 형성하는 단계;
    상기 포토 패턴과 중첩하는 유기층을 현상하여 유기 패턴을 형성하는 단계;
    상기 포토 패턴을 제거하는 단계;
    상기 제1 기판 상에 무기 물질을 도포하여 제1 패시베이션층을 형성하는 단계;
    상기 제1 패시베이션층 상에 상기 유기 패턴과 중첩하는 공통 전극을 형성하는 단계;
    상기 제1 기판 상에 무기 물질을 도포하여 제2 패시베이션층을 형성하는 단계;
    상기 제1 패시베이션층 및 상기 제2 패시베이션층을 식각하여 상기 드레인 전극을 노출하는 제1 콘택홀 및 상기 데이터 라인을 노출하는 제2 콘택홀을 형성하는 단계;
    상기 제2 패시베이션층 상에 상기 공통 전극과 중첩하며, 상기 제1 콘택홀을 통하여 상기 드레인 전극과 전기적으로 연결되고, 상기 제2 콘택홀을 통하여 상기 데이터 라인과 전기적으로 연결되는 화소 전극을 형성하는 단계;
    상기 제1 기판 및 상기 제1 기판과 대향하는 제2 기판을 합착하는 단계; 및
    상기 제1 기판 및 상기 제2 기판 사이에 액정을 주입하여 액정층을 형성하는 단계를 포함하는 표시 패널의 제조 방법.
  12. 제11항에 있어서, 상기 유기 패턴을 경화시키는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 표시 패널의 제조 방법.
  13. 제12항에 있어서, 상기 유기 패턴은 70℃ 내지 110℃의 온도로 경화되는 것을 특징으로 하는 표시 패널의 제조 방법.
  14. 제11항에 있어서, 상기 포토 패턴은 네거티브형 감광성 유기 물질을 포함하는 것을 특징으로 하는 표시 패널의 제조 방법.
  15. 제11항에 있어서, 상기 유기층은 포지티브형 감광성 유기 물질을 포함하는 것을 특징으로 하는 표시 패널의 제조 방법.
  16. 제11항에 있어서, 상기 무기 물질은 실리콘 산화물(SiOx) 또는 실리콘 질화물(SiNx)을 포함하는 것을 특징으로 하는 표시 패널의 제조 방법.
  17. 제11항에 있어서, 상기 공통 전극 및 상기 화소 전극은 인듐 틴 옥사이드(ITO), 인듐 징크 옥사이드(IZO), 알루미늄 도핑된 징크 옥사이드(AZO)로 이루어진 그룹에서 선택된 하나 이상을 포함하는 투명 도전체를 포함하는 것을 특징으로 하는 표시 패널의 제조 방법.
  18. 제11항에 있어서, 상기 화소 전극은 슬릿 패턴을 가지는 것을 특징으로 하는 표시 패널의 제조 방법.
  19. 제11항에 있어서, 상기 제2 콘택홀은 상기 데이터 라인 상에 형성되며, 상기 제2 콘택홀의 폭은 상기 데이터 라인의 폭보다 작은 것을 특징으로 하는 표시 패널의 제조 방법.
  20. 제6항에 있어서, 상기 제2 콘택홀의 폭은 상기 데이터 라인의 폭보다 1㎛ 이하로 작게 형성되는 것을 특징으로 하는 표시 패널의 제조 방법.
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