TW202138903A - 圖案化器件調節系統及方法 - Google Patents

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戴 維德令 費迪南德斯 馬汀尼斯 喬瑟夫 亨利克斯 范
安卓亞 米克黑爾維其 亞庫尼
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Abstract

一種倍縮光罩調節系統，其包含：一支撐結構，其用於支撐一倍縮光罩；一氣體供應模組，其用於與該倍縮光罩鄰近地提供一氣體流；及一偏置模組，其用於控制該倍縮光罩之一電位。該氣體供應模組可操作以與該支撐結構鄰近地提供一氣體流。該偏置模組包含一第一電極、一第二電極及一電壓供應件。該第一電極及該第二電極各自間隔開且面向該倍縮光罩以便與該倍縮光罩至少部分地重疊。該電壓供應件經配置以將該第一電極維持處於一正電壓，且將該第二電極維持處於一負電壓，此等電壓係使得該倍縮光罩之電壓為負。該第二電極經安置成使得在使用中，其不與該倍縮光罩之一影像形成部分重疊。

Description

圖案化器件調節系統及方法
本發明係關於一種圖案化器件調節系統及一種關聯方法。特定言之，本發明係關於一種用於支撐(微影裝置內之)圖案化器件且經配置以減少在圖案化器件被如此支撐時粒子將入射於該圖案化器件上的機會之系統。本發明亦關於一種關聯方法。
微影裝置為經建構以將所要圖案施加至基板上之機器。微影裝置可用於例如積體電路(IC)之製造中。微影裝置可例如將圖案化器件(例如光罩或倍縮光罩)處之圖案投影至提供於基板上之輻射敏感材料(抗蝕劑)層上。
為了將圖案投影於基板上，微影裝置可使用電磁輻射。此輻射之波長判定可形成於基板上之特徵之最小大小。與使用例如具有193 nm之波長之輻射的微影裝置相比，使用具有在4 nm至20 nm之範圍內(例如6.7 nm或13.5 nm)之波長之極紫外線(EUV)輻射的微影裝置可用以在基板上形成較小特徵。
電磁輻射用以在基板上形成圖案化器件之影像。重要的是圖案化器件保持儘可能不受污染粒子影響，此係由於任何此類粒子皆可影響形成於基板上之影像。可需要提供在微影裝置內之用於支撐圖案化器件之系統，該系統經配置以減少在圖案化器件被支撐時粒子將入射於圖案化器件上的機會(例如相對於現有系統)。
可需要至少部分地解決與先前技術系統相關聯之一或多個問題，無論在本文中或以其他方式論述。
根據本發明之一第一態樣，提供一種用於一微影裝置之圖案化器件調節系統，該圖案化器件調節系統包含：一支撐結構，其用於支撐一圖案化器件，該支撐結構包含用於支撐該圖案化器件之一影像形成部分之一第一部分及用於支撐該圖案化器件之一非影像形成部分之一第二部分；一氣體供應模組，其可操作以與該支撐結構鄰近地提供一氣體流；及一偏置模組，其用於在一圖案化器件由該支撐結構支撐時控制該圖案化器件之一電位，該偏置模組包含一第一電極、一第二電極及一電壓供應件；其中該第一電極及該第二電極各自間隔開且面向該支撐結構以便與該支撐結構至少部分地重疊；其中該電壓供應件經配置以將該第一電極維持處於一第一正電壓，且將該第二電極維持處於一第二負電壓；且其中該第二電極經安置成使得其與該支撐結構之該第二部分至少部分地重疊且不與該支撐結構之該第一部分重疊。
在使用中，一圖案化器件可由該支撐結構支撐且可由輻射(例如EUV輻射)輻照以便在一基板(例如一抗蝕劑覆蓋之矽晶圓)上形成該圖案化器件之一影像。可需要防止粒子與該圖案化器件接觸，此係由於此可導致成像誤差。
根據本發明之該第一態樣之圖案化器件調節系統係有利的，如現在所論述。
首先，該氣體流可用以減少粒子與該圖案化器件接觸的機會，此係由於此類粒子可變得被夾帶於該氣體流中且被輸送遠離該圖案化器件。然而，在使用中，當該圖案化器件曝光至輻射時，該輻射可致使該氣體形成一電漿。當此類粒子移動通過該電漿時，其趨向於變得帶負電荷(此係由於該電漿中之電子比該電漿中之離子具有更高的遷移率)。此外，在使用中，當該圖案化器件曝光至輻射時，該圖案化器件歸因於光電效應而可變得稍微帶正電荷。結果，在此類粒子上可存在朝向該圖案化器件之一偏置力，其為非所要的。
由該支撐結構支撐之一圖案化器件通常可包含由一非影像形成部分包圍之一中心影像形成部分。該影像形成部分可包含以一圖案配置之反射部分及非反射部分兩者。在使用中，可由該影像形成部分反射輻射，其可用以形成一經圖案化輻射光束。一投影系統可用以在一基板上形成該圖案化器件之該影像形成部分之一(解析度受限)影像。該圖案化器件之電位可為浮動的(例如該圖案化器件可與該支撐結構電隔離)。
單純地，吾人可考慮一簡單配置，藉以一單個偏置電極被提供為以例如一正偏置電壓面向該圖案化器件，以便將帶負電荷粒子吸引朝向該單個偏置電極且遠離該圖案化器件。然而，歸因於存在電漿，對於此配置，電漿將在該單個偏置電極與該圖案化器件之間提供一導電鏈結。結果，該浮動圖案化器件將被拉至與該單個偏置電極相同的電位且將不存在作用於帶負電荷粒子之偏置場。
相比之下，根據本發明之該第一態樣之圖案化器件調節系統的偏置模組使用兩個偏置電極。該第一電極及該第二電極兩者具有與由該支撐結構支撐之一圖案化器件之一電容耦合。該第一電極有效地將該圖案化器件之該電壓推向該第一正電壓，且該第二電極有效地將該圖案化器件之該電壓推向該第二負電壓。此配置之結果為：該圖案化器件趨向於介於該第一正電壓與該第二負電壓之間的一中間電壓。該中間電壓可被認為係該第一電壓與該第二電壓之一加權平均值，該加權係藉由該兩個電極至該圖案化器件之該等電容耦合予以判定。應瞭解，該等電極中之每一者至該圖案化器件之該等電容耦合係取決於與該圖案化器件重疊的該電極之一面積及該電極與該圖案化器件之間的一分離度(及安置於該電極與該圖案化器件之間的介質之介電常數)。應瞭解，藉由對此等參數以及該第一電壓及該第二電壓之合適選擇，可確保該圖案化器件之該電壓(亦被稱作該中間電壓)為負。
該第一正電壓及該第二負電壓可使得該圖案化器件之該電壓為負。
應瞭解，在該第一電極(其經維持處於該第一正電壓)之一表面上，將誘發一正表面電荷密度，且在與該第一電極重疊的該圖案化器件之一部分上，將誘發一大體上相等但相反的負表面電荷密度。安置於該第一電極與該圖案化器件之間的任何負電荷(例如夾帶於該氣體流中)因此將趨向於朝向該第一電極且遠離該圖案化器件偏置。此情形係有利的，此係由於其將此類粒子保持遠離該圖案化器件。
相似地，應瞭解，在該第二電極(其經維持處於該第二負電壓)之一表面上，將誘發一負表面電荷密度，且在與該第二電極重疊的該圖案化器件之一部分上，將誘發一大體上相等但相反的正表面電荷密度。安置於該第二電極與該圖案化器件之間的任何負電荷(例如夾帶於該氣體流中)因此將趨向於遠離該第二電極且朝向該圖案化器件偏置。然而，該第二電極經安置成使得其與該支撐結構之該第二部分重疊，亦即，在使用中支撐該圖案化器件之一非影像形成部分的該支撐結構之部分。因此，儘管此類粒子被推向該圖案化器件，但其被推向該圖案化器件之該非影像形成部分且因此將不影響形成於該基板上之影像。
鄰近於該圖案化器件而安置的並不在該第一電極與該圖案化器件之間或該第二電極與該圖案化器件之間的任何負電荷(例如夾帶於該氣體流中)亦將趨向於經偏置遠離該圖案化器件，此係由於其經維持處於一負中間電壓(其限制條件為：其足夠遠離與上方誘發有該負電荷密度的該第二電極重疊的該圖案化器件之區)。
因此，根據本發明之該第一態樣之圖案化器件調節系統係有利的，此係因為該氣體供應模組可提供可用以將粒子輸送遠離該圖案化器件之一氣體流。同時，該偏置模組經配置以大體上使夾帶於此氣體流中之帶負電荷粒子偏置遠離該圖案化器件之所有部分，除了該圖案化器件之非成像部分的一部分之外。
由該氣體供應模組與該支撐結構鄰近地提供之該氣體流大體平行於該圖案化器件之一表面且可被稱作一交叉流。
該圖案化器件調節系統可進一步包含一掃描模組，該掃描模組可操作以在一掃描方向上在至少一第一末端位置與一第二末端位置之間移動該支撐結構。
此掃描模組可用以執行一動態掃描曝光。舉例而言，該掃描模組可操作以在該掃描方向上相對於一支撐框架(該支撐結構可被認為可移動地安裝至該支撐框架)移動該支撐結構。該氣體供應模組及該偏置模組亦可安裝於該支撐框架上。該氣體供應模組及該偏置模組可相對於該支撐框架固定或相對於該支撐框架獨立於該支撐結構至少可移動，使得當該支撐結構移動時，該氣體供應模組及該偏置模組可保持固定。
應瞭解，對於包含一掃描模組之此類實施例，該第二電極可安置成使得其針對該第一末端位置與該第二末端位置之間的該位置範圍之之至少一部分與該支撐結構之該第二部分重疊但不與該支撐結構之該第一部分重疊。
該支撐結構在該第一位置與該第二位置之間的該移動可界定該支撐結構之一延伸之第一部分區(由其中可安置該支撐結構之該第一部分的所有區界定)及該支撐結構之一延伸之第二部分區。
該第二電極可經安置成使得其在該支撐結構安置於該第一末端位置、該第二末端位置或其間任何位置中時與該支撐結構之該第二部分至少部分地重疊且不與該支撐結構之該第一部分重疊。
運用此配置，該第二電極可被認為與一固定的非臨界缺陷度區域重疊。舉例而言，該第二電極可包含在一非掃描方向(其垂直於該掃描方向)上延伸之一或多個延伸電極。
該第一電極可經安置成使得其與該支撐結構之該第一部分至少部分地重疊。
應瞭解，對於包含可操作以移動該支撐結構之一掃描模組的實施例，該第一電極可經安置成使得其針對該第一末端位置與該第二末端位置之間的位置範圍之至少一部分與該支撐結構之該第一部分至少部分地重疊。
該第一電極可包含複數個第一電極元件。
該等第一電極元件可經配置成使得使得針對在該第一末端位置與該第二末端位置之間的一位置範圍內之任何位置，該等第一電極元件中之至少一者與該支撐結構至少部分地重疊。
該等第一電極元件中之該至少一者可與該支撐結構之該第一部分至少部分地重疊。
該電壓供應件可經配置以取決於該支撐結構之一位置來控制該等第一電極元件中之每一者之一電壓。
該第二電極可包含複數個第二電極元件，其中該等第二電極元件中之每一者可安置成使得其與該支撐結構之該第二部分至少部分地重疊且不與該支撐結構之該第一部分重疊。
該第二電極可包含兩個第二電極元件，該等第二電極元件中之每一者在垂直於該掃描方向之一非掃描方向上延伸。舉例而言，該兩個第二電極元件可沿著該支撐結構之與該支撐結構之一延伸之第一部分區鄰近的一延伸之第二部分區延伸。
該電壓供應件可經配置以取決於該支撐結構之一位置來控制該等第二電極元件中之每一者之一電壓。
該第一正電壓及該第二負電壓可使得該圖案化器件之該電壓之一量值小於50 V。
應瞭解，若該圖案化器件之電壓為負，則當該圖案化器件之該電壓之量值小於50 V時，則該圖案化器件之該電壓介於-50 V與0 V之間。舉例而言，該等施加電壓可使得該圖案化器件之該電壓之量值小於20 V，例如大約10 V。
將該圖案化器件之該電壓維持處於一相對較小但負的電壓可提供帶負電荷粒子遠離該圖案化器件之成像部分之有益的偏置，同時降低通過圖案化器件上之(相對較薄)導電膜的電流位準。有利地，此可減少圖案化器件之加熱及/或損壞。此外，一旦自該第一電極及該第二電極移除電壓，則可保留已在該圖案化器件上誘發的該偏置電壓。藉由將此電壓保持為低的(例如低於50 V)，減少了此電壓與其他金屬組件電弧放電或短路的機會。
該第一電極及該第二電極中之一或多者可提供於一圖案化器件遮蔽葉片上，該等圖案化器件遮蔽葉片之一邊緣界定該圖案化器件上之一場區之一周邊的一部分。
該第一電極及該第二電極中之一或多者可提供於該氣體供應模組之一部分上。
替代地，該第一電極及該第二電極中之一或多者可提供於一微影裝置內之任何其他組件上。
根據本發明之一第二態樣，提供一種總成，其包含：根據本發明之該第一態樣之圖案化器件調節系統；及由該支撐結構支撐之一圖案化器件。
該圖案化器件可包含一倍縮光罩。
該圖案化器件可具備一護膜。
根據本發明之一第三態樣，提供一種微影裝置，其包含：一照明系統，其可操作以輸出一輻射光束；本發明之該第一態樣之圖案化器件調節系統，其中由該照明系統輸出之該輻射光束經引導至該支撐結構使得由該支撐結構支撐之一圖案化器件可在該輻射光束之橫截面中賦予一圖案，從而形成一經圖案化輻射光束；一基板台，其用於支撐一基板；及一投影系統，其用於將該經圖案化輻射光束投影至該基板之一目標區上以便在該基板上形成一影像。
根據本發明之一第四態樣，提供一種用於調節一微影裝置內之一圖案化器件之方法，該方法包含：支撐該圖案化器件；與該圖案化器件鄰近地提供一氣體流；提供各自間隔開且面向該圖案化器件以便與該圖案化器件至少部分地重疊的第一電極及第二電極，其中該第二電極經安置成使得其與該圖案化器件之一非影像形成部分至少部分地重疊且不與該圖案化器件之一成像部分重疊；及將該第一電極維持處於一第一正電壓且將該第二電極維持處於一第二負電壓使得該圖案化器件之電壓為負。
提供一氣體流可用以減少粒子與該圖案化器件接觸的機會，此係由於此類粒子可變得被夾帶於該氣體流中且被輸送遠離該圖案化器件。
根據本發明之該第四態樣之方法使用兩個偏置電極。該第一電極及該第二電極兩者具有與該圖案化器件之一電容耦合且可用以大體上使夾帶於該氣體流中之帶負電荷粒子偏置遠離該圖案化器件之所有部分，除了該圖案化器件之非成像部分的一部分之外。
根據本發明之一第五態樣，提供一種用於調節一微影裝置內之具有一護膜總成的一圖案化器件之方法，該方法包含：支撐該圖案化器件；與該圖案化器件鄰近地提供一氣體流；提供各自間隔開且面向該圖案化器件以便與該圖案化器件至少部分地重疊的第一電極及第二電極，其中該第二電極經安置成使得其與該圖案化器件之一部分至少部分地重疊且不與該護膜總成重疊，且其中該第一電極經安置成使得其與該護膜總成至少部分地重疊；及將該第一電極維持處於一第一正電壓且將該第二電極維持處於一第二負電壓使得該圖案化器件之電壓為負且該護膜之一電壓為正。
本發明之該第四態樣及該第五態樣之方法可進一步包含在一掃描方向上在至少一第一末端位置與一第二末端位置之間移動該支撐結構。取決於該圖案化器件之一位置來控制該第一正電壓及/或該第二負電壓、該電壓供應件。
本發明之該第四態樣及該第五態樣之方法的至少一部分可使用本發明之該第一態樣之圖案化器件調節系統來進行。
圖1展示包含輻射源SO及微影裝置LA之微影系統。輻射源SO經組態以產生EUV輻射光束B且將EUV輻射光束B供應至微影裝置LA。微影裝置LA包含照明系統IL、經組態以支撐圖案化器件MA (例如光罩)之支撐結構MT、投影系統PS，及經組態以支撐基板W之基板台WT。
照明系統IL經組態以在EUV輻射光束B入射於圖案化器件MA上之前調節該EUV輻射光束B。另外，照明系統IL可包括琢面化場鏡面器件10及琢面化光瞳鏡面器件11。琢面化場鏡面器件10及琢面化光瞳鏡面器件11一起向EUV輻射光束B提供所要橫截面形狀及所要強度分佈。除了琢面化場鏡面器件10及琢面化光瞳鏡面器件11以外或代替琢面化場鏡面器件10及琢面化光瞳鏡面器件11，照明系統IL亦可包括其他鏡面或器件。
在因此調節之後，EUV輻射光束B與圖案化器件MA相互作用。作為此相互作用之結果，產生經圖案化EUV輻射光束B'。投影系統PS經組態以將經圖案化EUV輻射光束B'投影至基板W上。出於彼目的，投影系統PS可包含經組態以將經圖案化EUV輻射光束B'投影至由基板台WT固持之基板W上的複數個鏡面13、14。投影系統PS可將縮減因數應用於經圖案化EUV輻射光束B'，因此形成特徵小於圖案化器件MA上之對應特徵的影像。舉例而言，可應用為4或8之縮減因數。儘管投影系統PS在圖1中被說明為僅具有兩個鏡面13、14，但投影系統PS可包括不同數目個鏡面(例如，六個或八個鏡面)。
基板W可包括先前形成之圖案。在此狀況下，微影裝置LA使由經圖案化EUV輻射光束B'形成之影像與先前形成於基板W上之圖案對準。
可在輻射源SO中、在照明系統IL中及/或在投影系統PS中提供相對真空，亦即在充分地低於大氣壓力之壓力下之少量氣體(例如氫氣)。
圖1所展示之輻射源SO例如屬於可被稱作雷射產生電漿(LPP)源之類型。可例如包括CO2 雷射之雷射系統1經配置以經由雷射光束2將能量沈積至自例如燃料發射器3提供之諸如錫(Sn)的燃料中。儘管在以下描述中提及錫，但可使用任何合適燃料。燃料可例如呈液體形式，且可例如為金屬或合金。燃料發射器3可包含一噴嘴，該噴嘴經組態以沿著朝向電漿形成區4之軌跡而引導例如呈小滴之形式的錫。雷射光束2在電漿形成區4處入射於錫上。雷射能量沈積至錫中會在電漿形成區4處產生錫電漿7。在電漿之電子與離子之去激發及再結合期間自電漿7發射包括EUV輻射之輻射。
來自電漿之EUV輻射由收集器5收集且聚焦。收集器5包含例如近正入射輻射收集器5 (有時更通常被稱作正入射輻射收集器)。收集器5可具有經配置以反射EUV輻射(例如，具有諸如13.5 nm之所要波長之EVU輻射)之多層鏡面結構。收集器5可具有橢球形組態，其具有兩個焦點。該等焦點中之第一焦點可處於電漿形成區4處，且該等焦點中之第二焦點可處於中間焦點6處，如下文所論述。
雷射系統1可在空間上與輻射源SO分離。在此種狀況下，雷射光束2可憑藉包含例如合適導向鏡及/或光束擴展器及/或其他光學器件之光束遞送系統(圖中未繪示)而自雷射系統1傳遞至輻射源SO。雷射系統1、輻射源SO及光束遞送系統可一起被認為係輻射系統。
由收集器5反射之輻射形成EUV輻射光束B。EUV輻射光束B聚焦於中間焦點6處，以在存在於電漿形成區4處之電漿之中間焦點6處形成影像。中間焦點6處之影像充當用於照明系統IL之虛擬輻射源。輻射源SO經配置使得中間焦點6位於輻射源SO之圍封結構9中之開口8處或附近。
儘管圖1描繪輻射源SO為雷射產生電漿(LPP)源，但諸如放電產生電漿(DPP)源或自由電子雷射(FEL)之任何合適源可用以產生EUV輻射。
本發明之實施例係關於微影裝置LA內之用於支撐圖案化器件MA之圖案化器件調節系統。該圖案化器件調節系統經配置以減少在圖案化器件MA被支撐時粒子將入射於該圖案化器件MA上的機會，如現在所論述。
如圖2中示意性地所展示，由支撐結構MT支撐之圖案化器件MA通常可包含由非影像形成部分22包圍之中心影像形成部分20。影像形成部分20可包含以圖案配置之反射部分及非反射部分兩者。在使用中，輻射光束B由影像形成部分20反射，該輻射光束可用以形成經圖案化輻射光束B'。整個圖案化器件MA可具備(相對較薄)導電塗層，該導電塗層一般而言覆蓋中心影像形成部分20及非影像形成部分22兩者。圖案化器件MA (及尤其導電塗層)之電位可為浮動的(例如圖案化器件MA可與支撐結構MT電隔離)。
應瞭解，由於支撐結構MT支撐圖案化器件MA，因此支撐結構MT可被認為包含用於支撐圖案化器件MA之影像形成部分20之第一部分(其在圖2中與影像形成部分20重合)及用於支撐圖案化器件MA之非影像形成部分22之第二部分(其在圖2中與影像形成部分20重合)。
支撐結構MT可在掃描方向上可移動以便在單次動態掃描曝光中曝光圖案化器件MA之較大區，如現在參看圖3A及圖3B所論述。圖3A及圖3B展示處於兩個不同位置之支撐結構MT及圖案化器件MA的示意性平面圖。
支撐結構MT以可移動方式安裝於區24內。特定言之，支撐結構MT在掃描方向上在第一末端位置(如圖3A中所展示)與第二末端位置(如圖3B中所展示)之間可移動，如由箭頭26所指示。
除非另外陳述，否則貫穿本說明書，將使用以下一組笛卡爾座標。掃描方向被標註為y方向。亦在支撐結構MT之平面中且垂直於掃描方向的方向被稱作非掃描方向且被標註為x方向。垂直於支撐結構MT之平面的方向被標註為z方向。
微影裝置LA可被認為包含可操作以使支撐結構MT在掃描方向上在至少第一末端位置與第二末端位置之間移動的掃描模組。舉例而言，掃描模組可操作以在掃描方向上相對於支撐框架(由區24示意性地指示)移動支撐結構MT，該支撐結構MT可被認為可移動地安裝至該支撐框架。
支撐結構MT在第一位置與第二位置之間之移動界定了由支撐結構MT之第一部分(或等效地，圖案化器件MA之影像形成部分20)可安置於其中的所有區所界定的支撐結構MT之延伸之第一部分區28。亦即，支撐結構MT之延伸之第一部分區28為由將支撐結構MT之第一部分(或等效地，圖案化器件MA之影像形成部分20)自第一末端位置(如圖3A中所展示)移動至第二末端位置(如圖3B中所展示)所界定的區。
支撐結構MT在第一位置與第二位置之間之移動亦界定了支撐結構之延伸之第二部分區。支撐結構MT之延伸之第二部分區可由支撐結構MT之第一部分(或等效地，圖案化器件MA之影像形成部分20)不能安置於其中的所有區界定。支撐結構MT之延伸之第二部分區包含兩個延伸之非臨界區30a、30b。
微影裝置LA具備四個倍縮光罩遮蔽葉片，該四個倍縮光罩遮蔽葉片界定經照明之圖案化器件MA上之場之範圍，如現在參看圖4A、圖4B及圖5所描述。照明系統IL可操作以在圖案化器件MA安置於支撐結構MT上時照明圖案化器件MA之區。此區可被稱作照明系統IL之隙縫且由四個倍縮光罩遮蔽葉片至少部分地界定，該四個倍縮光罩遮蔽葉片界定可接收輻射之圖案化器件之大體上矩形區。該大體上矩形區在第一方向(其可被稱作x方向)上之範圍係由一對x遮蔽葉片32、34界定。該大體上矩形區在第二方向(其可被稱作y方向)上之範圍係由一對y遮蔽葉片36、38界定。
遮蔽葉片32、34、36、38中之每一者安置成接近於但稍微在支撐結構MT上之圖案化器件之平面之外。x遮蔽葉片32、34安置於第一平面40中且y遮蔽葉片36、38安置於第二平面42中。
遮蔽葉片32、34、36、38中之每一者在可接收輻射之圖案化器件MA之平面中界定矩形場區44之一個邊緣。實務上，照明系統IL可僅照明矩形場區44之部分。如圖5中所展示，照明系統IL可經配置以照明彎曲隙縫區46，該彎曲隙縫區可與矩形場區44之一部分重合(取決於y遮蔽葉片36、38之位置)。每一葉片可在縮回位置與插入位置之間可獨立移動，在該縮回位置中，該葉片並未安置於輻射光束之路徑中，且在該插入位置中，該葉片至少部分地阻擋由照明系統IL投影至圖案化器件MA上之輻射光束。藉由將遮蔽葉片32、34、36、38移動至輻射光束之路徑中，可截斷輻射光束B (在x及/或y方向上)，因此限制接收輻射光束B之場區44之範圍。
x方向對應於微影裝置LA之非掃描方向，且y方向對應於微影裝置LA之掃描方向。圖案化器件MA在y方向上可移動通過場區44 (如同樣由箭頭26所指示)以便在單次動態掃描曝光中曝光圖案化器件MA之較大區。
在基板W之目標區之動態曝光期間，該目標區移動通過基板W之平面中的曝光區，該曝光區為圖案化器件MA之曝光區44由投影系統PS成像至的基板W之一部分。當基板W之目標區移動至曝光區中時，第一遮蔽葉片36、38移動使得僅該目標區接收輻射(亦即，目標區外部的基板之部分未被曝光)。在掃描曝光開始時，y遮蔽葉片36、38中之一者安置於輻射光束B之路徑中，而充當遮光片，使得基板W之任何部分皆不接收輻射。在掃描曝光結束時，另一y遮蔽葉片36、38安置於輻射光束B之路徑中，而充當遮光片，使得基板W之任何部分皆不接收輻射。
輻射光束B之射線被展示為鄰近於遮蔽葉片32、34、36、38中之每一者。應瞭解，隙縫區46中之每一點係被來自一角度範圍之輻射照明。舉例而言，隙縫區46中之每一點可接收一輻射錐。輻射光束B之射線被展示為鄰近於遮蔽葉片32、34、36、38中之每一者，指示了由圖案化器件MA所接收之輻射之平均方向。如自圖4A及圖4B可看到，在此實施例中，在輻射投影至x-z平面上時，輻射大體上正入射於圖案化MA上，而在輻射投影至y-z平面上時，輻射大體上以角度48入射於圖案化MA上。
微影裝置LA進一步包含氣體噴嘴50，該氣體噴嘴經配置以引導氣體流52與支撐結構MT鄰近。特定言之，由氣體噴嘴50提供為與支撐結構MT鄰近的氣體流52大體平行於圖案化器件MA之表面且可被稱作交叉流。氣體噴嘴50經安置成大體上在與x遮蔽葉片32、34相同的平面(第一平面40)中。氣體噴嘴指向掃描方向使得氣體流52大體平行於掃描方向且在x遮蔽葉片32、34之間流動。氣體噴嘴50可被認為形成可操作以與支撐結構MT鄰近地提供氣體流之氣體供應模組之部分。
圖5展示在如在正z方向(亦即在圖4B中向上)上檢視的第二平面42中之y遮蔽葉片36、38的平面圖。x遮蔽葉片32、34及氣體噴嘴(其安置於第一平面40中)之位置以點線展示。在圖5中，四個遮蔽葉片32、34、36、38經安置為界定大體上矩形場區44，隙縫區46安置於此大體上矩形場區44內。在目標區(例如基板W上之晶粒)之中心部分之曝光期間，此可為四個遮蔽葉片32、34、36、38之典型組態。如上文所解釋，x遮蔽葉片32、34中之每一者可操作以在x方向上移動且y遮蔽葉片36、38中之每一者可操作以在y方向上移動，以控制場區44之大小。y遮蔽葉片36、38經組態以使得其可自場區44之同一側被致動。為了達成此情形，y遮蔽葉片36、38經塑形使得(儘管其位於大體上同一平面42中)y遮蔽葉片36、38中之每一者具備在同一方向(在圖5中為負y方向)上延伸的一或多個支撐部分。
遮蔽葉片32、34、36、38及氣體噴嘴50可安裝於共同遮蔽葉片總成支撐件(圖中未繪示)上。應瞭解，遮蔽葉片32、34、36、38可以可移動方式安裝於此支撐件上使得其可相對於該支撐件移動。氣體噴嘴可靜態地安裝於上此支撐件上。
可需要防止粒子與圖案化器件MA接觸，此係由於此可導致形成於基板W上之影像之成像誤差。
本發明之實施例係關於包含偏置模組之裝置，該偏置模組用於在圖案化器件MA由支撐結構MT支撐時控制該圖案化器件MA之電位，如現在參看圖6A及圖6B所論述。該偏置模組包含第一電極54、第二電極56及電壓供應件58。
如可在圖6B中最佳地所見，第一電極54及第二電極56各自間隔開且面向支撐結構MT，以便與支撐結構MT及由其支撐之圖案化器件MA至少部分地重疊。在展示支撐結構MT及圖案化器件MA之平面圖的圖6A中，電極之位置係由點線指示。
電壓供應件58與第一電極54及第二電極56中之每一者電連接，如分別由線60、62指示。電壓供應件58可操作以控制第一電極54及第二電極56中之每一者之電壓。特定言之，電壓供應件56經配置以將第一電極54維持處於第一正電壓，且將第二電極56維持處於第二負電壓。
該第一正電壓及該第二負電壓係使得圖案化器件之電壓為負。
第二電極56 (其由電壓供應件維持處於負電壓)經安置成使得其與圖案化器件MA之非影像形成部分22至少部分地重疊且不與圖案化器件MA之影像形成部分20重疊。
與氣體供應模組(其可例如包含以上所描述之氣體噴嘴50)組合之此偏置模組係特別有利的，如現在所論述。偏置模組、氣體供應模組(其可例如包含以上所描述之氣體噴嘴50)及支撐結構可被認為形成圖案化器件調節系統(例如用於微影裝置LA)。
有利地，來自氣體噴嘴50之氣體流52可用以減少粒子與圖案化器件MA接觸的機會，此係由於此類粒子可變得被夾帶於該氣體流52中且被輸送遠離圖案化器件MA。然而，在使用中，當圖案化器件MA曝光至輻射光束B時，輻射可致使氣體52形成電漿。當此類粒子移動通過電漿時，其趨向於變得帶負電荷(此係由於電漿中之電子比電漿中之離子具有更高的遷移率)。此外，在使用中，當圖案化器件MA曝光至輻射時，圖案化器件MA歸因於光電效應而可變得稍微帶正電荷。結果，在此類粒子上可存在朝向圖案化器件MA之偏置力，其為非所要的。
單純地，吾人可考慮一簡單配置，藉以單個偏置電極被提供為以例如正偏置電壓面向圖案化器件MA，以便將帶負電荷粒子吸引朝向該單個偏置電極且遠離圖案化器件MA。然而，歸因於存在電漿，對於此配置，電漿將在該單個偏置電極與圖案化器件MA之間提供導電鏈結。結果，浮動圖案化器件MA將被拉至與單個偏置電極相同的電位且將不存在作用於帶負電荷粒子之偏置場。
相比之下，以上參看圖6A及圖6B所描述之偏置模組使用兩個偏置電極54、56。第一電極54及第二電極56兩者具有與由支撐結構MT支撐之圖案化器件MA之電容耦合。第一電極54有效地將圖案化器件MA之電壓推向第一正電壓，且第二電極56有效地將圖案化器件MA之電壓推向第二負電壓。此配置之結果為：圖案化器件MA趨向於介於第一正電壓與第二負電壓之間的中間電壓。該中間電壓可被認為係第一電壓與第二電壓之加權平均值，該加權係藉由兩個電極54、56至圖案化器件MA之電容耦合予以判定。應瞭解，電極54、56中之每一者至圖案化器件MA之電容耦合係取決於與圖案化器件MA重疊的電極54、56之面積及電極54、56與圖案化器件MA之間的分離度(及安置於電極54、56與圖案化器件MA之間的介質之介電常數)。應瞭解，藉由對此等參數以及第一及第二電壓之合適選擇，可確保圖案化器件MA之電壓(亦被稱作中間電壓)為負。
應瞭解，在第一電極54 (其經維持處於第一正電壓)之表面上，將誘發正表面電荷密度，且在與第一電極54重疊的圖案化器件MA之一部分上，將誘發大體上相等但相反的負表面電荷密度。安置於第一電極54與圖案化器件MA之間的任何負電荷(例如夾帶於氣體流中)因此將趨向於朝向第一電極54且遠離圖案化器件MA偏置。此情形係有利的，此係由於其將此類粒子保持遠離圖案化器件MA。
相似地，應瞭解，在第二電極56 (其經維持處於第二負電壓)之表面上，將誘發負表面電荷密度，且在與第二電極56重疊的圖案化器件MA之一部分上，將誘發大體上相等但相反的正表面電荷密度。安置於第二電極56與圖案化器件MA之間的任何負電荷(例如夾帶於氣體流中)因此將趨向於遠離第二電極56且朝向圖案化器件MA偏置。然而，第二電極56經安置成使得其與圖案化器件MA之非影像形成部分22重疊。因此，儘管此類粒子被推向圖案化器件MA，但其被推向圖案化器件MA之非影像形成部分22且因此將不影響形成於基板W上之影像。
鄰近於圖案化器件MA而安置的並不在第一電極54與圖案化器件MA之間或第二電極56與圖案化器件MA之間的任何負電荷(例如夾帶於氣體流中)亦將趨向於經偏置遠離圖案化器件MA，此係由於其經維持處於負中間電壓(其限制條件為：其足夠遠離與上方誘發有負電荷密度的第二電極56重疊的圖案化器件MA之區)。
因此，以上所描述之圖案化器件調節系統係有利的，此係因為氣體供應模組可提供可用以將粒子輸送遠離圖案化器件MA之氣體流52。同時，偏置模組經配置以大體上使夾帶於此氣體流52中之帶負電荷粒子偏置遠離圖案化器件MA之所有部分，除了圖案化器件MA之非成像部分22的一部分之外。
電壓供應件58可經組態成使得第一正電壓及第二負電壓係使得圖案化器件MA之電壓之量值小於50 V。舉例而言，該等施加電壓可使得圖案化器件MA之電壓小於20 V，例如大約10 V。
將圖案化器件MA之電壓維持處於相對較小但負的電壓可提供帶負電荷粒子遠離圖案化器件MA之成像部分20之有益的偏置，同時降低通過圖案化器件MA上之(相對較薄)導電膜的電流位準。有利地，此可減少圖案化器件MA之加熱及/或損壞。此外，一旦自第一及第二電極移除電壓，則可保留已在圖案化器件MA上誘發的偏置電壓。藉由將此電壓保持為低的(例如低於50 V)，減少了此電壓與其他金屬組件電弧放電或短路的機會。
應瞭解，第一電極54及第二電極56 (在圖6A及圖6B中相當示意性地展示)可提供於任何合宜的位置中，其限制條件為第二電極56 (在其上誘發負電荷密度)不與圖案化器件之影像形成部分20重疊。第一及第二電極中之任一者可由複數個電極提供。第一及第二電極可提供於大體上同一平面中或距圖案化器件MA不同距離之不同平面中(如在圖6A及圖6B中)。
應瞭解，對於包含掃描模組且其中在使用中，支撐結構MT及圖案化器件MA在掃描方向上移動的實施例，第二電極56可安置成使得其針對第一末端位置與第二末端位置之間的整個位置範圍始終與圖案化器件MA之非成像部分22重疊且不與圖案化器件MA之影像形成部分20重疊。亦即，第二電極可安置成使得其在支撐結構MT安置於第一末端位置、第二末端位置或其間任何位置中時與圖案化器件MA之非影像形成部分22至少部分地重疊且不與圖案化器件MA之影像形成部分20重疊。實務上，此可使用多個第二電極來達成。此類多個第二電極之電壓可例如取決於圖案化器件MA之位置來控制。
在一些實施例中，第二電極提供於兩個x遮蔽葉片32、34中之一者或兩者上。有利地，此等第二電極遍及第一末端位置與第二末端位置之間的整個位置範圍與圖案化器件MA重疊，且特定言之與圖案化器件MA之非影像形成部分22重疊。
視情況，第一電極54可安置成使得其與圖案化器件MA之影像形成部分20至少部分地重疊。舉例而言，此配置可用於包含可操作以移動支撐結構MT之掃描模組的實施例，如上文所描述，此係由於對於此類掃描配置，始終存在圖案化器件MA之並未接收輻射光束B的影像形成部分20的至少一部分。第一電極54可安置成使得其針對第一末端位置與第二末端位置之間的位置範圍之至少一部分與圖案化器件MA之影像形成部分20至少部分地重疊。第一電極54可經安置成使得其針對第一末端位置與第二末端位置之間的整個位置範圍與圖案化器件MA之影像形成部分20至少部分地重疊。實務上，此可使用多個第一電極來達成。此類多個第一電極之電壓可例如取決於圖案化器件MA之位置來控制。
在一些實施例中，第一電極可包含在針對第一末端位置與第二末端位置之間的掃描位置範圍之至少一部分與圖案化器件MA之影像形成部分20重疊的任何組件上所提供的一或多個電極。舉例而言，第一電極可提供於y遮蔽葉片38、38及/或氣體噴嘴50上。
一般而言，對於包含可操作以移動支撐結構MT之掃描模組之實施例，如上文所描述，第一電極54可包含經安置成使得在支撐結構MT (參見圖3A及圖3B)之延伸之第一部分區28內重疊的一或多個電極，且第二電極56可包含經安置成使得在支撐結構MT (參見圖3A及圖3B)之兩個延伸之非臨界區30a、30b內重疊的一或多個電極。
在一些實施例中，圖案化器件MA可具備護膜總成。此護膜總成可包含在支撐框架上張緊之相對較薄隔膜。護膜總成提供於圖案化器件MA上方以便覆蓋影像形成部分20。舉例而言，框架可與圖案化器件MA之非影像形成部分22重疊且隔膜可與圖案化器件MA之影像形成部分20重疊。對於此類實施例，圖案化器件調節系統可經修改以提供一方案，藉以圖案化器件MA之影像形成部分20相對於護膜而負偏置以在來自圖案化器件MA之粒子上朝向護膜產生電磁力。應瞭解，對於其中使用護膜之實施例，僅安置於護膜與圖案化器件之間的粒子呈現關於成像之問題(此區外部之粒子歸因於該護膜而不能撞擊於圖案化器件MA上)。
此可藉由在護膜區域外部置放面向圖案化器件MA之導電表面的負偏置對立電極(例如在非掃描方向上延伸)且藉由置放面向護膜的正偏置對立電極(例如在掃描方向上延伸)來達成。亦即，對於待適於與護膜一起使用之圖案化器件調節系統之電極之定位或偏置，不進行顯著改變。護膜有效地提供由實際第一電極維持處於正偏置的有效第一電極。有利地，由護膜形成之有效第一電極可針對掃描位置之整個範圍(隨著護膜與圖案化器件MA一起移動)覆蓋圖案化器件MA之整個影像形成部分20。然而應瞭解，實際電極(其經由電容耦合將電壓施加至護膜)與護膜之間的重疊可遍及圖案化器件MA之掃描位置範圍而變化。
儘管可在本文中特定地參考在IC製造中微影裝置之使用，但應理解，本文中所描述之微影裝置可具有其他應用。可能之其他應用包括製造整合式光學系統、用於磁疇記憶體之導引及偵測、平板顯示器、液晶顯示器(LCD)、薄膜磁頭，等等。
儘管可在本文中特定地參考在微影裝置之內容背景中之本發明之實施例，但本發明之實施例可用於其他裝置中。本發明之實施例可形成光罩檢測裝置、度量衡裝置或量測或處理諸如晶圓(或其他基板)或光罩(或其他圖案化器件)之物件之任何裝置之部件。此等裝置通常可被稱作微影工具。此微影工具可使用真空條件或環境(非真空)條件。
儘管上文可特定地參考在光學微影之內容背景中對本發明之實施例之使用，但應瞭解，本發明在內容背景允許之情況下不限於光學微影可用於其他應用(例如壓印微影)中。
在內容背景允許之情況下，可以硬體、韌體、軟體或其任何組合實施本發明之實施例。本發明之實施例亦可被實施為儲存於機器可讀媒體上之指令，該等指令可由一或多個處理器讀取及執行。機器可讀媒體可包括用於儲存或傳輸以可由機器(例如計算器件)讀取之形式之資訊的任何機構。舉例而言，機器可讀媒體可包括唯讀記憶體(ROM)；隨機存取記憶體(RAM)；磁性儲存媒體；光學儲存媒體；快閃記憶體器件；電形式、光形式、聲形式或其他形式之傳播信號(例如載波、紅外線信號、數位信號等)，及其他者。另外，韌體、軟體、常式、指令可在本文中被描述為執行某些動作。然而，應瞭解，此類描述僅係出於方便起見，且此等動作事實上起因於計算器件、處理器、控制器或執行韌體、軟體、常式、指令等且在執行此操作時可使致動器或其他器件與實體世界相互作用之其他器件。
雖然上文已描述本發明之特定實施例，但應瞭解，可以與所描述方式不同之其他方式來實踐本發明。以上描述意欲為說明性，而非限制性的。因此，對於熟習此項技術者將顯而易見，可在不脫離下文所闡明之申請專利範圍之範疇的情況下對所描述之本發明進行修改。
條項
條項1. 一種用於一微影裝置之圖案化器件調節系統，該圖案化器件調節系統包含：一支撐結構，其用於支撐一圖案化器件，該支撐結構包含用於支撐該圖案化器件之一影像形成部分之一第一部分及用於支撐該圖案化器件之一非影像形成部分之一第二部分；一氣體供應模組，其可操作以與該支撐結構鄰近地提供一氣體流；及一偏置模組，其用於在一圖案化器件由該支撐結構支撐時控制該圖案化器件之一電位，該偏置模組包含一第一電極、一第二電極及一電壓供應件；其中該第一電極與該第二電極各自間隔開且面向該支撐結構以便與該支撐結構至少部分地重疊；其中該電壓供應件經配置以將該第一電極維持處於一第一正電壓，且將該第二電極維持處於一第二負電壓；其中該第二電極經安置成使得其與該支撐結構之該第二部分至少部分地重疊且不與該支撐結構之該第一部分重疊。
條項2. 如條項1之圖案化器件調節系統，其中該第一正電壓及該第二負電壓係使得該圖案化器件之電壓為負。
條項3. 如條項1或條項2之圖案化器件調節系統，其進一步包含一掃描模組，該掃描模組可操作以在一掃描方向上在至少一第一末端位置與一第二末端位置之間移動該支撐結構。
條項4. 如任一前述條項之圖案化器件調節系統，其中該第二電極經安置成使得其在該支撐結構安置於該第一末端位置、該第二末端位置或其間任何位置中時與該支撐結構之該第二部分至少部分地重疊且不與該支撐結構之該第一部分重疊。
條項5. 如任一前述條項之圖案化器件調節系統，其中該第一電極經安置成使得其與該支撐結構之該第一部分至少部分地重疊。
條項6. 如任一前述條項之圖案化器件調節系統，其中該第一電極包含複數個第一電極元件。
條項7. 如條項6之圖案化器件調節系統，在直接地或間接地附屬於條項3時，其中該等第一電極元件經配置成使得針對在該第一末端位置與該第二末端位置之間的一位置範圍內之任何位置，該等第一電極元件中之至少一者與該支撐結構至少部分地重疊。
條項8. 如條項7之圖案化器件調節系統，其中該等第一電極元件中之該至少一者與該支撐結構之該第一部分至少部分地重疊。
條項9. 如條項6之圖案化器件調節系統，在直接地或間接地附屬於條項3時，其中該電壓供應件經配置以取決於該支撐結構之一位置來控制該等第一電極元件中之每一者之一電壓。
條項10.   如任一前述條項之圖案化器件調節系統，其中該第二電極包含複數個第二電極元件，其中該等第二電極元件中之每一者經安置成使得其與該支撐結構之該第二部分至少部分地重疊且不與該支撐結構之該第一部分重疊。
條項11.   如條項10之圖案化器件調節系統，在直接地或間接地附屬於條項2時，其中該第二電極包含兩個第二電極元件，該等第二電極元件中之每一者在垂直於該掃描方向之一非掃描方向上延伸。
條項12.   如條項10或條項11之圖案化器件調節系統，在直接地或間接地附屬於條項3時，其中該電壓供應件經配置以取決於該支撐結構之一位置來控制該等第二電極元件中之每一者之一電壓。
條項13.   如任一前述條項之圖案化器件調節系統，其中該第一正電壓及該第二負電壓係使得該圖案化器件之該電壓之一量值小於50 V。
條項14.   如任一前述條項之圖案化器件調節系統，其中該第一電極及該第二電極中之一或多者提供於一圖案化器件遮蔽葉片上，該等圖案化器件遮蔽葉片之一邊緣界定該圖案化器件上之一場區之一周邊的一部分。
條項15.   如任一前述條項之圖案化器件調節系統，其中該第一電極及該第二電極中之一或多者提供於該氣體供應模組之一部分上。
條項16.   一種總成，其包含：如任一前述條項之圖案化器件調節系統；及由該支撐結構支撐之一圖案化器件。
條項17.   如條項16之總成，其中該圖案化器件具備一護膜。
條項18.   一種微影裝置，其包含：一照明系統，其可操作以輸出一輻射光束；如條項1至15中任一項之圖案化器件調節系統，其中由該照明系統輸出之該輻射光束經引導至該支撐結構使得由該支撐結構支撐之一圖案化器件可在該輻射光束之橫截面中賦予一圖案，從而形成一經圖案化輻射光束；一基板台，其用於支撐一基板；及一投影系統，其用於將該經圖案化輻射光束投影至該基板之一目標區上以便在該基板上形成一影像。
條項19.   一種用於調節一微影裝置內之一圖案化器件之方法，該方法包含：支撐該圖案化器件；與該圖案化器件鄰近地提供一氣體流；提供各自間隔開且面向該圖案化器件以便與該圖案化器件至少部分地重疊的第一電極及第二電極，其中該第二電極經安置成使得其與該圖案化器件之一非影像形成部分至少部分地重疊且不與該圖案化器件之一成像部分重疊；及將該第一電極維持處於一第一正電壓且將該第二電極維持處於一第二負電壓使得該圖案化器件之電壓為負。
條項20.   一種用於調節一微影裝置內之具有一護膜總成的一圖案化器件之方法，該方法包含：支撐該圖案化器件；與該圖案化器件鄰近地提供一氣體流；提供各自間隔開且面向該圖案化器件以便與該圖案化器件至少部分地重疊的第一電極及第二電極，其中該第二電極經安置成使得其與該圖案化器件之一部分至少部分地重疊且不與該護膜總成重疊，且其中該第一電極經安置成使得其與該護膜總成至少部分地重疊；及將該第一電極維持處於一第一正電壓且將該第二電極維持處於一第二負電壓使得該圖案化器件之電壓為負且該護膜之一電壓為正。
條項21.   如條項19或條項20之方法，其進一步包含在一掃描方向上在至少一第一末端位置與一第二末端位置之間移動該支撐結構。
條項22.   如條項21之方法，其中取決於該圖案化器件之一位置來控制該第一正電壓及/或該第二負電壓、該電壓供應件。
條項23.   如條項19至22中任一項之方法，其中該方法之至少一部分係使用如條項1至15中任一項之圖案化器件調節系統來進行。
1:雷射系統 2:雷射光束 3:燃料發射器 4:電漿形成區 5:近正入射輻射收集器 6:中間焦點 7:錫電漿 8:開口 9:圍封結構 10:琢面化場鏡面器件 11:琢面化光瞳鏡面器件 13:鏡面 14:鏡面 20:中心影像形成部分 22:非影像形成部分 24:區 26:箭頭 28:延伸之第一部分區 30a:非臨界區 30b:非臨界區 32:x遮蔽葉片 34:x遮蔽葉片 36:y遮蔽葉片/第一遮蔽葉片 38:y遮蔽葉片/第一遮蔽葉片 40:第一平面 42:第二平面 44:大體上矩形場區/曝光區 46:彎曲隙縫區 48:角度 50:氣體噴嘴 52:氣體流/氣體 54:第一電極/偏置電極 56:第二電極/偏置電極 58:電壓控制件 60:線 62:線 B:極紫外線(EUV)輻射光束 B':經圖案化極紫外線(EUV)輻射光束 IL:照明系統 LA:微影裝置 MA:圖案化器件 MT:支撐結構 PS:投影系統 SO:輻射源 W:基板 WT:基板台
現在將僅作為實例參看隨附示意性圖式來描述本發明之實施例，在該等圖式中： -  圖1描繪包含微影裝置及輻射源之微影系統； -  圖2為形成圖1所展示之微影裝置之部分的支撐結構及由該支撐結構支撐之圖案化器件的示意性平面圖； -  圖3A為安置於第一末端位置中的圖2中所展示之支撐結構及圖案化器件的示意性平面圖； -  圖3B為安置於第二末端位置中的圖2中所展示之支撐結構及圖案化器件的示意性平面圖； -  圖4A為通過圖1之微影裝置之支撐結構上之圖案化器件以及倍縮光罩遮蔽葉片的第一橫截面的示意性說明； -  圖4B為通過圖1之微影裝置之支撐結構上之圖案化器件以及倍縮光罩遮蔽葉片的第二橫截面的示意性說明； -  圖5為展示呈第一組態的圖1之微影裝置之y遮蔽葉片及x遮蔽葉片(點線)的平面圖； -  圖6A為包含支撐結構(被展示為支撐圖案化器件)及偏置模組且用於在圖案化器件由支撐結構支撐時控制圖案化器件之電位的裝置的示意性平面圖；及 -  圖6B展示圖6A中所展示之裝置及所支撐圖案化器件的橫截面圖。
26:箭頭
36:y遮蔽葉片/第一遮蔽葉片
38:y遮蔽葉片/第一遮蔽葉片
40:第一平面
44:大體上矩形場區/曝光區
48:角度
50:氣體噴嘴
52:氣體流/氣體
MA:圖案化器件

Claims (15)

  1. 一種用於一微影裝置之圖案化器件調節系統，該圖案化器件調節系統包含： 一支撐結構，其用於支撐一圖案化器件，該支撐結構包含用於支撐該圖案化器件之一影像形成部分之一第一部分及用於支撐該圖案化器件之一非影像形成部分之一第二部分； 一氣體供應模組，其可操作以與該支撐結構鄰近地提供一氣體流；及 一偏置模組，其用於在一圖案化器件由該支撐結構支撐時控制該圖案化器件之一電位，該偏置模組包含一第一電極、一第二電極及一電壓供應件； 其中該第一電極與該第二電極各自間隔開且面向該支撐結構以便與該支撐結構至少部分地重疊； 其中該電壓供應件經配置以將該第一電極維持處於一第一正電壓，且將該第二電極維持處於一第二負電壓； 其中該第二電極經安置成使得其與該支撐結構之該第二部分至少部分地重疊且不與該支撐結構之該第一部分重疊。
  2. 如請求項1之圖案化器件調節系統，其中該第一正電壓及該第二負電壓係使得該圖案化器件之電壓為負。
  3. 如請求項1或請求項2之圖案化器件調節系統，其進一步包含一掃描模組，該掃描模組可操作以在一掃描方向上在至少一第一末端位置與一第二末端位置之間移動該支撐結構。
  4. 如請求項1或請求項2之圖案化器件調節系統，其中該第二電極經安置成使得其在該支撐結構安置於該第一末端位置、該第二末端位置或其間任何位置中時與該支撐結構之該第二部分至少部分地重疊且不與該支撐結構之該第一部分重疊。
  5. 如請求項1或請求項2之圖案化器件調節系統，其中該第一電極經安置成使得其與該支撐結構之該第一部分至少部分地重疊。
  6. 如請求項1或請求項2之圖案化器件調節系統，其中該第一電極包含複數個第一電極元件。
  7. 如請求項6之圖案化器件調節系統，在直接地或間接地附屬於請求項3時，其中該等第一電極元件經配置成使得針對在該第一末端位置與該第二末端位置之間的一位置範圍內之任何位置，該等第一電極元件中之至少一者與該支撐結構至少部分地重疊。
  8. 如請求項7之圖案化器件調節系統，其中該等第一電極元件中之該至少一者與該支撐結構之該第一部分至少部分地重疊。
  9. 如請求項6之圖案化器件調節系統，在直接地或間接地附屬於請求項3時，其中該電壓供應件經配置以取決於該支撐結構之一位置來控制該等第一電極元件中之每一者之一電壓。
  10. 如請求項1或請求項2之圖案化器件調節系統，其中該第二電極包含複數個第二電極元件，其中該等第二電極元件中之每一者經安置成使得其與該支撐結構之該第二部分至少部分地重疊且不與該支撐結構之該第一部分重疊。
  11. 如請求項10之圖案化器件調節系統，在直接地或間接地附屬於請求項2時，其中該第二電極包含兩個第二電極元件，該等第二電極元件中之每一者在垂直於該掃描方向之一非掃描方向上延伸。
  12. 如請求項10之圖案化器件調節系統，在直接地或間接地附屬於請求項3時，其中該電壓供應件經配置以取決於該支撐結構之一位置來控制該等第二電極元件中之每一者之一電壓。
  13. 如請求項1或請求項2之圖案化器件調節系統，其中該第一正電壓及該第二負電壓係使得該圖案化器件之該電壓之一量值小於50 V。
  14. 一種用於調節一微影裝置內之一圖案化器件之方法，該方法包含： 支撐該圖案化器件； 與該圖案化器件鄰近地提供一氣體流； 提供各自間隔開且面向該圖案化器件以便與該圖案化器件至少部分地重疊的第一電極及第二電極，其中該第二電極經安置成使得其與該圖案化器件之一非影像形成部分至少部分地重疊且不與該圖案化器件之一成像部分重疊；及 將該第一電極維持處於一第一正電壓且將該第二電極維持處於一第二負電壓使得該圖案化器件之電壓為負。
  15. 一種用於調節一微影裝置內之具有一護膜總成的一圖案化器件之方法，該方法包含： 支撐該圖案化器件； 與該圖案化器件鄰近地提供一氣體流； 提供各自間隔開且面向該圖案化器件以便與該圖案化器件至少部分地重疊的第一電極及第二電極，其中該第二電極經安置成使得其與該圖案化器件之一部分至少部分地重疊且不與該護膜總成重疊，且其中該第一電極經安置成使得其與該護膜總成至少部分地重疊；及 將該第一電極維持處於一第一正電壓且將該第二電極維持處於一第二負電壓使得該圖案化器件之電壓為負且該護膜之一電壓為正。
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