CN107728355A - 显示器 - Google Patents

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Abstract

提供一种显示器，所述显示器包括：第一基底；第二基底，与第一基底相对设置；电极部，设置在第一基底和第二基底中的至少一个上；液晶层，设置在第一基底与第二基底之间。液晶层包括液晶组合物。液晶组合物包括包含环戊二烯基的液晶化合物中的至少一种。

Description

显示器
技术领域
本发明的示例性实施例涉及液晶组合物，更具体地，涉及包括该液晶组合物的液晶显示器。
背景技术
液晶显示器可以包括第一基底、第二基底和液晶层。第一基底可以包括多个像素电极。第二基底可以包括共电极。液晶层可以设置在第一基底与第二基底之间。液晶显示器可以显示图像。液晶显示器可以通过根据形成在每个像素电极与共电极之间的电场改变液晶层的透光率来显示图像。液晶显示器可以包括均分别包括像素电极的多个像素。
随着液晶显示器被开发并且可以实现二维图像和三维图像，液晶显示器可以具有能够向用户提供更大量的图像信息的配置。因此，可期望具有相对更高的可靠性和相对更快的驱动速度的液晶显示器。
发明内容
本发明的示例性实施例提供具有相对低的旋转粘度的液晶组合物和包括该液晶组合物的液晶显示器。
本发明的一个或更多个示例性实施例提供显示器。所述显示器包括第一基底、第二基底、电极部和液晶层。第二基底与第一基底相对设置。电极部设置在第一基底和第二基底中的至少一个上。液晶层设置在第一基底与第二基底之间。液晶层包括液晶组合物。液晶组合物包括至少一种液晶化合物。
液晶化合物由式1至式3表示：
[式1]
[式2]
[式3]
A和B均独立地为1,4-亚环己基或1,4-亚苯基。A和B的-H均独立地被-F、-Cl、-OCF3、-CF3、-CHF2、-CH2F或者1或2个碳原子的烷基或烷氧基取代或者未被取代。
Y是-H或者1至10个碳原子的烷基。一个或更多个-CH2-基均独立地被-C≡C-、-CH＝CH-、-CF2O-、-O-、-CO-O-、-O-CO-或-O-CO-O-取代或者未被取代，使得O原子不直接彼此连接。-H被卤素原子取代或者未被取代。
X1至X4均独立地为-H、-F、-Cl或者1或2个碳原子的烷基。
n和m均独立地为选自于0至2的整数。
La和Lb均独立地为单键、-C≡C-、-COO-、-OCO-、-CF2O-、-OCF2-、-CH2O-、-CO-、-O-、-(CH2)2-或-CH＝CH-。
相对于液晶组合物，式1至式3的液晶化合物可以是处于超过大约0重量％至大约50重量％的量。
式1的液晶化合物可以包括由下面的式1-1表示的液晶化合物中的至少一种：
[式1-1]
A、La和Y可以与式1中的定义相同。
式1-1的液晶化合物可以包括由下面的式1-1-1至式1-1-3表示的液晶化合物中的至少一种：
[式1-1-1]
[式1-1-2]
[式1-1-3]
液晶组合物包括由下面的式4表示的液晶化合物中的至少一种：
[式4]
Y1和Y2可以均独立地为-F、-Cl或1至15个碳原子的烷基。一个或更多个-CH2-基可以均独立地被-C≡C-、-CH＝CH-、-CF2O-、-O-、-CO-O-、-O-CO-或-O-CO-O-取代或者未被取代，使得O原子不直接彼此连接。-H可以被卤素原子取代或未被取代。
A1、B1和C1可以均独立地为1,4-亚环己基或1,4-亚苯基。A1、B1和C1的-H可以均独立地被-F、-Cl、-OCF3、-CF3、-CHF2、-CH2F或者1或2个碳原子的烷基或烷氧基取代或者未被取代。
l和r可以均独立地为选自于0至2的整数。
LX和LY可以均独立地为单键、-C≡C-、-COO-、-OCO-、-CF2O-、-OCF2-、-CH2O-、-CO-、-O-、-(CH2)2-或-CH＝CH-。
式4的液晶化合物可以包括由下面的式4-1至式4-8表示的液晶化合物中的至少一种：
[式4-1]
[式4-2]
[式4-3]
[式4-4]
[式4-5]
[式4-6]
[式4-7]
[式4-8]
Y1和Y2可以与式4中所定义的相同。
式4的液晶化合物可以包括由下面的式4-9至式4-19表示的液晶化合物中的至少一种：
[式4-9]
[式4-10]
[式4-11]
[式4-12]
[式4-13]
[式4-14]
[式4-15]
[式4-16]
[式4-17]
[式4-18]
[式4-19]
Y1和Y2可以与式4中所定义的相同。
液晶组合物可以具有负介电各向异性。
液晶显示器可以包括取向层。取向层可以设置在第一基底与液晶层和第二基底与液晶层中的至少一者之间。取向层可以包括由下面的式5表示的单体聚合的聚合物：
[式5]
Rp和Rq均独立地为1至12个碳原子的丙烯酸酯基、甲基丙烯酸酯基、环氧基、氧杂环丁烷基、乙烯醚基或苯乙烯基。
L1至L3均独立地为单键、1或2个碳原子的醚基、羰基或羧基。
o是选自于1或2的整数。
液晶层可以以垂直取向模式驱动。
附图说明
通过参照附图对本发明的示例性实施例的详细描述，本发明的以上和其它特点将变得更加明显，在附图中：
图1是示出了根据本发明的示例性实施例的液晶显示器的示意性框图；
图2是示出了根据本发明的示例性实施例的液晶显示器的平面图；
图3是根据本发明的示例性实施例的沿图2的线I-I'截取的剖视图；
图4是示出了根据本发明的示例性实施例的液晶显示器的平面图；
图5是根据本发明的示例性实施例的沿图4的线II-II'截取的剖视图。
具体实施方式
下面将参照附图更详细地描述本发明的示例性实施例。在这点上，示例性实施例可以具有不同的形式，并不应该解释为局限于这里所描述的本发明的示例性实施例。
在整个说明书和附图中，同样的附图标记可以表示同样的元件。
将理解的是，尽管可以在此使用术语“第一”和“第二”来描述各种组件，但是这些组件不应该受这些术语的限制。
为了描述的清楚，可以夸大附图中的元件的尺寸。
将理解的是，当诸如层、膜、区域或板的组件被称为“在”另一组件“上”时，该组件可以直接在所述另一组件上，或者可以存在中间组件。
本发明的一个或更多个示例性实施例涉及液晶组合物。所述液晶组合物可以用于液晶显示器中。所述液晶组合物可以具有负介电各向异性。
根据本发明的示例性实施例的液晶组合物可以包括具有环戊二烯基的液晶化合物中的至少一种。具有环戊二烯基的液晶化合物可以由下面的式1至式3中的至少一种表示：
[式1]
[式2]
[式3]
在式1至式3中：
A和B可以均独立地为1,4-亚环己基或1,4-亚苯基；
A和B的-H可以均独立地被-F、-Cl、-OCF3、-CF3、-CHF2、-CH2F或者1或2个碳原子的烷基或烷氧基取代或者未被取代；
Y可以是-H或者1至10个碳原子的烷基。至少一个-CH2-基可以均独立地被-C≡C-、-CH＝CH-、-CF2O-、-O-、-CO-O-、-O-CO-或-O-CO-O-取代或者未被取代。因此，O原子可以不直接彼此连接。氢原子可以被卤素原子取代或者未被取代。
n和m可以均独立地为选自于0至2的整数；
X1至X4可以均独立地为-H、-F、-Cl或者1或2个碳原子的烷基；
La和Lb可以均独立地为单键、-C≡C-、-COO-、-OCO-、-CF2O-、-OCF2-、-CH2O-、-CO-、-O-、-(CH2)2-或-CH＝CH-。
根据本发明的示例性实施例，相对于总液晶组合物，具有环戊二烯基的液晶化合物可以是处于超过大约0重量％至大约50重量％的量。因此，相对于总液晶组合物，由式1至式3表示的液晶化合物可以是处于超过大约0重量％至大约50重量％的量。作为示例，根据本发明的示例性实施例，液晶组合物可以包括相对于总液晶组合物的处于超过大约0重量％至大约50重量％的量的由式1表示的液晶化合物。可选择地，液晶组合物可以包括相对于总液晶组合物的均处于超过大约0重量％至大约50重量％的量的由式1和式2表示的液晶化合物。
当省略由式1至式3表示的液晶化合物时，通过式1至式3的液晶化合物的液晶显示器的响应速度的增大不会发生。当由式1至式3表示的液晶化合物的量超过大约50重量％时，会难以控制总液晶组合物的介电各向异性、折射各向异性或旋转粘度。
然而，由式1至式3表示的液晶化合物的组成比例不限于上述范围。由式1至式3表示的液晶化合物可以具有在可获得上述效果的范围内的另外的组成比例。根据本发明的示例性实施例，相对于总液晶组合物，由式1至式3表示的液晶化合物可以是处于超过大约0重量％至大约30重量％的量。根据本发明的示例性实施例，相对于总液晶组合物，由式1至式3表示的液晶化合物可以是处于超过大约10重量％至大约25重量％的量。
由式1至式3表示的液晶化合物可以具有取代或未取代的环戊二烯基。因此，可以获得相对低的旋转粘度。环戊二烯基中的双键可以被卤素基团或烷基取代或者未被取代。因此，当环戊二烯基中的双键被卤素基团或烷基取代时，可以发生空间位阻效应。因此，可以抑制双键与具有相对高的反应性的另一官能团的反应。
根据本发明的示例性实施例，当液晶显示器包括根据本发明的示例性实施例的液晶化合物时，液晶化合物的旋转粘度的降低可以增大液晶显示器的响应速度。上升时间可以表示液晶分子被电场改变的时间。下降时间Toff可以表示改变的液晶分子返回到原始状态的时间。下降时间和旋转粘度可以满足下面的式1。在式1中，γ1可以表示液晶分子的旋转粘度；d可以表示第一基底与第二基底之间的距离，例如，盒间隙；K33可以表示弯曲弹性系数。
[式1]
根据本发明的示例性实施例，液晶化合物的旋转粘度可以减小。因此，下降时间可以减少。因此，液晶显示器的响应速度可以增大。
根据本发明的示例性实施例，由式1表示的液晶化合物可以包括由下面的式1-1表示的液晶化合物中的至少一种。根据本发明的示例性实施例，由式2和式3表示的液晶化合物可以包括各种类型的液晶化合物。
根据本发明的示例性实施例，由式1表示的液晶化合物可以包括由下面的式1-1表示的液晶化合物中的至少一种。
[式1-1]
在式1-1中，A、La和Y可以与式1中所定义的相同。
根据本发明的示例性实施例，由式1-1表示的液晶化合物可以包括由下面的式1-1-1至式1-1-3表示的液晶化合物中的至少一种。
[式1-1-1]
[式1-1-2]
[式1-1-3]
由式1-1-1至式1-1-3表示的液晶化合物可以具有环戊二烯基。因此，可以保持相对低的旋转粘度和相对高的折射各向异性。相对低的旋转粘度可以由环戊二烯基的双键引起。
液晶组合物可以包括其它类型的液晶化合物。除了上述液晶化合物之外，液晶组合物可以包括其它类型的液晶化合物。液晶组合物可以包括各种添加剂。可以使用本公开所属的领域中的各种添加剂。相对于总液晶组合物，除了具有环戊二烯基的液晶化合物之外的液晶化合物或添加剂可以是处于不少于大约50重量％至大约99.9重量％的量。可以根据需要控制液晶化合物的组成比例和添加剂的组成比例。
液晶组合物可以包括由下面的式4表示的液晶化合物中的至少一种。
[式4]
在式4中：
Y1和Y2可以均独立地为-F、-Cl或1至15个碳原子的烷基。至少一个-CH2-基可以均独立地被-C≡C-、-CH＝CH-、-CF2O-、-O-、-CO-O-、-O-CO-或-O-CO-O-取代或者未被取代。O原子可以不直接彼此连接。-H可以被卤素原子取代或未被取代，
A1、B1和C1可以均独立地为1,4-亚环己基或1,4-亚苯基；
A1、B1和C1的-H可以均独立地被-F、-Cl、-OCF3、-CF3、-CHF2、-CH2F或者1或2个碳原子的烷基或烷氧基取代或者未被取代；
l和r可以均独立地为选自于0至2的整数；
LX和LY可以均独立地为单键、-C≡C-、-COO-、-OCO-、-CF2O-、-OCF2-、-CH2O-、-CO-、-O-、-(CH2)2-或-CH＝CH-。
根据本发明的示例性实施例，由式4表示的液晶化合物可以包括由下面的式4-1至式4-8表示的液晶化合物中的至少一种。
[式4-1]
[式4-2]
[式4-3]
[式4-4]
[式4-5]
[式4-6]
[式4-7]
[式4-8]
在式4-1至式4-8中，Y1和Y2可以与式4中所定义的相同。
根据本发明的示例性实施例，由式4表示的液晶化合物可以包括由下面的式4-9至式4-19表示的液晶化合物中的至少一种。
[式4-9]
[式4-10]
[式4-11]
[式4-12]
[式4-13]
[式4-14]
[式4-15]
[式4-16]
[式4-17]
[式4-18]
[式4-19]
在式4-9至式4-19中，Y1和Y2可以与式4中所定义的相同。
液晶组合物可以包括由式4-1至式4-8表示的液晶化合物中的至少一种。可选择地，液晶组合物可以包括由式4-9至式4-19表示的液晶化合物中的至少一种。液晶组合物可以包括由式4-1至式4-8表示的液晶化合物中的至少一种和由式4-9至式4-19表示的液晶化合物中的至少一种。
液晶组合物可以具有负介电各向异性。一些液晶化合物可以具有正介电各向异性。然而，作为液晶化合物的总和的液晶组合物可以具有负介电各向异性。
液晶组合物可以包括单体。可以使单体聚合以形成取向层。单体可以由式5表示。
[式5]
在式5中，Rp和Rq可以均独立地为1至6个碳原子的反应性基团。反应性基团可以引起聚合反应。反应性基团可以是1至12个碳原子的丙烯酸酯基、甲基丙烯酸酯基、环氧基、氧杂环丁烷基、乙烯醚基或苯乙烯基。
在式5中，L1至L3可以均独立地为单键、1或2个碳原子的醚基、羰基或羧基。
在式5中，o可以是选自于1或2的整数。
根据本发明的示例性实施例的液晶组合物可以包括各种添加剂。具体地，液晶组合物可以包括抗氧化剂。液晶组合物可以包括稳定剂。可以使用各种物质作为稳定剂。例如，可以使用受阻胺光稳定剂(HALS)类的稳定剂作为稳定剂。
根据本发明的示例性实施例的液晶组合物可以包括在液晶显示器中。液晶组合物可以包括在例如垂直取向(VA)模式、边缘场切换(FFS)模式、平面切换(IPS)模式或平面到光切换(PLS)模式的各种模式的液晶显示器中。具体地，液晶组合物在相对低的旋转粘度下可呈现相对高的负介电各向异性和相对高的折射各向异性。因此，液晶组合物可以包括在VA模式的液晶显示器中。VA模式可以包括负性液晶材料。负性液晶材料可以包括例如多畴垂直取向(MVA)模式、图案化垂直取向(PVA)模式或聚合物稳定垂直取向(PS-VA)模式。液晶组合物可以具有相对高的折射各向异性，同时具有相对低的旋转粘度。因此，当液晶组合物包括在VA液晶显示器中时，可以提供高质量的图像。
液晶组合物可以包括在液晶显示器的液晶层中。
图1是示出根据本发明的示例性实施例的液晶显示器的示意性框图。
参照图1，液晶显示器可以包括显示面板PNL、时序控制器TC、栅极驱动器GDV和数据驱动器DDV。
显示面板PNL可以是液晶面板。液晶面板可以包括第一基底、第二基底和液晶层。液晶层可以设置在第一基底与第二基底之间。
显示面板PNL可以包括多条栅极线GL1、GL2、……、和GLm。栅极线GL1至GLm可以在第一方向D1(例如，行方向)上延伸。显示面板PNL可以包括多条数据线DL1、DL2、DL3、DL4、……、和DLn。数据线DL1至DLn可以在第二方向D2(例如，列方向)上延伸。第二方向D2可以与第一方向D1相交。显示面板PNL可以包括多个像素PX。像素PX可以布置在第一方向D1和第二方向D2上。
时序控制器TC可以从外部图形控制器接收图像数据RGB。时序控制器TC可以从外部图形控制器接收控制信号。控制信号可以包括垂直同步信号Vsync。垂直同步信号Vsync可以是帧区别信号。控制信号可以包括水平同步信号Hsync。水平同步信号Hsync可以是行区别信号。控制信号可以包括数据使能信号DES。数据使能信号DES对于输出数据以显示数据进入的区域的部分可以具有相对高的电平。控制信号可以包括主时钟信号MCLK。
时序控制器TC可以将图像数据RGB转换为适合于数据驱动器DDV的规格。时序控制器TC可以将转换的图像数据DATA输出到数据驱动器DDV。时序控制器TC可以产生栅极控制信号GS1。时序控制器TC可以产生数据控制信号DS1。时序控制器TC可以基于控制信号产生栅极控制信号GS1和数据控制信号DS1。时序控制器TC可以将栅极控制信号GS1输出到栅极驱动器GDV。时序控制器TC可以将数据控制信号DS1输出到数据驱动器DDV。栅极控制信号GS1可以是用于驱动栅极驱动器GDV的信号。数据控制信号DS1可以是用于驱动数据驱动器DDV的信号。
栅极驱动器GDV可以产生栅极信号。栅极信号可以基于栅极控制信号GS1。栅极驱动器GDV可以将栅极信号输出到栅极线GL1至GLm。栅极控制信号GS1可以包括扫描开始信号。扫描开始信号可以指示扫描开始。栅极控制信号GS1可以包括至少一个时钟信号。该至少一个时钟信号可以控制栅极导通电压的输出时间段。栅极控制信号GS1可以包括输出使能信号。输出使能信号可以限制例如栅极导通电压的维持时间。
数据驱动器DDV可以产生灰阶电压。灰阶电压可以对应于图像数据DATA。灰阶电压可以与基于数据控制信号DS1的图像数据DATA对应。数据驱动器DDV可以将灰阶电压输出到数据线DL1至DLn。数据驱动器DDV可以将灰阶电压作为数据电压输出到数据线DL1至DLn。数据电压可以包括正数据电压。正数据电压可以相对于共电压具有正值。数据电压可以包括负数据电压。负数据电压可以相对于共电压具有负值。数据控制信号DS1可以包括水平开始信号。水平开始信号可以将图像数据DATA的传输的开始通知给数据驱动器DDV。数据控制信号DS1可以包括负载信号。负载信号可以指示数据驱动器DDV将数据电压施加到数据线DL1至DLn。数据控制信号DS1可以包括反转信号。反转信号可以相对于共电压反转数据电压的极性。
时序控制器TC、栅极驱动器GDV和数据驱动器DDV中的每个可以以至少一个集成电路芯片的形式直接安装在显示面板PNL上。时序控制器TC、栅极驱动器GDV和数据驱动器DDV中的每个可以安装在柔性印刷电路板上。柔性印刷电路板可以以带载封装(TCP)的形式附着到显示面板PNL。时序控制器TC、栅极驱动器GDV和数据驱动器DDV中的每个可以安装在单独的印刷电路板上。可选择地，栅极驱动器GDV和数据驱动器DDV中的至少一个可以与栅极线GL1至GLm、数据线DL1至DLn以及晶体管集成在显示面板PNL上。时序控制器TC、栅极驱动器GDV和数据驱动器DDV可以集成为单个芯片。
可以以各种形式实现图1中示出的液晶显示器，并且本发明的示例性实施例不限于此。
图2是示出根据本发明的示例性实施例的液晶显示器的平面图。图3是根据本发明的示例性实施例的沿图2的线I-I'截取的剖视图。图4是根据本发明的示例性实施例的液晶显示器的平面图。图5是根据本发明的示例性实施例的沿图4的II-II'线截取的剖视图。
参照图2和图3，液晶显示器可以包括第一基底SUB1、第二基底SUB2和液晶层LC。第二基底SUB2可以与第一基底SUB1相对设置。例如，第二基底SUB2可以设置在第一基底SUB1的上方。液晶层可以设置在第一基底SUB1与第二基底SUB2之间。
第一基底SUB1可以包括第一基体基底BS1、多条栅极线GL、多条数据线DL、多个像素PX和第一取向层ALN1。
第一基底SUB1可以包括多个像素区域。像素区域可以以矩阵形式布置。可以对应于各个像素区域设置像素PX。每个像素PX可以连接到顺序地布置的数据线中的对应的数据线。每个像素PX可以连接到相邻的栅极线中的对应的栅极线。根据本发明的示例性实施例，连接有一个像素的栅极线可以被称为栅极线GL。连接有一个像素的数据线可以被称为数据线DL。
栅极线GL可以形成在第一基体基底BS1上。栅极线GL可以在第一方向D1上延伸。数据线DL可以形成在栅极线GL上。数据线DL可以在第二方向D2上延伸。栅极绝缘层GI可以设置在数据线DL与栅极线GL之间。第二方向D2可以与第一方向D1相交。栅极绝缘层GI可以设置在第一基体基底BS1的表面上。例如，栅极绝缘层GI可以设置在第一基体基底BS1的上表面上。栅极绝缘层GI可以覆盖栅极线GL。
每个像素PX可以连接到栅极线中的对应的栅极线GL。每个像素PX可以连接到数据线中的对应的数据线DL。
每个像素PX可以包括薄膜晶体管TR、像素电极PE和存储电极部。像素电极PE可以连接到薄膜晶体管TR。
薄膜晶体管TR可以包括栅电极GE、半导体图案SM、源电极SE和漏电极DE。
栅电极GE可以从栅极线GL突出。可选择地，栅电极GE可以设置在栅极线GL的区域上。例如，栅电极GE可以设置在栅极线GL的部分区域上。
栅电极GE可以包括金属。栅电极GE可以包括镍、铬、钼、铝、钛、铜、钨和它们的合金中的至少一种。栅电极GE可以具有单层结构。可选择地，栅电极GE可以具有多层结构。单层结构和多层结构可以均包括金属。例如，栅电极GE可以具有钼、铝和钼顺序地堆叠的三层结构。栅电极GE可以具有钛和铜顺序地堆叠的双层结构。可选择地，栅电极GE可以是钛或铜的合金的单层。
栅极绝缘层GI可以设置在栅电极GE上方。
半导体图案SM可以设置在栅极绝缘层GI上。半导体图案SM可以设置在栅电极GE上。栅极绝缘层GI可以设置在半导体图案SM与栅电极GE之间。半导体图案SM的区域可以与栅电极GE叠置。例如，半导体图案SM的部分区域可以与栅电极GE叠置。半导体图案SM可以包括掺杂或未掺杂的硅薄膜。可选择地，半导体图案SM可以包括硅薄膜。硅薄膜可以是非晶的或结晶的。半导体图案SM可以包括晶体或非晶的氧化物半导体薄膜。
源电极SE可以从数据线DL分支。源电极SE可以设置在欧姆接触层上。源电极SE的区域可以与栅电极GE叠置。例如，源电极SE的部分区域可以与栅电极GE叠置。
漏电极DE可以与源电极SE间隔开。半导体图案SM可以设置在漏电极DE与源电极SE之间。漏电极DE可以设置在欧姆接触层上。漏电极DE的区域可以与栅电极GE叠置。例如，漏电极DE的部分区域可以与栅电极GE叠置。
源电极SE和漏电极DE可以包括镍、铬、钼、铝、钛、铜、钨和它们的合金中的至少一种。源电极SE和漏电极DE可以具有单层结构。可选择地，源电极SE和漏电极DE可以具有多层结构。单层结构和多层结构可以均包括金属。例如，源电极SE和漏电极DE中的每个可以具有钛和铜顺序地堆叠的双层结构。可选择地，源电极SE和漏电极DE中的每个可以具有包括包含钛和铜的合金的单层结构。
源电极SE和漏电极DE可以彼此间隔开。因此，可以暴露半导体图案SM的上表面。可以在源电极SE和漏电极DE之间暴露半导体图案SM的上表面。设置在源电极SE与漏电极DE之间的半导体图案SM可以形成导电沟道。导电沟道可以设置在源电极SE与漏电极DE之间。导电沟道可以基于栅电极GE是否被施加电压来形成。
存储电极部可以包括存储线SL。存储线SL可以在第一方向D1上延伸。存储电极部可以包括第一分支电极LSL和第二分支电极RSL。第一分支电极LSL和第二分支电极RSL可以均从存储线SL分支。第一分支电极LSL和第二分支电极RSL可以均在第二方向D2上延伸。
像素电极PE可以连接到漏电极DE。保护层PSV可以设置在像素电极PE与漏电极DE之间。像素电极PE可以与存储线SL叠置。例如，像素电极PE可以与存储线SL部分叠置。像素电极PE可以与第一分支电极LSL和第二分支电极RSL叠置。例如，像素电极PE可以与第一分支电极LSL和第二分支电极RSL部分叠置。与存储线SL以及第一分支电极LSL和第二分支电极RSL中的每个部分叠置的像素电极PE可以形成存储电容器。
保护层PSV可以覆盖源电极SE、漏电极DE、导电沟道和栅极绝缘层GI。保护层PSV可以具有接触孔CH。漏电极DE的一部分可以通过接触孔CH被暴露。保护层PSV可以包括例如氮化硅或氧化硅。根据本发明的示例性实施例，保护层PSV可以包括单层结构；然而，本发明的示例性实施例不限于此。诸如保护层PSV的绝缘层可以具有多层结构。
像素电极PE可以连接到漏电极DE。像素电极PE可以通过包括在保护层PSV中的接触孔CH连接到漏电极DE。
像素电极PE可以具有第一畴划分装置PEDD。第一畴划分装置PEDD可以将像素PX划分成多个畴。第一畴划分装置PEDD可以是通过使像素电极PE图案化而形成的切除部或突出。切除部可以是通过去除像素电极PE的一部分而形成的孔或狭缝。第一畴划分装置PEDD可以包括横向部分。横向部分可以沿着第一方向D1或第二方向D2基本上平行地延伸。第一畴划分装置PEDD的横向部分可以将像素的长度方向分成两部分，对角部分相对于第一方向D1或第二方向D2倾斜。对角部分可以相对于横向部分基本上彼此轴对称。
像素电极PE可以包括透明导电材料。例如，像素电极PE可以包括透明导电氧化物。透明导电氧化物可以是氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)或铟锡锌氧化物(ITZO)。
第一取向层ALN1可以设置在像素电极PE之上。第一取向层ALN1可以使液晶层LC的液晶分子取向。第一取向层ALN1可以包括聚合物。聚合物可以通过由式5表示的单体聚合。式5的单体具有可以引起聚合反应的作为末端基团的1至6个碳原子的反应性基团。聚合反应可以由反应性基团引起。反应性基团可以是1至12个碳原子的丙烯酸酯基、甲基丙烯酸酯基、环氧基、氧杂环丁烷基、乙烯醚基或苯乙烯基。然而，本发明的示例性实施例不限于此。例如，可以使用引起聚合反应的另一反应性基团。
第二基底SUB2可以包括第二基体基底BS2、多个滤色器CF、黑矩阵BM、共电极CE和第二取向层ALN2。
滤色器CF可以设置在第二基体基底BS2上。滤色器CF可以设置在与各个像素PX对应的第二基体基底BS2上。滤色器CF可以分别表示红色、绿色和蓝色。然而，本发明的示例性实施例不限于此。例如，滤色器CF可以表示诸如白色、黄色、青色或品红色的各种颜色。
黑矩阵BM可以设置在滤色器CF之间。黑矩阵BM可围绕每个滤色器CF。黑矩阵BM可以减少或阻挡透射过相邻像素PX之间的液晶层LC的光。
根据本发明的示例性实施例，滤色器CF和黑矩阵BM可以均包括在第二基底SUB2中。然而，滤色器CF的位置和/或黑矩阵BM的位置不限于此。根据本发明的示例性实施例，滤色器CF和黑矩阵BM可以包括在第一基底SUB1中。
共电极CE可以设置在滤色器CF和黑矩阵BM上。共电极CE可以与像素电极PE一起形成电场。因此，可以驱动液晶层LC。共电极CE可以包括透明导电材料。共电极CE可以包括导电金属氧化物。导电金属氧化物可以是氧化锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)或铟锡锌氧化物(ITZO)。
共电极CE可以具有第二畴划分装置CEDD。第二畴划分装置CEDD可以将像素PX划分成多个畴。第二畴划分装置CEDD可以是通过使共电极CE图案化而形成的切除部或突起。切除部可以是通过去除共电极CE的一部分而形成的孔。第二畴划分装置CEDD可以包括横向部分和/或纵向部分。横向部分和/或纵向部分可以沿着第一方向D1或第二方向D2基本上平行地延伸。横向部分和/或纵向部分可以将像素的长度方向分成两部分，对角部分相对于第一方向D1或第二方向D2倾斜。对角部分可以相对于横向部分基本上彼此轴对称。
第一畴划分装置PEDD的横向部分和第二畴划分装置CEDD的横向部分可以基本上位于同一平面上。第一畴划分装置PEDD的对角部分和第二畴划分装置CEDD的对角部分可以沿相同的方向彼此相邻布置。第一畴划分装置PEDD的对角部分和第二畴划分装置CEDD的对角部分可以交替地设置。
第二取向层ALN2可以设置在共电极CE之上。第二取向层ALN2可以使液晶层LC的液晶分子取向。
液晶层LC可以包括液晶组合物。液晶层LC可以设置在第一基底SUB1与第二基底SUB2之间。液晶层LC可以包括根据本发明的示例性实施例的液晶组合物。
在液晶显示器中，如果栅极信号施加到栅极线GL，则可以导通薄膜晶体管TR。因此，施加到数据线DL的数据信号可以通过薄膜晶体管TR施加到像素电极PE。如果随着薄膜晶体管TR导通而将数据信号施加到像素电极PE，则可以在像素电极PE与共电极CE之间形成电场。液晶分子可以由共电极CE与像素电极PE之间的电压差产生的电场驱动。因此，可以改变透射过液晶层LC的光的量。因此，可以显示图像。
参照图4和图5，根据本发明的示例性实施例的液晶显示器可以包括第一基底SUB1、第二基底SUB2和液晶层LC。第二基底SUB2可以与第一基底SUB1相对设置。例如，第二基底SUB2可以设置在第一基底SUB1之上。液晶层LC可以设置在第一基底SUB1与第二基底SUB2之间。
每个像素PX可以包括薄膜晶体管TR、像素电极PE和存储电极部。像素电极PE可以连接到薄膜晶体管TR。
像素电极PE可以具有与先前参照图1至图3描述的像素电极PE不同的形状。像素电极PE可以包括主干部PEa和多个分支部PEb。分支部PEb可以从主干部PEa延伸。分支部PEb可以从主干部PEa径向突出。分支部PEb可以彼此相邻地设置。狭缝可以设置在相邻的分支部PEb之间。主干部PEa的一部分或分支部PEb的一部分可以连接到漏电极DE。主干部PEa的该部分或分支部PEb的该部分可以通过接触孔CH连接到漏电极DE。
主干部PEa可以具有各种形状。例如，主干部PEa可以具有十字形状。当主干部PEa具有十字形状时，像素PX可以被主干部PEa划分成多个畴。分支部PEb可以沿不同的方向延伸。分支部PEb可以在与各个畴对应的不同方向上延伸。根据本发明的示例性实施例，像素PX可以被划分为四个畴。分支部PEb可以彼此间隔开。分支部PEb可以彼此间隔开，使得每个分支部PEb不与相邻的分支部PEb直接接触。分支部PEb可以在由主干部PEa划分的区域内沿基本上彼此平行的方向延伸。狭缝可以设置在相邻的分支部PEb之间。狭缝可以以微米单位的距离彼此间隔开。狭缝可以对应于畴划分装置。因此，畴划分装置可以使得液晶层LC的液晶分子在基本平行于第一基底SUB1和第二基底SUB2的平面上成一定角度取向。
第二基底SUB2可以包括第二基体基底BS2、滤色器CF、黑矩阵BM、共电极CE和第二取向层ALN2。滤色器CF、黑矩阵BM、共电极CE和第二取向层ALN2可以设置在第二基体基底BS2上。共电极CE可以不具有单独的畴划分装置。因此，共电极CE可以是完整板。
根据本发明的示例性实施例，两条栅极线和一条数据线可以连接到一个像素。根据本发明的示例性实施例，一条栅极线和两条数据线可以连接到一个像素。可选择地，一个像素可以具有两个子像素。可以将两个彼此不同的电压施加到两个子像素。可以将一个相对高的电压施加到一个子像素。可以将相对低的电压施加到另一子像素。像素中的每个组件(例如，栅电极GE、源电极SE、漏电极DE)可以以与这里所描述的结构不同的结构来设置。
1、液晶化合物的性质
表1中示出了示例1至示例3的液晶化合物的性质值。
表1
液晶化合物 Tni(℃) Δn Δε γ1(mPa·s)
示例1 109.4 0.2454 -1.96 393
示例2 32 0.049 0.03 26
示例3 127.9 0.2531 0.5 199
示例1至示例3的液晶化合物分别是由下面的式6至式8表示的液晶化合物。
[式6]
[式7]
[式8]
表2中示出了示例1-1、示例2-1和示例3-1的液晶化合物的性质值。
表2
示例1-1、示例2-1和示例3-1中使用的液晶化合物分别是由下面的式1-1-1至式1-1-3表示的液晶化合物。
[式1-1-1]
[式1-1-2]
[式1-1-3]
在向列相各向同性相变温度(Tni)、折射各向异性(Δn)、介电各向异性(Δε)和旋转粘度(γ1)之中的两个或更多个性质基本上相等的液晶化合物作为示例表示。
示例1的液晶化合物和示例1-1的液晶化合物关于折射各向异性和介电各向异性具有基本上相等的值。然而，示例1的旋转粘度为393mPa·s，而示例1-1的旋转粘度为119mPa·s。因此，与示例1相比，示例1-1具有相对低的旋转粘度。作为参考，示例1和示例1-1的向列相各向同性相变温度分别为彼此不相同的109.4℃和58.4℃。然而，由于其它液晶化合物的混合，这个相对小的差异并没有使总液晶组合物有差异。示例1和示例1-1关于向列相各向同性相变温度具有基本上相等的值。
示例2的液晶化合物和示例2-1的液晶化合物关于向列相各向同性相变温度和介电各向异性具有基本上相等的值。然而，示例2的折射各向异性为0.049，而示例2-1的折射各向异性为0.224。因此，与示例2相比，示例2-1具有相对高的折射各向异性。作为参考，示例2和示例2-1的旋转粘度分别为彼此不同的26mPa·s和32mPa·s。然而，由于其它液晶化合物的混合，这个相对较小的差异并没有使总液晶组合物有差异。示例2和示例2-1关于旋转粘度具有基本上相等的值。
示例3的液晶化合物和示例3-1的液晶化合物关于折射各向异性和介电各向异性具有基本上相等的值。然而，示例3的旋转粘度为199mPa·s，而示例3-1的旋转粘度为54mPa·s。因此，与示例3相比，示例3-1具有相对低的旋转粘度。作为参考，示例3和示例3-1的向列相各向同性相变温度分别为彼此不同的127.9℃和57℃。然而，由于其它液晶化合物的混合，这个相对小的差异并没有使总液晶组合物有差异。示例3和示例3-1关于向列相各向同性相变温度具有基本上相等的值。
2、液晶组合物的性质
表3中示出了示例4的液晶化合物的性质值。
表3
示例4-1的液晶化合物的性质值如表4中所示。
表4
示例5-1的液晶化合物的性质值如表5中所示。
表5
示例6-1的液晶化合物的性质值如表6中所示。
表6
示例7-1的液晶化合物的性质值如表7中所示。
表7
示例8-1的液晶化合物的性质值如表8中所示。
表8
示例9-1的液晶化合物的性质值如表9中所示。
表9
示例10-1的液晶化合物的性质值如表10中所示。
表10
示例4是省略了环戊二烯基类的液晶化合物的现有液晶组合物。示例4-1至示例10-1对应于包括1至3种类型的环戊二烯基类液晶化合物的液晶组合物。与省略了环戊二烯基类的液晶化合物的示例4相比，包括1至3种类型的环戊二烯基类的液晶化合物的示例4-1至示例10-1的液晶组合物全部显示出基本上相等的向列相各向同性相变温度、折射各向异性和介电各向异性。
然而，示例4的液晶组合物的旋转粘度为138mPa·s，而示例4-1至示例10-1的液晶组合物的旋转粘度为129mPa·s至133mPa·s。因此，与示例4相比，示例4-1至示例10-1显示出相对小的值。
根据本发明的示例性实施例，可以提供具有相对低的粘度的液晶组合物和包括该液晶组合物的液晶显示器。
这里已经公开了本发明的示例性实施例。虽然采用了特定的术语，但是仅以一般的和描述性的含义来使用和解释它们，而不是为了限制的目的。在一些情况下，对于到提交本申请时为止的本领域普通技术人员而言将明显的是，可以单独使用结合本发明的具体示例性实施例描述的特点、特征和/或元件，或与结合本发明的其它示例性实施例描述的特点、特征和/或元件组合使用，除非另有明确说明。因此，本领域技术人员将理解的是，在不脱离本发明的精神和范围的情况下，可以做出形式上和细节上的各种改变。

Claims (10)

1.一种显示器，所述显示器包括：
第一基底；
第二基底，与所述第一基底相对设置；以及
液晶层，设置在所述第一基底与所述第二基底之间，所述液晶层包括液晶组合物，
其中，所述液晶组合物包括由下面的式1至式3表示的液晶化合物中的至少一种：
[式1]
[式2]
[式3]
其中，A和B均独立地为1,4-亚环己基或1,4-亚苯基，A和B的-H独立地被-F、-Cl、-OCF3、-CF3、-CHF2、-CH2F或者1或2个碳原子的烷基或烷氧基取代或者未被取代，
Y是-H或者1至10个碳原子的烷基，其中，一个或更多个-CH2-基均独立地被-C≡C-、-CH＝CH-、-CF2O-、-O-、-CO-O-、-O-CO-或-O-CO-O-取代或者未被取代，使得O原子不直接彼此连接，-H被卤素原子取代或者未被取代，
X1至X4均独立地为-H、-F、-Cl或者1或2个碳原子的烷基，
n和m均独立地为选自于0至2的整数，
La和Lb均独立地为单键、-C≡C-、-COO-、-OCO-、-CF2O-、-OCF2-、-CH2O-、-CO-、-O-、-(CH2)2-或-CH＝CH-。
2.根据权利要求1所述的显示器，其中，相对于所述液晶组合物，由式1至式3表示的所述液晶化合物是处于超过0重量％至50重量％的量。
3.根据权利要求1所述的显示器，其中，式1的所述液晶化合物包括由下面的式1-1表示的液晶化合物中的至少一种：
[式1-1]
其中，A、La和Y与权利要求1的式1中所定义的相同。
4.根据权利要求3所述的显示器，其中，式1-1的所述液晶化合物包括由下面的式1-1-1至式1-1-3表示的液晶化合物中的至少一种：
[式1-1-1]
[式1-1-2]
[式1-1-3]
5.根据权利要求1所述的显示器，其中，所述液晶组合物包括由下面的式4表示的液晶化合物中的至少一种：
[式4]
其中，Y1和Y2均独立地为-F、-Cl或1至15个碳原子的烷基，其中，一个或更多个-CH2-基均独立地被-C≡C-、-CH＝CH-、-CF2O-、-O-、-CO-O-、-O-CO-或-O-CO-O-取代或者未被取代，使得O原子不直接彼此连接，-H被卤素原子取代或未被取代，
A1、B1和C1均独立地为1,4-亚环己基或1,4-亚苯基，A1、B1和C1的-H均独立地被-F、-Cl、-OCF3、-CF3、-CHF2、-CH2F或者1或2个碳原子的烷基或烷氧基取代或者未被取代，
l和r均独立地为选自于0至2的整数，
LX和LY均独立地为单键、-C≡C-、-COO-、-OCO-、-CF2O-、-OCF2-、-CH2O-、-CO-、-O-、-(CH2)2-或-CH＝CH-。
6.根据权利要求5所述的显示器，其中，式4的所述液晶化合物包括由下面的式4-1至式4-8表示的液晶化合物中的至少一种：
[式4-1]
[式4-2]
[式4-3]
[式4-4]
[式4-5]
[式4-6]
[式4-7]
[式4-8]
其中，Y1和Y2与式4中所定义的相同。
7.根据权利要求5所述的显示器，其中，式4的所述液晶化合物包括由下面的式4-9至式4-19表示的液晶化合物中的至少一种：
[式4-9]
[式4-10]
[式4-11]
[式4-12]
[式4-13]
[式4-14]
[式4-15]
[式4-16]
[式4-17]
[式4-18]
[式4-19]
其中，Y1和Y2与式4中所定义的相同。
8.根据权利要求1所述的显示器，其中，所述液晶组合物具有负介电各向异性。
9.根据权利要求1所述的显示器，所述显示器还包括：
取向层，设置在所述第一基底与所述液晶层或所述第二基底与所述液晶层中的至少一者之间，
其中，所述取向层包括由下面的式5表示的单体聚合的聚合物：
[式5]
其中，Rp和Rq均独立地为1至12个碳原子的丙烯酸酯基、甲基丙烯酸酯基、环氧基、氧杂环丁烷基、乙烯醚基或苯乙烯基，
L1至L3均独立地为单键、1或2个碳原子的醚基、羰基或羧基，
o是选自于1或2的整数。
10.根据权利要求1所述的显示器，其中，以垂直取向模式驱动所述液晶层。
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