JP2007201172A - レチクル及び露光装置 - Google Patents
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Abstract
【課題】静電チャックにより吸着を行った場合でも、強度の帯電を防止できるレチクルを提供する。
【解決手段】レチクル1のパターン部2以外の部分の表面に、薄膜4が設けられている。薄膜4は、酸化防止膜、帯電防止膜のいずれか、又は両方の機能を有するもので、例えばAu、Pt、C、Ruが用いられる。酸化防止膜の機能を有する薄膜4が設けられた場合、レチクル1の酸化が押さえられ、その結果、レチクル1の導電性が阻害されないので、静電チャックによりレチクル1を吸着した場合でも、レチクル1が帯電して静電チャックより離れにくくなることがない。同様、帯電防止膜としての機能を有する薄膜4が設けられた場合も、レチクル1の帯電が押さえられるので、静電チャックによりレチクル1を吸着した場合でも、レチクル1が帯電して静電チャックより離れにくくなることがない。
【選択図】 図2
【解決手段】レチクル1のパターン部2以外の部分の表面に、薄膜4が設けられている。薄膜4は、酸化防止膜、帯電防止膜のいずれか、又は両方の機能を有するもので、例えばAu、Pt、C、Ruが用いられる。酸化防止膜の機能を有する薄膜4が設けられた場合、レチクル1の酸化が押さえられ、その結果、レチクル1の導電性が阻害されないので、静電チャックによりレチクル1を吸着した場合でも、レチクル1が帯電して静電チャックより離れにくくなることがない。同様、帯電防止膜としての機能を有する薄膜4が設けられた場合も、レチクル1の帯電が押さえられるので、静電チャックによりレチクル1を吸着した場合でも、レチクル1が帯電して静電チャックより離れにくくなることがない。
【選択図】 図2
Description
本発明は、レチクル及びそれを使用可能な露光装置に関するものである。
近年、半導体集積回路のさらなる小線幅化に対応するため、現在のエキシマレーザに代わる光源を用いた荷電粒子線露光装置やEUV(極端紫外線)露光装置などの開発が進められている。
荷電粒子線露光装置の一種である分割露光転写方式の露光装置においては、レチクルに形成された小領域であるサブフィールドを、照明光学系により照明し、サブフィールドに形成されたパターンを、投影光学系によりウエハ等の感応基板上に露光転写し、各サブフィールドに形成されたパターンを繋ぎ合わせることにより、目的とするパターン(例えば1チップ分のパターン)の露光転写を行っている。このような目的に使用されるレチクルは、散乱コントラストによる結像原理を利用するため、SiやDLC(Diamond like Carbon)などを主な材質としており、サブフィールド内のパターンエリアは薄いメンブレン構造になっている。又、このようなレチクルの材質として、アモルファスシリコン(a-Si)が使用される場合がある。
しかしながら、Siやa-Siは自然に酸化しやすい性質を持つ。従って、このような材料で形成されたレチクルの表面には、自然に酸化膜が形成されているのが普通である。一方、荷電粒子線露光装置やEUV露光装置などの露光装置においては、レチクルは高度の真空雰囲気化に置かれるため、レチクルをレチクルホルダに吸着させる場合には、通常、静電チャックが用いられる。
しかし、このような静電チャックに酸化膜のついたレチクルを吸着させた場合は、レチクルが帯電して残存吸着力が大きく残るため、静電チャックから簡単に剥がれないことが多い。また、レチクルが帯電するとチャージアップなどにより露光への悪影響がある。これを防止するために、導通針などでレチクルをアースに落とすことが行われているが、酸化膜により導通針がレチクルまで達せず、そのためにレチクルの帯電を防止できないことがある。
本発明はこのような事情に鑑みてなされたもので、静電チャックにより吸着を行った場合でも、強度の帯電を防止できるレチクル、及びそのレチクルを使用可能な露光装置を提供することを課題とする。
前記課題を解決するための第1の手段は、露光装置に使用されるレチクルであって、露光転写パターンが形成されている部分以外の部分の、一部又は全部の表面に、酸化防止膜が形成されていることを特徴とするレチクルである。
前記課題を解決するための第2の手段は、露光装置に使用されるレチクルであって、露光転写パターンが形成されている部分以外の部分の、一部又は全部の表面に、帯電防止膜が形成されていることを特徴とするレチクルである。
前記課題を解決するための第3の手段は、前記第1の手段又は第2の手段であって、当該レチクルの材質がアモルファスシリコン(a-Si)であることを特徴とするレチクルである。
前記課題を解決するための第4の手段は、前記第1の手段から第3の手段のいずれかのレチクルを使用可能であることを特徴とする露光装置である。
本発明によれば、静電チャックにより吸着を行った場合でも、強度の帯電を防止できるレチクル、及びそのレチクルを使用可能な露光装置を提供することができる。
以下、本発明の実施の形態の例を、図を用いて説明する。図1は、電子線露光装置に使用されるレチクルの概要を示す図である。
Siやa-Siからなる基板で形成されたレチクル1には、サブフィールドの集合からなるパターン部2が設けられている。パターン部2は露光パターンを有するメンブレン部とそれらを支えるストラット構造からなる。また、レチクル1の表面にはアライメントマーク3が設けられている。
図2は、電子線露光装置に使用される、本発明の実施の形態の1例であるレチクルの概要を示す図である。図1に示すようなレチクル1のパターン部2以外の部分の表面に、薄膜4が設けられている。薄膜4を蒸着やスパッタリングにより成膜するとき、パターン部2をマスキングすることにより、パターン部2には、薄膜4が形成されないようにすることができる。薄膜4は、酸化防止膜、帯電防止膜のいずれか、又は両方の機能を有するもので、例えばAu、Pt、C、Ruが用いられる。この他、酸化防止膜、帯電防止膜としての役割を果たすものであれば適当な材質のものを選んで使用することができる。なお、薄膜4の厚さは、酸化防止膜、帯電防止膜としての役割を果たすことができれば特に限定されないが、数nm〜100nm程度が適当である。
酸化防止膜の機能を有する薄膜4が設けられた場合、レチクル1の酸化が押さえられ、その結果、レチクル1の導電性が阻害されないので、静電チャックによりレチクル1を吸着した場合でも、レチクル1が帯電して静電チャックより離れにくくなることがない。同様、帯電防止膜としての機能を有する薄膜4が設けられた場合も、レチクル1の帯電が押さえられるので、静電チャックによりレチクル1を吸着した場合でも、レチクル1が帯電して静電チャックより離れにくくなることがない。又、いずれの場合も、レチクル1のチャージアップを防止することができる。
図3は、電子線露光装置に使用される、本発明の実施の形態の他の例であるレチクルの概要を示す図である。このレチクル1においては、レチクル1のパターン部2以外の部分の表面に、薄膜4が設けられているが、アライメントマーク3が設けられている部分は、非膜形成部5とされており、薄膜4が設けられていない。これは、薄膜4を蒸着やスパッタリングで成膜するとき、パターン部2と共に、アライメントマーク3の部分をマスキングすることにより実現できる。薄膜4は、酸化防止膜、帯電防止膜のいずれか、又は両方の機能を有するもので、例えばAu、Pt、C、Ruが用いられる。この他、酸化防止膜、帯電防止膜としての役割を果たすものであれば適当な材質のものを選んで使用することができる。なお、薄膜4の厚さは、酸化防止膜、帯電防止膜としての役割を果たすことができれば特に限定されないが、数nm〜100nm程度が適当である。その作用効果は、図2に示したものと同じであるが、アライメントマーク3が薄膜4によって覆われていないので、アライメントマーク3の検出を阻害することがない。
図4は、本発明の実施の形態の1例である分割露光転写方式の荷電粒子線露光装置の概要を示す図である。図4において、100はレチクル、100aはレチクル100上のサブフィールド、100bはサブフィールド100a間の境界領域、110はレジストを塗布したウエハ等の感応基板、110aは感応基板110の1チップ分の領域、110bはサブフィールド100aそれぞれに対応した感応基板110の被転写領域、AXは荷電粒子線光学系の光軸(システム軸)、EBは荷電粒子線、COは荷電粒子光学系のクロスオーバポイントである。
レチクル100上には、感応基板110に転写すべきパターンをメンブレン上にそれぞれ備えた多数のサブフィールド100aが、パターンが存在しない境界領域100bにより区分されて存在している。そして、境界領域100bに対応する部分には、格子状の支柱(桟)が設けられ、メンブレンを熱的及び強度的に保護している。
各サブフィールド100aは、感応基板110の1チップ分の領域110aに転写すべきパターンを分割した部分パターンをそれぞれ備えており、分割した部分パターン毎に感応基板110に転写される。
感応基板110の外観形状は図4(b)に示したとおりであり、図4(a)においては、感応基板110の一部(図4(b)のVa部)を拡大して示してある。
図4において、荷電粒子線光学系の光軸AXと平行にz軸をとり、サブフィールド100aの並び方向と平行にx軸、y軸をとる。そして、矢印Fm、Fwで示すように、レチクル100及び感応基板110をx軸方向へ互いに逆向きに連続移動させながら、荷電粒子線をy軸方向にステップ的に走査して一列のサブフィールド100aのパターンを順次転写し、その列のパターン転写が終了した後に、x軸方向に隣接する次のサブフィールド100aの列を荷電粒子線で走査し、以降同様にしてサブフィールド100a毎に転写(分割露光転写)を繰り返して1チップ分のパターンを転写する。この矢印Fm、Fwで示されるx軸方向を、ステージのスキャン方向と呼ぶ。
このときのサブフィールド100aの走査順序及び感応基板110への転写順序は、それぞれ矢印Am、Awで示すとおりである。なお、レチクル100と感応基板110の連続移動方向が逆なのは、一対の投影レンズによりレチクル100と感応基板110とでx軸、y軸がそれぞれ反転するためである。
このような手順で転写(分割転写)を行う場合、y軸方向の一列のサブフィールド100aのパターンを一対の投影レンズで感応基板110にそのまま投影するだけでは、サブフィールド100aそれぞれに対応した感応基板110の被転写領域110bそれぞれの間に、境界領域100bに対応する隙間が生じる。これに対する対策として、各サブフィールド100aを通過した荷電粒子線EBを境界領域100bの幅Lyに相当する分だけy軸方向に偏向してパターン転写位置を補正している。
x軸方向に関しても、パターン縮小率比及びサブフィールド間隔Lxを考慮した一定速度で散乱透過レチクル100と感応基板110を移動させるだけでなく、サブフィールド100aの像と感応基盤110との相対速度がゼロになるように偏向しながら露光し、被転写領域110b同士の間にx軸方向の隙間が生じないように、パターン転写位置を補正している。
以上説明したように、分割露光転写方式においては、レチクル100上の1チップに対応するパターンが多数のサブフィールド100aに分割され、各サブフィールド100a間に形成された境界領域100bに格子状の支柱(ストラット)が設けられているので、荷電粒子線照射によるレチクル基板のたわみや熱歪みを抑制することができ、精度のよい露光転写を行うことができる。
また、このような方法で露光が行われるため、従来の荷電粒子線露光装置と比較すると、サブフィールド領域が一括露光され、またレチクルには露光すべきパターンが全て形成されているため、非常にスループットを向上させることができる。
このような荷電粒子線露光装置の光学系の1例を図5に示す。図5は、荷電粒子線露光装置の光学系の概要図である。図5において、11は荷電粒子線源、12A〜12Cは照明用レンズ、13はビーム成形アパーチャ、14は開口絞り、15はレチクル、16A、16Bは投影用レンズ、17は散乱アパーチャ、18はウエハである。
荷電粒子線源11から放出された荷電粒子線は、照明用レンズ12Aによりビーム成形アパーチャ13の開口面を均一に照明し、レンズ12B,12Cによりビーム成形アパーチャ13の開口面の像をレチクル15上に形成する。この像の領域が照明領域となる。レチクル15上に形成されたパターンの像は、投影用レンズ16A、16Bによりウエハ18上に結像し、ウエハ18上のレジストを感光させる。照明荷電粒子線の開口角を制限するために開口絞り14が設けられ、レチクル15で散乱された散乱線をカットするために散乱アパーチャ17が設けられている。
又、倍率、回転、焦点位置を微少量、迅速に調整するためにフォーカスコイル(ダイナミックフォーカスコイル)19A、19B、19Cが設けられており、非点ボケ、直交度、非等方倍率の調整のために2つのスティグメータ20A、20Bが設けられている。パターン像の位置を調整するために、偏向器21A〜21Dが設けられている。
本実施の形態においては、レチクル100(15)は、レチクルステージに静電チャックにより固定されるが、レチクル100(15)として、図2、図3に示したようなものを使用しているので、レチクル100(15)が帯電せず、静電チャックによる吸着を解除したときに容易にレチクル100(15)が静電チャックから離脱し、離脱不良によるトラブルを防止することができる。さらに、レチクル100(15)のチャージアップを防止することができる。
以上の説明は、荷電粒子線露光装置を例として行ったが、本発明のレチクルは、EUV露光装置においても使用することができ、同様の作用効果を有する。
1…レチクル、2…パターン部、3…アライメントマーク、4…薄膜、5…非膜形成部、11…荷電粒子線源、12A〜12C…照明用レンズ、13…ビーム成形アパーチャ、14…開口絞り、15…レチクル、16A、16B…投影用レンズ、17…散乱アパーチャ、18…ウエハ、19A〜19C…フォーカスコイル、20A,20B…スティグメータ、21A〜21D…偏向器、31…レチクル、32…サブフィールド、100…レチクル、100a…サブフィールド、100b…境界領域110…感応基板、AX…光軸、EB…荷電粒子線、CO…クロスオーバポイント
Claims (4)
- 露光装置に使用されるレチクルであって、露光転写パターンが形成されている部分以外の部分の、一部又は全部の表面に、酸化防止膜が形成されていることを特徴とするレチクル。
- 露光装置に使用されるレチクルであって、露光転写パターンが形成されている部分以外の部分の、一部又は全部の表面に、帯電防止膜が形成されていることを特徴とするレチクル。
- 請求項1又は請求項2に記載のレチクルであって、当該レチクルの材質がアモルファスシリコン(a-Si)であることを特徴とするレチクル。
- 請求項1から請求項3に記載のレチクルを使用可能な露光装置。
Priority Applications (1)
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JP2006017925A JP2007201172A (ja) | 2006-01-26 | 2006-01-26 | レチクル及び露光装置 |
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