JPH11503529A - 折返し通過ワイン−ダイソン光学系を備える走査リソグラフィシステム - Google Patents

折返し通過ワイン−ダイソン光学系を備える走査リソグラフィシステム

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Abstract

(57)【要約】 小フィールド走査フォトリソグラフィシステム(700)は正立で非反転の非拡大像を形成する折返し通過ワイン−ダイソン光学系(770)を備える。この光学系を通過する光路は物体(722)を通過して入力反射鏡(731)で反射され、レンズ(740)の第1象限を通過し、凹面鏡(750)で反射されてレンズ(740)の第2象限を通過して折返し光学系(732)に到達し、そこで生じた中間像が折返し光学系(732)からレンズ(740)の第3象限を通過し凹面鏡で再び反射され、レンズ(740)の第4象限を通過して出力反射鏡(733)に反射され平面(160)に到達してそこで出力像(362)を形成する。入力および出力反射鏡(731,733)および折返し光学系(732)は通常はプリズムである。フィールド絞り(760)を折返し光学系(732)内に設け、そこに中間像を形成する。倍率調節光学系(710,720)を入力および出力プリズム(731,733)または折返し光学系(732)に付加できる。倍率調節光学系(710,720)は倍率1のために互いに等しい大きさにした二つの狭いメニスカス空隙(713,723)を形成する。片方の空隙(713または723)を狭くした方の空隙(723または713)を広げることによって倍率がわずかに変わる。

Description

【発明の詳細な説明】 折返し通過ワイン−ダイソン光学系を備える走査リソグラフィシステム 発明の背景 発明の分野 この発明は小フィールドフォトリソグラフィに関し、リソグラフィシステム用 の投影光学系に関する。 関連技術の説明 ノートブック型コンピュータなどのためのフラットパネルディスプレイ(FD P)の製造は集積回路(I.C.)製造用のものと同じリソグラフィ技術を通常用 いた周知のプロセスである。しかし、FDPは非常に大きい基板(またはブラン ク)に形成される。通常のフラットパネルディスプレイの寸法は8インチ×6イ ンチであり、そのようなディスプレイ四つ以上を一枚のガラスブランク上に形成 する。したがって、フラットパネルディスプレイ用のブランクは集積回路(IC )よりもずっと大きくIC製造用の直径12インチ以下のシリコン基板よりも大 きい。 慣用の単一投影リソグラフィシステムは、ブランク並みの大きさの高精度の像 を投影できる光学系の高コストのために、このような大きいブランクに対しては 適切でない。 ニコン プリシジョン社製およびエムアールエス社製などの慣用のステップ・ リピート式リソグラフィシステムはブランクをそれぞれ個別に露光を受けるブロ ックに区分する。このステップ・リピート式システムは小フィールド寸法(ブロ ック寸法)の光学系の使用を可能にするが、ブロック相互間の境界における一様 な露光の達成に十分な精度で目合せするのが困難である。したがって、ステップ ・リピート式システムのスピードは各ステップ動作のあと必要となる目合せのた めに低下する。また、ブロックごとにパターンが互いに異なる場合はレチクルの 頻繁な交換のために能率がさらに低下する。IC製造用の通常のステップ・リピ ート式システムでは、境界問題およびレチクル交換を回避するために、各ブロッ ク の大きさを少なくともIC完成品の大きさ並みにしている。 完成品FDP並みの大きさのフィールドを備える光学系は高価すぎて実際的で ない。これと対照的に、小フィールド走査システムはブランクと同じ大きさの大 面積レチクルをブランク上に重複ストライプを露光するように倍率1で走査する 。小フィールド走査システムは通常30mmの単一ストライプの幅と等しいフィー ルドのより経済的な光学系を通常用いる。 小フィールド走査システムにはワイン−ダイソン光学系と像反転光学系とを備 えるものもある。それらのシステムの中の従来のワイン−ダイソン光学系はレチ クルとブランクとの間にあり、入力プリズム、出力プリズム、凹面鏡および選択 自由のレンズを備える。レチクルからの光は入力プリズムで反射されて凹面鏡に 導かれ、出力プリズムに戻ったのちブランクに像を形成する。ワイン−ダイソン 光学系の問題点は反射による像反転である。像反転は物体の右側を左側に、左側 を右側に映し出した反転像を形成する。慣用のリソグラフィシステムではブラン ク上に投影された反転の利用による走査は不可能であり、したがってワイン−ダ イソン光学系の像反転を除去するための光学素子を付加しなければならない。 ジェイン(Jain)名義の米国特許第5,285,236号「大面積高スループット高精 細度投影像形成システム」およびバーニングほか(Burning et al)名義の米国 特許第4,171870号「小型像投影装置」をここに参照して全体をこの明細書に組み 入れるが、これら特許は像反転除去のための追加の反射を生ずる面をもつ出力プ リズム(屋根プリズム)を備えるワイン−ダイソン投影光学系を記載している。 スワンソンほか(Swanson et al)名義の米国特許5,298,939号「レチクルパター ンを走査によって基板に転写する方法および装置」もここに参照して全体をこの 明細書に組み入れるが、この特許は二つのワイン−ダイソン光学系を用いること を記載している。すなわち、第1のワイン−ダイソン光学系はレチクルの反転像 を形成し、第2のワイン−ダイソン光学系は反転像をさらに反転して正立で非反 転の出力像を形成する。 上記特許記載の光学系にも欠点がある。例えば、屋根プリズムはプリズム製作 が高精度でなければ多重像を形成することがある。また、屋根プリズムはガラス 光路長を増加させ、そのためにフィールド寸法が通常小さくなる。スワンソンほ かの特許に記載されている光学系ではワイン−ダイソン光学系のコストが2倍に なり、レチクルとブランクとの間の所要スペースが2倍になる。 フラットパネルディスプレイ製造におけるもう一つの問題はブランクが通常ソ ーダ石灰ガラスなどのガラスから成っており、このガラスがIC製造におけるシ リコンと異なり高温度処理工程において大幅な焼結縮みを生ずることである。全 工程におけるそれらガラスの通常の焼結縮みは長さ幅とも例えば約10乃至10 0ppmである。ガラスブランク上にパターンを形成するリソグラフィ技術は加工 中に漸次縮んでいくブランクに種々のマスク(レチクル)を正しく目合せしなけ ればならない。通常はマスクまたはレチクルの大きさはブランク上にリソグラフ 形成すべき像の公称寸法に合わせてある。一つの手法はレチクル寸法をブランク 寸法予想値と等しくする。この手法は焼結縮み発生後のブランク寸法の予測のた めに製造プロセスに高精度特性抽出を必要とし望ましくない。 代替手法はブランクの縮みによる目合せ誤差を許容するやり方である。目合せ 誤差は製品の品質を低下させ良品率低下に伴うコスト上昇を招くので望ましくな いと考えられる。 加工によるガラスブランクの縮みに加えて、レチクル作成時のレチクル温度が ブランクへの投影の段階でのレチクル温度と異なることが問題になる。ブランク もレチクルも温度とともに伸縮し、両者の熱膨張係数の差が目合せを複雑にする 。製造プロセスの特性抽出が行われレチクル寸法をそれに対応して定めても、プ ロセス中の高精度の温度制御がなければ、目合せ誤差が生ずる。 したがって、リソグラフィの目標はブランクやレチクルがプロセス中に寸法変 化を受ける際にそれらレチクル(またはそれ以外の原パターン)とブランクとの 間の目合せを改善することである。 フラットパネルディスプレイプロセス技術において、市販のMRSステッパー (ステップ・リピート式システム)はフラットパネル加工のための一種の倍率補 正用に「パネルスケール」と称する機能を備える。この装置は、レチクルを光学 系に近づけたり遠ざけたりして倍率とレチクル像ピントとを微小に変化させるこ とのできるテレセントリック物体面を含む。 ウェーハ加工業界については、SPIE第334巻「光学的微小リソグラフィ −1980年代半ばの技術」(1982年刊)所載のジェームズ ジェイ.グリ ードほか(James J.Greed et al)著の論文「1:1投影リソグラフィシステム に おける可変倍率」にもう一つの手法が記載されている。パーキン−エルマー社製 の装置は慣用の半導体集積回路装置製造用走査マスク目合せ装置においてレチク ルおよびウェーハへの温度の影響を補正するためのものである。このような走査 マスク目合せ装置においては、少なくともウェーハ上のICと等しい幅のパター ンを各走査ストライプで露光する。ウェーハ全体にわたるレチクル像走査により 多数のダイスのためのパターンを露光する。 これはフラットパネルディスプレイ製造に用いられる小フィールド走査とは異 なる。フラットパネルディスプレイ製造においては、ブランク上の個別のディス プレイの各々を数回の互いに重複するストライプで露光する。すなわち、小フィ ールド走査は慣用のステッパシステムにはないストライプの境界および目合せの 問題を伴い、IC用ステッパまたは走査マスク目合せ装置とは異なる光投影シス テムを要する。 フラットパネルディスプレイ、マルチチップモジュール、IC、プリント基板 などの製造の際に用いる大型ブランクの小フィールド走査のためのフォトリソグ ラフィ技術は改良を要する。 発明の概要 この発明によると、小フィールド走査フォトリソグラフィシステムに比較的簡 単で小型の光学系により正立非反転像を投影する折返し通過ワイン−ダイソン光 学系を用いる。 この発明のもう一つの実施例は倍率1の折返し通過ワイン−ダイソン光投影シ ステムを備える。この光学系は入力反射鏡、レンズ、凹面鏡、折返し光学系およ び出力反射鏡を備える。入力反射鏡は物体からの光を受け、レンズ系の第1象限 を通じてその光を反射する。凹面鏡はレンズ系と同じ光軸を有しレンズ系第1象 限からの光をレンズ系第2象限経由で折り返し光学系に向けて反射する。この折 返し光学系はレンズ系第2象限からの光をレンズ系第3象限に導き、凹面鏡に戻 す。凹面鏡はレンズ系第3象限からの光をレンズ系第4象限経由で出力反射鏡に 向けて反射する。出力反射鏡はレンズ系第4象限からの光を出力像形成面に向け て反射する。これらレンズ系および凹面鏡の集束特性はこの折返し通過ワイン− ダイソン光学系の倍率が1になり折返し光学系の中心面で中間像を形成するよう に設定する。 通常は、上記入力反射鏡、出力反射鏡および折返し光学系は入力プリズム、出 力プリズムおよび折返しプリズムでそれぞれ構成する。一つの実施例では、中間 像の形成される折返しプリズム空隙内にフィールド絞りを設ける。このフィール ド絞りは物体面の被選択部分だけの正確な像形成を容易にする。 この折返し通過ワイン−ダイソン光学系は入力プリズムおよび出力プリズムま たは折返しプリズムと結合した倍率調節光学系を含めることによって変形できる 。一つの実施例では、この倍率調節光学系は折返しプリズム内のフィールド絞り 付きまたはフィールド絞りなしで使うことができ、入力プリズムおよび出力プリ ズムと結合したひと組の互いに整合した平面−凸面素子および平面−凹面素子を 備える。各素子は通常約50mm以上の大きい曲率半径を備え、各整合素子間に狭 い空隙を形成して低倍率組合せを形成する。これら素子の曲率半径は光学的拡大 力のほとんどない組合せにするために等しくしてある。これら素子を、一方の素 子組については空隙を狭め、他方の素子組については空隙を広げるように、動か すことによって、この光学系の倍率と像フィールド寸法とをわずかに変化させる 。 この倍率調節素子は、入力プリズムおよび出力プリズムとほぼ共通の光軸を備 え、同素子光軸沿いの光線が同素子以外の光学素子光軸からずれた線沿いに反射 され結像面中心近傍にあるようにした慣用の球面レンズ系でもよい。また、この 倍率調節素子は大きい素子の各四半円区画で構成して折返し通過ワイン−ダイソ ン光学系の入力プリズムおよび出力プリズムに結合し、これら四半円区画の光軸 がそれ以外の素子の光学系と一致するようにしてもよい。 もう一つの実施例では倍率調節レンズ素子を折返しプリズム中の空隙内に配置 する。その実施例では、倍率調節光学系は三つのレンズ素子のみ、すなわち折返 しプリズム内側表面に接着した中心対称凸(または凹)面素子および平面−凹面 (または平面−凸面)素子のみを備える。倍率調節は中央の対称素子を調整用に わずかに動かすことによって達成する。 倍率調節光学系はブランクの縮小(または拡大)に合わせて小フィールドの倍 率を変化させることができる。光学的倍率調節に加えて、走査段階でブランクに 対してレチクルを動かして、ブランク全長にわたってレチクルに対するブランク の縮小(または拡大)の補正を行うようにするのが有益であることがわかった。 走査方向の長さの互いに異なるレチクルとブランクとをこの相対的移動で補正で きるのである。レチクルとブランクとの相対的移動は露光ストライプと垂直なイ ンデックス送り方向の長さの差の補正にも好都合である。 図面の簡単な説明 図1はこの発明の実施例によるフォトリソグラフィシステムにおける照射器、 レチクル、投影光学系およびブランクの斜視図である。 図2A、2B、2Cおよび2Dは図1のシステムの代替的実施例の図である。 図3はこの発明の実施例によるもう一つのフォトリソグラフィシステムの斜視 図である。 図4Aおよび4Bは図3の実施例におけるレンズの象限およびそれら象限と形 成像との間の関係を示す。 図5Aおよび5Bはこの発明の実施例による折返し通過ワイン−ダイソン光学 系の実施例の光線追跡図である。 図6はこの発明の実施例においてプリズムが生じさせる口径食の図解のための 光線追跡図である。 図7A、7Bおよび7Cはこの発明による折返し通過ワイン−ダイソン光学系 および倍率調節光学系を有する小フィールドフォトリソグラフィ走査システムの 各部の斜視図を示す。 図8Aおよび図8Bはこの発明の実施例による折返し通過ワイン−ダイソン光 学系の実施例の光線追跡図を示す。 図9はこの発明による倍率調節光学系を含む折返しプリズムを示す。 図10は口径食を減らすための基底面ブロック付きの折返しプリズムを示す。 互いに異なる図面にわたって用いた同一の参照符号は同様のまたは同一の素子 を表す。 好ましい実施例の詳細な説明 反対方向動き走査 図1はこの発明の実施例による反対方向動き走査を用いた小フィールド走査フ ォトリソグラフィシステム100における主要光学系構成部分の斜視図である。 システム100において、通常は半導体ウェーハ、プリント基板または感光フォ トレジストまたは乳剤塗布ずみのガラス基板であるブランク160を、このブラ ンク160に転写すべき不透明パターンを有し専用支持部材に支持されたレチク ル120と平行にこれと相対させて支持体(図示してない)に取り付ける。レー ザまたは水銀アークランプなどの慣用の照射器110によって、ブランク160 表面上のフォトレジストを変化(「露光」)させ得る波長の光でレチクル120 の一部分を照射する。照射器110は可動式に取り付け、レチクル照射部分変動 用の光学系を含めてもよい。照明器110はレチクル120の照射を所定の寸法 および範囲に限定するフィールド絞り(図示してない)を通常備える。 慣用のワイン−ダイソン光学系170はレチクル120を通過した光を集光し て像162の一部をブランク160上に形成する。ワイン−ダイソン光学系17 0は入力プリズム131、レンズ140、反射鏡150および出力プリズム13 2を備える。レンズ140は通常は集束レンズであり、反射鏡150は凹面球面 鏡である。この明細書でいうワイン−ダイソン光学系は一つの反射表面付きのカ タディオプトリレンズ系を含み、レンズ140と凹面鏡150との曲率中心をほ ぼ一致させた光学系に限られない。入力プリズム131の集光した光は凹面鏡1 50による反射の前にレンズ140の上側半分を通過する。凹面鏡150で反射 された光はレンズ140の下側半分を通過し、出力プリズム132がその光をブ ランク160に向けて反射してブランク160上に像の一部162を形成する。 ワイン−ダイソン光学系170の像形成特性は主としてレンズ140および凹 面鏡150によって定まる。これらレンズ140および凹面鏡150は倍率1の 像をブランク160に形成するように選んだ分離距離および焦点距離を有する。 倍率1の場合は光学系の対称性が横収差、歪み、側方色収差およびコマ収差を零 にするからである。光学系170はレチクル120上のパターンおよびブランク 160上の像162の寸法よりも小さいフィールドを有する。 照射器110および光学系170に対してレチクル120およびブランク16 0を動かすことによる走査で光学系170の口径と同じ幅で移動距離と同じ長さ のストライプを露光する。このストライプがブランク160の幅よりも狭い場合 はブランク160の残りの部分の露光を光学系170および照射器110または レチクル120およびブランク160のインデックス送り(すなわち、ストライ プと垂直な方向へのシフト)によって行う。このインデックス送りののち、次の ストライプを露光する。 走査中は、照射器110および光学系170をレチクル120およびブランク 160に対して動かすなど慣用のやり方でレンズ140および反射鏡150の光 軸175に垂直な方向の動きを生じさせることはできない。光学システム170 内の入力プリズム131、凹面鏡150、および出力プリズム132による反射 の組合せが光軸175を垂直な反転軸沿いに像を反転させるからである。像16 2が正しく形成されるためにはレチクル120の左端がブランク160の右端1 64に結像し、レチクル120の右端がブランク160の左端に結像しなければ ならない。軸175沿いに鏡像を生じたパターン122をプリントし、レチクル 120およびブランク160を互いに反対方向に軸175に垂直に動かすことに よって、この像反転への補正がなされる。レチクル120およびブランク160 を互いに反対方向に動かすと、レチクル120およびブランク160の加速中の 無反跳操作が達成できて有利であり、また、比較的簡単なワイン−ダイソン光学 系170の使用を可能にする。 図2Aは光学系170など反転像形成の投影光学系を用いたフォトリソグラフ ィシステムの斜視図を示す。この投影光学系は照射器110からの光を投影光学 系に到達させるための開口210を含むレンズハウジング210の内部に取り付 けてある。レンズハウジング270は投影光学系および開口210をY軸沿いに 動かす精密ステージ275に取り付けてある。このY軸は投影光学系の反転軸と 垂直である。ステージ275は制御ユニット(図示してない)操作のリニアモー タで駆動される空気軸受けステージで通常構成する。レーザ干渉計などの位置測 定装置247でレンズハウジング270の位置を測定し、その測定値を制御ユニ ットに供給する。 レチクル120をステージ225上の二次ステージ220に取り付ける。ブラ ンク160はステージ265上の二次ステージ260に取り付ける。制御ユニッ トは測定デバイス242および246、およびレンズハウジング270内の慣用 の目合せシステム(図示してない)からの測定値にしたがってステージ220、 225、260および265の動きを制御する。二次ステージ220はレチクル 120をブランク160に目合せする慣用の目合せ操作のためのY軸方向の動き およびZ軸のまわりの回転が可能な精密ステージである。二次ステージ260は 微細動きのためのX軸方向の動きおよびブランク160表面の投影光学系結像面 への動きのためのZ軸方向の動きが可能な精密ステージである。ステージ225 および265はX軸、すなわちこの投影光学系で反転されるX軸に沿って動く空 気軸受けステージなしの精密ステージである。X軸沿いの動きは走査用でもイン デックス送り用でもよい。制御ユニットはレチクル120をブランク160の動 き(ステージ260)とは反対の方向に動かすリニアモータ(ステージ220) を制御するが、後述のように倍率補正のために動きにわずかの差を与えてもよい 。 図2Bおよび2Cは走査中またはインデックス送り中にレチクル120および ブランク160を動かすもう一つの機構の断面図である。レチクル120および ブランク160を駆動ベルトシステム250上に搭載したステージ220および 260にそれぞれ取り付ける。一つの実施例ではブランク160上のストライプ を露光中にレチクル120およびブランク160を逆方向に動かす。図2Bは一 つのストライプについてのレチクル120およびブランク160の開始位置を示 す。開始位置では光学系170はレチクル120の左端126の像をブランク1 60の右端に形成する。レチクル120およびブランク160は、光学システム 170による像のストライプ162形成中は、図2Cに示した位置すなわち光学 系170がレチクル120の右端124の像をブランク160の左端166に形 成する位置に達するまで互いに逆方向に動く。 ベルトシステム250はレチクル120およびブランク160の動きおよび変 位を等しく逆方向に保ちそれによって結像の支障となる反跳および振動を減らす 。ステージ220または260はブランク160の縮みの補正または光学系17 0の倍率の補正のためにレチクル120およびブランク160の相対的動きおよ び変位を変化させることができる。倍率補正を次に詳述する。 レチクル120およびブランク160が図2Cに示した位置に到達すると、レ チクル120およびブランク160または照明器110のインデックス送りによ ってブランク160を次のストライプの露光に備えさせる。ステージ220およ び260はレチクル120およびブランク160を軸175と平行に動かすこと ができる。代替的には、光学系170およびレチクル120照射をインデックス 送り中の軸175と平行な方向に動かす。ベルトシステム250の動きの向きは 次のストライプの形成のために逆にする。 図2Dは走査またはインデックス送りの際にレチクル120およびブランク1 60を動かすためのキャプスタンまたは摩擦駆動機構の断面図を示す。図2Dの システムにおいて、ステージ220および260は精密軸受け(図示してない) に取り付けてありローラ280と摩擦接触している。精密軸受けはローラ280 の回転がステージ220および260を互いに逆方向に動かす際にこれらステー ジ220および260の間隔および向きを維持する。 上述の走査方法にはいくつかの変形が可能である。例えば、ベルトシステム2 50またはローラ280の動きは、ストライプ形成のためにステージ220およ び260がレチクル120およびブランク160を軸175沿いに動かす際にイ ンデックス送りを行うことができる。走査は往復両方の向きにもタイプライター 式に一方向にも行うことができる。 折返し通過ワイン−ダイソン光学系 図3はこの発明のもう一つの実施例による小フィールド走査式フォトリソグラ フィシステム300を示す。システム300は不透明パターン322を含むレチ クル120の一部分を照射する慣用の照射器110を備える。この実施例による 折返し通過ワイン−ダイソン光学系370は、レチクル120の透明部分を透過 してきた光からパターン322の非倒立像パターン362をブランク160上に 形成する。プリズム331はレチクル120からの入力光を内部で反射させ、反 射光をレンズ340経由で凹面鏡350に導く。 図4Aはレンズ340の正面図を示す。プリズム331からの光はレンズ34 0の第1象限410を通過して凹面鏡350(図3)に導かれる。凹面鏡350 はレンズ340の象限410からの光をレンズ340の第2象限420経由で図 3の折返しプリズム332などの折返しプリズムに向けて反射する。この光は折 返しプリズム332の第1の面332Aで内部反射される。レンズ340および 凹面鏡350はパターン332の像がプリズム332の中心面に結像するように 選ぶ。プリズム332の第2の面の332Bは入射光をレンズ340の第3象限 430経由で凹面鏡350に向けて反射する。凹面鏡350は象限430からの 光をレンズ340の第4象限440経由で出力プリズム333に向けて反射し、 このプリズムがその光をブランク160に向けて反射する。 光はブランク160上に集束される前にレンズ340を4回通過し、これは従 来のワイン−ダイソン光学系を2回通過するのと等価である。初めの通過、すな わちレチクル120の物体面から中間像までの光路は第2の通過、すなわち中間 像からブランク160上の出力像までの光路と完全に対称であり、この第2の通 過が従来のワイン−ダイソン光学系に起因する像反転を解消する。図4Aはプリ ズム331、凹面鏡350、プリズム332および凹面鏡350での反射でそれ ぞれ生ずる向きの変化412、422、432、442を示す。パターン322 の向きは像362の向きと同じである。したがって、レチクル320およびブラ ンク360を照射器110および光学系370に関して同じ方向に動かす従来の プロセスを採用できる。 図4Bに示した台形開口444は走査中の露光を均一にするのに通常用いる。 周知の通り、開口444の斜辺444Aおよび444Bはストライプ端部近傍で 強度の小さい光を供給し、重複ストライプの総合露光がストライプ端部を露光過 剰(または露光不足)にならないようにする。 開口444の大きさ、すなわち走査の際に露光されるストライプの幅はレンズ 340の利用可能面積に左右される。レンズ340を象限410、420、43 0および440に区分する直径近傍のレンズ340の面積446は後述のとおり 入力プリズムおよび出力プリズムに起因する口径食のために使用できない。開口 444は走査方向が開口444の平行辺と垂直である場合に各ストライプの幅を 最大にする。この向きに対しては、レンズ340および凹面鏡350の光軸37 5が走査方向と45°の角度をなすようにする。 フラットパネルディスプレイフォトリソグラフィ用の光学系370の通常の目 標は、解像度が少なくとも2ミクロンであって開口444の幅の平均値で定まる ストライプ幅または利用可能フィールド寸法が少なくとも30mmであることであ る。この解像度への要求が式R=0.8λ/NAを用いて波長λが436nmのと き0.17よりも大きい数値開口(NA)に反映される。 ニューヨーク州フェアポートのシンクレア オプティックス社から市販されて いるGEN11またはOSLOなどの従来の光学設計プログラムにおける折返し 通過ワイン−ダイソン光学系370の分析のためにプリズム331、332およ び333における四つの反射を折り返しなしとした。その結果、プリズム331 、332および333を適当なガラス厚で置換して二つのレンズ340を互いに 相対させた相似のレイアウト構成になった。歪および横方向色収差はシステム3 70の対称性のために生じない。また、中間像面はテレセントリックであるので 、 コマ収差もない。設計の仕事は、使用波長において種々のフィールド位置につい てのひとみ全体にわたる光路差を減らすとともにフィールド曲率を最小にするた めに、曲率、厚さおよびガラスの種類を最適化することになる。この設計の課題 は、小さい低インデックス素子の十分な厚さを維持するとともにフィールド端部 での収差を抑えながら凹面鏡350の半径外に結像面および物体面(実際の折返 し構成における)を配置することである。 図1は照射器110からのg(436nm)およびh(405nm)水銀スペクト ル線で最適化した光学系370の一つの特定の実施例の光学的パラメータを示す 。i線による設計は非感光光学ガラスの選択が限られるために難しくなるものの 可能である。 表1の各列は図5Aに示した表面、その表面の曲率半径、次の表面までの距離、 次の表面に到達するのに通過する光路構成材料を特定する。表1において負の厚 さは主反射鏡350の表面506からの反射のあと逆向きに伝搬する光線を示す 。SF2、KF6およびLAKN7はペンシルヴァニア州デュレア所在のショッ トグラステクノロジー社から市販されているそれぞれ低密度鉛ガラス、高密度鉛 ガラスおよび高密度光学ガラスである。 図5Aに示す光線はレチクル120の物体面501からLAKN7ガラスの入 力プリズム331およびKF6ガラス素子およびSF2ガラス素子を有する複合 レンズを通じて伝わる。複合レンズ340は反射鏡350とこの反射鏡350の 曲率中心との間に使用波長436nm・405nm間の色収差補正用の色消しレンズ を含む。レンズ340からの光線は反射鏡350の表面506で反射して複合レ ンズ340を通りLAKN7ガラスの折返しプリズム332に達し、このプリズ ム332内部の中心面510に中間像を形成する。図5Aでは折返しプリズム3 32内で中間像を結像する光線をよりよく図解するためにやはりLAKN7ガラ ス製の出力プリズム333は省略してある。 図5Bは折返しプリズム332の中心面510から出力333を経てブランク 160に至る光学系370を示す。図5Bに示した光線は図5Aに示した光線と 全く対称であるが光学素子を逆の順序で伝わる。図5Aおよび5Bで追跡した光 線はフィールド高さ50mmであり、レンズ図示のための縮尺を設定している。反 射鏡主表面からプリズム331、332および333付きのレンズ340の表面 に至るこの組立体の長さは898mmである。 表2に表1の実施例についての設計パラメータおよび性能パラメータを示す。 フィールド半径は光軸375からの像光線高さ最大値である。使用可能フィール ド幅最大値は口径食を考慮してフィールド寸法を小さくしたのちに結像可能な弦 の最大値である。OPD(光路差)最大値は同一焦点位置における両波長を含み 、フィールド曲率収差およびそれ以外の収差からの影響をすべて含む。フィール ド平坦度は両波長における全範囲であり、口径食なしのフィールド全体にわたる 近軸サジタル集束および接線集束についての値である。OPDおよびフィールド 平 坦度性能の両方については、これらの値を重複走査用台形開口444(図4B) で用いたフィールド位置のみについて最適化すれば若干の改善が期待できる。主 反射鏡隙間は主反射鏡350の端とレチクル120との間に得られる空隙である 。数値開口を僅かに減らす設計変更、または数ミリ余分に空隙を設けるようにす る主反射鏡平坦部の切削によって主反射鏡空隙を大きくすることはできよう。作 業距離は最終段光学面(出力プリズム333)と結像面との間の距離である。 光学系370を開いた状態にした説明はGEN11などのレンズ設計プログラ ムを用いた分析には有用であるが、入力プリズム、出力プリズムおよび折り返し プリズム331、333および332に起因する口径食は明らかにしない。しか し、プリズム331、332および333の幾何学的数値およびレンズ設計プロ グラムからの光学系情報から算出できる。主光線がプリズム境界に接近する45° 近傍および側面のフィールド領域は口径食を受ける。 図6は口径食を受ける領域を図解している。物体上の点610は入力プリズム 331により反射されて光学系370に向かう光ビーム円錐の限界にある境界光 線620を有する。入力プリズム331の表面503近傍の点は光学系370の 形成する像で強度の低下した口径食領域にある。この口径食を受けた領域の幅V は表面503上の軸緑部光線の高さで与えられる。これは境界光線620がプリ ズム331を出る点で物体点を出る光束の拡散値のちょうど半分である。図4B の開口444が幅Vの口径食領域446における光を阻止する。表1および表2 に示した光学系では入力プリズム331および出力プリズム333が開口444 の限界を画する。すなわち、半折返しプリズム312経由の光路長は入力プリズ ム331および出力プリズム333経由の光路長よりも小さいからである。 口径食領域の幅Vが与えられると、使用可能なフィールドは幾何学的に計算で きる。図4BはL型口径食領域446除去後に得られるフィールドを示す。台形 開口444はレンズ340の円形境界の弦である長さLの底辺を有する。利用可 能フィールド領域内のこの弦の長さLの最大値は で与えられる。 表1および表2の実施例では弦の長さLは41.7mmである。台形の高さが1 0mmの場合はブランク上の走査線、ストライプ、相互間の分離は31.7mmであ る。台形の高さと走査分離との間はトレードオフの関係にあり、開口444の高 さの増加は開口444の透過光を増加させるがストライプ相互間の分離を低下さ せる。また、数値開口と使用可能なフィールド寸法との間もトレードオフの関係 にある。口径食を受けたフィールドの幅Vは光学系370による集束を受ける物 体光の拡散に比例するからである。システム設計によって装置構成を高精細度小 フィールド寸法モードから低精細度大フィールド寸法モードに変更できる。反射 鏡350の開口絞り(図示してない)直径および照射器110のフィールド絞り の寸法を同時に変更することによって、精細度をフィールド寸法のために下げる こともできる。より大きい開口絞りを小さいフィールド絞りと併せて使うことも でき、その逆も可能である。 この折返し通過ワイン−ダイソン構成では使用可能なフィールド面積の割合は ごく小さい。二つの点に留意する必要がある。第1に、光路が2回折り返される のでレンズ340の円形領域の4分の1だけが利用可能であること、第2に物体 面および結像面を平行にし主反射鏡直径以上に分離する必要があるために光路長 が大きくなり光束の拡散が大きくなることである。この2番目の問題は周知のワ イン−ダイソン光学系にも共通の問題である。 上記バーニングほか名義の米国特許第4,171,870号記載の屋根プリズム、また は上記スワンソンほか名義の米国特許第5,298,939号記載の二重ダイソン構成に 対比したこの折返し通過ダイソン手法の有利性は明らかである。屋根プリズムは 屋根角度が正確に作成されていない場合はフィールド中心近傍に多重像を生ずる 。また、屋根プリズムは像の主反射鏡通過の際のガラス内光路長を増加させるの でフィールド寸法を減少させる。さらに、屋根プリズム構成へのフィールド絞り 挿入は困難である。上記二重ダイソン手法は大きいフィールドを形成できるが、 レンズ系1つでなく2つを組み立てて軸合わせするコストと複雑さを伴う。 投影システムおよび倍率補正光学系 図7Aはこの発明のもう一つの実施例による折返し通過ワイン−ダイソン光学 系770を示す。光学系770は入力プリズム731および出力プリズム733 と結合した倍率調節光学系を含む。倍率調節光学系は曲率半径の大きいレンズ素 子の二つの組合せ710および720を含む。各レンズ組710または720は 平面−凸面レンズ素子712または722と平面−凹面レンズ素子714または 724とを含み、レンズ素子間に狭い(約0.1mmと5mmとの間)メニスカス空 隙713または723を画する。光学系770において、平面−凸面素子712 および722はプリズム714および724にそれぞれ接着し、平面−凹面素子 714および724は上記素子712および714に対して可動にし、光学系7 70の倍率の調節に備える。代替的実施例では、平面−凹面素子714および7 24をプリズム731および732にそれぞれ接着し、平面−凸面素子712お よび722を可動にする。 素子712、714、722および724の曲率半径は互いに等しく、レンズ 組710および720は光学系770の倍率にはほとんど影響を及ぼさない。こ の倍率調節光学系は倍率中性点、すなわち空隙713および723が互いに等し く折り返しプリズム733の中心の中間像結像面について光学系が完全に対称と なる倍率中心点を有する。負性素子714および724の両方を同じ方向に動か すと、一方の空隙713または723が狭くなり他方の空隙723または713 が広がり、倍率および光学系770の像フィールド寸法が僅かに変化する。 折返しプリズム732の中心の空隙にあるフィールド絞り760がブランク1 60への出力像を形成する中間像の一部を選択する。図4Bは小フィールド走査 用の典型的な台形開口444を示す。フィールド絞り760は照射器110中の フィールド絞りの像を物体面(レチクル120)に転写する際の精度の要求を緩 和する。折返しプリズム732内におけるフィールド絞り760の目合せは同じ 組立体の一部であるレンズ740に対して行い、したがって、入力プリズム73 1およびレンズ740の照射器110への目合せ精度要求が緩和される。倍率調 節光学系710および720と折返しプリズム732空隙内のフィールド絞り7 60は互いに独立であり、この発明の代替的実施例はこれらの一方または他方を 含むシステムを含む。 一つの実施例においては、倍率調節素子712、714、722および724 は慣用の円形素子の4分の1の区画であり、これら素子の光軸が、プリズム73 1および733による反射ののちにレンズ740および反射鏡750の光軸と一 致するように、入力および出力プリズム731および733の光軸と軸合わせさ れている。図7Bおよび7Cは上記4分の1区画712および722の軸合わせ を図解する光学系770の一部の二つの斜視図である。素子712、714、7 22および724を光軸775と軸合わせすることはこの光学系の対称性のより よい維持を可能にするが、目合せおよび製造において不利である。この軸合わせ については、倍率調節用の定常点は光軸沿いにある。 代替的には、素子712、714、722および724は、これら素子の光軸 沿いの光線が反射後に開口760のほぼ中心を通過するように軸合わせした慣用 の円形素子であってもよい。しかし、素子712、714、722および724 を台形開口中心と正確に軸合わせすることは可能性が低く、物体と像との相互間 の相対的動きが倍率調節の際に生じ得る。したがって、倍率を変化させると像が 物体に対して動き、レチクル110およびブランク160を倍率調節後に目合せ しなければならない。 表3は素子714および724が倍率中心点にあるときの図7Aの光学系77 0の実施例の構成パラメータを示す。 表4は素子712、714、722および724の光軸を軸775と軸合わせし たときの表3の実施例の性能パラメータおよび構成パラメータを示す。素子71 2、714、722および724の光軸が光軸775からずれている場合のシス テム分析からも同様の性能が得られる。 表3および4のパラメータは前述の表1および2のパラメータと同じに定義し てある。図8Aは物体面801から折り返しプリズム732中心の中間像結像面 812、すなわち光学システム770の対称面に至る光学系770の光線追跡図 を示す。図8Bは中間像結像面812から出力像結像面819に至る光線追跡を 示す。 表面803と表面804との間の1mm空隙713は、光学系770の倍率を1 から外れるように調節するように等しい値だけ空隙723を減らす(増やす)と 増える。空隙713および723の0.158mmの変化は倍率を100ppmだけ変化さ せる。倍率調節に要する動きは1mm以下でごく小さいので、可動素子714(お よび素子724)を屈服受け部材に取り付けて、カリフォルニア州アーヴィン所 在のメレス グリオ社(Melles Griot,Inc.)から市販されているステッパモー タ微小位置定め装置で動かすこともできる。この実施例において所定の倍率変化 に必要な動きの量は上記四つの倍率素子の光学的拡大率を変化させることによっ て調節できる。 表2の光学系は表4の光学系と同様であるが、注目すべき差異がいくつかある 。すなわち、倍率補正レンズの数値開口が0.2から0.18に減っている。こ れ によって口径食が減り、使用可能なフィールド寸法がより大きい45mmになって いる。また、N.A.が小さくなったために反射鏡の直径が269mmから242mm に小さくなり、結像面819の余裕が15mm以上になっている。倍率1の状態に おけるOPDは0.08λであり、倍率調節の際の収差余裕がそれだけ大きくな る。高さ10mm台形開口で走査分離は35mmとなり、高さ5mmの台形開口で走査 分離は40mmとなる。表3および4の実施例は倍率1の状態だけについて最適化 してある。調節倍率全部にわたる最適化はOPD最大値を小さくする。 折返しプリズム732内部の表面811と表面813との間に空隙を設けると 、入力プリズム731および出力プリズム732に起因する口径食にさらに加わ る口径食の原因になる。これは、折返しプリズム732の半分ずつをフィールド 寸法および像形成光線円錐ビームの拡散を収容するのに十分な大きさにすること によって防止できる。光学設計が要求する付加的ガラス内光路長はガラスブロッ ク732Cを図9に示したプリズム半分片732Aおよび732Bの基底面に接 着することによって形成できる、表3の実施例についてはLAKN7ガラス光路 長101.1653mmをプリズム半分片732A(または732B)についての61mmと 基底面732Cについての39.1653mmとに分けることができる。こうすると、口 径食は入力プリズム731および出力プリズム733に起因するものとなる。 図10は折返しプリズム1000が二つのメニスカス空隙1025および10 35を含む折返し通過ワイン−ダイソン光学系用の倍率調節光学系の実施例を示 す。折り返しプリズム1000は、このプリズム1000の部分1010および 1050の内側表面に接着した二つの平面−凹面素子1020および1040の 間に可動凸面素子1030を含み、この対称素子1030を動かすことによって 倍率を調節する。 可動素子1030は対称凸面素子を形成するように結合した素子712および 722(図7A)と等価であり、素子1020および1040は素子714およ び724(図7A)と等価である。倍率調節光学系付きの代替的折返しプリズム は互いに結合した素子714および724(図7A)に等価な可動対称凹面素子 と、折返しプリズムの内側壁面に接着した素子712および722(図7A)に 等価な平面−凹面素子とを有する。 倍率調節光学系を折り返しプリズム1000内に配置することには不都合もあ る。すなわち、三つの素子1020、1030および1040の収容のために折 り返しプリズム1000内部に大きい空胴を必要とし、口径食の生ずる可能性が 高まる。中間像結像面が対称素子1030の内部にあり、そのためにその素子表 面およびその表面上の塵芥を焦点はずれにしておくのに十分な厚みをその素子1 030が備えていなければならない。また、中間像が素子1030内部を動き、 その位置でフィールド絞りを挿入する機会がない。 上述の光学系は、フィールド寸法拡大のために各素子を大きくすることによっ て大きさを変えることができる。しかし、上述の実施例の直径約1mmよりもそれ ほど大きくない寸法では製造の困難度およびコストがより大きい問題となる。こ れら光学系のN.A.を大きくすることは、口径食および収差の両面からみてより 難しい。平均幅すなわち走査分離に大きく影響する台形開口高さの最適値は照射 器の設計と関連づけて検討しなければならない。この手法をiライン照射に拡張 することはガラスの選択に制限が加わるもののより直接的である。 倍率補正のための相対的動きを伴うシステム 小フィールド走査リソグラフィに対しては、レチクルを基準としたブランクの 縮小(または拡大)の補正のための光学的倍率調節に加えて、レチクルとブラン クとの相対的動きを利用できる。より詳しく述べると、ブランクがレチクルより も小さい寸法に縮んだ場合は、光学系の倍率を1以下、すなわちレチクル寸法対 ブランク寸法比に減らして、レチクル並みの寸法のブランク領域でなくブランク の縮小した領域を走査で露光しなければならない。レチクルとブランクとの相対 的動きは互いに寸法の異なるレチクルおよびブランクに関する走査の方向に動か すことによってしばしば行われる。ブランクを走査方向に連続的に動かすことに よってブランクを基準とした照射器および光学系の動きを削減する。レチクルと ブランクとの相対的動きも露光ストライプと垂直なインデックス送り方向に沿っ た長さの差を補償するのに好都合である。 すなわち、小フィールド走査システムにおいて十分な倍率補正を行うには光学 的倍率補正と相対的レチクル−ブランク移動との組合せが有利である。ブランク とレチクルとの間の相対的動きは両者の一方だけの動きでもよい。両者の走査を レチクルまたはブランクの一方を他方に対して動かす、例えば二次ステージによ って行うと、レチクルまたはブランクに僅かながら相対速度が生ずる。この相対 的動きの量は倍率補正所要量に比例する。したがって、ブランクの縮みまたは拡 大による走査方向の目合せ誤差は補正できる。 上記の相対的動きによる倍率補正は光学的倍率補正には左右されず、両者は互 いに独立に利用できる。相対的動きによる倍率補正を用いて一方向の誤差を選択 的に補正できる。例えば、各走査ストライプの分離の調節を、インデックス送り 方向に全ストライプの間で必要となる倍率補正の合計値を一部分担する距離だけ 行うことができる。光学的倍率補正を行わない場合は、通常30乃至40mmの走 査フィールド直径方向に、ブランク縮みの10乃至100ppmの未補正残留目合 せずれが残る。 レチクルをブランクに対して動かすシステムには多様のシステムがあり、レチ クルおよびブランクの一方を保持しながら他方をステージに対して動かす上述の 二次ステージの実施は一つの例に過ぎない。上記相対的動きは、レチクル目合せ システムからの帰還を受ける慣用の制御機構による制御の下に上記二次ステージ を駆動するマイクロステッパなどの精密モニタによって通常生じさせる。 ここに述べた倍率補正機構は、屋根プリズム、二重ダイソン、従来型ワイン− ダイソン、テレセントリック倍率1屈折光学系など既述の光学系構成にも適応で きる。 特定の実施例を参照してこの発明を上に述べてきたが、この説明はこの発明の 応用の一例に留まり、限定的に解釈してはならない。この発明にはこれ以外の多 様な実施態様が可能である。例えば、この発明による倍率調節光学系やブランク −レチクル間相対的動きによる倍率調節は、ワイン−ダイソン光学系および像反 転用素子付きのシステムや、逆方向動き走査付きワイン−ダイソン光学系や折返 し通過ワイン−ダイソン光学系や、それら以外の投影光学系など多様な投影シス テムに採用できる。倍率調節光学系は入力プリズムおよび出力プリズムに取り付 けることができ、投影光学系に内蔵することができる。ここに述べた実施例の特 徴項の上記以外の多様な変形や組合せは当業者に明らかであり、それら変形や組 合せは添付請求の範囲の請求項に定義したこの発明の範囲に入るものである。
【手続補正書】特許法第184条の8第1項 【提出日】1997年4月24日 【補正内容】 請求の範囲 1.ワイン−ダイソンレンズ(370,770)を含み、 前記ワイン−ダイソンレンズを一度通過した光をそのワイン−ダイソンレンズ に向けて再度通過させそれによって正立非反転像を生ずる手段(332,732 )で特徴づけられた光学装置。 2.前記光を向ける手段が、前記ワイン−ダイソンレンズに隣接配置した折返し プリズム(332,732)であって前記ワイン−ダイソンレンズの第1の部分 (420)からの出力光が前記折返しプリズムに入射して反射され前記ワイン− ダイソンレンズの第2の部分(430)に戻るように配置した折返しプリズムを 含む請求項1記載の装置。 3.ワイン−ダイソン光学系でレチクルの被照射部分の倒立した第1の像を形成 する過程と、 前記第1の像を形成する光を前記ワイン−ダイソン光学系に向けて再度通過さ せ、ブランク上に前記レチクルの前記部分の正立非反転の第2の像を形成する過 程と を含むリソグラフィ方法。 4.前記ワイン−ダイソン光学系で前記第1の像を形成する過程が、第1の反射 鏡、レンズおよび凹面鏡の配置を、前記レチクルの前記被照射部分からの光が前 記第1の反射鏡で反射し前記レンズの第1の部分を通過して前記凹面鏡に達し次 にその凹面鏡で反射して前記レンズの第2の部分を通過して戻りそのあと前記第 1の像を形成するように行う過程を含む請求項3記載の方法。 5.前記光を前記ワイン−ダイソン光学系に向けて再度通過させる過程が、折返 しプリズムの配置を、前記レンズの前記第2の部分からの光が前記折返しプリズ ムに入射し前記第1の像を形成し前記プリズムによって前記レンズの第3の部分 を通過するべく向けられるように行う過程を含む請求項4記載の方法。 6.前記ワイン−ダイソン光学系の前記レチクルおよび前記ブランクに対する移 動を前記ブランク上にストライプを露光するように行う過程をさらに含む請求項 3記載の方法。 7.レンズ(340,740)と、 光を反射して前記レンズの第1象限(410)を通過させるように配置した第 1の反射鏡(331,731)と、 前記レンズの前記第1象限からの光を反射して前記レンズの第2象限(420 )を通過させるように配置した凹面鏡(350,750)と、 前記レンズの前記第2象限からの光を反射して前記レンズの第3象限(430 )を通過させるように配置した第2の反射鏡であって、前記凹面鏡が前記レンズ の前記第3象限からの光を反射して前記レンズの第4象限(440)を通過させ るようにする第2の反射鏡と、 前記レンズの前記第4象限からの光を反射してステージ上のブランクの少なく とも一部に導くように配置した第3の反射鏡(333,733)と を含む光学装置。 8.レチクルの表面がレンズ(340,740)の光軸に実質的に平行になるよ うにレチクル(120)を支持するレチクル支持体と、 前記レチクルの一部を通じて光を向けるように取り付けた照射器(110)と 、 ブランクを支持するステージ(16)と をさらに含み、前記第3の反射鏡(333,733)が前記レンズの前記第4象 限からの光を反射して前記ステージ上のブランクの一部に導く請求項7記載の装 置。 9.前記第2の反射鏡(332)が第1、第2および第3の面を有する折返しプ リズムを含み、前記第1の面が前記レンズの前記第2象限(420)からの光を 伝達し、前記第2の面(332A)が前記レンズの前記第2象限からの光を前記 第3の面(332B)に向けて反射し、前記第3の面が前記第2の面からの光を 反射して前記レンズの前記第3象限(430)を通過させる請求項8記載の装置 。 10.前記第1の反射鏡(331,731)が入力プリズムを含み、前記第3の 反射鏡(333,733)が出力プリズムを含む請求項7記載の装置。 11.前記第2の反射鏡(332)が折り返しプリズムを含む請求項10記載の 装置。 12.前記折返しプリズム(332)が第1の面、第2の面(332A)および 第3の面(332B)を有し、前記第1の面が前記レンズの前記第2象限からの 光の入射を受け、前記第2の面が前記第1の面からの光を前記第3の面に反射し 、前記第3の面が前記第2の面からの光を反射し前記第1の面に向けるとともに 前記レンズの前記第4象限を通過させる請求項11記載の装置。 13.前記レンズ系の倍率を補正する手段(710または720)をさらに含む 請求項10記載の装置。 14.前記入力および出力プリズム(731および733)の各々と結合した倍 率調節光学系(710および720)をさらに含む請求項10記載の装置。 15.前記倍率調節光学系(710,720)が前記入力および出力プリズム( 731,733)の各々の外側表面に隣接して配置した少なくとも二つの低倍率 レンズ素子(712,714),722,724)を含む請求項14記載の装置 。 16.前記入力プリズムの外側表面に隣接配置した前記少なくとも二つのレンズ 素子(712,714)がそれぞれ平面−凸面レンズ素子および平面−凹面レン ズ素子であって、それら凹面および凸面の表面が互いに隣接している請求項15 記載の装置。 17.前記凹面および凸面の表面がほぼ等しい曲率半径を有し、それら凹面およ び凸面の表面の間の空隙(713)をさらに含む請求項16記載の装置。 18.前記二つのレンズ素子の少なくとも一方に結合され、それら二つのレンズ 素子(712,714)の一方を他方に対して動かし前記空隙(713)の大き さを変える倍率調節機構をさらに含む請求項17記載の装置。 19.前記空隙(713)が約0.1mm乃至5mmである請求項17記載の装置。 20.前記第2の反射鏡(732)が 空胴を区画する折返しプリズムと、 前記空胴内に配置したフィールド絞り(760)と を含む請求項14記載の装置。 21.前記折返しプリズム(732)が空胴を区画し、前記空胴内に配置したフ ィールド絞り(760)をさらに含む請求項11記載の装置。 22.前記折返しプリズム(1000)が空胴を区画し、前記空胴内に配置した 倍率調節光学系(1020,1030,1040)をさらに含む請求項11記載 の装置。 23.前記倍率調節光学系が二つの平面−凸面素子とそれらの間に配置した複凹 面素子とから成る三つのレンズ素子を含む請求項22記載の装置。 24.前記倍率調節光学系が二つの平面−凹面素子(1020,1040)とそ れらの間に配置した複凸面素子(1030)とから成る三つのレンズ素子を含む 請求項22記載の装置。 25.前記倍率調節光学系が二つの空隙(1025,1035)を区画するよう に互いに離して配置した少なくとも三つの低倍率レンズ素子(1020,103 0,1040)を含み、前記三つの素子の各々の隣接面が互いにほぼ等しい曲率 半径を有する請求項22記載の装置。 26.前記倍率調節光学系に結合され前記つの空隙(1025,1035)の幅 を変化させる倍率調節機構をさらに含む請求項25記載の装置。 27.前記レンズ素子(712,714),(722,724)の各々が四分円 区画であり、少なくとも一つのレンズ素子を入力および出力プリズム(731, 732)のそれぞれの外側表面に接着し、前記四分円区画の各々の光軸を前記光 学系の光軸と一致させてある請求項15記載の装置。 28.前記レンズ素子の各々が前記光学系の他部分の光軸からずれた光軸を有す る請求項15記載の装置。
───────────────────────────────────────────────────── 【要約の続き】 狭いメニスカス空隙(713,723)を形成する。片 方の空隙(713または723)を狭くした方の空隙 (723または713)を広げることによって倍率がわ ずかに変わる。

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1.ワイン−ダイソンレンズと、 前記ワイン−ダイソンレンズを一度通過した光をそのワイン−ダイソンレンズ に向けて再度通過させ、それによって正立非反転像を生ずる手段と を含む光学系。 2.前記光を向ける手段が、前記ワイン−ダイソンレンズに隣接配置した折返し プリズムであって前記ワイン−ダイソンレンズの第1の部分からの出力光が前記 折返しプリズムに入射して反射され前記ワイン−ダイソンレンズの第2の部分に 戻るように配置した折返しプリズムを含む請求項1記載の光学系。 3.ワイン−ダイソン光学系でレチクルの被照射部分の倒立した第1の像を形成 する過程と、 前記第1の像を形成する光を前記ワイン−ダイソン光学系に向けて再度通過さ せ、ブランク上に前記レチクルの前記部分の正立非反転の第2の像を形成する過 程と を含むリソグラフィ方法。 4.前記ワイン−ダイソン光学系で前記第1の像を形成する過程が、第1の反射 鏡、レンズおよび凹面鏡の配置を、前記レチクルの前記被照射部分からの光が前 記第1の反射鏡で反射し前記レンズの第1の部分を通過して前記凹面鏡に達し次 にその凹面鏡で反射して前記レンズの第2の部分を通過して戻りそのあと前記第 1の像を形成するように行う過程を含む請求項3記載の方法。 5.前記光を前記ワイン−ダイソン光学系に向けて再度通過させる過程が、折返 しプリズムの配置を、前記レンズの前記第2の部分からの光が前記折返しプリズ ムに入射し前記第1の像を形成し前記プリズムによって前記レンズの第3の部分 を通過するべく向けられるように行う過程を含む請求項4記載の方法。 6.前記ワイン−ダイソン光学系の前記レチクルおよび前記ブランクに対する移 動を前記ブランク上にストライプを露光するように行う過程をさらに含む請求項 3記載の方法。 7.レチクル支持体と、 前記レチクル支持体の中のレチクルの一部を通じて光を向けるように取り付け た照射器と、 ブランクを支持するステージと、 前記レチクルの表面と実質的に平行な光軸を有するレンズと、 前記レチクルからの光を反射して前記レンズの第1象限を通過させるように配 置した第1の反射鏡と、 前記レンズの前記第1象限からの光を反射して前記レンズの第2象限を通過さ せるように配置した凹面鏡と、 前記レンズの前記第2象限からの光を反射して前記レンズの第3象限を通過さ せる第2の反射鏡であって、前記凹面鏡が前記レンズの前記第3象限からの光を 反射し前記レンズの第4象限を通過するようにする第2の反射鏡と、 前記レンズの前記第4象限からの光を反射して前記ステージ上のブランクの一 部に導く第3の反射鏡と を含むリソグラフィシステム。 8.前記第2の反射鏡が第1、第2および第3の面を有する折返しプリズムを含 み、前記第1の面が前記レンズの前記第2象限からの光を伝達し、前記第2の面 が前記レンズの前記第2象限からの光を前記第3の面に向けて反射し、前記第3 の面が前記第2の面からの光を反射して前記レンズの前記第4象限を通過させる 請求項7記載のリソグラフィシステム。 9.レンズと、 光を反射して前記レンズの第1象限を通過させるように配置した第1の反射鏡 と、 前記レンズの前記第1象限からの光を反射して前記レンズの第2象限を通過さ せるように配置した凹面鏡と、 前記レンズの前記第2象限からの光を反射して前記レンズの第3象限を通過さ せるように配置した第2の反射鏡であって、前記凹面鏡が前記レンズの前記第3 象限からの光を反射して前記レンズの第4象限を通過させるようにする第2の反 射鏡と、 前記レンズの前記第4象限からの光を反射してステージ上のブランクの少なく とも一部に導くように配置した第3の反射鏡と を含む光学系。 10.前記第1の反射鏡が入力プリズムを含み、前記第3の反射鏡が出力プリズ ムを含む請求項9記載の光学系。 11.前記第2の反射鏡が折り返しプリズムを含む請求項10記載の光学系。 12.前記折返しプリズムが第1、第2および第3の面を有し、前記第1の面が 前記レンズの前記第2象限からの光の入射を受け、前記第2の面が前記第1の面 からの光を前記第3の面に反射し、前記第3の面が前記第2の面からの光を反射 し前記第1の面に向けるとともに前記レンズの前記第4象限を通過させる請求項 11記載の光学系。 13.前記レンズ系の倍率を補正する手段をさらに含む請求項10記載の光学系 。 14.前記入力プリズムおよび出力プリズムの各々と結合した倍率調節光学系を さらに含む請求項10記載の光学系。 15.前記倍率調節光学系が前記入力プリズムおよび出力プリズムの各々の外側 表面に隣接して配置した少なくとも二つの低倍率レンズ素子を含む請求項14記 載の光学系。 16.前記入力プリズムの外側表面に隣接配置した前記少なくとも二つのレンズ 素子がそれぞれ平面−凸面レンズ素子および平面−凹面レンズ素子であって、そ れら凹面および凸面の表面が互いに隣接している請求項15記載の光学系。 17.前記凹面および凸面の表面がほぼ等しい曲率半径を有し、それら凹面およ び凸面の表面の間の空隙をさらに含む請求項16記載の光学系。 18.前記二つのレンズ素子の少なくとも一方に結合され、それら二つのレンズ 素子の一方を他方に対して動かし前記空隙の大きさを変える倍率調節機構をさら に含む請求項17記載の光学系。 19.前記空隙が約0.1mm乃至5mmである請求項17記載の光学系。 20.前記第2の反射鏡が 空胴を区画する折返しプリズムと、 前記空胴内に配置したフィールド絞りと を含む請求項14記載の光学系。 21.前記折返しプリズムが空胴を区画し、前記空胴内に配置したフィールド絞 りをさらに含む請求項11記載の光学系。 22.前記折返しプリズムが空胴を区画し、前記空胴内に配置した倍率調節光学 系をさらに含む請求項11記載の光学系。 23.前記倍率調節光学系が二つの平面−凸面素子とそれらの間に配置した複凹 面素子とから成る三つのレンズ素子を含む請求項22記載の光学系。 24.前記倍率調節光学系が二つの平面−凹面素子とそれらの間に配置した複凸 面素子とから成る三つのレンズ素子を含む請求項22記載の光学系。 25.前記倍率調節光学系が二つの空隙を区画するように互いに離して配置した 少なくとも三つの低倍率レンズ素子を含み、前記三つの素子の各々の隣接面が互 いにほぼ等しい曲率半径を有する請求項22記載の光学系。 26.前記倍率調節光学系に結合され前記三つの空隙の幅を変化させる倍率調節 機構をさらに含む請求項25記載の光学系。 27.前記レンズ素子の各々が四分円区画であり、少なくとも一つのレンズ素子 を入力プリズムおよび出力プリズムのそれぞれの外側表面に接着し、前記四分円 区画の各々の光軸を前記光学系の光軸と一致させてある請求項15記載の光学系 。 28.前記レンズ素子の各々が前記光学系の他部分の光軸からずれた光軸を有す る請求項15記載の光学系。
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Cited By (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH1123973A (ja) * 1997-07-04 1999-01-29 Mitsubishi Electric Corp マルチスペクトル分光反射光学系
JP2003207903A (ja) * 2002-01-11 2003-07-25 Pentax Corp 投影露光装置
JP2003255547A (ja) * 2001-12-26 2003-09-10 Pentax Corp 投影露光装置
JP2004354910A (ja) * 2003-05-30 2004-12-16 Orc Mfg Co Ltd 投影光学系
JP2005183982A (ja) * 2003-12-18 2005-07-07 Asml Netherlands Bv リソグラフィ装置およびデバイス製造方法
JP2005292450A (ja) * 2004-03-31 2005-10-20 Orc Mfg Co Ltd 投影光学系および投影露光装置
JP2020524309A (ja) * 2017-06-19 2020-08-13 ズース マイクロテック フォトニック システムズ インコーポレイテッド 光学系における倍率補正及び/又はビームステアリング

Families Citing this family (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5999310A (en) * 1996-07-22 1999-12-07 Shafer; David Ross Ultra-broadband UV microscope imaging system with wide range zoom capability
US5914889A (en) * 1996-09-13 1999-06-22 Lucent Technologies Inc. Method and system for generating a mask layout of an optical integrated circuit
DE19906874C1 (de) * 1999-02-18 2001-01-11 Zeiss Carl Jena Gmbh Relaisoptik für ein Ablenksystem sowie ein Ablenksystem
US7301605B2 (en) * 2000-03-03 2007-11-27 Nikon Corporation Projection exposure apparatus and method, catadioptric optical system and manufacturing method of devices
US6801438B1 (en) 2000-10-24 2004-10-05 Touch Future Technolocy Ltd. Electrical circuit and method of formation
US6898025B2 (en) * 2002-06-04 2005-05-24 Pentax Corporation Projection aligner and optical system therefor
US6963390B1 (en) * 2002-07-19 2005-11-08 Litel Instruments In-situ interferometer arrangement
US6952256B2 (en) * 2002-08-30 2005-10-04 Kla-Tencor Technologies Corporation Optical compensation in high numerical aperture photomask inspection systems for inspecting photomasks through thick pellicles
US8208198B2 (en) * 2004-01-14 2012-06-26 Carl Zeiss Smt Gmbh Catadioptric projection objective
US20080151364A1 (en) 2004-01-14 2008-06-26 Carl Zeiss Smt Ag Catadioptric projection objective
KR20170129271A (ko) 2004-05-17 2017-11-24 칼 짜이스 에스엠티 게엠베하 중간이미지를 갖는 카타디옵트릭 투사 대물렌즈
US20060158615A1 (en) * 2005-01-18 2006-07-20 Williamson David M Catadioptric 1x projection system and method
US9341951B2 (en) 2012-12-21 2016-05-17 Ultratech, Inc. Wynn-dyson imaging system with reduced thermal distortion
US11175487B2 (en) * 2017-06-19 2021-11-16 Suss Microtec Photonic Systems Inc. Optical distortion reduction in projection systems
US11143965B2 (en) 2019-04-30 2021-10-12 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Optical lithography system for patterning semiconductor devices and method of using the same

Family Cites Families (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3819265A (en) * 1972-08-02 1974-06-25 Bell Telephone Labor Inc Scanning projection printer apparatus and method
US4171870A (en) * 1977-05-06 1979-10-23 Bell Telephone Laboratories, Incorporated Compact image projection apparatus
NL8220224A (nl) * 1981-05-15 1983-04-05 Gen Signal Corp Inrichting voor het projecteren van een reeks beelden op vormplaatsen van een halfgeleiderwafel.
US4748477A (en) * 1985-04-30 1988-05-31 Canon Kabushiki Kaisha Exposure apparatus
US4749867A (en) * 1985-04-30 1988-06-07 Canon Kabushiki Kaisha Exposure apparatus
US5298939A (en) * 1991-11-04 1994-03-29 Swanson Paul A Method and apparatus for transfer of a reticle pattern onto a substrate by scanning
JPH06118341A (ja) * 1991-11-11 1994-04-28 Topcon Corp 走査型投影装置
US5285236A (en) * 1992-09-30 1994-02-08 Kanti Jain Large-area, high-throughput, high-resolution projection imaging system
US5401934A (en) * 1993-03-08 1995-03-28 International Business Machines Corporation Lens system for scanning laser apparatus

Cited By (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH1123973A (ja) * 1997-07-04 1999-01-29 Mitsubishi Electric Corp マルチスペクトル分光反射光学系
JP2003255547A (ja) * 2001-12-26 2003-09-10 Pentax Corp 投影露光装置
JP2003207903A (ja) * 2002-01-11 2003-07-25 Pentax Corp 投影露光装置
JP2004354910A (ja) * 2003-05-30 2004-12-16 Orc Mfg Co Ltd 投影光学系
JP2005183982A (ja) * 2003-12-18 2005-07-07 Asml Netherlands Bv リソグラフィ装置およびデバイス製造方法
JP2005292450A (ja) * 2004-03-31 2005-10-20 Orc Mfg Co Ltd 投影光学系および投影露光装置
JP2020524309A (ja) * 2017-06-19 2020-08-13 ズース マイクロテック フォトニック システムズ インコーポレイテッド 光学系における倍率補正及び/又はビームステアリング

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Publication number Publication date
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