JP2009164622A - リソグラフィ装置及びデバイス製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】液体供給システムが、基板Wとリソグラフィ装置の投影システムPLとの間の領域に液体を供給するように構成され、投影システムPLの光軸にほぼ直角な面に固定されて、被露光基板Wの側が露光中に液体でほぼ覆われるように、基板テーブルWTの上面より上の領域に液体を制限するために基板Wを保持するように構成された液体閉じ込め構造12を有する。
【選択図】図5
Description
露光すべき基板を保持するように構築された基板テーブルと、
パターン形成した放射線ビームを露光すべき基板の一側の目標部分に投影するように構成された投影システムと、
基板と投影システムの間の領域を少なくとも部分的に液体で充填するように構成された液体供給システムと、
投影システムの光軸に対してほぼ直角の面に固定され、露光すべき基板の側が露光中にほぼ液体で覆われるように、基板テーブルの上面より上の領域に液体を制限するために基板テーブルと協働するように構成された液体閉じ込め構造とを有するリソグラフィ装置が提供される。
パターン形成した放射線ビームを基板の目標部分に投影するように構成された投影システムと、
基板と投影システムの間の領域を少なくとも部分的に液体で充填するように構成された液体供給システムと、
液体で覆われていない基板の表面にほぼ飽和した気体を提供するように構成された飽和気体供給システムとを有するリソグラフィ装置が提供される。
露光すべき基板を保持するように構成された基板テーブルと、
パターン形成した放射線ビームを露光すべき基板の側の目標部分に投影するように構成された投影システムと、
基板と投影システムの間の領域を少なくとも部分的に液体で充填するように構成された液体供給システムと、
投影システムの光軸に対してほぼ直角の面に固定され、基板テーブルの上面より上の領域に液体を制限するために、基板テーブルと協働するように構成された第一閉じ込め構造と、
投影システムの光軸に対してほぼ直角の面に固定され、基板テーブルの上面より上の領域にほぼ飽和した気体を制限するために、基板テーブルと協働するように構成された第二閉じ込め構造とを有し、
第一および第二閉じ込め構造および基板テーブルは、露光中に液体で覆われる区域を除いて、露光すべき基板の側がほぼ飽和した気体で完全に覆われるように配置構成されるものであるリソグラフィ装置が提供される。
露光すべき基板を保持するように構成された基板テーブルと、
パターン形成した放射線ビームを基板の目標部分に投影するように構成された投影システムと、
基板と投影システムの間の領域を少なくとも部分的に液体で充填するように構成された液体供給システムと、
液体で覆われていない基板の表面にほぼ飽和した気体を提供するように構成された飽和気体供給システムと、
投影システムの光軸に対してほぼ直角の面に固定され、液体を封じ込めるように構成された第一閉じ込め構造と、
投影システムの光軸に対してほぼ直角の面に固定され、基板テーブルの上面より上の領域にほぼ飽和した気体を制限するために、基板テーブルと協働するように構成された第二閉じ込め構造とを有し、
第一および第二閉じ込め構造および基板テーブルは、露光中に液体で覆われる区域を除き、露光すべき基板の側がほぼ飽和した気体で覆われるように配置構成されるものであるリソグラフィ装置が提供される。
リソグラフィ装置の投影システムの光軸に対してほぼ直角の面に固定され、基板テーブルの上面より上の領域に液体を制限し、露光すべき基板の側を液体に完全に浸漬した状態で維持するために、基板を保持するリソグラフィ装置の基板テーブルと協働するように配置構成された液体閉じ込め構造を使用することと、
投影システムを使用して、パターン形成した放射線ビームを液体に通して基板の目標部分に投影することとを含むデバイス製造方法が提供される。
リソグラフィ装置の投影システムと基板の間の領域を少なくとも部分的に液体で充填することと、
液体で覆われていない基板の表面に、ほぼ飽和した気体を提供することと、
投影システムを使用して、パターン形成した放射線ビームを液体に通して基板の目標部分に投影することとを含むデバイス製造方法が提供される。
リソグラフィ装置の投影システムの光軸に対してほぼ直角の面に固定され、基板テーブルと協働するように配置構成された第一閉じ込め構造を使用して、基板を保持するリソグラフィ装置の基板テーブルの上面より上の領域に液体を制限することと、
光軸にほぼ直角の面に固定され、基板テーブルと協働するように配置構成された第二閉じ込め構造を使用して、基板テーブルの上面より上の領域にほぼ飽和した気体を制限することと、
投影システムを使用して、パターン形成した放射線ビームを液体に通して基板の目標部分に投影することとを含み、
第一および第二閉じ込め構造および基板テーブルは、露光中に液体に覆われた区域を除き、露光すべき基板の側をほぼ飽和した気体で完全に覆うように配置構成されるものであるデバイス製造方法が提供される。
投影システムの光軸に対してほぼ直角の面に固定された第一閉じ込め構造を使用して、リソグラフィ装置の投影システムと、リソグラフィ装置の基板テーブル上に保持された基板との間の領域に液体を制限することと、
液体で覆われていない基板の表面にほぼ飽和した気体を供給することと、
光軸に対してほぼ直角の面に固定され、基板テーブルと協働するように配置構成された第二閉じ込め構造を使用して、基板テーブルの上面より上の領域にほぼ飽和した気体を制限することと、
投影システムを使用して、パターン形成した放射線ビームを液体を通して基板の目標部分に投影することとを含み、
第一および第二閉じ込め構造および基板テーブルは、露光中に液体で覆われた区域を除き、露光すべき基板の側がほぼ飽和した気体で完全に覆われるように配置構成されるものであるデバイス製造方法が提供される。
− 放射線ビームB(例えばUV放射線またはDUV放射線)を調整するように構成された照明システム(照明装置)ILと、
− パターニングデバイス(例えばマスク)MAを支持し、かつ、特定のパラメータに従って正確にパターニングデバイスの位置決めを行うように構成された第一位置決め装置PMに連結を行った支持構造(例えばマスクテーブル)MTと、
− 基板(例えばレジスト塗布したウェハ)Wを支持し、かつ、特定のパラメータに従って正確に基板の位置決めを行うように構成された第二位置決め装置PWに連結を行った基板テーブル(例えばウェハテーブル)WTと、
− パターニングデバイスMAによって放射線ビームBに与えられたパターンを基板Wの目標部分C(例えば、1つあるいはそれ以上のダイから成る)に投影するように構成された投影システム(例えば屈折性投影レンズシステム)PLとを含む。
1.ステップモードにおいては、マスクテーブルMTおよび基板テーブルWTは、基本的に静止状態に保たれている。そして、放射線ビームに与えたパターン全体が1回で目標部分Cに投影される(すなわち1回の静止露光)。次に基板テーブルWTがX方向および/あるいはY方向にシフトされ、異なる目標部分Cが照射され得る。ステップモードでは、露光フィールドの最大サイズが、1回の静止露光で描像される目標部分Cのサイズを制限する。
2.走査モードにおいては、マスクテーブルMTおよび基板テーブルWTを同期走査しつつ、放射線ビームに与えられたパターンを目標部分Cに投影する(つまり1回の動的露光)。マスクテーブルMTに対する基板テーブルWTの速度および方向は、投影システムPLの拡大(縮小)および像反転特性によって決定される。走査モードでは、露光フィールドの最大サイズが、1回の動的露光で目標部分の(非走査方向における)幅を制限し、走査動作の長さが目標部分の(走査方向における)高さを決定する。
3.別のモードでは、マスクテーブルMTが基本的に静止状態に維持されて、プログラマブルパターニングデバイスを保持し、放射線ビームに与えられたパターンを目標部分Cに投影する間に、基板テーブルWTが動作するか、走査される。このモードでは、一般的にパルス状放射線ソースを使用して、基板テーブルWTを動作させるごとに、または走査中に連続する放射線パルス間に、プログラマブルパターニングデバイスを必要に応じて更新する。この動作モードは、以上で言及したようなタイプのプログラマブルミラーアレイなどのプログラマブルパターニングデバイスを使用するマスクなしリソグラフィに容易に適用することができる。
Claims (42)
- リソグラフィ装置であって、
露光すべき基板を保持するように構成された基板テーブルと、
パターン形成した放射線ビームを露光すべき基板の一側の目標部分に投影するように構成された投影システムと、
基板と投影システムの間の領域を少なくとも部分的に液体で充填するように構成された液体供給システムと、
投影システムの光軸に対してほぼ直角の面に固定され、露光中に露光すべき基板の一側がほぼ液体で覆われるように、基板テーブルの上面より上の領域に液体を制限するために、基板テーブルと協働するように構成された閉じ込め構造とを有するリソグラフィ装置。 - 液体閉じ込め構造の一部が、投影システムの最終要素のいずれの部分よりもむしろ基板に向かってさらに延在する、請求項1に記載の装置。
- 基板テーブルが、
基板を保持するように構成された基板座と、
光軸に対してほぼ直角の面で基板座を囲み、基板と投影システムの間の領域から液体が逃げるのをほぼ防止するように、液体閉じ込め構造と協働するように構成された密封用突起とを有する、請求項1に記載の装置。 - 密封用突起が、液体閉じ込め構造の表面と密封用突起との間のギャップを通る液体の流れをほぼ防止するように構成された気体シールを有する、請求項3に記載の装置。
- 気体シールが、液体を少なくとも部分的に閉じ込めるような方法で、ほぼ光軸へと配向されたギャップ内で、気体の流れを生成するように配置構成される、請求項4に記載の装置。
- 液体閉じ込め構造が気体シールを有し、
基板テーブルが、基板と投影システムの間の領域から液体が逃げるのをほぼ防止するように、気体シールと協働するように配置構成された密封用ゾーンを有する、請求項1に記載の装置。 - リソグラフィ装置であって、
パターン形成した放射線ビームを基板の目標部分に投影するように構成された投影システムと、
基板と投影システムの間の領域を少なくとも部分的に液体で充填するように構成された液体供給システムと、
液体によって覆われていない基板の表面にほぼ飽和した気体を提供するように構成された飽和気体供給システムとを有するリソグラフィ装置。 - さらに、投影システムの光軸に対してほぼ直角の面に固定され、液体を封じ込めるように構成された液体閉じ込め構造を有し、液体閉じ込め構造が、液体閉じ込め構造から光軸に対してほぼ半径方向に延在する拡張構造を有する、請求項7に記載の装置。
- 拡張構造が、蒸気密封用突起と協働するように配置構成され、ほぼ飽和した気体をほぼ封じ込めるように、基板を保持するように構成された基板テーブルの一部を形成する、請求項8に記載の装置。
- 拡張構造および蒸気密封用突起が、基板テーブル、基板、領域に提供された場合の液体、液体閉じ込め構造、拡張構造、および蒸気密封用突起と境界を接する領域に、ほぼ飽和した気体を封じ込めるように構成される、請求項9に記載の装置。
- 蒸気密封用突起が、拡張構造の表面と蒸気密封用突起の間のギャップを通ってほぼ飽和した気体が流れるのをほぼ防止するように構成された気体シールを有する、請求項9に記載の装置。
- 飽和気体供給システムが、液体からほぼ飽和した気体を作成するように構成された飽和気体準備装置を有する、請求項7に記載の装置。
- 液体供給システムが、任意の時に基板の局所的部分しか覆わない領域に液体を供給するように構成された、請求項7に記載の装置。
- リソグラフィ装置であって、
露光すべき基板を保持するように構成された基板テーブルと、
パターン形成した放射線ビームを露光すべき基板の一側の目標部分に投影するように構成された投影システムと、
基板と投影システムの間の領域を少なくとも部分的に液体で充填するように構成された液体供給システムと、
投影システムの光軸に対してほぼ直角の面に固定され、基板テーブルの上面より上の領域に液体を制限するために、基板テーブルと協働するように構成された第一閉じ込め構造と、
投影システムの光軸に対してほぼ直角の面に固定され、基板テーブルの上面より上の領域にほぼ飽和した気体を制限するために、基板テーブルと協働するように構成された第二閉じ込め構造とを有し、
第一および第二閉じ込め構造および基板テーブルは、露光中に液体で覆われる区域を除き、露光すべき基板の側がほぼ飽和した気体で覆われるように配置構成されるものであるリソグラフィ装置。 - 基板テーブルが、ほぼ飽和した気体をほぼ封じ込めるように、第二閉じ込め構造と協働するように配置構成された蒸気密封用突起を有する、請求項14に記載の装置。
- 第二閉じ込め構造および蒸気密封用突起が、基板テーブル、基板、領域に提供された場合の液体、第一閉じ込め構造、第二閉じ込め構造および蒸気密封用突起と境界を接する領域に、ほぼ飽和した気体を封じ込めるように構成される、請求項15に記載の装置。
- 蒸気密封用突起が、第二閉じ込め構造の表面と蒸気密封用突起の間のギャップを通ってほぼ飽和した気体が流れるのをほぼ防止するように構成された気体シールを有する、請求項15に記載の装置。
- 液体供給システムが、任意の時に基板の局所的部分しか覆わない領域に液体を供給するように構成された、請求項14に記載の装置。
- さらに、液体で覆われていない基板の表面に、ほぼ飽和した気体を提供するように構成された飽和気体供給システムを有する、請求項14に記載の装置。
- リソグラフィ装置であって、
露光すべき基板を保持するように構成された基板テーブルと、
パターン形成した放射線ビームを基板の目標部分に投影するように構成された投影システムと、
基板と投影システムの間の領域を少なくとも部分的に液体で充填するように構成された液体供給システムと、
液体で覆われていない基板の表面にほぼ飽和した気体を提供するように構成された飽和気体供給システムと、
投影システムの光軸に対してほぼ直角の面に固定され、液体を封じ込めるように構成された第一閉じ込め構造と、
投影システムの光軸に対してほぼ直角の面に固定され、基板テーブルの上面より上の領域にほぼ飽和した気体を制限するために、基板テーブルと協働するように構成された第二閉じ込め構造とを有し、
第一および第二閉じ込め構造および基板テーブルは、露光中に液体で覆われる区域を除き、露光すべき基板の一側がほぼ飽和した気体で覆われるように配置構成されるものであるリソグラフィ装置。 - 基板テーブルが、ほぼ飽和した気体をほぼ封じ込めるように、第二閉じ込め構造と協働するように配置構成された蒸気密封用突起を有する、請求項20に記載の装置。
- 蒸気密封用突起が、第二閉じ込め構造の表面と蒸気密封用突起の間のギャップを通ってほぼ飽和した気体が流れるのをほぼ防止するように構成された気体シールを有する、請求項21に記載の装置。
- デバイス製造方法であって、
リソグラフィ装置の投影システムの光軸に対してほぼ直角の面に固定され、基板テーブルの上面より上の領域に液体を制限し、露光すべき基板の一側を液体に完全に浸漬した状態で維持するために、基板を保持するリソグラフィ装置の基板テーブルと協働するように配置構成された液体閉じ込め構造を使用することと、
投影システムを使用して、パターン形成した放射線ビームを液体に通して基板の目標部分に投影することとを含むデバイス製造方法。 - さらに、
光軸に対してほぼ直角の面で基板を囲み、液体閉じ込め構造と協働するように構成された密封用突起を使用して、基板と投影システムの間の領域から液体が逃げるのをほぼ防止することを含む、請求項23に記載の方法。 - 気体シールを使用して、液体閉じ込め構造お表面と密封用突起との間のギャップを通して液体が流れるのをほぼ防止することを含む、請求項24に記載の方法。
- さらに、
基板テーブルの密封ゾーンと協働する液体閉じ込め構造の気体シールを使用して、基板と投影システムの間の領域から液体が逃げるのをほぼ防止することを含む、請求項23に記載の方法。 - デバイス製造方法であって、
リソグラフィ装置の投影システムと基板の間の領域を少なくとも部分的に液体で充填することと、
液体で覆われていない基板の表面に、ほぼ飽和した気体を提供することと、
投影システムを使用して、パターン形成した放射線ビームを液体に通して基板の目標部分に投影することとを含むデバイス製造方法。 - さらに、投影システムの光軸に対してほぼ直角の面に固定された液体閉じ込め構造を使用して、液体を封じ込めることを含み、液体閉じ込め構造が、液体閉じ込め構造から光軸に対してほぼ半径方向に延在する拡張構造を有する、請求項27に記載の方法。
- 基板を保持する基板テーブルの一部を形成する蒸気密封用突起と協働する拡張構造を使用して、ほぼ飽和した気体をほぼ封じ込めることを含む、請求項28に記載の方法。
- 基板テーブル、基板、領域に提供された場合の液体、液体閉じ込め構造、拡張構造、および蒸気密封用突起と境界を接する領域に、ほぼ飽和した気体を封じ込めることを含む、請求項29に記載の方法。
- 気体シールを使用して、拡張構造の表面と蒸気密封用突起の間のギャップを通してほぼ飽和した気体が流れるのをほぼ防止することを含む、請求項29に記載の方法。
- さらに、液体からほぼ飽和した気体を作成することを含む、請求項27に記載の方法。
- 液体が、任意の時に基板の局所カシア部分しか覆わない、請求項27に記載の方法。
- デバイス製造方法であって、
リソグラフィ装置の投影システムの光軸に対してほぼ直角の面に固定され、基板テーブルと協働するように配置構成された第一閉じ込め構造を使用して、基板を保持するリソグラフィ装置の基板テーブルの上面より上の領域に液体を制限することと、
光軸にほぼ直角の面に固定され、基板テーブルと協働するように配置構成された第二閉じ込め構造を使用して、基板テーブルの上面より上の領域にほぼ飽和した気体を制限することと、
投影システムを使用して、パターン形成した放射線ビームを液体に通して基板の目標部分に投影することとを含み、
第一および第二閉じ込め構造および基板テーブルは、露光中に液体に覆われた区域を除き、露光すべき基板の一側をほぼ飽和した気体で完全に覆うように配置構成されるものであるデバイス製造方法。 - 第二閉じ込め構造と協働した基板テーブルの蒸気密封用突起を使用して、ほぼ飽和した気体をほぼ封じ込めることを含む、請求項34に記載の方法。
- 基板テーブル、基板、領域に提供された場合の液体、第一閉じ込め構造、第二閉じ込め構造、および蒸気密封用突起と境界を接する領域に、ほぼ飽和した気体を封じ込めることを含む、請求項35に記載の方法。
- 気体シールを使用して、第二閉じ込め構造の表面と蒸気密封用突起の間のギャップを通してほぼ飽和した気体が流れるのをほぼ防止することを含む、請求項35に記載の方法。
- 液体が、任意の時に基板の局所カシア部分しか覆わない、請求項34に記載の方法。
- さらに、液体で覆われていない基板の表面に、ほぼ飽和した気体を提供することを含む、請求項34に記載の方法。
- デバイス製造方法であって、
投影システムの光軸に対してほぼ直角の面に固定された第一閉じ込め構造を使用して、リソグラフィ装置の投影システムと、リソグラフィ装置の基板テーブル上に保持された基板との間の領域に液体を制限することと、
液体で覆われていない基板の表面にほぼ飽和した気体を供給することと、
光軸に対してほぼ直角の面に固定され、基板テーブルと協働するように配置構成された第二閉じ込め構造を使用して、基板テーブルの上面より上の領域にほぼ飽和した気体を制限することと、
投影システムを使用して、パターン形成した放射線ビームを液体に通して基板の目標部分に投影することとを含み、
第一および第二閉じ込め構造および基板テーブルは、露光中に液体で覆われた区域を除き、露光すべき基板の一側がほぼ飽和した気体で完全に覆われるように配置構成されるものであるデバイス製造方法。 - 第二閉じ込め構造と協働する基板テーブルの蒸気密封用突起を使用して、ほぼ飽和した気体をほぼ封じ込めることを含む、請求項40に記載の方法。
- 気体シールを使用して、第二閉じ込め構造の表面と蒸気密封用突起の間のギャップを通してほぼ飽和した気体が流れるのをほぼ防止することを含む、請求項41に記載の装置。
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---|---|---|---|
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Families Citing this family (96)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR101181688B1 (ko) * | 2003-03-25 | 2012-09-19 | 가부시키가이샤 니콘 | 노광 장치 및 디바이스 제조 방법 |
US7397533B2 (en) * | 2004-12-07 | 2008-07-08 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
US7450217B2 (en) | 2005-01-12 | 2008-11-11 | Asml Netherlands B.V. | Exposure apparatus, coatings for exposure apparatus, lithographic apparatus, device manufacturing method, and device manufactured thereby |
US7433016B2 (en) | 2005-05-03 | 2008-10-07 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
JP2007096050A (ja) * | 2005-09-29 | 2007-04-12 | Canon Inc | 露光装置 |
JP4889331B2 (ja) * | 2006-03-22 | 2012-03-07 | 大日本スクリーン製造株式会社 | 基板処理装置および基板処理方法 |
US9477158B2 (en) | 2006-04-14 | 2016-10-25 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
US7532309B2 (en) * | 2006-06-06 | 2009-05-12 | Nikon Corporation | Immersion lithography system and method having an immersion fluid containment plate for submerging the substrate to be imaged in immersion fluid |
US7656502B2 (en) * | 2006-06-22 | 2010-02-02 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
US8208116B2 (en) | 2006-11-03 | 2012-06-26 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Immersion lithography system using a sealed wafer bath |
US8253922B2 (en) * | 2006-11-03 | 2012-08-28 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Immersion lithography system using a sealed wafer bath |
US8514365B2 (en) * | 2007-06-01 | 2013-08-20 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
NL1036186A1 (nl) * | 2007-12-03 | 2009-06-04 | Asml Netherlands Bv | Lithographic apparatus and device manufacturing method. |
NL1036579A1 (nl) * | 2008-02-19 | 2009-08-20 | Asml Netherlands Bv | Lithographic apparatus and methods. |
NL1036631A1 (nl) * | 2008-03-24 | 2009-09-25 | Asml Netherlands Bv | Immersion Lithographic Apparatus and Device Manufacturing Method. |
NL1036715A1 (nl) * | 2008-04-16 | 2009-10-19 | Asml Netherlands Bv | Lithographic apparatus. |
NL1036709A1 (nl) | 2008-04-24 | 2009-10-27 | Asml Netherlands Bv | Lithographic apparatus and a method of operating the apparatus. |
EP2131241B1 (en) * | 2008-05-08 | 2019-07-31 | ASML Netherlands B.V. | Fluid handling structure, lithographic apparatus and device manufacturing method |
US8421993B2 (en) | 2008-05-08 | 2013-04-16 | Asml Netherlands B.V. | Fluid handling structure, lithographic apparatus and device manufacturing method |
NL1036835A1 (nl) * | 2008-05-08 | 2009-11-11 | Asml Netherlands Bv | Lithographic Apparatus and Method. |
ATE548679T1 (de) * | 2008-05-08 | 2012-03-15 | Asml Netherlands Bv | Lithografische immersionsvorrichtung, trocknungsvorrichtung, immersionsmetrologievorrichtung und verfahren zur herstellung einer vorrichtung |
EP2128703A1 (en) | 2008-05-28 | 2009-12-02 | ASML Netherlands BV | Lithographic Apparatus and a Method of Operating the Apparatus |
NL1036924A1 (nl) * | 2008-06-02 | 2009-12-03 | Asml Netherlands Bv | Substrate table, lithographic apparatus and device manufacturing method. |
EP2131242A1 (en) | 2008-06-02 | 2009-12-09 | ASML Netherlands B.V. | Substrate table, lithographic apparatus and device manufacturing method |
NL2002964A1 (nl) * | 2008-06-16 | 2009-12-17 | Asml Netherlands Bv | Lithographic Apparatus, a Metrology Apparatus and a Method of Using the Apparatus. |
EP2136250A1 (en) * | 2008-06-18 | 2009-12-23 | ASML Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and method |
NL2002983A1 (nl) * | 2008-06-26 | 2009-12-29 | Asml Netherlands Bv | A lithographic apparatus and a method of operating the lithographic apparatus. |
NL2003111A1 (nl) | 2008-07-25 | 2010-01-26 | Asml Netherlands Bv | Method of designing sets of mask patterns, sets of mask patterns, and device manufacturing method. |
NL2003225A1 (nl) * | 2008-07-25 | 2010-01-26 | Asml Netherlands Bv | Fluid handling structure, lithographic apparatus and device manufacturing method. |
NL2003226A (en) | 2008-08-19 | 2010-03-09 | Asml Netherlands Bv | Lithographic apparatus, drying device, metrology apparatus and device manufacturing method. |
SG159467A1 (en) * | 2008-09-02 | 2010-03-30 | Asml Netherlands Bv | Fluid handling structure, lithographic apparatus and device manufacturing method |
NL2003363A (en) | 2008-09-10 | 2010-03-15 | Asml Netherlands Bv | Lithographic apparatus, method of manufacturing an article for a lithographic apparatus and device manufacturing method. |
NL2003392A (en) | 2008-09-17 | 2010-03-18 | Asml Netherlands Bv | Lithographic apparatus and a method of operating the apparatus. |
NL2003362A (en) * | 2008-10-16 | 2010-04-19 | Asml Netherlands Bv | Lithographic apparatus and device manufacturing method. |
NL2003421A (en) * | 2008-10-21 | 2010-04-22 | Asml Netherlands Bv | Lithographic apparatus and a method of removing contamination. |
NL2003333A (en) * | 2008-10-23 | 2010-04-26 | Asml Netherlands Bv | Fluid handling structure, lithographic apparatus and device manufacturing method. |
NL2003575A (en) | 2008-10-29 | 2010-05-03 | Asml Netherlands Bv | Lithographic apparatus and device manufacturing method. |
NL2003638A (en) | 2008-12-03 | 2010-06-07 | Asml Netherlands Bv | Lithographic apparatus and device manufacturing method. |
NL2003758A (en) * | 2008-12-04 | 2010-06-07 | Asml Netherlands Bv | A member with a cleaning surface and a method of removing contamination. |
TWI438577B (zh) | 2008-12-08 | 2014-05-21 | Asml Netherlands Bv | 微影裝置及器件製造方法 |
EP2196857A3 (en) * | 2008-12-09 | 2010-07-21 | ASML Netherlands BV | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
JP5001343B2 (ja) | 2008-12-11 | 2012-08-15 | エーエスエムエル ネザーランズ ビー.ブイ. | 流体抽出システム、液浸リソグラフィ装置、及び液浸リソグラフィ装置で使用される液浸液の圧力変動を低減する方法 |
JP2010147471A (ja) * | 2008-12-18 | 2010-07-01 | Asml Netherlands Bv | リソグラフィ装置及び少なくとも2つのターゲット部分を照射する方法 |
NL2003820A (en) * | 2008-12-22 | 2010-06-23 | Asml Netherlands Bv | Fluid handling structure, table, lithographic apparatus, immersion lithographic apparatus, and device manufacturing methods. |
NL2004162A (en) * | 2009-02-17 | 2010-08-18 | Asml Netherlands Bv | A fluid supply system, a lithographic apparatus, a method of varying fluid flow rate and a device manufacturing method. |
EP2221669A3 (en) | 2009-02-19 | 2011-02-09 | ASML Netherlands B.V. | A lithographic apparatus, a method of controlling the apparatus and a device manufacturing method |
NL2004102A (en) * | 2009-02-25 | 2010-08-26 | Asml Holding Nv | A fluid handling device, an immersion lithographic apparatus and a device manufacturing method. |
NL2004305A (en) | 2009-03-13 | 2010-09-14 | Asml Netherlands Bv | Substrate table, immersion lithographic apparatus and device manufacturing method. |
NL2004362A (en) * | 2009-04-10 | 2010-10-12 | Asml Netherlands Bv | A fluid handling device, an immersion lithographic apparatus and a device manufacturing method. |
JP2010251745A (ja) * | 2009-04-10 | 2010-11-04 | Asml Netherlands Bv | 液浸リソグラフィ装置及びデバイス製造方法 |
NL2004363A (en) * | 2009-04-22 | 2010-10-26 | Asml Netherlands Bv | Lithographic apparatus and a method of operating the apparatus. |
NL2004497A (en) * | 2009-05-01 | 2010-11-02 | Asml Netherlands Bv | Lithographic apparatus and a method of operating the apparatus. |
NL2004523A (en) * | 2009-05-08 | 2010-11-09 | Asml Netherlands Bv | Immersion lithographic apparatus and device manufacturing method. |
NL2004540A (en) * | 2009-05-14 | 2010-11-18 | Asml Netherlands Bv | Lithographic apparatus and a method of operating the apparatus. |
NL2004547A (en) * | 2009-05-14 | 2010-11-18 | Asml Netherlands Bv | An immersion lithographic apparatus and a device manufacturing method. |
EP2256553B1 (en) | 2009-05-26 | 2016-05-25 | ASML Netherlands B.V. | Fluid handling structure and lithographic apparatus |
JP5016705B2 (ja) * | 2009-06-09 | 2012-09-05 | エーエスエムエル ネザーランズ ビー.ブイ. | 流体ハンドリング構造 |
EP2264529A3 (en) * | 2009-06-16 | 2011-02-09 | ASML Netherlands B.V. | A lithographic apparatus, a method of controlling the apparatus and a method of manufacturing a device using a lithographic apparatus |
JP5058305B2 (ja) | 2009-06-19 | 2012-10-24 | エーエスエムエル ネザーランズ ビー.ブイ. | 液浸リソグラフィ装置、液体閉じ込め構造体、液浸リソグラフィ装置用の投影システムの最終エレメント、および基板テーブル |
EP2264528A1 (en) * | 2009-06-19 | 2010-12-22 | ASML Netherlands B.V. | Sensor and lithographic apparatus |
NL2004808A (en) * | 2009-06-30 | 2011-01-12 | Asml Netherlands Bv | Fluid handling structure, lithographic apparatus and device manufacturing method. |
NL2004820A (en) * | 2009-06-30 | 2011-01-04 | Asml Netherlands Bv | Lithographic apparatus and a method of measuring flow rate in a two phase flow. |
NL2004980A (en) * | 2009-07-13 | 2011-01-17 | Asml Netherlands Bv | Heat transfers assembly, lithographic apparatus and manufacturing method. |
NL2005009A (en) * | 2009-07-27 | 2011-01-31 | Asml Netherlands Bv | Lithographic apparatus and device manufacturing method. |
JP5507392B2 (ja) | 2009-09-11 | 2014-05-28 | エーエスエムエル ネザーランズ ビー.ブイ. | シャッター部材、リソグラフィ装置及びデバイス製造方法 |
NL2005126A (en) * | 2009-09-21 | 2011-03-22 | Asml Netherlands Bv | Lithographic apparatus, coverplate and device manufacturing method. |
NL2005120A (en) * | 2009-09-21 | 2011-03-22 | Asml Netherlands Bv | Lithographic apparatus, coverplate and device manufacturing method. |
NL2005089A (nl) * | 2009-09-23 | 2011-03-28 | Asml Netherlands Bv | Fluid handling structure, lithographic apparatus and device manufacturing method. |
NL2005207A (en) * | 2009-09-28 | 2011-03-29 | Asml Netherlands Bv | Heat pipe, lithographic apparatus and device manufacturing method. |
NL2005208A (en) * | 2009-09-28 | 2011-03-29 | Asml Netherlands Bv | Heat pipe, lithographic apparatus and device manufacturing method. |
NL2005167A (en) * | 2009-10-02 | 2011-04-05 | Asml Netherlands Bv | Lithographic apparatus and a method of operating the apparatus. |
NL2005478A (en) * | 2009-11-17 | 2011-05-18 | Asml Netherlands Bv | Lithographic apparatus, removable member and device manufacturing method. |
NL2005479A (en) * | 2009-11-17 | 2011-05-18 | Asml Netherlands Bv | Lithographic apparatus, removable member and device manufacturing method. |
NL2005610A (en) | 2009-12-02 | 2011-06-06 | Asml Netherlands Bv | Lithographic apparatus and surface cleaning method. |
NL2005528A (en) * | 2009-12-02 | 2011-06-07 | Asml Netherlands Bv | Lithographic apparatus and device manufacturing method. |
NL2005657A (en) * | 2009-12-03 | 2011-06-06 | Asml Netherlands Bv | A lithographic apparatus and a method of forming a lyophobic coating on a surface. |
NL2005717A (en) * | 2009-12-18 | 2011-06-21 | Asml Netherlands Bv | A lithographic apparatus and a device manufacturing method. |
NL2005874A (en) | 2010-01-22 | 2011-07-25 | Asml Netherlands Bv | A lithographic apparatus and a device manufacturing method. |
NL2005951A (en) | 2010-02-02 | 2011-08-03 | Asml Netherlands Bv | Lithographic apparatus and a device manufacturing method. |
NL2006054A (en) | 2010-02-09 | 2011-08-10 | Asml Netherlands Bv | Fluid handling structure, lithographic apparatus and device manufacturing method. |
NL2005974A (en) | 2010-02-12 | 2011-08-15 | Asml Netherlands Bv | Lithographic apparatus and a device manufacturing method. |
NL2006076A (en) * | 2010-03-04 | 2011-09-06 | Asml Netherlands Bv | A lithographic apparatus and a method of manufacturing a device using a lithographic apparatus. |
WO2011109760A2 (en) * | 2010-03-05 | 2011-09-09 | TeraDiode, Inc. | Wavelength beam combining system and method |
EP2365390A3 (en) | 2010-03-12 | 2017-10-04 | ASML Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and method |
NL2006243A (en) * | 2010-03-19 | 2011-09-20 | Asml Netherlands Bv | A lithographic apparatus, an illumination system, a projection system and a method of manufacturing a device using a lithographic apparatus. |
NL2006389A (en) | 2010-04-15 | 2011-10-18 | Asml Netherlands Bv | Fluid handling structure, lithographic apparatus and a device manufacturing method. |
EP2381310B1 (en) | 2010-04-22 | 2015-05-06 | ASML Netherlands BV | Fluid handling structure and lithographic apparatus |
NL2006272A (en) | 2010-05-04 | 2011-11-07 | Asml Netherlands Bv | A fluid handling structure, a lithographic apparatus and a device manufacturing method. |
NL2006615A (en) | 2010-05-11 | 2011-11-14 | Asml Netherlands Bv | Fluid handling structure, lithographic apparatus and device manufacturing method. |
NL2006648A (en) | 2010-06-01 | 2011-12-06 | Asml Netherlands Bv | A fluid supply system, a lithographic apparatus, a method of varying fluid flow rate and a device manufacturing method. |
NL2006818A (en) | 2010-07-02 | 2012-01-03 | Asml Netherlands Bv | A method of adjusting speed and/or routing of a table movement plan and a lithographic apparatus. |
NL2006913A (en) | 2010-07-16 | 2012-01-17 | Asml Netherlands Bv | Lithographic apparatus and method. |
EP2423749B1 (en) | 2010-08-24 | 2013-09-11 | ASML Netherlands BV | A lithographic apparatus and device manufacturing method |
NL2008183A (en) | 2011-02-25 | 2012-08-28 | Asml Netherlands Bv | A lithographic apparatus, a method of controlling the apparatus and a device manufacturing method. |
NL2008751A (en) | 2011-06-06 | 2012-12-10 | Asml Netherlands Bv | Temperature sensing probe, burl plate, lithographic apparatus and method. |
CN104678712B (zh) * | 2013-12-03 | 2017-05-31 | 上海微电子装备有限公司 | 一种浸没式曝光设备 |
Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2004165666A (ja) * | 2002-11-12 | 2004-06-10 | Asml Netherlands Bv | リソグラフィ装置及びデバイス製造方法 |
WO2004055803A1 (en) * | 2002-12-13 | 2004-07-01 | Koninklijke Philips Electronics N.V. | Liquid removal in a method and device for irradiating spots on a layer |
WO2004086470A1 (ja) * | 2003-03-25 | 2004-10-07 | Nikon Corporation | 露光装置及びデバイス製造方法 |
JP2004289128A (ja) * | 2002-11-12 | 2004-10-14 | Asml Netherlands Bv | リソグラフィ装置及びデバイス製造方法 |
JP2005236121A (ja) * | 2004-02-20 | 2005-09-02 | Nikon Corp | 露光装置及びデバイス製造方法 |
WO2006003373A2 (en) * | 2004-07-01 | 2006-01-12 | The Boc Group Plc | Immersion photolithography system |
Family Cites Families (185)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
GB1242527A (en) | 1967-10-20 | 1971-08-11 | Kodak Ltd | Optical instruments |
US3573975A (en) | 1968-07-10 | 1971-04-06 | Ibm | Photochemical fabrication process |
ATE1462T1 (de) | 1979-07-27 | 1982-08-15 | Werner W. Dr. Tabarelli | Optisches lithographieverfahren und einrichtung zum kopieren eines musters auf eine halbleiterscheibe. |
FR2474708B1 (fr) | 1980-01-24 | 1987-02-20 | Dme | Procede de microphotolithographie a haute resolution de traits |
JPS5754317A (en) | 1980-09-19 | 1982-03-31 | Hitachi Ltd | Method and device for forming pattern |
US4509852A (en) | 1980-10-06 | 1985-04-09 | Werner Tabarelli | Apparatus for the photolithographic manufacture of integrated circuit elements |
US4346164A (en) | 1980-10-06 | 1982-08-24 | Werner Tabarelli | Photolithographic method for the manufacture of integrated circuits |
US4390273A (en) | 1981-02-17 | 1983-06-28 | Censor Patent-Und Versuchsanstalt | Projection mask as well as a method and apparatus for the embedding thereof and projection printing system |
JPS57153433A (en) | 1981-03-18 | 1982-09-22 | Hitachi Ltd | Manufacturing device for semiconductor |
US5040020A (en) | 1988-03-31 | 1991-08-13 | Cornell Research Foundation, Inc. | Self-aligned, high resolution resonant dielectric lithography |
JPH03209479A (ja) | 1989-09-06 | 1991-09-12 | Sanee Giken Kk | 露光方法 |
US5121256A (en) | 1991-03-14 | 1992-06-09 | The Board Of Trustees Of The Leland Stanford Junior University | Lithography system employing a solid immersion lens |
JP2753930B2 (ja) | 1992-11-27 | 1998-05-20 | キヤノン株式会社 | 液浸式投影露光装置 |
US5874820A (en) | 1995-04-04 | 1999-02-23 | Nikon Corporation | Window frame-guided stage mechanism |
US5528118A (en) | 1994-04-01 | 1996-06-18 | Nikon Precision, Inc. | Guideless stage with isolated reaction stage |
US5623853A (en) | 1994-10-19 | 1997-04-29 | Nikon Precision Inc. | Precision motion stage with single guide beam and follower stage |
JPH08316124A (ja) | 1995-05-19 | 1996-11-29 | Hitachi Ltd | 投影露光方法及び露光装置 |
WO1998009278A1 (en) | 1996-08-26 | 1998-03-05 | Digital Papyrus Technologies | Method and apparatus for coupling an optical lens to a disk through a coupling medium having a relatively high index of refraction |
US5825043A (en) | 1996-10-07 | 1998-10-20 | Nikon Precision Inc. | Focusing and tilting adjustment system for lithography aligner, manufacturing apparatus or inspection apparatus |
AU5067898A (en) | 1996-11-28 | 1998-06-22 | Nikon Corporation | Aligner and method for exposure |
EP0890136B9 (en) | 1996-12-24 | 2003-12-10 | ASML Netherlands B.V. | Two-dimensionally balanced positioning device with two object holders, and lithographic device provided with such a positioning device |
EP0900412B1 (en) | 1997-03-10 | 2005-04-06 | ASML Netherlands B.V. | Lithographic apparatus comprising a positioning device having two object holders |
JP3747566B2 (ja) * | 1997-04-23 | 2006-02-22 | 株式会社ニコン | 液浸型露光装置 |
US5900354A (en) | 1997-07-03 | 1999-05-04 | Batchelder; John Samuel | Method for optical inspection and lithography |
EP1039511A4 (en) | 1997-12-12 | 2005-03-02 | Nikon Corp | PROJECTION EXPOSURE PROCESSING METHOD AND PROJECTION APPARATUS |
JP2000058436A (ja) | 1998-08-11 | 2000-02-25 | Nikon Corp | 投影露光装置及び露光方法 |
TWI242111B (en) | 1999-04-19 | 2005-10-21 | Asml Netherlands Bv | Gas bearings for use in vacuum chambers and their application in lithographic projection apparatus |
JP4504479B2 (ja) | 1999-09-21 | 2010-07-14 | オリンパス株式会社 | 顕微鏡用液浸対物レンズ |
US6995930B2 (en) | 1999-12-29 | 2006-02-07 | Carl Zeiss Smt Ag | Catadioptric projection objective with geometric beam splitting |
US7187503B2 (en) | 1999-12-29 | 2007-03-06 | Carl Zeiss Smt Ag | Refractive projection objective for immersion lithography |
US6865663B2 (en) * | 2000-02-24 | 2005-03-08 | Pts Corporation | Control processor dynamically loading shadow instruction register associated with memory entry of coprocessor in flexible coupling mode |
JP2001272604A (ja) | 2000-03-27 | 2001-10-05 | Olympus Optical Co Ltd | 液浸対物レンズおよびそれを用いた光学装置 |
TW591653B (en) | 2000-08-08 | 2004-06-11 | Koninkl Philips Electronics Nv | Method of manufacturing an optically scannable information carrier |
KR100866818B1 (ko) | 2000-12-11 | 2008-11-04 | 가부시키가이샤 니콘 | 투영광학계 및 이 투영광학계를 구비한 노광장치 |
US20020163629A1 (en) | 2001-05-07 | 2002-11-07 | Michael Switkes | Methods and apparatus employing an index matching medium |
US6600547B2 (en) | 2001-09-24 | 2003-07-29 | Nikon Corporation | Sliding seal |
US6897941B2 (en) | 2001-11-07 | 2005-05-24 | Applied Materials, Inc. | Optical spot grid array printer |
DE10229818A1 (de) | 2002-06-28 | 2004-01-15 | Carl Zeiss Smt Ag | Verfahren zur Fokusdetektion und Abbildungssystem mit Fokusdetektionssystem |
DE10210899A1 (de) | 2002-03-08 | 2003-09-18 | Zeiss Carl Smt Ag | Refraktives Projektionsobjektiv für Immersions-Lithographie |
US7092069B2 (en) | 2002-03-08 | 2006-08-15 | Carl Zeiss Smt Ag | Projection exposure method and projection exposure system |
DE10239516A1 (de) | 2002-08-28 | 2004-03-18 | Dürr Systems GmbH | Schlauch für die elektrostatische Beschichtung von Werkstücken |
JP3767815B2 (ja) * | 2002-08-26 | 2006-04-19 | 京楽産業株式会社 | メダル研磨装置 |
US7093375B2 (en) | 2002-09-30 | 2006-08-22 | Lam Research Corporation | Apparatus and method for utilizing a meniscus in substrate processing |
US6988326B2 (en) | 2002-09-30 | 2006-01-24 | Lam Research Corporation | Phobic barrier meniscus separation and containment |
US7383843B2 (en) | 2002-09-30 | 2008-06-10 | Lam Research Corporation | Method and apparatus for processing wafer surfaces using thin, high velocity fluid layer |
US6954993B1 (en) | 2002-09-30 | 2005-10-18 | Lam Research Corporation | Concentric proximity processing head |
US6988327B2 (en) | 2002-09-30 | 2006-01-24 | Lam Research Corporation | Methods and systems for processing a substrate using a dynamic liquid meniscus |
US7367345B1 (en) | 2002-09-30 | 2008-05-06 | Lam Research Corporation | Apparatus and method for providing a confined liquid for immersion lithography |
US6788477B2 (en) | 2002-10-22 | 2004-09-07 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Apparatus for method for immersion lithography |
US7110081B2 (en) | 2002-11-12 | 2006-09-19 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
CN101382738B (zh) | 2002-11-12 | 2011-01-12 | Asml荷兰有限公司 | 光刻投射装置 |
KR100588124B1 (ko) | 2002-11-12 | 2006-06-09 | 에이에스엠엘 네델란즈 비.브이. | 리소그래피장치 및 디바이스제조방법 |
JP3977324B2 (ja) | 2002-11-12 | 2007-09-19 | エーエスエムエル ネザーランズ ビー.ブイ. | リソグラフィ装置 |
SG131766A1 (en) | 2002-11-18 | 2007-05-28 | Asml Netherlands Bv | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
DE10253679A1 (de) | 2002-11-18 | 2004-06-03 | Infineon Technologies Ag | Optische Einrichtung zur Verwendung bei einem Lithographie-Verfahren, insbesondere zur Herstellung eines Halbleiter-Bauelements, sowie optisches Lithographieverfahren |
SG121829A1 (en) | 2002-11-29 | 2006-05-26 | Asml Netherlands Bv | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
DE10258718A1 (de) | 2002-12-09 | 2004-06-24 | Carl Zeiss Smt Ag | Projektionsobjektiv, insbesondere für die Mikrolithographie, sowie Verfahren zur Abstimmung eines Projektionsobjektives |
EP1571697A4 (en) | 2002-12-10 | 2007-07-04 | Nikon Corp | EXPOSURE SYSTEM AND DEVICE PRODUCTION METHOD |
CN1717776A (zh) | 2002-12-10 | 2006-01-04 | 株式会社尼康 | 光学元件及使用该光学元件的投影曝光装置 |
EP1429190B1 (en) | 2002-12-10 | 2012-05-09 | Canon Kabushiki Kaisha | Exposure apparatus and method |
AU2003302831A1 (en) | 2002-12-10 | 2004-06-30 | Nikon Corporation | Exposure method, exposure apparatus and method for manufacturing device |
JP4232449B2 (ja) | 2002-12-10 | 2009-03-04 | 株式会社ニコン | 露光方法、露光装置、及びデバイス製造方法 |
AU2003289271A1 (en) | 2002-12-10 | 2004-06-30 | Nikon Corporation | Exposure apparatus, exposure method and method for manufacturing device |
JP4352874B2 (ja) | 2002-12-10 | 2009-10-28 | 株式会社ニコン | 露光装置及びデバイス製造方法 |
KR101157002B1 (ko) | 2002-12-10 | 2012-06-21 | 가부시키가이샤 니콘 | 노광 장치 및 디바이스 제조 방법 |
WO2004053953A1 (ja) | 2002-12-10 | 2004-06-24 | Nikon Corporation | 露光装置及びデバイス製造方法 |
US7242455B2 (en) * | 2002-12-10 | 2007-07-10 | Nikon Corporation | Exposure apparatus and method for producing device |
AU2003289272A1 (en) | 2002-12-10 | 2004-06-30 | Nikon Corporation | Surface position detection apparatus, exposure method, and device porducing method |
DE10257766A1 (de) | 2002-12-10 | 2004-07-15 | Carl Zeiss Smt Ag | Verfahren zur Einstellung einer gewünschten optischen Eigenschaft eines Projektionsobjektivs sowie mikrolithografische Projektionsbelichtungsanlage |
KR20050085236A (ko) | 2002-12-10 | 2005-08-29 | 가부시키가이샤 니콘 | 노광 장치 및 디바이스 제조 방법 |
KR101085372B1 (ko) | 2002-12-10 | 2011-11-21 | 가부시키가이샤 니콘 | 노광 장치 및 디바이스 제조 방법 |
US7010958B2 (en) | 2002-12-19 | 2006-03-14 | Asml Holding N.V. | High-resolution gas gauge proximity sensor |
EP1732075A3 (en) | 2002-12-19 | 2007-02-21 | Koninklijke Philips Electronics N.V. | Method and device for irradiating spots on a layer |
JP4364805B2 (ja) | 2002-12-19 | 2009-11-18 | コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ | 層上にスポットを照射する方法及び装置 |
US6781670B2 (en) | 2002-12-30 | 2004-08-24 | Intel Corporation | Immersion lithography |
US7090964B2 (en) | 2003-02-21 | 2006-08-15 | Asml Holding N.V. | Lithographic printing with polarized light |
US6943941B2 (en) | 2003-02-27 | 2005-09-13 | Asml Netherlands B.V. | Stationary and dynamic radial transverse electric polarizer for high numerical aperture systems |
US7206059B2 (en) | 2003-02-27 | 2007-04-17 | Asml Netherlands B.V. | Stationary and dynamic radial transverse electric polarizer for high numerical aperture systems |
US7029832B2 (en) | 2003-03-11 | 2006-04-18 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Immersion lithography methods using carbon dioxide |
US20050164522A1 (en) | 2003-03-24 | 2005-07-28 | Kunz Roderick R. | Optical fluids, and systems and methods of making and using the same |
JP2004312024A (ja) | 2003-04-09 | 2004-11-04 | Nikon Corp | 液浸リソグラフィシステム |
JP4650413B2 (ja) | 2003-04-10 | 2011-03-16 | 株式会社ニコン | 液浸リソグフラフィ装置用の移送領域を含む環境システム |
JP4025683B2 (ja) | 2003-05-09 | 2007-12-26 | 松下電器産業株式会社 | パターン形成方法及び露光装置 |
JP4146755B2 (ja) | 2003-05-09 | 2008-09-10 | 松下電器産業株式会社 | パターン形成方法 |
TWI295414B (en) | 2003-05-13 | 2008-04-01 | Asml Netherlands Bv | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
TWI282487B (en) | 2003-05-23 | 2007-06-11 | Canon Kk | Projection optical system, exposure apparatus, and device manufacturing method |
US7274472B2 (en) | 2003-05-28 | 2007-09-25 | Timbre Technologies, Inc. | Resolution enhanced optical metrology |
DE10324477A1 (de) | 2003-05-30 | 2004-12-30 | Carl Zeiss Smt Ag | Mikrolithographische Projektionsbelichtungsanlage |
TWI347741B (en) | 2003-05-30 | 2011-08-21 | Asml Netherlands Bv | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
US7213963B2 (en) | 2003-06-09 | 2007-05-08 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
EP2261741A3 (en) | 2003-06-11 | 2011-05-25 | ASML Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
JP4084710B2 (ja) | 2003-06-12 | 2008-04-30 | 松下電器産業株式会社 | パターン形成方法 |
JP4054285B2 (ja) | 2003-06-12 | 2008-02-27 | 松下電器産業株式会社 | パターン形成方法 |
US6867844B2 (en) | 2003-06-19 | 2005-03-15 | Asml Holding N.V. | Immersion photolithography system and method using microchannel nozzles |
JP4029064B2 (ja) | 2003-06-23 | 2008-01-09 | 松下電器産業株式会社 | パターン形成方法 |
JP4084712B2 (ja) | 2003-06-23 | 2008-04-30 | 松下電器産業株式会社 | パターン形成方法 |
JP2005019616A (ja) | 2003-06-25 | 2005-01-20 | Canon Inc | 液浸式露光装置 |
JP4343597B2 (ja) | 2003-06-25 | 2009-10-14 | キヤノン株式会社 | 露光装置及びデバイス製造方法 |
JP3862678B2 (ja) | 2003-06-27 | 2006-12-27 | キヤノン株式会社 | 露光装置及びデバイス製造方法 |
EP1491956B1 (en) | 2003-06-27 | 2006-09-06 | ASML Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
US6809794B1 (en) | 2003-06-27 | 2004-10-26 | Asml Holding N.V. | Immersion photolithography system and method using inverted wafer-projection optics interface |
EP1498778A1 (en) | 2003-06-27 | 2005-01-19 | ASML Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
EP1494074A1 (en) * | 2003-06-30 | 2005-01-05 | ASML Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
US7236232B2 (en) | 2003-07-01 | 2007-06-26 | Nikon Corporation | Using isotopically specified fluids as optical elements |
SG109000A1 (en) | 2003-07-16 | 2005-02-28 | Asml Netherlands Bv | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
US7384149B2 (en) | 2003-07-21 | 2008-06-10 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic projection apparatus, gas purging method and device manufacturing method and purge gas supply system |
EP1500982A1 (en) | 2003-07-24 | 2005-01-26 | ASML Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
US7006209B2 (en) | 2003-07-25 | 2006-02-28 | Advanced Micro Devices, Inc. | Method and apparatus for monitoring and controlling imaging in immersion lithography systems |
EP1503244A1 (en) | 2003-07-28 | 2005-02-02 | ASML Netherlands B.V. | Lithographic projection apparatus and device manufacturing method |
US7326522B2 (en) | 2004-02-11 | 2008-02-05 | Asml Netherlands B.V. | Device manufacturing method and a substrate |
US7175968B2 (en) | 2003-07-28 | 2007-02-13 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus, device manufacturing method and a substrate |
US7061578B2 (en) | 2003-08-11 | 2006-06-13 | Advanced Micro Devices, Inc. | Method and apparatus for monitoring and controlling imaging in immersion lithography systems |
US7700267B2 (en) | 2003-08-11 | 2010-04-20 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Immersion fluid for immersion lithography, and method of performing immersion lithography |
US7579135B2 (en) | 2003-08-11 | 2009-08-25 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Lithography apparatus for manufacture of integrated circuits |
US7085075B2 (en) | 2003-08-12 | 2006-08-01 | Carl Zeiss Smt Ag | Projection objectives including a plurality of mirrors with lenses ahead of mirror M3 |
US6844206B1 (en) | 2003-08-21 | 2005-01-18 | Advanced Micro Devices, Llp | Refractive index system monitor and control for immersion lithography |
US7070915B2 (en) | 2003-08-29 | 2006-07-04 | Tokyo Electron Limited | Method and system for drying a substrate |
US6954256B2 (en) | 2003-08-29 | 2005-10-11 | Asml Netherlands B.V. | Gradient immersion lithography |
US7014966B2 (en) | 2003-09-02 | 2006-03-21 | Advanced Micro Devices, Inc. | Method and apparatus for elimination of bubbles in immersion medium in immersion lithography systems |
KR20170070264A (ko) | 2003-09-03 | 2017-06-21 | 가부시키가이샤 니콘 | 액침 리소그래피용 유체를 제공하기 위한 장치 및 방법 |
JP4378136B2 (ja) * | 2003-09-04 | 2009-12-02 | キヤノン株式会社 | 露光装置及びデバイス製造方法 |
JP3870182B2 (ja) | 2003-09-09 | 2007-01-17 | キヤノン株式会社 | 露光装置及びデバイス製造方法 |
US6961186B2 (en) | 2003-09-26 | 2005-11-01 | Takumi Technology Corp. | Contact printing using a magnified mask image |
US7369217B2 (en) | 2003-10-03 | 2008-05-06 | Micronic Laser Systems Ab | Method and device for immersion lithography |
US7678527B2 (en) | 2003-10-16 | 2010-03-16 | Intel Corporation | Methods and compositions for providing photoresist with improved properties for contacting liquids |
JP2005159322A (ja) | 2003-10-31 | 2005-06-16 | Nikon Corp | 定盤、ステージ装置及び露光装置並びに露光方法 |
WO2005050324A2 (en) | 2003-11-05 | 2005-06-02 | Dsm Ip Assets B.V. | A method and apparatus for producing microchips |
US7924397B2 (en) | 2003-11-06 | 2011-04-12 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Anti-corrosion layer on objective lens for liquid immersion lithography applications |
US7545481B2 (en) | 2003-11-24 | 2009-06-09 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
EP1695148B1 (en) | 2003-11-24 | 2015-10-28 | Carl Zeiss SMT GmbH | Immersion objective |
US7125652B2 (en) | 2003-12-03 | 2006-10-24 | Advanced Micro Devices, Inc. | Immersion lithographic process using a conforming immersion medium |
JP2005175016A (ja) | 2003-12-08 | 2005-06-30 | Canon Inc | 基板保持装置およびそれを用いた露光装置ならびにデバイス製造方法 |
JP2005175034A (ja) | 2003-12-09 | 2005-06-30 | Canon Inc | 露光装置 |
WO2005059654A1 (en) | 2003-12-15 | 2005-06-30 | Carl Zeiss Smt Ag | Objective as a microlithography projection objective with at least one liquid lens |
KR101200654B1 (ko) | 2003-12-15 | 2012-11-12 | 칼 짜이스 에스엠티 게엠베하 | 고 개구율 및 평평한 단부면을 가진 투사 대물렌즈 |
US20050185269A1 (en) | 2003-12-19 | 2005-08-25 | Carl Zeiss Smt Ag | Catadioptric projection objective with geometric beam splitting |
US7460206B2 (en) | 2003-12-19 | 2008-12-02 | Carl Zeiss Smt Ag | Projection objective for immersion lithography |
JP5102492B2 (ja) | 2003-12-19 | 2012-12-19 | カール・ツァイス・エスエムティー・ゲーエムベーハー | 結晶素子を有するマイクロリソグラフィー投影用対物レンズ |
US7589818B2 (en) | 2003-12-23 | 2009-09-15 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus, alignment apparatus, device manufacturing method, and a method of converting an apparatus |
US7394521B2 (en) | 2003-12-23 | 2008-07-01 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
US7119884B2 (en) | 2003-12-24 | 2006-10-10 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
JP2005191381A (ja) | 2003-12-26 | 2005-07-14 | Canon Inc | 露光方法及び装置 |
JP2005191393A (ja) | 2003-12-26 | 2005-07-14 | Canon Inc | 露光方法及び装置 |
US20050147920A1 (en) | 2003-12-30 | 2005-07-07 | Chia-Hui Lin | Method and system for immersion lithography |
US7088422B2 (en) | 2003-12-31 | 2006-08-08 | International Business Machines Corporation | Moving lens for immersion optical lithography |
JP4371822B2 (ja) | 2004-01-06 | 2009-11-25 | キヤノン株式会社 | 露光装置 |
JP4429023B2 (ja) | 2004-01-07 | 2010-03-10 | キヤノン株式会社 | 露光装置及びデバイス製造方法 |
US20050153424A1 (en) | 2004-01-08 | 2005-07-14 | Derek Coon | Fluid barrier with transparent areas for immersion lithography |
DE602005008707D1 (de) | 2004-01-14 | 2008-09-18 | Zeiss Carl Smt Ag | Catadioptrisches projektionsobjektiv |
KR101295439B1 (ko) | 2004-01-16 | 2013-08-09 | 칼 짜이스 에스엠티 게엠베하 | 편광변조 광학소자 |
WO2005069078A1 (en) | 2004-01-19 | 2005-07-28 | Carl Zeiss Smt Ag | Microlithographic projection exposure apparatus with immersion projection lens |
JP4843503B2 (ja) | 2004-01-20 | 2011-12-21 | カール・ツァイス・エスエムティー・ゲーエムベーハー | マイクロリソグラフィ投影露光装置および投影レンズのための測定装置 |
US7026259B2 (en) | 2004-01-21 | 2006-04-11 | International Business Machines Corporation | Liquid-filled balloons for immersion lithography |
US7391501B2 (en) | 2004-01-22 | 2008-06-24 | Intel Corporation | Immersion liquids with siloxane polymer for immersion lithography |
WO2005074606A2 (en) | 2004-02-03 | 2005-08-18 | Rochester Institute Of Technology | Method of photolithography using a fluid and a system thereof |
US7050146B2 (en) | 2004-02-09 | 2006-05-23 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
WO2005076084A1 (en) | 2004-02-09 | 2005-08-18 | Carl Zeiss Smt Ag | Projection objective for a microlithographic projection exposure apparatus |
JP4018647B2 (ja) | 2004-02-09 | 2007-12-05 | キヤノン株式会社 | 投影露光装置およびデバイス製造方法 |
US20070165198A1 (en) | 2004-02-13 | 2007-07-19 | Carl Zeiss Smt Ag | Projection objective for a microlithographic projection exposure apparatus |
WO2005081030A1 (en) | 2004-02-18 | 2005-09-01 | Corning Incorporated | Catadioptric imaging system for high numerical aperture imaging with deep ultraviolet light |
US20050205108A1 (en) | 2004-03-16 | 2005-09-22 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Method and system for immersion lithography lens cleaning |
US7027125B2 (en) | 2004-03-25 | 2006-04-11 | International Business Machines Corporation | System and apparatus for photolithography |
JP4510494B2 (ja) * | 2004-03-29 | 2010-07-21 | キヤノン株式会社 | 露光装置 |
US7084960B2 (en) | 2004-03-29 | 2006-08-01 | Intel Corporation | Lithography using controlled polarization |
JP2005286068A (ja) * | 2004-03-29 | 2005-10-13 | Canon Inc | 露光装置及び方法 |
US7227619B2 (en) | 2004-04-01 | 2007-06-05 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
US7034917B2 (en) | 2004-04-01 | 2006-04-25 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus, device manufacturing method and device manufactured thereby |
US7295283B2 (en) | 2004-04-02 | 2007-11-13 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
US7712905B2 (en) | 2004-04-08 | 2010-05-11 | Carl Zeiss Smt Ag | Imaging system with mirror group |
US7898642B2 (en) | 2004-04-14 | 2011-03-01 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
US7271878B2 (en) | 2004-04-22 | 2007-09-18 | International Business Machines Corporation | Wafer cell for immersion lithography |
US7244665B2 (en) | 2004-04-29 | 2007-07-17 | Micron Technology, Inc. | Wafer edge ring structures and methods of formation |
US7379159B2 (en) | 2004-05-03 | 2008-05-27 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
WO2005111722A2 (en) | 2004-05-04 | 2005-11-24 | Nikon Corporation | Apparatus and method for providing fluid for immersion lithography |
US20060244938A1 (en) | 2004-05-04 | 2006-11-02 | Karl-Heinz Schuster | Microlitographic projection exposure apparatus and immersion liquid therefore |
US7091502B2 (en) | 2004-05-12 | 2006-08-15 | Taiwan Semiconductor Manufacturing, Co., Ltd. | Apparatus and method for immersion lithography |
KR20170129271A (ko) | 2004-05-17 | 2017-11-24 | 칼 짜이스 에스엠티 게엠베하 | 중간이미지를 갖는 카타디옵트릭 투사 대물렌즈 |
US7616383B2 (en) | 2004-05-18 | 2009-11-10 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
US7486381B2 (en) | 2004-05-21 | 2009-02-03 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
KR101199076B1 (ko) | 2004-06-04 | 2012-11-07 | 칼 짜이스 에스엠티 게엠베하 | 강도 변동이 보상된 투사 시스템 및 이를 위한 보상 요소 |
WO2005119368A2 (en) | 2004-06-04 | 2005-12-15 | Carl Zeiss Smt Ag | System for measuring the image quality of an optical imaging system |
US7481867B2 (en) | 2004-06-16 | 2009-01-27 | Edwards Limited | Vacuum system for immersion photolithography |
US7701550B2 (en) | 2004-08-19 | 2010-04-20 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
US7397533B2 (en) * | 2004-12-07 | 2008-07-08 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
US20060232753A1 (en) * | 2005-04-19 | 2006-10-19 | Asml Holding N.V. | Liquid immersion lithography system with tilted liquid flow |
-
2004
- 2004-12-07 US US11/005,221 patent/US7397533B2/en not_active Expired - Fee Related
-
2005
- 2005-12-06 JP JP2005351544A patent/JP4473811B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2008
- 2008-05-14 US US12/153,116 patent/US8045137B2/en not_active Expired - Fee Related
-
2009
- 2009-02-26 JP JP2009043678A patent/JP2009164622A/ja active Pending
-
2011
- 2011-09-22 US US13/240,750 patent/US20120008115A1/en not_active Abandoned
- 2011-12-27 JP JP2011285622A patent/JP2012094892A/ja active Pending
Patent Citations (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2004165666A (ja) * | 2002-11-12 | 2004-06-10 | Asml Netherlands Bv | リソグラフィ装置及びデバイス製造方法 |
JP2004289128A (ja) * | 2002-11-12 | 2004-10-14 | Asml Netherlands Bv | リソグラフィ装置及びデバイス製造方法 |
WO2004055803A1 (en) * | 2002-12-13 | 2004-07-01 | Koninklijke Philips Electronics N.V. | Liquid removal in a method and device for irradiating spots on a layer |
WO2004086470A1 (ja) * | 2003-03-25 | 2004-10-07 | Nikon Corporation | 露光装置及びデバイス製造方法 |
JP2005236121A (ja) * | 2004-02-20 | 2005-09-02 | Nikon Corp | 露光装置及びデバイス製造方法 |
WO2006003373A2 (en) * | 2004-07-01 | 2006-01-12 | The Boc Group Plc | Immersion photolithography system |
JP2008504708A (ja) * | 2004-07-01 | 2008-02-14 | ザ ビーオーシー グループ ピーエルシー | 液浸フォトリソグラフィシステム |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
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