JP4383993B2 - リソグラフィ装置 - Google Patents

Description

本発明はリソグラフィ装置およびデバイスの製造方法に関する。

リソグラフィ装置は基板に、通常は基板の目標部分に、所望のパターンを与えるマシンである。リソグラフィ投影装置は例えば、集積回路（ＩＣ）の製造において使用可能である。この例において、マスクあるいはレチクルにも相当するパターニングデバイスは、ＩＣの個々の層に形成される回路パターンを生成するために使用される。そして、基板（例えばシリコンウェハ）上の目標部分（例えば１つまたは複数のダイの部分から成る）にこのパターンを転写することが可能である。パターン転写は一般的に基板上に設けられた放射線感光材料（レジスト）の層に結像することでなされる。一般的に、シングルウェハは、順次パターン化される近接目標部分のネットワークを含む。既知のリソグラフィ装置には、全体パターンを目標部分に１回の作動にて露光することにより各目標部分が照射される、いわゆるステッパと、所定の方向（「スキャニング」方向）にパターンを投影ビーム下で徐々にスキャニングし、これと同時に基板をこの方向と平行に、あるいは反平行にスキャニングすることにより各目標部分が照射される、いわゆるスキャナーとが含まれる。パターンを基板上にインプリントすることによって、パターニングデバイスから基板への転写もまた可能である。

投影システムの最終構成要素と基板間のスペースを充填するよう、リソグラフィ投影装置において基板を例えば水といったような比較的高い屈折率を有する液体に浸すことが提案されている。これのポイントは、露光放射線が液体においてより短い波長を有することから、より小さいフィーチャの結像を可能にすることにある。液体の効果はまた、システムの有効ＮＡを増すと共に、焦点深度も増すと考えられる。固形微粒子（例えば水晶）が浮遊した水を含む他の浸液も提案されている。

しかしながら、基板、あるいは基板および基板テーブルを液槽に沈めることは（詳細は例えば米国特許出願番号第４，５０９，８５２号を参照されたい。）、液体の大部分が走査露光中に加速される必要があることを意味する。これには追加のモータかもしくはより強力なモータを必要とし、また、液体の乱流により望ましからざる、予測できない影響をもたらすことがある。

提案されている解決方法の１つに、液体供給システムにおいて、液体閉込めシステムを用い、基板の局所的領域だけに、かつ投影システムの最終構成要素と基板間に液体を供給するというものがある。一般に基板は投影システムの最終構成要素よりも表面領域が大きい。これをアレンジするために提案された一方法が国際特許出願番号第ＷＯ９９／４９５０４号において開示されているので詳細は当該文献を参照されたい。図２および図３において示されているように、望ましくは最終構成要素に対する基板の動作方向に沿って、少なくとも１つのインレットＩＮにより液体が基板に供給され、かつ、投影システム下を通過した後、液体は少なくとも１つのアウトレットＯＵＴにより取り除かれる。すなわち、基板が最終構成要素の下でＸ方向に走査されると、液体はこの構成要素の＋Ｘサイドにて供給され、−Ｘサイドにて取り出される。図２はこの構成を図示したものであり、ここで液体はインレットＩＮにより供給され、この構成要素の他方サイドにて低圧力源ソースに連結したアウトレットＯＵＴにより取り出される。図２においては、最終構成要素に対する基板の動作方向に沿って液体が供給されているが、これに限定される必要はない。最終構成要素の周りに配設されるインレットおよびアウトレットの位置およびその数はさまざまであり、その一例を図３に示している。ここで、両サイドにアウトレットを配設した４セットのインレットが最終構成要素のまわりに規則正しく配設されている。

提案のなされている他の解決方法は、投影システムの最終構成要素と基板テーブル間のスペースの境界の少なくとも一部分に沿って伸長するシール部材を有する液体供給システムを提供することである。そのような解決法を図4に示している。Ｚ方向（光軸の方向）の相対動作が多少あるかもしれないが、シール部材はＸＹ面における投影システムに対してほぼ静止状態にある。シールはシール部材と基板表面間に形成される。好ましくは、シールはガスシールのような非接触シールである。

こうしたガスシールによるシステムが欧州特許申請番号第０３２５２９５５．４号において開示されている。これの開示内容全体を本明細書に引用したものとし、かつ、図５において示す。リザーバ１０は投影システムのイメージフィールドの周囲において基板への非接触シールを形成し、それにより、液体が、基板表面と投影システムの最終構成要素間のスペースを充填するように閉じ込められる。リザーバは、投影システムＰＬの最終構成要素の下で、これを囲んで配置されたシール部材１２により形成されている。液体は、投影システムの下の、シール部材１２内のスペースに配される。シール部材１２は投影システムの最終構成要素よりも少し上方に伸長し、液面は該最終構成要素よりも高くなっており、それによって液体のバッファがもたらされる。シール部材１２は、その上端部で、投影システムの形状またはその最終構成要素に好ましくはきっちり一致する内周を有し、例えば囲んでいる。その底面において、内周は、これに限定されるものではないが例えば長方形の、イメージフィールドの形状にきっちり一致する。

液体は、シール部材１２の底面と基板Ｗの表面間におけるガスシール１６によりリザーバ内に閉じ込められる。ガスシールは、例えばエアーあるいは合成エアー、しかし望ましくはＮ_２もしくは他の不活性ガスといったガスから形成され、こうしたガスは、シール部材１２と基板間のギャップにインレット１５を介して加圧下にて供給され、第一アウトレット１４を介して排出される。ガスインレット１５における過圧、第一アウトレット１４における真空レベル、およびギャップのジオメトリは、液体を閉じ込める、内側への高速空気流が存在する。

欧州特許申請第０３２５７０２３．３号において、ツインステージすなわちデュアルステージの液浸リソグラフィ装置の発案が開示されている。このような装置には基板を支持する２つのステージが配設されている。第一ポジションのステージでは浸液なしでレベリング計測が実行され、浸液のある第二ポジションのステージにて露光が実行される。あるいは、該装置は１つのみのステージを備える。

基板の処理の間、基板はそのキャリアにしっかりと保持されなくてはならない。従来装置において、空気圧により基板をキャリアに保持することが可能である。基板は、真空システムもしくは低圧ソースが設けられた複数のパッセージを含んだチャックにマウントされる。真空システムが稼動状態にあるとき、基板は空気圧の作用によりキャリアにクランプされる。

しかし、このような従来システムは基板が液浸される装置には適さない。液浸装置においては水が真空ポンプ装置に引き込まれ、クランピングに問題を生じることから、空気圧クランピングは適しておらない。

液体が存在するにもかかわらず有効に作動するクランピングシステムを提供することが望ましい。

本発明の態様に従って、パターンをパターニング装置から基板に転写するようにされ、かつ、基板をキャリアに保持するクランピングシステムを備えたリソグラフィ装置が提供される。該クランピングシステムは、
− クランプ面を有するチャックを有しており、該クランプ面はこれに形成された少なくとも１つの突起を有し、基板はクランプされる際に少なくとも１つの該突起により支持され、それによりクランプ面と基板間のスペースが画成され、また、該クランピングシステムは、
− クランプ面と基板間の該スペースを通って液体を排出入するポンプを備え、
− クランプ面と基板間のスペース内の該液体は、該基板の反対側の流体よりも低圧であり、それにより正味の力が該基板に及ぼされて該基板をクランプ面に保持することを特徴とする。

本発明の別の態様に従って、パターンをパターニング装置から基板に転写することから成るデバイス製造方法が提供される。ここで、該基板の反対側の流体よりも低圧であるクランプ面と該基板間のスペースに液体を供給することによって、該基板はチャックのクランプ面に保持される。

本発明の実施例についての詳細説明を、添付の図面を参照に、例示の方法においてのみ行うものとする。ここで、一致する参照符合はその対応一致する部分を示すものとする。

図１は、本発明の独自の実施形態に基づくリソグラフィ投影装置を示したものである。本装置は、
− 放射線ビームＢ（例えばＵＶ放射線あるいはＤＵＶ放射線）を調整するように構成された照明システム（照明装置）ＩＬと、
− パターニングデバイス（例えばマスク）ＭＡを支持するように構成され、かつ、特定のパラメータに基づいて正確にパターニングデバイスの位置決めを行うように構成された第一ポジショナＰＭに連結を行った支持構造（例えばマスクテーブル）ＭＴと、
− 基板（例えばレジスト塗布ウェハ）を保持するように構成され、かつ、特定のパラメータに基づいて正確に基板の位置決めを行うように構成された第二ポジショナＰＷに連結を行った基板テーブル（例えばウェハテーブル）ＷＴと、
− パターニングデバイスＭＡにより投影ビームＢに与えられたパターンを、基板Ｗの目標部分Ｃ（例えば、１つあるいはそれ以上のダイから成る）に投影するように構成された投影システム（例えば屈折投影レンズ）ＰＳとにより構成されている。

照明システムには、放射線の誘導、成形、あるいは調整を行う、屈折、反射、磁気、電磁、静電、また他のタイプの光学部品、もしくはこれらの組み合わせといったような様々なタイプの光学部品が含まれる。

支持構造はパターニングデバイスを支持する（すなわちパターニングデバイスの重量を支える）。支持構造は、パターニングデバイスの位置、リソグラフィ装置の設計、かつ、例えば、パターニングデバイスが真空環境に保持されているか否かといったような他の条件に基づく方法でパターニングデバイスを保持する。支持構造には、パターニングデバイスを保持する目的に、機械、真空、静電、または他のクランプ技術が使用され得る。支持構造は、例えば、その要求に応じて、固定されるか、あるいは可動式であるフレームもしくはテーブルであろう。支持構造はパターニングデバイスを例えば投影システムに対して所望の位置に配置可能にする。本明細書において使用する「レチクル」あるいは「マスク」なる用語は、より一般的な用語である「パターニングデバイス」と同義とみなされる。

本明細書において使用する「パターニングデバイス」なる用語は、基板の目標部分にパターンを作り出すべく、投影ビームの断面にパターンを与えるために使用可能なデバイスに相当するものとして広義に解釈されるべきである。投影ビームに与えられたパターンは、例えばパターンが位相シフトフィーチャあるいは所謂アシストフィーチャを含む場合、基板の目標部分における所望のパターンとは必ずしも完全には一致しないことを注記する。一般に、投影ビームに与えられるパターンは、集積回路といったような、目標部分に作り出されるデバイスの特別な機能層に相当する。

パターニングデバイスは透過型か反射型である。パターニングデバイスの例には、マスク、プログラム可能ミラーアレイ、およびプログラム可能ＬＣＤパネルが含まれる。マスクはリソグラフィにおいて周知のものであり、これには、様々なハイブリッドマスクタイプのみならず、バイナリマスク、レベンソンマスク、減衰位相シフトマスクといったようなマスクタイプも含まれる。プログラム可能ミラーアレイの例では、小さなミラーのマトリクス配列を用い、その各々に傾斜が個々にもうけられており、それによって入射の放射線ビームを異なる方向に反射させる。傾斜ミラーは、ミラーマトリクスによって反射される放射線ビームにパターンを与える。

本文に使用する「投影システム」なる用語は、使用される露光放射線に適した、もしくは浸液の使用または真空の使用といったような他のファクタに適した、屈折光学システム、反射光学システム、反射屈折光学システム、磁気光学システム、電磁光学システム、および静電光学システム、あるいはこれらの組み合わせを含めた様々なタイプの投影システムの網羅するものとして広義に解釈されるべきである。ここに使用する「投影レンズ」なる用語のどのような使用においても、より一般的な用語である「投影システム」と同義とみなされる。

ここで示しているように、この装置は透過タイプ（例えば透過マスクを使用する）である。あるいは、該装置は反射タイプの（例えば上記に相当するタイプのプログラム可能ミラーアレイを使用する、あるいは反射マスクを使用する）ものも可能である。

リソグラフィ装置は、２つ（デュアルステージ）、またはそれ以上の基板テーブル（かつ／または２つ以上のマスクテーブル）を有するタイプのものである。このような「多段」マシンにおいて追加のテーブルを並行して使用され得る。もしくは、１つ以上のテーブルが露光に使用されている間に、予備工程が他の１つ以上のテーブルにて実行され得る。

図1を参照に説明すると、照明装置ＩＬは放射線源ＳＯから放射線のビームを受け取る。この放射線源とリソグラフィ装置は、例えばソースがエキシマレーザである場合、別々の構成要素である。こうしたケースでは、放射線源がリソグラフィ装置の一部を構成するとはみなされず、放射線ビームは、例えば適した誘導ミラーかつ／またはビームエキスパンダから成るビーム配給システムＢＤにより、放射線源ＳＯから照明装置ＩＬに進む。別のケースにおいては、例えば放射線源が水銀ランプである場合、放射線源はリソグラフィ装置に統合された部分である。放射線源ＳＯおよび照明装置ＩＬは、必要に応じてビーム配給システムＢＤと共に、放射線システムとみなされる。

照明装置ＩＬは、ビームの角強度分布を調整する調整装置ＡＤを備える。一般的に、照明装置の瞳面における強度分布の少なくとも外部かつ／あるいは内部放射範囲（一般的にそれぞれ、σ−ｏｕｔｅｒおよびσ−ｉｎｎｅｒに相当する）が調整可能である。さらに、照明装置ＩＬは一般的に積分器ＩＮおよびコンデンサＣＯといったような、他のさまざまな構成要素を備える。照明装置は、その断面に亘り所望する均一性と強度分布とを有するよう、投影ビームを調整するために使用可能である。

投影ビームＢは支持構造（例えばマスクテーブルＭＴ）に保持されたパターニングデバイス（例えばマスクＭＡ）に入射し、パターニングデバイスによってパターン形成される。ビームＢはマスクＭＡを横断して基板Ｗの目標部分Ｃ上にビームＰＢの焦点を合わせる投影システムＰＳを通過する。第二位置決め手段ＰＷおよび位置センサＩＦ（例えば干渉計、リニアエンコーダ、あるいは容量センサ）により、基板テーブルＷＴは、例えば放射線ビームＢの経路における異なる目標部分Ｃに位置を合わせるために正確に運動可能である。同様に、第一ポジショナＰＭおよび他の位置センサ（図１には明示しておらない）は、例えばマスクライブラリからマスクＭＡを機械的に取り出した後に、あるいは走査運動の間に放射線ビームＢの経路に対してマスクＭＡを正確に位置決めするために使用され得る。一般的に、マスクテーブルＭＴの運動は、第１位置決め手段ＰＭを形成する、ロングストロークモジュール（粗動位置決め）およびショートストロークモジュール（微動位置決め）にて行われる。同様に基板ＷＴの運動は、第２位置決め手段ＰＷを形成する、ロングストロークモジュールおよびショートストロークモジュールにより行われる。しかし、ステッパの場合（スキャナとは対照的に）、マスクテーブルＭＴはショートストロークアクチュエータのみに連結されるか、あるいは固定される。マスクＭＡおよび基板Ｗは、マスクアライメントマークＭ１、Ｍ２、および基板アライメントマークＰ１、Ｐ２を使用して位置合わせされる。図示のような基板アライメントマークが専用目標部分を占めているが、これらは目標部分間のスペースに配置しても良い。（これらはスクライブレーンアライメントマークとして知られている）。同様に、１つ以上のダイがマスクＭＡに配備される状況において、マスクアライメントマークはダイ間に配置される。

本記載の装置は次のモードにおける少なくとも１つのモードにおいて使用可能である。
１． ステップモードにおいて、マスクテーブルＭＴおよび基板テーブルＷＴは基本的に静止状態に維持されており、投影ビームに与えられた全体パターンが１回の作動（すなわちシングル静的露光）で目標部分Ｃに投影される。次に基板テーブルＷＴがｘ方向および／あるいはｙ方向にシフトされ、異なる目標部分Ｃが露光可能となる。ステップモードにおいては、露光フィールドの最大サイズにより、シングル静的露光にて結像される目標部分Ｃのサイズが制限される。
２． スキャンモードにおいて、投影ビームに与えられたパターンが目標部分Ｃに投影されている間、マスクテーブルＭＴおよび基板テーブルＷＴは同時走査される（すなわちシングル動的露光）。マスクテーブルＭＴに対する基板テーブルＷＴの速度および方向は、投影システムＰＳの拡大（縮小）および像反転特性により判断される。スキャンモードにおいては、露光フィールドの最大サイズにより、シングル動的露光における目標部分の幅（非走査方向における）が制限される。一方、走査動作長が目標部分の高さ（走査方向における）を決定する。
３． 他のモードにおいて、マスクテーブルＭＴは、プログラム可能パターニング手段を保持し、基本的に静止状態が維持される。そして、基板テーブルＷＴは、投影ビームに与えられたパターンが目標部分Ｃに投影されている間、移動あるいは走査される。このモードにおいては、一般にパルス放射線ソースが用いられ、プログラム可能パターニングデバイスは、基板テーブルＷＴの各運動後、もしくは走査中の連続的放射線パルスの間に、要求に応じて更新される。この稼動モードは、上述のようなタイプのプログラム可能ミラーアレイといった、プログラム可能パターニング手段を使用するマスクレスリソグラフィに容易に適用可能である。

上に述べた使用モードを組み合わせたもの、かつ／または変更を加えたもの、あるいはそれとは全く異なる使用モードもまた使用可能である。

図６は、本発明の第一実施形態に従うクランピングシステムを示したものである。基板Ｗはチャック２に保持されている。チャック２は、基板Ｗを支持するクランプ表面上に複数の突起あるいはピン４を有している。これらの突起４は均等に間隔をとって配置され、チャック２のクランプ表面から同一の高さだけ突き出ている。

突起４は、クランプ力を基板に均等に分散し、クランプ力によって基板が変形する可能性を減じる。突起４の高さは標準的には１−２ｍｍであるが、１０μｍから１０ｍｍの範囲の他の高さでも適する。また、この高さは、結果生じる圧力が基板にわたり均等に分散し、フラットな表面をもたらし得るように、流体の流動に関し最適化するように選択されるべきである。突起４は、図６において尖らして示されているが、平らな上面を有することも可能である。本実施形態において使用されている標準的なパターンだけでなく、数多くの突起のアレンジもまた可能である。突起のトップは平らに研磨されることから、高さは１μｍ未満の差で一定である。

チャック２もまたクランプ表面から隆起した周囲を有している。この隆起した周囲は、液体の充填されるスペース６を画成する。

チャック２に２つのパッセージ８が突起４間に形成されている。チャック２は、パッセージ８の延長部が形成されている基板テーブルＷＴにマウントされている。２つのパッセージ８が記載されているが、これに限定されるわけでなく、例えば、１つ、３つ、４つ、あるいは５つ以上の複数のパッセージを配設することも可能である。

ポンプ１０はパッセージ８に連結されており、パッセージ８を介してスペース６より液体を取り除き、かつ、インレット１２を介しスペース６に液体を補給する働きをなす。これは液体の閉循環ループを形成する。

使用時、少なくとも投影システムの最終構成要素が液体に十分に浸るレベルまでスペース６に液体が充填される。これは、液体の排出入が可能なリザーバを作り出す効果を有する。液体は、投影システムの有効開口数を増し、基板により小さいフィーチャの結像が可能となるよう選択される。この実施形態において、液体は実質的に蒸留水であるが、投影システムにおいて使用される放射線に対して少なくとも部分的に透過性を有する他の液体も適している。

液体に汚染物質のない状態を確実に維持するよう、ポンプ２０によって液体が循環する際、液体はフィルタ１４を通過する。

この実施形態は、液浸リソグラフィ装置の簡単な修正によって構成可能である。基板は、ポンプ１０によって液体が循環する際に作り出される圧力差により、かつ／または表面張力効果によりクランプされる。通常、液浸に使用される液体は汚染物質を除去するために循環され、確実に正確な作動温度を維持する。ゆえに、本実施形態は、液体供給システムをわずかに変更するのみにより基板をクランプすることが可能である。さらに、本実施形態において使用されるクランピングシステムは、空気圧システムにおける場合とは異なり、浸液による影響を受けない。

本実施形態は、基板全体が液体に浸される装置について説明を行ったが、投影システムの基で基板の一部のみを液体に浸す装置にも適用可能である。ポンプ１０が液体を排出入可能であるよう基板のエッジに十分な流れがあれば、基板は依然として固定される。

図７は、本発明に従ったクランピングシステムの第二実施形態を示したものである。この実施形態の構成は、以下に記載の内容を除いて第一実施形態と同様である。

この実施形態において、別個のチャックが、単一の基板テーブル１６に置き換わっている。基板テーブル１６は、第一実施形態のチャックと同様の方法によって形成された複数の突起４を有し、同様の機能を果たす。また、基板テーブル１６内に２つのパッセージ２４が形成されており、これを通して液体を流動させる。

別の液槽２０内のスペース１８に、基板テーブル１６が配置されている。液槽２０は基部と、そして、基板テーブル１６を含み得る十分なスペース１８を限定し、かつ、投影システムＰＬの最終構成要素を液体に浸すのに十分な深さに水を保持し得る、隆起した周縁とを有する。パッセージ２２は液槽２０の基部に形成され、ポンプ１０により液体がスペース１８から排出入されるようにする。

もう一度述べると、基板は、パッセージ２２、２４と基板テーブル１６を通って液体を排出入することにより作り出される圧力差によってクランプされる。基板テーブルが運動する際に液体を加速させる必要はなく、基板テーブル１６はスペース１８を充填している液体内において運動する。

図８は本発明の第三実施形態を示したものである。この実施形態の構成は、以下に記載の内容を除いて第一実施形態と同様である。この実施形態は、液体供給システムからの浸液が、すでに液体があるときに（図８の３０を参照）、液体供給システムから基板のエッジ周囲で液体漏れがないと基板エッジは容易に結像可能であることから、序文で述べたような局所的液体供給システムに特に適合する。この実施形態において、クランプ液は基板Ｗの上面を覆わず、チャックと接触する基板Ｗの低面のみを覆う。この場合、基板は圧力、および／または基板とチャックに挟まれた液体の表面張力効果によって固定される。

この実施形態は、基板エッジの上面からの水の流れを必要とせず、液体を用い基板の固定を可能にする。ゆえに、この実施形態は、基板のエッジの少なくとも部分に浸液を流動させる必要のない、液体閉じ込めシステムＬＣＳを用いる局所領域液浸装置に適用可能である。またこれにより、浸液およびクランプ液が互いに分かれ、異なることを許す。液体の混合に問題はない。

本実施形態において、他の実施形態と比較して好ましくは５から２０μｍの範囲において、突起の高さを減じる必要が生じる場合もある。他の実施形態と同様、突起間における液体の逆流は、結像後に基板Ｗを取り除くのを容易にするために使用できる。

上記実施形態の変形において、突起間のギャップの各々はパッセージ８のインレットを形成し得る。従い、少なくとも１つの突起は、基板の表面領域とほぼ等しい表面領域を有する複雑な形状の上面を有する。すなわち、少なくとも１つの突起は、パッセージへのインレットを形成するその表面に少数のくぼみを有するフラット表面である。表面はフラットに研磨可能であり、約１０ｎｍの最大偏差を有する。よって、基板はクランピングシステムに非常にフラットに保持され得る。

発明の実施形態において、液体は基板をチャックに固定する目的に使用される。こうしたクランピングシステムにおいては、クランプ力は液体によるポンプ圧および／または表面張力効果によってもたらされる。ゆえに、基板が液体に浸されていても、クランピングシステムを用いる際の困難はない。少なくとも１つの突起がクランプ表面上に形成されると、基板は少なくとも１つの突起上で支持される。これにより、クランプ力が基板にわたって均等に分散される。また、これにより、基板がクランプされるとき、少なくとも１つの突起が、液体が均等に流動することの可能な小さなギャップを保つことから、基板をクランプしながら、液体を継続的に流動させることもが可能となる。本発明はまた、液体の低圧縮率により、空気システムよりも基板に圧力を及ぼさない。よって、基板変形がいっそう少なくなる。

好ましくは、少なくとも１つのパッセージはチャック内に形成され、この少なくとも１つのパッセージはクランプ表面に少なくとも１つの開口を有する。これにより、上記ポンプは、該少なくとも１つのパッセージを通過する液体を排出入でき、基板を横切って圧力差を作り出す。

少なくとも１つのパッセージがチャックに形成されると、ポンプは、クランプ表面からチャックを通して液体を排出入することができる。これにより、クランプ位置にある基板にわたって圧力差を作り出し、かつ基板を所定の位置に保持する合力を作り出す。このシステムは、クランプ液が浸液としても使用可能であるという長所を有する。

好ましくは、クランピングシステムはさらに上記の液体を濾過するフィルタを備える。フィルタは、液体がクランピングシステムを循環する際に液体から汚染物質を除去することができる。これは、クランピングシステムに使用される液体が基板を浸すためにも使用される場合に特に有用である。

好ましくは、上記ポンプは、上記スペースを満たすよう、上記液体をリザーバ内に排出入するためのものでもあり、それにより閉液体回路を形成する。

液体が閉回路に排出入される場合、継続的に液体を供給する必要はない。１つのポンプがシステムの全部分にわたって液体を排出入することが可能であると、構成は単純化される。

リソグラフィ装置の使用法に関して、本文ではＩＣの製造において詳細なる参照説明を行うものであるが、本文に記載のリソグラフィ装置は、集積光学装置、磁気ドメインメモリ用ガイダンスおよび検出パターン、フラットパネル・ディスプレイ、液晶ディスプレイ（ＬＣＤ）、薄膜磁気ヘッド等の製造といったような他の用途においても使用可能であることは理解されるべきである。こうした代替的な用途においては、本文にて使用する「ウェハ」あるいは「ダイ」といった用語は、それぞれ「基板」あるいは「目標部分」といったより一般的な用語と同義とみなされることは当該技術分野の専門家にとって明らかである。本文に述べるような基板は、例えばトラック（一般にレジストの層を基板に塗布し、露光されたレジストを現像するツール）、あるいは計測ツールおよび／または検査ツールにおいて、露光の前、もしくは後に処理が施される。適用が可能な場合、ここに行う開示内容をこうした基板処理ツールおよび他の基板処理ツールに用いることも可能である。さらに、たとえば多層ＩＣを作り出すため、基板には幾度もの処理が施される。よって本文に使用する基板なる用語は、複数の処理層をすでに含んだ基板にも相当する。

本文において使用する「放射線」および「ビーム」なる用語は、イオンビームあるいは電子ビームといったような粒子ビームのみならず、紫外線（ＵＶ）（例えば３６５ｎｍ、２４８ｎｍ、１９３ｎｍ、１５７ｎｍ、あるいは１２６ｎｍの波長を有する）、および極紫外線（ＥＵＶ）（例えば５−２０ｎｍの波長を有する）を含む、あらゆるタイプの電磁放射線を網羅するものである。

本文にて考慮する、「レンズ」なる用語は、屈折、反射、磁気、電磁および静電光学部品を含む、あらゆるタイプの光学部品のいずれか、あるいはこれらの組み合わせに相当する。

以上、本発明の実施形態を詳細に説明したが、本発明は他の方法でも具体化できることは明らかである。例えば、本発明は、上記に開示の方法を記述する１つ以上の機械可読命令シーケンスを含むコンピュータプログラムの形態、あるいは、そうしたコンピュータプログラムを格納したデータ記憶媒体（例えば、半導体メモリ、磁気あるいは光ディスク）の形態をとり得る。

本発明はあらゆる液浸リソグラフィ装置に適用可能であり、特に、しかしこれに限定されるわけではないが、上記に述べたタイプのリソグラフィ装置に適用可能である。

本詳細説明は例示目的になされたものであり、制限をなすことを意図するものではない。よって、上記に述べたように、請求項の範囲を逸脱することなく、本発明に修正を加えることも可能であることは当業者にとって明らかである。

本発明の実施形態に基づくリソグラフィ装置を示したものである。 従来技術におけるリソグラフィ投影装置において使用される液体供給システムを示したものである。 従来技術におけるリソグラフィ投影装置において使用される液体供給システムを示したものである。 従来技術における別のリソグラフィ投影装置に基づく液体供給システムを示したものである。 従来技術における別のリソグラフィ投影装置に基づく液体供給システムを示したものである。 本発明の第一実施形態に基づくクランピングシステムを示したものである。 本発明の第二実施形態に基づくクランピングシステムを示したものである。 本発明の第三実施形態に基づくクランピングシステムを示したものである。

Claims (5)

1. パターンをパターニング装置から基板に転写するように調整され、かつ、基板をキャリアに保持するクランピングシステムを備えた液浸リソグラフィ装置において、
   クランピングシステムは、クランプ面と該クランプ面から隆起した周囲とを有するチャックを有しており、該クランプ面はこれに形成された少なくとも１つの突起を有し、基板はクランプされる際に少なくとも１つの該突起により支持され、それによりクランプ面と基板間のスペースが画成され、
   またクランピングシステムは、チャックの前記隆起した周囲により画成されるスペースへ浸液を少なくとも液浸リソグラフィ装置における投影システムの最終構成要素が浸るまで供給し、クランプ面と基板間の前記スペースから該浸液を排出するポンプを備えており、
   チャックの前記隆起した周囲により画成される前記スペースに供給された前記浸液が液浸リソグラフィ装置における投影システムの最終構成要素と基板間のスペースを充填する一方、クランプ面と基板間の前記スペース内の前記浸液が基板の反対側を流れる前記浸液よりも低圧とされ、それにより基板がクランプ面に保持される、ことを特徴とする液浸リソグラフィ装置。
2. 少なくとも１つのパッセージが、クランプ面に少なくとも１つの開口を有するようにチャックに形成され、また上記ポンプは、少なくとも１つの該パッセージを通って上記浸液を排出して、基板にわたって圧力差を作り出すことを特徴とする請求項１に記載の装置。
3. さらに上記浸液を濾過するフィルタを備えていることを特徴とする請求項１に記載の装置。
4. 上記ポンプは閉液体回路を形成することを特徴とする請求項１に記載の装置。
5. 上記ポンプが上記浸液を排出入する方向を逆にするコントローラをさらに備えていることを特徴とする請求項１に記載の装置。

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