JPS5961926A - 電子−光投影露光装置 - Google Patents
電子−光投影露光装置Info
- Publication number
- JPS5961926A JPS5961926A JP57170842A JP17084282A JPS5961926A JP S5961926 A JPS5961926 A JP S5961926A JP 57170842 A JP57170842 A JP 57170842A JP 17084282 A JP17084282 A JP 17084282A JP S5961926 A JPS5961926 A JP S5961926A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- sample
- electron beam
- light
- deflection
- electron
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B82—NANOTECHNOLOGY
- B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
- B82Y10/00—Nanotechnology for information processing, storage or transmission, e.g. quantum computing or single electron logic
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B82—NANOTECHNOLOGY
- B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
- B82Y40/00—Manufacture or treatment of nanostructures
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/30—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects
- H01J37/317—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects for changing properties of the objects or for applying thin layers thereon, e.g. for ion implantation
- H01J37/3174—Particle-beam lithography, e.g. electron beam lithography
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Nanotechnology (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Theoretical Computer Science (AREA)
- Mathematical Physics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の利用分野〕
本発明は電子−光投影露光装置、特に試料上に予め定め
られたパターンを形成するだめに用いられるのに適した
電子−光投影露光装置に関する。
られたパターンを形成するだめに用いられるのに適した
電子−光投影露光装置に関する。
レチクル又はマスク製作のために用いられるノくターン
ジェネレータの欠点である低描画速度および低分解能を
カバーするものとして電子線描画装置が利用されるよう
になってきている。また最近では半導体ウエーノ・に対
する直接描画が可能な電子線描画装置も開発されている
。
ジェネレータの欠点である低描画速度および低分解能を
カバーするものとして電子線描画装置が利用されるよう
になってきている。また最近では半導体ウエーノ・に対
する直接描画が可能な電子線描画装置も開発されている
。
しかし、磁子線描画装置は描画を真空中で行うように構
成されなければにらないだめ、その装置が大がかりにな
ると共に、試料交換に当って真空破壊および高真空排気
を行わなければならないことから試料交換に長時間が必
要であるのみならず、その操作も面倒であるという問題
がある。
成されなければにらないだめ、その装置が大がかりにな
ると共に、試料交換に当って真空破壊および高真空排気
を行わなければならないことから試料交換に長時間が必
要であるのみならず、その操作も面倒であるという問題
がある。
これらの問題は、最近多用されるようになってきている
、７スク又はレチクルの像をウェーハ上に転写する光Ａ
・に光装置ｉ￥によって解決される。
、７スク又はレチクルの像をウェーハ上に転写する光Ａ
・に光装置ｉ￥によって解決される。
しかし、この光＋５’？を光装置を用いる場合は、半導
体回路製作に当ってマスク又はレチクルの製作二［稈が
必須不可欠となり、その結果とじ−Ｃターンアラウンド
タイムが増大するという問題がある。
体回路製作に当ってマスク又はレチクルの製作二［稈が
必須不可欠となり、その結果とじ−Ｃターンアラウンド
タイムが増大するという問題がある。
したがって、本発明の目的は試料の露光をマスク又はレ
チクルを用いることなしに大気中で行うことができる１
程子−光投影露光装置を提供することにある。
チクルを用いることなしに大気中で行うことができる１
程子−光投影露光装置を提供することにある。
本発明によれば、蛍光表面は集束された電子線でもって
走査され、そ力、にょって蛍光表面から発生する蛍光は
試料に投影される。したがって、蛍光表面の集束された
電子線による走査と蛍光表面に対する集束された電子線
の照射を制御することによって試料上に予め定められた
パターンを形成することができる。
走査され、そ力、にょって蛍光表面から発生する蛍光は
試料に投影される。したがって、蛍光表面の集束された
電子線による走査と蛍光表面に対する集束された電子線
の照射を制御することによって試料上に予め定められた
パターンを形成することができる。
第１図は本−’ｔ１明にイ、とづく一実施例を示す。同
図全参照す七：）に、１０″８ＴＯｒｒ以上の高真空度
金有する真空室１内の上端部に配置された電子銃２から
放出される電子線は集束レンズ３および４によって予め
定められた位置４に集束される。、〆（空室１の下端に
配置されたガラスのような透明板５には蛍光層６が、そ
の表面が予め定められた位１ｉ４に配置されるように形
成されている。したがって、蛍光層６は集束された電子
線によって照射され、それによって蛍光を発生する。蛍
光層６が発生する蛍光はその蛍光発生点の像が試料７上
に形成されるように、大気圧雰囲気のハウジング２０内
に配置された投影光学系８によって試料７に投影される
。投影光学系８は等倍率投影光学系であってもよいし、
あるいは縮小投影光学系であってもよい。
図全参照す七：）に、１０″８ＴＯｒｒ以上の高真空度
金有する真空室１内の上端部に配置された電子銃２から
放出される電子線は集束レンズ３および４によって予め
定められた位置４に集束される。、〆（空室１の下端に
配置されたガラスのような透明板５には蛍光層６が、そ
の表面が予め定められた位１ｉ４に配置されるように形
成されている。したがって、蛍光層６は集束された電子
線によって照射され、それによって蛍光を発生する。蛍
光層６が発生する蛍光はその蛍光発生点の像が試料７上
に形成されるように、大気圧雰囲気のハウジング２０内
に配置された投影光学系８によって試料７に投影される
。投影光学系８は等倍率投影光学系であってもよいし、
あるいは縮小投影光学系であってもよい。
電子銃２と集束レンズ３の間しこ（ｆ、」、ブランキン
グ用の電極９と絞り１０が配置され、そして電極９にブ
ランキング信号を与えることによって１ｉｆ子線が点線
で示されるようにブランキングされる。
グ用の電極９と絞り１０が配置され、そして電極９にブ
ランキング信号を与えることによって１ｉｆ子線が点線
で示されるようにブランキングされる。
集束レンズ４と蛍光ｊｆ４６の間には偏向装置１２が配
置されている。この偏向装置Ｉ″ｉ電磁形、静電形のい
ずれであってもよい。この偏向装置に偏向信号を与える
と、１を子線が二次元的に偏向され、その結果として蛍
光層６は集束された電子線でもって二次元的に走査され
る。この走査が行われるとそツユ、に応じて蛍光層６の
発光点が変化するから、その発光点の試料７上における
像形成位置もそれに応じて変化する。
置されている。この偏向装置Ｉ″ｉ電磁形、静電形のい
ずれであってもよい。この偏向装置に偏向信号を与える
と、１を子線が二次元的に偏向され、その結果として蛍
光層６は集束された電子線でもって二次元的に走査され
る。この走査が行われるとそツユ、に応じて蛍光層６の
発光点が変化するから、その発光点の試料７上における
像形成位置もそれに応じて変化する。
試料７の光照射を受ける表面は光に対して感光する、厚
さが１喘程度のフォトレジスト層として形成されている
。したがって、電極９に与えられるブランキング信号お
よび偏向装置１２に与えられる偏向信号をコンピュータ
エ４によって制御すれば、試料７の表面には予め定めら
れたパターンを形成することができる。
さが１喘程度のフォトレジスト層として形成されている
。したがって、電極９に与えられるブランキング信号お
よび偏向装置１２に与えられる偏向信号をコンピュータ
エ４によって制御すれば、試料７の表面には予め定めら
れたパターンを形成することができる。
試料７はハウジング２０の下端部に配置された試料ステ
ージ１５に設置されている。このステージは駆動装置１
６によって二次元的に移動され、またその二次元的な移
動のために、駆動装置１６はコンピュータ１４によって
？ｆｉｌＪ 御される。この試料の二次元的な移動制御
は電子線の偏向だけでは〕くターニングできなりほどに
大きい領域にパターニングをするのに用いられる。具体
的には、電子線の偏向によってＩくターニングが可能な
ｌ′Ｉ′ＩＴ積は３０〜５０胴角程度であるので、試料
表面をその程度の面積をもつ領域に仮想的Ｋ ＋ｌ’４
］］分割し、一つの仮想領域の電子線偏向によるパター
ニングが終る毎に試料をステツブ状に移動させ、それン
こよって試料表面全体のパターニングを終了させるよう
にする。
ージ１５に設置されている。このステージは駆動装置１
６によって二次元的に移動され、またその二次元的な移
動のために、駆動装置１６はコンピュータ１４によって
？ｆｉｌＪ 御される。この試料の二次元的な移動制御
は電子線の偏向だけでは〕くターニングできなりほどに
大きい領域にパターニングをするのに用いられる。具体
的には、電子線の偏向によってＩくターニングが可能な
ｌ′Ｉ′ＩＴ積は３０〜５０胴角程度であるので、試料
表面をその程度の面積をもつ領域に仮想的Ｋ ＋ｌ’４
］］分割し、一つの仮想領域の電子線偏向によるパター
ニングが終る毎に試料をステツブ状に移動させ、それン
こよって試料表面全体のパターニングを終了させるよう
にする。
試料１５の位置はレーザー干渉計のような位置検出器１
７によって検出される。その検出信号はコンピュータ１
４に与えられ、ここで予め設定された設定値と比較され
、その結果設定１直と実測値間に差が、ちればその差が
零になるように駆動装置１６がコンピュータ１，４によ
って制御される。
７によって検出される。その検出信号はコンピュータ１
４に与えられ、ここで予め設定された設定値と比較され
、その結果設定１直と実測値間に差が、ちればその差が
零になるように駆動装置１６がコンピュータ１，４によ
って制御される。
電子線のブランキング、′１“１７子線の偏向装置１２
による偏向、試料７の二次元的な移動、並びに試料７の
位置検出および補正のコンピュータ１４による：ｌｊＵ
御技術ｋＬ ’ＩＩＩ：子線描両装置において確Ｘ大さ
れし１−＋ ている技術であるので、この技術の前記以りの詳へ 細な説明はここでは省略する。
による偏向、試料７の二次元的な移動、並びに試料７の
位置検出および補正のコンピュータ１４による：ｌｊＵ
御技術ｋＬ ’ＩＩＩ：子線描両装置において確Ｘ大さ
れし１−＋ ている技術であるので、この技術の前記以りの詳へ 細な説明はここでは省略する。
蛍光層６を４，７７７成すル′１７ 光体としてはＹ２
Ｓ’０５：Ｃｅ系を用いることができる。この蛍光体は
波長４ ｌ Ｑ ｎ ｎｌの強力な蛍光を発生し、その
蛍光時間（１）ｅｃａｙ ｔｉｍｅ ）も０．１．ｃｔ
ｎと非常に短かく、蛍光発光点の１１１径も１μ、、
程度に小さくすることができる。
Ｓ’０５：Ｃｅ系を用いることができる。この蛍光体は
波長４ ｌ Ｑ ｎ ｎｌの強力な蛍光を発生し、その
蛍光時間（１）ｅｃａｙ ｔｉｍｅ ）も０．１．ｃｔ
ｎと非常に短かく、蛍光発光点の１１１径も１μ、、
程度に小さくすることができる。
前述したように、ハウジング２ｏ内は真空室１とちがっ
て大気圧雰囲気であって、この大気圧雰囲気中で試料７
に対する露光が可能であり、またそ７１．にもかかわら
ｒ、その露光はマスクやレチクルな１〜で行うことがで
きる。
て大気圧雰囲気であって、この大気圧雰囲気中で試料７
に対する露光が可能であり、またそ７１．にもかかわら
ｒ、その露光はマスクやレチクルな１〜で行うことがで
きる。
試料７のパターニングを′１１を子線を用いて行う場＠
−は試別７のＦＩＮ子線照射を受ける表面はｉｆ：子線
レジストで形成される必要があるが、１１シ子線が電子
線レジストに当ると、そのレジストにｔ１℃（Ｗｆが蓄
積されるようになるため、それ（Ｃよって生じる静電力
ｄ： ｔｆｉ： ＋ｍＫ作ｙｉ Ｌでたに光Ｙ１’ｌ置
ずれが生じる。しかるに第１図の実Ｊｊｉｒｐ例によ７
Ｌば、試＄−Ｆ７をｊｊｊｉ射するのは？ｌｆｆ１子線
ではなくて光であるから、そのような問題は生じない。
−は試別７のＦＩＮ子線照射を受ける表面はｉｆ：子線
レジストで形成される必要があるが、１１シ子線が電子
線レジストに当ると、そのレジストにｔ１℃（Ｗｆが蓄
積されるようになるため、それ（Ｃよって生じる静電力
ｄ： ｔｆｉ： ＋ｍＫ作ｙｉ Ｌでたに光Ｙ１’ｌ置
ずれが生じる。しかるに第１図の実Ｊｊｉｒｐ例によ７
Ｌば、試＄−Ｆ７をｊｊｊｉ射するのは？ｌｆｆ１子線
ではなくて光であるから、そのような問題は生じない。
′ｄε子線全１１嗣：す伎！＋τ１２によって偏向する
と、一般には偏向歪が兄生ずること＆：ｉ Ｒけがたい
。その１〕［コ向歪は樽形又は糸巻形でちる場合もある
し、あるいは初雑な形をとる場合もある。しズハし、そ
の＋１．ｉｌｌ予歪、１ｉ子線１！ｔｉ射面全体につい
て実測することができる。し／とがって、たとえば電子
線描画装置におけると同様にＴ：￥、子線照射而面各１
’、ｉｌ、標位置での偏向歪を数表としてコンピュータ
１２に記憶しておき、そして実際の露光時（すなわちパ
ターニング時）に偏向装置４１２に与えられるｆｌｕｆ
向信号小信号ンピュータ１４によって偏向和分を？ｒ、
”、 Ｌ 引イテその偏向歪の補ｉＥをすることができ
る。また投影光学系８に存在する光学歪も実測可能であ
るから、実際の露光時にはこの光学重分もｆｌｉＪ向１
１１号から差し引いてその光学歪の抽ｉ１Ｅ 金するこ
とができる。
と、一般には偏向歪が兄生ずること＆：ｉ Ｒけがたい
。その１〕［コ向歪は樽形又は糸巻形でちる場合もある
し、あるいは初雑な形をとる場合もある。しズハし、そ
の＋１．ｉｌｌ予歪、１ｉ子線１！ｔｉ射面全体につい
て実測することができる。し／とがって、たとえば電子
線描画装置におけると同様にＴ：￥、子線照射而面各１
’、ｉｌ、標位置での偏向歪を数表としてコンピュータ
１２に記憶しておき、そして実際の露光時（すなわちパ
ターニング時）に偏向装置４１２に与えられるｆｌｕｆ
向信号小信号ンピュータ１４によって偏向和分を？ｒ、
”、 Ｌ 引イテその偏向歪の補ｉＥをすることができ
る。また投影光学系８に存在する光学歪も実測可能であ
るから、実際の露光時にはこの光学重分もｆｌｉＪ向１
１１号から差し引いてその光学歪の抽ｉ１Ｅ 金するこ
とができる。
この光学歪の補正は今までの光露光手段では実際にはＵ
４邊１１（、であったもので、第１図の実９ｒｌｊ例に
、）」れば、この今寸でに困難とされていた光学歪をも
前述のようにして補正することができるようになる。
４邊１１（、であったもので、第１図の実９ｒｌｊ例に
、）」れば、この今寸でに困難とされていた光学歪をも
前述のようにして補正することができるようになる。
蛍光層６の各発光点からの光は光検出器２１によって検
出される。その検出された信号は絞り側脚回路２２にお
いて基準値と比較され、そしてもし検出された値が基準
値と異なる場合はその差に対応する信号が絞り駆動装置
２３に与えられる。
出される。その検出された信号は絞り側脚回路２２にお
いて基準値と比較され、そしてもし検出された値が基準
値と異なる場合はその差に対応する信号が絞り駆動装置
２３に与えられる。
絞り駆動装置２３は集束レンズ３および４間に配置され
た絞り２４の開口面積を変えることにより１Ｅ電子線度
をＡｉＪ記差の値が零になるように変化させる。しだが
って、第１図の実施例によれば、蛍光層６の経時変化な
どにもとづく蛍光層６の各発光点での発光強度の不均一
が解消される。
た絞り２４の開口面積を変えることにより１Ｅ電子線度
をＡｉＪ記差の値が零になるように変化させる。しだが
って、第１図の実施例によれば、蛍光層６の経時変化な
どにもとづく蛍光層６の各発光点での発光強度の不均一
が解消される。
なお、光検出器２１の検出信号を絞り２４にフィードバ
ックする代りに、市子銃２内の電子線源の直後に好適配
置されるウェーネルト電極とか電子引き出し電極とか呼
ばれる電極にフィードバックし、そのｔ極に与えられる
電圧を制御することにより電子線の強度を変えるように
してもよい。
ックする代りに、市子銃２内の電子線源の直後に好適配
置されるウェーネルト電極とか電子引き出し電極とか呼
ばれる電極にフィードバックし、そのｔ極に与えられる
電圧を制御することにより電子線の強度を変えるように
してもよい。
１１ｉ子線を偏向装置１２によって偏向させると、電子
線の焦点面は球面状になる／こめ、ある偏向角度位置で
は焦点が合っていても、他の偏向角度位置では焦点ずれ
、すなわちぼけが生じる。そこで、電子線描画装置で行
なわれるように、全偏向角度位置で焦点が合うようＶＸ
厄子線偏向装ｆｆ１１２による電子線偏向と連動して集
束レンズの焦点距離を変化させるようにしてもよい。
線の焦点面は球面状になる／こめ、ある偏向角度位置で
は焦点が合っていても、他の偏向角度位置では焦点ずれ
、すなわちぼけが生じる。そこで、電子線描画装置で行
なわれるように、全偏向角度位置で焦点が合うようＶＸ
厄子線偏向装ｆｆ１１２による電子線偏向と連動して集
束レンズの焦点距離を変化させるようにしてもよい。
試料７の表面は、その製造工程での反りなどにもとづき
凹凸状になっていることが多い。これは部分的な焦点ず
れ発生じることとなり、その結果として解像度が低下す
ることとなる。この問題を解決するために、試料７０表
面の高さ方向の位置を検出し、その検出された位置信号
にもとづいて試料７を上下させて、試料７の表面を常に
予め定められた位置に維持するようにしてもよい。試料
７の表面位置検出手段は光露光装置で用いられているエ
アマイクロメータであってもよい。これによれば、投影
光学系８の下部においてノズルを通してＮ２などのガス
が試料７の表面に噴出され、その吹き出し圧力と大気圧
（基準圧力）との差が一定となるように試料７がト下さ
れる。もちろん、ｒ−７マイクロメータの代りに、試料
７の表面からの反射）’（：、 ｋ 」９形光学系８全
通して検出し、その反射光：４が常に一定となるように
試料７を上下させるという手段を用いてもよい。
凹凸状になっていることが多い。これは部分的な焦点ず
れ発生じることとなり、その結果として解像度が低下す
ることとなる。この問題を解決するために、試料７０表
面の高さ方向の位置を検出し、その検出された位置信号
にもとづいて試料７を上下させて、試料７の表面を常に
予め定められた位置に維持するようにしてもよい。試料
７の表面位置検出手段は光露光装置で用いられているエ
アマイクロメータであってもよい。これによれば、投影
光学系８の下部においてノズルを通してＮ２などのガス
が試料７の表面に噴出され、その吹き出し圧力と大気圧
（基準圧力）との差が一定となるように試料７がト下さ
れる。もちろん、ｒ−７マイクロメータの代りに、試料
７の表面からの反射）’（：、 ｋ 」９形光学系８全
通して検出し、その反射光：４が常に一定となるように
試料７を上下させるという手段を用いてもよい。
ある物体にくさびを打ち込むと、その物体はくさびの打
ち込み方向とは直角な方向に変位する。
ち込み方向とは直角な方向に変位する。
試料７を上下移動させる手段はこの原理にもとづくもの
であってもよい。
であってもよい。
以上詳述したところから明らかなように、本発明によれ
ば、試料の露光をマスク又はレチクルを用いることなし
に大気中で行うことができ電子〜光投影露光装置が提供
される。
ば、試料の露光をマスク又はレチクルを用いることなし
に大気中で行うことができ電子〜光投影露光装置が提供
される。
第１図は本発明にもとづく一実施例を示す電子−光投影
露光装置の概念図である。 ２・・・′混子銃、３，４・・・集束レンズ、６・・・
蛍光層、７・・・試料、８・・・投影光学系、９・・・
ブランキング用？？Ｅ極、１２・・・偏向装Ｒ，１４・
・・コンピュータ、１Ｇ・・・駆動装置、１７・・・位
置検出器。 代哩人 弁理士 高橋明ｋＨ′： Ｅ 、工、：、Ｉ″
露光装置の概念図である。 ２・・・′混子銃、３，４・・・集束レンズ、６・・・
蛍光層、７・・・試料、８・・・投影光学系、９・・・
ブランキング用？？Ｅ極、１２・・・偏向装Ｒ，１４・
・・コンピュータ、１Ｇ・・・駆動装置、１７・・・位
置検出器。 代哩人 弁理士 高橋明ｋＨ′： Ｅ 、工、：、Ｉ″
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、電子ビームを発生する手段と、前記トｄ子ビームを
予め定められた位置に集束する手段と、前記予め定めら
れた位置に配置された蛍光表面と、前記集束された電子
ビームでもって前記蛍光表面を走査し、それによって前
記蛍光表面から光を発生させる手段と、前記光を試料に
投影する手段とを備えていることを特徴とする重子−光
投影露光装置澄。 ２、磁子ビームを発生する手段と、前記電子ビームを予
め定められた位置に集束する手段と、前記予め定められ
た位置に配置された蛍光表面と、前記集束された成子ビ
ームでもって前記蛍光表面を走査し、それによって前記
蛍光表面から光を発生さ亡る手段と、前記光を試料に投
影する手段と、前記光を検出し、その検出信号にもとづ
いて前記光の強度が実質的に一定となるように前記電子
線の強度を制御する手段とを備えていることを特徴とす
る電子−光投影露光装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57170842A JPS5961926A (ja) | 1982-10-01 | 1982-10-01 | 電子−光投影露光装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57170842A JPS5961926A (ja) | 1982-10-01 | 1982-10-01 | 電子−光投影露光装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5961926A true JPS5961926A (ja) | 1984-04-09 |
Family
ID=15912333
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57170842A Pending JPS5961926A (ja) | 1982-10-01 | 1982-10-01 | 電子−光投影露光装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5961926A (ja) |
-
1982
- 1982-10-01 JP JP57170842A patent/JPS5961926A/ja active Pending
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP3689516B2 (ja) | 電子ビーム露光装置 | |
| JP5505821B2 (ja) | 粒子ビーム露光装置のためのパターンロック装置 | |
| US4528452A (en) | Alignment and detection system for electron image projectors | |
| US5831272A (en) | Low energy electron beam lithography | |
| US6864488B2 (en) | Charged particle beam exposure method and apparatus | |
| KR101428620B1 (ko) | 전자빔 묘화 장치 및 전자빔 묘화 방법 | |
| EP0298495B1 (en) | Method and apparatus for correcting defects of x-ray mask | |
| JP6851181B2 (ja) | マルチビーム光学系の調整方法 | |
| JPH09180978A (ja) | 近接効果補正方法 | |
| JP2008041890A (ja) | マルチ荷電粒子ビームの計測方法、露光装置、及びデバイス製造方法 | |
| KR930001493B1 (ko) | 반도체 장치 패터닝용 광전자 전사장치 | |
| US4385238A (en) | Reregistration system for a charged particle beam exposure system | |
| US4857742A (en) | Position detecting device using variable radiation | |
| US4227090A (en) | Electron beam microfabrication apparatus and method | |
| JPS6379320A (ja) | 半導体基板露光装置 | |
| US6680481B2 (en) | Mark-detection methods and charged-particle-beam microlithography methods and apparatus comprising same | |
| US9557658B2 (en) | Low energy electron beam lithography | |
| JPS5961926A (ja) | 電子−光投影露光装置 | |
| TW202004821A (zh) | 帶電粒子束描繪裝置及帶電粒子束描繪方法 | |
| US20240234083A9 (en) | Beam detector, multi-charged-particle-beam irradiation apparatus, and adjustment method for beam detector | |
| KR20230032003A (ko) | 복수의 하전 입자 빔에 의한 샘플 검사 방법 | |
| US20240071714A1 (en) | Beam detector, multi charged particle beam irradiation apparatus, and beam detector adjustment method | |
| WO2024122274A1 (ja) | 位置計測装置、荷電粒子ビーム描画装置、及びマーク位置計測方法 | |
| US20150380214A1 (en) | Lithography apparatus, and method of manufacturing article | |
| JP3242122B2 (ja) | パターン形成方法および半導体装置の製造方法 |