JPH10340854A - 可変スリット装置および線幅の可変方法 - Google Patents

可変スリット装置および線幅の可変方法

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JPH10340854A JP10086490A JP8649098A JPH10340854A JP H10340854 A JPH10340854 A JP H10340854A JP 10086490 A JP10086490 A JP 10086490A JP 8649098 A JP8649098 A JP 8649098A JP H10340854 A JPH10340854 A JP H10340854A
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 リソグラフィーにおける矩形照明フィールド
の均一性を向上させる。 【解決手段】 矩形照明フィールドないしスリットを調
節してスキャニングリソグラフィーにおける照明フィー
ルドの均一性を高める装置において、複数のブレードが
結合されて照明フィールドの長さ方向に可動なエッジが
形成され、該ブレードはピボットピンにより固定又は可
撓性のリンクに結合される。該リンクはピボットピンに
よりプッシュロッドに接続され、該プッシュロッドを独
立して調節することによりブレードが制御可能に矩形照
明フィールド内に出し入れされる。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は概して半導体デバイ
ス製造において使用されるリソグラフィー用レチクルの
照明に関し、より詳細には照明フィールドを調整して均
一又は所望の露光を得、かつ線幅の変動を低減すること
に関する。
【0002】
【従来の技術】半導体製造プロセスにおいて、典型的に
はリソグラフィー又はフォトリソグラフィーにより光が
レチクルに投射され、感光性レジストの塗布されたシリ
コンウェーハの特定の領域が露光されることにより、回
路素子が描かれる。例えば照明システムは、SVGリソ
グラフィーシステムズ社によりMICRASCANの商
標で販売されているステップアンドリピートフォトリソ
グラフィー装置において使用される。このフォトリソグ
ラフィー装置では、レチクルとウェーハは異なる速度で
移動し、この異なる速度の比率は投影レンズの倍率に等
しい。照明装置により画定される矩形又はスリット状の
フィールドがレチクル上およびウェーハ上でスキャンさ
れる。垂直フィールド画定器により垂直フィールド高さ
が規定され、水平規定ブレードにより水平フィールド幅
が規定される。露光フィールドは出来るだけ均一である
のが望ましい。照明レベルはスキャン方向におけるウェ
ーハ上の照明の積分である。照明の均一性が十分でない
ことがしばしば起こる。矩形露光フィールドの上から下
へと長手方向にわたって均一な露光すなわち一定レベル
の照明を得るために、可調節スリットが多くの場合必要
となる。照明ビームと直交する一連のネイル又は突起物
を使用した可調節スリットが公知である。この公知の手
段では、個々のネイル又は突起物を照明ビーム内に押し
入れることにより照明レベルないしエネルギーの均一性
が高められる。また、照明ビームに対してある角度で配
設された金属帯をロッドにより曲げるないし反らせるこ
とにより、照明レベルないしエネルギーが調整され、よ
り均一にされる。可撓性部材ないし可調節スリットの一
例がLiuらに対する米国特許第4516852号「光
源内の強度変動を測定する装置および方法」に記載され
ている。該米国特許に記載の円弧状スリットは可変形バ
ンドで調節できる。これら公知の可調節スリット装置は
照明フィールドの均一性を高めるために有用であった
が、半導体デバイスの加工寸法微細化および歩留まり向
上の要求が一層高まるにつれ、より均一性の高い照明フ
ィールドが必要とされている。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】本発明の課題は矩形照
明フィールドの均一性を高めることである。
【0004】本発明の別の課題は、矩形照明フィールド
の長手方向において一定の照明光束を得ることである。
【0005】
【課題を解決するための手段】上記の課題は以下の構成
を有する装置および方法により解決される。すなわち本
発明の装置によれば、矩形照明フィールド又はスリット
を調整することにより、スキャニングリソグラフィーで
使用される照明フィールドが均一化される。複数のブレ
ードを結合することにより矩形照明フィールドの長手方
向に沿って移動可能なエッジが形成される。それぞれの
ブレードの端部はピボットピンによりリンクに取り付け
られている。リンクは別のピボットピンによりプッシュ
ロッドに取り付けられている。リンクは固定リンク、可
撓リンクのいずれでも良い。プッシュロッドは独立して
調節可能であり、ブレードを矩形照明フィールドに対し
て出し入れ制御できる。各ブレードのエッジの隅は、ピ
ボットピンからブレードエッジ間の距離に等しいアール
が付けられている。本発明の方法によれば、転写しよう
とするパターン形状の線幅に応じて照明フィールドの長
手方向にわたって所定の露光量が得られる。
【0006】本発明によれば矩形照明フィールドをスム
ースに連続的に調節することが可能となる。
【0007】本発明によれば矩形照明フィールドの調節
を容易に行うことができる。
【0008】本発明によれば、線幅対露光量比を一定に
保つことによりシステム性能が改善される。
【0009】
【発明の実施の形態】図1には、図示しない照明装置に
より形成された照明プロファイル10が示されている。
該照明装置はレチクルの照明用であれば何でもよく、例
えば米国特許出願第08/449301号「フォトリソ
グラフィー用ハイブリッド照明装置」明細書に記載され
た照明装置が使用可能である。矩形照明フィールドない
しスリット12が形成される。照明フィールド12はY
軸方向に長さを、X軸方向に幅を有する。波形14は矩
形照明フィールド12の幅すなわちX方向に沿った強度
分布を示す。照明プロファイル10は場合により不均一
部分を有し、波形16により不均一部分が表されてい
る。この不均一部分により、ウェーハ等感光性レジスト
で覆われた基板の露光が不均一となると、品質が低下し
たり歩留まりが悪化する。本発明はおおまかに可調節ス
リット装置20として図示されている。可調節スリット
装置20は複数の可調節ブレードを有し、該ブレードは
選択的に、矩形照明フィールドないしスリット12の長
さ方向に沿って照明プロファイル10に挿入される。こ
うして矩形照明フィールドの照明エネルギないし光束を
調整することにより、矩形照明フィールドの長さ方向に
沿った照明エネルギないし光束が補正され均一性が高め
られる。よって、矩形照明フィールド12をX方向に矢
印18で示すようにスキャンする際、所望の均一性の高
い露光が得られる。
【0010】図2には本発明により得られる、均一性の
改善された照明エネルギないし光束が示されている。図
2の波形22はY軸すなわち長手方向において、図1の
矩形照明フィールドの幅方向に沿った補正前の照明エネ
ルギないし光束の合計すなわち積分を示している。波形
22の一部26は、図1に示された不均一部分16の結
果生じた照明エネルギないし光束の低下を表す。他方、
波形24は、図1の可調節スリット装置20のブレード
を選択的に照明プロファイル10に挿入した結果得られ
た、より均一な照明エネルギないし光束を表している。
これにより、図1の矩形照明フィールドないしスリット
12のY方向すなわち長さ方向に沿ったエネルギレベル
ないし光束がより一定すなわち均一になっているのが分
かる。このため、感光性レジストで覆われた基板をより
均一に露光することが可能となる。
【0011】図3には本発明の1実施例が示されてい
る。フレーム28は上部支持体30と下部支持体32を
有する。上部支持体30は上部孔36を内部に有する。
下部支持体32は内部に下部孔38を有する。それぞれ
の孔36、38内にはプッシュロッド34が配設されて
いる。孔36と38は、内部でプッシュロッド34を摺
動可能な直径を有する。個々のプッシュロッド34の一
端はねじ切りされ、フレーム28のフレーム孔40内を
貫通する。下部支持体32とフレーム28の一部間には
ナット39が配置され、該ナットはプッシュロッド34
のネジ切り部35に螺装されている。プッシュロッド3
4の他端はリンクピボットピン42により結合リンク4
4に取り付けられている。結合リンク44の他端はブレ
ードピボットピン46によりブレード48の一端に取り
付けられている。よって、終端のブレード50以外は、
ブレード48それぞれの一端にプッシュロッド44が1
つ結合されている。終端ブレード50は一端がプッシュ
ロッド44に結合され、他端は終端ピボットピン51に
よりフレーム28に結合されている。終端ブレード50
には内部にスロット53を設けることができる。ブレー
ド48は概して矩形であるが、2隅にアールが付けられ
ている。このアールは実質的にピボットピン46とブレ
ード48のエッジ間の距離に等しい。延長支持体52は
フレーム28の側面に沿って摺動するように取り付けら
れている。延長支持体52は図示しない固定支持体に取
り付けることもできる。セットねじ54は摺動延長支持
体52を固定するのに使用される。延長支持体52は、
ブレード48の列を含むフレーム28全体を一斉に、す
なわち全て同時に移動ないし持ち上げるために使用され
る。これにより、ブレード48を個別に移動することな
くブレード48の列を所定の位置に上げたり下げたりで
きる。これは最初の位置合わせ時や、大きな調節量が必
要な場合にブレードを素早く移動させるために行われ
る。
【0012】図4には可調整スリット装置の一部がより
詳細に図示されており、いくつかのブレード48とその
動きが示されている。ブレード48の隅のアール56に
より、隣接するブレード48間の移行部がスムーズに形
成されている。2つのブレード48の交差部58には鋸
歯状の形が形成され得る。さらに、個々のブレード48
の一端にはスロット60を設けることもできる。スロッ
ト60はブレードピボットピン46の1つおきに配設す
ることもでる。
【0013】装置の動作を図3及び図4を参照して説明
する。照明エネルギの制御はプッシュロッド34を動か
して、ブレード48を選択的に照明エネルギないし光束
内に動かすことにより行われる。プッシュロッド34は
ナット39を回転させることにより各々独立して調節で
きる。プッシュロッド34を上部および下部支持体3
0、32内で上又は下に移動することにより、個々のブ
レードが動かされる。ブレード48にとりつけられたリ
ンク44により、横方向の柔軟性が得られる。この柔軟
性は、複数のブレード48が直線を崩すように動かされ
た際に、プッシュロッド34間の間隔が変化するため必
要となる。この横方向移動柔軟性が無いと、プッシュロ
ッド34又はブレード48に不必要な応力ないし歪みが
加わってしまう。ブレード48内のスロット60により
さらに、ブレード48の移動による応力ないし歪みが低
減される。スロット53は終端部50にも設けることが
できる。また、ピボットピン42の代わりに可撓性部材
でリンク44を取り付けることにより柔軟性を得ること
もできる。また、固定リンク44の代わりに可撓性部材
を利用して横方法柔軟性を得ることもできる。摩擦力だ
けではしっかりとブレード48を定位置に留めることが
出来ない場合は、一連のブレードの一端にばねを設け
て、所定の張力ないしバイアスをブレード48にかける
こともできる。
【0014】上記の説明ではプッシュロッド34はねじ
切り部分とナットにより移動されたが、その他の手段又
は装置、例えば当業者には周知の機械的又は電気機械的
手段等によりプッシュロッド34を移動させることも可
能である。また、上記以外のねじ式のプッシュロッド
も、本発明の実施におけるブレード48の移動のために
容易に適用することができる。可調整スリット装置の精
細度は用いるブレード48の数のみに依存するが、わず
か約15個のブレード48を用いて十分な効果が得ら
る。
【0015】図5(1)と(2)は本発明の別の実施例
の部分断面図である。図5の(1)と(2)は、本発明
の実施において使用できるプッシュロッドの別の構造を
示している。ここで留意すべきことは、図5(1)、
(2)は図1および図3に示されたのと類似の多く又は
複数のブレードを有する多く又は複数のプッシュロッド
のうちの1つを示しているに過ぎない。図5(1)と
(2)では、ブレード148はブレードピボットピン1
46により互いに回動自在に結合されている。ピボット
ピン146はプッシュロッドねじ切り延長部137を貫
通する。プッシュロッド延長部137は二又になってお
り、該二又部にブレード148が挿入される。プッシュ
ロッド延長部137は軸方向孔と雌ねじ139を内部に
有する。プッシュロッド134表面には雄ねじ135が
切られている。プッシュロッド134はまた小径部13
1を有し、該小径部には支持体130が配設される。小
径部131はプッシュロッド134が軸方向に移動する
ことを防止する。プッシュロッド130の下半分を囲う
ように螺旋スプリング162が配設されている。螺旋ス
プリング162は一端が支持体130により、他端はプ
ッシュロッド134に取り付けられたばね止め164に
より制限される。プッシュロッド134の一端にはノブ
166を設けることもできる。プッシュロッドねじ付き
延長部137の軸方向孔141の内部には可撓性リンク
144が少なくとも1つ配設されている。可撓性リンク
144はプッシュロッド延長部137にピン146によ
り取り付けられ、該ピンはブレード148内のスロット
160を貫通している。スロット160はブレード14
8内に設けられた長形の孔である。すべてのブレード1
48にこの長形孔すなわちスロット160を設ける必要
はない。可撓性リンク144の他端はピン142により
プッシュロッドねじ切り延長部137に取り付けられて
いる。可撓性リンク144がもたらす柔軟性結合により
ブレード148の横方向の移動が可能になる。このよう
に、ブレード148は、プッシュロッド134に螺合さ
れたプッシュロッドねじ切り延長部137に可撓的に結
合されている。図5(2)は、図5(1)から約90度
回転されたプッシュロッドねじ切り延長部137の部分
断面図である。図5(2)では、可撓性リンク144が
より明確に示されている。この図では可撓性リンクが2
個あり、ブレード148のそれぞれの面に1つ配設され
ている。ただし、実施の態様によっては2個が好適な場
合もあるが、1つでも十分である。可撓性リンク144
の断面を矩形として、ブレード列の横方向移動は可能で
あるが、ブレード列の面から逸脱する動きは可撓性リン
ク144ののより大きい矩形断面長さにより制限される
よう構成することもできる。
【0016】図5(1)と(2)に示された実施例の動
作は以下の通りである。ノブ166を回すとプッシュロ
ッド134が矢印168で示すようにいずれかの方向に
回転し、プッシュロッドねじ込み延長部137が矢印1
70で示すように上又は下に移動する。つまり、ブレー
ド148の端部が上下に動く。したがって、ブレード1
48は図1において概して参照番号10で示された照明
内に出し入れされる。ばね162により雄ねじ135と
雌ねじ139にはわずかに張力が加えられるため、遊び
が無くなると同時に不要な回転が防止される。複数のブ
レード148が結合されたシステムにおいてプッシュロ
ッドを複数使用すると、プッシュロッド134の上下移
動によりブレード148が上下し、ブレード148を結
合しているピン146に横方向の力が加わる。この横方
向応力のほとんどは可撓性リンク144の水平移動によ
り補償される。したがって、図5(1)と(2)に示し
た実施例は図3と4の実施例と類似しているが、図3と
4の固定リンク44の代わりに可撓性リンク144が使
用されている点で異なる。図3、4のリンク44と、図
5(1)、(2)の可撓性リンク144は、いずれもブ
レード48、148をプッシュロッド34、134に結
合して同様の機能、即ち図1の照明内に複数のブレード
48、148を出し入れする際の水平移動をもたらすと
いう機能を果たすリンクである。
【0017】図6は本発明の組立済みすなわちリソグラ
フィー装置内に搭載可能な状態を示す斜視図である。フ
レーム228はマウント274に取り付けられている。
複数(本実施例では15本)のプッシュロッド234が
フレーム228により所定位置に固定されている。複数
のプッシュロッド234の一端には複数のプッシュロッ
ドねじ込み延長部237が螺合している。プッシュロッ
ド延長部234はそれぞれブレードピボットピン246
により2枚のブレード248に結合されている。ブレー
ドピボットピン246によりまた、図示しないリンクの
一端がプッシュロッドねじ込み延長部237とブレード
248に結合する。このリンクは固定リンクでも可撓性
部材による可撓性リンクでも良い。リンクピボットピン
248は該図示しないリンクの他端をプッシュロッドね
じ込み延長部材246に取り付ける。その構造は図5
(1)と(2)に示したのと非常に似ている。結合され
たブレード248の列端はそれぞれ延長支持体252に
取り付けられている。延長支持体252はフレーム22
8内で摺動可能で、固定ネジ254により所定の位置に
固定される。延長支持体252により、結合されたブレ
ード248の列をまとめて同時に持ち上げることができ
る。これにより、結合されたブレード248の列の初期
位置合わせが可能となる。それぞれのプッシュロッド3
4にはスプリング262が配設される。プッシュロッド
234の他端にはノブ266が設けられる。ノブ266
はプッシュロッド234を個別に回転させて個々のブレ
ード248を上下、すなわち矩形照明フィールド(図示
しない)内に出し入れするために使用される。固定シー
ルド272はブレード248の列の近くに配設される。
【0018】実施の態様によっては感光性レジストの塗
布された基板ないしウェーハに対し、所定の不均一な露
光を行うことが望まれる場合がある。これば例えば、感
光性レジストで覆われた基板に転写する形状の線幅が単
一でない場合である。このような異なる線幅は照明フィ
ールドの長手方向に沿った様々な場所にあるかもしれな
い。通常は矩形照明フィールドの長手方向にわたる均一
性を一定にすることが望ましい。しかし、様々な線幅を
転写する必要がある場合には、露光量を線幅の関数とし
て変化させることが有利である。一定の線幅対露光量比
を維持することにより、転写及びシステム能力を向上さ
せることができる。つまり、線幅が比較的大きい時には
照明フィールド内の対応する長手方向位置における露光
量を増大し、線幅が比較的小さい時には照明フィールド
内の対応する長手方向位置において露光量を減少させる
のである。選択ないし補正された露光量は、例えば線が
垂直または水平に方向付けられているといった形状の方
向付けとは無関係である。照明フィールドの長手方向に
沿っての露光量の増大ないし減少は本発明の装置により
容易に達成できる。シミュレーションの結果、このよう
な方法はシステムの線形応答範囲において形状寸法及び
種類に依存しないことが分かっている。さらに、グルー
プ形状と個別形状間のバイアスも影響されない。
【0019】図7のブロック図は本発明の方法を示して
いる。ブロック310は複数の結合されたプッシュロッ
ドを照明フィールドに挿入するステップである。結合さ
れたプッシュロッドは図3ないし6に示された構成を有
することができる。ブロック312は転写形状の線幅の
関数として所望の露光量を決定するステップである。所
望の露光量は周知の技術により計算でき、その際レジス
トタイプ、基板材料、照明エネルギ、照明波長スキャニ
ング速度等を考慮することができる。この計算はコンピ
ュータ、又は線幅の関数としての露光量のルックアップ
テーブルから得ることもできる。或いは又、所望の露光
量は、実際の実験結果すなわち一連のテスト露光により
得ることもできる。ブロック314は個別の結合プッシ
ュロッドを調整して所定の電磁放射光量を阻止するため
のステップである。これにより照明フィールドの長手方
向に沿った所定の位置において所定の露光量を得ること
ができる。ブロック318は基板上で照明フィールドを
スキャニングすることにより感光性レジストで覆われた
基板を露光するステップである。本発明の方法の実施に
おいて、照明フィールドの長手方向に沿って露光量が、
レチクル上の対応場所でのパターン線幅の関数として調
節される。レチクル上の線幅の変化に従って、照明フィ
ールド沿いの対応する位置が調節されて、所望すなわち
最適化された露光量が得られる。この露光量調節は、結
合されたプッシュロッドに取り付けたモータにより自動
的に行うよう構成してもよい。照明フィールドの露光量
調節は使用するレチクル毎に行うが、その調節は容易で
ある。
【0020】本発明の別の実施例では、様々な形状のパ
ターンを個別に転写することにより、感光性レジストす
なわちフォトレジストの塗布されたウェーハ等の感光性
基板上における像形成が最適化される。図8の(1)と
(2)には様々なタイプの形状を有したレチクルが示さ
れている。図示の垂直レチクル410は垂直形状タイプ
412を有している。水平レチクル412は水平形状タ
イプ416を有する。垂直レチクル410上に示されて
いる垂直形状タイプ412は例示のため単純化されてい
る。実際には垂直レチクル410は、感光性基板すなわ
ちフォトレジストの塗布された基板に転写するための多
数の素子から構成されていることに注意されたい。ただ
し、垂直レチクル412がその上部に有する形状タイプ
は大多数が、垂直に方向付けられた線等の垂直形状タイ
プである。同様に、図8(2)には水平形状タイプ41
6を有した水平レチクル414が示されている。垂直レ
チクル410と同様、水平レチクル414が上部に有す
る形状タイプは比較的多数の水平形状タイプ416、す
なわち主として水平方向に方向付けされた線であり、垂
直形状タイプ412は水平形状タイプ416に直交して
いる。水平および垂直という用語はここでは相対的に用
いられており、単に利便性のためである。形状タイプの
水平及び垂直方向性は図9の(1)と(2)に示したよ
うに、レチクルに対して回転させることができる。図9
(1)では、第1レチクル418は上部に第1形状タイ
プ420を有している。図9(2)では、第2レチクル
422が上部に第2形状タイプ424を有している。第
1と第2形状タイプ420、424はレチクルの方向に
対して異なった角度で配置することもできるが、互いに
直交させるのが望ましい。
【0021】図10にはリソグラフィー技術により製造
された半導体デバイスの一部の断面図が示されている。
基板426の上には第1の線428と第2の線430が
配設されている。図10には一層しか示されてないが、
典型的には製造される半導体デバイスの種類に応じて様
々な層が付加される。第1線428は水平幅Wと隣接す
る線間の間隔を有する。ただし、線幅という用語は隣接
する線428、430間の間隔を指す場合もある。
【0022】図11は、図10の基板426上に形成さ
れた第1線428の平面図である。第1線428は第1
エッジ432と第2エッジ434を有する。エッジ43
2と434は直線として線幅を均一にするのが一般的に
は望ましい。既存の技術では20ナノメートル程度の微
細な線幅の場合、均一な線幅、よって真っ直ぐなエッジ
を得るのが非常に難しい。従って、線の途中の幅が図示
の幅W’のように狭くなったり、幅W”のように広くな
ったりすることがある。本発明の本実施例によれば、形
状タイプに関わらず線幅の変動が低減される。
【0023】図12は本発明による照明フィールド、従
って露光を調節することにより様々な選択された形状タ
イプが使用された線幅をより均一にするための実施例を
ブロック図で表したものである。ブロック436は例え
ば垂直又は水平方向性の形状等、最適化する形状タイプ
を1つ選択するステップである。ブロック438は最適
化するために選択された形状タイプのレチクルを使用す
るステップである。ブロック448は、照明フィールド
を調節して露光を最適化し、変動の少ない、より均一な
線幅を得るためのステップである。照明フィールドを調
節するステップは本発明の可調節スリットを使用して行
うのが好適である。例えば、線幅が比較的狭い場合、可
調節スリットを線幅の狭い部分の場所において照明フィ
ールドに挿入することにより電磁放射照明を阻止し、露
光を低減して、処理後に得られる線幅を増大させる。線
幅が比較的広い場合、可調節スリットを調節して該線幅
の広い部分における電磁放射光を増大することにより露
光量を増やし、該幅広部分の線幅を低減する。ブロック
442は調節された照明フィールドから得られる露光量
で感光性基板を露光するステップである。結果として、
線幅均一性が大幅に改善される。図12に示した方法は
所望の形状タイプの数だけ繰り返すが、直交した2つだ
けの選択形状タイプを選択するのが好適である。該2個
の選択された形状タイプは好適には垂直および水平方向
性で互いに直交しているのが好ましいが、どのような角
度方向性を有していても構わない。本発明の実施によ
り、20ナノメートル程度の線幅の微小素子ないし形状
を、線幅の50%にもわたって調節できる。
【0024】本発明は特に遠紫外線ステップアンドスキ
ャン式リソグラフィーシステムに好適である。スキャニ
ングシステムにおいては、様々な変数や要素によりリソ
グラフィー装置が特有のシグナチュアを有するようにな
ることがある。このシグナチュアにより、線幅の転写な
いしプリントが変動することがある。本発明は照明フィ
ールド又はスロットを調節してリソグラフィー装置のシ
グナチュアを補償するが、線幅を最適化するためには異
なる形状タイプに応じて様々な調節が必要である。照明
フィールドないしスロットに沿った位置の関数としての
線幅変動は様々な形状タイプ方向性に依存して変化す
る。つまり、形状の方向性に依存して焦点面シフトが異
なることを意味する。一般に、この差は同相焦点面シフ
トと異相焦点面シフトの組み合わせとして表される。同
相焦点面シフトでは、水平と垂直の両方の形状タイプが
共通に同様に影響すなわち調節される。異相モード焦点
面シフトでは水平と垂直それぞれの形状タイプが別個に
影響される。同相焦点面シフトは光学的フィールドアパ
ーチャ、レチクル/ステージ平面度及びその他の変数か
ら生じる。異相モード焦点面シフトは非点収差と水平垂
直バイアスから生ずる。様々な形状タイプを有する様々
なレチクルの使用により処理時間が増大することもある
が、そのような付加的な処理時間は、実際にはデバイス
の製造に必要な層全体のわずかな部分から成る臨界的に
重要な層のみに必要である。よって、処理時間の増大は
比較的小さく抑えられる。本発明の本実施例の方法を実
施する際には、線幅補正を要する形状タイプの1つ1つ
について、照明フィールド即ちスロットの長手方向に沿
った場所において線幅変動を測定する。これはまず最初
に測定値の取られたテストパターン等の公知の方法で行
うことができる。測定された線幅変動補正の必要量は、
それぞれの形状タイプ用の必要露光量プロファイルに変
換される。この露光量プロファイルに基づいて、それぞ
れの形状タイプの線幅に必要とされる可調節スリットの
設定値が決定される。本発明のこの実施例の方法におい
ては、既述の可調節スリットかそれと同等ないし類似の
構造を利用して、照明フィールドすなわちスロットに沿
った照明エネルギを変化させることができる。多重露光
技術により感光性基板を複数回露光するが、その際露光
の度毎に、1つの形状タイプを有した異なるレチクルが
使用される。個々の露光中、照明フィールドが、それぞ
れの形状タイプ用に測定ないし計算された線幅変動補正
量に従って可調節スリットにより調節される。一般的に
は2個のレチクルが使用されて2回の異なる露光が行わ
れる。それぞれのレチクルが特定の形状タイプのみを有
し、水平および垂直バイアスが補正される。レチクルの
デザイン内に特別な線終端形状を挿入して、互いに異な
る方向性の形状を突き合わせる必要のある場所での良好
な綴じ合わせを得ることができる。
【0025】可調節スリットは異なる形状タイプを異な
るレチクルで露光する度毎に手動で交換することができ
る。可調節スリットはさらに、適当な周知のモータ、セ
ンサ、及び可調節スリットの様々な位置を設定するため
のソフトウェア操作により容易に自動化できる。よっ
て、可調節スリットを素早く正確に設定することがで
き、スリット並びに照明フィールドエネルギを調節する
ための時間を大幅に縮小できる。レチクル交換時間を低
減するために、水平と垂直の2種類の形状タイプを有す
るレチクルを1つの基板に配設することもできる。これ
は通常のレチクルでフィールドサイズを失うことなく可
能である。
【0026】したがって、本発明の本実施例によればス
キャニングリソグラフィー装置におけるシステム性能が
大幅に改善され、微細な形状寸法ないし線幅の製造制御
が可能となる。
【0027】また、本発明によれば、矩形照明フィール
ドないしスリットの調節が非常に容易になり、特にスキ
ャニングリソグラフィーシステムにおいて有用な均一性
の改善された照明が得られる。結合されたブレードの組
により滑らかな移行が得られるため、照明エネルギの調
節機能が大幅に向上し、その結果半導体ウェーハ等、感
光性レジストの塗布された基板の露光が均一化される。
さらに、本発明の実施例による照明フィールドの調節方
法によれば、比較的形状寸法の小さい素子の線幅の制御
が大幅に容易となる。
【図面の簡単な説明】
【図1】図1は、本発明矩形照明フィールドの照明プロ
ファイルと本発明の適用を示す図である。
【図2】図2は、照明エネルギを示す図である。
【図3】図3は、本発明の実施例を示す図である。
【図4】図4は、本発明によるブレードの移動を示す図
である。
【図5】図5は、本発明の実施例の一部の断面図であ
る。
【図6】図6は、本発明の斜視図である。
【図7】図7は、本発明の方法のステップを示すブロッ
ク図である。
【図8】図8は、垂直および水平形状を有するレチクル
の図である。
【図9】図9は、第1および第2の形状を有するレチク
ルの図である。
【図10】図10は、基板上にリソグラフィーにより形
成されたラインの断面図である。
【図11】図11は、リソグラフィーにより形成された
ラインの一部の平面図である。
【図12】図12は、本発明の別の実施例の方法ステッ
プを示すブロック図である。
【符号の説明】
10 照明プロファイル 12 矩形照明フィールドないしスリット 20 可調節スリット装置 28、228 フレーム 30、130 上部支持体 32 下部支持体 34、134、234 プッシュロッド 44 リンク 144 可撓性リンク 46、146、246 ピボットピン 48、148、248 ブレード 50 終端ブレード 52、252 延長支持体 60、160 スロット 166、266 ノブ

Claims (29)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 複数のブレードと、複数のプッシュロッ
    ドを具備した、リソグラフィー用照明フィールド内の照
    明エネルギを調節する装置において、 前記複数のブレードはそれぞれ端部において枢動自在に
    結合されており、 前記複数のプッシュロッドはそれぞれ前記複数のブレー
    ドの2個の結合された端部に接続されており、 前記複数のプッシュロッドを選択的に移動することによ
    り前記複数のブレードにより照明フィールドの照明エネ
    ルギが変化され、その結果照明フィールドには実質的に
    均一な照明エネルギが得られ、感光性レジストで覆われ
    た基板の露光が均一化されるよう構成された、リソグラ
    フィー用照明フィールド内の照明エネルギを調節する装
    置。
  2. 【請求項2】 前記複数のブレードのそれぞれと、前記
    複数のプッシュロッドのそれぞれとの間にリンクが配設
    されている、請求項1記載の装置。
  3. 【請求項3】 前記リンクが剛性リンクである、請求項
    2記載の装置。
  4. 【請求項4】 前記リンクが可撓性リンクである、請求
    項2記載の装置。
  5. 【請求項5】 前記複数のプッシュロッドが少なくとも
    8個のプッシュロッドで構成されており、該プッシュロ
    ッドは照明条件を満たすのに十分な数を含む、請求項1
    記載の装置。
  6. 【請求項6】 フレームと、該フレームに取り付けられ
    た延長支持体を具備し、 前記フレームにより前記複数のプッシュロッドが保持さ
    れ、 前記延長支持体はフレームの摺動を可能とし、該摺動に
    より複数のブレードを一度にまとめて移動させることが
    できるよう構成された、請求項1記載の装置。
  7. 【請求項7】 複数のブレードと、複数のリンクと、複
    数のプッシュロッドとを具備した、リソグラフィーで使
    用される照明フィールド内のエネルギを調節する装置に
    おいて、 前記複数のブレードのそれぞれは第1と第2の端部を有
    し、該第1と第2の端部において互いに枢動自在に結合
    されており、 前記複数のリンクはそれぞれ前記複数のブレードの2つ
    に取り付けられており、 前記複数のプッシュロッドのそれぞれは前記複数のリン
    クのそれぞれに接続されており、 前記複数のプッシュロッドが移動されると、前記複数の
    ブレードのそれぞれが移動して照明フィールド内の照明
    エネルギを調節するよう構成された、照明フィールド内
    の照明エネルギを調節する装置。
  8. 【請求項8】 前記複数のリンクが剛性リンクである、
    請求項7記載の装置。
  9. 【請求項9】 前記複数のリンクが可撓性リンクであ
    る、請求項7記載の装置。
  10. 【請求項10】 前記複数のプッシュロッドのそれぞれ
    の一端にねじが切られている、請求項7記載の装置。
  11. 【請求項11】 前記複数のブレードのそれぞれが、互
    いに枢動自在に結合されている一端においてスロットを
    有する、請求項1記載の装置。
  12. 【請求項12】 複数の実質的に矩形のブレードと、複
    数のプッシュロッドアセンブリとを具備した、リソグラ
    フィーで使用される矩形照明フィールド内の照明エネル
    ギを調節する装置において、 前記複数の矩形ブレードにより照明エネルギに隣接して
    配置されるエッジが形成され、 前記複数のプッシュロッドアセンブリは前記矩形ブレー
    ドに取り付けられ、それぞれプッシュロッド延長部材
    と、可撓性部材と、第1ピンと、第2ピンと、プッシュ
    ロッドを有し、 前記プッシュロッド延長部材は軸方向の孔を有し、 前記可撓性部材は前記プッシュロッド延長部の軸方向孔
    内に配設された第1と第2の端部を有しており、 前記第1ピンはプッシュロッド延長部内に延在して、複
    数のブレードの2枚と前記可撓性部材の第1端を枢動自
    在に結合し、 前記第2ピンはプッシュロッド延長部内に延在して、可
    撓性部材の第2端に取り付けられ、 前記プッシュロッドはプッシュロッド延長部にねじ込ま
    れており、 プッシュロッドを回転させて前記複数の実質的に矩形の
    ブレードの2枚を照明エネルギ内に所定の態様で出し入
    れすることにより、照明フィールドの照明エネルギが調
    節できるよう構成された、リソグラフィーで使用される
    矩形照明フィールド内の照明エネルギを調節する装置。
  13. 【請求項13】 前記プッシュロッドを保持する支持体
    を具備した、請求項12記載の装置。
  14. 【請求項14】 プッシュロッド上に配設されたばね止
    めと、前記支持体とばね止めの間に配設されたばねを具
    備した、請求項13記載の装置。
  15. 【請求項15】 前記プッシュロッドの一端にノブが設
    けられている、請求項14記載の装置。
  16. 【請求項16】 前記複数の実質的に矩形のブレードの
    それぞれの2隅にアールが付けられ、丸形エッジに形成
    されている、請求項12記載の装置。
  17. 【請求項17】 前記アールが、該丸形エッジと第1ピ
    ン間の距離に等しい、請求項16記載の装置。
  18. 【請求項18】 長形の照明フィールドを調節して所定
    の露光量の電磁放射光を感光性レジストで覆われた基板
    に照射するための方法であり、該方法は以下のステップ
    すなわちレチクルの長さに沿った複数の異なる線幅の場
    所と幅を決定し、 レチクルの長さに沿った対応する場所における複数の様
    々な線幅の関数として露光量を決定し、 対応する場所の照明フィールドを前記露光量に調節す
    る、ステップを有し、 複数の異なる線幅の場所と線幅の関数として所定露光量
    を得ることにより全体露光量が最適化され、システム性
    能を高めることのできる方法。
  19. 【請求項19】 所定の露光量の電磁放射光を得るため
    に照明フィールドを調節する方法において、以下のステ
    ップ結合された複数のプッシュロッドを照明フィールド
    内に挿入し、 照明フィールドの長手方向に沿った所望の露光量を、転
    写しようとする形状の線幅の関数として決定し、 前記複数の結合されたプッシュロッドを個々に調節して
    所定量の電磁放射光を阻止することにより、所定の露光
    量を照明フィールドの長手方向に沿って得、 照明フィールドを基板上でスキャンすることにより、感
    光性レジストで覆われた基板を露光するステップを有
    し、 形状の転写が改善されることによりシステム性能を向上
    することができる方法。
  20. 【請求項20】 照明フィールドが矩形である、請求項
    19記載の方法。
  21. 【請求項21】 前記複数の結合されたプッシュロッド
    のそれぞれを調節するステップにより、照明フィールド
    の長手方向に沿って実質的に一定の線幅対露光量比が得
    られる、請求項19記載の方法。
  22. 【請求項22】 フォトリソグラフィーで使用される像
    転写方法であり、以下のステップすなわち、 制御すべき形状タイプを選択し、 選択された形状タイプのパターンを有するレチクルを使
    用し、 感光性基板の露光が最適化されるよう、該選択された形
    状タイプに基づいて照明フィールドを調節し、 感光性基板をレチクルの像で露光するステップを有した
    ことにより、パターンの線幅変動が制御される、像転写
    方法。
  23. 【請求項23】 前記使用、調節、露光ステップを、別
    の選択された形状タイプで繰り返す、請求項22記載の
    方法。
  24. 【請求項24】 選択された形状タイプと、別の選択さ
    れた形状タイプが互いに直交する方向性を有している、
    請求項23記載の方法。
  25. 【請求項25】 選択された形状タイプと、別の選択さ
    れた形状タイプが、レチクルに対してそれぞれ水平及び
    垂直な方向性を有している、請求項24記載の方法。
  26. 【請求項26】 選択された形状タイプと、別の選択さ
    れた形状タイプが、レチクルに対して非対称の方向性を
    有している、請求項24記載の方法。
  27. 【請求項27】 選択された形状タイプと、別の選択さ
    れた形状タイプが、レチクルに対して45度の傾斜を有
    する、請求項26記載の方法。
  28. 【請求項28】 照明フィールドを調節するステップに
    おいて、電磁放射光の一部が照明フィールドの1つのエ
    ッジに沿って制御可能に阻止される、請求項22記載の
    方法。
  29. 【請求項29】 フォトリソグラフィーにおいて転写像
    の線幅を制御するための方法であり、以下のステップす
    なわち、 制御すべき第1の形状タイプを選択し、 主として第1形状タイプから構成された第1パターンを
    有した第1レチクルを使用し、 照明フィールドを調節して照明フィールドの様々な場所
    に照射される電磁放射光を制御し変化させ、第1レチク
    ルの第1パターンの第1形状タイプに基づいて、感光性
    基板に転写される際の線幅の変動を低減し、 感光性基板を第1レチクルの像で露光し、 制御すべき第2の形状タイプを選択し、該第2の形状タ
    イプは第1の形状タイプと直交する方向性を有し、 主として第2形状タイプから構成された第2パターンを
    有する第2レチクルを使用し、 照明フィールドを調節して照明フィールドの様々な場所
    に照射される電磁放射光を制御し変化させることによ
    り、感光性基板に転写する際の第2レチクルの第2パタ
    ーンの第2形状タイプに基づいて線幅変動を低減し、 感光性基板を第2レチクルの像で露光するステップを有
    し、 感光性基板上に再生された像の線幅変動が垂直および水
    平方向性の両面において低減される、フォトリソグラフ
    ィーにおいて転写像の線幅を制御するための方法。
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Cited By (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6741394B1 (en) 1998-03-12 2004-05-25 Nikon Corporation Optical integrator, illumination optical apparatus, exposure apparatus and observation apparatus
WO2005048326A1 (ja) * 2003-11-13 2005-05-26 Nikon Corporation 可変スリット装置、照明装置、露光装置、露光方法及びデバイスの製造方法
JP2005167232A (ja) * 2003-11-13 2005-06-23 Nikon Corp 可変スリット装置、照明装置、露光装置、及びデバイスの製造方法
JP2005183982A (ja) * 2003-12-18 2005-07-07 Asml Netherlands Bv リソグラフィ装置およびデバイス製造方法
JP2006134932A (ja) * 2004-11-02 2006-05-25 Nikon Corp 可変スリット装置、照明光学装置、露光装置、及び露光方法
US7064805B2 (en) 2003-12-09 2006-06-20 Canon Kabushiki Kaisha Exposure apparatus
KR100639715B1 (ko) * 1999-01-15 2006-10-27 에스브이지 리도그래피 시스템즈, 아이엔씨. 동적으로 조절가능한 고 분해능의 조절가능한 슬릿
US7477357B2 (en) 2006-12-19 2009-01-13 Canon Kabushiki Kaisha Exposure apparatus and device manufacturing method
KR100896316B1 (ko) 2006-05-17 2009-05-07 캐논 가부시끼가이샤 차광장치와 노광장치 및 마이크로디바이스 제조방법
JP2010123755A (ja) * 2008-11-19 2010-06-03 Canon Inc 露光装置及びデバイス製造方法
JP2011520271A (ja) * 2008-05-05 2011-07-14 カール・ツァイス・エスエムティー・ゲーエムベーハー マイクロリソグラフィ投影露光装置の物体平面に走査積分照明エネルギを設定するための構成要素
JP2016224375A (ja) * 2015-06-03 2016-12-28 キヤノン株式会社 露光装置及び物品の製造方法

Families Citing this family (29)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6628370B1 (en) * 1996-11-25 2003-09-30 Mccullough Andrew W. Illumination system with spatially controllable partial coherence compensating for line width variances in a photolithographic system
US6292255B1 (en) * 1997-03-31 2001-09-18 Svg Lithography Systems, Inc. Dose correction for along scan linewidth variation
JP4370608B2 (ja) * 1998-03-09 2009-11-25 株式会社ニコン 走査露光方法、走査型露光装置及びその製造方法、並びにデバイス製造方法
EP0952491A3 (en) * 1998-04-21 2001-05-09 Asm Lithography B.V. Lithography apparatus
US6404499B1 (en) * 1998-04-21 2002-06-11 Asml Netherlands B.V. Lithography apparatus with filters for optimizing uniformity of an image
JP3762102B2 (ja) * 1998-06-04 2006-04-05 キヤノン株式会社 走査型投影露光装置及びそれを用いたデバイスの製造方法
US6346979B1 (en) * 1999-03-17 2002-02-12 International Business Machines Corporation Process and apparatus to adjust exposure dose in lithography systems
JP2001044111A (ja) * 1999-07-29 2001-02-16 Nec Corp 走査型露光装置とその制御方法
DE10062579A1 (de) * 1999-12-15 2001-06-21 Nikon Corp Optischer Integrierer,optische Beleuchtungseinrichtung, Photolithographie-Belichtungseinrichtung,und Beobachtungseinrichtung
SG107560A1 (en) 2000-02-25 2004-12-29 Nikon Corp Exposure apparatus and exposure method capable of controlling illumination distribution
US6307619B1 (en) 2000-03-23 2001-10-23 Silicon Valley Group, Inc. Scanning framing blade apparatus
US6704090B2 (en) * 2000-05-11 2004-03-09 Nikon Corporation Exposure method and exposure apparatus
US6509952B1 (en) 2000-05-23 2003-01-21 Silicon Valley Group, Inc. Method and system for selective linewidth optimization during a lithographic process
US6888615B2 (en) * 2002-04-23 2005-05-03 Asml Holding N.V. System and method for improving linewidth control in a lithography device by varying the angular distribution of light in an illuminator as a function of field position
US6784976B2 (en) * 2002-04-23 2004-08-31 Asml Holding N.V. System and method for improving line width control in a lithography device using an illumination system having pre-numerical aperture control
US20060268251A1 (en) * 2003-07-16 2006-11-30 Markus Deguenther Illumination system for a microlithographic projection exposure apparatus
US7408616B2 (en) * 2003-09-26 2008-08-05 Carl Zeiss Smt Ag Microlithographic exposure method as well as a projection exposure system for carrying out the method
WO2005040927A2 (en) * 2003-10-18 2005-05-06 Carl Zeiss Smt Ag Device and method for illumination dose adjustments in microlithography
US20060087634A1 (en) * 2004-10-25 2006-04-27 Brown Jay M Dynamic illumination uniformity and shape control for lithography
US7362413B2 (en) * 2004-12-09 2008-04-22 Asml Netherlands B.V. Uniformity correction for lithographic apparatus
US7687211B2 (en) * 2005-04-08 2010-03-30 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. System and method for photolithography in semiconductor manufacturing
US20070139630A1 (en) * 2005-12-19 2007-06-21 Nikon Precision, Inc. Changeable Slit to Control Uniformity of Illumination
EP2161736B1 (en) * 2006-06-16 2018-07-18 Nikon Corporation Variable slit device, illumination device, exposure apparatus, exposure method, and device manufacturing method
US20080090396A1 (en) * 2006-10-06 2008-04-17 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light exposure apparatus and method for making semiconductor device formed using the same
US8081296B2 (en) * 2007-08-09 2011-12-20 Nikon Corporation Illumination optical apparatus, exposure apparatus, and device manufacturing method
WO2009022506A1 (ja) 2007-08-10 2009-02-19 Nikon Corporation 照明光学装置、露光装置、およびデバイス製造方法
US8467034B2 (en) * 2008-07-02 2013-06-18 Nikon Corporation Light shielding unit, variable slit apparatus, and exposure apparatus
NL2004770A (nl) * 2009-05-29 2010-11-30 Asml Holding Nv Lithographic apparatus and method for illumination uniformity correction and uniformity drift compensation.
CN107255210B (zh) * 2017-05-16 2019-02-26 西安电子科技大学 一种基于柔性Sarrus机构的恒力支撑机构

Family Cites Families (33)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4017162A (en) * 1973-08-13 1977-04-12 Varian Techtron Pty. Ltd. Adjustable slit mechanism
US4047808A (en) * 1975-08-13 1977-09-13 Varian Techtron Proprietary Limited Adjustable slit mechanism
US4516852A (en) * 1981-08-13 1985-05-14 The Perkin-Elmer Corp. Method and apparatus for measuring intensity variation in a light source
EP0072443B1 (en) * 1981-08-13 1986-06-04 The Perkin-Elmer Corporation Method and apparatus for measuring the illumination uniformity in a ring field projection system
JPS5883836A (ja) * 1981-11-13 1983-05-19 Hitachi Ltd 円弧状照明光形成スリツト
JPS5928337A (ja) * 1982-08-09 1984-02-15 Hitachi Ltd プロジエクシヨンアライナ
US4509290A (en) * 1983-03-18 1985-04-09 Stanfield Jr Alvin M Shutter construction
JPS59229534A (ja) * 1984-05-16 1984-12-24 Canon Inc スリツト露光シヤツタ−
JPS61104622A (ja) * 1984-10-29 1986-05-22 Nec Corp バリアブルアバ−チヤ−
JPS62193125A (ja) * 1986-02-19 1987-08-25 Canon Inc 露光むら補正装置
US4769667A (en) * 1986-07-04 1988-09-06 Fuji Photo Film Co., Ltd. Shutter control apparatus for a camera
US4890239A (en) * 1987-10-20 1989-12-26 Shipley Company, Inc. Lithographic process analysis and control system
NL8800738A (nl) * 1988-03-24 1989-10-16 Philips Nv Roentgenonderzoekapparaat met een instelbaar spleetvormig diafragma.
JPH01298719A (ja) * 1988-05-27 1989-12-01 Hitachi Ltd 露光装置
JP3049777B2 (ja) * 1990-12-27 2000-06-05 株式会社ニコン 投影露光装置及び方法、並びに素子製造方法
JP3049775B2 (ja) * 1990-12-27 2000-06-05 株式会社ニコン 投影露光装置及び方法、並びに素子製造方法
JP3148818B2 (ja) * 1990-11-15 2001-03-26 株式会社ニコン 投影型露光装置
US5107530A (en) * 1991-06-06 1992-04-21 The State Of Oregon Acting By And Through The Oregon State Board Of Higher Education On Behalf Of Oregon State University X-ray diffractometer with shutter control
JPH05197126A (ja) * 1992-01-20 1993-08-06 Oki Electric Ind Co Ltd ホトマスク及びこれを用いたパターン形成方法
JP3277589B2 (ja) * 1992-02-26 2002-04-22 株式会社ニコン 投影露光装置及び方法
JP3210123B2 (ja) * 1992-03-27 2001-09-17 キヤノン株式会社 結像方法及び該方法を用いたデバイス製造方法
JPH06188169A (ja) * 1992-08-24 1994-07-08 Canon Inc 結像方法及び該方法を用いる露光装置及び該方法を用いるデバイス製造方法
JPH06181167A (ja) * 1992-10-14 1994-06-28 Canon Inc 像形成方法及び該方法を用いてデバイスを製造する方法及び該方法に用いるフォトマスク
EP0614124A3 (en) * 1993-02-01 1994-12-14 Nippon Kogaku Kk Exposure device.
JPH0845818A (ja) * 1994-07-28 1996-02-16 Nikon Corp 露光方法
JPH0729788A (ja) * 1993-07-07 1995-01-31 Nec Corp 投影式露光機
JP3200244B2 (ja) * 1993-07-16 2001-08-20 キヤノン株式会社 走査型露光装置
US5469905A (en) * 1993-09-07 1995-11-28 Fold-A-Shield Security and hurricane shutter
DE29503859U1 (de) * 1994-03-07 1995-05-04 Hyundai Electronics Industries Co., Ltd., Ichon, Kyoungki Vorgefertigte, modifizierte Beleuchtungsvorrichtung zur Herstellung feiner Muster in einer Halbleitervorrichtung
US5472814A (en) * 1994-11-17 1995-12-05 International Business Machines Corporation Orthogonally separated phase shifted and unphase shifted mask patterns for image improvement
US5635999A (en) * 1995-05-19 1997-06-03 Eastman Kodak Company Iris diaphragm for high speed photographic printers having improved speed and reliability
US5631721A (en) * 1995-05-24 1997-05-20 Svg Lithography Systems, Inc. Hybrid illumination system for use in photolithography
US5680588A (en) * 1995-06-06 1997-10-21 International Business Machines Corporation Method and system for optimizing illumination in an optical photolithography projection imaging system

Cited By (17)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6741394B1 (en) 1998-03-12 2004-05-25 Nikon Corporation Optical integrator, illumination optical apparatus, exposure apparatus and observation apparatus
KR100639715B1 (ko) * 1999-01-15 2006-10-27 에스브이지 리도그래피 시스템즈, 아이엔씨. 동적으로 조절가능한 고 분해능의 조절가능한 슬릿
US7889320B2 (en) 2003-11-13 2011-02-15 Nikon Corporation Variable slit apparatus, illumination apparatus, exposure apparatus, exposure method, and device fabrication method
WO2005048326A1 (ja) * 2003-11-13 2005-05-26 Nikon Corporation 可変スリット装置、照明装置、露光装置、露光方法及びデバイスの製造方法
JP2005167232A (ja) * 2003-11-13 2005-06-23 Nikon Corp 可変スリット装置、照明装置、露光装置、及びデバイスの製造方法
JPWO2005048326A1 (ja) * 2003-11-13 2007-05-31 株式会社ニコン 可変スリット装置、照明装置、露光装置、露光方法及びデバイスの製造方法
JP4631707B2 (ja) * 2003-11-13 2011-02-16 株式会社ニコン 照明装置、露光装置、露光方法及びデバイスの製造方法
US7064805B2 (en) 2003-12-09 2006-06-20 Canon Kabushiki Kaisha Exposure apparatus
JP2005183982A (ja) * 2003-12-18 2005-07-07 Asml Netherlands Bv リソグラフィ装置およびデバイス製造方法
JP2006134932A (ja) * 2004-11-02 2006-05-25 Nikon Corp 可変スリット装置、照明光学装置、露光装置、及び露光方法
US7864297B2 (en) 2006-05-17 2011-01-04 Canon Kabushiki Kaisha Light blocking device and exposure apparatus
KR100896316B1 (ko) 2006-05-17 2009-05-07 캐논 가부시끼가이샤 차광장치와 노광장치 및 마이크로디바이스 제조방법
US7477357B2 (en) 2006-12-19 2009-01-13 Canon Kabushiki Kaisha Exposure apparatus and device manufacturing method
JP2011520271A (ja) * 2008-05-05 2011-07-14 カール・ツァイス・エスエムティー・ゲーエムベーハー マイクロリソグラフィ投影露光装置の物体平面に走査積分照明エネルギを設定するための構成要素
US9310692B2 (en) 2008-05-05 2016-04-12 Carl Zeiss Smt Gmbh Component for setting a scan-integrated illumination energy in an object plane of a microlithography projection exposure apparatus
JP2010123755A (ja) * 2008-11-19 2010-06-03 Canon Inc 露光装置及びデバイス製造方法
JP2016224375A (ja) * 2015-06-03 2016-12-28 キヤノン株式会社 露光装置及び物品の製造方法

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