CN114556222A - 图案形成装置调节系统以及方法 - Google Patents

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Abstract

一种掩模版调节系统，包括：支撑结构，该支撑结构用于支撑掩模版；气体供应模块，该气体供应模块用于提供邻近于掩模版的气流；以及偏压模块，该偏压模块用于控制掩模版的电势。偏压模块包括第一电极、第二电极和电源。第一电极和第二电极每一个与掩模版间隔开，并且面向掩模版以与掩模版至少部分地重叠。电源被布置成将第一电极保持在正电压并且将第二电极保持在负电压，这些电压使得掩模版的电压为负。第二电极被设置成使得在使用中，第二电极不与掩模版的图像形成部分重叠。

Description

图案形成装置调节系统以及方法
相关申请的交叉引用
本申请要求于2019年10月18日提交的EP申请19203978.2的优先权，该申请通过引用整体并入本文。
技术领域
本发明涉及一种图案形成装置调节系统和相关方法。具体地，本发明涉及一种用于支撑(光刻设备内的)图案形成装置的系统，该系统被布置成图案形成装置被如此支撑时减少颗粒将入射到图案形成装置的机会。本发明还涉及相关方法。
背景技术
光刻设备是构造成将期望的图案施加到衬底上的机器。光刻设备可以用于例如制造集成电路(IC)。光刻设备可以例如将图案形成装置(例如掩模或掩模版)处的图案投影到设置于衬底上的辐射敏感材料(抗蚀剂)层上。
为了将图案投影于衬底上，光刻设备可以使用电磁辐射。该辐射的波长确定可以形成于衬底上的特征的最小尺寸。相比于可以例如使用波长为193nm的辐射的光刻设备，使用波长在4-20nm的范围内(例如6.7nm或13.5nm)的极紫外(EUV)辐射的光刻设备可以用于在衬底上形成较小特征。
电磁辐射用于将图案形成装置的图像形成在衬底上。由于任何颗粒可能会对形成在衬底上的图像产生影响，因此重要的是尽可能将图案形成装置保持为没有污染颗粒。期望可以提供一种用于支撑光刻设备内的图案形成装置的系统，该系统被布置成当对图案形成装置进行支撑时减少颗粒将进入到图案形成装置的机会(例如相对于现有系统)。
期望可以至少部分地解决与现有技术系统相关的一个或多个问题，无论是以本文中讨论的方式还是以其他方式。
发明内容
根据本发明的第一方面，提供了一种用于光刻设备的图案形成装置调节系统，该图案形成装置调节系统包括：支撑结构，该支撑结构用于支撑图案形成装置，该支撑结构包括用于支撑图案形成装置的图像形成部分的第一部分以及用于支撑图案形成装置的非图像形成部分的第二部分；气体供应模块，该气体供应模块可操作成提供邻近于支撑结构的气流；以及偏压模块，该偏压模块用于在图案形成装置由支撑结构支撑时控制图案形成装置的电势，该偏压模块包括第一电极、第二电极和电源；其中，第一电极和第二电极每一个与支撑结构间隔开并且面向支撑结构，以与支撑结构至少部分地重叠；其中，电源被布置成将第一电极保持在第一正电压并且将第二电极保持在第二负电压；其中，第二电极被设置成使得第二电极与支撑结构的第二部分至少部分地重叠，并且不与支撑结构的第一部分重叠。
在使用中，图案形成装置可以由支撑结构支撑，并且可以由辐射(例如EUV辐射)照射以在衬底(例如，覆盖有抗蚀剂的硅晶片)上形成图案形成装置的图像。由于颗粒可能导致成像错误，因此可能需要防止颗粒与图案形成装置接触。
根据本发明第一方面的图案形成装置调节系统是有利的，现在将对此进行讨论。
首先，因为颗粒可以被夹带在气流中并且被运送远离图案形成装置，因此气流可以用于减少这种颗粒与图案形成装置接触的机会。然而，在使用中，当图案形成装置暴露于辐射时，辐射可使气体形成等离子体。随着这些颗粒移动通过等离子体，这些颗粒趋向于变为带负电(因为等离子体中的电子比等离子体中的离子具有更高的迁移率)。此外，在使用中，当将图案形成装置暴露于辐射时，图案形成装置可由于光电效应而稍微带正电。因此，可能产生作用于这些颗粒的朝向图案形成装置的偏压力，这是不希望发生的。
由支撑结构支撑的图案形成装置通常可以包括由非图像形成部分围绕的中央图像形成部分。图像形成部分可以包括按图案布置的反射部分和非反射部分。在使用中，辐射被图像形成部分反射，经反射的辐射可以用于形成经图案化的辐射束。投影系统可用于在衬底上形成图案形成装置的图像形成部分的(分辨率受限的)图像。图案形成装置的电势可以是浮动的(例如，图案形成装置可以与支撑结构电隔离)。
以简单的方式，可以考虑一种简单的布置，其中面向图案形成装置MA的单个偏压电极被设置具有例如正偏压，从而将带负电的颗粒吸引朝向单个偏压电极而远离图案形成装置MA。然而，由于等离子体的存在，在这种布置中，等离子体将在单个偏压电极和图案形成装置MA之间提供导电连接。结果，浮动的图案形成装置MA将被拉至与单个偏压电极相同的电势，并且将没有偏压场作用于带负电的颗粒。
相反，根据本发明第一方面的图案形成装置调节系统的偏压模块使用两个偏压电极。第一电极和第二电极都与由支撑结构支撑的图案形成装置电容耦合。第一电极有效地将图案形成装置的电压推向第一正电压，并且第二电极有效地将图案形成装置的电压推向第二负电压。这种布置使得图案形成装置趋向于具有第一正电压和第二负电压之间的中间电压。中间电压可以被认为是第一电压和第二电压的加权平均值，可以通过两个电极与图案形成装置的电容耦合来确定权重。应当理解，电极中的每一个与图案形成装置的电容耦合取决于，电极与图案形成装置重叠的面积以及电极与图案形成装置之间的间隔(以及设置在电极与图案形成装置之间的介质的介电常数)。应当理解，通过合适地选择这些参数以及第一电压和第二电压，可以确保使图案形成装置的电压(也称为中间电压)为负。
第一正电压和第二负电压可以使得图案形成装置的电压为负。
应当理解，将使第一电极的表面(保持在第一正电压)具有正的表面电荷密度，并且将使图案形成装置的与第一电极重叠的部分具有大致相等且相反的负的表面电荷密度。因此，存在于第一电极和图案形成装置之间的任何负电荷(例如夹带在气流中的负电荷)将趋向于偏向第一电极并远离图案形成装置。由于这使得这些颗粒保持远离图案形成装置，因此是有利的。
类似地，应当理解，在第二电极的表面(保持在第二负电压)上，将被引发负的表面电荷密度，并且在图案形成装置的与第二电极重叠的部分上，将被引发大致相等且相反的正的表面电荷密度。因此，设置在第二电极和图案形成装置之间的任何负电荷(例如夹带在气流中的负电荷)将趋向于偏向图案形成装置并远离第二电极。然而，第二电极被设置成使得第二电极与支撑结构的第二部分(即，支撑结构的在使用中支撑图案形成装置的非图像形成部分的部分)重叠。因此，尽管这些颗粒被推向图案形成装置，但是这些颗粒被推向图案形成装置的非图像形成部分，因此不会对形成在衬底上的图像产生影响。
由于图案形成装置被保持在负的中间电压，因此邻近于图案形成装置的没有设置在第一电极与图案形成装置之间或第二电极与图案形成装置之间的任何负电荷(例如夹带在气流中的负电荷)也将趋向于偏向远离图案形成装置(假设这些负电荷与图案形成装置的与具有负电荷密度的第二电极重叠的区域的距离足够远)。
因此，由于气体供应模块可以提供可用于将颗粒运输远离图案形成装置的气流，因此根据本发明第一方面的图案形成装置调节系统是有利的。同时，偏压模块被布置成通常使夹带在气流中的带负电颗粒偏向远离图案形成装置的除了图案形成装置的非图像形成部分之外的所有部分。
通过气体供应模块而被提供为邻近于支撑结构的气流大致平行于图案形成装置的表面并且可以被称为交叉流。
图案形成装置调节系统还可以包括扫描模块，该扫描模块可操作成在至少第一端位置与第二端位置之间，沿扫描方向移动支撑结构。
这种扫描模块可以用于执行动态扫描曝光。例如，扫描模块可以可操作为相对于支撑框架(其中支撑结构可被认为可移动地安装到该支撑框架)，沿扫描方向移动支撑结构。气体供应模块和偏压模块也可以安装在支撑框架上。气体供应模块和偏压模块可以相对于支撑框架是固定的，或相对于支撑框架至少独立于支撑结构是可移动的，使得当支撑结构移动时气体供应模块和偏压模块可以保持固定。
应当理解，对于这种包括扫描模块的实施例，第二电极可以被设置成使得在第一端位置与第二端位置之间的位置范围的至少一部分内，第二电极与支撑结构的第二部分重叠，而不与支撑结构的第一部分重叠。
支撑结构在第一位置和第二位置之间的移动可以限定支撑结构的延伸第一部分区域(由可以设置支撑结构的第一部分的所有区域限定)和支撑结构的延伸第二部分区域。
第二电极可被设置成使得当支撑结构设置在第一端位置、第二端位置、或第一端位置与第二端位置之间的任何位置时，第二电极与支撑结构的第二部分至少部分地重叠，并且不与支撑结构的第一部分重叠。
通过这种布置，第二电极可以被认为与固定的非重要缺陷区域重叠。例如，第二电极可以包括沿非扫描方向(垂直于扫描方向)延伸的一个或多个延伸电极。
第一电极可被设置成使得第一电极与支撑结构的第一部分至少部分地重叠。
应当理解，对于包括可操作为移动支撑结构的扫描模块的实施例，第一电极可以被设置成使得在第一位置与第二位置之间的位置范围的至少一部分内，第一电极与支撑结构的第一部分至少部分地重叠。
第一电极可以包括多个第一电极元件。
第一电极元件被布置成使得对于在第一端位置与第二端位置之间的位置范围内的任何位置，第一电极元件中的至少一个与支撑结构至少部分地重叠。
第一电极元件中的至少一个与支撑结构的第一部分至少部分地重叠。
电源被布置成根据支撑结构的位置来控制第一电极元件中的每一个的电压。
第二电极可以包括多个第二电极元件，其中第二电极元件中的每一个可以被设置成使得与支撑结构的第二部分至少部分地重叠，并且不与支撑结构的第一部分重叠。
第二电极可以包括两个第二电极元件，第二电极元件中的每个沿垂直于扫描方向的非扫描方向延伸。例如，两个第二电极元件可以沿着支撑结构的邻近于支撑结构的延伸第一部分区域的延伸第二部分区域延伸。
电源可以被布置成根据支撑结构的位置来控制第二电极元件中的每一个的电压。
第一正电压和第二负电压可以使得图案形成装置的电压幅度小于50V。
应当理解，如果图案形成装置的电压为负，则当图案形成装置的电压幅度小于50V时，图案形成装置的电压在-50V和0V之间。例如，所施加的电压可以使得图案形成装置的电压幅度小于20V，例如10V的量级。
将图案形成装置的电压保持在相对小且为负的电压可以使带负电的颗粒有益地偏向远离图案形成装置的图像形成部分，同时降低通过图案形成装置上的(相对薄的)导电膜的电流水平。有利地，这可以减少图案形成装置的热量和/或对图案形成装置的损坏。此外，一旦从第一电极和第二电极移除电压，可以使图案形成装置保留已经具有的偏压电压。通过将该电压保持在较低水平(例如低于50V)，可降低该电压产生电弧或与其他金属部件发生短路的机会。
第一电极和第二电极中的一个或多个可以被设置在图案形成装置遮挡刀片上，图案形成装置遮挡刀片的边缘限定了图案形成装置上的场区域的外周的一部分。
第一电极和第二电极中的一个或多个可以被设置在气体供应模块的一部分上。
可选地，第一电极和第二电极中的一个或多个可以设置在光刻设备内的任何其他部件上。
根据本发明的第二方面，提供了一种组件，包括：根据本发明第一方面的图案形成装置调节系统；以及由支撑结构支撑的图案形成装置。
图案形成装置可以包括掩模版。
图案形成装置可以设置有表膜。
根据本发明的第三方面，提供了一种光刻设备，包括：照射系统，该照射系统可操作成输出辐射束；根据本发明第一方面的图案形成装置调节系统，其中，由照射系统输出的辐射束被引导至支撑结构，使得由支撑结构支撑的图案形成装置可以将图案赋予在辐射束的横截面中，从而形成经图案化的辐射束；衬底台，该衬底台用于支撑衬底；以及投影系统，该投影系统用于将经图案化的辐射束投影到衬底的目标区域以在衬底上形成图像。
根据本发明的第四方面，提供了一种用于调节光刻设备内的图案形成装置的方法，该方法包括：支撑图案形成装置；提供邻近于图案形成装置的气流；提供第一电极和第二电极，第一电极和第二电极每一个与图案形成装置间隔开并且面向图案形成装置，以与图案形成装置至少部分地重叠，其中，第二电极被设置成使得第二电极与图案形成装置的非图像形成部分至少部分地重叠，并且不与图案形成装置的图像形成部分重叠；并且，将第一电极保持在第一正电压，将第二电极保持在第二负电压，使得图案形成装置的电压为负。
因为颗粒可以被夹带在气流中并且被运送远离图案形成装置，因此气流可以用于减少这种颗粒与图案形成装置接触的机会。
根据本发明第四方面的方法使用两个偏压电极。第一电极和第二电极都与图案形成装置电容耦合，并且可以用于通常使夹带在气流中的带负电颗粒偏向远离图案形成装置的除了图案形成装置的非图像形成部分之外的所有部分。
根据本发明的第五方面，提供了一种用于调节光刻设备内的具有表膜组件的图案形成装置的方法，该方法包括：支撑图案形成装置；提供邻近于图案形成装置的气流；提供第一电极和第二电极，第一电极和第二电极每一个与图案形成装置间隔开，并且面向图案形成装置以与图案形成装置至少部分地重叠，其中，第二电极被设置成使得第二电极与图案形成装置的一部分至少部分地重叠，并且不与表膜组件重叠，并且其中，第一电极被设置成使得第一电极与表膜组件至少部分地重叠；并且，将第一电极保持在第一正电压，将第二电极保持在第二负电压，使得图案形成装置的电压为负，并且表膜的电压为正。
根据本发明第四方面和第五方面的方法，还包括在至少第一端位置与第二端位置之间沿扫描方向移动支撑结构。电源可以根据图案形成装置的位置来控制第一正电压和/或第二负电压。
根据本发明第四方面和第五方面的方法的至少一部分可以通过使用根据本发明第一方面的图案形成装置调节系统来执行。
附图说明
现在将仅通过示例的方式，参考所附的示意图来描述本发明的实施例，在附图中：
图1描绘了包括光刻设备和辐射源的光刻系统。
图2是形成图1所示的光刻设备的一部分的支撑结构和由该支撑结构支撑的图案形成装置的示意性平面图；
图3A是图2所示的支撑结构和图案形成装置设置在第一端位置的示意性平面图；
图3B是图2所示的支撑结构和图案形成装置设置在第二端位置的示意性平面图；
图4A是图1的光刻设备的支撑结构上的图案形成装置以及掩模版遮挡刀片的第一横截面的示意图；
图4B是图1的光刻设备的支撑结构上的图案形成装置以及掩模版遮挡刀片的第二横截面的示意图；
图5是示出图1的光刻设备中的具有第一配置的y遮挡刀片和x遮挡刀片(以虚线表示)的平面图；
图6A是包括支撑结构(示出为用于支撑图案形成装置)和偏压模块，并且用于控制图案形成装置在被支撑结构支撑时的电势的设备的示意性平面图；以及
图6B示出了图6A中所示的设备和所支撑的图案形成装置的横截面图。
具体实施方式
图1示出了包括辐射源SO和光刻设备LA的光刻系统。辐射源SO被配置成产生EUV辐射束B并且将EUV辐射束B提供到光刻设备LA。光刻设备LA包括照射系统IL、被配置为支撑图案形成装置MA(例如，掩模)的支撑结构MT、投影系统PS和被配置成支撑衬底W的衬底台WT。
照射系统IL被配置成在EUV辐射束B入射到图案形成装置MA上之前调节EUV辐射束B。由此，照射系统IL可包括琢面场反射镜装置10和琢面光瞳反射镜装置11。琢面场反射镜装置10和琢面光瞳反射镜装置11一起为EUV辐射束B提供期望的横截面形状和期望的强度分布。照射系统IL可包括除琢面场反射镜装置10和琢面光瞳反射镜装置11之外或代替琢面场反射镜装置10和琢面光瞳反射镜装置11的其他反射镜或装置。
在进行这种调节之后，EUV辐射束B与图案形成装置MA相互作用。由于这种相互作用，产生了经图案化EUV辐射束B’。投影系统PS被配置成将经图案化EUV辐射束B’投影到衬底W上。为此，投影系统PS可包括多个反射镜13、14，多个反射镜13、14被配置成将经图案化EUV辐射束B’投影到由衬底台WT保持的衬底W上。投影系统PS可将缩减因子应用于经图案化EUV辐射束B’，从而形成所具有的特征小于图案形成装置MA上的相应特征的图像。例如，可以应用缩减因子4或8。尽管在图1中示出投影系统PS仅具有两个反射镜13、14，但是投影系统PS可包括不同数量的反射镜(例如，六个或八个反射镜)。
衬底W可包括先前形成的图案。在这种情况下，光刻设备LA将由经图案化EUV辐射束B’形成的图像与先前形成在衬底W上的图案对准。
可以在辐射源SO、照射系统IL和/或投影系统PS中提供相对真空，即压力远低于大气压条件下的少量气体(例如氢气)。
例如，图1中所示的辐射源SO是可被称为激光产生等离子体(LPP)源的类型。激光器系统1(其可例如包括CO2激光器)被布置成经由激光束2将能量沉积到燃料(诸如由例如燃料发射器3提供的锡(Sn))中。尽管在下文以锡进行描述，但是可使用任何合适的燃料。燃料可例如是液体形式，并且可例如是金属或合金。燃料发射器3可包括被配置成将锡以例如液滴的形式引导沿着朝向等离子体形成区域4的轨迹行进的喷嘴。激光束2入射到等离子体形成区域4中的锡上。将激光能量沉积到锡中使得在等离子体形成区域4产生了锡等离子体7。在电子与等离子体的离子的去激发和复合期间，从等离子体7发射包括EUV辐射的辐射。
由收集器5来收集和聚焦来自等离子体的EUV辐射。例如，收集器5包括近正入射辐射收集器5(有时更一般地称为正入射辐射收集器)。收集器5可具有被布置成反射EUV辐射(例如具有诸如13.5nm的期望波长的EUV辐射)的多层反射镜结构。收集器5可以是具有两个焦点的椭圆形配置。如下所描述的，第一个焦点可以在等离子体形成区域4处，并且第二个焦点可以在中间焦点6处。
激光器系统1可在空间上与辐射源SO是分开的。在这种情况下，激光束2可借助于包括例如合适的定向反射镜和/或扩束器的束传递系统(未示出)和/或其他光学器件而从激光器系统1传递到辐射源SO。激光器系统1、辐射源SO和束传递系统可一起被认为是辐射系统。
由收集器5反射的辐射形成EUV辐射束B。EUV辐射束B在中间焦点6处被聚焦以在等离子体形成区域4中存在的等离子体的中间焦点6处形成图像。在中间焦点6处的图像用作照射系统IL的虚拟辐射源。辐射源SO被布置成使得中间焦点6位于或邻近于辐射源SO的封闭结构9中的开口8。
虽然图1将辐射源SO描绘为激光产生等离子体(LPP)源，但是可使用任何合适的源(诸如放电产生等离子体(DPP)源或自由电子激光器(FEL))来产生EUV辐射。
本发明的实施例涉及用于支撑光刻设备LA内的图案形成装置MA的图案形成装置调节系统。图案形成装置调节系统被布置成减少当图案形成装置被支撑时颗粒入射到图案形成装置MA的机会。现在对此进行讨论。
如图2示意性示出的，由支撑结构MT支撑的图案形成装置MA通常可以包括由非图像形成部分22围绕的中央图像形成部分20。图像形成部分20可以包括以图案方式布置的反射部分和非反射部分。在使用中，辐射束B被图像形成部分20反射，经反射的辐射束B可以用于形成经图案化的辐射束B’。整个图案形成装置MA可以设置有(相对薄的)导电涂层，该导电涂层通常覆盖中央图像形成部分20和非图像形成部分22。图案形成装置MA(具体为导电涂层)的电势可以是浮动的(例如，图案形成装置MA可以与支撑结构MT电隔离)。
应当理解，由于支撑结构MT支撑图案形成装置MA，因此支撑结构MT可以被认为包括第一部分和第二部分，该第一部分用于支撑图案形成装置MA的图像形成部分20(与图2中的图像形成部分20一致)，并且该第二部分用于支撑图案形成装置MA的非图像形成部分22(与图2中的图像形成部分20一致)。
支撑结构MT可以沿扫描方向移动，以便在单次动态扫描曝光中对图案形成装置MA的更大区域进行曝光。现在参考图3A和3B进行讨论。图3A和3B示出了支撑结构MT和图案形成装置MA在两个不同位置处的示意性平面图。
支撑结构MT可移动地安装在区域24内。具体地，支撑结构MT可以在第一端位置(如图3A所示)和第二端位置(如图3B所示)之间，沿由箭头26所示的扫描方向移动。
除非另有说明，否则在本说明书中，将使用以下笛卡尔坐标集。将扫描方向标记为y方向。将也在支撑结构MT的平面中的、垂直于扫描方向的方向称为非扫描方向，并且标记为x方向。将垂直于支撑结构MT的平面的方向标记为z方向。
光刻设备LA可以被认为包括扫描模块，该扫描模块可操作为至少在第一端位置和第二端位置之间沿扫描方向移动支撑结构MT。例如，扫描模块可操作为相对于被认为可移动地安装支撑结构MT的支撑框架(由区域24示意性地表示)，沿扫描方向移动支撑结构MT。
支撑结构MT在第一位置和第二位置之间的移动限定了支撑结构MT的延伸第一部分区域28，该延伸第一部分区域28由可以设置支撑结构MT的第一部分(或者等同地，图案形成装置MA的图像形成部分20)的全部局域限定。即，支撑结构MT的延伸第一部分区域28是通过将支撑结构MT的第一部分(或者等同地，图案形成装置MA的图像形成部分20)从第一端位置(如图3A所示)移动到第二端位置(如图3B所示)而限定的区域。
支撑结构MT在第一位置和第二位置之间的移动还限定了支撑结构的延伸第二部分区域。该延伸第二部分区域可以由不能设置支撑结构MT的第一部分(或者等同地，图案形成装置MA的图像形成部分20)的所有局域限定。支撑结构MT的延伸第二部分区域包括两个延伸非重要区域30a、30b。
光刻设备LA设置有四个掩模版遮挡刀片，该四个掩模版掩模刀限定图案形成装置MA上的被照射的场的范围。现在参考图4A、4B和5进行描述。照射系统IL可操作为照射设置在支撑结构MT上的图案形成装置MA的区域。该区域可以被称为照射系统IL的狭缝，并且至少部分地由四个掩模版遮挡刀片限定，该四个掩模版遮挡刀片还限定了图案形成装置的可以接收辐射的大致矩形区域。该大致矩形区域在第一方向(可以被称为x方向)上的范围由一对x遮挡刀片32、34限定。该大致矩形区域在第二方向(可以被称为y方向)上的范围由一对y遮挡刀片36、38限定。
遮挡刀片32、34、36、38中的每一个被设置为接近于、但稍微偏离支撑结构MT上的图案形成装置的平面。x遮挡刀片32、34被设置在第一平面40内，并且y遮挡刀片36、38被设置在第二平面42内。
每个遮挡刀片32、34、36、38限定了图案形成装置MA的平面中的可以接收辐射的矩形场区域44的一个边缘。在实践中，照射系统IL可以仅照射矩形场区域44的一部分。如图5所示，照射系统IL可以被布置成照射弯曲狭缝区域46，弯曲狭缝区域46可以是矩形场区域44的一部分(这取决于y遮挡刀片36、38的位置)。每个刀片可以在缩回位置与插入位置之间独立地移动，在缩回位置刀片不被设置在辐射束的路径中，在插入位置处刀片至少部分地阻挡由照射系统IL投影到图案形成装置MA的辐射束。通过将遮挡刀片32、34、36、38移动到辐射束的路径，可以截断辐射束B(在x和/或y方向上)，因此限制了接收辐射束B的场区域44的范围。
x方向对应于光刻设备LA的非扫描方向，并且y方向对应于光刻设备LA的扫描方向。图案形成装置MA可沿y方向移动通过场区域44(再次如箭头26所表示的)，以便在单次动态扫描曝光中，曝光图案形成装置MA的更大区域。
在对衬底W的目标区域的动态曝光期间，将目标区域移动通过衬底W的平面中的曝光区域，该曝光区域是图案形成装置MA的曝光区域44通过投影系统PS被成像到的衬底W的一部分。当将衬底W的目标区域移动到曝光区域中时，第一遮挡刀片36、38移动，使得仅目标区域接收辐射(即，不对衬底的目标区域之外的部分进行曝光)。在扫描曝光开始时，y遮挡刀片36、38中的一个被设置在辐射束B的路径中来用作光闸，使得衬底W的任何部分都不接收辐射。在扫描曝光结束时，y遮挡刀片36、38中的另一个被设置在辐射束B的路径中来用作光闸，使得衬底W的任何部分都不接收辐射。
辐射束B的射线被示出为与每个遮挡刀片32、34、36、38相邻。应当理解的是，将辐射以一定角度范围来照射狭缝区域46中的每个点。例如，狭缝区域46中的每个点可以接收锥形辐射。辐射束B的射线被示出为与每个遮挡刀片32、34、36、38相邻表示，由图案形成装置MA接收的辐射具有均匀的方向。从图4A和4B可以看到，在该实施例中，当投影到x-z平面上时，辐射通常被正入射到图案形成装置MA，而当投影到y-z平面上时，辐射通常以角度48而入射到图案形成装置MA。
光刻设备LA还包括气体喷嘴50，该气体喷嘴50被布置成引导气流52邻近于支撑结构MT。具体地，通过气体喷嘴50而被提供为邻近于支撑结构MT的气流52大致平行于图案形成装置MA的表面，并且可以被称为交叉流。气体喷嘴50通常被设置在与x遮挡刀片32、34相同的平面(第一平面40)内。气体喷嘴指向扫描方向使得气流52大致平行于扫描方向，并且在x遮挡刀片32、34之间流动。气体喷嘴50可以被认为形成了可操作为提供邻近于支撑结构MT的气流的气体供应模块的一部分。
图5示出了以正z方向(即，图4B中的向上方向)观察时的y遮挡刀片36、38在第二平面42内的平面图。以虚线示出了x遮挡刀片32、34和气体喷嘴(它们被设置在第一平面40中)的位置。在图5中，四个遮挡刀片32、34、36、38被设置以便限定大致矩形的场区域44，狭缝区域46被设置在该大致矩形的场区域44内。这可以是四个遮挡刀片32、34、36、38在目标区域(例如衬底W上的管芯)的中心部分的曝光期间的通常配置。如上所述，x遮挡刀片32、34中的每一个可操作为在x方向上移动，并且y遮挡刀片36、38中的每一个可操作为在y方向上移动，从而控制场区域44的大小。y遮挡刀片36、38被配置成可以从场区域44的同一侧致动y遮挡刀片36、38。为了实现这一点，y遮挡刀片36、38被成形为使得，(尽管它们基本上设置在相同的平面42中)y遮挡刀片36、38中的每一个被设置有一个或多个沿相同方向(图5中的负y方向)延伸的支撑部分。
遮挡刀片32、34、36、38和气体喷嘴50可以安装在公共遮挡刀片组件支撑件(未示出)上。应当理解，遮挡刀片32、34、36、38可以可移动地安装在这种支撑件上，使得它们可以相对于支撑件移动。而气体喷嘴可以静态地安装在这种支撑件上。
因此可能期望防止颗粒与图案形成装置MA接触，因为这可能导致在形成在衬底W上的图像中的成像错误。
本发明的实施例涉及一种设备，包括用于控制图案形成装置MA在由支撑结构MT支撑时的电势的偏压模块。现在参考图6A和6B进行讨论。偏压模块包括第一电极54、第二电极56和电源58。
如可从图6B中最佳示出的，第一电极54和第二电极56每一个与支撑结构MT间隔开并且面向支撑结构MT，以便与支撑结构MT和由支撑结构MT支撑的图案形成装置MA至少部分地重叠。在图6A中，示出了支撑结构MT和图案形成装置MA的平面图，由虚线表示电极的位置。
电源58与第一电极54和第二电极56中的每一个电连接，如线60、62所分别表示的。电源58可操作为控制第一电极54和第二电极56中的每一个的电压。具体地，电源56被布置成将第一电极54保持在第一正电压，并且将第二电极56保持在第二负电压。
第一正电压和第二负电压被设置为使得图案形成装置的电压为负。
第二电极56(其由电源保持在负电压)被设置为使得其与图案形成装置MA的非图像形成部分22至少部分地重叠，并且不与图案形成装置MA的图像形成部分20重叠。
将这种偏压模块与气体供应模块(例如，可以包括上述的气体喷嘴50)结合是特别有利的，现在将进行讨论。偏压模块、气体供应模块(例如，可以包括上述的气体喷嘴50)和支撑结构可以被看做形成了图案形成装置调节系统(例如，用于光刻设备LA)。
有利地，来自气体喷嘴50的气流52可以用于减少这种颗粒与图案形成装置MA接触的机会，因为这些颗粒可以被夹带在气流52中并且被运送远离图案形成装置MA。然而，在使用中，当图案形成装置MA暴露于辐射束B时，辐射可使气体52形成等离子体。随着这些颗粒移动通过等离子体，这些颗粒趋向于变为带负电(因为等离子体中的电子比等离子体中的离子具有更高的迁移率)。此外，在使用中，当将图案形成装置MA暴露于辐射时，图案形成装置MA可由于光电效应而稍微带正电。因此，可能存在作用于这些颗粒的朝向图案形成装置MA的偏压力，这是不希望发生的。
以简单的方式，可以考虑一种简单的布置，其中设置单个偏压电极来面向图案形成装置MA并且具有例如正偏压，从而将带负电的颗粒吸引朝向单个偏压电极而远离图案形成装置MA。然而，由于等离子体的存在，在这种布置中，等离子体将在单个偏压电极和图案形成装置MA之间提供导电连接。因此，浮动的图案形成装置MA将被拉至与单个偏压电极相同的电势，并且将没有偏压场作用于带负电的颗粒。
相反，上文参考图6A和6B所描述的偏压模块使用两个偏压电极54、56。第一电极54和第二电极56都与由支撑结构MT支撑的图案形成装置MA电容耦合。第一电极54有效地将图案形成装置MA的电压推向第一正电压，并且第二电极56有效地将图案形成装置MA的电压推向第二负电压。这种布置使得图案形成装置MA趋向于具有第一正电压和第二负电压之间的中间电压。中间电压可以被认为是第一电压和第二电压的加权平均值，可以通过两个电极54、56与图案形成装置MA的电容耦合来确定加权。应当理解，电极54、56中的每一个与图案形成装置MA的电容耦合取决于，电极54、56与图案形成装置MA重叠的面积以及电极54、56与图案形成装置MA之间的间隔(以及设置在电极54、56与图案形成装置MA之间的介质的介电常数)。应当理解，通过合适地选择这些参数以及第一电压和第二电压，可以确保使图案形成装置MA的电压(也称为中间电压)为负。
应当理解，在第一电极54的表面(保持在第一正电压)上，将被引发正的表面电荷密度，并且在图案形成装置MA的与第一电极54重叠的部分上，将被引发大致相等且相反的负的表面电荷密度。因此，设置在第一电极54和图案形成装置MA之间的任何负电荷(例如夹带在气流中的负电荷)将趋向于偏向第一电极54并远离图案形成装置MA。由于这使得这些颗粒保持远离图案形成装置MA，因此是有利的。
类似地，应当理解，第二电极56的表面(保持在第二负电压)上将被引发负的表面电荷密度，并且在图案形成装置MA的与第二电极56重叠的部分上将被引发有大致相等且相反的正的表面电荷密度。因此，设置在第二电极56和图案形成装置MA之间的任何负电荷(例如夹带在气流中的负电荷)将趋向于偏向图案形成装置MA并远离第二电极56。然而，第二电极56被设置为使得其与图案形成装置MA的非图像形成部分22重叠。因此，尽管这些颗粒被推向图案形成装置MA，但是这些颗粒被推向图案形成装置MA的非图像形成部分22，因此不会对形成在衬底W上的图像产生影响。
由于图案形成装置MA被保持在负的中间电压，因此邻近于图案形成装置MA的不在第一电极54与图案形成装置MA之间或第二电极56与图案形成装置MA之间的任何负电荷(例如夹带在气流中的负电荷)也将趋向于偏向远离图案形成装置MA(假设这些负电荷与图案形成装置MA的与具有负电荷密度的第二电极56重叠的区域的距离足够远)。
因此，由于气体供应模块可以提供可作用于将颗粒运输远离图案形成装置MA的气流52，因此上述的图案形成装置调节系统是有利的。同时，偏压模块被布置成通常使夹带在气流52中的带负电颗粒偏向远离图案形成装置MA的除了图案形成装置MA的非图像形成部分22之外的所有部分。
电源58可以被配置成使得，第一电压正电压和第二电压负电压使得图案形成装置MA的电压幅度小于50V。例如，所施加的电压可以使得图案形成装置MA的电压小于20V，例如10V的量级。
将图案形成装置MA的电压保持在相对小且为负的电压可以使带负电的颗粒有益地偏向远离图案形成装置MA的图像形成部分20，同时降低通过图案形成装置MA上的(相对薄的)导电膜的电流水平。有利地，这可以减少图案形成装置MA的升温和/或对图案形成装置MA的损坏。此外，一旦从第一电极和第二电极移除电压，可以使已经在图案形成装置MA上引发的偏压电压保留。通过将该电压保持在较低水平(例如低于50V)，降低该电压产生电弧或与其他金属部件发生短路的可能性。
应当理解，第一电极54和第二电极56(相当示意性地在图6A和6B中被示出)可以设置在任何方便的位置，只要第二电极56(其上具有负电荷密度)不与图案形成装置的图像形成部分20重叠。第一电极和第二电极中的任一个可以由多个电极来提供。第一电极和第二电极可以设置在基本相同的平面中或者设置在距图案形成装置MA不同距离的不同平面中(如图6A和6B中所示出的)。
应当理解，对于包括扫描模块并且在使用中支撑结构MT和图案形成装置MA沿扫描方向移动的实施例，第二电极56可以被设置成使得其在第一端位置与第二端位置之间的整个位置范围内总是与图案形成装置MA的非图像形成部分22重叠，而不与图案形成装置MA的图像形成部分20重叠。即，第二电极可以设置成使得，当支撑结构MT设置在第一端位置、第二端位置或第一端位置与第二端位置之间的任何位置时，第二电极与图案形成装置MA的非图像形成部分22至少部分地重叠，并且不与图案形成装置MA的图像形成部分20重叠。在实践中，这可以使用多个第二电极来实现。例如，可以根据图案形成装置MA的位置来控制这些多个第二电极的电压。
在一些实施例中，第二电极被设置在两个x遮挡刀片32、34中的一个或两个上。有利地，x遮挡刀片32、34在第一端位置与第二端位置之间的整个位置范围内与图案形成装置MA重叠，具体为与图案形成装置MA的非图像形成部分22重叠。
可选地，第一电极54可以被设置成使得第一电极54与图案形成装置MA的图像形成部分20至少部分地重叠。例如，可对包括可操作为移动支撑结构MT的扫描模块的实施例使用这种布置，如上所述，由于对于这种扫描布置，图案形成装置MA的图像形成部分20的至少一部分总是不能接收辐射束B。第一电极54可以设置成使得在第一端位置与第二端位置之间的位置范围的至少一部分内，第一电极54与图案形成装置MA的图像形成部分20至少部分地重叠。第一电极54可以设置成使得在第一端位置与第二端位置之间的整个位置范围内，第一电极54与图案形成装置MA的图像形成部分20至少部分地重叠。在实践中，这可以使用多个第一电极来实现。例如，可以根据图案形成装置MA的位置来控制这些多个第一电极的电压。
在一些实施例中，第一电极可以包括一个或多个电极，该一个或多个电极被设置在对于第一端位置与第二端位置之间的扫描位置的范围的至少一部分，与图案形成装置MA的图像形成部分20重叠的任何部件上。例如，第一电极可以设置在y遮挡刀片38、38和/或气体喷嘴50上。
通常，对于包括可操作为移动支撑结构MT的扫描模块的实施例，如上所述，第一电极54可以包括被设置成在支撑结构MT的延伸第一部分区域28(参见图3A和3B)内重叠的一个或多个电极，并且第二电极56可以包括被设置成在支撑结构MT的延伸非关键区域30a、30b(参见图3A和3B)内重叠的一个或多个电极。
在一些实施例中，图案形成装置MA可以设置有表膜组件。这种表膜组件可包括张紧在支撑框架上的相对薄的隔膜。表膜组件被设置在图案形成装置MA上方以覆盖图像形成部分20。例如，框架可以与图案形成装置MA的非图像形成部分22重叠，并且隔膜可以与图案形成装置MA的图像形成部分20重叠。对于这样的实施例，可以修改图案形成装置调节系统来提供以下方案：使图案形成装置MA的图像形成部分20具有相对于表膜的负偏压，从而产生作用于颗粒的从图案形成装置MA朝向表膜的电驱动力。应当理解，对于使用表膜的实施例，仅存在于表膜与图案形成装置之间的颗粒具有成像问题(该区域之外的颗粒由于表膜而不能进入图案形成装置MA)。
这可以通过将面向图案形成装置MA的导电表面的负偏压反电极放置在表膜区域之外(例如在非扫描方向上延伸的区域)，并且通过将面向表膜的正偏压反电极放置在表膜区域之内(例如沿扫描方向延伸的区域)来实现。即，对于待适应与表膜一起使用的图案形成装置调节系统的电极的定位或偏压不进行显著的改变。表膜有效地提供了通过实际第一电极被保持在正偏压的有效第一电极。有利地，由表膜形成的有效第一电极可以在扫描位置的整个范围内，覆盖图案形成装置MA的整个图像形成部分20(由于表膜与图案形成装置MA一起移动)。然而，应当理解，实际电极(其通过电容耦合而将电压施加到表膜)和表膜之间的重叠可以在图案形成装置MA的扫描位置范围内变化。
尽管在本文中可以具体参考光刻设备在IC的制造中的使用，但是应当理解，本文中描述的光刻设备可以具有其他应用。其他可能应用包括制造集成光学系统、用于磁畴存储器的引导和检测图案、平板显示器、液晶显示器(LCD)、表膜磁头等。
尽管在本文中可以在光刻设备的上下文中具体参考本发明的实施例，但是本发明的实施例可以在其他设备中使用。本发明的实施例可以形成掩模检查设备、量测设备、或者测量或处理诸如晶片(或其他衬底)或掩模(或其他图案形成装置)等物体的任何设备的一部分。这些设备通常可以称为光刻工具。这种光刻工具可以使用真空条件或环境(非真空)条件。
尽管上面可能已经在光学光刻的上下文中具体参考了本发明的实施例的使用，但是应当理解，本发明不限于光学光刻，并且在上下文允许的情况下，本发明可以在例如压印光刻等其他应用中使用。
在上下文允许的情况下，本发明的实施例可以硬件、固件、软件或其任何组合来实现。本发明的实施例还可被实现为存储在机器可读介质上的指令，可以由一个或多个处理器读取和执行该指令。机器可读介质可以包括用于以机器(例如计算装置)可读形式来存储或传输信息的任何机构。例如，机器可读介质可以包括只读存储器(ROM)；随机存取存储器(RAM)；磁盘存储介质；光存储介质；闪存装置；电传播信号、光传播信号、声传播信号或其他形式的传播信号(例如，载波、红外信号、数字信号等)，等等。此外，在本文中可能将固件、软件、程序、和/或指令描述为执行特定动作。然而，应当理解，这些描述仅是为了方便，并且这些动作实际上是从执行固件、软件、程序、指令等的计算装置、处理器、控制器或其他装置产生的，并且在进行这些动作时可使得致动器或其他装置与实际环境产生相互作用。
尽管上面已经描述了本发明的特定实施例，但是应当理解，本发明可以以不同于所描述的方式来实践。上面的描述旨在是说明性的，而不是限制性的。因此，对于本领域技术人员将很清楚的是，可以在不脱离下面阐述的权利要求的范围的情况下，对所描述的本发明进行修改。
条项
条项1.一种用于光刻设备的图案形成装置调节系统，所述图案形成装置调节系统包括：支撑结构，所述支撑结构用于支撑图案形成装置，所述支撑结构包括用于支撑所述图案形成装置的图像形成部分的第一部分以及用于支撑所述图案形成装置的非图像形成部分的第二部分；气体供应模块，所述气体供应模块能够操作以提供邻近于所述支撑结构的气流；以及偏压模块，所述偏压模块用于在所述图案形成装置由所述支撑结构支撑时控制所述图案形成装置的电势，所述偏压模块包括第一电极、第二电极和电源；其中，所述第一电极和所述第二电极每一个与所述支撑结构间隔开，并且面向所述支撑结构以与所述支撑结构至少部分地重叠；其中，所述电源被布置成将所述第一电极保持在第一正电压并且将所述第二电极保持在第二负电压；其中，所述第二电极被设置成使得所述第二电极与所述支撑结构的第二部分至少部分地重叠，并且不与所述支撑结构的第一部分重叠。
条项2.根据条项1所述的图案形成装置调节系统，其中，所述第一正电压和所述第二负电压使得所述图案形成装置的电压为负。
条项3.根据条项1或条项2所述的图案形成装置调节系统，还包括扫描模块，所述扫描模块能够操作以在至少第一端位置与第二端位置之间，沿扫描方向移动所述支撑结构。
条项4.根据前述条项中的任一项所述的图案形成装置调节系统，其中，所述第二电极被设置成使得当所述支撑结构设置在所述第一端位置、所述第二端位置、或所述第一端位置与所述第二端位置之间的任何位置时，所述第二电极与所述支撑结构的第二部分至少部分地重叠，并且不与所述支撑结构的第一部分重叠。
条项5.根据前述条项中的任一项所述的图案形成装置调节系统，其中，所述第一电极被设置成使得所述第一电极与所述支撑结构的第一部分至少部分地重叠。
条项6.根据前述条项中的任一项所述的图案形成装置调节系统，其中，所述第一电极包括多个第一电极元件。
条项7.根据直接或间接从属于条项3的条项6所述的图案形成装置调节系统，其中，所述第一电极元件被布置成使得，对于在所述第一端位置与所述第二端位置之间的位置范围内的任何位置，所述第一电极元件中的至少一个与所述支撑结构至少部分地重叠。
条项8.根据条项7所述的图案形成装置调节系统，其中所述第一电极元件中的至少一个与所述支撑结构的第一部分至少部分地重叠。
条项9.根据直接或间接从属于条项3的条项6所述的图案形成装置调节系统，其中所述电源被布置成根据所述支撑结构的位置来控制所述第一电极元件中的每一个的电压。
条项10.根据前述条项中的任一项所述的图案形成装置调节系统，其中所述第二电极包括多个第二电极元件，其中所述第二电极元件中的每一个被设置成使得其与所述支撑结构的第二部分至少部分地重叠，并且不与所述支撑结构的第一部分重叠。
条项11.根据直接或间接从属于条项2的条项10所述的图案形成装置调节系统，其中所述第二电极包括两个第二电极元件，所述第二电极元件中的每个沿垂直于所述扫描方向的非扫描方向延伸。
条项12.根据直接或间接从属于条项3的条项10或条项11所述的图案形成装置调节系统，其中，所述电源被布置成取决于所述支撑结构的位置来控制所述第二电极元件中的每一个的电压。
条项13.根据前述条项中的任一项所述的图案形成装置调节系统，其中，所述第一正电压和所述第二负电压使得所述图案形成装置的电压幅度小于50V。
条项14.根据前述条项中的任一项所述的图案形成装置调节系统，其中所述第一电极和所述第二电极中的一个或多个被设置在图案形成装置遮挡刀片上，所述图案形成装置遮挡刀片的边缘限定了所述图案形成装置上的场区域的外周的一部分。
条项15.根据前述条项中的任一项所述的图案形成装置调节系统，其中，所述第一电极和所述第二电极中的一个或多个被设置在所述气体供应模块的一部分上。
条项16.一种组件，包括：根据前述条项中的任一项所述的图案形成装置调节系统；以及由支撑结构支撑的图案形成装置。
条项17.根据条项16所述的组件，其中，所述图案形成装置设置有表膜。
条项18.一种光刻设备，包括：照射系统，所述照射系统能够操作成输出辐射束；根据条项1-15中的任一项所述的图案形成装置调节系统，其中，由所述照射系统输出的辐射束被引导至支撑结构，使得由所述支撑结构支撑的图案形成装置能够将图案赋予在所述辐射束的横截面中，从而形成经图案化的辐射束；衬底台，所述衬底台用于支撑衬底；以及投影系统，所述投影系统用于将所述经图案化的辐射束投影到所述衬底的目标区域以在所述衬底上形成图像。
条项19.一种用于调节光刻设备内的图案形成装置的方法，所述方法包括：支撑所述图案形成装置；提供邻近于所述图案形成装置的气流；提供第一电极和第二电极，所述第一电极和所述第二电极每一个与所述图案形成装置间隔开，并且面向所述图案形成装置以与所述图案形成装置至少部分地重叠，其中，所述第二电极被设置成使得所述第二电极与所述图案形成装置的非图像形成部分至少部分地重叠，并且不与所述图案形成装置的图像形成部分重叠；并且，将所述第一电极保持在第一正电压，将所述第二电极保持在第二负电压，使得所述图案形成装置的电压为负。
条项20.一种用于调节光刻设备内的具有表膜组件的图案形成装置的方法，所述方法包括：支撑所述图案形成装置；提供邻近于所述图案形成装置的气流；提供第一电极和第二电极，所述第一电极和所述第二电极每一个与所述图案形成装置间隔开，并且面向所述图案形成装置以与所述图案形成装置至少部分地重叠，其中，所述第二电极被设置成使得所述第二电极与所述图案形成装置的一部分至少部分地重叠，并且不与所述表膜组件重叠，并且其中所述第一电极被设置成使得所述第一电极与所述表膜组件至少部分地重叠；并且，将所述第一电极保持在第一正电压，将所述第二电极保持在第二负电压，使得所述图案形成装置的电压为负，并且所述表膜的电压为正。
条项21.根据条项19或条项20所述的方法，还包括，在至少第一端位置与第二端位置之间沿扫描方向移动所述支撑结构。
条项22.根据条项21所述的方法，其中，所述电源根据所述图案形成装置的位置来控制所述第一正电压和/或第二负电压。
条项23.根据条项19至22中的任一项所述的方法，其中，所述方法的至少一部分通过使用根据条项1至15中的任一项所述的图案形成装置调节系统来执行。

Claims (15)

1.一种用于光刻设备的图案形成装置调节系统，所述图案形成装置调节系统包括：
支撑结构，所述支撑结构用于支撑图案形成装置，所述支撑结构包括：用于支撑所述图案形成装置的图像形成部分的第一部分，以及用于支撑所述图案形成装置的非图像形成部分的第二部分；
气体供应模块，所述气体供应模块能够操作以提供邻近于所述支撑结构的气流；以及
偏压模块，所述偏压模块用于在所述图案形成装置由所述支撑结构支撑时控制所述图案形成装置的电势，所述偏压模块包括第一电极、第二电极和电源；
其中，所述第一电极和所述第二电极每一个与所述支撑结构间隔开并且面向所述支撑结构，以与所述支撑结构至少部分地重叠；
其中，所述电源被布置成将所述第一电极保持在第一正电压并且将所述第二电极保持在第二负电压；
其中，所述第二电极被设置成使得所述第二电极与所述支撑结构的所述第二部分至少部分地重叠，并且不与所述支撑结构的所述第一部分重叠。
2.根据权利要求1所述的图案形成装置调节系统，其中，所述第一正电压和所述第二负电压使得所述图案形成装置的电压为负。
3.根据权利要求1或2所述的图案形成装置调节系统，还包括扫描模块，所述扫描模块能够操作以在至少第一端位置与第二端位置之间沿扫描方向移动所述支撑结构。
4.根据前述权利要求中的任一项所述的图案形成装置调节系统，其中，所述第二电极被设置成使得，当所述支撑结构设置在所述第一端位置、所述第二端位置、或所述第一端位置与所述第二端位置之间的任何位置时，所述第二电极与所述支撑结构的第二部分至少部分地重叠，并且不与所述支撑结构的第一部分重叠。
5.根据前述权利要求中的任一项所述的图案形成装置调节系统，其中，所述第一电极被设置成使得所述第一电极与所述支撑结构的第一部分至少部分地重叠。
6.根据前述权利要求中的任一项所述的图案形成装置调节系统，其中，所述第一电极包括多个第一电极元件。
7.根据直接或间接从属于权利要求3的权利要求6所述的图案形成装置调节系统，其中，所述第一电极元件被布置成使得，对于在所述第一端位置与所述第二端位置之间的位置范围内的任何位置，所述第一电极元件中的至少一个与所述支撑结构至少部分地重叠。
8.根据权利要求7所述的图案形成装置调节系统，其中所述第一电极元件中的至少一个与所述支撑结构的第一部分至少部分地重叠。
9.根据直接或间接从属于权利要求3的权利要求6所述的图案形成装置调节系统，其中所述电源被布置成根据所述支撑结构的位置来控制所述第一电极元件中的每一个的电压。
10.根据前述权利要求中的任一项所述的图案形成装置调节系统，其中所述第二电极包括多个第二电极元件，其中所述第二电极元件中的每一个被设置成使得其与所述支撑结构的第二部分至少部分地重叠，并且不与所述支撑结构的第一部分重叠。
11.根据直接或间接从属于权利要求2的权利要求10所述的图案形成装置调节系统，其中所述第二电极包括两个第二电极元件，所述第二电极元件中的每个沿垂直于所述扫描方向的非扫描方向延伸。
12.根据直接或间接从属于权利要求3的权利要求10或权利要求11所述的图案形成装置调节系统，其中，所述电源被布置成根据所述支撑结构的位置来控制所述第二电极元件中的每一个的电压。
13.根据前述权利要求中的任一项所述的图案形成装置调节系统，其中，所述第一正电压和所述第二负电压使得所述图案形成装置的电压幅度小于50V。
14.一种用于调节光刻设备内的图案形成装置的方法，所述方法包括：
支撑所述图案形成装置；
提供邻近于所述图案形成装置的气流；
提供第一电极和第二电极，所述第一电极和所述第二电极每一个与所述图案形成装置间隔开并且面向所述图案形成装置，以与所述图案形成装置至少部分地重叠，其中，所述第二电极被设置成使得所述第二电极与所述图案形成装置的非图像形成部分至少部分地重叠，并且不与所述图案形成装置的图像形成部分重叠；并且，
将所述第一电极保持在第一正电压，将所述第二电极保持在第二负电压，使得所述图案形成装置的电压为负。
15.一种用于调节光刻设备内的具有表膜组件的图案形成装置的方法，所述方法包括：
支撑所述图案形成装置；
提供邻近于所述图案形成装置的气流；
提供第一电极和第二电极，所述第一电极和所述第二电极每一个与所述图案形成装置间隔开并且面向所述图案形成装置，以与所述图案形成装置至少部分地重叠，其中所述第二电极被设置成使得所述第二电极与所述图案形成装置的一部分至少部分地重叠，并且不与所述表膜组件重叠，并且其中所述第一电极被设置成使得所述第一电极与所述表膜组件至少部分地重叠；并且，
将所述第一电极保持在第一正电压，将所述第二电极保持在第二负电压，使得所述图案形成装置的电压为负，并且所述表膜的电压为正。
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