KR100563157B1 - 마스크 오차 인자 보상에 의한 ｄｕｖ 스캐너 선폭 제어 - Google Patents

마스크 오차 인자 보상에 의한 ｄｕｖ 스캐너 선폭 제어 Download PDF

Info

Publication number
KR100563157B1
KR100563157B1 KR1020020017200A KR20020017200A KR100563157B1 KR 100563157 B1 KR100563157 B1 KR 100563157B1 KR 1020020017200 A KR1020020017200 A KR 1020020017200A KR 20020017200 A KR20020017200 A KR 20020017200A KR 100563157 B1 KR100563157 B1 KR 100563157B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
reticle
linewidth
photosensitive substrate
printed
partial interference
Prior art date
Application number
KR1020020017200A
Other languages
English (en)
Other versions
KR20020077815A (ko
Inventor
고빌프라딥케이.
타코이언즈제임스
Original Assignee
에스브이지 리도그래피 시스템즈, 아이엔씨.
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 에스브이지 리도그래피 시스템즈, 아이엔씨. filed Critical 에스브이지 리도그래피 시스템즈, 아이엔씨.
Publication of KR20020077815A publication Critical patent/KR20020077815A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR100563157B1 publication Critical patent/KR100563157B1/ko

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/027—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70058—Mask illumination systems
    • G03F7/70066—Size and form of the illuminated area in the mask plane, e.g. reticle masking blades or blinds
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70058—Mask illumination systems
    • G03F7/70091—Illumination settings, i.e. intensity distribution in the pupil plane or angular distribution in the field plane; On-axis or off-axis settings, e.g. annular, dipole or quadrupole settings; Partial coherence control, i.e. sigma or numerical aperture [NA]
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70216—Mask projection systems
    • G03F7/70358—Scanning exposure, i.e. relative movement of patterned beam and workpiece during imaging
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70483—Information management; Active and passive control; Testing; Wafer monitoring, e.g. pattern monitoring
    • G03F7/7055—Exposure light control in all parts of the microlithographic apparatus, e.g. pulse length control or light interruption
    • G03F7/70558—Dose control, i.e. achievement of a desired dose
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70483—Information management; Active and passive control; Testing; Wafer monitoring, e.g. pattern monitoring
    • G03F7/70605—Workpiece metrology
    • G03F7/70616—Monitoring the printed patterns
    • G03F7/70625—Dimensions, e.g. line width, critical dimension [CD], profile, sidewall angle or edge roughness

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)

Abstract

인쇄 기판에서의 레티클 선폭 편차 및 마스크 오차 인자(MEF) 변경으로부터 초래되는 선폭 편차 및 바이어스는 서로 다른 공간 위치에서의 부분 간섭 및 노출 선량을 보정함으로써 제어된다. 감광 기판상에 레티클의 이미지를 투영하기 위한 포토리도그래피 장치에 있어서, 조절가능한 슬릿은 서로 다른 공간 위치에서 시스템의 부분 간섭 및 감광 기판에 의해 수광되는 노출 선량을 변경시키도록 부분 간섭 조절기와 결합하여 사용된다. 선폭 편차 및 수평 및 수직 또는 배향 바이어스는 레티클을 기준으로 하여 서로 다른 공간 위치에서 계산 또는 측정되며, 정확한 노출 선량 및 부분 간섭은 인쇄 기판상의 바이어스 및 선폭의 편차를 보상하도록 필요한 공간 위치에서 결정된다. 개선된 이미지 인쇄가 획득됨으로써, 결과적으로는 작은 특징 사이즈의 반도체 장치가 제조될 수 있으며 또한 높은 수율이 획득될 수 있다.

Description

마스크 오차 인자 보상에 의한 ＤＵＶ 스캐너 선폭 제어{DUV SCANNER LINEWIDTH CONTROL BY MASK ERROR FACTOR COMPENSATION}
도1은 본 발명의 한 실시예를 개략적으로 예시한 도면이다.
도2는 도1에 예시된 조절가능한 슬릿을 개략적으로 예시한 도면이다.
도2A는 도1에 예시된 부분 간섭 조절기를 개략적으로 예시한 도면이다.
도3A는 수직 특징을 갖는 레티클을 예시한 도면이다.
도3B는 수평 특징을 갖는 레티클을 예시한 도면이다.
도4A는 제1 방향으로 배향된 특징을 갖는 레티클을 예시한 도면이다.
도4B는 제2 방향으로 배향된 특징을 갖는 레티클을 예시한 도면이다.
도5는 기판상에 리도그래피 기법으로 생성된 라인들을 개략적으로 예시한 단면도이다.
도6은 리도그래피 기법으로 생성된 라인 일부의 가변 폭을 개략적으로 예시한 도면이다.
도7은 직교 라인 패턴을 개략적으로 예시한 평면도이다.
도8은 수평 바이어스를 갖는 인쇄 라인 패턴을 개략적으로 예시한 평면도이다.
도9는 수직 바이어스를 갖는 인쇄 라인 패턴을 개략적으로 예시한 평면도이 다.
도10은 서로 다른 라인 폭을 지닌 서로 다른 필드를 갖는 테스트용 레티클을 개략적으로 예시한 평면도이다.
도11은 한 슬릿사이의 서로 다른 위치를 개략적으로 예시한 평면도이다.
도12는 서로 다른 공간 위치에서 서로 다른 수평 특징을 갖는 레티클을 개략적으로 예시한 평면도이다.
도13은 서로 다른 공간 위치에서 서로 다른 수직 특징을 갖는 레티클을 개략적으로 예시한 평면도이다.
도14는 마스크 오차 인자를 예시한 그래프이다.
도15는 노출 선량을 조절하기 위한 본 발명의 한 실시예의 순차적인 단계들을 예시한 블록 다이어그램이다.
도16은 부분 간섭을 변경시킴으로써 수평 바이어스를 보정하기 위한 본 발명의 한 실시예의 순차적인 단계들을 예시한 블록 다이어그램이다.
발명의 분야
본 발명은 일반적으로는 포토리도그래피에 관한 것이며, 보다 구체적으로는 반도체 장치를 제조함에 있어서 인쇄되어 사용되는 이미지의 선폭 편차를 제어하는 노출 시스템에 관한 것이다.
발명의 배경
반도체를 제조함에 있어서, 레티클 또는 마스크의 이미지는 감광 기판 또는 웨이퍼상에 투영된다. 반도체 장치가 훨씬 더 소형화됨에 따라, 반도체 장치상에 인쇄되는 이미지의 특징 사이즈도 또한 작아지게 된다. 그러한 특징 사이즈가 축소됨에 따라, 감광 기판상에 이같은 작은 특징 사이즈들을 정확하게 이미지화하여 인쇄하기란 점차 어려워진다. 특징 사이즈들이 노출 파장의 수 분의 1에 접근하기 때문에, 정확한 이미지화는 종종 획득하기가 어렵다. 레티클상의 패턴의 정확한 인쇄 및 이미지의 화질을 결정하는 변수는 여러가지가 있다. 재생될 레티클의 라인들은 필드내의 특징 사이즈, 형태, 및 위치의 함수로서 변경될 수 있다. 이미지는 또한 이미지화되는 마스크 또는 레티클상의 특징의 배향 또는 방향의 함수로서 변경될 수 있다. 포토리도그래피 장치의 이미징 특성을 개량하여 이미지의 화질을 개선하고 일괄된 인쇄를 제공하려는 시도들은 많이 있었다. 그중 한 포토리도그래피 시스템이, 본원 명세서에 병합되어 있으며, 발명의 명칭이 "마이크로리도그래피 시스템용의 부분 간섭 가변 장치(Partial Coherence Varier For Microlithographic Systems)"이고, 1995년 1월 17일자 미칼로스키(Michaloski)와 그의 동료 명의로 특허 허여된 미국 특허 제5,383,000호에 개시되어 있다. 상기 미국 특허에는 미리 결정된 각으로 경사진 조명 단면을 얻기 위하여 조명 경로에서 광축을 따라 실제로 이동될 수 있는 조절가능한 프로파일러(profiler)를 이용하는 마이크로리도그래피 시스템이 개시되어 있다. 포토리도그래피 시스템에서 이미징을 개선시키기 위한 다른 장치가, 본원 명세서에 병합되어 있으며, 발명의 명칭이 "선폭 편차를 감소시키기 위해 조명 필드를 제어하는 방법(Method of Controlling Illumination Field To Reduce Linewidth Variation)"이고, 2000년 1월 11일자 맥컬락(McCullough)과 그의 동료 명의로 특허 허여된 미국 특허 제6,013,401호에 개시되어 있다. 상기 미국 특허에는 레티클의 스캐닝 노출시, 서로 다른 공간 위치에서의 노출 선량을 제어하기 위한 동적으로 조절가능한 슬릿이 개시되어 있다. 그러한 노출의 조절은 조명 필드의 스캔 방향과 수직인 방향으로 이행된다. 또 다른 포토리도그래피 시스템이, 본원 명세서에 병합되어 있으며, 발명의 명칭이 "스캔 방향에서의 선폭 편차 보정을 위한 선량 제어(Dose Control For Correcting Linewidth Variation In The Scan Direction)"이고, 1999년 1월 15일자 맥컬락(McCullough) 명의로 특허 출원된 미국 특허출원 제09/232,756호의 명세서에 개시되어 있다. 상기 특허 출원에서는 선폭 편차를 감소시키기 위하여 스캔 방향에서 거리의 함수로서 노출 선량을 변경시키기 위한 장치가 개시되어 있다. 지금까지는 이같은 포토리도그래피 시스템 및 노출 장치 및 방법이 감광 기판상에의 특징 인쇄 및 이미지의 화질을 개선시켜 왔지만, 특히 특징 사이즈가 감소됨에 따른 그 이상의 개선에 대한 필요성 및 보다 양호한 이미지의 화질 및 감광 기판상에의 이미지의 정확한 재생에 대한 필요성이 있다.
본 발명은, 위와 같은 필요성을 충족시키기 위하여, 감광 기판상에의 특징 인쇄를 개선하고, 마스크 오차 인자로부터 초래되는 특징 사이즈 편차를 보정하며, 레티클 선폭 편차를 보정하는 장치 및 방법을 제공하는 것이다.
본 발명은 스캔형 포토리도그래피 장치에서 선량 및 부분 간섭을 선택적으로 조절함으로써 필드상에의 인쇄된 특징 사이즈 편차를 보정하는 방법 및 장치에 관한 것이다. 스캔형 포토리도그래피 장치 또는 공구는, 스캐닝되는 조명 필드를 형성하고, 감광 기판상에 마스크 또는 레티클의 이미지를 투영하는 조명 소스를 포함한다. 조명 필드는 미리 결정된 공간 위치에서의 노출 선량을 변경시키도록 조절되며 조절가능한 어레이 광학 소자는 서로 다른 공간 위치에서 조명의 개구수를 선택적으로 변경함으로써, 시스템의 부분 간섭을 변경시킨다.
따라서, 본 발명의 제1 목적은 감광 기판상에의 특징 인쇄를 개선하는 것이다.
본 발명의 제2 목적은 마스크 오차 인자로부터 초래되는 특징 사이즈 편차를 보정하는 것이다.
본 발명의 제3 목적은 레티클 선폭 편차를 보정하는 것이다.
본 발명의 제1 이점은 인쇄될 서로 다른 특징을 수용하도록 용이하게 수정될 수 있다는 점이다.
본 발명의 제2 이점은 인쇄된 특징에서의 선폭 편차를 감소시킨다는 점이다.
본 발명의 제3 이점은 인쇄된 특징에서의 수평 및 수직 바이어스를 감소시킨다는 점이다.
본 발명의 제1 특징은 조절가능한 슬릿이 노출 선량을 변경시키는 데 사용된다는 점이다.
본 발명의 제2 특징은, 어레이 광학 소자가, 조명 개구수 및, 조명 필드내의 서로 다른 위치에서의 결과적으로 얻어진 부분 간섭을 변경시켜 레티클 특징 편차에 기인한 수평/수직 바이어스를 최소화시키는 데 사용된다는 점이다.
이들 및 기타 목적, 이점, 및 특징은 이하 본 발명의 바람직한 실시예에 대한 상세한 설명을 고려하면 용이하게 인식될 것이다.
실시예
도1은 본 발명의 포토리도그래피 장치를 개략적으로 예시한 것이다. 상부에 패턴을 갖는 마스크 또는 레티클(10)은 감광 기판 또는 웨이퍼(12)상에 이미지화된다. 마스크 또는 레티클(10)의 이미지는 투영 광학기기(14)를 통해 상기 기판(12)상에 투영된다. 조명 소스 또는 시스템(16)은 마스크 또는 레티클(10)의 이미지를 감광 기판(12)상에 투영시키는 데 사용된다. 부분 간섭 조절기 또는 어레이 광학 소자(18)는 슬롯 조명 필드를 따라 그리고 스캔 방향으로 조명의 사출(射出) 개구수를 선택적으로 변경시킴으로써 시스템의 부분 간섭을 조절한다. 조절가능한 슬릿 (20)은 조명 필드를 형성하며, 조명 필드는 상기 레티클(10)상에 스캐닝된다. 마스크 스테이지(22) 및 기판 스테이지(24)는 스테이지 제어기(26)에 의해 제어되어 동기식으로 이동됨으로써, 조절가능한 슬릿(20)에 의해 형성된 조명 필드는 감광 기판(12)상에 전체적인 레티클(10)의 이미지를 재생시키도록 전체적인 레티클(10)을 스캐닝한다. 마스크 또는 레티클 스테이지(22) 및 기판 스테이지(24)는 화살표(17)의 방향으로 이동한다. 조절가능한 슬릿(20)은 조절가능한 슬릿 제어기(28)에 의해 제어된다. 조절가능한 슬릿 제어기(28)는 노출 계산기(30) 및 데이터 저장 장치(32)에 연결되어 있다. 부분 간섭 조절기(18)는 부분 간섭 조절기용 제어기(33)에 연결되어 있다. 부분 간섭 조절기용 제어기(33)는 시스템의 부분 간섭에 대한 미리 결정된 조절값을 제공하도록 부분 간섭 조절기의 이동을 제어한다. 부분 간섭 조절기 또는 광학 소자(18)는, 본원 명세서에 전체적으로 병합되어 있으며, 발명의 명칭이 "포토리도그래피 시스템에서의 선폭 편차를 보상하는 공간적으로 제어가능한 부분 간섭 기능을 갖는 조명 시스템(Illumination System With Spatially Controllable Partial Coherence Compensating For Linewidth Variance In A Photolithographic System)"이고, 2000년 6월 22일자 맥컬락(McCullough)과 그의 동료 명의로 특허출원된 미국 특허출원 제09/599,383호에 개시된 광학 소자와 유사할 수 있다. 부분 간섭 조절기(18)는 또한, 선택된 서로 다른 부분들이 조명 필드내의 미리 결정된 위치에서 그리고 스캐닝하는 동안 조명의 부분 간섭을 제어하는 데 사용되는 그레이디언트 어레이(gradient array)일 수 있다. 그러한 부분 간섭 조절기는 부분 간섭을 생성시키기 위해 원하는 부분을 선택하도록 이동될 수 있거나 효율적으로는 광학 소자와 함께 이동될 수 있다. 시스템 제어기(35)는 스테이지 제어기(26), 부분 간섭 조절기용 제어기(33), 조절가능한 슬릿 제어기(28), 노출 계산기(30), 및 데이터 저장 장치(32)에 연결되어 있다.
도1에 예시된 본 발명의 실시예는 마스크 오차 인자로부터 초래되는 특징 사이즈 편차를 보정할 수 있다. 마스크 오차 인자가 레티클 특징 사이즈의 함수로서 변하는 경우, 마스크 오차 인자는 상기 특징 사이즈의 함수로서 인쇄된 특징의 편차를 야기시킨다. 그러한 마스크 오차 인자는 다음과 같은 식으로 정의될 수 있다.
마스크 오차 인자 = 이미지 축소 인자 ×웨이퍼 선폭의 변화/레티클 선폭의 변화
마스크 오차 인자가 1 또는 상수인 경우(마스크 오차 인자가 1 또는 상수인 것이 바람직함)에는, 선폭을 조절하도록 교정이 행해질 수 있다.
레티클 선폭은 레티클 면에서 측정되며 웨이퍼 선폭은 웨이퍼 면에서 측정된다. 마스크 오차 인자로 인해, 상기 선폭들이 서로 다른 특징 사이즈 및 특징 형태에 대하여 서로 다른 이미지 축소 인자들로 인쇄된다. 유용한 초점 깊이보다는 양호한 초점에서의 선폭 편차가 영향을 받는다. 본 발명은 슬롯 및 스캔 방향을 따라 노출 선량 및 부분 간섭을 조절함으로써 마스크 오차 인자의 효과를 감소 또는 제거한다. 그러므로, 일정한 특징 형태가 서로 다른 배향을 갖는 경우 일정한 초점 범위를 통한 선폭 제어 및 양호한 초점에서의 선폭 제어는 개선된다.
일정한 특징 형태 및 배향에 대한 마스크 오차 인자는, 슬롯을 따른 그러한 편차의 중요성에 기초하여 필요에 따라 슬롯을 따른 동수(同數)의 서로 다른 위치에서의 공중(空中;aerial) 이미지 측정 또는 리도그래피 측정으로부터 모델화되거나 또는 계산될 수 있다. 마스크 오차 인자는, 동공 필(pupil fill), 부분 간섭, 개구수와 같은 포토리도그래피 장치 또는 공구의 서로 다른 조건에 대하여, 그리고 특히, 축적된 선량, 웨이퍼에 대한 필드의 수, 배치(batch)에 대한 웨이퍼의 수와 같은 서로 다른 작용 조건에 대하여 측정될 수 있다. 일단 라인, 접점과 같은 레티클상의 특징이 특정되는 경우, 주요한 특성이 리도그래피 방식으로나 또는 공간 이미지 측정으로 측정될 수 있다. 공지되어 있는 공업 표준 모델링 또는 다른 등가의 모델링 기법을 이용한 소프트웨어 컴퓨터 시뮬레이션에 의한 모델링이 사용될 수 있다. 일반적으로, 레티클 특징으로부터 감광 기판 특징으로의 특징 사이즈 축소는 4:1과 같은 고정된 이미지 축소 인자를 갖는다. 그러나, 기타 축소 인자도 가능하여서 종종 사용되기도 한다. 그러나, 특징 사이즈가 명목상의 사이즈를 중심으로 하여 변함에 따라, 축소 인자도 변경될 수 있다. 명목상의 이미지 축소 인자로부터의 이탈은 인쇄된 필드 전반에 걸쳐 바람직하지 못한 선폭 편차를 야기시킨다. 그 결과, 레티클로부터의 특징 사이즈는 명목상의 이미지 축소 인자로 웨이퍼상에 일관되게 재생되지 않으며 명목상의 값을 중심으로 한 서로 다른 특징 사이즈에 대하여 서로 다르다. 그러나, 일단 명목상의 값을 중심으로 한 레티클 특징 사이즈 편차가 측정되면, 그러한 레티클 특징 사이즈 편차는 스캐닝 노출시 조명 필드내의 각각의 지점에서 노출 선량을 수정함으로써 보정될 수 있다. 이는 조절가능한 슬릿(20)의 사용에 의해 달성된다.
단위 선량 변경에 대한 레지스트 특성 및 선폭 편차를 알고 있는 경우, 필드 전반에 걸친 서로 다른 특징 사이즈에서의 서로 다른 마스크 오차 인자 효과를 길이 방향으로 슬롯을 따라 그리고 스캔 방향으로 보정하는 데 필요한 선량의 변경이 계산될 수 있다. 이같은 계산은 그후 인쇄된 선폭에 관한 마스크 오차 인자의 효과를 감소 또는 제거하도록 스캐닝시 선량을 수정하는 데 사용된다. 상기 기판 또는 웨이퍼상에의 인쇄된 선폭 오차 인자는 다음과 같은 식으로 계산될 수 있다.
인쇄된 웨이퍼 선폭의 변화 = [마스크 오차 인자 × 레티클 선폭의 변화]/명목상의 이미지 축소 인자
마스크 오차 인자가 상수인 경우; 즉, 마스크 오차 인자가 명목상의 값을 중심으로 한 레티클 특징 사이즈 편차에 따라 변하지 않는 경우, 마스크 오차 인자는 선량 교정 또는 배율 제어에 의해 보정될 수 있다. 마스크 오차 인자가 레티클상의 한 필드 위치에서 다른 한 필드 위치로 변할 때, 즉, 레티클 특징 사이즈가 명목상의 값을 중심으로 변경됨에 따라 마스크 오차 인자가 변경될 때, 마스크 오차 인자가 명목상의 선량 교정에 의해서는 보정될 수 없다. 이때, 선량은 레티클이 조절가능한 슬릿(20)에 의해 스캐닝됨에 따라 변경되어야 한다. 마스크 오차 인자 및 레티클 선폭을 알고 있는 경우, 레티클 보정 계산이 행해져서 장치의 제조 및 특성화를 위한 공구 사용시 적용될 수 있다. 마스크 오차 인자가 다른 특징 형태에 대하여 동일한 경우, 서로 다른 배향이 유사한 특징 치수를 갖는다고 가정하면, 조절가능한 슬릿으로 보정이 한번의 노출로 행해질 수 있다. 선량 보정은 레티클상의 각각의 필드 위치에서 계산된다. 레티클 선폭 편차 보정 계산은 다음과 같이 행해질 수 있다:
MEF = m[ΔCD웨이퍼/ΔCD레티클]
MEF는 마스크 오차 인자(Mask Error Factor)이며 각각의 필드 위치에서의 마스크 선폭용으로 정의된다. 전형적으로는, MEF는 1과 동일하다.
m은 명목상의 이미지 축소 인자(Nominal Image Reduction Factor) 또는 NIRF이다.
그러므로,
[ΔCD레티클H × MEFH]/m = ΔCD웨이퍼H = 예측된 웨이퍼상의 수평 선폭
[ΔCD레티클V × MEFV]/m = ΔCD웨이퍼V = 예측된 웨이퍼상의 수직 선폭
필드내의 임의로 주어진 위치에서 MEFH
Figure 112002009335129-pat00002
MEFV = MEF인 경우,
ΔCD웨이퍼 = (ΔCD웨이퍼H + ΔCD웨이퍼V)/2 = MEF[ΔCD레티클H + ΔCD레티클V]/2M
선택적으로는, MEFH가 MEFV와 동일하지 않은 경우,
ΔCD웨이퍼 = [(ΔCD레티클H)MEFH + (ΔCD레티클V)MEFV ]/2M
Δ선량 보정 = ΔCD웨이퍼/선량 감도
Δ선량 보정은 노출 필드내의 각각의 위치에서 계산된다.
그러나, 평균 선폭이 위에 표시된 바와 같이 보정된 후에 잔류 수평/수직 바이어스가 존재하는 경우, 즉, (a) 수평 특징이 동일한 위치에 있는 수직 특징과는 다르게 이미지화되거나, 또는 (b) 수평 특징이 레티클상의 수직 특징 사이즈와는 다른 경우, 마스크 오차 인자는 서로 다른 공간 위치에서의 부분 간섭을 조명 슬롯을 따르는 방향으로 및 스캔의 방향으로 수정함으로써 부분 간섭 조절기 또는 어레이 광학 소자(18)로 제어될 수 있다. 선택적으로는, 서로 다른 배향을 갖는 특징이, 선량이 독립적으로 배치된 조절가능한 슬릿(20)에 의해 제어되면서 개별 노출로 인쇄되도록 다중 노출이 이용될 수 있다.
선폭 편차는 레티클상의 각각의 위치에서 수평 및 수직 특징 사이즈 바이어스를 계산함으로써 그리고 마스크 오차 인자 제어기를 사용함으로써 보정될 수 있다. 측정에 의하든, 모델링에 의하든, 인쇄된 수평 특징 및 인쇄된 수직 특징은 웨 이퍼 면에서 계산될 수 있다. 수평 및 수직 바이어스도 또한 웨이퍼 면에서 계산될 수 있다. 수평 및 수직 바이어스를 보정하는 데 필요한 부분 간섭의 분산 (variance)은 당업계에 공지된 기법으로 그리고 용이하게 입수가능한 상업용 소프트웨어의 도움으로 계산될 수 있다. 이때, 광학 소자(18)는 수평 및 수직 바이어스를 보상하도록 슬릿 필드내의 각각의 공간 위치에서 부분 간섭을 변경시키는 데 이용된다. 일단 공간 위치에서의 부분 간섭이 결정되는 경우, 부분 간섭 조절기 또는 광학 소자(18)에 의해 제공되는 바와 같은 부분 간섭 보정이 행해질 수 있다.
따라서, 본 발명은 평균 레티클 선폭 편차를 보정할 수도 있고, 수평 및 수직 바이어스 편차를 보정할 수도 있으며, 평균 레티클 선폭 편차 및 수평 및 수직 바이어스 편차 모두를 보정할 수도 있고, 수평 선폭 편차만을 보정할 수도 있으며, 수직 선폭 편차만을 보정할 수도 있도록 이용될 수 있다.
도2는 도1에 예시된 조절가능한 슬릿(20)을 개략적으로 예시한 것이다. 조명 필드(40)는 조절가능한 등고선(36)을 생성시키는 조명 조절기(38)에 의해 생성된다. 조절가능한 등고선(36)은, 서로 다른 길이 방향의 위치에서 조명 필드의 폭을 조절하도록 조명 조절기(38)에서 실질적으로 직사각형인 조명 필드의 부분들을 차단한다. 그러므로, 조명 필드(40)는 최대 폭(Wmax) 또는 최소 폭(Wmin)을 갖는다. 조절가능한 등고선 드라이브(drive;34)는 조절가능한 등고선(36)을 조절한다. 조절가능한 등고선 드라이브(34)는 조절가능한 슬릿 제어기(28)에 의해 제어된다.
작동에 있어서, 조절가능한 슬릿(20)은 도1에 예시된 감광 기판(12)에 의해 수광되는 노출 선량을 수정한다. 실질적으로 직사각형인 조명 필드(40)는 감광 기판상에 레티클(10)의 이미지를 투영하도록 화살표(42)의 방향으로 스캐닝된다. 레티클(10)은 레티클 스테이지(22)내에 유지되며 스테이지 제어기(26)에 의해 구동되어, 조명 필드(40)를 스캐닝한다. 조명 필드(40)가 레티클(10) 전반에 걸쳐 스캐닝됨에 따라, 조절가능한 슬릿 제어기(28)는 조절가능한 등고선 드라이브(34)를 제어하고, 이로 인해 조명 조절기(38)는 조절가능한 등고선(36)을 변경한다. 노출 계산기(30)는 조절가능한 슬릿 제어기에 연결되어 있으며 정확한 노출 선량을 결정하는 데 사용된다. 데이터 저장 장치(32)는 원하는 선폭 변경을 획득하는 데 필요한 노출 선량에 관한 데이터를 저장한다.
도2A는 도1에 예시된 광학 어레이 소자 또는 부분 간섭 조절기(18)를 개략적으로 예시한 것이다. 부분 간섭 조절기 또는 어레이 광학 소자(18)는 조명 필드를 형성하는 데 사용되는 조명 소스의 사출 개구수를 변경시키는 데 사용된다. 이는 다시 부분 간섭을 변경시키는 데, 이러한 부분 간섭은 투영 광학 시스템의 개구수에 의해 나누어진 조명 광학 시스템의 개구수에 의해 형성된 비율로서 정의된다. 부분 간섭 조절기(18)는 다수의 영역(19)으로부터 형성된다. 각각의 영역(19)은 미리 결정된 방식으로 조명의 사출 개구수 또는 원추체(cone)를 수정하는 하나의 렌즈 또는 다수의 렌즈로 만들어질 수 있다. 다른 영역(19)들은 또한 개별적이라기 보다는 오히려 연속적이거나 계조 형태를 이룰 수 있다. 부분 간섭 조절기 또는 어레이 광학 소자(18)는, 미리 결정된 부분 간섭을 제공하도록 레티클의 일부를 선택할 수 있다는 점에서 동적이다. 그러므로, 부분 간섭 변경은 인쇄된 이미지에 대하 여 행해질 조절에 의존하여 조명 필드내의 임의의 미리 선택된 지점에서 행해질 수 있다.
부분 간섭 조절기(18)는 고정될 수 있으며 원하는 영역(19)들은 영역 선택기 (18A)에 의해 광학적으로 선택될 수 있다. 즉, 다른 광학 소자는 원하는 부분 간섭을 형성하기 위한 조명을 제공하도록 원하는 영역(19)들에 인접하여 배치될 수 있다. 영역 선택기(18A)는 가동 미러, 프리즘, 광섬유 소자, 조절가능한 슬롯 또는 슬릿, 또는 기타 공지된 광학 소자 또는 장치로 구성될 수 있다.
도3A 및 도3B는 서로 다른 특징 형태를 갖는 레티클을 개략적으로 예시한 것이다. 레티클(110A)은 수직 특징 형태(111A)를 지니며, 레티클(110B)은 수평 특징 형태(111B)를 지닌다.
도4A 및 도4B는 기타 서로 다른 특징 형태를 갖는 레티클을 예시한 것이다. 도4A에서, 레티클(110C)은 상부에 제1 특징 형태(111C)를 갖는다. 도4B에서, 레티클(110D)은 상부에 제2 특징 형태(111D)를 갖는다. 제1 및 제2 특징 형태(111C, 111D)는 레티클 배향에 대하여 서로 다른 각도로 배향될 수 있다. 서로 다른 레티클상에 제공되는 다수의 특징 형태가 존재한다는 점이 인식되어야 한다. 도3A-도3B 및 도4A-도4B에 예시된 특징 형태는 서로 다른 특징 형태의 서로 다른 배향을 예시한 것이다. 여러 특징 형태들은 주로 서로에 대하여 수평 및 수직 형태를 이루거나 또는 직교 형태를 이루고 있다. 또한, 특징 형태들은 격리 및/또는 그룹 특징을 포함할 수 있다. 기타의 예들은 라인, 접점, 및 반도체 장치를 제조하기 위한 포토리도그래피에서 사용되는 기타 공지된 특징들을 포함한다.
도5는 리도그래피 기법으로 제조된 반도체 장치의 일부에 대한 단면을 개략적으로 예시한 것이다. 기판(112)상에는 제1 라인(112A) 및 제2 라인(112B)이 배치되어 있다. 단지 하나의 층만이 예시되어 있지만, 전형적으로는 여러 서로 다른 층들이 제조되는 반도체 장치에 의존하여 이용된다. 제1 라인(112A)은 측면의 폭(W) 및 인접 라인들(112A,112B)사이의 스페이스를 갖는다. 그러나, 선폭이라는 용어는 또한 인접 라인들(112A,112B)사이의 스페이스를 나타내는 데에도 사용될 수 있다.
도6은 도5에 예시된 라인들과 유사한 수직 라인들(115A,115B,115C) 및 수평 라인들(113A,113B,113C)의 평면도이다. 라인들(115A-115C,113A-113C)은 감광 기판상에 투영된 슬롯을 따라 여러 위치들에 인쇄된다. 라인들(115A-115C,113A-113C)은 대체로 서로에 대하여 직교 형태를 이루고는 있지만, 서로 다른 배향을 지닐 수 있다. 부가해서, 선폭은 레티클의 선폭을 정확하게 반영하고, 이러한 레티클의 선폭은 감광 기판상에 이미지화된다. 그러나, 노출 파장의 정도나 또는 그 보다 작은 노출 파장의 극히 작은 파장으로써는, 서로 다른 포토리도그래피 파라미터 또는 변수 때문에 레티클상의 선폭으로부터 이탈하지 않는 선폭 뿐만 아니라 슬롯을 가로지르는 동일한 선폭을 획득하기가 종종 극히 어렵다. 따라서, 선폭은 감광 기판상에 투영되는 슬롯을 따른 서로 다른 길이 방향의 위치에서 서로 다른 폭 (W'V,W''V,W'''V,W'H,W''H,W'''H)을 지닐 수 있다. 본 발명은, 도1 및 도2에 예시된 조절가능한 슬릿(20)으로 선량을 제어함으로써, 특히 특징 사이즈 및 위치의 함수로서, 선폭의 편차를 감소시킨다.
부가해서, 레티클 제조의 결과로서 선폭의 오차 또는 편차가 존재할 수 있다. 본 발명은, 슬롯을 따른 노출 필드내의 서로 다른 위치에서 노출 선량 및 부분 간섭을 선택적으로 제어함으로써, 레티클 제조 오차를 보정할 수 있다. 그러므로, 비록 레티클상의 선폭 오차가 레티클 제조시 생긴다 하더라도 설계되거나 의도된 선폭이 인쇄될 수 있다. 이같은 본 발명의 특징은 또한 필요한 레티클 제조 공차를 감소시킴으로써, 레티클 생산의 제조 비용을 실질적으로 감소시킨다. 예를 들면, 감소된 제조 공차를 갖는 레티클은 감소된 비용으로 만들어질 수 있거나 또는 서로 다른 위치에서의 특정의 치수 오차를 갖는 레티클이 여전히 사용될 수 있다. 재생될 레티클 이미지의 비례 치수로부터의 이탈은 본 발명에 의해 보상되기 때문에, 결과적으로는 원하는 이미지가 재생될 수 있다. 비례 치수라 함은 레티클의 이미지가 1보다는 작은 축소 인자 또는 배율로, 예를 들면 4:1 축소 비율로 축소될 수 있다는 것을 의미한다. 그러므로, 비록 레티클이 감소된 제조 공차를 갖는다 하더라도, 원하는 이미지가 여전히 재생될 수 있다.
도7-도9는 직교 선폭을 인쇄함에 있어서의 수평 및 수직 바이어스의 효과를 예시한 것이다. 수평 및 수직 바이어스는 2개의 수평 및 수직 배향사이에서의 선폭의 편차를 나타낸다는 점이 인식되어야 한다. 기타 배향의 바이어스가 또한 적용될 수 있다. 도7은 WH의 폭을 갖는 수평 라인(212H) 및 WV의 폭을 갖는 수직 라인(212V)을 예시한 것이다. 폭(WH)은 실질적으로 폭(WV)과 동일하다. 도8은 포토리도그래피 시스템이 필드내의 특정 위치에서 수평 바이어스를 갖는, 도7에 예시된 라인 패턴의 인쇄를 예시한 것이다. 수평 바이어스로 인해, 수평 라인(212H')은 변경된 인쇄 선폭(WH')을 지니고, 수직 라인(212V)은 도7에서 라인 패턴으로 예시된 것과 실질적으로 동일한 선폭(WV)을 갖는다. 마찬가지로, 도9는 포토리도그래피 시스템이 필드내의 특정 위치에서 수직 바이어스를 갖는, 도7에 예시된 라인 패턴의 인쇄를 예시한 것이다. 수직 바이어스로 인해, 수직 라인(212V')은 변경된 인쇄된 선폭(WV')을 지니고, 수평 라인(212H)은 도7에서 라인 패턴으로 예시된 것과 실질적으로 동일한 선폭(WH)을 지닌다. 포토리도그래피 시스템은 단일 위치에서 폭이 넓은 포지티브(positive) 선폭 바이어스, 폭이 좁은 네가티브(negative) 선폭 바이어스 또는 수평 및 수직 바이어스가 모두 결합된 바이어스를 지닐 수 있다. 이러한 수평 및 수직 바이어스는 포토리도그래픽 시스템의 필드 내에서 공간적으로 변경될 수 있으며 각각의 시스템 마다 서로 다를 수 있다.
이러한 수평 및 수직 바이어스는, 포토리도그래피 시스템의 기타 이미징 특성과 함께, 포토리도그래피 시스템의 기호(signature)로서 종종 언급된다. 포토리도그래피 시스템의 기호는 또한 이미징용으로 사용되는 레티클의 특성을 포함할 수 있다. 레티클에 의해 그리고 마스크 오차 인자로부터 도입되는 수평/수직 바이어스를 보상함에 있어서, 본 발명은, 조명의 부분 간섭 또는 필 구조를 수정하여 레티클의 이미지를 정확하게 인쇄하는 데 필요한 서로 다른 위치에서 수평 및 수직 바이어스를 보상하도록 도1 및 도2A에 예시된 어레이 광학 소자(18)를 이용한다.
도10은 라인 패턴 부분(311)의 다수의 m 행 및 n 열을 갖는 테스트용 레티클 (310)을 개략적으로 예시한 것이다. 라인 패턴 부분(311)은 다수의 서로 다른 선폭 간격 및 배향을 갖는다. 라인 패턴 부분(311) 각각은 테스트용 레티클(310)상에 어레이 구조로 배치된다. 테스트용 레티클(310)은 명목상의 사이즈를 중심으로 한 일정한 특징 형태 및 사이즈에 대하여 슬롯을 따른 서로 다른 위치에서 포토리도그래피 시스템 또는 공구 마스크 오차 인자를 결정하도록 실제 인쇄 측정값을 획득하는 데 이용된다.
도11은 슬롯 필드(320)의 길이 방향의 길이를 따라 해당 라인 패턴 부분(311)들을 갖는 슬롯 또는 슬릿 필드의 사용을 예시한 것이다. 라인 패턴 부분 또는 그룹 특징은 (a) 일정한 피치에 대한 가변 선폭 또는 (b) 1:1 라인/간격 듀티 사이클을 갖는 가변 선폭(즉, 가변 피치)로 구성될 수 있다. 슬롯 또는 슬릿 필드는 도10에 예시된 레티클(310) 전반에 걸쳐 스캐닝된다. 이때, 실제 공구 마스크 오차 인자는 슬릿 필드(320)를 따른 여러 길이 방향의 위치에서 결정된다. 이러한 정보는, 선폭 편차 또는 어느 한 수평/수직 바이어스를 보정함에 있어서 조절가능한 슬릿에 의해 제공되는 적절한 노출 선량 및 어레이 광학 소자에 의해 제공되는 부분 간섭을 결정하는 데 이용된다.
이러한 포맷 또는 방법의 이용은 일정한 슬롯 위치에 대하여 스캔에 따른 다중 위치에서 유용하다. 이는 스캔 기호 및 또한 일정한 특징 형태 및 사이즈에 대한 평가 및 보정을 허용한다.
도12는 레티클(410H)상의 서로 다른 공간 위치에 배치된 서로 다른 수평 특징 사이즈를 그래프 방식으로 또는 도식적으로 예시한 것이다.
도13은 레티클(410V)상의 서로 다른 공간 위치에 배치된 서로 다른 수직 특징 사이즈를 그래프 방식으로 또는 도식적으로 예시한 것이다.
서로 다른 수평 및 수직 특징 사이즈는 단일의 레티클의 특징내에 종종 결합된다. 도12 및 도13은 수평 및 수직 성분을 갖는 서로 다른 특징을 예시하도록 의도된 것이다.
도14는 마스크 오차 인자를 예시하는 그래프이다. 점선(50)은 기울기가 1인 것을 나타내며, 이러한 기울기는 레티클 임계 치수가 웨이퍼 임계 치수와 동일하여 결과적으로는 노출시 필요한 마스크 오차 인자 관련 보정이 전혀 필요하지 않다는 것을 나타낸다. 라인(52)은 기판 또는 웨이퍼상에 재생된 특징이 레티클로부터 재생된 특징에 대하여 사이즈가 큰 경우 비교적 작은 특징에 대한 마스크 오차 인자를 나타낸다. 라인(54)은 기판 또는 웨이퍼상에 재생된 특징이 레티클로부터 재생된 특징에 대하여 사이즈가 작은 경우 비교적 작은 특징에 대한 마스크 오차 인자를 나타낸다. 마스크 오차 인자는 특징 사이즈가 작아짐에 따라 실질적으로 증가한다는 점에 유념하여야 한다. 따라서, 본 발명은, 마스크 오차 인자 및 관련 이미징 문제를 보정함에 있어서, 특징 사이즈가 일정한 공학 노드(technology node)용으로 작아짐에 따라 훨씬 더 중요해진다.
도15는 본 발명의 한 실시예의 순차적인 단계들을 예시한 블록 다이어그램이다. 도15는 선폭 편차를 감소시키도록 노출 선량을 보정하는 데 이용된 순차적인 단계들을 예시한 것이다. 박스(510)는 명목상의 특징 사이즈 및 형태로부터 레티클 선폭 편차를 측정하는 단계를 나타낸 것이다. 박스(512)는 서로 다른 배향에 대한 각각의 공간 위치에서 예측된 웨이퍼 또는 인쇄된 선폭 편차를 계산하는 단계를 나타낸 것이다. 이러한 계산은 다음과 같은 식을 이용하여 달성될 수 있다:
[ΔCD레티클H × MEFH]/m = ΔCD웨이퍼H = 웨이퍼에서의 예측된 수평 선폭
[ΔCD레티클V × MEFV]/m = ΔCD웨이퍼V = 웨이퍼에서의 예측된 수직 선폭
박스(514)는 평균 인쇄 웨이퍼 선폭을 예측하는 단계를 나타낸 것이다. 이는 다음과 같은 식에 의해 행해질 수 있다:
ΔCD웨이퍼 = (ΔCD웨이퍼H + ΔCD웨이퍼V)/2
상기 식중, ΔCD웨이퍼는 수평 및 수직 선폭의 평균이다.
박스(516)는 각각의 공간 위치에서의 선량 보정을 계산하는 단계를 나타낸 것이다. 이는 다음과 같은 식에 의해 달성될 수 있다:
Δ선량 보정 = CD웨이퍼/선량 감도
선량 보정은 일정한 특징, 레지스트 및 형태를 대상으로 한다.
박스(518)는 각각의 공간 위치에서 조절가능한 슬릿으로 선량을 조절하는 순차적인 단계를 나타낸 것이다. 이때, 이같은 단계는 이전의 순차적인 단계로부터의 계산을 기초로 하여 선폭의 감소된 편차를 획득하도록 노출 선량을 보상 또는 보정한다.
도16은 본 발명의 한 실시예를 예시하는 블록 다이어그램이다. 도16은 수평 및 수직 바이어스를 보상하도록 조명의 부분 간섭을 수정하는 데 이용되는 순차적인 단계 또는 작용을 나타낸 것이다. 박스(610)는 레티클상의 각각의 공간 위치에서 수평/수직 바이어스를 계산하는 순차적인 단계 또는 작용을 나타낸 것이다. 박스(612)는 마스크 오차 인자를 사용하여 인쇄된 수평/수직 바이어스를 예측하는 단계 또는 작용을 나타낸 것이다. 수평 및 수직 바이어스는 계산 또는 모델링을 기초로 하여 측정되거나 획득될 수 있다. 박스(614)는 수평 및 수직 바이어스를 보정하는 데 필요한 부분 간섭 편차를 계산하는 순차적인 단계를 나타낸 것이다. 이는 여러 계산 방법 또는 프롤리스(Prolith) 소프트웨어와 같은 상업적으로 입수가능한 소프트웨어를 사용함으로써 행해질 수 있다. 박스(616)는 수평/수직 바이어스에 대한 필요한 보정을 이루기 위해 필요한 부분 간섭 변경 또는 편차의 계산을 기초로 하여 각각의 공간 위치에서 부분 간섭을 변경시키는 순차적인 단계를 나타낸 것이다. 조명 소스와 관련된 어레이 광학 소자를 수정 또는 변경함으로써, 이같은 것이 달성될 수 있다. 어레이 광학 요소는 또한 도2A에 예시된 바와 같은 평면에서 동적이거나 가동될 수 있다.
도15 및 도16에 예시된 방법을 조합시킴으로써, 개선된 인쇄가 획득될 수 있다. 따라서, 서로 다른 공간 위치에서의 선량 및 서로 다른 공간 위치에서의 부분 간섭을 보정함으로써, 선폭 편차는, 수평 및 수직 바이어스와 함께 보상될 수 있다. 그러므로, 본 발명은 화질 및 수율을 개선하도록 반도체 제조에 사용되는 포토리도그래피 장치와 함께 이용되는 장치 및 방법을 제공한다. 본 발명은 현재의 기술을 사용하여 가능하지 않거나 또는 용이하게 획득될 수 없는 작은 특징 또는 요소의 이미지화 및 인쇄를 허용한다. 그러므로, 본 발명은 포토리도그래피 기법과 그와 관련된 반도체 제조를 향상시킨다.
수평 및 수직 바이어스라는 용어는 배향 차이의 결과로서의 인쇄된 선폭의 변화를 의미하는 데 사용된다. 선폭이 전형적으로는 서로에 대해 수직이지만, 수평 또는 수직 선폭은 어느 상관적인 배향을 지닐 수 있다. 그러므로, 수평 및 수직 바이어스라는 용어는 배향 바이어스와 교환가능하게 사용될 수 있다.
지금까지 바람직한 실시예가 예시되고 기재되었지만, 당업자라면 본 발명의 정신 및 범위로부터 벗어나지 않고서도 여러가지 변형이 행해질 수 있다는 점이 인식될 것이다.
본 발명은 조절가능한 슬릿이 노출 선량을 변경시키는 데 사용되고 어레이 광학 소자가, 조명 개구수, 및 조명 필드내의 서로 다른 위치에서의 결과적으로 얻어진 부분 간섭을 변경시켜 레티클 특징 편차에 기인한 수평/수직 바이어스를 최소화시키는 데 사용됨으로써, 감광 기판상에의 특징 인쇄를 개선하고 마스크 오차 인자로부터 초래되는 특징 사이즈 편차를 보정하며 레티클 선폭 편차를 보정할 수 있으며, 인쇄될 서로 다른 특징을 수광하도록 용이하게 수정될 수 있고 인쇄된 특징에서의 선폭 편차를 감소시킬 수 있으며 인쇄된 특징에서의 수평 및 수직 바이어스를 감소시킬 수 있다.

Claims (22)

  1. 포토리도그래픽 장치에 있어서,
    조명 소스;
    상기 조명 소스로부터의 전자 방사선을 수광하는 부분 간섭 조절기;
    상기 조명 소스로부터의 전자 방서선을 수광하는 조절가능한 슬릿;
    상부에 레티클을 유지하기에 적합한 레티클 스테이지;
    상부에 감광 기판을 유지하기에 적합한 기판 스테이지; 및
    상기 레티클 스테이지 및 상기 기판 스테이지사이에 배치되어 있으며, 상기 감광 기판상에 상기 레티클의 이미지를 투영하는 투영 광학기기
    를 포함하여, 상기 기판에 의해 수광된 전자 방사선의 선량이 상기 조절가능한 슬릿에 의해 변경되고 조명의 부분 간섭이 상기 부분 간섭 조절기에 의해 수정되어 결과적으로는 선폭 편차 및 배향 바이어스가 제어되는 것을 특징으로 하는 포토리도그래피 장치.
  2. 제1항에 있어서, 상기 부분 간섭 조절기는 어레이 광학 소자를 포함하는 것을 특징으로 하는 포토리도그래피 장치.
  3. 제2항에 있어서, 상기 포토리도그래피 장치는 상기 어레이 광학 소자와 결합된 영역 선택기를 더 포함함으로써, 부분 간섭 변경이 미리 결정된 공간 위치에서 행해질 수 있는 것을 특징으로 하는 포토리도그래피 장치.
  4. 제2항에 있어서, 상기 어레이 광학 어레이는 다수의 사출 개구수 수정 영역을 갖는 것을 특징으로 하는 포토리도그래피 장치.
  5. 감광 기판상에 레티클의 이미지를 인쇄하는 데 사용되는 스캔형 포토리도그래피 장치에 있어서,
    조명 소스;
    상기 조명 소스로부터의 전자 방사선을 수광하도록 배치된 다수의 사출 개구수 수정 영역을 갖는 어레이 광학 소자;
    상기 어레이 광학 소자로 부터 사출된 전자 방사선을 수광하는 조절가능한 슬릿;
    상부에 레티클을 유지하기에 적합한 레티클 스테이지;
    상부에 감광 기판을 유지하기에 적합한 기판 스테이지;
    상기 레티클 스테이지 및 상기 기판 스테이지사이에 배치되어 있으며, 상기 감광 기판상에 상기 레티클의 이미지를 투영하는 투영 광학기기;
    상기 레티클 스테이지 및 상기 기판 스테이지에 결합된 스테이지용 제어기; 및
    상기 조절가능한 슬릿에 결합된 조절가능한 슬릿 제어기
    를 포함하여, 상기 감광 기판에 의해 수광된 전자 방사선의 선량이 상기 조절가능한 슬릿에 의해 변경되고 상기 어레이 광학 소자가 사출 개구수를 수정하여, 결과 적으로는 선폭 편차 및 배향 바이어스가 제어되는 것을 특징으로 하는, 감광 기판상에 레티클의 이미지를 인쇄하는 데 사용되는 스캔형 포토리도그래피 장치.
  6. 제5항에 있어서, 상기 스캔형 포토리도그래피 장치는 상기 어레이 광학 소자와 결합되어, 미리 결정된 공간 위치에서 사출 개구수 및 결과적인 부분 간섭을 변경시키는 영역 선택기를 더 포함하는 것을 특징으로 하는, 감광 기판상에 레티클의 이미지를 인쇄하는 데 사용되는 스캔형 포토리도그래피 장치.
  7. 제5항에 있어서, 상기 조절가능한 슬릿은 길이 방향의 길이를 따라 가변 폭을 갖는 것을 특징으로 하는, 감광 기판상에 레티클의 이미지를 인쇄하는 데 사용되는 스캔형 포토리도그래피 장치.
  8. 제5항에 있어서, 상기 스캔형 포토리도그래피 장치는 서로 다른 선폭 및 배향의 라인들이 공간적으로 배치되어 있는 다수의 라인 패턴 부분을 갖는 테스트용 레티클을 더 포함하여, 인쇄 기판상의 배향 바이어스 및 선폭의 편차의 위치가 결정될 수 있는 것을 특징으로 하는, 감광 기판상에 레티클의 이미지를 인쇄하는 데 사용되는 스캔형 포토리도그래피 장치.
  9. 제5항에 있어서, 스캔형 포토리도그래피 장치는 감광 기판과 결합되어, 제조시 감광 기판상의 배향 바이어스 및 선폭 편차를 결정하는 수단을 더 포함하는 것을 특징으로 하는, 감광 기판상에 레티클의 이미지를 인쇄하는 데 사용되는 스캔형 포토리도그래피 장치.
  10. 감광 기판상에 레티클의 이미지를 인쇄하는 데 사용되는 스캔형 포토리도그래피 장치에 있어서,
    조명 필드를 제공하는 조명 소스;
    상기 조명 소스로부터의 전자 방사선을 수광하도록 배치되어, 상기 조명 필드내의 서로 다른 공간 위치에서 부분 간섭을 변경시키는 수단;
    다수의 배향 바이어스 위치에서 레티클에 대한 인쇄된 필드내의 배향 바이어스의 편차를 결정하는 수단;
    상기 배향 바이어스의 편차를 결정하는 수단에 결합되어, 인쇄된 필드내의 배향 바이어스를 감소시키도록 다수의 배향 바이어스 위치 각각에서 부분 간섭 보정을 계산하는 수단;
    상기 부분 간섭을 변경시키는 수단에 결합되어, 부분 간섭 보정을 기초로 하여 다수의 배향 바이어스 위치 각각에서 부분 간섭을 조절하는 수단;
    상기 조명 소스로부터의 전자 방사선을 수광하도록 배치되어, 감광 기판상의 서로 다른 공간 위치에서 노출 선량을 변경시키는 수단;
    다수의 선폭 편차 위치에서 레티클에 대한 인쇄된 필드내의 선폭의 편차를 결정하는 수단;
    상기 선폭의 편차를 결정하는 수단에 결합되어, 인쇄된 필드내의 선폭 편차를 감소시키도록 다수의 선폭 편차 위치 각각에서의 노출 선량 보정을 계산하는 수단;
    상기 노출 선량을 변경시키는 수단에 결합되어, 노출 선량 보정을 기초로 다수의 선폭 편차 위치 각각에서 노출 선량을 조절하는 수단;
    상부에 레티클을 유지하기에 적합한 레티클 스테이지;
    상부에 감광 기판을 유지하기에 적합한 기판 스테이지;
    상기 레티클 스테이지 및 상기 기판 스테이지사이에 배치되어 있으며, 감광 기판상에 레티클의 이미지를 투영하는 투영 광학기기; 및
    상기 레티클 스테이지 및 상기 기판 스테이지에 결합되어, 상기 레티클 스테이지 및 상기 기판 스테이지를 동기식으로 스캐닝하는 수단
    을 포함하여, 상기 기판에 의해 수광된 전자 방사선이 변경됨으로써, 결과적으로는 인쇄 기판상의 선폭 편차 및 배향 바이어스가 제어되는 것을 특징으로 하는, 감광 기판상에 레티클의 이미지를 인쇄하는 데 사용되는 스캔형 포토리도그래피 장치.
  11. 감광 기판상에 레티클의 이미지를 인쇄하는 데 사용되는 스캔형 포토리도그래피 장치에 있어서,
    조명 소스;
    상기 조명 소스로부터의 전자 방사선을 수광하고 레티클상의 미리 결정된 위치에서 선택된 부분 간섭을 제공하도록 배치된 다수의 사출 개구수 변경 영역을 갖는 어레이 광학 소자;
    상기 어레이 광학 소자와 결합되어 있으며, 미리 결정된 위치에서 다수의 사출 개구수 변경 영역을 다시 향하게 하는 영역 선택기;
    길이 방향의 치수를 지니며, 상기 조명 소스로부터의 전자 방사선을 수광하도록 배치되어 있고, 길이 방향의 치수를 따라 가변폭을 갖는 조절가능한 슬릿;
    상부에 레티클을 유지하기에 적합한 레티클 스테이지;
    상부에 감광 기판을 유지하기에 적합한 기판 스테이지;
    상기 레티클 스테이지 및 상기 기판 스테이지사이에 배치되어 있으며, 감광 기판상에 레티클의 이미지를 투영하는 투영 광학기기;
    상기 레티클 스테이지 및 상기 기판 스테이지에 결합되어 있는 스테이지용 제어기;
    상기 조절가능한 슬릿에 결합되어 있는 조절가능한 슬릿 제어기; 및
    상기 스테이지용 제어기, 상기 영역 선택기, 및 상기 조절가능한 슬릿 제어기에 결합되어 있는 시스템 제어기
    를 포함하여, 감광 기판에 의해 수광된 전자 방사선의 선량이 상기 조절가능한 슬릿에 의해 변경되며 상기 어레이 광학 소자가 레티클상의 미리 결정된 공간 위치에서 선택된 부분 간섭을 수정시킴으로써, 결과적으로는 선폭 편차 및 배향 바이어스가 제어되는 것을 특징으로 하는, 감광 기판상에 레티클의 이미지를 인쇄하는 데 사용되는 스캔형 포토리도그래피 장치.
  12. 제11항에 있어서, 상기 어레이 광학 소자는 그레이디언트(gradient)를 포함하는 것을 특징으로 하는, 감광 기판상에 레티클의 이미지를 인쇄하는 데 사용되는 스캔형 포토리도그래피 장치.
  13. 제11항에 있어서, 상기 스캔형 포토리도그래피 장치는 상기 시스템 제어기에 결합되어, 인쇄 기판상의 배향 바이어스 및 선폭 편차를 감소시키도록 보정된 노출 선량 및 사출 개구수를 계산하는 수단을 더 포함하는 것을 특징으로 하는, 감광 기판상에 레티클의 이미지를 인쇄하는 데 사용되는 스캔형 포토리도그래피 장치.
  14. 레티클의 이미지를 감광 기판에 노출시키는 방법에 있어서,
    감광 기판상의 서로 다른 선폭 변경 공간 위치에서 전자 방사선의 노출 선량을 변경시키는 단계; 및
    감광 기판상의 서로 다른 바이어스 공간 위치에서 감광 기판상에 레티클을 이미지화시키는 데 사용되는 전자 방사선의 부분 간섭을 변경시키는 단계
    를 포함하여, 레티클의 인쇄된 이미지내의 배향 바이어스 및 선폭 편차가 감소되는 것을 특징으로 하는, 레티클의 이미지를 감광 기판에 노출시키는 방법.
  15. 제14항에 있어서, 상기 레티클의 이미지를 감광 기판에 노출시키는 방법은,
    감광 기판상의 서로 다른 선폭 변경 공간 위치 각각에서의 노출 선량 보정을 계산하는 단계; 및
    감광 기판상의 서로 다른 바이어스 공간 위치 각각에서의 부분 간섭 보정을 계산하는 단계
    를 더 포함하는 것을 특징으로 하는, 레티클의 이미지를 감광 기판에 노출시키는 방법.
  16. 인쇄 기판상의 선폭 및 수평 및 수직 바이어스를 변경시키도록 감광 기판을 노출시키는 방법에 있어서,
    인쇄 필드내의 다수의 선폭 위치에서 레티클에 대한 선폭의 편차를 결정하는 단계;
    인쇄 필드내의 선폭의 편차를 감소시키도록 다수의 선폭 위치 각각에서의 노출 선량 보정을 계산하는 단계;
    노출 선량 보정을 기초로 하여 서로 다른 선폭 위치 각각에서 감광 기판을 노출시키는 데 사용되는 전자 방사선의 노출 선량을 조절하는 단계;
    인쇄된 필드내의 다수의 배향 바이어스 위치에서 레티클에 대한 배향 바이어스의 편차를 결정하는 단계;
    인쇄된 필드내의 배향 바이어스를 감소시키도록 다수의 수평 및 수직 바이어스 각각에서의 부분 간섭 보정을 계산하는 단계; 및
    부분 간섭 보정을 기초로 하여 다수의 배향 바이어스 위치 각각에서 감광 기판을 노출시키는 데 사용되는 전자 방사선의 부분 간섭을 조절하는 단계
    를 포함하여, 인쇄된 필드내의 선폭 편차 및 배향 바이어스가 감소되는 것을 특징으로 하는, 인쇄 기판상의 서로 다른 선폭 및 수직 및 수평 바이어스를 변경시키도록 감광 기판을 노출시키는 방법.
  17. 인쇄 기판상의 선폭 및 배향 바이어스를 제어하도록 감광 기판을 노출시키는 방법에 있어서,
    인쇄된 필드내의 다수의 선폭 위치에서 의도된 선폭으로부터 이탈한 인쇄 기판상의 선폭의 편차를 결정하는 단계;
    인쇄된 필드내의 의도된 선폭을 제어하도록 다수의 선폭 위치 각각에서의 노출 선량 보정을 계산하는 단계;
    노출 선량 보정을 기초로 하여 서로 다른 선폭 위치 각각에서 감광 기판을 노출시키는 데 사용되는 전자 방사선의 노출 선량을 조절하는 단계;
    인쇄된 필드내의 다수의 배향 바이어스 위치에서 의도된 선폭에 대한 배향 바이어스의 편차를 결정하는 단계;
    인쇄된 필드내의 배향 바이어스를 제어하도록 다수의 배향 바이어스 각각에서의 부분 간섭 보정을 계산하는 단계; 및
    부분 간섭 보정을 기초로 하여 다수의 배향 바이어스 위치 각각에서 감광 기판을 노출시키는 데 사용되는 전자 방사선의 부분 간섭을 조절하는 단계
    를 포함하여, 인쇄된 필드내의 선폭 및 배향 바이어스가 인쇄 기판상에서 의도된 선폭을 획득하도록 제어되는 것을 특징으로 하는, 인쇄 기판상의 선폭 및 배향 바이어스를 제어하도록 감광 기판을 노출시키는 방법.
  18. 포토리도그래피 장치에서 사용되는 노출 제어 장치에 있어서,
    조명 소스로부터의 전자 방사선을 수광하도록 배치되어 있는 조절가능한 슬릿; 및
    조명 소스로부터의 전자 방사선을 수광하도록 배치되어 있는 부분 간섭 조절기
    를 포함하여, 전자 방사선의 노출 선량 및 부분 간섭이 배향 바이어스 및 선폭의 편차를 감소시키도록 감광 기판상의 미리 결정된 공간 위치에서 변경되는 것을 특징으로 하는, 포토리도그래피 장치에서 사용되는 노출 제어 장치.
  19. 제18항에 있어서, 상기 부분 간섭 조절기는 다수의 서로 다른 사출 개구수 영역을 포함하여, 부분 간섭이 수정되는 것을 특징으로 하는, 포토리도그래피 장치에서 사용되는 노출 제어 장치.
  20. 제19항에 있어서, 상기 노출 제어 장치는,
    상기 부분 간섭 조절기와 결합되어 있는 영역 선택기를 더 포함하여, 다수의 서로 다른 사출 개구수 영역의 선택된 사출 개구수 영역이 선택되는 것을 특징으로 하는, 포토리도그래피 장치에서 사용되는 노출 제어 장치.
  21. 비례하는 원하는 치수로부터 이탈한 치수를 갖는 레티클의 이미지를 감광 기판상에 인쇄하는 방법에 있어서,
    감광 기판상에 인쇄될 비례하는 원하는 치수로부터 이탈한 치수를 갖는 레티클을 제조하는 단계;
    감광 기판상에 인쇄될 비례하는 원하는 치수를 획득하도록 서로 다른 공간 위치에서 조명의 선량을 조절하여 인쇄된 특징 선폭을 변경하는 단계;
    감광 기판상에 인쇄될 비례하는 원하는 치수를 획득하도록 서로 다른 공간 위치에서 조명의 부분 간섭을 조절하여 배향 바이어스를 변경하는 단계
    를 포함하여, 레티클이 완화된 제조 공차를 갖더라도 그러한 레티클이 이용될 수 있는 것을 특징으로 하는, 비례하는 원하는 치수로부터 이탈한 치수를 갖는 레티클의 이미지를 감광 기판상에 인쇄하는 방법.
  22. 비례하는 원하는 치수로부터 이탈한 치수를 갖는 레티클의 이미지를 감광 기판상에 인쇄하는 포토리도그래피 방법에 있어서,
    감광 기판상에 인쇄될 비례하는 원하는 치수로부터 이탈한 치수를 갖는 레티클를 제조하는 단계;
    감광 기판상에 인쇄될 비례하는 원하는 치수를 획득하도록 인쇄된 특징 선폭을 변경하는 데 필요한 서로 다른 공간 위치에서의 조명의 선량에 대한 조절을 계산하는 단계;
    감광 기판상에 인쇄될 비례하는 원하는 치수를 획득하기 위하여 인쇄된 특징 선폭을 변경하도록 서로 다른 공간 위치에서 조명의 선량을 계산하는 단계를 기초로 하여 조명의 선량을 조절하는 단계;
    감광 기판상에 인쇄될 비례하는 원하는 치수를 획득하기 위하여 배향 바이어스를 변경시키도록 서로 다른 공간 위치에서의 조명의 부분 간섭에 대한 조절을 계산하는 단계;
    감광 기판상에 인쇄될 비례하는 원하는 치수를 획득하기 위하여 배향 바이어스를 변경시키도록 서로 다른 공간 위치에서의 부분 간섭에 대한 조절을 계산하는 단계를 기초로 하여 조명의 부분 간섭을 조절하는 단계
    를 포함하여, 레티클이 완화된 제조 공차를 갖더라도 그러한 레티클이 이용될 수 있는 것을 특징으로 하는, 비례하는 원하는 치수로부터 이탈한 치수를 갖는 레티클의 이미지를 감광 기판상에 인쇄하는 포토리도그래피 방법.
KR1020020017200A 2001-04-04 2002-03-29 마스크 오차 인자 보상에 의한 ｄｕｖ 스캐너 선폭 제어 KR100563157B1 (ko)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US09/826,214 US6573975B2 (en) 2001-04-04 2001-04-04 DUV scanner linewidth control by mask error factor compensation
US09/826,214 2001-04-04

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20020077815A KR20020077815A (ko) 2002-10-14
KR100563157B1 true KR100563157B1 (ko) 2006-03-21

Family

ID=25245989

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020020017200A KR100563157B1 (ko) 2001-04-04 2002-03-29 마스크 오차 인자 보상에 의한 ｄｕｖ 스캐너 선폭 제어

Country Status (6)

Country Link
US (2) US6573975B2 (ko)
EP (1) EP1248151B1 (ko)
JP (1) JP4047614B2 (ko)
KR (1) KR100563157B1 (ko)
DE (1) DE60230832D1 (ko)
TW (2) TWI312104B (ko)

Families Citing this family (34)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6573975B2 (en) * 2001-04-04 2003-06-03 Pradeep K. Govil DUV scanner linewidth control by mask error factor compensation
US7233217B2 (en) * 2001-08-23 2007-06-19 Andrew Corporation Microstrip phase shifter
US6813003B2 (en) 2002-06-11 2004-11-02 Mark Oskotsky Advanced illumination system for use in microlithography
US7079321B2 (en) 2001-10-18 2006-07-18 Asml Holding N.V. Illumination system and method allowing for varying of both field height and pupil
US7006295B2 (en) 2001-10-18 2006-02-28 Asml Holding N.V. Illumination system and method for efficiently illuminating a pattern generator
US6888615B2 (en) 2002-04-23 2005-05-03 Asml Holding N.V. System and method for improving linewidth control in a lithography device by varying the angular distribution of light in an illuminator as a function of field position
US6784976B2 (en) * 2002-04-23 2004-08-31 Asml Holding N.V. System and method for improving line width control in a lithography device using an illumination system having pre-numerical aperture control
SG121822A1 (en) * 2002-11-12 2006-05-26 Asml Netherlands Bv Lithographic apparatus and device manufacturing method
DE10337286B4 (de) * 2003-08-13 2005-11-10 Infineon Technologies Ag Verfahren zur Projektion eines auf einer Maske angeordneten Schaltungsmusters auf einen Halbleiterwafer
KR101006435B1 (ko) * 2003-09-01 2011-01-06 삼성전자주식회사 노광 마스크, 이를 포함하는 노광 장치 및 이를 이용한표시 장치용 표시판의 제조 방법
DE102004033350A1 (de) * 2004-07-09 2006-02-09 Infineon Technologies Ag Verfahren zur Korrektur ortsabhängiger Linienbreiteschwankungen bei der Halbleiterherstellung sowie Vorrichtung zum Anwenden der Korrektur
JP2006210814A (ja) * 2005-01-31 2006-08-10 Fujitsu Ltd 露光システム及び露光方法
US8018573B2 (en) * 2005-02-22 2011-09-13 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7443652B2 (en) 2005-04-22 2008-10-28 Cardiac Pacemakers, Inc. Method and apparatus for connecting electrodes having apertures
WO2007039272A1 (en) * 2005-10-04 2007-04-12 Carl Zeiss Smt Ag Lithographic apparatus and method of controlling
US7824842B2 (en) * 2005-10-05 2010-11-02 Asml Netherlands B.V. Method of patterning a positive tone resist layer overlaying a lithographic substrate
DE102005053651A1 (de) * 2005-11-10 2007-05-16 Zeiss Carl Smt Ag Mikrolithographische Projektionsbelichtungsanlage sowie Verfahren zur Herstellung mikrostrukturierter Bauelemente
US7488685B2 (en) * 2006-04-25 2009-02-10 Micron Technology, Inc. Process for improving critical dimension uniformity of integrated circuit arrays
US7898662B2 (en) * 2006-06-20 2011-03-01 Asml Netherlands B.V. Method and apparatus for angular-resolved spectroscopic lithography characterization
JP2008026822A (ja) 2006-07-25 2008-02-07 Toshiba Corp フォトマスクの製造方法及び半導体装置の製造方法
JP2009071193A (ja) * 2007-09-14 2009-04-02 Canon Inc 露光装置及びデバイスの製造方法
NL1036108A1 (nl) * 2007-11-09 2009-05-12 Asml Netherlands Bv Device Manufacturing Method and Lithographic Apparatus, and Computer Program Product.
DE102008015631A1 (de) 2008-03-20 2009-09-24 Carl Zeiss Sms Gmbh Verfahren und Vorrichtung zur Vermessung von Masken für die Photolithographie
WO2010049020A1 (de) * 2008-10-31 2010-05-06 Carl Zeiss Smt Ag Beleuchtungsoptik für die euv-mikrolithographie
US8767179B2 (en) * 2009-12-15 2014-07-01 Micron Technology, Inc. Imaging methods in scanning photolithography and a scanning photolithography device used in printing an image of a reticle onto a photosensitive substrate
NL2008285A (en) * 2011-03-11 2012-09-12 Asml Netherlands Bv Method of controlling a lithographic apparatus, device manufacturing method, lithographic apparatus, computer program product and method of improving a mathematical model of a lithographic process.
DE102011005881A1 (de) * 2011-03-22 2012-05-03 Carl Zeiss Smt Gmbh Verfahren zur Einstellung eines Beleuchtungssystems einer Projektionsbelichtungsanlage für die Projektionslithographie
DE102012207377A1 (de) * 2012-05-03 2013-11-07 Carl Zeiss Smt Gmbh Beleuchtungsoptik sowie optisches System für die EUV-Projektionslithographie
JP2014053510A (ja) * 2012-09-07 2014-03-20 Toshiba Corp 端面加工方法及び端面加工装置
JP2017535821A (ja) * 2014-11-27 2017-11-30 カール・ツァイス・エスエムティー・ゲーエムベーハー 複数の個々に制御可能な書込ヘッドを含むリソグラフィ装置
EP3339957B1 (en) * 2016-12-20 2019-02-27 GenISys GmbH Process dose and process bias determination for beam lithography
US10795268B2 (en) 2017-09-29 2020-10-06 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Method and apparatus for measuring overlay errors using overlay measurement patterns
JP7204507B2 (ja) 2019-02-05 2023-01-16 キオクシア株式会社 露光方法および露光装置
CN111929980B (zh) * 2020-08-28 2024-05-17 上海华力微电子有限公司 增强二维图形opc模型精度的方法

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH06318542A (ja) * 1993-05-07 1994-11-15 Nikon Corp 投影露光装置
US5619304A (en) * 1993-11-30 1997-04-08 Nec Corporation Reduction exposure apparatus with improved resolution characteristic and raised light intensity
US5677757A (en) * 1994-03-29 1997-10-14 Nikon Corporation Projection exposure apparatus
KR20000055564A (ko) * 1999-02-08 2000-09-05 김영환 반도체 제조용 노광장치
KR20010002683A (ko) * 1999-06-16 2001-01-15 윤종용 투영 노광 장치

Family Cites Families (20)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5208747A (en) * 1988-04-07 1993-05-04 John Wilson Ultrasonic scanning method and apparatus for grading of live animals and animal carcases
KR950004968B1 (ko) * 1991-10-15 1995-05-16 가부시키가이샤 도시바 투영노광 장치
JPH05217855A (ja) 1992-02-01 1993-08-27 Nikon Corp 露光用照明装置
US5329336A (en) 1992-07-06 1994-07-12 Nikon Corporation Exposure method and apparatus
JP2917704B2 (ja) 1992-10-01 1999-07-12 日本電気株式会社 露光装置
US5383000A (en) 1992-11-24 1995-01-17 General Signal Corporation Partial coherence varier for microlithographic system
EP0614124A3 (en) * 1993-02-01 1994-12-14 Nippon Kogaku Kk Exposure device.
US5642183A (en) 1993-08-27 1997-06-24 Sharp Kabushiki Kaisha Spatial filter used in a reduction-type projection printing apparatus
KR0153796B1 (ko) 1993-09-24 1998-11-16 사토 후미오 노광장치 및 노광방법
US5631721A (en) 1995-05-24 1997-05-20 Svg Lithography Systems, Inc. Hybrid illumination system for use in photolithography
US5684566A (en) 1995-05-24 1997-11-04 Svg Lithography Systems, Inc. Illumination system and method employing a deformable mirror and diffractive optical elements
JP2800731B2 (ja) * 1995-08-29 1998-09-21 株式会社ニコン 走査露光方法、及び走査露光による回路素子製造方法
JPH09167735A (ja) * 1995-12-15 1997-06-24 Canon Inc 投影露光装置及びそれを用いた半導体デバイスの製造方法
US6628370B1 (en) * 1996-11-25 2003-09-30 Mccullough Andrew W. Illumination system with spatially controllable partial coherence compensating for line width variances in a photolithographic system
US6259513B1 (en) * 1996-11-25 2001-07-10 Svg Lithography Systems, Inc. Illumination system with spatially controllable partial coherence
US6292255B1 (en) * 1997-03-31 2001-09-18 Svg Lithography Systems, Inc. Dose correction for along scan linewidth variation
US6013401A (en) * 1997-03-31 2000-01-11 Svg Lithography Systems, Inc. Method of controlling illumination field to reduce line width variation
EP0952491A3 (en) 1998-04-21 2001-05-09 Asm Lithography B.V. Lithography apparatus
US6208747B1 (en) * 1998-12-01 2001-03-27 Advanced Micro Devices Inc. Determination of scanning error in scanner by reticle rotation
US6573975B2 (en) * 2001-04-04 2003-06-03 Pradeep K. Govil DUV scanner linewidth control by mask error factor compensation

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH06318542A (ja) * 1993-05-07 1994-11-15 Nikon Corp 投影露光装置
US5619304A (en) * 1993-11-30 1997-04-08 Nec Corporation Reduction exposure apparatus with improved resolution characteristic and raised light intensity
US5677757A (en) * 1994-03-29 1997-10-14 Nikon Corporation Projection exposure apparatus
KR20000055564A (ko) * 1999-02-08 2000-09-05 김영환 반도체 제조용 노광장치
KR20010002683A (ko) * 1999-06-16 2001-01-15 윤종용 투영 노광 장치

Also Published As

Publication number Publication date
US20020145719A1 (en) 2002-10-10
JP2002359184A (ja) 2002-12-13
TWI325520B (en) 2010-06-01
JP4047614B2 (ja) 2008-02-13
KR20020077815A (ko) 2002-10-14
US6922230B2 (en) 2005-07-26
TW200839433A (en) 2008-10-01
TWI312104B (en) 2009-07-11
EP1248151A3 (en) 2004-10-20
DE60230832D1 (de) 2009-03-05
US6573975B2 (en) 2003-06-03
EP1248151A2 (en) 2002-10-09
EP1248151B1 (en) 2009-01-14
US20040066496A1 (en) 2004-04-08

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR100563157B1 (ko) 마스크 오차 인자 보상에 의한 ｄｕｖ 스캐너 선폭 제어
US6013401A (en) Method of controlling illumination field to reduce line width variation
KR100847633B1 (ko) 노광 장치에 있어서의 노광량 및 포커스 위치를 산출하는방법 및 프로그램, 그리고 디바이스의 제조방법
KR100733546B1 (ko) 리소그래피 공정 중 선택적 라인폭 최적화를 위한 방법 및장치
US5895737A (en) Method for adjusting an illumination field based on selected reticle feature
KR101072514B1 (ko) 코너에서의 라운딩 및 챔퍼들을 이용한 광근접성 보정 방법
US7239371B2 (en) Density-aware dynamic leveling in scanning exposure systems
JP3969855B2 (ja) 露光方法および露光装置
EP1020770B1 (en) Dose control for correcting linewidth variation in the scan direction
KR20190125550A (ko) 리소그래피 방법 및 리소그래피 장치
JP2009065204A (ja) 基板を露光する方法およびリソグラフィ投影装置
JPWO2008132799A1 (ja) 計測方法、露光方法及びデバイス製造方法
US20090284722A1 (en) Method for monitoring focus on an integrated wafer
JP2003031493A (ja) リソグラフィーシステムのフォーカス精度を向上させるための方法およびシステム
JP5068844B2 (ja) リソグラフィ方法及びリソグラフィ装置
JP2018523152A (ja) リソグラフィ装置及び方法
KR100847100B1 (ko) 포토리소그래피 시스템들을 이용하여 프린트될 피처들의웨이브니스를 억제하기 위한 장치, 방법 및 컴퓨터프로그램을 기록한 기록매체
JP2897345B2 (ja) 投影露光装置
JP4174324B2 (ja) 露光方法及び装置
JP2003086497A (ja) リソグラフィ方法
JP2007184649A (ja) 露光方法、露光装置およびデバイス製造方法

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20120302

Year of fee payment: 7

LAPS Lapse due to unpaid annual fee