CN109633938B - 曝光对准方法 - Google Patents
曝光对准方法 Download PDFInfo
- Publication number
- CN109633938B CN109633938B CN201811545453.7A CN201811545453A CN109633938B CN 109633938 B CN109633938 B CN 109633938B CN 201811545453 A CN201811545453 A CN 201811545453A CN 109633938 B CN109633938 B CN 109633938B
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- group
- alignment marks
- substrates
- alignment
- substrate
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
Images
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/1303—Apparatus specially adapted to the manufacture of LCDs
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70691—Handling of masks or workpieces
- G03F7/70733—Handling masks and workpieces, e.g. exchange of workpiece or mask, transport of workpiece or mask
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70691—Handling of masks or workpieces
- G03F7/70775—Position control, e.g. interferometers or encoders for determining the stage position
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/708—Construction of apparatus, e.g. environment aspects, hygiene aspects or materials
- G03F7/7085—Detection arrangement, e.g. detectors of apparatus alignment possibly mounted on wafers, exposure dose, photo-cleaning flux, stray light, thermal load
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F9/00—Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically
- G03F9/70—Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically for microlithography
- G03F9/7092—Signal processing
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Nonlinear Science (AREA)
- Public Health (AREA)
- Epidemiology (AREA)
- Environmental & Geological Engineering (AREA)
- Signal Processing (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
Abstract
本发明公开一种曝光对准方法包含以下步骤:对第一组基板的多个对位标记中的每一个进行计测并进行平均,以得到第一计测平均值;对第二组基板的多个组的对位标记中的一组进行计测以得到多个第二计测值;对第一计测平均值及多个第二计测值进行比较,以得到一预测补偿值;及使用预测补偿值对第二组基板未进行计测的其他多个组的对位标记的对准进行补偿。如此可以改善曝光的节拍时间,提升基板的产能。
Description
技术领域
本发明是有关于一种曝光对准方法,特别是有关于一种液晶面板阵列基板的曝光对准方法。
背景技术
现今,液晶面板行业中通常阵列光刻产线(Array Photo Line)是阵列基板厂产能瓶颈,而曝光机则为光刻产线的瓶颈设备,如果节拍时间过高将成为整条光刻产线乃至阵列基板厂的生产瓶颈。因此需要改善曝光机的节拍时间以提升阵列基板厂的产能。
一般而言,曝光机的节拍时间包含对准时间和曝光时间,通过设计优化曝光机对准模式(Alignment Mode),可有效缩短设备节拍时间,提高设备的生产效率。
现有技术的曝光机(例如Canon公司的曝光机搭配的对准系统为OAS 混合AA对准系统(以下简称“OAS对准系统”),是一种对阵列基板上所有对位标记进行计测的技术。例如以1个批次28枚阵列基板为例,在对每枚阵列基板进行曝光制程之前,均需要对每枚阵列基板上所有对位标记进行计测。
故,有必要提供一种曝光对准方法,以解决现有技术所存在的问题。
发明内容
有鉴于此,本发明提供一种曝光对准方法,以解决现有技术所存在的节拍时间过高成为整条光刻产线生产瓶颈的问题。
本发明的主要目的在于提供一种曝光对准方法,其可以有效缩短设备节拍时间,提高设备的生产效率。
本发明的次要目的在于提供一种曝光对准方法,其可以使曝光机设备的节拍时间降低。
为达成本发明的前述目的,本发明一实施例提供一种曝光对准方法,包含以下步骤:(a)提供多个基板,包含一第一组基板及一第二组基板,所述第一组基板具有多个对位标记,所述第二组基板具有多个组的对位标记;(b) 对所述第一组基板的所述多个对位标记中的每一个进行计测,以得到多个第一计测值;(c)对所述多个第一计测值进行平均,以得到一第一计测平均值; (d)对所述第二组基板的所述多个组的对位标记中的一组进行计测以得到多个第二计测值;(e)对所述第一计测平均值及所述多个第二计测值进行比较,以得到一预测补偿值;及(f)使用所述预测补偿值对所述第二组基板未进行计测的其他多个组的对位标记的对准进行补偿。
再者,本发明另一实施例提供另一种曝光对准方法,包含以下步骤:(a) 提供多个基板单元,包含一第一组基板单元及一第二组基板单元,所述第一组基板单元具有多个对位标记,所述第二组基板单元具有多个对位标记;(b) 对所述第一组基板单元的所有对位标记中的每一个进行计测,以得到多个第一计测值;(c)对所述第二组基板单元的所述多个组的对位标记中的一组进行计测以得到多个第二计测值;(d)对所述第一计测计测值及所述多个第二计测值进行比较,以得到一预测补偿值;及(e)使用所述预测补偿值对所述第二组基板单元未进行计测的其他多个组的对位标记的对准进行补偿。
在本发明的一实施例中,所述第一组基板的所述多个对位标记具有一第一组对位标记、一第二组对位标记及一第三组对位标记,其中所述步骤(b) 为:依序对所述第一组基板中的一第一基板的所述第一组对位标记、所述第二组对位标记及所述第三组对位标记进行计测,当所述第一基板的所述多个对位标记计测完成后,依序对所述第一组基板中的一第二基板的所述第一组对位标记、所述第二组对位标记及所述第三组对位标记进行计测。
在本发明的一实施例中,所述第二组基板的所述多个组的对位标记具有一第一组对位标记、一第二组对位标记及一第三组对位标记,其中所述第二组对位标记位于所述多个基板的一中间区段处。
在本发明的一实施例中,所述步骤(d)为仅对所述第二组基板的所述第二组对位标记进行计测以得到所述多个第二计测值。
在本发明的一实施例中,所述多个基板为多个液晶面板的阵列基板。
在本发明的一实施例中,所述第一组基板单元的所述多个对位标记具有一第一组对位标记、一第二组对位标记及一第三组对位标记,其中所述步骤 (b)为:依序对所述第一组基板单元中的一第一基板单元的所述第一组对位标记、所述第二组对位标记及所述第三组对位标记进行计测,当所述第一基板单元的所述多个对位标记计测完成后,依序对所述第一组基板单元中的一第二基板单元的所述第一组对位标记、所述第二组对位标记及所述第三组对位标记进行计测。
在本发明的一实施例中,所述第二组基板单元的所述多个组的对位标记具有一第一组对位标记、一第二组对位标记及一第三组对位标记,其中所述第二组对位标记位于所述多个基板单元的一中间区段处。
在本发明的一实施例中,所述步骤(c)为仅对所述第二组基板单元的所述第二组对位标记进行计测以得到所述多个第二计测值。
在本发明的一实施例中,在所述步骤(b)及(c)之间还包含:对所述多个第一计测值进行平均,以得到一第一计测平均值;以及其中所述步骤(d) 为对所述第一计测平均值及所述多个第二计测值进行比较。
与现有技术相比较,本发明的曝光对准方法,这样不但可简化曝光时曝光机对基板的对准工艺,还可以使得曝光机的节拍时间有效缩短。
为让本发明的上述内容能更明显易懂,下文特举优选实施例,并配合所附图式,作详细说明如下:
附图说明
图1是本发明第一实施例曝光对准方法的流程示意图。
图2是本发明第一实施例曝光对准方法的示意图。
具体实施方式
相关技术人员将理解,为简单及清楚起见,在图中所示的元件不一定按比例绘制。也就是说,在各种实施例中,图示所选择的元件以强化功能的理解及功能的设置。在市面上实施的案例中,一般容易理解且可能是有用或必需的元件,为方便以下的实施例的示意图不一定会描述。另外应了解的是,描述或描绘一方法的实施例中的某些动作及/或步骤,不一定需要以特定的顺序出现,对于本领域的技术人员而言,这样的特异性序列不一定需要。另外要了解的是,在说明书中所使用的词汇及用语皆具有一般的含义,除非本文所记载的还有其他特定的含义,不然对于这些词汇及用语皆为各自相应领域调查及研究的含义。
为使本发明实施例的目的、技术方案及优点更加清楚,下面将结合本发明实施例的附图,对本发明实施例的技术方案进行清楚、完整地描述。显然地,所描述的实施例是本发明的一部分实施例,而不是全部的实施例。基于所描述的本发明的实施例,本领域普通技术人员所获得的所有其他实施例,都属于本发明保护的范围。
除非另作定义,此处使用的技术术语或者科学术语应当为本发明所属领域内具有一般技能的人±所理解的通常意义。本发明专利申请说明书及权利要求书中使用的“第一”、“第二”及类似的词语并不表示任何顺序、数量或者重要性,而只是用来区分不同的组成部分。同样,“一个”或者“一”等类似词语也不表示数量限制,而是表示存在至少一个,包含复数引用,除非上下文另有明确规定。例如,术语“一绝缘导热件”或“至少一个绝缘导热件”可以包含多个绝缘导热件,包含其组合物。
以下各实施例的说明是参考附加的图式,用以例示本发明可用以实施的特定实施例。再者,本发明所提到的方向用语,例如上、下、顶、底、前、后、左、右、内、外、侧面、周围、中央、水平、横向、垂直、纵向、轴向、径向、最上层或最下层等,仅是参考附加图式的方向。因此,使用的方向用语是用以说明及理解本发明,而非用以限制本发明。
本文所用术语“节拍时间(tact time)”是指在一定时间长度内,总有效生产时间与客户需求数量的比值,随需求数量及需求期的有效工作时间的变化而变化。
请参照图1所示,本发明第一实施例的曝光对准方法主要包含以下步骤: (S11)提供多个基板,包含一第一组基板及一第二组基板,所述第一组基板具有多个对位标记,所述第二组基板具有多个组的对位标记;(S12)对所述第一组基板的所述多个对位标记中的每一个进行计测,以得到多个第一计测值;(S13)对所述多个第一计测值进行平均,以得到一第一计测平均值; (S14)对所述第二组基板的所述多个组的对位标记中的一组进行计测以得到多个第二计测值;(S15)对所述第一计测平均值及所述多个第二计测值进行比较,以得到一预测补偿值;及(S16)使用所述预测补偿值对所述第二组基板未进行计测的其他多个组的对位标记的对准进行补偿。
本发明将于下文利用图1至2逐一详细说明第一实施例上述各元件的细部构造、组装关系及其运作原理。
请参考图1及图2所示,如图1的步骤S11所示,提供多个基板1,包含一第一组基板11及一第二组基板12,所述第一组基板11具有多个对位标记,所述第二组基板12具有多个组的对位标记。本实施例中,所述多个基板为多个液晶面板的阵列基板,例如每个阵列基板具有3*2个基板单元。本实施例中,所述多个基板1总共为28枚基板。本实施例中,所述第一组基板 11为三枚基板,所述第二组基板12为25枚基板。所述第一组基板的所述多个对位标记具有一第一组对位标记111、一第二组对位标记112及一第三组对位标记113。本实施例中,所述第一组基板的所述第一组对位标记111位于所述第一组基板的一上部区段,所述第一组基板的所述第二组对位标记 112位于所述第一组基板的一中部区段,及所述第一组基板的所述第三组对位标记113位于所述第一组基板的一底部区段。
请参考图1及图2所示,如图1的步骤S12所示,对所述第一组基板的所述多个对位标记中的每一个进行计测,以得到多个第一计测值。例如,依序对所述第一组基板11中的一第一基板的所述第一组对位标记111、所述第二组对位标记112及所述第三组对位标记113进行计测。以本实施例的3*2 个基板单元为例,依序对所述第一组基板11中的一第一基板(例如,第一排的基板)的所述第一组对位标记111、所述第二组对位标记112及所述第三组对位标记113进行计测,当所述第一基板的所述多个对位标记计测完成后,依序对所述第一组基板11中的一第二基板(例如,第二排的基板)的所述第一组对位标记111、所述第二组对位标记112及所述第三组对位标记113进行计测,对所述第一组基板11的所有对位标记计测完成后,得到多个第一计测值。接著,如图1的步骤S13所示,对所述多个第一计测值进行平均,以得到一第一计测平均值。
请参考图1及图2所示,所述第二组基板12具有多个组的对位标记,例如一第一组的多个对位标记121、一第二组的多个对位标记122及一第三组的多个对位标记123。如图1的步骤S14所示,对所述第二组基板12的所述多个组的对位标记中的一组进行计测以得到多个第二计测值,例如对所述第二组基板12的所述第二组的对位标记122进行计测以得到多个第二计测值。本实施例中,所述第二组对位标记122位于所述多个基板的一中间区段处。本实施例中,仅对所述第二组基板12的所述第二组对位标记122进行计测以得到所述多个第二计测值,而不对所述第二组基板12的其他组的对位标记进行计测。如此,可以节省对位的计测时间。
请参考图1的步骤S15所示,对所述第一计测平均平均值及所述多个第二计测值进行比较,以得到一预测补偿值。接著,如图1的步骤S16所示,使用所述预测补偿值对所述第二组基板未进行计测的其他多个组的对位标记的对准进行补偿。
本发明第二实施例的另一种曝光对准方法,包含以下步骤:(a)提供多个基板单元,包含一第一组基板单元及一第二组基板单元,所述第一组基板单元具有多个对位标记,所述第二组基板单元具有多个对位标记;(b)对所述第一组基板单元的所有对位标记中的每一个进行计测,以得到多个第一计测值;(c)对所述第二组基板单元的所述多个组的对位标记中的一组进行计测以得到多个第二计测值;(d)对所述第一计测计测值及所述多个第二计测值进行比较,以得到一预测补偿值;及(e)使用所述预测补偿值对所述第二组基板单元未进行计测的其他多个组的对位标记的对准进行补偿。所述第一组基板单元的所述多个对位标记具有一第一组对位标记、一第二组对位标记及一第三组对位标记,其中所述步骤(b)为:依序对所述第一组基板单元中的一第一基板单元的所述第一组对位标记、所述第二组对位标记及所述第三组对位标记进行计测,当所述第一基板单元的所述多个对位标记计测完成后,依序对所述第一组基板单元中的一第二基板单元的所述第一组对位标记、所述第二组对位标记及所述第三组对位标记进行计测。所述第二组基板单元的所述多个组的对位标记具有一第一组对位标记、一第二组对位标记及一第三组对位标记,其中所述第二组对位标记位于所述多个基板单元的一中间区段处。所述步骤(c)为仅对所述第二组基板单元的所述第二组对位标记进行计测以得到所述多个第二计测值。在所述步骤(b)及(c)之间还包含:对所述多个第一计测值进行平均,以得到一第一计测平均值;以及其中所述步骤(d)为对所述第一计测平均值及所述多个第二计测值进行比较。
如上所述,相较于现有曝光对准方法存在的节拍时间过高成为整条光刻产线生产瓶颈的问题,本发明曝光对准方法通过将多个基板分为第一组基板及第二组基板,对第一组基板的所有对位标记进行计测,而仅对第二组基板的对位标记进行计测,再经由比较两者的计测值来得到一预测补偿值,利用所述预测补偿值对第二组基板的对位进行补偿位移,其确实可以有效可以有效缩短设备节拍时间,进而提高设备的生产效率。
可以理解,本发明中的特定特征,为清楚起见,在分开的实施例的内文中描述,也可以在单一实施例的组合中提供。相反地,本发明中,为简洁起见,在单一实施例的内文中所描述的各种特征,也可以分开地、或者以任何合适的子组合、或者在适用于本发明的任何其他描述的实施例中提供。在各种实施例的内文中所描述的特定特征,并不被认为是那些实施方案的必要特征,除非该实施例没有那些元素就不起作用。
虽然本发明结合其具体实施例而被描述,应该理解的是,许多替代、修改及变化对于那些本领域的技术人员将是显而易见的。因此,其意在包含落入所附权利要求书的范围内的所有替代、修改及变化。
本发明已由上述相关实施例加以描述,然而上述实施例仅为实施本发明的范例。必需指出的是,已公开的实施例并未限制本发明的范围。相反地,包含于权利要求书的精神及范围的修改及均等设置均包括于本发明的范围内。
Claims (9)
1.一种曝光对准方法,其特征在于:所述曝光对准方法包含以下步骤:
(a)提供多个基板,包含一第一组基板及一第二组基板,所述第一组基板具有多个对位标记,所述第二组基板具有多个组的对位标记;
(b)对所述第一组基板的所述多个对位标记中的每一个进行计测,以得到多个第一计测值;
(c)对所述多个第一计测值进行平均,以得到一第一计测平均值;
(d)对所述第二组基板的所述多个组的对位标记中的一组进行计测以得到多个第二计测值;
(e)对所述第一计测平均值及所述多个第二计测值进行比较,以得到一预测补偿值;及
(f)使用所述预测补偿值对所述第二组基板未进行计测的其他多个组的对位标记的对准进行补偿。
2.如权利要求1所述的曝光对准方法,其特征在于:所述第一组基板的所述多个对位标记具有一第一组对位标记、一第二组对位标记及一第三组对位标记,其中所述步骤(b)为:依序对所述第一组基板中的一第一基板的所述第一组对位标记、所述第二组对位标记及所述第三组对位标记进行计测,当所述第一基板的所述多个对位标记计测完成后,依序对所述第一组基板中的一第二基板的所述第一组对位标记、所述第二组对位标记及所述第三组对位标记进行计测。
3.如权利要求1所述的曝光对准方法,其特征在于:所述第二组基板的所述多个组的对位标记具有一第一组对位标记、一第二组对位标记及一第三组对位标记,其中所述第二组对位标记位于所述多个基板的一中间区段处。
4.如权利要求3所述的曝光对准方法,其特征在于:所述步骤(d)为仅对所述第二组基板的所述第二组对位标记进行计测以得到所述多个第二计测值。
5.如权利要求1所述的曝光对准方法,其特征在于:所述多个基板为多个液晶面板的阵列基板。
6.一种曝光对准方法,其特征在于:所述曝光对准方法包含以下步骤︰
(a)提供多个基板单元,包含一第一组基板单元及一第二组基板单元,所述第一组基板单元具有多个对位标记,所述第二组基板单元具有多个对位标记;
(b)对所述第一组基板单元的所有对位标记中的每一个进行计测,以得到多个第一计测值;
(c)对所述第二组基板单元的多个组的对位标记中的一组进行计测以得到多个第二计测值;
(d)对所述第一计测值及所述多个第二计测值进行比较,以得到一预测补偿值;及
(e)使用所述预测补偿值对所述第二组基板单元未进行计测的其他多个组的对位标记的对准进行补偿,
在所述步骤(b)及(c)之间还包含:对所述多个第一计测值进行平均,以得到一第一计测平均值;以及其中所述步骤(d)为对所述第一计测平均值及所述多个第二计测值进行比较。
7.如权利要求6所述的曝光对准方法,其特征在于:所述第一组基板单元的所述多个对位标记具有一第一组对位标记、一第二组对位标记及一第三组对位标记,其中所述步骤(b)为:依序对所述第一组基板单元中的一第一基板单元的所述第一组对位标记、所述第二组对位标记及所述第三组对位标记进行计测,当所述第一基板单元的所述多个对位标记计测完成后,依序对所述第一组基板单元中的一第二基板单元的所述第一组对位标记、所述第二组对位标记及所述第三组对位标记进行计测。
8.如权利要求6所述的曝光对准方法,其特征在于:所述第二组基板单元的所述多个组的对位标记具有一第一组对位标记、一第二组对位标记及一第三组对位标记,其中所述第二组对位标记位于所述多个基板单元的一中间区段处。
9.如权利要求8所述的曝光对准方法,其特征在于:所述步骤(c)为仅对所述第二组基板单元的所述第二组对位标记进行计测以得到所述多个第二计测值。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN201811545453.7A CN109633938B (zh) | 2018-12-17 | 2018-12-17 | 曝光对准方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN201811545453.7A CN109633938B (zh) | 2018-12-17 | 2018-12-17 | 曝光对准方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN109633938A CN109633938A (zh) | 2019-04-16 |
CN109633938B true CN109633938B (zh) | 2021-11-23 |
Family
ID=66074812
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN201811545453.7A Active CN109633938B (zh) | 2018-12-17 | 2018-12-17 | 曝光对准方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
CN (1) | CN109633938B (zh) |
Citations (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
TW406202B (en) * | 1995-05-29 | 2000-09-21 | Ibm | Liquid crystal display device and method for manufacture thereof |
CN101006555A (zh) * | 2004-08-19 | 2007-07-25 | 株式会社尼康 | 对准信息显示方法及其程序、对准方法、曝光方法、组件制造方法、显示系统、显示装置、程序及测定/检查装置 |
CN101587307A (zh) * | 2008-05-21 | 2009-11-25 | 恩益禧电子股份有限公司 | 曝光对准方法和曝光设备 |
CN101900933A (zh) * | 2009-06-01 | 2010-12-01 | 北京京东方光电科技有限公司 | 使用掩模板曝光工艺的基板及其对位方法 |
CN103092005A (zh) * | 2013-01-21 | 2013-05-08 | 深圳市华星光电技术有限公司 | 玻璃基板的曝光对位方法 |
CN105988305A (zh) * | 2015-02-28 | 2016-10-05 | 上海微电子装备有限公司 | 硅片预对准方法 |
CN108762005A (zh) * | 2018-04-17 | 2018-11-06 | 信利(惠州)智能显示有限公司 | 掩膜版曝光偏移量检测方法、装置、计算机和存储介质 |
Family Cites Families (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
TWI498626B (zh) * | 2005-11-15 | 2015-09-01 | Semiconductor Energy Lab | 液晶顯示裝置 |
NL2007615A (en) * | 2010-11-30 | 2012-05-31 | Asml Netherlands Bv | Method of operating a patterning device and lithographic apparatus. |
CN103676284B (zh) * | 2013-12-27 | 2016-03-16 | 合肥京东方光电科技有限公司 | 一种成盒对位方法 |
-
2018
- 2018-12-17 CN CN201811545453.7A patent/CN109633938B/zh active Active
Patent Citations (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
TW406202B (en) * | 1995-05-29 | 2000-09-21 | Ibm | Liquid crystal display device and method for manufacture thereof |
CN101006555A (zh) * | 2004-08-19 | 2007-07-25 | 株式会社尼康 | 对准信息显示方法及其程序、对准方法、曝光方法、组件制造方法、显示系统、显示装置、程序及测定/检查装置 |
CN101587307A (zh) * | 2008-05-21 | 2009-11-25 | 恩益禧电子股份有限公司 | 曝光对准方法和曝光设备 |
CN101900933A (zh) * | 2009-06-01 | 2010-12-01 | 北京京东方光电科技有限公司 | 使用掩模板曝光工艺的基板及其对位方法 |
CN103092005A (zh) * | 2013-01-21 | 2013-05-08 | 深圳市华星光电技术有限公司 | 玻璃基板的曝光对位方法 |
CN105988305A (zh) * | 2015-02-28 | 2016-10-05 | 上海微电子装备有限公司 | 硅片预对准方法 |
CN108762005A (zh) * | 2018-04-17 | 2018-11-06 | 信利(惠州)智能显示有限公司 | 掩膜版曝光偏移量检测方法、装置、计算机和存储介质 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN109633938A (zh) | 2019-04-16 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
WO2020259150A1 (zh) | 显示装置、显示控制方法以及驱动装置 | |
CN109036244B (zh) | 曲面显示屏的Mura补偿方法、装置及计算机设备 | |
US20140226323A1 (en) | Pixel structure of organic light emitting display device | |
US8325313B2 (en) | Cambered liquid crystal display panel | |
KR100768491B1 (ko) | 액정표시장치의 제조 방법 | |
KR102069019B1 (ko) | 계조 조정 방법 및 장치 | |
US11624770B2 (en) | Micro device arrangement in donor substrate | |
KR20080089792A (ko) | 평판표시장치의 표시결함 보상방법 및 장치 | |
CN110364126B (zh) | LOD Table调整方法及LOD Table调整系统 | |
US11227527B2 (en) | Display panel having different color sub-pixels in the same column | |
US20230161209A1 (en) | Array substrate and display panel | |
CN104483785A (zh) | 一种显示面板及显示装置 | |
CN103792723B (zh) | 显示基板及其制造方法、驱动方法和显示装置 | |
CN109767718B (zh) | 一种驱动背板及显示装置 | |
CN111061104B (zh) | 阵列基板缺陷的修补方法及存储介质 | |
CN109633938B (zh) | 曝光对准方法 | |
CN105280842A (zh) | 用于在oled制程中量测子像素偏移量的方法 | |
US20180304430A1 (en) | Method and apparatus of symmetrically chamfering substrate | |
KR102174474B1 (ko) | 표시장치 및 그것의 구동 방법 | |
CN107728355A (zh) | 显示器 | |
US20150378070A1 (en) | Color film substrate and curved display device | |
US20210343221A1 (en) | Pixel array | |
CN103466412B (zh) | 一种空心电梯导轨的接导件 | |
CN114326191B (zh) | 曲面显示面板及曲面显示装置 | |
KR101967957B1 (ko) | 밸런스 표시유닛 및, 롤의 정렬상태 측정장치 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
PB01 | Publication | ||
PB01 | Publication | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
CB02 | Change of applicant information | ||
CB02 | Change of applicant information |
Address after: 9-2 Tangming Avenue, Guangming New District, Shenzhen City, Guangdong Province Applicant after: TCL Huaxing Photoelectric Technology Co.,Ltd. Address before: 9-2 Tangming Avenue, Guangming New District, Shenzhen City, Guangdong Province Applicant before: Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co.,Ltd. |
|
GR01 | Patent grant | ||
GR01 | Patent grant |