JP2005183982A - リソグラフィ装置およびデバイス製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】設計上の制約を少なくして製造コストを低減することのできるリソグラフィ装置を提供すること。
【解決手段】本発明によれば、投影系の中間焦点またはその近傍に配置された放射線減衰器、またはマスキング・ブレードなどの可変開口システムを含むリソグラフィ装置が提供される。放射線減衰器や可変開口システムの他に、中間焦点に測定システムを配置することもできる。照明系内のレチクルの近くではなく、投影系の中間焦点に１つまたは複数のそうしたシステムを配置することによってより広い空間を利用できるようになるため、設計上の制約が少なくなり、その結果、設計コストが低減される。
【選択図】図２

Description

本発明は、リソグラフィ装置およびデバイス製造方法に関する。

リソグラフィ装置は、基板のターゲット部分の上に所望のパターンを適用する装置である。リソグラフィ装置は、例えば集積回路（ＩＣ）の製造に用いることができる。このような場合、マスクなどのパターン形成構造（パターニング構造）を用いてＩＣの個々の層に対応する回路パターンを生成することが可能であり、このパターンを、放射線感光材料（レジスト）の層を有する基板（例えばシリコン・ウェハ）上の（例えば１つまたは複数のダイの一部を含む）ターゲット部分に結像（イメージング）させることができる。一般に、単一の基板が、連続的に露光される隣接ターゲット部分の全ネットワークを含む。周知のリソグラフィ装置には、パターン全体を１回の露光でターゲット部分の上に露光することによって各ターゲット部分を照射する、いわゆるステッパと、パターンを投影ビームの下で所与の方向（「走査」方向）に走査し、それと同時にこの方向に対して平行または逆平行に基板を同期して走査することによって各ターゲット部分を照射する、いわゆるスキャナとが含まれる。

リソグラフィ装置は、放射線の投影ビームをレチクルに提供するように構成された照明系を含むことができる。レチクルは、反射タイプのものでも透過タイプのものでもよい。ビームは、レチクルによって反射または透過された後、レチクル上に存在していたパターンを備えるようになる。次いで、いわゆる「パターンビーム（パターンが形成されたビーム）」を、投影系によって基板のターゲット部分の上に投影する。ＥＵＶリソグラフィでは、照明系および投影系は放射線ビームを処理する光学ミラーを含む。現在の照明系では、レチクルのターゲット部分におけるビームの位置決めおよびサイズを操作するように放射線ビームを減衰させるために、放射線減衰器を配置することができる。ＥＵＶリソグラフィ装置において、照明系内で放射線減衰器を配置するのに最適な場所は、反射性レチクルにきわめて近いところである。しかし、例えばレチクルのマスキング・ブレード・システムは比較的大きい場合がある。比較的大きい寸法のそうしたレチクルのマスキング・ブレードと共に使用する場合には空間が制限されるため、こうしたシステムの設計は制約される。

本発明の観点は、設計上の制約を少なくすることによってリソグラフィ装置の製造コストを低減することである。

したがって、本発明の１つの観点によれば、放射線の投影ビームを提供するように構成された照明系と、パターン形成構造を支持するように構成された支持体であって、パターン形成構造が投影ビームの断面にパターンを与えるように構成されている支持体と、基板を保持するように構成された基板テーブルと、パターンが形成されたビーム（パターンビーム）を基板のターゲット部分の上に投影するように構成された、中間焦点を有する投影系とを含むリソグラフィ装置であって、中間焦点またはその近くに、パターンが形成されたビームを減衰させるように構成された少なくとも１つの放射線減衰器、パターンが形成されたビームの少なくとも一部を通過させるように構成された少なくとも１つの可変開口システム、およびパターンが形成されたビームの強度を測定するように構成された少なくとも１つの放射線測定システムのうちの少なくとも１つを含むリソグラフィ装置が提供される。

照明系内のレチクルの近くではなく、投影系の中間焦点（ＩＦ）に放射線減衰器、可変開口システムおよび／または測定システムを配置することによって、より広い空間が利用可能となって設計上の制約が少なくなり、それによって装置のコストが低減される。

投影系のＩＦに強度モニタ・センサなどの放射線測定システムを配置することによって、放射線を基板の比較的近くで測定することが可能になるが、そうすると、このＩＦと基板の間の光学系による低下の影響だけは測定されない。中間焦点では、１つまたは複数の放射線システムを、１つまたは複数の放射線測定システムと組み合わせて構成できることに留意されたい。

可変開口システムと放射線測定システムとの両方を投影系のＩＦまたはその近くに配置する場合、放射線測定システムをレチクルと可変開口システムとの間に配置することが好ましい。このようにして、可変開口システムが、パターンビームの測定に影響を及ぼさないようにする。

可変開口システムはマスキング・ブレード・システムを含むことができ、放射線減衰器は均一性補正装置を含むことができる。均一性補正装置は、特定位置でのパターンビームの放射線透過率を動的に調整するように構成することができる。基板表面に与えられる線量の均一性は、リソグラフィ装置の結像品質の重要な決定要素である。ウェハ・レベルにおいて結像領域全体にわたって与えられるエネルギー密度にばらつきがある場合、それによってレジスト現像後の像のフィーチャ・サイズにばらつきが生じる可能性がある。マスク・レベルでの照明フィールド（スリット）を確実に均一に照明することにより、ウェハ・レベルでの均一性を高度に保証することができる。このことは、現況の技術では、例えば照明ビームを、内部でビームが複数の反射を受ける石英棒などの積算器、または多数の光源の重複像を生成するフライ・アイ・レンズを通過させることによって達成される。それでもなお、パターンが形成されたビームの均一性に調整を要することがある。一実施例によれば、これは均一性補正装置によって実施される。

放射線測定システムは、パターンが形成されたビームの強度をモニターするために、ダイオード・センサなどの強度モニタ・センサを含むことができる。

他の実施例では、放射線減衰器自体が、投影系の中間焦点またはその近くで放射線を測定するように構成されている。このようにすると、追加の測定システムは不要になる。放射線減衰器は均一性補正装置のブレードを備えることができ、ブレードは装置内で、例えば光誘起電流を測定する電気回路に接続される。

他の観点によれば、上述のリソグラフィ装置のための、中間焦点を有する投影系であって、パターンが形成されたビームを減衰させるように構成された少なくとも１つの放射線減衰器、パターンが形成されたビームの少なくとも一部を通過させるように構成された少なくとも１つの可変開口システム、およびパターンが形成されたビームの強度を測定するように構成された少なくとも１つの放射線測定システムのうちの少なくとも１つを、中間焦点またはその近くに含む投影系が提供される。

本発明のさらに他の観点によれば、投影系を用いて、放射線のパターンビームを基板のターゲット部分の上に投影するステップと、投影系の中間焦点またはその近くでパターンビームを減衰させるステップと、投影系の中間焦点またはその近くで、可変開口システムによってパターンビームの少なくとも一部を通過させるステップと、投影系の中間焦点またはその近くでパターンビームの強度を測定するステップとを含むデバイス製造方法が提供される。

本発明はまた、上述の方法によって製造されるデバイスに関するものである。

本明細書では、リソグラフィ装置をＩＣの製造に用いることについて特に言及しているが、本明細書に記載されるリソグラフィ装置は、一体型光学システム、磁気ドメイン・メモリ用の誘導および検出パターン、液晶ディスプレイ（ＬＣＤ）、薄膜磁気ヘッドその他の製造など、他の用途も有していることを理解すべきである。こうした別の用途に関する文脈では、本明細書中の「ウェハ」または「ダイ」という用語の使用はいずれも、それぞれ「基板」または「ターゲット部分」という、より一般的な用語と同義であると考えられることが、当業者には理解されよう。さらに本明細書で言及する基板は、露光前または露光後に、例えばトラック（一般に基板にレジストを施し、露光されたレジストを現像するツール）や計測または検査ツールで処理することができる。適用可能であれば、本明細書の開示をこうしたツールや他の基板処理ツールに適用してもよい。

本明細書で使用する「放射線」および「ビーム」という用語は、（例えば３６５、２４８、１９３、１５７または１２６ｎｍの波長を有する）紫外線（ＵＶ）放射、および（例えば５〜２０ｎｍの範囲の波長を有する）極紫外線（ＥＵＶ）放射を含むあらゆるタイプの電磁放射線、並びにイオン・ビームや電子ビームなどの粒子ビームを包含している。

本明細書で使用する「パターン形成構造」という用語は、基板のターゲット部分にパターンを作成するためなど、投影ビームの断面にパターンを与えるために用いることができる手段を指すものとして広く解釈すべきである。投影ビームに与えられるパターンは、基板のターゲット部分における所望のパターンと厳密に一致しない可能性があることに留意すべきである。一般に、投影ビームに与えられるパターンは、集積回路などターゲット部分に作成されるデバイスの特定の機能層に対応している。

パターン形成構造は、透過式であってもよく、あるいは反射式であってもよい。パターン形成構造の例には、マスクおよびプログラマブル・ミラー・アレイが含まれる。マスクはリソグラフィの分野では周知であり、それにはバイナリ・マスク、交互位相シフト・マスク（ａｌｔｅｒｎａｔｉｎｇ ＰＳＭ）および減衰位相シフト・マスク（ａｔｔｅｎｕａｔｅｄ ＰＳＭ）などのマスク・タイプ、並びに様々なハイブリッド型のマスク・タイプが含まれる。プログラマブル・ミラー・アレイの一例は、小さいミラーのマトリクス状の配列を使用するものであり、入射する放射線ビームを異なる方向に反射するように、それぞれのミラーを別々に傾斜させることができる。このようにして、反射ビームにパターンが形成される。パターン形成構造の各例では、支持構造を、例えばフレームまたはテーブルとすることが可能であり、これらは必要に応じて固定することも移動させることもでき、またパターン形成構造が、例えば投影系に対して所望される位置にあることを保証することができる。本明細書中の「レチクル」または「マスク」という用語の使用はいずれも、「パターン形成構造」というより一般的な用語と同義であると考えられる。

本明細書で使用する「投影系」という用語は、屈折光学系、反射光学系および反射屈折光学系を含む様々なタイプの投影系を包含するものとして広く解釈すべきであり、これらの光学系は、例えば使用する露光放射線に関連して、あるいは浸漬液の使用や真空の使用など他の要因に関連して適切に選択される。本明細書中の「レンズ」という用語の使用はいずれも、「投影系」というより一般的な用語と同義であると考えられる。

照明系も、放射線の照明ビームの方向付け、成形または制御のため、屈折式、反射式および反射屈折式の光学要素を含む様々なタイプの光学要素を包含することができ、こうした構成要素も以下では一括して、または単独で「レンズ」と呼ぶことがある。

リソグラフィ装置は、２（デュアル・ステージ）または３以上の基板テーブル（および／または２以上のマスク・テーブル）を有するタイプのものとしてもよい。こうした「マルチ・ステージ」装置では、追加のテーブルを並行して用いてもよく、あるいは１つまたは複数のテーブル上で予備ステップを実施し、それと同時に１つまたは複数の他のテーブルを露光に用いてもよい。

リソグラフィ装置は、投影系の最後の要素と基板との間の空間を満たすように、例えば水など比較的高い屈折率を有する液体に基板を浸すタイプのものであってもよい。ＵＶ投影系の開口数および／または「焦点深度」を高めるための浸漬技術は、当技術分野では周知である。

次に本発明の実施例を、添付の概略図を参照して例示のみの目的で説明する。図中、同じ参照記号は同じ部品を指すことに留意されたい。

図１は、本発明によるリソグラフィ装置１を概略的に示している。この装置は、放射線の投影ビーム（例えばＵＶ放射またはＥＵＶ放射）ＰＢを提供するように構成された照明系（照明器）ＩＬを含んでいる。

第１の支持構造（例えばマスク・テーブル）ＭＴは、パターン形成構造（例えばマスク）ＭＡを支持するように構成され、投影系（レンズ）ＰＬに対してパターン形成構造を正確に位置決めする第１の位置決め装置ＰＭに接続されている。基板テーブル（例えばウェハ・テーブル）ＷＴは、基板（例えばレジスト塗布ウェハ）Ｗを保持するように構成され、投影系ＰＬに対して基板を正確に位置決めする第２の位置決め装置ＰＷに接続されている。

投影系（例えば反射投影レンズ）ＰＬは、パターン形成構造ＭＡによって投影ビームＰＢに与えられたパターンを、基板Ｗの（例えば１つまたは複数のダイを含む）ターゲット部分Ｃに結像させるように構成されている。

本明細書で図示する装置は、（例えば反射性マスク、または先に言及したタイプのプログラマブル・ミラー・アレイを用いた）反射タイプのものである。あるいは、装置は（例えば透過性マスクを使用する）透過タイプのものであってもよい。

照明器ＩＬは放射線源ＳＯから放射線ビームを受け取る。例えば放射線源がレーザー源である場合、放射線源とリソグラフィ装置とを別々の構成要素とすることができる。そうした場合には、放射線源がリソグラフィ装置の一部を形成するとは考えられず、放射線ビームは一般に、ビーム引渡しシステムの助けにより放射線源ＳＯから照明器ＩＬへ伝えられる。他の場合、例えば放射線源が水銀ランプまたはプラズマ源である場合には、放射線源を装置の一部としてもよい。

照明器ＩＬは、ビームの角強度分布を調整するように構成された調整装置を有していてもよい。一般に、照明器の瞳面内における強度分布の、少なくとも外側および／または内側の半径方向範囲（それぞれ一般にσ−アウタ（σ−ｏｕｔｅｒ）、σ−インナ（σ−ｉｎｎｅｒ）と呼ばれる）を調整することができる。照明器は、投影ビームＰＢと呼ばれる調節された放射線ビームを提供し、このビームはその断面に所望の均一性および強度分布を有している。

投影ビームＰＢは、マスク・テーブルＭＴ上に保持されているマスクＭＡに入射する。マスクＭＡによって反射された投影ビームＰＢは、ビームを基板Ｗのターゲット部分Ｃの上に集束させるレンズＰＬを通過する。第２の位置決め装置ＰＷおよび位置センサＩＦ２（例えば干渉測定装置）を用いて、基板テーブルＷＴを、例えば異なるターゲット部分ＣをビームＰＢの経路内に位置決めするように、正確に移動させることができる。同様に、第１の位置決め装置ＰＭおよび位置センサＩＦ１を用いて、例えばマスク・ライブラリから機械的に取り出した後、あるいは走査中に、マスクＭＡをビームＰＢの経路に対して正確に位置決めすることができる。一般に、オブジェクト・テーブルＭＴおよびＷＴの移動は、位置決め装置ＰＭおよびＰＷの一部を形成する長ストローク・モジュール（粗い位置決め）および短ストローク・モジュール（細かい位置決め）を用いて実現される。しかし（スキャナではなく）ステッパの場合には、マスク・テーブルＭＴを短ストローク・アクチュエータに接続するだけでもよいし、あるいは固定してもよい。マスクＭＡおよび基板Ｗは、マスク・アライメント・マークＭ１、Ｍ２、および基板アライメント・マークＰ１、Ｐ２を用いて位置を調整することができる。

図示した装置は、以下の好ましいモードで使用することができる。
（１）ステップ・モードでは、マスク・テーブルＭＴおよび基板テーブルＷＴを本質的に静止した状態に保ち、それと同時に投影ビームに与えられたパターン全体をターゲット部分Ｃの上に１回で投影する（すなわち、ただ１回の静止露光）。次いで、異なるターゲット部分Ｃを露光することができるように、基板テーブルＷＴをＸおよび／またはＹ方向に移動させる。ステップ・モードでは、露光フィールドの最大サイズによって１回の静止露光で結像されるターゲット部分Ｃのサイズが制限される。
（２）走査モードでは、マスク・テーブルＭＴおよび基板テーブルＷＴを同期して走査し、それと同時に、投影ビームに与えられたパターンをターゲット部分Ｃの上に投影する（すなわち、ただ１回の動的露光）。マスク・テーブルＭＴに対する基板テーブルＷＴの速度および方向は、投影系ＰＬの拡大（縮小）率、および像の反転特性によって決まる。走査モードでは、露光フィールドの最大サイズによって１回の動的露光におけるターゲット部分の（非走査方向の）幅が制限され、走査移動の長さによってターゲット部分の（走査方向の）高さが決定される。
（３）他のモードでは、プログラム可能なパターン形成構造を保持しながらマスク・テーブルＭＴを本質的に静止した状態に保ち、投影ビームに与えられたパターンをターゲット部分Ｃの上に投影するとともに、基板テーブルＷＴを移動または走査する。このモードでは、一般にパルス式の放射線源が使用され、基板テーブルＷＴが移動するたびに、または走査中の連続する放射線パルスの合間に、プログラム可能なパターン形成構造が必要に応じて更新される。この動作モードは、先に言及したタイプのプログラマブル・ミラー・アレイなど、プログラム可能なパターン形成構造を利用するマスクレス・リソグラフィに簡単に適用することができる。

上述の使用モードの組み合わせおよび／または変形形態を採用してもよく、あるいは全く異なる使用モードを採用することもできる。

図２は、放射線ユニット３、照明系ＩＬおよび投影系ＰＬを含むリソグラフィ装置１を示している。放射線ユニット３および照明系ＩＬを、放射線システム２と呼ぶ。放射線ユニット３は放電プラズマによって形成することができる放射線源ＳＯを備えている。放射線ユニット３からの放射線は、中間焦点２１の位置に仮想（ｖｉｒｔｕａｌ）の放射線源を作り出す。放射線システム２は、中間焦点２１が照明系ＩＬ内の開口に配置されるように構成される。投影ビームＰＢは、照明系ＩＬ内で反射要素１３、反射要素１４を介して、レチクルまたはマスク・テーブルＭＴ上に配置されたレチクルまたはマスク（図示せず）に反射される。パターンビーム１７が形成され、これは投影系ＰＬ内で反射要素１８、１９を介して中間焦点２３を通り、次いで反射要素１２、１１を介してウェハ・ステージまたは基板テーブルＷＴ上に結像される。一般に放射線ユニット３、照明系ＩＬおよび投影系ＰＬには、示したものより多数の要素が存在していてもよい。

リソグラフィ装置１は、実質的に投影系ＰＬの中間焦点２３に配置された放射線減衰器２５を含む。図２では、放射線減衰器２５は、中間焦点２３またはその近傍に位置している。投影系ＰＬは複数の中間焦点を有することが可能であり、放射線減衰器２５は代替的に投影系ＰＬの他の中間焦点に位置していてもよいことを理解すべきである。放射線減衰器２５は、パターンが形成されたビーム１７を減衰させるように構成される。減衰は、例えば放射線の吸収または方向変換によって実施することができる。パターンビーム１７を減衰させることにより、基板Ｗ上でのパターンビーム１７の強度および分布を制御することが可能になる。減衰はビームの０パーセントから１００パーセントまで変化させることができる。１００パーセントの減衰の場合、ビームは完全に遮られる。

可変開口システム３０が中間焦点２３またはその近傍に位置していてもよい。システム３０はマスキング・ブレードを含む。図３は、パターンが形成されたビーム１７の一部をマスクするように構成された２つのマスキング・ブレード３１、３２を含む、マスキング・ブレード・システムの一実施例を示している。パターンが形成されたビーム１７の一部をマスクすることにより、基板Ｗではダイの露光領域３６のみが照明される。露光領域３６を調整するために、マスキング・ブレード３１、３２をＸ方向に移動させることができる。図３に示すように、レチクル３８が照明された場合、パターンが形成されたビーム１７はそれぞれ直線４１、４２の間のパターン情報を含むようになる。実際には、バナナのような形をしたパターンビーム１７は、直線４１、４２を超えている。これは、フィールド外の領域５１、５２も放射線を受けることを意味している。本発明の一実施例によれば、フィールド外の領域５１および／または５２が、パターンビーム１７の強度を測定する強度モニタ・センサ６１を配置するために使用される。強度モニタ・センサ６１は、例えばダイオード・センサとすることができる。強度モニタ・センサ６１をフィールド外の領域５１または５２に配置することにより、基板Ｗ上でのパターンビーム１７の強度に影響を及ぼすことなく、パターンビーム１７の強度を測定することが可能になる。強度モニタ・センサ６１を、レチクルと可変開口システムの間の、図３に示したＸ方向およびＹ方向に垂直なＺ方向に配置することもできる。このようにすると、可変開口システム２５がパターンビームの測定に影響を及ぼさず、有利である。上述の実施例では、Ｙ方向に露光領域３６を制限するためにマスキング・ブレードを追加できることに留意すべきである。例えば、Ｘ方向とＹ方向のマスキング・ブレードを物理的に分け、Ｙ方向のブレードが照明系内のレチクルの近くに、Ｘ方向のブレードが投影系の中間焦点にあるようにすると有利になる可能性がある。

放射線減衰器は、中間焦点２３またはその近傍に配置された均一性補正装置を含むことができる。均一性補正装置は、パターンが形成されたビームの強度の均一性を補正するように構成される。図４は、パターンビーム１７の一部を遮るためのブレード７０を含む、均一性補正装置６８の一実施例を示している。中間焦点２３におけるバナナ状のパターンが形成されたビーム１７の外形（ｃｏｎｔｏｕｒ）７２を図４に示す。均一性補正装置６８のブレード７０は、特定位置でのパターンビームの透過率を動的に変化させるように、駆動ユニット（図示せず）によって動的に調整することができる。駆動ユニットは、ブレード７０を図３に示したＹ方向に移動させるように構成される。何らかの理由により、あるＸ位置での強度が高くなった場合、そのＸ位置に位置する特定のブレード７０をさらに右へ、すなわちＹ方向に移動させる。このようにして、基板に到達するパターンビーム１７の強度の均一性が補正される。

放射線減衰器自体を、パターンビームの強度を測定するように構成してもよい。図５は、ある要素、例えば均一性補正装置のブレード７０の抵抗を測定するように構成された電気回路の一実施例を示している。この要素は、パターンビーム１７が放射線減衰器に入射すると、要素の電気的特性、すなわち抵抗が変化するように構成される。例えば要素の抵抗を測定することにより、パターンビーム１７の強度が間接的に測定される。図５には、流速計９３および電圧源９４が示してある。当業者には理解されるように、他の電気的構成も可能である。放射線減衰器２５が薄層やワイヤなど複数の要素を備えている場合、それぞれの要素の電気的特性を測定してもよい。このようにして、放射線ビームの空間的な強度分布を決定することが可能になる。

ここまで本発明の特定の実施例について説明してきたが、本発明は記載したものとは別の方法で実施することが可能であることが理解されよう。上記説明は本発明を限定するものではない。

本発明によるリソグラフィ装置を示す図である。 本発明によるリソグラフィ投影装置のＥＵＶ照明系および投影光学系の側面図である。 マスキング・ブレード・システム、並びに露光領域およびレチクルの概略図である。 中間焦点で投影ビームの一部を遮る均一性補正システムの上面図である。 放射線減衰器の要素のインピーダンスを測定するように構成された回路を示す図である。

符号の説明

Ｃ ターゲット部分
ＩＦ１、ＩＦ２ 位置センサ
ＩＬ 照明系、照明器
ＭＡ パターン形成構造、マスク
ＭＴ 支持構造、オブジェクト・テーブル、マスク・テーブル
Ｍ１、Ｍ２ マスク・アライメント・マーク
ＰＢ 投影ビーム
ＰＬ 投影系、レンズ
ＰＭ、ＰＷ 位置決め装置
Ｐ１、Ｐ２ 基板アライメント・マーク
ＳＯ 放射線源
Ｗ 基板
ＷＴ 基板テーブル、オブジェクト・テーブル
１ リソグラフィ装置
２ 放射線システム
３ 放射線ユニット
１１、１２、１３、１４、１８、１９ 反射要素
１７ パターンビーム
２１、２３ 中間焦点
２５ 放射線減衰器
３１、３２ マスキング・ブレード
３６ 露光領域
３８ レチクル
５１、５２ フィールド外の領域
６１ 強度モニタ・センサ
６８ 均一性補正装置
７０ ブレード
９３ 流速計
９４ 電圧源

Claims (20)

1. 放射線の投影ビームを提供するように構成された照明系と、
   パターン形成構造を支持するように構成された支持構造であって、前記パターン形成構造は前記投影ビームの断面にパターンを形成するように構成されている支持構造と、
   基板を保持するように構成された基板テーブルと、
   前記パターンビームを前記基板のターゲット部分の上に投影するように構成された、中間焦点を有する投影系と
   を有するリソグラフィ装置であって、
   前記パターンビームを減衰させるように構成された少なくとも１つの放射線減衰器、
   前記パターンビームの少なくとも一部を通過させるように構成された少なくとも１つの可変開口システム、および
   前記パターンビームの強度を測定するように構成された少なくとも１つの放射線測定システム
   のうちの少なくとも１つを、前記中間焦点またはその近傍に有することを特徴とするリソグラフィ装置。
2. 前記少なくとも１つの可変開口システムが、前記パターンビームの一部をマスクするように構成された少なくとも２つのマスキング・ブレードを有している請求項１に記載のリソグラフィ装置。
3. 前記少なくとも１つの放射線減衰器が、前記パターンビームの一部を遮るように構成された複数のブレードを備えた均一性補正装置を有し、該均一性補正装置が、基板上における前記パターンビームの強度の均一性を高めるように構成されている請求項１に記載のリソグラフィ装置。
4. 前記均一性補正装置が、特定位置における前記パターンビームの放射線透過率を動的に調整するように構成されている請求項３に記載のリソグラフィ装置。
5. 前記放射線測定システムが強度モニタ・センサを有する請求項１に記載のリソグラフィ装置。
6. 前記強度モニタ・センサがダイオード・センサを有する請求項５に記載のリソグラフィ装置。
7. 前記少なくとも１つの放射線減衰器が、前記パターンビームの強度を測定するように構成されている請求項１に記載のリソグラフィ装置。
8. 前記パターンビームの強度を決定するために、前記少なくとも１つの放射線減衰器の要素の電気的特性を測定するように構成された電気回路をさらに有している請求項７に記載のリソグラフィ装置。
9. 放射線の投影ビームが５〜２０ｎｍの範囲の波長を有する請求項１に記載のリソグラフィ装置。
10. リソグラフィ装置のための、中間焦点を有する投影系において、
    パターンビームを減衰させるように構成された少なくとも１つの放射線減衰器、
    パターンビームの少なくとも一部を通過させるように構成された少なくとも１つの可変開口システム、および
    パターンビームの強度を測定するように構成された少なくとも１つの放射線測定システム
    のうちの少なくとも１つを、前記中間焦点またはその近傍に有することを特徴とする投影系。
11. デバイス製造方法であって、
    投影系を用いて、放射線のパターンビームを基板のターゲット部分の上に投影するステップと、
    前記投影系の中間焦点またはその近傍で、前記パターンビームを減衰させるステップと、
    前記投影系の中間焦点またはその近傍で、前記パターンビームの少なくとも一部を通過させるステップと、
    前記投影系の中間焦点またはその近傍で、前記パターンビームの強度を測定するステップと
    を含むデバイス製造方法。
12. 請求項１１にしたがって製造されるデバイス。
13. 放射線の投影ビームを提供する手段と、
    前記投影ビームの断面にパターンを形成するためのパターン形成手段を支持する手段と、
    基板を保持する手段と、
    前記パターンビームを前記基板のターゲット部分の上に投影する手段であって、中間焦点を有する手段と
    を有するリソグラフィ装置であって、
    前記パターンビームを減衰させる手段、
    前記パターンビームの少なくとも一部を通過させる手段、および
    前記パターンビームの強度を測定する手段
    のうちの少なくとも１つを、前記中間焦点またはその近傍に有することを特徴とするリソグラフィ装置。
14. 前記減衰手段が、前記パターンビームの一部をマスクするように構成された少なくとも２つのマスキング・ブレードを有している請求項１３に記載のリソグラフィ装置。
15. 前記減衰手段が、基板上における前記パターンビームの強度の均一性を高める手段を有している請求項１３に記載のリソグラフィ装置。
16. 前記均一性を高める手段が、前記パターンビームの一部を遮るように構成された複数のブレードを有している請求項１５に記載のリソグラフィ装置。
17. 前記均一性を高める手段は、特定位置における前記パターンビームの放射線透過率を動的に調整する請求項１５に記載のリソグラフィ装置。
18. 前記測定手段が強度モニタ・センサを有している請求項１３に記載のリソグラフィ装置。
19. 前記強度モニタ・センサがダイオード・センサを有している請求項１８に記載のリソグラフィ装置。
20. 前記減衰手段が、前記パターンビームの強度を決定するために、前記減衰手段の要素の電気的特性を測定するように構成された電気回路を有している請求項１３に記載のリソグラフィ装置。

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