JP4047614B2 - マスクエラー係数補償によりライン幅をコントロールするduvスキャナ - Google Patents
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Description
発明の技術分野
本発明は、一般的にフォトリソグラフ、より詳細には画像へのライン幅の変化を制御する露光システムに関連するものであり、この画像は半導体デバイスの製造でプリントおよび使用される。
【0002】
発明の背景
半導体製造では、レチクルまたはマスクの画像が感光性基板またはウェハに投影される。半導体デバイスはますます小型化されるから、半導体デバイス上に印刷される画像のフューチャサイズもまた小さくなる。この小さなフューチャサイズを感光性基板に正しく結像および印刷することは、フューチャサイズの低下と共にますます困難となる。フューチャサイズが露光波長の端数に近付くと、正しい結像を得ることがしばしば困難となる。画像品質およびレチクル上のパターンの正しい印刷を判定するには多数の変数がある。複製すべきレチクル上のラインはフューチャサイズ、タイプおよびフィールド中の位置の関数として変化する。また画像は、結像されるマスクまたはレチクル上のフューチャの配向または方向の関数として変化する。フォトリソグラフのイメージング特徴を改善し、以て画像品質を改善し、一定の印刷を提供しようとする多数の試みが為された来た。このようなフォトリソグラフシステムの1つが米国特許5383000号明細書に「Partial Coherence Varier For Microlithographic Systems」のタイトルで、Michaloski et al により1995年1月17日に開示された。これを参考文献としておく。ここに開示されたのは、調整可能なプロファイラを使用するマイクロリソグラフシステムであり、このプロファイラは光軸に沿って実際に、照明の所定の角度プロフィールをインポーズするために照明路に移動することができる。フォトリソグラフシステムでのイメージングを改善するための別のデバイスが米国特許6013401号明細書に「Method of Controlling Illumination Field To Reduce Linewidth Variation」のタイトルで、McCullough et al により2000年1月11日に開示された。これも参考文献としておく。ここには、レチクルの走査露光中に種々異なる空間的位置での露光量を制御するため、ダイナミックに調整可能なスリットが開示されている。露光での調整は、照明野のスキャン方向に対して垂直方向で行われる。別のフォトリソグラフシステムが米国特許願09/2327567に「Dose Control For Correcting Linewidth Variation In The Scan Direction」のタイトルで、McCullough により、1999年1月15日に開示された。これを参考文献としておく。ここには、露光量をスキャン方向での距離の関数としてライン幅変化を低減するため変化するための装置が開示されている。これらのフォトリソグラフシステムおよび露光装置および方法は、画像品質および感光性基板上へのフューチャの印刷を改善するが、さらなる改善の必要性がある。とりわけフューチャサイズが低下するので、さらに良好な画像品質が必要であり、画像を感光性基板に正しく複製しなければならない。
【0003】
発明の要約
本発明は、フィールド上に印刷されるフューチャサイズの変化を、露光量並びに部分可干渉性を走査リソグラフ装置で選択的に調整することによって補正する方法および装置に関するものである。走査リソグラフ装置またはツールは照明源を有しており、この照明源は走査される照明野を形成し、マスクまたはレチクルの画像を感光性基板上に投影する。照明野は露光量を変化するために所定の空間的位置において調整され、調整可能な光学的アレイエレメントが異なる空間的位置において照明の開口数を変化する。これによりシステムの部分可干渉性が変化される。
【0004】
従って本発明の課題は、感光性基板上へのフューチャの印刷を改善することである。
【0005】
本発明の別の課題は、レチクルライン幅の変動を補正することである。
【0006】
本発明は有利には、印刷すべき種々のフューチャを考慮するために容易に変更できる。
【0007】
本発明は有利には、印刷されるフューチャでのライン幅変動を低減できる。
【0008】
さらに本発明は有利には、印刷されるフューチャの水平バイアスおよび垂直バイアスを低減する。
【0009】
調整可能なスリットを露光量の変化のために使用することが本発明の特徴である。
【0010】
本発明のさらなる特徴は、光学的アレイエレメントが照明開口数の変化のために使用され、照明野の種々の個所で部分可干渉性を生じさせ、レチクルフューチャ変動を最小にし、水平/垂直バイアスを低減することである。
【0011】
この課題および他の課題、利点、および特徴は以下の詳細な説明から明かとなる。
【0012】
有利な実施例の詳細な説明
図1は、本発明のフォトリソグラフ装置を概略的に示す。マスクまたはレチクル10はその上にパターンを有しており、感光性基板またはウェハ12に結像される。マスクまたはレチクル10の画像は投影光学系14によって基板12に投影される。照明源または照明システム16が、マスクまたはレチクル19の画像を感光性基板12に投影するのに使用される。部分可干渉性調整器または光学的アレイエレメント18は照明の出射開口数をスロット照明野に沿って走査方向で選択的に変化し、従ってシステムの部分可干渉性を調整する。調整可能なスリット20は照明野を形成し、この照明野はレチクル10上を走査される。マスクステージ22と基板ステージ24はステージコントローラ26により制御され、同期して移動する。これにより調整可能スリット20により形成される照明野はレチクル全体を走査し、その上の画像を感光性基板上に複製する。マスクまたはレチクルステージ22と基板ステージ24は矢印17の方向に運動する。調整可能スリット20は調整可能スリットコントローラ28により制御される。調整可能スリットコントローラ28は露光計算器30およびデータ記憶デバイス32と接続されている。部分可干渉性調整器18は部分可干渉性調整器コントローラ33と接続されている。部分可干渉性調整器コントローラ33は部分可干渉性調整器の運動を制御し、所定の調整をシステムの部分干渉性に提供する。部分可干渉性調整器または光学的エレメント18は、米国特許願第09/599383号に「Illumination System With Spatially Controllable Partial Coherence Compensating For Linewidth Variance In A Photolithofraphic System」のタイトルで、McCullough et al により2000年1月22日に開示された光学的エレメントと類似であり、ここに全体を参考文献としておく。部分可干渉性調整器18はまた、選択された異なる部分を有するグラジエントアレイとすることもできる。この選択された異なる部分は照明の部分可干渉性を照明野における所定の位置で、走査中にコントロールするのに用いる。部分可干渉性調整器は光学的エレメント共に移動または事実上移動し、所望の部分を部分可干渉性の形成ために選択する。システムコントロール35はステージコントローラ26,部分可干渉性調整器コントローラ33,調整可能スリットコントローラ28,露光計算器30,およびデータ記憶デバイス32と接続されている。
【0013】
図1に示された本発明の実施例により、マスクエラー係数から生じるフューチャサイズ変動を補正することができる。マスクエラー係数がレチクルフューチャサイズの関数として変化すれば、マスクエラー係数は印刷されるフューチャの偏位をフューチャサイズの関数として引き起こす。マスクエラー係数は次式により定義することができる:
マスクエラー=画像縮小係数 × ウェハライン幅の変化/レチクルライン幅の変化
マスクエラー係数が1つまたは一定であれば(これは望ましいことである)、キャリブレーションをライン幅の調整に使用することができる。
【0014】
レチクルライン幅はレチクル面で測定され、ウェハライン幅はウェハ面で測定される。マスクエラー係数によりライン幅は、異なるフューチャサイズおよびフューチャタイプに対して異なる画像縮小係数で印刷される。ライン幅変動は焦点の有効深度にわたる最良焦点において影響を受ける。本発明はマスクエラー係数の作用を、露光量と部分可干渉性をスリットと走査方向に沿って調整することにより低減または除去するものである。従ってライン幅が最良焦点において、また所定のフューチャタイプの種々異なる配向に対する所定の焦点範囲にわたって改善される。
【0015】
所定のフューチャタイプおよび配向に対するマスクエラー係数は空間的画像測定またはリソグラフィック測定からモデル化または計算することができる。この測定は、スリットに沿ったマスクエラー係数の変動が有意であるのに必要なだけの数の異なる個所でスリットに沿って行う。マスクエラー係数はフォトリソグラフデバイスまたはツールの種々異なる条件に対して測定することができる。これは例えばピューピル、部分可干渉性、開口数、および累積露光量のような異なる動作条件、ウェハ当たりのフィールド数、バッチ当たりのウェハ数等である。レチクル上のフューチャ、例えばライン、コンタクトがいったん特定されれば、基本的特徴をリソグラフィカルにまたは空中画像測定により測定することができる。工業的標準モデル化を使用したソフトウエアコンピュータシミュレーションによるモデル化、または他の等価のモデル化技術も公知であり、使用することができる。一般的にレチクルフューチャから感光性基板フューチャへのフューチャサイズ縮小は固定の画像縮小係数を有しており、これは例えば4:1である。しかし他の縮小係数も可能であり、使用することができる。しかしフューチャサイズを公称サイズを中心に変動するから、縮小係数も変化する。公称画像縮小係数から偏差すると、不所望のライン幅変動が印刷されるフィールドわたって生じる。結果としてレチクルからのフューチャサイズはウェハ上に、公称画像縮小係数を以て一定には形成されず、フューチャサイズが異なると公称値を中心に異なる。しかし公称値を中心にしたレチクルフューチャサイズ変動をいったん測定すれば、露光量を照明野において走査露光中に変更することによりレチクルフューチャサイズ変動を補正することができる。このことは調整可能スリット20を使用して行われる。
【0016】
レジスト特性と、単位露光量変化当たりのライン幅変動が既知であれば、種々異なるマスクエラー係数作用を種々異なるフューチャサイズにおいてフィールドにわたり、スリットに沿った縦方向にも走査方向にも補正するのに必要な露光量変化を計算することができる。この計算は次に露光量を走査中に変更するのに使用され、印刷されたライン幅におけるマスクエラー係数の作用を低減または除去する。基板またはウェハに印刷されたライン幅エラーは次の式により計算することができる。
【0017】
印刷されたウェハライン幅における変化=[マスクエラー係数 × レチクルライン幅における変化]/公称画像縮小係数
マスクエラー係数が一定であれば、すなわち、レチクルフューチャサイズ変動によって公称値を中心に変化しなければ、露光量較正またはマグニチュード制御によって補正することができる。マスクエラー係数がレチクル上の1つのフィールド位置から別の位置へと変化する場合、すなわちこれが、公称値を中心にしたレチクルフューチャサイズの変化と共に変化する場合、これを公称露光量較正によって補正することはできない。露光量は、レチクルが調整可能スリット20により走査されるのに併せて変化しなければならない。マスクエラー係数とレチクルライン幅が既知であれば、レチクル補正較正を行うことができ、ツールの使用中にデバイス製造および特性付与のために適用することができる。マスクエラー係数が種々異なるフューチャタイプに対して同じであれば、補正を調整可能スリットにより単一露光で行うことができる。ただし配向が異なっても同じフューチャ構成を有することが前提である。露光量補正はレチクル上の各フィールド位置で計算される。レチクルライン幅変動補正較正は次のように行うことができる:
MEF=m[ΔCDwafer/ΔCDreticle]
MEFはマスクエラー係数であり、マスクライン幅に対して各フィールド位置で定義される。典型的にはMEFは1である。mは、公称画像縮小係数またはNIRFである。
【0018】
従って
[ΔCDreticleH × MEFH]/m=ΔCDwaferH=ウェハ上の所定の水平ライン幅
[ΔCDreticleV × MEFV]/m=ΔCDwaferV=ウェハ上の所定の垂直ライン幅
フィールド内のいずれの所与の位置においてMEFH≒MEFV=MEFである場合に対して、
ΔCDwafer=(ΔCDwaferH + ΔCDwaferV)/2=MEF[ΔCDreticleH + ΔCDreticleV]/2M
択一的にMEFHがMEFVに等しくなければ、
ΔCDwafer=[(ΔCDreticleH)MEFH +(ΔCDrerticleV)MEFv]/2M
Δ露光量補正=ΔCDwafer/露光量感度
Δ露光量補正は露光フィールド中の各位置において計算される。
【0019】
しかし残留水平/垂直バイアスが平均ライン幅に従って上記のように補正されるならば、すなわち(a)水平フューチャが同じ位置で垂直フューチャとは異なって結像されるか、または(b)水平フューチャがレチクル上で垂直フューチャサイズと異なっていれば、マスクエラー係数は部分可干渉性調整器または光学的アレイエレメント18により、部分可干渉性を異なる空間的位置で両方向で照明スロットに沿って、かつ走査方向で変形することによって補正することができる。択一的に多重露光を使用することができる。すなわち、配向の異なるフューチャを調整可能スリット20セットによる独立した露光量により別個に露光して印刷するのである。
【0020】
ライン幅変動は、水平および垂直フューチャサイズバイアスをレチクル上の各サイトにおいて計算し、マスクエラー係数制御を使用することにより補正できる。測定またはモデル化によって、印刷された水平フューチャおよび印刷された垂直フューチャをウェハ面で計算することができる。水平および垂直バイアスもまたウェハ面で計算することができる。水平および垂直バイアスを補正するのに必要な部分可干渉性変化は、技術的に公知の形式によりすでに市販のソフトウエアを用いて計算することができる。光学的エレメント18は次に部分可干渉性を、スリットフィールド中の各空間的位置で変化するのに使用され、水平および垂直バイアスを補償する。いったん部分可干渉性が空間的位置で定義されれば、部分可干渉性は部分可干渉性調整器により供給されるか、または光学的エレメント18が適用される。
【0021】
従って本発明は、平均レチクルライン幅変動の補正に、または水平および垂直バイアス変動の補正に、または平均レチクルライン幅変動と水平および垂直バイアス変動の両方の補正に、または水平ライン幅変動だけの補正に、または垂直ライン幅変動だけの補正に使用することができる。
【0022】
図2は、図1に示した調整可能スリット20を概略的に示す。照明野40は照明調整器38により形成され、この照明調整器は調整可能輪郭36を形成する。調整可能輪郭36は照明調整器38において実質的に矩形の照明野の一部をブロックし、照明野の幅を種々異なる縦方向位置で調整する。従って照明野40は最大幅Wmaxまたは最小幅Wminを有することになる。調整可能輪郭ドライブ34は調整可能輪郭36を調整する。調整可能輪郭ドライブ34は調整可能スリットコントローラ28により制御される。
【0023】
動作時に調整可能スリット20は、図1にしめされた感光性基板12により受光される露光量を変更する。実質的に矩形の照明野40は矢印42の方向に走査され、レチクル10の画像を感光性基板に投影する。レチクル10はレチクルステージ22に保持されており、ステージコントローラ26によりドライブされ、これにより照明野40が走査される。照明野40がレチクル10にわたって走査されるとき、調整可能スリットコントローラ28は調整可能輪郭ドライブ34を制御し、照明調整器38により調整可能輪郭36を変化させる。露光計算器30は調整可能スリットコントローラに接続されており、正確な露光量を決定するのに使用される。データ記憶部32は所望のライン幅変化を得るのに必要な露光量に関連するデータを記憶する。
【0024】
図2Aは、図1の光学的アレイエレメントまたは部分可干渉性調整器18を示す。可干渉性調整器または光学的アレイエレメント18は、照明野を形成するのに使用される照明源の出射開口数を変化するのに使用される。これはさらに部分可干渉性を変化させる。この部分可干渉性は、照明光学系の開口数を投影光学系の開口数で割った比により定義される。部分可干渉性調整器18は複数の領域19から形成される。各領域19はレンズまたは複数のレンズからなり、これらは出射開口数または所定の経路における照明円錐形を変化させる。種々異なる領域19は連続するか、または離散的ではなく勾配である。部分可干渉性調整器または光学的アレイエレメント18は、これがレチクルの部分を選択し、所定の部分可干渉性を提供できるという意味でダイナミックである。従って部分可干渉性変化は照明野中の予め選択されたいずれかのポイントで、印刷画像に形成すべき調整に依存して形成することができる。
【0025】
部分可干渉性調整器18は固定することができ、所望の領域19は光学的に領域選択器18Aにより選択される。すなわち、他の光学的エレメントが所望の領域19に隣接して位置決めされ、所望の部分可干渉性を形成するための照明を提供する。領域選択器18Aは可動ミラー、プリズム、ファイバ光学素子、調整可能スロットまたはスリット、または他の公知の光学素子またはデバイスを有することができる。
【0026】
図3Aおよび3Bは種々異なるフューチャタイプを有するレチクルを概略的に示す。レチクル110Aは垂直フューチャタイプ111Aを有し、レチクル110Bは水平フューチャタイプ111Bを有する。
【0027】
図4Aと4Bは他の異なるフューチャタイプを有するレチクルを示す。図4Aでレチクル110Cは第1のフューチャタイプ111Cをその上に有する。図4Bでレチクル110Dは第2のフューチャタイプ111Dをその上に有する。第1と第2のフューチャタイプ111Cと111Dはレチクル配向に対して異なる角度で配向することができる。多数のフューチャタイプが種々異なるレチクル上に見出されることが分かる。図3A、Bおよび図4A,Bに示したフューチャタイプは、種々異なるフューチャタイプの種々異なる配向の例である。多数のフューチャタイプが実質的に水平または垂直、または相互に直交する。フューチャタイプはまた孤立したフューチャおよび/またはグループ化されたフューチャを含むことができる。他の例では、ライン、コンタクト、およびフォトリソグラフで半導体デバイスの製造のために使用される公知のフューチャを含む。
【0028】
図5は、リソグラフ技術で製造される半導体デバイスの一部断面図を示す。基板112には第1のライン112Aと第2のライン112Bが配置されている。一つの層しか図示されていないが、典型的には多数の異なる層が、製造される半導体デバイスに依存して使用される。第1のライン112Aはラテラル幅Wと隣接ライン112Aと112Bとの間のスペースを有する。しかし用語「ライン幅」は隣接ライン112Aと112Bとの間のスペースを示すのにも使用される。
【0029】
図6は、垂直ライン115A,115B,115Cおよび水平ライン113A,113B,113Cの平面図である。これらは図5に示されたラインに類似する。ライン115A〜Cおよび113A〜Cは種々の位置に、感光性基板に投影されるスロットに沿って印刷される。ライン115A〜Cと113A〜Cは一般的に相互に直交しているが、別の配向でも良い。付加的にライン幅は、感光性基板上に結像されるレチクルのライン幅を正確に反映しなければならない。しかし露光波長またはそれ以下のオーダーでの小さなライン幅では、同じライン幅をスロットにわたって得ること、およびレチクル上のライン幅から偏差しないライン幅を得ることはしばしば非常に困難である。これはリソグラフィックパラメータまたは変数が異なるからである。
【0030】
従ってライン幅は種々の幅W’V、W”V、W"'V、W’H、W”H、およびW"'Hを種々の縦方向位置で、感光性基板に投影されるスロットに沿って有する。本発明は、露光量を図1および2に示した調整可能スリット20によりライン幅の変動を低減する。このライン幅の変動はとりわけフューチャサイズおよび位置の関数である。
【0031】
付加的にライン幅のエラーまたは変動がレチクル製造の結果としても存在する。本発明は、露光野における種々異なる位置での露光量と部分可干渉性をスロットに沿って選択的に制御することにより、レチクルの製造エラーを補正することができる。従って設計されたまたは意図されたライン幅を、レチクル上にライン幅エラーがレチクルの製造中に発生しても印刷することができる。本発明のこの特徴はまた、レチクルの所要の製造公差を低減し、従って実質的にレチクルの製造コストを低減する。例えば低減された製造公差を有するレチクルは低コストで製造することができ、またある程度のエラーを種々の個所に備えるレチクルも使用することができる。複製すべきレチクル画像の比例寸法からの偏差は本発明により補償され、所望の画像の複製が得られる。比例寸法とは、レチクルの画像が縮小係数または1より小さな倍率、例えば1/4の縮小比により縮小されることを意味する。従ってレチクルが低減された製造公差を有していても所望の画像をそのまま複製することができる。
【0032】
図7から9は、水平および垂直バイアスの作用を印刷された直交ライン幅において示す。水平および垂直バイアスは2つの水平および垂直配向の間のライン幅における変動を表すことが分かる。別の方向でのバイアスも理解できる。図7は幅WHを有する水平ライン212Hと、幅WVを有する垂直ライン212Vを示す。幅WHは実質的に幅WVに等しい。図8は図7に示されたラインパターンを、フィールドの所定個所に水平バイアスを有するフォトリソグラフシステムにより印刷する様子を示す。水平バイアスにより、水平ライン212H’は変化して印刷されたライン幅WH 'を有する。これに対し、垂直ライン212Vは実質的に図7のラインパターンと同じライン幅WVを有している。同様に図9は、図7に示したラインパターンがフィールド中の特定個所に垂直バイアスを有するフォトリソグラフシステムにより印刷された様子を示す。垂直バイアスのため、垂直ライン212V’は変化して印刷されたライン幅WV 'を有している。これに対し、水平ライン212Hは実質的に図7のラインパターンと同じライン幅WHを有している。フォトリソグラフシステムは、正の比較的に広いライン幅、または負の比較的に狭いライン幅、バイアス、または水平および垂直バイアス両方の組み合わせを1つの個所に有することがある。この水平および垂直バイアスは、リソグラフシステムのフィールド内で空間的に変化し、また各システムに対して異なることがある。
【0033】
この水平および垂直バイアスは、フォトリソグラフシステムの他のイメージング特性と共にしばしばフォトリソグラフシステムの署名として参照される。フォトリソグラフシステムの署名はまたイメージングに使用されるレチクルの特性を含むことがある。レチクルにより、マスクエラー係数特性から生じる水平/垂直バイアスの補償の際に、本発明は図1および図2Aに示された光学的アレイエレメント18を使用して、部分可干渉性または照明のフィル幾何形状を変形し、これにより水平および垂直バイアスを、レチクル画像の正確の印刷が要求される種々の個所で補償する。
【0034】
図10は、ラインパターン部分311に複数の列mと行nを有する検査レチクル310を概略的に示す。ラインパターン部分311は複数の異なるライン幅、スペースおよび配向を有する。ラインパターン部分310の各々は検査レチクル310上のアレイコンフィギュレーションに配置されている。検査レチクル310は正確に印刷された測定を得るために使用され、フォトリソグラフシステムまたツールマスクエラー係数を、種々異なる個所でスロットに沿って、公称サイズを中心にした所定のフューチャタイプおよびサイズに対して決定する。
【0035】
図11は、相応のラインパターン部分311をスリットフィールド320の縦方向長に沿って有するスロットまたはスリットフィールド310の使用を示す。ラインパターン部分またはグループフューチャは、(a)コントラストピッチに対して変化するライン幅、または(b)1:1のライン/スペースデューティサイクルを有する変化するライン幅(すなわちピッチが変化する)からなる。スロットまたはスリットフィールドは図10に示されたレチクルを走査される。実際のツールマスクエラー係数が、種々異なる縦方向位置でスリットフィールド320に沿って検出される。この情報は、調整可能スリットにより供給される適切な露光量、および光学的アレイエレメントにより供給される部分可干渉性を検出するのに使用され、ライン幅変動または水平/垂直バイアスの補正に使用される。
【0036】
このフォーマットまたは方法データを使用することは、走査に沿った種々の個所で所定のスロット位置に対し有効である。このことにより走査署名に対する評価および補正、および所定のフューチャタイプおよびサイズに対する評価および補正が可能である。
【0037】
図12は、レチクル410H上の種々異なる空間的位置に配置された種々の水平フューチャサイズを概略的に示す。
【0038】
図13は、レチクル410Vの種々異なる空間的位置に配置された種々の垂直フューチャサイズを概略的に示す。
【0039】
種々の水平および垂直フューチャサイズが単一レチクルのフューチャにしばしば組み合わされる。図12と図13は、水平および垂直コンポーネントを有する種々のフューチャを示す。
【0040】
図14は、マスクエラー係数を示す線図である。破線50は、レチクルクリティカルディメンションがウェハクリティカルディメンションと同じであり、従って露光中に必要な補正に関連するマスクエラー係数が存在しないことを示す曲線である。ライン52は、基板またはウェハに複製されるフューチャがレチクルから複製されるフューチャと比較してオーバーサイズである場合の、比較的に小さなフューチャに対するマスクエラー係数を示す。ライン54は、基板またはウェハに複製されるフューチャがレチクルから複製されるフューチャと比較してアンダーサイズである場合の、比較的に小さなフューチャに対するマスクエラー係数を示す。マスクエラー係数は実質的にフューチャサイズが小さくなると増大することに注意されたい。従って、本発明はマスクエラー係数および関連するイメージング問題の補正の点で、フューチャサイズが小さくなるとますます重要になる。
【0041】
図15は、本発明の要素の方法ステップを示すフローチャートである。図15は、ライン幅変動を低減するための露光量補正に使用される方法ステップを示す。ボックス510は、公称フューチャサイズおよびタイプからのレチクルライン幅変動の測定ステップを示す。ボックス512は、各空間位置における種々の配向ごとの予測ウェハまたは印刷されたライン幅変動の計算ステップを示す。この計算は次式を使用して実行することができる:
[ΔCDreticleH×MEFH]/m=ΔCDwaferH=ウェハでの予測水平ライン幅;
[ΔCDreticleV×MEFV]/m=ΔCDwaferV=ウェハ上の予測垂直ライン幅;
ボックス514は、印刷される平均ウェハライン幅の予測ステップを示す。この予測は次式により実行することができる:
ΔCDwafer=(ΔCDwaferH + ΔCDwaferV)/2;
ここでΔCDwaferは水平および垂直ライン幅の平均である。
【0042】
ボックス516は、各空間位置における露光補正の計算ステップを表す。この計算は次式により実行することができる:
Δ露光補正=CDwafer/露光感度
露光補正は所定のフューチャ、レジストおよびタイプに対するものである。
【0043】
ボックス518は、露光量を調整可能スルットにより各空間的位置で調整する方法ステップを示す。このステップにより露光量を補償または補正し、前記方法ステップからの計算に基づき、低減されたライン幅変動を得ることができる。
【0044】
図16は、本発明の要素を示すフローチャートである。図16は、照明の部分可干渉性を変更し、水平および垂直バイアスを補償するのに使用される方法ステップを示す。ボックス610は、水平/垂直バイアスをレチクル上の各空間的位置で計算する方法ステップを示す。ボックス612は、印刷される水平/垂直バイアスを、マスクエラー係数を使用して予測するステップを表す。水平および垂直バイアスは、計算またはモデル化に基づいて測定または得ることができる。ボックス614は、水平および垂直バイアスを補正するのに必要な部分可干渉変化を計算する方法ステップを示す。この計算は、種々の計算方法または市販のソフトウエア、例えばProlithソフトウエアを使用して実行することができる。ボックス616は、各空間的位置において部分可干渉性を、所要の部分可干渉性変化の計算または水平/垂直バイアスに対して所要の補正を得るための変化に基づいて変化する方法ステップを示す。照明源に関連する光学的アレイエレメントの変形または変化もダイナミックであり、または図2Aに示したように面を移動可能である。
【0045】
図15と図16に示した方法を組み合わせることにより、改善された印刷を得ることができる。従って、種々異なる個所での露光量と、種々異なる空間的位置での部分可干渉性の両方を補正することにより、ライン幅での変動が水平および垂直バイアスと同様に補償される。従って本発明は、半導体製造で使用されるフォトリソグラムデバイスと共に使用され、品質および歩留まりを向上させる装置および方法を提供する。本発明により、現在の技術を使用しては不可能であるか、または容易には得ることのできない非常に小さなフューチャまたはエレメントをイメージングおよび印刷することができる。従って本発明は、ホトリソグラフ処理方法とこれに関連する半導体製造を進歩させるものである。
【0046】
用語「水平および垂直バイアス」は、印刷されたライン幅における、配向の相違の結果としての変化を意味するのに使用される。一方、ライン幅は典型的には、相互に垂直であり、水平または垂直である。ライン幅はまた相対的な配向を有する。従って用語「水平および垂直バイアス」は配向バイアスと互換的に使用することができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の実施例の概略図である。
【図2】図1に示した調整可能スリットの概略図である。
【図2A】図1に示した部分可干渉性調整器の概略図である。
【図3A】垂直フューチャを有するレチクルの概略図である。
【図3B】水平フューチャを有するレチクルの概略図である。
【図4A】第1の方向に配向されたフューチャを有するレチクルの概略図である。
【図4B】第2の方向に配向されたフューチャを有するレチクルの概略図である。
【図5】基板の上にリソグラフで形成されたラインの概略断面図である。
【図6】リソグラフで形成されたラインの部分における幅の変化を示す概略図である。
【図7】直交ラインパターンを示す平面図である。
【図8】水平バイアスを以て印刷されたラインパターンを示す平面図である。
【図9】垂直バイアスを以て印刷されたラインパターンを示す平面図である。
【図10】種々異なるフィールドに種々異なるライン幅を有する検査レチクルの平面図である。
【図11】スリットに沿った種々の位置を示す平面図である。
【図12】種々異なる水平フューチャを種々異なる空間的位置に有するレチクルの平面図である。
【図13】種々異なる垂直フューチャを種々異なる空間的位置に有するレチクルの平面図である。
【図14】マスクエラー係数を示す線図である。
【図15】露光量を調整するための本発明の実施例の方法ステップを示すフローチャートである。
【図16】水平バイアスを部分可干渉性の変化により補正するための本発明の実施例の方法ステップを示すフローチャートである。
Claims (22)
- 照明源と、部分可干渉性調整器と、調整可能スリットと、レチクルステージと、基板ステージと、投影光学系とを有するフォトリソグラフデバイスであって、
前記部分可干渉性調整器は、電磁放射を前記照明源から受け、
前記調整可能スリットは、電磁放射を前記照明源から受け、
前記レチクルステージは、レチクルをその上に保持するように構成されており、
前記基板ステージは、感光性基板をその上に保持するように構成されており、
前記投影光学系は、前記レチクルステージと前記基板ステージとの間に配置されており、
前記投影光学系は、レチクルの画像を感光性基板に投影する形式のフォトリソグラフデバイスにおいて、
基板が受ける電磁放射の量を前記調整可能スリットにより種々異なる空間的位置で変更可能に構成されており、
照明の部分可干渉性を前記部分可干渉性調整器により種々異なる空間的位置で変更可能に構成されており、
これによりライン幅変動と配向バイアスを制御する、
ことを特徴とするフォトリソグラフデバイス。 - 前記部分可干渉性調整器は光学的アレイエレメントを有する、
請求項1記載のフォトリソグラフデバイス。 - さらに前記光学的アレイエレメントと関連する領域選択器を有し、
これにより部分可干渉性変化が所定の空間的位置で行われる、
請求項2記載のフォトリソグラフデバイス。 - 前記光学的アレイエレメントは、領域を変更する複数の出射開口数を有する、請求項2記載のフォトリソグラフデバイス。
- レチクルの画像を感光性基板に印刷するために使用される走査フォトリソグラフデバイスであって、
照明源と、光学的アレイエレメントと、調整可能スリットと、レチクルステージと、基板ステージと、投影光学系と、ステージコントローラと、調整可能スリットコントローラとを有し、
前記光学的アレイエレメントは、領域を変更する複数の出射開口数を有し、かつ前記照明源から電磁放射を受けるように配置されており、
前記調整可能スリットは、前記光学的アレイエレメントから出射する電磁放射を受け、
前記レチクルステージはレチクルをその上に保持するように構成されており、
前記基板ステージは感光性基板をその上に保持するように構成されており、
前記投影光学系は、前記レチクルステージと前記基板ステージとの間に配置されており、
該投影光学系は、レチクルの画像を前記感光性基板に投影し、
前記ステージコントローラは、前記レチクルステージおよび前記基板ステージと接続されており、
前記調整可能スリットコントローラは前記調整可能スリットと接続されている形式の走査フォトリソグラフデバイスにおいて、
感光性基板が受ける電磁放射の量が前記調整可能スリットにより種々異なる空間的位置で変更可能に構成されており、
前記光学的アレイエレメントは出射開口数を種々異なる空間的位置で変更可能に構成されており、
これによりライン幅変動と配向バイアスとが制御される、
ことを特徴とする走査フォトリソグラフデバイス。 - レチクルの画像を感光性基板に印刷するために使用される、請求項5記載の走査フォトリソグラフデバイスにおいて、
前記光学的アレイエレメントに関連する領域選択器を有し、
該領域選択器により出射開口数を変化し、これにより所定の空間的位置における部分可干渉性を変化する。 - レチクルの画像を感光性基板に印刷するために使用される、請求項5記載の走査フォトリソグラフデバイスにおいて、
前記調整可能スリットは、縦方向長に沿って可変の幅を有する。 - レチクルの画像を感光性基板に印刷するために使用される、請求項5記載の走査フォトリソグラフデバイスにおいて、
検査レチクルを有し、
該検査レチクルは、種々異なるライン幅を備える複数のラインパターン部分と、空間的に配置された配向とを有し、
これにより印刷された基板上でのライン幅の変動個所と配向バイアスとを検出する。 - レチクルの画像を感光性基板に印刷するために使用される、請求項5記載の走査フォトリソグラフデバイスにおいて、
感光性基板に関連して、感光性基板が処理されるときに当該基板上のライン幅変動および配向バイアスを検出するための手段を有する。 - レチクルの画像を感光性基板に印刷するために使用される走査フォトリソグラフデバイスであって、
照明野を供給する照明源を有し;
前記照明源からの電磁放射を受けるように配置されており、部分可干渉性を照明野の種々異なる空間的位置で変更するための手段を有し;
印刷されたフィールド内においてレチクルを基準にして配向バイアスの変動を、配向バイアスの複数の位置で検出するための手段を有し;
前記配向バイアス変動の検出手段に接続されており、部分可干渉性を複数の配向バイアス個所の各々において、印刷されたフィールド内の配向バイアスを低減するために計算する手段を有し;
前記部分可干渉性を変更するための手段と接続されており、部分可干渉性を複数の配向バイアス個所の各々において、部分可干渉性補正に基づいて調整するための手段を有し;
前記照明源からの電磁放射を受けるように配置されており、露光量を感光性基板上の種々異なる空間的位置で変更するための手段を有し;
印刷されたフィールド内のライン幅変動を、レチクルを基準にして、複数のライン幅変動個所で検出するための手段を有し;
前記ライン幅変動の検出手段と接続されており、複数のライン幅変動個所の各々において露光量補正を計算し、印刷されたフィールド内のライン幅変動を低減するための手段を有し;
前記露光量を変更するための手段と接続されており、露光量を複数のライン幅変動個所の各々において、露光量補正に基づいて調整するための手段を有し;
レチクルをその上に保持するレチクルステージを有し;感光性基板をその上に保持する基板ステージを有し;
前記レチクルステージと前記基板ステージとの間に配置された投影光学系を有し;
該投影光学系は、レチクルの画像を感光性基板の上に投影し、前記レチクルステージおよび基板ステージと接続されており、前記レチクルステージと前記基板ステージとを同期して走査するための手段を有し;
これにより基板の受ける電磁放射が変化され、印刷された基板上のライン幅変動および配向バイアスが制御される、
ことを特徴とする走査フォトリソグラフデバイス。 - レチクルの画像を感光性基板に印刷するのに使用される走査フォトリソグラフデバイスであって、
照明源と、光学的アレイエレメントと、該光学的アレイエレメントと関連する領域選択器と、調整可能スリットと、レチクルをその上に保持するレチクルステージと、感光性基板をその上に保持する基板ステージと、投影光学系と、ステージコントローラと、調整可能スリットコントローラと、システムコントローラとを有し、
前記光学的アレイエレメントは複数の出射開口数を有し、前記照明源からの電磁放射を受けるように配置された領域を変更することで部分可干渉性を変更し、変更された部分可干渉性をレチクル上の所定個所で提供し、
前記領域選択器は、複数の出射開口数を方向転換し、領域を所定個所で変更し、
前記調整可能スリットは、前記照明源からの電磁放射を受けるように配置された縦方向構成を有し、
該調整可能スリットは可変幅を前記縦方向構成に沿って有し、
前記投影光学系は、前記レチクルステージと前記基板ステージとの間に配置されており、
該投影光学系は、レチクルの画像を感光性基板上に投影し、
前記ステージコントローラは、前記レチクルステージおよび基板ステージに接続されており、
前記調整可能スリットコントローラは前記調整可能スリットに接続されており、
前記システムコントローラは、前記ステージコントローラ、前記領域選択器、前記調整可能スリットコントローラと接続されている形式の走査フォトリソグラフデバイスにおいて、
感光性基板の受ける電磁放射の量を前記調整可能スリットにより種々異なる空間的位置で変更し、
前記光学的アレイエレメントは、選択された部分可干渉性をレチクル上の所定の空間的位置で変更し、
これによりライン幅変動および配向バイアスが制御される、
ことを特徴とする走査フォトリソグラフデバイス。 - 前記光学的アレイエレメントは勾配を有する、レチクルの画像を感光性基板上に印刷するために使用される、請求項11記載の走査フォトリソグラフデバイス。
- 印刷された基板上のライン幅変動と配向バイアスとを低減するために、補正された露光量と出射開口数とを計算するための手段を有し、
該手段は前記システムコントローラに接続されている、レチクルの画像を感光性基板上に印刷するために使用される、請求項11記載の走査フォトリソグラフデバイス。 - レチクルの画像を感光性基板に露光する方法において、
電磁放射の露光量を種々異なるライン幅において変更し、
感光性基板上の空間的位置を変更し、
レチクルを感光性基板に結像するのに使用される電磁放射の部分可干渉性を、該感光性基板上の種々異なるバイアス空間的位置で変更し、
これによりライン幅変動と配向バイアスをレチクルの印刷された画像中で低減する、
ことを特徴とする感光性基板の露光方法。 - 露光量補正を種々異なるライン幅の各々において計算し、感光性基板上の空間的位置を変更し、部分可干渉性補正を、感光性基板上の種々異なるバイアス空間的位置の各々において計算する、請求項14記載の感光性基板の露光方法。
- 印刷された基板上でライン幅と、垂直および水平バイアスを変更するために感光性基板を露光する方法において、
レチクルを基準にしたライン幅変動を、印刷されたフィールド内での複数のライン幅個所において検出し、
露光量補正を複数のライン幅個所の各々において計算し、
印刷されたフィールド中のライン幅の変動を低減し、
感光性基板を露光するために使用される電磁放射の露光量を、種々異なるライン幅個所の各々において、前記露光量補正に基づいて調整し、
レチクルを基準にする配向バイアスの変動を、印刷されたフォールド中の複数の配向バイアス個所において検出し、
部分可干渉性補正を、複数の水平および垂直バイアス個所の各々において計算し、
印刷されたフィールド中の配向バイアスを低減し、
感光性基板を露光するために使用される電磁放射の部分可干渉性を、配向バイアスの複数個所の各々において、前記部分可干渉性補正に基づいて調整し、
これにより印刷されたフィールド中のライン幅変動および配向バイアスを低減する、
ことを特徴とする感光性基板の露光方法。 - 印刷された基板上でライン幅および配向バイアスを制御するために感光性基板を露光する方法において、
印刷された基板上での、意図したライン幅から偏差するライン幅変動を、印刷されたフィールド中の複数のライン幅個所において検出し、
露光量補正を複数のライン幅変動個所の各々において計算し、
印刷されたフィールド中での意図したライン幅を制御し、
感光性基板を露光するために使用される電磁放射の量を、種々異なるライン幅個所の各々において、前記露光量補正に基づいて調整し、
意図したライン幅を基準にする配向バイアスの変動を、印刷されたフィールド中の複数の配向バイアスにおいて検出し、
部分可干渉性補正を、複数の配向バイアス個所の各々において計算し、
印刷されたフィード中の配向バイアスを制御し、
感光性基板を露光するために使用される電磁放射の部分可干渉性を、複数の配向バイアスの各々において、前記部分可干渉性補正に基づいて調整し、
これにより印刷されたフィールド中のライン幅および配向バイアスを制御し、意図するライン幅を印刷された基板上で得る、
ことを特徴とする感光性基板の露光方法。 - フォトリソグラフ装置で使用される露光制御デバイスにおいて、
調整可能スリットと、部分可干渉性調整器とを有し、
前記調整可能スリットは、照明源からの電磁放射を受けるように配置されており、
前記部分可干渉性調整器は、種名源からの電磁放射を受けるように配置されており、
露光量および電磁放射の部分可干渉性を、感光性基板上の所定の空間的個所においてそれぞれ変更可能に構成されており、これによりライン幅変動および配向バイアスを低減する、
ことを特徴とする露光制御デバイス。 - 前記部分可干渉性調整器は、複数の異なる出射開口数領域を有し、これにより部分可干渉性が変更される、請求項18記載の露光制御デバイス。
- 前記部分可干渉性調整器に関連する領域選択器を有し、これにより種々異なる複数の出射開口数領域の1つが選択される、請求項19記載の露光制御デバイス。
- 比例する所望の構成から偏差する構成を有するレチクルの画像を感光性基板に印刷する方法において、
感光性基板に印刷すべき比例する所望の構成から偏差する構成を有するレチクルを製造し、照明量を種々異なる空間的位置で調整し、
印刷されるフューチャライン幅を種々異なる空間的位置で変更し、
感光性基板上に印刷すべき比例する所望の構成が得られるようにし、
照明の部分可干渉性を種々異なる空間的位置で調整し、
配向バイアスを変更し、
感光性基板上に印刷すべき比例する所望の構成が得られるようにし、これによりレチクルが緩和された製造公差を有していても使用できるようにする、
ことを特徴とする印刷方法。 - 比例する所望の構成から偏差する構成を有するレチクルの画像を感光性基板に印刷するためのフォトリソグラフ方法において、
感光性基板上に印刷すべき比例する所望の構成から偏差する構成を有するレチクルを製造し、
照明量の調整を、印刷されるライン幅を変化するのに必要な種々異なる空間的位置において計算し、
感光性基板に印刷すべき比例する所望の構成を獲得し、
照明量を、照明量の調整計算ステップに基づいて種々異なる空間的位置で調整し、
印刷されるフューチャライン幅を種々異なる空間的位置で変更し、
感光性基板に印刷すべき比例する所望の構成を獲得し、
照明の部分可干渉性の調整を、種々異なる空間的位置において計算し、
配向バイアスを変更し、
感光性基板に印刷すべき比例する所望の構成を獲得し、
照明の部分可干渉性を、部分可干渉性の調整計算ステップに基づいて種々異なる空間的位置で調整し、
配向バイアスを変更し、
感光性基板に印刷すべき比例する所望の構成を獲得し、
これによりレチクルが緩和された製造公差を有していても使用できるようにする、
ことを特徴とするフォトリソグラフ方法。
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Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US10816908B2 (en) | 2019-02-05 | 2020-10-27 | Toshiba Memory Corporation | Light-exposure method and light-exposure apparatus |
Families Citing this family (33)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6573975B2 (en) * | 2001-04-04 | 2003-06-03 | Pradeep K. Govil | DUV scanner linewidth control by mask error factor compensation |
US7233217B2 (en) * | 2001-08-23 | 2007-06-19 | Andrew Corporation | Microstrip phase shifter |
US6813003B2 (en) | 2002-06-11 | 2004-11-02 | Mark Oskotsky | Advanced illumination system for use in microlithography |
US7079321B2 (en) | 2001-10-18 | 2006-07-18 | Asml Holding N.V. | Illumination system and method allowing for varying of both field height and pupil |
US7006295B2 (en) | 2001-10-18 | 2006-02-28 | Asml Holding N.V. | Illumination system and method for efficiently illuminating a pattern generator |
US6888615B2 (en) * | 2002-04-23 | 2005-05-03 | Asml Holding N.V. | System and method for improving linewidth control in a lithography device by varying the angular distribution of light in an illuminator as a function of field position |
US6784976B2 (en) * | 2002-04-23 | 2004-08-31 | Asml Holding N.V. | System and method for improving line width control in a lithography device using an illumination system having pre-numerical aperture control |
SG121822A1 (en) * | 2002-11-12 | 2006-05-26 | Asml Netherlands Bv | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
DE10337286B4 (de) * | 2003-08-13 | 2005-11-10 | Infineon Technologies Ag | Verfahren zur Projektion eines auf einer Maske angeordneten Schaltungsmusters auf einen Halbleiterwafer |
KR101006435B1 (ko) * | 2003-09-01 | 2011-01-06 | 삼성전자주식회사 | 노광 마스크, 이를 포함하는 노광 장치 및 이를 이용한표시 장치용 표시판의 제조 방법 |
DE102004033350A1 (de) * | 2004-07-09 | 2006-02-09 | Infineon Technologies Ag | Verfahren zur Korrektur ortsabhängiger Linienbreiteschwankungen bei der Halbleiterherstellung sowie Vorrichtung zum Anwenden der Korrektur |
JP2006210814A (ja) * | 2005-01-31 | 2006-08-10 | Fujitsu Ltd | 露光システム及び露光方法 |
US8018573B2 (en) * | 2005-02-22 | 2011-09-13 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
US7443652B2 (en) | 2005-04-22 | 2008-10-28 | Cardiac Pacemakers, Inc. | Method and apparatus for connecting electrodes having apertures |
WO2007039272A1 (en) * | 2005-10-04 | 2007-04-12 | Carl Zeiss Smt Ag | Lithographic apparatus and method of controlling |
US7824842B2 (en) * | 2005-10-05 | 2010-11-02 | Asml Netherlands B.V. | Method of patterning a positive tone resist layer overlaying a lithographic substrate |
DE102005053651A1 (de) * | 2005-11-10 | 2007-05-16 | Zeiss Carl Smt Ag | Mikrolithographische Projektionsbelichtungsanlage sowie Verfahren zur Herstellung mikrostrukturierter Bauelemente |
US7488685B2 (en) | 2006-04-25 | 2009-02-10 | Micron Technology, Inc. | Process for improving critical dimension uniformity of integrated circuit arrays |
US7898662B2 (en) * | 2006-06-20 | 2011-03-01 | Asml Netherlands B.V. | Method and apparatus for angular-resolved spectroscopic lithography characterization |
JP2008026822A (ja) | 2006-07-25 | 2008-02-07 | Toshiba Corp | フォトマスクの製造方法及び半導体装置の製造方法 |
JP2009071193A (ja) * | 2007-09-14 | 2009-04-02 | Canon Inc | 露光装置及びデバイスの製造方法 |
NL1036108A1 (nl) * | 2007-11-09 | 2009-05-12 | Asml Netherlands Bv | Device Manufacturing Method and Lithographic Apparatus, and Computer Program Product. |
DE102008015631A1 (de) | 2008-03-20 | 2009-09-24 | Carl Zeiss Sms Gmbh | Verfahren und Vorrichtung zur Vermessung von Masken für die Photolithographie |
CN102203675B (zh) * | 2008-10-31 | 2014-02-26 | 卡尔蔡司Smt有限责任公司 | 用于euv微光刻的照明光学部件 |
US8767179B2 (en) * | 2009-12-15 | 2014-07-01 | Micron Technology, Inc. | Imaging methods in scanning photolithography and a scanning photolithography device used in printing an image of a reticle onto a photosensitive substrate |
NL2008285A (en) * | 2011-03-11 | 2012-09-12 | Asml Netherlands Bv | Method of controlling a lithographic apparatus, device manufacturing method, lithographic apparatus, computer program product and method of improving a mathematical model of a lithographic process. |
DE102011005881A1 (de) * | 2011-03-22 | 2012-05-03 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Verfahren zur Einstellung eines Beleuchtungssystems einer Projektionsbelichtungsanlage für die Projektionslithographie |
DE102012207377A1 (de) * | 2012-05-03 | 2013-11-07 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Beleuchtungsoptik sowie optisches System für die EUV-Projektionslithographie |
JP2014053510A (ja) * | 2012-09-07 | 2014-03-20 | Toshiba Corp | 端面加工方法及び端面加工装置 |
CN107003616B (zh) * | 2014-11-27 | 2021-11-30 | 卡尔蔡司Smt有限责任公司 | 包含多个单独可控的写入头的光刻设备 |
EP3339957B1 (en) * | 2016-12-20 | 2019-02-27 | GenISys GmbH | Process dose and process bias determination for beam lithography |
US10795268B2 (en) * | 2017-09-29 | 2020-10-06 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Method and apparatus for measuring overlay errors using overlay measurement patterns |
CN111929980B (zh) * | 2020-08-28 | 2024-05-17 | 上海华力微电子有限公司 | 增强二维图形opc模型精度的方法 |
Family Cites Families (25)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5208747A (en) * | 1988-04-07 | 1993-05-04 | John Wilson | Ultrasonic scanning method and apparatus for grading of live animals and animal carcases |
KR950004968B1 (ko) * | 1991-10-15 | 1995-05-16 | 가부시키가이샤 도시바 | 투영노광 장치 |
JPH05217855A (ja) | 1992-02-01 | 1993-08-27 | Nikon Corp | 露光用照明装置 |
US5329336A (en) | 1992-07-06 | 1994-07-12 | Nikon Corporation | Exposure method and apparatus |
JP2917704B2 (ja) | 1992-10-01 | 1999-07-12 | 日本電気株式会社 | 露光装置 |
US5383000A (en) | 1992-11-24 | 1995-01-17 | General Signal Corporation | Partial coherence varier for microlithographic system |
EP0614124A3 (en) * | 1993-02-01 | 1994-12-14 | Nippon Kogaku Kk | Exposure device. |
JPH06318542A (ja) * | 1993-05-07 | 1994-11-15 | Nikon Corp | 投影露光装置 |
US5677757A (en) * | 1994-03-29 | 1997-10-14 | Nikon Corporation | Projection exposure apparatus |
US5642183A (en) | 1993-08-27 | 1997-06-24 | Sharp Kabushiki Kaisha | Spatial filter used in a reduction-type projection printing apparatus |
KR0153796B1 (ko) | 1993-09-24 | 1998-11-16 | 사토 후미오 | 노광장치 및 노광방법 |
JPH07153674A (ja) * | 1993-11-30 | 1995-06-16 | Nec Corp | 縮小投影露光装置 |
US5684566A (en) | 1995-05-24 | 1997-11-04 | Svg Lithography Systems, Inc. | Illumination system and method employing a deformable mirror and diffractive optical elements |
US5631721A (en) | 1995-05-24 | 1997-05-20 | Svg Lithography Systems, Inc. | Hybrid illumination system for use in photolithography |
JP2800731B2 (ja) * | 1995-08-29 | 1998-09-21 | 株式会社ニコン | 走査露光方法、及び走査露光による回路素子製造方法 |
JPH09167735A (ja) * | 1995-12-15 | 1997-06-24 | Canon Inc | 投影露光装置及びそれを用いた半導体デバイスの製造方法 |
US6628370B1 (en) * | 1996-11-25 | 2003-09-30 | Mccullough Andrew W. | Illumination system with spatially controllable partial coherence compensating for line width variances in a photolithographic system |
US6259513B1 (en) * | 1996-11-25 | 2001-07-10 | Svg Lithography Systems, Inc. | Illumination system with spatially controllable partial coherence |
US6292255B1 (en) * | 1997-03-31 | 2001-09-18 | Svg Lithography Systems, Inc. | Dose correction for along scan linewidth variation |
US6013401A (en) * | 1997-03-31 | 2000-01-11 | Svg Lithography Systems, Inc. | Method of controlling illumination field to reduce line width variation |
EP0952491A3 (en) | 1998-04-21 | 2001-05-09 | Asm Lithography B.V. | Lithography apparatus |
US6208747B1 (en) * | 1998-12-01 | 2001-03-27 | Advanced Micro Devices Inc. | Determination of scanning error in scanner by reticle rotation |
KR100279004B1 (ko) * | 1999-02-08 | 2001-01-15 | 김영환 | 반도체 제조용 노광장치 |
KR100596490B1 (ko) * | 1999-06-16 | 2006-07-03 | 삼성전자주식회사 | 투영 노광 장치 |
US6573975B2 (en) * | 2001-04-04 | 2003-06-03 | Pradeep K. Govil | DUV scanner linewidth control by mask error factor compensation |
-
2001
- 2001-04-04 US US09/826,214 patent/US6573975B2/en not_active Expired - Fee Related
-
2002
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-
2003
- 2003-04-21 US US10/419,101 patent/US6922230B2/en not_active Expired - Fee Related
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US10816908B2 (en) | 2019-02-05 | 2020-10-27 | Toshiba Memory Corporation | Light-exposure method and light-exposure apparatus |
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