CN1975580A - 提高浸没光刻中表面张力和接触角的系统和方法 - Google Patents

提高浸没光刻中表面张力和接触角的系统和方法 Download PDF

Info

Publication number
CN1975580A
CN1975580A CNA2006101604803A CN200610160480A CN1975580A CN 1975580 A CN1975580 A CN 1975580A CN A2006101604803 A CNA2006101604803 A CN A2006101604803A CN 200610160480 A CN200610160480 A CN 200610160480A CN 1975580 A CN1975580 A CN 1975580A
Authority
CN
China
Prior art keywords
liquid
substrate
teflon
optical projection
immersion liquid
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
CNA2006101604803A
Other languages
English (en)
Other versions
CN1975580B (zh
Inventor
H·塞维尔
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
ASML Holding NV
Original Assignee
ASML Holding NV
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by ASML Holding NV filed Critical ASML Holding NV
Publication of CN1975580A publication Critical patent/CN1975580A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN1975580B publication Critical patent/CN1975580B/zh
Expired - Fee Related legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/20—Exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/2041—Exposure; Apparatus therefor in the presence of a fluid, e.g. immersion; using fluid cooling means
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70216—Mask projection systems
    • G03F7/70341—Details of immersion lithography aspects, e.g. exposure media or control of immersion liquid supply
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70691—Handling of masks or workpieces
    • G03F7/70716—Stages
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/708—Construction of apparatus, e.g. environment aspects, hygiene aspects or materials
    • G03F7/70908—Hygiene, e.g. preventing apparatus pollution, mitigating effect of pollution or removing pollutants from apparatus
    • G03F7/70916—Pollution mitigation, i.e. mitigating effect of contamination or debris, e.g. foil traps
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/708—Construction of apparatus, e.g. environment aspects, hygiene aspects or materials
    • G03F7/7095—Materials, e.g. materials for housing, stage or other support having particular properties, e.g. weight, strength, conductivity, thermal expansion coefficient

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Epidemiology (AREA)
  • Public Health (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Environmental & Geological Engineering (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Atmospheric Sciences (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)

Abstract

一种可以将有机流体用在浸没光刻系统中的系统和方法。这是通过提供部分涂有或由特氟隆类材料构成的液体供给系统的喷头部分来实现的。特氟隆类材料减少了润湿效应，并由此增大了当在末级光学部件和衬底之间的空间中使用有机浸没流体时的存贮。

Description

提高浸没光刻中表面张力和接触角的系统和方法
技术领域
本发明涉及制造器件的光刻设备和方法。
背景技术
光刻设备是将所需图形施加到衬底上，通常为衬底的目标部分上的机器。例如，光刻设备可以用于集成电路(IC)的制造中。在这种情况下，可称为掩模、标线、单独可控元件阵列等的构图装置可以用于产生将形成在IC单层上的电路图形。该图形可以转移到衬底(例如，硅晶片或平板显示器衬底)上的目标部分(例如，包括一个或几个管芯(die)的部分)上。通常通过在提供于衬底上的辐射敏感材料(抗蚀剂)层上成像来转移图形。
通常，单个衬底包括依次构图的相邻目标部分的网络。已知的光刻设备包括通过将整个图形一次曝光在目标部分上来辐射每个目标部分的步进器和通过在给定方向(“扫描”方向)上通过辐射束扫描图形来辐射每个目标部分同时同步地平行或反平行于该方向扫描衬底的扫描器。还可以通过将图形刻印在衬底上把图形从构图装置转移到衬底。
已经提出将光刻投影设备中衬底浸没在具有相对高折射率的液体中，例如水，以便填充投影系统末级元件与衬底之间的空隙。由于曝光辐射在液体中将具有较短波长，因此这点能够成像更小的部件(features)。还可以认为液体的效果可以使系统的数值孔径(NA)高于1并且还增大了聚焦深度。已经提出了其他浸没液体，包括具有悬浮其中的固体颗粒(例如，石英)的水。
然而，将衬底或衬底与衬底台同时浸没在液体槽中意味着在扫描曝光期间存在必须被加速的大体积液体。这需要额外的或更大功率的电动机并且液体中的湍流会导致不期望且不可预知的影响。
已提出的解决方案之一主张提供液体的液体供给系统仅位于衬底的局部区域上并且在投影系统末级元件与衬底(衬底通常具有比投影系统末级元件更大的表面积)之间。
液体供给系统和衬底之间的间隙使这些元件彼此相对移动。由于此间隙，需要浸没液体和至少液体供给系统的“喷头(showerhead)”部分之间具有高的表面张力，以保持浸没液体流过该间隙。例如，喷头可以是包括入口和出口和/或通道的液体供给系统的一部分。问题在于可以引起浸没光刻系统中浸没液体和衬底表面以及液体供给系统之间的小接触角。这是由使用液体供给系统和/或浸没液体的某些材料的润湿效应引起的。小接触角会导致浸没液体和喷头之间的小表面张力。因此，浸没液体可以在整个衬底表面上方流动或通过间隙泄漏，这些都是非常不期望的。
更进一步的问题在于，当液体供给系统由钢构成时，某些浸没液体引起液体供给系统的腐蚀。腐蚀会污染浸没液体并在衬底表面上引起缺陷。缓解该问题的一个途径是更换浸没液体。然而，更换浸没液体会导致其他问题，例如润湿问题。
因此，需要一种可以减少润湿特性而不引起浸没液体污染的系统和方法。
发明内容
本发明的一个实施例提供了一种光刻系统，包括照明系统、构图装置、投影系统和液体供给系统。照明系统调节辐射束。构图装置构图该束。投影系统将已构图的束投射到衬底的目标部分上。液体供给系统使用具有大于水或1.10的折射率的浸没液体至少部分填充投影系统和衬底之间的空隙。
在一个实施例中，液体供给系统的至少一部分表面涂有PTFE、TFE、特氟隆和特氟隆类氟化烃聚合物中的一种。
在另一实施例中，液体供给系统的至少一部分表面由PTFE、TFE、特氟隆和特氟隆类氟化烃聚合物中的一种构成。
在又一实施例中，浸没液体具有大于约1.11的折射率，例如1.65，用于改善浸没光刻。
本发明的另一实施例提供一种方法。该方法包括使用投影系统将已构图的辐射束投射到衬底的目标部分上，并使用来自液体供给系统的具有大于水或1.10的折射率的浸没液体至少部分填充投影系统和衬底之间的空间(spaced)。在一个示例中，浸没液体使用液体供给系统来提供，液体供给系统的至少一部分涂有或由PTFE、TFE、特氟隆和特氟隆类氟化烃聚合物中的一种构成。
本发明的其他实施例、特征和优点，以及本发明各种实施例的结构和操作将在下面参考附图详细描述。
附图说明
包括于此并形成说明书一部分的附图示出了本发明的一个或多个实施例，并与说明书一起进一步用于解释本发明的原理并使本领域技术人员能够实现并使用本发明。
图1示出了根据本发明实施例的光刻设备。
图2和3示出了用在光刻投影设备中的液体供给系统。
图4示出了用在光刻投影设备中的另一液体供给系统。
图5示出了用在光刻投影设备中的另一液体供给系统。
图6示出了根据本发明一个实施例、用在光刻设备中的液体供给系统的一部分。
图7和8示出了根据本发明实施例、相对于图6所示的部分液体供给系统的流体接触角。
图9示出了说明本发明一个实施例的方法的流程图。
现在将参考附图描述本发明。在图中，相同的参考数字表示相同或功能类似的元件。此外，参考数字最左边的阿拉伯数字表示参考数字首次出现的图。
具体实施方式
虽然论述了具体结构和布置，但应当理解其仅为说明目的。本领域技术人员将认识到，在不脱离本发明精神和范围的情况下可以使用其他结构和布置。本领域技术人员将意识到本发明还可以用在各种其他应用中。
本发明的一个或多个实施例提供一种可以将有机流体用在浸没光刻系统中的系统和方法。这通过提供部分涂有或由TEFLON类材料构成的液体供给系统的喷头部分来实现。当在最后的光学部件和衬底之间的空间中使用有机浸没流体时，TEFLON类材料降低了润湿效应，并由此增大了容积。
图1示意性地示出了根据本发明一个实施例的光刻设备。该设备包括照明系统、支撑结构、衬底台和投影系统。照明系统(照明器)IL调节辐射束PB(例如，UV辐射或DUV辐射)。支撑结构(例如，掩模台)MT支撑构图装置(例如，掩模)MA并连接到被配置成根据特定参数精确定位构图装置的第一定位器PM。衬底台(例如，晶片台)WT保持衬底(例如，涂有抗蚀剂的晶片或平板衬底)W并连接到被配置成根据特定参数精确定位衬底的第二定位器PW。投影系统(例如，折射投影透镜系统)PL将通过构图装置MA赋予辐射束PB的图形投射到衬底W的目标部分C(例如，包括一个或多个管芯)上。
照明系统可以包括各种类型的光学部件，例如折射、反射、磁的、电磁的、静电的或其他类型的光学部件或者它们的任意组合，用于引导、成形或控制辐射。
支撑结构以依赖于构图装置的定向、光刻设备的设计和诸如构图装置是否容纳于真空环境中的其他条件的方式保持构图装置。支撑结构可以利用机械、真空、静电或其他夹紧技术来固定构图装置。支撑结构可以是框架或平台，例如，如果需要其可以是固定的或可动的。支撑结构确保构图装置处于期望位置上，例如，相对于投影系统。在此任意使用的术语“标线”或“掩模”可以认为与更普通的术语“构图装置”同义。
在此使用的术语“构图装置”应当广泛地解释为指代可以用来在辐射束的截面中赋予图形以便在衬底的目标部分中产生图形的任何装置。应当注意到赋予到辐射束的图形可以不完全与衬底的目标部分中期望的图形相对应，例如如果该图形包括相移部件或所谓的辅助部件。通常，赋予到辐射束的图形将与目标部分中制造的诸如集成电路的器件中的特定功能层相对应。
构图装置可以是透射性或反射性的。构图装置的例子包括掩模、可编程镜面阵列和可编程LCD面板。掩模是光刻中众所周知的，且包括诸如二元的、交替相移的和衰减相移的掩模类型以及各种混合掩模类型。可编程镜面阵列的例子采用小镜面的矩阵布置，每个小镜面可以单独倾斜以便在不同方向上反射入射的辐射束。倾斜镜面在由镜面矩阵反射的辐射束中赋予图形。
在此使用的术语“投影系统”应当广泛地解释为包括任何类型的投影系统，包括折射的、反射的、反折射的、磁的、电磁的和静电光学系统，或者它们的任意组合，只要适于所用的曝光辐射或诸如使用浸没液体或使用真空的其他因素。在此任意使用的术语“投影透镜”可以认为与更普通的术语“投影系统”同义。
如在此所述的，设备是透射型的(例如，采用透射掩模)。可选地，设备可以是反射型的(例如，采用上述所称类型的可编程镜面阵列，或者采用反射掩模)。
光刻设备可以是具有两个(双阶)或更多衬底台(和/或两个或更多支撑结构)的类型。在这种“多阶”机械中其他平台或支撑结构可以并行使用，或者在一个或多个平台或支撑结构上进行预备步骤，同时一个或多个其他平台或支撑结构用于曝光。
参考图1，照明器IL接收来自辐射源SO的辐射束。例如当源为准分子激光器时，源和光刻设备可以是独立机构。在这种情况下，认为源不形成光刻设备的一部分，且辐射束借助束传送系统BD从源SO传递到照明器IL，该束传送系统BD例如包括合适取向的镜面和/或束扩展器。在其他情况下，例如当源为汞灯时，源可以是光刻设备的整体部分。如果需要，可以将源SO和照明器IL与束传送系统BD一起称为辐射系统。
照明器IL可以包括用于调节辐射束角强度分布的调节器AD。通常，至少可以调节照明器光瞳平面中强度分布的外部和/或内部径向范围(通常分别称作σ-外和σ-内)。此外，照明器IL可以包括各种其他部件，例如积分器I N和聚光器CO。照明器可以用于调节辐射束，使其在其截面中具有期望的均匀性和强度分布。
辐射束PB入射到被保持在支撑结构(例如，掩模台)MT上的构图装置MA上，并由构图装置构图。横穿构图装置MA，辐射束PB穿过投影系统PL，该投影系统PL将束聚焦到衬底W的目标部分C上。将在下面进一步描述的浸没罩IH将浸没液体提供到投影系统PL的末级元件和衬底W之间的空间。
借助于第二定位器PW和位置传感器IF(例如，干涉测量装置、线性编码器或电容传感器)，衬底台WT可以精确地移动，例如，在辐射束PB的路径中定位不同的目标部分C。类似地，第一定位器PM和另一位置传感器(未在图1中明确示出)可以用于相对于辐射束PB的路径来精确定位构图装置MA，例如在从掩模库中机械检索之后，或在扫描期间。通常，支撑结构MT的移动可以借助于构成第一定位器PM一部分的长冲程模块(粗定位)和短冲程模块(细定位)来实现。类似地，衬底台WT的移动可以使用构成第二定位器PW一部分的长冲程模块和短冲程模块来实现。
在步进机(stepper)(与扫描器相对)情况下，支撑结构MT可以只连接到短冲程致动器或者是固定的。构图装置MA和衬底W可以利用构图装置MA对准标记M1、M2和衬底对准标记P1、P2来对准。
虽然所示的衬底对准标记占据专用目标部分，但它们可以位于目标部分之间的空间中(这就是已知的划片线对准标记)。类似地，在多于一个的管芯提供在构图装置MA上的情况下，构图装置对准标记可以位于管芯之间。
所述设备可以用于以下模式的至少一种中：
1.在步进模式中，支撑结构MT和衬底台WT基本保持固定，同时将赋予辐射束的整个图形一次投射到目标部分C上(，即，单静态曝光)。然后衬底台WT在X和/或Y方向上移动以便可以曝光不同的目标部分C。在步进模式中，曝光场的最大尺寸限制了单静态曝光中成像的目标部分C的尺寸。
2.在扫描模式中，支撑结构MT和衬底台WT被同步扫描，同时将赋予辐射束的图形投射到目标部分C上(即，单动态曝光)。衬底台WT相对于支撑结构MT的速度和方向可以由投影系统PL的放大(缩小)和图像翻转特性来确定。在扫描模式中，曝光场的最大尺寸限制了单动态曝光中目标部分的宽度(在非扫描方向上)，而扫描运动的长度确定了目标部分的高度(在扫描方向上)。
3.在其他模式中，支撑结构MT基本保持固定地保持可编程构图装置，且衬底台WT被移动或扫描，同时将赋予辐射束的图形投射到目标部分C上。在该模式中，通常采用脉冲辐射源，在衬底台WT每次移动之后或在扫描期间的连续辐射脉冲之间需要更新可编程构图装置。这种模式的操作容易应用于利用可编程构图装置的无掩模光刻，例如上述所称类型的可编程镜面阵列。
还可以采用上述模式的组合和/或变形或者完全不同的模式。
图2和3示出了用在光刻投影设备中的液体供给系统。如图2和3所示，投影系统PL下面变黑区域所示的液体通过至少一个入口IN沿衬底W相对于投影系统PL的末级元件的移动方向(如箭头所示)提供到衬底W上。液体在投影系统PL下穿过之后通过至少一个出口OUT流出。即，当衬底W在元件下以-X方向扫描时，液体提供在该元件的+X侧(在本图中为右侧)并在该元件的-X侧(在本图中为左侧)被吸收。
图2示出了液体通过入口IN提供并通过连接到低压源的出口OUT在元件另一侧上被吸收的示意性装置。虽然图2中示出了液体沿衬底W相对于投影系统PL的末级元件的移动方向提供，但不限于这种情况。
设置在末级元件周围的入口和出口的各种定向和数量都是可以的。例如，图3所示的装置。在本例中，任一侧上的四组入口和出口以矩形图形提供在投影系统PL末级元件的周围。
图4示出了用在光刻投影设备中的另一液体供给系统。在本例中，示出了局部化液体供给系统。液体通过投影系统PL任一侧上的两个凹槽入口IN提供并通过向入口IN外放射状布置的多个分立出口OUT流出。入口IN和出口OUT可以布置在中心具有孔的平板中，投影束通过该孔投射。液体通过投影系统PL一侧上的一个凹槽入口IN提供并通过投影系统PL另一侧上的多个分立出口OUT流出，在投影系统PL和衬底W之间产生薄膜液体流。入口IN和出口OUT的组合选择使用依赖于衬底W的移动方向(入口IN和出口OUT的其他组合不起作用)。
图5示出了用在光刻投影设备中的另一液体供给系统。在本例中，具有局部化液体供给系统方案的光刻装置提供了具有液体限制结构12的液体供给系统，该液体限制结构12沿投影系统PL的末级元件和衬底台WT之间的空间的边界延伸。液体限制结构12相对于XY平面中的投影系统PL是基本固定的，但其可以在Z方向上(光轴方向上)相对移动。在实施例中，密封体16形成在液体限制结构12和衬底W的表面之间。
在一个示例中，储液器10对投影系统PL成像场周围的衬底W形成无接触密封，以便限制液体11填充衬底W表面和投影系统PL末级元件之间的空间。储液器10由定位在投影系统PL下面并围绕其末级元件的液体限制结构12构成。液体11进入投影系统PL下面的空间中并处于液体限制结构12中。液体限制结构12在投影系统PL的末级元件上方延伸一些并且液面升到末级元件之上以便提供液体11的缓冲。液体限制结构12具有位于上端的内周。在本例中，上端精密地符合投影系统PL或其末级元件的形状，例如可以是圆形。在底部，内周精密地符合成像场的形状，例如，矩形，但不限于这种情况。
在一个示例中，液体11通过液体限制结构12底部和衬底W表面之间的气密16限制在储液器10中。气密16由气体形成。在变形例中，气体可以是空气、合成空气、N2或其他惰性气体，其在压力下通过入口15提供到液体限制结构12和衬底W之间的间隙并通过出口14抽出。对气体入口15设置过压、对出口14设置真空并设置间隙的几何形状，以便有限制液体的向内的高速气流。这种系统在2005年10月4日提出的U.S.专利No.6,952,253中公开，在此引入其全部内容。
在在此引入其全部内容以作参考的欧洲专利申请No.03257072.3中，公开了双阶浸没光刻设备。这种设备提供有两个用于支撑衬底的平台。水准(leveling)测量通过第一位置处的平台进行，没有浸没液体，并且曝光通过第二位置处的平台进行，其中存在浸没液体。可选地，该设备仅具有一个平台。
图6示出了根据本发明一个实施例、用在光刻设备中的液体供给系统的一部分600。部分600在投影系统PL的末级光学部件604和衬底W之间施加浸没流体602。浸没流体602至少部分填充末级光学部件604和衬底W之间的空间606。浸没流体602从源(未示出)在箭头A的方向上通过入口608流入空间606中并在箭头B方向上通过出口610流到容器(未示出)中，例如与以上描述相似。入口和出口680和610分别设置在部分600的喷头部分612内。
还意识到，投影系统PL和浸没流体602相对于衬底W移动，例如以每秒约200mm和400mm之间的速度，或者更期望的以每秒约300mm的速度。由此，非常希望在移动期间存贮浸没流体602。在一个示例中，通过相对于液体供给系统的表面630的表面张力来存贮浸没流体602。
在一个示例中，气体(例如，氮气)还在箭头C方向上通过入口614并在箭头D方向上通过入口616流到空间606中。例如，气体可以在喷头612和衬底W之间的间隙620中形成刃形边缘618。这些刃形边缘618可以用作阻挡或帘幕，以便帮助存贮浸没流体602和/或防止氧气进入浸没流体602。这会导致污染和/或增大对例如约1-300纳米范围内的短波长光的吸收作用。
在一个示例中，喷头612可以由钢材料等构成。当水被用作浸没流体602时，使用钢是令人满意的。然而，为了增大末级光学部件604的数值孔径，对于具有高于水的折射率的浸没流体602来说可以使用不同材料，例如具有高达约1.65或更大折射率的有机流体。这可以使投影系统PL的末级光学部件604显示出更高的NA特性，其增大了构图束的分辨率从而在衬底W上形成更小且更精确的部件。在一个示例中，可以使用诸如十氢化萘(萘烷)的材料，其具有1.65的折射率。然而，当钢用于喷头612时，导致了不期望的润湿效应。小接触角形成在有机浸没流体和喷头612以及衬底W之间，其会消弱使用有机浸没流体的益处。
图7示出了根据本发明一个实施例、具有高于水的折射率的有机浸没流体702和钢喷头612之间的接触角。例如，接触角β可以为约5°至约7°，这是不可接受的。这不可接受是因为，基于衬底W和喷头612与浸没流体702之间小的表面张力，导致了衬底W和喷头612上不期望的润湿效应。润湿使浸没流体702通过间隙620流动，由于不能再存贮浸没流体，因此这是不期望的。
图8示出了根据本发明一个实施例，具有高于水的折射率的有机浸没流体702相对于喷头812之间的接触角α。在一个示例中，沿接触有机浸没流体702的表面830涂覆喷头812。在各示例中，涂层包括特氟隆类材料，例如PTFE  (聚四氟乙烯)、TFE(四氟乙烯)、特氟隆、Calf或其他特氟隆类氟化烃聚合物。在另一示例中，喷头812可以由特氟隆类材料构成，而不是仅涂覆表面830。将意识到显示出特氟隆类特性的其他材料也是可以使用的。
使用特氟隆涂覆在喷头812上或由特氟隆材料构成喷头812可以将接触角增α大到约40°至约90°，这是非常期望的接触角。通过接触角的增大，高表面张力从喷头812作用到浸没流体702上，其基本上消除了浸没流体702通过间隙620的任何流动，例如，可以使流体存贮。由此，在使用喷头812的系统中，末级光学部件604可以具有高数值孔径，例如，约1.11至约1.65或更高，且有机浸没流体可以具有高折射率，例如，1.11-1.65或更高，而没有润湿。这可以产生由投影系统PL投射到衬底W上的构图束的更好分辨率，产生形成在衬底W上的更小且更精确的部件。
如上所述，当使用水作为浸没流体602时，另一个问题是喷头612的腐蚀。这种腐蚀可以导致浸没流体602的污染，其会降低浸没流体的透射特性。当使用短波长光时，例如，约1至300nm范围内的光，这种降低的透射性会导致不期望的图形形成在衬底W上。
在一个示例中，通过使用玻璃-陶瓷复合材料用于喷头612可以基本上减少或消除腐蚀，例如Zerodur材料等。这种材料不像钢那样容易受到水的腐蚀。因此，使用Zerodur等用于喷头612可以基本上减少或消除由喷头612的腐蚀而引起的浸没流体602的任何污染。
图9示出了说明根据本发明一个实施例的方法900的流程图。在步骤902中，使用投影系统将辐射的构图束投射到衬底的目标部分上。在步骤904中，提供液体供给系统。液体供给系统的至少一部分涂有或由PTFE、TFE、特氟隆和特氟隆类氟化烃聚合物之一构成。在步骤906中，投影系统和衬底之间的空间被至少部分地填充来自液体供给系统的浸没液体。由此，减少了润湿并保持了有机浸没液体的存贮。
虽然在本文中具体参考了IC制造中光刻设备的使用，但应当理解在此描述的光刻设备可以具有其他应用，例如，集成光学系统、用于磁畴存储器的引导和探测图形、平板显示器、液晶显示器(LCD)、薄膜磁头等的制造。本领域技术人员将意识到，在这些可选应用的范围中，在此任意使用的术语“晶片”或“管芯”可以认为分别与更普通的术语“衬底”或“目标部分”同义。这里所指的衬底可以在曝光之前或之后，可以在例如轨道系统(track)(通常将抗蚀剂层涂覆到衬底并显影已曝光抗蚀剂的工具)、度量工具和/或检验工具中被处理。在应用中，这里的描述可以应用于这些和其他衬底处理工具。此外，衬底可以被处理一次以上，例如为了制造多层IC，因此在此使用的术语衬底还可以指已经包括多个已处理层的衬底。
在此使用的术语“辐射”和“束”包括所有类型的电磁辐射，包括紫外线(UV)辐射(例如，具有约365、248、193、157或126nm的波长)。
术语“透镜”在本文允许的情况下可以指各种光学部件的任何一种或组合，包括折射和反射光学部件。
虽然已经在上面描述了本发明的具体实施例，但将意识到除上述外可以实现本发明。例如，在应用中，本发明可以采取包含描述上述方法的一个或多个连续机器可读指令的计算机程序的形式，或者采取具有存储其中的这种计算机程序的数据存储媒介(例如，半导体存储器、磁盘或光盘)的形式。
本发明的一个或多个实施例可以应用于任何浸没光刻设备，特别是，但不限于，上述的那些类型并且不论浸没液体是否以槽(bath)或仅在衬底的局部表面上的方式提供。在此提出的液体供给系统应作广泛解释。在某些实施例中，其可以是将液体提供到投影系统和衬底和/或衬底台之间的空间的机械或结构组合。其可以包括将液体提供到空间的一个或多个结构、一个或多个液体入口、一个或多个气体入口、一个或多个气体出口、和/或一个或多个液体出口的组合。在实施例中，空间的表面可以是衬底和/或衬底台的一部分，或者空间的表面可以完全覆盖衬底和/或衬底台的表面，或者空间可以与衬底和/或衬底台重叠。液体供给系统可以优选地进一步包括控制液体的位置、数量、质量、形状、流速等其他特征的一个或多个元件。
根据所期望的性能和所用曝光辐射的波长，用于设备中的浸没液体可以具有不同组分。对于193nm的曝光波长来说，可以使用超纯水或水基组合物，并且由于此原因，浸没液体有时指水和与水相关的术语，例如可以使用亲水性、疏水性、湿度等。
虽然本文中具体参考了光刻设备在专用器件(例如，集成电路或平板显示器)制造中的使用，但应当理解在此所述的光刻设备可以具有其他应用。这些应用包括但不限于，集成电路、集成光学系统、磁畴存储器的引导和探测图形、平板显示器、液晶显示器(LCD)、薄膜磁头、微电子机械装置(MEMS)等的制造。并且，对于平板显示器的情况来说，本发明的设备可以用于帮助制造各种层，例如，薄膜晶体管层和/或滤色片层。
虽然已经在上面描述了本发明的具体实施例，将意识到除所述外还可以实现本发明。例如，本发明可以采取包含描述上述方法的一个或多个机器可读指令序列的计算机程序的形式，或者采取具有存储其中的这种计算机程序的数据存储媒介(例如，半导体存储器、磁盘或光盘)的形式。
虽然已经在上面具体参考了本发明的实施例在光刻中的应用，将意识到本发明可以用于其他应用，例如压印光刻，在允许的情况下，不限于光刻。在压印光刻中，构图装置中的外形限定了衬底上制造的图形。构图装置的外形可以压制在提供到衬底的抗蚀剂层中，在衬底上通过施加电磁辐射、热、压力或它们的组合使抗蚀剂硬化。在抗蚀剂硬化后将构图装置移到留有图形的抗蚀剂之外。
虽然已经在上面描述了本发明的各个实施例，但应当理解它们仅以示例方式存在，而不是限制性的。本领域技术人员将意识到，在不脱离本发明精神和范围的情况下，可以对其进行各种形式和细节上的各种改变。因此，本发明的宽度和范围应不受任一上述示例性实施例的限制，而应仅根据以下权利要求和其等价来限定。
意识到具体实施方式部分，而非概述和摘要部分，意在用于解释权利要求。概述和摘要部分可以阐述一个或多个但不是本发明人提出的所有本发明的示例性实施例，因此，并不意在以任何方式限制本发明和所附权利要求。

Claims (22)

1.一种光刻系统，包括：
调节辐射束的照明系统；
构图该束的构图装置；
将构图束投射到衬底的目标部分上的投影系统；以及
液体供给系统，其用具有大于水或约1.10的折射率的浸没液体至少部分填充该投影系统和该衬底之间的空间，其中该液体供给系统的至少一部分表面至少涂有PTFE、TFE、特氟隆或特氟隆类氟化烃聚合物。
2.根据权利要求1的光刻系统，其中该液体供给系统的该部分是喷头。
3.根据权利要求1的光刻系统，其中该液体供给系统的该部分由PTFE、TFE、特氟隆或特氟隆类氟化烃聚合物构成。
4.根据权利要求1的光刻系统，其中该浸没液体具有与该衬底的表面、该投影系统的末级部分或该液体供给系统约40°和约90°之间的接触角。
5.根据权利要求1的光刻系统，其中该浸没液体具有与该衬底的表面、该投影系统的末级部分或该液体供给系统约60°的接触角。
6.根据权利要求1的光刻系统，其中该浸没液体具有1.11以上的折射率。
7.根据权利要求1的光刻系统，其中该浸没液体具有约1.65的折射率。
8.根据权利要求1的光刻系统，其中该浸没液体是有机流体。
9.根据权利要求1的光刻系统，其中该浸没液体是萘烷。
10.根据权利要求1的光刻系统，还包括：
提供气体的气体供给系统，该气体在该衬底的表面处的浸没液体周围形成气体帘幕。
11.根据权利要求10的光刻系统，其中该气体帘幕保护该浸没液体不受氧气干扰。
12.根据权利要求10的光刻系统，其中该气体包括氮气。
13.根据权利要求10的光刻系统，其中该气体帘幕是刃形边缘气体帘幕。
14.一种光刻系统，包括：
调节辐射束的照明系统；
构图该束的构图装置；
将构图束投射到衬底的目标部分上的投影系统；以及
液体供给系统，其用浸没液体至少部分填充该投影系统和该衬底之间的空间，其中该浸没液体具有大于水或约1.10的折射率。
15.根据权利要求14的光刻系统，其中该液体供给系统的至少一部分表面至少涂有PTFE、TFE、特氟隆或特氟隆类氟化烃聚合物。
16.根据权利要求14的光刻系统，其中该浸没液体具有约1.11至约1.65的折射率。
17.根据权利要求14的光刻系统，其中该浸没液体是萘烷。
18.根据权利要求14的光刻系统，其中该液体供给系统的至少一部分由PTFE、TFE、特氟隆或特氟隆类氟化烃聚合物构成。
19.根据权利要求14的光刻系统，其中该浸没液体具有与该衬底的表面、该投影系统的末级部分或该液体供给系统约40°和约90°之间的接触角。
20.根据权利要求14的光刻系统，还包括：
提供氮气的气体供给系统，该氮气在该浸没液体周围形成刃形边缘的氮气阻挡，从而保护该浸没液体不受氧气干扰。
21.一种方法，包括：
使用投影系统将已构图的辐射束投射到衬底的目标部分上；
使用液体供给系统，其至少一部分涂有PTFE、TFE、特氟隆或特氟隆类氟化烃聚合物；并且
用来自该液体供给系统的具有大于水或约1.10的折射率的浸没液体至少部分填充该投影系统和该衬底之间的空间。
22.一种方法，包括：
使用投影系统将已构图的辐射束投射到衬底的目标部分上；
提供液体供给系统，其至少一部分由PTFE、TFE、特氟隆或特氟隆类氟化烃聚合物构成；并且
用来自该液体供给系统的具有大于水或约1.10的折射率的浸没液体至少部分填充该投影系统和该衬底之间的空间。
CN2006101604803A 2005-11-29 2006-11-28 提高浸没光刻中表面张力和接触角的系统和方法 Expired - Fee Related CN1975580B (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US11/288133 2005-11-29
US11/288,133 US7773195B2 (en) 2005-11-29 2005-11-29 System and method to increase surface tension and contact angle in immersion lithography

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN1975580A true CN1975580A (zh) 2007-06-06
CN1975580B CN1975580B (zh) 2011-06-15

Family

ID=37697946

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN2006101604803A Expired - Fee Related CN1975580B (zh) 2005-11-29 2006-11-28 提高浸没光刻中表面张力和接触角的系统和方法

Country Status (7)

Country Link
US (2) US7773195B2 (zh)
EP (1) EP1791026A1 (zh)
JP (1) JP4478139B2 (zh)
KR (2) KR100851644B1 (zh)
CN (1) CN1975580B (zh)
SG (1) SG132651A1 (zh)
TW (1) TWI349170B (zh)

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102063023A (zh) * 2007-09-13 2011-05-18 Asml荷兰有限公司 光刻设备和器件制造方法
CN102692830A (zh) * 2011-03-24 2012-09-26 南亚科技股份有限公司 对位误差的评估方法及其掩模
CN103207526A (zh) * 2012-01-16 2013-07-17 昆山允升吉光电科技有限公司 一种曝光修正补偿方法
CN113189849A (zh) * 2021-04-22 2021-07-30 中国科学院光电技术研究所 一种近场光刻浸没系统及其浸没单元和接口模组
WO2023109000A1 (zh) * 2021-12-13 2023-06-22 长鑫存储技术有限公司 光刻胶图案的形成方法和投影式曝光装置

Families Citing this family (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7773195B2 (en) * 2005-11-29 2010-08-10 Asml Holding N.V. System and method to increase surface tension and contact angle in immersion lithography
JP5027154B2 (ja) * 2005-12-22 2012-09-19 フリースケール セミコンダクター インコーポレイテッド 液浸露光装置及び液浸露光方法
US20070238261A1 (en) * 2006-04-05 2007-10-11 Asml Netherlands B.V. Device, lithographic apparatus and device manufacturing method
US20080100909A1 (en) * 2006-10-30 2008-05-01 Nikon Corporation Optical element, liquid immersion exposure apparatus, liquid immersion exposure method, and method for producing microdevice
NL2006054A (en) 2010-02-09 2011-08-10 Asml Netherlands Bv Fluid handling structure, lithographic apparatus and device manufacturing method.

Family Cites Families (140)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE206607C (zh)
GB1242527A (en) 1967-10-20 1971-08-11 Kodak Ltd Optical instruments
US3573975A (en) 1968-07-10 1971-04-06 Ibm Photochemical fabrication process
EP0023231B1 (de) 1979-07-27 1982-08-11 Tabarelli, Werner, Dr. Optisches Lithographieverfahren und Einrichtung zum Kopieren eines Musters auf eine Halbleiterscheibe
FR2474708B1 (fr) 1980-01-24 1987-02-20 Dme Procede de microphotolithographie a haute resolution de traits
JPS5754317A (en) 1980-09-19 1982-03-31 Hitachi Ltd Method and device for forming pattern
US4509852A (en) 1980-10-06 1985-04-09 Werner Tabarelli Apparatus for the photolithographic manufacture of integrated circuit elements
US4346164A (en) 1980-10-06 1982-08-24 Werner Tabarelli Photolithographic method for the manufacture of integrated circuits
US4390273A (en) 1981-02-17 1983-06-28 Censor Patent-Und Versuchsanstalt Projection mask as well as a method and apparatus for the embedding thereof and projection printing system
JPS57153433A (en) 1981-03-18 1982-09-22 Hitachi Ltd Manufacturing device for semiconductor
US4405701A (en) 1981-07-29 1983-09-20 Western Electric Co. Methods of fabricating a photomask
JPS58202448A (ja) 1982-05-21 1983-11-25 Hitachi Ltd 露光装置
DD206607A1 (de) 1982-06-16 1984-02-01 Mikroelektronik Zt Forsch Tech Verfahren und vorrichtung zur beseitigung von interferenzeffekten
DD242880A1 (de) 1983-01-31 1987-02-11 Kuch Karl Heinz Einrichtung zur fotolithografischen strukturuebertragung
DD221563A1 (de) 1983-09-14 1985-04-24 Mikroelektronik Zt Forsch Tech Immersionsobjektiv fuer die schrittweise projektionsabbildung einer maskenstruktur
DD224448A1 (de) 1984-03-01 1985-07-03 Zeiss Jena Veb Carl Einrichtung zur fotolithografischen strukturuebertragung
JPS6265326A (ja) 1985-09-18 1987-03-24 Hitachi Ltd 露光装置
JPS62121417A (ja) 1985-11-22 1987-06-02 Hitachi Ltd 液浸対物レンズ装置
JPS63157419A (ja) 1986-12-22 1988-06-30 Toshiba Corp 微細パタ−ン転写装置
US5040020A (en) 1988-03-31 1991-08-13 Cornell Research Foundation, Inc. Self-aligned, high resolution resonant dielectric lithography
JPH03209479A (ja) 1989-09-06 1991-09-12 Sanee Giken Kk 露光方法
JPH04305915A (ja) 1991-04-02 1992-10-28 Nikon Corp 密着型露光装置
JPH04305917A (ja) 1991-04-02 1992-10-28 Nikon Corp 密着型露光装置
JPH06124873A (ja) 1992-10-09 1994-05-06 Canon Inc 液浸式投影露光装置
JP2753930B2 (ja) 1992-11-27 1998-05-20 キヤノン株式会社 液浸式投影露光装置
JP2520833B2 (ja) 1992-12-21 1996-07-31 東京エレクトロン株式会社 浸漬式の液処理装置
JPH07220990A (ja) 1994-01-28 1995-08-18 Hitachi Ltd パターン形成方法及びその露光装置
JPH08316124A (ja) 1995-05-19 1996-11-29 Hitachi Ltd 投影露光方法及び露光装置
US6104687A (en) 1996-08-26 2000-08-15 Digital Papyrus Corporation Method and apparatus for coupling an optical lens to a disk through a coupling medium having a relatively high index of refraction
US5825043A (en) 1996-10-07 1998-10-20 Nikon Precision Inc. Focusing and tilting adjustment system for lithography aligner, manufacturing apparatus or inspection apparatus
JP3612920B2 (ja) 1997-02-14 2005-01-26 ソニー株式会社 光学記録媒体の原盤作製用露光装置
JPH10255319A (ja) 1997-03-12 1998-09-25 Hitachi Maxell Ltd 原盤露光装置及び方法
JP3747566B2 (ja) 1997-04-23 2006-02-22 株式会社ニコン 液浸型露光装置
JP3817836B2 (ja) 1997-06-10 2006-09-06 株式会社ニコン 露光装置及びその製造方法並びに露光方法及びデバイス製造方法
US5900354A (en) 1997-07-03 1999-05-04 Batchelder; John Samuel Method for optical inspection and lithography
JPH11176727A (ja) 1997-12-11 1999-07-02 Nikon Corp 投影露光装置
EP1039511A4 (en) 1997-12-12 2005-03-02 Nikon Corp PROJECTION EXPOSURE PROCESSING METHOD AND PROJECTION APPARATUS
AU2747999A (en) 1998-03-26 1999-10-18 Nikon Corporation Projection exposure method and system
JP2000058436A (ja) 1998-08-11 2000-02-25 Nikon Corp 投影露光装置及び露光方法
TWI242111B (en) 1999-04-19 2005-10-21 Asml Netherlands Bv Gas bearings for use in vacuum chambers and their application in lithographic projection apparatus
JP4504479B2 (ja) 1999-09-21 2010-07-14 オリンパス株式会社 顕微鏡用液浸対物レンズ
JP2001272604A (ja) 2000-03-27 2001-10-05 Olympus Optical Co Ltd 液浸対物レンズおよびそれを用いた光学装置
TW591653B (en) 2000-08-08 2004-06-11 Koninkl Philips Electronics Nv Method of manufacturing an optically scannable information carrier
KR100866818B1 (ko) 2000-12-11 2008-11-04 가부시키가이샤 니콘 투영광학계 및 이 투영광학계를 구비한 노광장치
US20020163629A1 (en) 2001-05-07 2002-11-07 Michael Switkes Methods and apparatus employing an index matching medium
US6600547B2 (en) 2001-09-24 2003-07-29 Nikon Corporation Sliding seal
KR20050044371A (ko) 2001-11-07 2005-05-12 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 광학 스폿 그리드 어레이 프린터
DE10229818A1 (de) 2002-06-28 2004-01-15 Carl Zeiss Smt Ag Verfahren zur Fokusdetektion und Abbildungssystem mit Fokusdetektionssystem
US7092069B2 (en) 2002-03-08 2006-08-15 Carl Zeiss Smt Ag Projection exposure method and projection exposure system
DE10210899A1 (de) 2002-03-08 2003-09-18 Zeiss Carl Smt Ag Refraktives Projektionsobjektiv für Immersions-Lithographie
JP4117530B2 (ja) 2002-04-04 2008-07-16 セイコーエプソン株式会社 液量判定装置、露光装置、および液量判定方法
US7362508B2 (en) 2002-08-23 2008-04-22 Nikon Corporation Projection optical system and method for photolithography and exposure apparatus and method using same
US6788477B2 (en) 2002-10-22 2004-09-07 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Apparatus for method for immersion lithography
CN100568101C (zh) 2002-11-12 2009-12-09 Asml荷兰有限公司 光刻装置和器件制造方法
SG121818A1 (en) 2002-11-12 2006-05-26 Asml Netherlands Bv Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7110081B2 (en) 2002-11-12 2006-09-19 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
DE60335595D1 (de) 2002-11-12 2011-02-17 Asml Netherlands Bv Lithographischer Apparat mit Immersion und Verfahren zur Herstellung einer Vorrichtung
CN101424881B (zh) 2002-11-12 2011-11-30 Asml荷兰有限公司 光刻投射装置
SG121822A1 (en) 2002-11-12 2006-05-26 Asml Netherlands Bv Lithographic apparatus and device manufacturing method
DE10253679A1 (de) 2002-11-18 2004-06-03 Infineon Technologies Ag Optische Einrichtung zur Verwendung bei einem Lithographie-Verfahren, insbesondere zur Herstellung eines Halbleiter-Bauelements, sowie optisches Lithographieverfahren
SG131766A1 (en) 2002-11-18 2007-05-28 Asml Netherlands Bv Lithographic apparatus and device manufacturing method
SG121829A1 (en) 2002-11-29 2006-05-26 Asml Netherlands Bv Lithographic apparatus and device manufacturing method
DE10258718A1 (de) 2002-12-09 2004-06-24 Carl Zeiss Smt Ag Projektionsobjektiv, insbesondere für die Mikrolithographie, sowie Verfahren zur Abstimmung eines Projektionsobjektives
JP4352874B2 (ja) 2002-12-10 2009-10-28 株式会社ニコン 露光装置及びデバイス製造方法
KR20050062665A (ko) 2002-12-10 2005-06-23 가부시키가이샤 니콘 노광장치 및 디바이스 제조방법
KR20050085236A (ko) 2002-12-10 2005-08-29 가부시키가이샤 니콘 노광 장치 및 디바이스 제조 방법
JP4232449B2 (ja) 2002-12-10 2009-03-04 株式会社ニコン 露光方法、露光装置、及びデバイス製造方法
JP4595320B2 (ja) * 2002-12-10 2010-12-08 株式会社ニコン 露光装置、及びデバイス製造方法
KR101036114B1 (ko) 2002-12-10 2011-05-23 가부시키가이샤 니콘 노광장치 및 노광방법, 디바이스 제조방법
DE10257766A1 (de) 2002-12-10 2004-07-15 Carl Zeiss Smt Ag Verfahren zur Einstellung einer gewünschten optischen Eigenschaft eines Projektionsobjektivs sowie mikrolithografische Projektionsbelichtungsanlage
EP1429190B1 (en) 2002-12-10 2012-05-09 Canon Kabushiki Kaisha Exposure apparatus and method
CN100429748C (zh) 2002-12-10 2008-10-29 株式会社尼康 曝光装置和器件制造方法
TW200421444A (en) 2002-12-10 2004-10-16 Nippon Kogaku Kk Optical device and projecting exposure apparatus using such optical device
WO2004053957A1 (ja) 2002-12-10 2004-06-24 Nikon Corporation 面位置検出装置、露光方法、及びデバイス製造方法
SG171468A1 (en) 2002-12-10 2011-06-29 Nikon Corp Exposure apparatus and method for producing device
WO2004053951A1 (ja) 2002-12-10 2004-06-24 Nikon Corporation 露光方法及び露光装置並びにデバイス製造方法
JP4362867B2 (ja) 2002-12-10 2009-11-11 株式会社ニコン 露光装置及びデバイス製造方法
JP4184346B2 (ja) 2002-12-13 2008-11-19 コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ 層上のスポットを照射するための方法及び装置における液体除去
US7010958B2 (en) 2002-12-19 2006-03-14 Asml Holding N.V. High-resolution gas gauge proximity sensor
KR100971440B1 (ko) 2002-12-19 2010-07-21 코닌클리케 필립스 일렉트로닉스 엔.브이. 레이어 상의 스폿을 조사하기 위한 방법 및 장치
DE10261775A1 (de) 2002-12-20 2004-07-01 Carl Zeiss Smt Ag Vorrichtung zur optischen Vermessung eines Abbildungssystems
US6781670B2 (en) 2002-12-30 2004-08-24 Intel Corporation Immersion lithography
US7022437B2 (en) * 2003-01-15 2006-04-04 Asml Netherlands B.V. Perfluoropolyether liquid pellicle and methods of cleaning masks using perfluoropolyether liquid
TW201908879A (zh) 2003-02-26 2019-03-01 日商尼康股份有限公司 曝光裝置、曝光方法及元件製造方法
EP1610361B1 (en) 2003-03-25 2014-05-21 Nikon Corporation Exposure system and device production method
WO2004090956A1 (ja) 2003-04-07 2004-10-21 Nikon Corporation 露光装置及びデバイス製造方法
KR101177331B1 (ko) 2003-04-09 2012-08-30 가부시키가이샤 니콘 액침 리소그래피 유체 제어 시스템
SG141425A1 (en) 2003-04-10 2008-04-28 Nikon Corp Environmental system including vacuum scavange for an immersion lithography apparatus
KR101177330B1 (ko) 2003-04-10 2012-08-30 가부시키가이샤 니콘 액침 리소그래피 장치
EP2921905B1 (en) 2003-04-10 2017-12-27 Nikon Corporation Run-off path to collect liquid for an immersion lithography apparatus
WO2004090633A2 (en) 2003-04-10 2004-10-21 Nikon Corporation An electro-osmotic element for an immersion lithography apparatus
JP4582089B2 (ja) 2003-04-11 2010-11-17 株式会社ニコン 液浸リソグラフィ用の液体噴射回収システム
JP4315198B2 (ja) 2003-04-11 2009-08-19 株式会社ニコン 液浸液体を光学アセンブリ下に維持するリソグラフィ装置及び液浸液体維持方法並びにそれらを用いるデバイス製造方法
KR101508809B1 (ko) 2003-04-11 2015-04-06 가부시키가이샤 니콘 액침 리소그래피에 의한 광학기기의 세정방법
JP2006523958A (ja) 2003-04-17 2006-10-19 株式会社ニコン 液浸リソグラフィで使用するためのオートフォーカス素子の光学的構造
TWI237307B (en) 2003-05-01 2005-08-01 Nikon Corp Optical projection system, light exposing apparatus and light exposing method
KR101647934B1 (ko) 2003-05-06 2016-08-11 가부시키가이샤 니콘 투영 광학계, 노광 장치 및 노광 방법
TWI295414B (en) 2003-05-13 2008-04-01 Asml Netherlands Bv Lithographic apparatus and device manufacturing method
EP1624481A4 (en) 2003-05-15 2008-01-30 Nikon Corp EXPOSURE DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING COMPONENTS
TWI220716B (en) * 2003-05-19 2004-09-01 Ind Tech Res Inst Method and apparatus of constructing a hardware architecture for transfer functions
TWI421906B (zh) 2003-05-23 2014-01-01 尼康股份有限公司 An exposure method, an exposure apparatus, and an element manufacturing method
TWI424470B (zh) 2003-05-23 2014-01-21 尼康股份有限公司 A method of manufacturing an exposure apparatus and an element
US6995833B2 (en) 2003-05-23 2006-02-07 Canon Kabushiki Kaisha Projection optical system, exposure apparatus, and device manufacturing method
CN100541717C (zh) 2003-05-28 2009-09-16 株式会社尼康 曝光方法、曝光装置以及器件制造方法
US7274472B2 (en) 2003-05-28 2007-09-25 Timbre Technologies, Inc. Resolution enhanced optical metrology
EP1482372B1 (en) 2003-05-30 2014-10-08 ASML Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
TWI442694B (zh) 2003-05-30 2014-06-21 Asml Netherlands Bv 微影裝置及元件製造方法
US7684008B2 (en) 2003-06-11 2010-03-23 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
EP3401946A1 (en) 2003-06-13 2018-11-14 Nikon Corporation Exposure apparatus and device manufacturing method
KR101146962B1 (ko) 2003-06-19 2012-05-22 가부시키가이샤 니콘 노광 장치 및 디바이스 제조방법
US6867844B2 (en) 2003-06-19 2005-03-15 Asml Holding N.V. Immersion photolithography system and method using microchannel nozzles
DE60308161T2 (de) 2003-06-27 2007-08-09 Asml Netherlands B.V. Lithographischer Apparat und Verfahren zur Herstellung eines Artikels
EP1498778A1 (en) 2003-06-27 2005-01-19 ASML Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US6809794B1 (en) 2003-06-27 2004-10-26 Asml Holding N.V. Immersion photolithography system and method using inverted wafer-projection optics interface
JP3862678B2 (ja) 2003-06-27 2006-12-27 キヤノン株式会社 露光装置及びデバイス製造方法
EP1494075B1 (en) 2003-06-30 2008-06-25 ASML Netherlands B.V. Lithographic projection apparatus and device manufacturing method
EP1494074A1 (en) 2003-06-30 2005-01-05 ASML Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
EP2264531B1 (en) * 2003-07-09 2013-01-16 Nikon Corporation Exposure apparatus and device manufacturing method
US20070132969A1 (en) 2003-07-24 2007-06-14 Carl Zeiss Smt Ag Microlithographic projection exposure apparatus and method for introducing an immersion liquid into an immersion space
US7006209B2 (en) 2003-07-25 2006-02-28 Advanced Micro Devices, Inc. Method and apparatus for monitoring and controlling imaging in immersion lithography systems
EP1503244A1 (en) 2003-07-28 2005-02-02 ASML Netherlands B.V. Lithographic projection apparatus and device manufacturing method
US7061578B2 (en) 2003-08-11 2006-06-13 Advanced Micro Devices, Inc. Method and apparatus for monitoring and controlling imaging in immersion lithography systems
US7579135B2 (en) 2003-08-11 2009-08-25 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Lithography apparatus for manufacture of integrated circuits
US7700267B2 (en) 2003-08-11 2010-04-20 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Immersion fluid for immersion lithography, and method of performing immersion lithography
US6844206B1 (en) 2003-08-21 2005-01-18 Advanced Micro Devices, Llp Refractive index system monitor and control for immersion lithography
TWI245163B (en) 2003-08-29 2005-12-11 Asml Netherlands Bv Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7070915B2 (en) 2003-08-29 2006-07-04 Tokyo Electron Limited Method and system for drying a substrate
TWI263859B (en) 2003-08-29 2006-10-11 Asml Netherlands Bv Lithographic apparatus and device manufacturing method
SG145780A1 (en) 2003-08-29 2008-09-29 Nikon Corp Exposure apparatus and device fabricating method
US6954256B2 (en) * 2003-08-29 2005-10-11 Asml Netherlands B.V. Gradient immersion lithography
US7014966B2 (en) 2003-09-02 2006-03-21 Advanced Micro Devices, Inc. Method and apparatus for elimination of bubbles in immersion medium in immersion lithography systems
KR20060126949A (ko) 2003-10-08 2006-12-11 가부시키가이샤 니콘 기판 반송 장치와 기판 반송 방법, 노광 장치와 노광 방법,및 디바이스 제조 방법
JP4295712B2 (ja) 2003-11-14 2009-07-15 エーエスエムエル ネザーランズ ビー．ブイ． リソグラフィ装置及び装置製造方法
JP4323946B2 (ja) 2003-12-19 2009-09-02 キヤノン株式会社 露光装置
US7295283B2 (en) 2004-04-02 2007-11-13 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US20050231695A1 (en) 2004-04-15 2005-10-20 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Method and system for immersion lithography using high PH immersion fluid
EP2490248A3 (en) * 2004-04-19 2018-01-03 Nikon Corporation Exposure apparatus and device manufacturing method
WO2006078292A1 (en) * 2005-01-21 2006-07-27 Nikon Corporation Offset partial ring seal in immersion lithographic system
DE102006021161A1 (de) * 2005-05-25 2006-11-30 Carl Zeiss Smt Ag Projektionsobjektiv insbesondere für die Mirkolithographie
US7773195B2 (en) * 2005-11-29 2010-08-10 Asml Holding N.V. System and method to increase surface tension and contact angle in immersion lithography

Cited By (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102063023A (zh) * 2007-09-13 2011-05-18 Asml荷兰有限公司 光刻设备和器件制造方法
CN102692830A (zh) * 2011-03-24 2012-09-26 南亚科技股份有限公司 对位误差的评估方法及其掩模
CN103207526A (zh) * 2012-01-16 2013-07-17 昆山允升吉光电科技有限公司 一种曝光修正补偿方法
CN113189849A (zh) * 2021-04-22 2021-07-30 中国科学院光电技术研究所 一种近场光刻浸没系统及其浸没单元和接口模组
CN113189849B (zh) * 2021-04-22 2023-08-11 中国科学院光电技术研究所 一种近场光刻浸没系统及其浸没单元和接口模组
US12078937B1 (en) 2021-04-22 2024-09-03 The Institute Of Optics And Electronics, The Chinese Academy Of Sciences Near-field lithography immersion system, immersion unit and interface module thereof
WO2023109000A1 (zh) * 2021-12-13 2023-06-22 长鑫存储技术有限公司 光刻胶图案的形成方法和投影式曝光装置

Also Published As

Publication number Publication date
JP4478139B2 (ja) 2010-06-09
SG132651A1 (en) 2007-06-28
KR100842889B1 (ko) 2008-07-03
JP2007180521A (ja) 2007-07-12
US20100271604A1 (en) 2010-10-28
KR20070057031A (ko) 2007-06-04
US7773195B2 (en) 2010-08-10
EP1791026A1 (en) 2007-05-30
US20070122561A1 (en) 2007-05-31
US8456611B2 (en) 2013-06-04
KR20080007299A (ko) 2008-01-18
TW200732855A (en) 2007-09-01
KR100851644B1 (ko) 2008-08-13
CN1975580B (zh) 2011-06-15
TWI349170B (en) 2011-09-21

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN1975580B (zh) 提高浸没光刻中表面张力和接触角的系统和方法
JP5344691B2 (ja) リソグラフィ投影装置およびデバイス製造方法
CN102736446B (zh) 曝光装置及元件制造方法
JP5226637B2 (ja) リソグラフィ装置及びデバイス製造方法
JP2019074770A (ja) リソグラフィ装置およびデバイス製造方法
CN1782886B (zh) 光刻装置以及器件制造方法
JP4391460B2 (ja) リソグラフィ装置及びデバイス製造方法
CN1858655A (zh) 光刻装置及器件制造方法
CN101030042A (zh) 光刻装置及器件制造方法
JP2005093997A (ja) リソグラフィック装置及びデバイス製造方法
US20110134400A1 (en) Exposure apparatus, liquid immersion member, and device manufacturing method
CN1858656A (zh) 光刻装置和器件制造方法
CN101776848A (zh) 浸没式光刻系统
JP2006140494A (ja) リソグラフィ装置及びデバイス製造方法
CN1752851A (zh) 光刻装置和器件制造方法
US20120052447A1 (en) Lithographic apparatus and device manufacturing method
JP2012151513A (ja) リソグラフィック装置及びデバイス製造方法
JP2011071545A (ja) 露光装置及びデバイス製造方法
CN101937174A (zh) 衬底台、光刻设备、使用衬底台的方法和器件制造方法
CN1858657A (zh) 光刻装置及器件制造方法
CN101750907A (zh) 光刻设备和辐射至少两个目标部分的方法
CN101868763B (zh) 光刻设备、投影系统和器件制造方法
JP2011129914A (ja) リソグラフィ装置及びデバイス製造方法

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
C14 Grant of patent or utility model
GR01 Patent grant
CF01 Termination of patent right due to non-payment of annual fee
CF01 Termination of patent right due to non-payment of annual fee

Granted publication date: 20110615

Termination date: 20191128