JP2009070982A - 飛散粒子除去装置、飛散粒子の低減方法、光源装置、照明光学装置、露光装置及び電子デバイスの製造方法 - Google Patents
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Abstract
【課題】 飛散粒子を効率良く除去することで、光学系の光学性能の低下を防止する。
【解決手段】 プラズマを生成したときに発生する飛散粒子を除去する飛散粒子除去装置において、プラズマから放射されるEUV光の光路内に配置された電極板と、EUV光の光路外に配置され、電極板に正電圧又は負電圧を印加する電圧印加部と、を備えたことを特徴とする。また、電極板は、EUV光の光路に対して交差するように配置される。
【選択図】 図3
【解決手段】 プラズマを生成したときに発生する飛散粒子を除去する飛散粒子除去装置において、プラズマから放射されるEUV光の光路内に配置された電極板と、EUV光の光路外に配置され、電極板に正電圧又は負電圧を印加する電圧印加部と、を備えたことを特徴とする。また、電極板は、EUV光の光路に対して交差するように配置される。
【選択図】 図3
Description
本発明は、プラズマを生成したときに発生する飛散粒子を除去する飛散粒子除去装置、飛散粒子の低減方法、また、飛散粒子除去装置を備えた光源装置、照明光学装置及び露光装置、さらには電子デバイスの製造方法に関する。
従来、半導体プロセスの微細化に伴う光リソグラフィー技術に対する要求が高まってきている。周知のように、光リソグラフィー技術は、マスク(レクチル)に形成された回路パターンをレジストが塗布されたウェハ基板に露光する技術であり、このような光リソグラフィー技術に用いられる光源としてEUV(Extreme Ultra Violet)光源が挙げられる。最近では、EUV光源を用いた露光装置が提案されている(特許文献1など)。
EUV光源としては、真空中でレーザ光をターゲット材料に照射することで生成されるプラズマを利用するレーザ励起型の光源や、放電によって生成されるプラズマを利用する放電型の光源などが挙げられる。
特許第3696163号公報
しかしながら、このようなEUV光源では、プラズマを生成する際にデブリ(debris)と呼ばれる飛散粒子が発生してしまい、これら飛散粒子がマスクを傷つける、又はEUV光源とマスクとの間に配置された光学系に付着して、光学系の性能を低下させるなどの問題がある。
本発明は、上述した課題を解決するために発明されたものであり、飛散粒子を効率良く除去又は低減することで、光学系の光学性能の低下を防止することができるようにした飛散粒子除去装置、飛散粒子の低減方法、光源装置、照明光学装置、露光装置及び電子デバイスの製造方法を提供することを目的とする。
本発明の飛散粒子除去装置は、プラズマを生成したときに発生する飛散粒子を除去する飛散粒子除去装置において、前記プラズマから放射されるEUV光の光路内に配置された電極板と、前記EUV光の光路外に配置され、前記電極板に正電圧又は負電圧を印加する電圧印加部と、を備えたことを特徴とする。
また、前記電極板は、前記EUV光の光路に対して交差するように配置されることを特徴とする。
また、前記電極板は、複数の微小な開口部を有するメッシュ状で構成されることを特徴とする。
また、前記電極板は、少なくとも1つの開口部を有することを特徴とする。
また、前記EUV光の光路外に配置され、正電圧又は負電圧が印加された回収部をさらに備えることを特徴とする。
また、前記回収部は、前記EUV光の進行方向に対して、前記電極板よりも上流に配置されることを特徴とする。
また、本発明の飛散粒子の低減方法は、プラズマを生成したときに発生する飛散粒子を除去する飛散粒子の低減方法において、前記プラズマから放射されるEUV光の光路内に配置された電極板に正電圧又は負電圧を印加する第1工程と、前記プラズマを生成したときに発生する飛散粒子を前記電極板によって除去する第2工程と、を備えたことを特徴とする。
また、前記第2工程は、前記飛散粒子を前記EUV光の進行方向とは異なる方向へ偏向させることを含むことを特徴とする。
また、前記飛散粒子を除去する回収部に正電圧及び負電圧を印加し、前記飛散粒子を前記EUV光の光路外へ除去する工程をさらに含むことを特徴とする。
また、本発明の光源装置は、上記記載の飛散粒子除去装置と、供給されたターゲット材料からプラズマを生成することで、当該プラズマから発生するEUV光を放出するプラズマ生成部と、を備えたことを特徴する。
また、本発明の照明光学装置は、上記記載の飛散粒子除去装置と、供給されたターゲット材料からプラズマを生成することで、当該プラズマから発生するEUV光を放出するプラズマ生成部と、少なくとも1つの照度均一化素子を備えた照明光学系とを備えることを特徴とする。
また、上記の照明光学装置であって、前記飛散粒子除去装置は、前記EUV光の光路内で、且つ照度均一化素子よりも上流側に配置されることを特徴とする。
また、本発明の露光装置は、上記記載の飛散粒子除去装置と、供給されたターゲット材料からプラズマを生成することで、当該プラズマから発生するEUV光を放出するプラズマ生成部と、前記EUV光を被照射面に照射する照明光学系と、前記被照射面を介した前記EUV光を感光性基板に投影する投影光学系と、を備えたことを特徴とする。
また、本発明の露光装置は、EUV光で被照射面を照明する、上記記載の照明光学装置と、前記被照射面を介した前記EUV光を感光性基板に投影する投影光学系と、を備えたことを特徴とする。
また、本発明の電子デバイスの製造方法は、リソグラフィー工程を含む電子デバイスの製造方法であって、前記リソグラフィー工程において、上記記載の露光装置を用いることを特徴とする。
本発明によれば、プラズマを発生させることで生成される飛散粒子を効率良く除去又は低減することで、飛散粒子に起因する光学系の光学性能の低下を防止することができる。ひいては、露光装置のスループットを向上させることができる。
図1は、本発明の実施形態における露光装置10の構成を示す機能ブロック図、図2は、露光装置10に用いられる光学系の構成を示す説明図である。なお、図2においては、光源装置12としては集光ミラー56のみを示し、他の箇所は省略して示している。この露光装置10は、真空チャンバ11と、この真空チャンバ11に取り付けられる光源装置12を備えている。この真空チャンバ11の内部には、レチクルステージ15、ウェハステージ16が設けられる他に、光源装置12からのEUV光をレチクル19(被照射面)に照明する照明光学系17と、レチクル19で反射したEUV光をウェハステージ16に保持される感光性基板20に投影する投影光学系18とが設けられている。
ここで、レチクル19は、レチクルステージ15に吸着などによって保持され、レジストが塗布されたウェハなどの感光性基板20は、ウェハステージ16に吸着保持されている。また、レチクルステージ15とウェハステージ16とは、投影光学系18の投影倍率に合わせた速度でそれぞれ移動する。なお、レチクルステージ15及びウェハステージ16は、それぞれ制御装置21によって作動制御される。
照明光学系17は、たとえば、コリメータミラー25、フライアイミラー(照度均一化素子)26,27及び反射ミラー28、29を有している。光源装置12から照射されるEUV光は、コリメータミラー25で反射され略平行光束にされる。コリメータミラー25を介したEUV光は、フライアイミラー26,27の順で反射され、レチクル19の照明領域をほぼ均一に照明する。
投影光学系18は、EUV光を反射する多層膜を備えた、例えば4つの反射ミラー30〜33を有している。レクチル19にて反射されるEUV光は、これらミラー30〜33に順次反射されながら、感光性基板20に集光される。
光源装置12は、例えばYAGレーザ装置のようなレーザ装置40、レーザ光学系41、プラズマ生成部42を有している。また、レーザ光学系41は、例えば2枚の反射ミラー45,46とレンズ47とから構成される。レーザ装置40からのレーザ光は、反射ミラー45,46により反射された後、レンズ47により後述する真空チャンバ55の内部に導かれる。
プラズマ生成部42は、ターゲット材料50をプラズマ化し、EUV光を発生させる。このプラズマ生成部42は、内部が真空状態に維持される真空チャンバ55を備えている。なお、ターゲット材料50としては、例えば液体、気体或いは固体のXe、SnやSn化合物などが挙げられる。
この真空チャンバ55の内部には、EUV光を反射する集光ミラー56と、EUV光を検出するEUV光検出器57が配置される。真空チャンバ55の上部には、ターゲット材料50を供給するターゲット供給部60が配置される。このターゲット供給部60は、真空チャンバ55の内部に差し込まれたノズル60aを備えている。このノズル60aを介してターゲット材料50が供給される。なお、このターゲット供給部60と、上述したレーザ装置40とは、光源制御装置61によって制御される。この真空チャンバ55の下部には、ターゲット材料50を回収する回収部62が設けられている。
また、真空チャンバ55の側部には、レーザ光学系41によって導光されるレーザ光を真空チャンバ55の内部に導くレーザ導入窓55aが設けられている。さらに、このレーザ導入窓55aとは反対側には、集光ミラー56によって集光されたEUV光の光路55bが設けられている。この光路55bを介してEUV光が、照明光学系17へと導かれる。
さらに、例えば、真空チャンバ55の内部に設けられた集光ミラー56と、照明光学系17のコリメータミラー25との間には、デブリ除去装置70が設けられている。このデブリ除去装置70は、ターゲット材料50にレーザ光を集光してプラズマを生成したときに発生したデブリ92(図5参照)を除去する装置である。
図3に示すように、本実施形態におけるデブリ除去装置70は、電極板71と、電圧印加部72とから構成される。電極板71は、EUV光の光軸L1に直交するように配置されている。電圧印加部72は、電極板71に例えば100Vの正電圧を印加する。これにより、電極板71は陽極となる。なお、電極板71をEUV光の光軸L1に直交するように配置しているとしているが、これに限定されるものではなく、デブリを除去又は低減できるように配置されていれば良いので、必ずしも電極板71を光軸L1に直交させる必要はなく、電極板71を光軸L1に交差させるように配置してもよいし、EUV光の光路又はEUV光の進行方向に略直交又は交差するように配置してもよい。
図4に示すように、電極板71は、例えば正六角形状の微小な開口部71aが複数設けられたメッシュ状の円板から構成される。電極板71に複数の開口部71aが設けられていることで、EUV光の透過率を下げることなく、EUV光を通過させることができる。なお、開口部71aの形状は正六角形に限定される必要はなく、三角形状、四角形状であっても良いし、円形状や台形状であっても良い。また、例えば、上述のメッシュ(開口部71a)のピッチ(所定方向の大きさ)は、1mm程度でよい。
上述した露光装置10では、ターゲット供給部60のノズル60aの先端から例えば液化Xeなどのターゲット材料50を間歇的又は連続的に噴出させる。噴出されたターゲット材料50が所定の位置(集光ミラー56の焦点)に到達したときに、レーザ装置40からレーザ光が出射され、レーザ光学系41のレンズ47によってターゲット材料50に集光される。レーザ光がターゲット材料50に集光されることで、ターゲット材料50をプラズマ化する。
さらに、プラズマ90から放出されたEUV光は集光ミラー56により集光され、真空チャンバ11の内部に配置された照明光学系17に導かれる。照明光学系17から出射されたEUV光は、レチクルステージ15に設けられたレチクル19で反射される。そして、レチクル19からの反射光は、投影光学系18を介して、レジストが塗布されたウェハなどの感光性基板20上に結像する。
上述したように、ターゲット供給部60から噴出されたターゲット材料50は、レーザ光によってプラズマ化される。このプラズマ化されるときに、デブリ92が発生し、このデブリ92は、EUV光の光路を浮遊する。EUV光の光路を照明光学系17に向けて浮遊するデブリ92は、電極板71の近傍に到達する。
図5は、デブリ92が電極板71の近傍まで到達した後のデブリの動きを示す説明図であり、例えばデブリ92のうち、正に帯電されたデブリについては符号92aを付し、負に帯電されたデブリについては符号92bを付して示している。電極板71は陽極となるように正電圧が印加されていることから、正に帯電されたデブリ92aが電極板71に向けて移動してくると、電極板71とデブリ92aとが反発し、デブリ92aの移動方向が変化(偏向)する(例えば、電極板71によってデブリ92aが押し返される)。したがって、正電圧又は負電圧が印加された電極板71によって、電極板71の周辺又はEUV光の光路中には不均一な電場が形成される。また、電極板71の上流側で、EUV光の光路から外れた箇所には、回収板75が配置されており、この回収板75は負電圧が印加されることで陰極として機能する。これにより、押し返された(偏向された)デブリ92aは、回収板75に引きつけられた後、回収板75に付着する。
一方、電極板71の近傍まで移動してきたデブリ92のうち、負に帯電されたデブリ92bは電極板71に引きつけられ、電極板71に付着する。なお、電極板71は、EUV光の光軸L1に略垂直となるように配置されることで、EUV光の光路を、EUV光の進行方向に沿って移動するデブリ92のうち、正に帯電されたデブリ92aをEUV光の進行方向とは異なる方向に押し返し、負に帯電されたデブリ92bを付着させることになる。これにより、照明光学系17に向けて移動するデブリ92が正に帯電、又は負に帯電していたとしても、EUV光の進行方向において照明光学系(図3においては、コリメータミラー25)の上流側で、これらデブリ92をEUV光の光路から効率良く除去又は低減することができる。
なお、例えば、正に帯電されたデブリ92aの光路中の移動速度が速く、正電圧が印加された電極板71を通過してしまう可能性がある場合には、上流以外に下流にも回収板75を配置することで、デブリを除去又は低減させることができる。
また、EUV光の光路からデブリ92を除去又は低減することで照明光学系17への付着を防止でき、デブリ92が光学系に付着することに起因する光学性能の低下を防止することができる。なお、電極板71には複数の開口部71aが設けられていることから、電極板71を通過するEUV光の光量の低下は無視できる。
以下、本発明に係る電子デバイスの製造方法の実施の形態の例を説明する。図6は、本発明の電子デバイス製造方法の一例を示すフローチャートである。この例の製造工程は以下の各主工程を含む。
(1)ウェハを製造するウェハ製造工程(又はウェハを準備するウェハ準備工程)
(2)露光に使用するマスクを制作するマスク製造工程(又はマスクを準備するマスク準備工程)
(3)ウェハに必要な加工処理を行うウェハプロセッシング工程
(4)ウェハ上に形成されたチップを1個ずつ切り出し、動作可能にならしめるチップ組立工程
(5)チップを検査するチップ検査工程
なお、それぞれの工程はさらにいくつかのサブ工程からなっている。
(1)ウェハを製造するウェハ製造工程(又はウェハを準備するウェハ準備工程)
(2)露光に使用するマスクを制作するマスク製造工程(又はマスクを準備するマスク準備工程)
(3)ウェハに必要な加工処理を行うウェハプロセッシング工程
(4)ウェハ上に形成されたチップを1個ずつ切り出し、動作可能にならしめるチップ組立工程
(5)チップを検査するチップ検査工程
なお、それぞれの工程はさらにいくつかのサブ工程からなっている。
これらの主工程の中で、半導体デバイスの性能に決定的な影響を及ぼす主工程がウェハプロセッシング工程である。この工程では設計された回路パターンをウェハ上に順次積層し、メモリやMPUとして動作するチップを多数形成する。このウェハプロセッシング工程は、以下の各工程を含む。
(1)絶縁層となる誘電体薄膜や、配線部、あるいは電極部を形成する金属薄膜等を形成する薄膜形成工程(CVDやスパッタリングなどを用いる)
(2)この薄膜層やウェハ基板を酸化する酸化工程
(3)薄膜層やウェハ基板などを選択的に加工するためにマスク(レクチル)を用いてレジストのパターンを形成するリソグラフィー工程
(4)レジストパターンに従って薄膜層や基板を加工するエッチング工程
(例えばドライエッチング技術を用いる)
(5)イオン・不純物注入拡散工程
(6)レジスト薄利工程
(7)さらに加工されたウェハを検査する検査工程
なお、ウェハプロセッシング工程は必要な層数だけ繰り返し行い、設計通り動作する電子デバイスを製造する。
(1)絶縁層となる誘電体薄膜や、配線部、あるいは電極部を形成する金属薄膜等を形成する薄膜形成工程(CVDやスパッタリングなどを用いる)
(2)この薄膜層やウェハ基板を酸化する酸化工程
(3)薄膜層やウェハ基板などを選択的に加工するためにマスク(レクチル)を用いてレジストのパターンを形成するリソグラフィー工程
(4)レジストパターンに従って薄膜層や基板を加工するエッチング工程
(例えばドライエッチング技術を用いる)
(5)イオン・不純物注入拡散工程
(6)レジスト薄利工程
(7)さらに加工されたウェハを検査する検査工程
なお、ウェハプロセッシング工程は必要な層数だけ繰り返し行い、設計通り動作する電子デバイスを製造する。
本実施の形態である電子デバイスの製造方法においては、リソグラフィー工程に本発明の実施形態である露光装置10を使用している。よって、微細な線幅のパターンの露光を行うことができると同時に、高スループットで露光を行うことができ、効率良く電子デバイスを製造することができる。
本実施形態では、デブリ除去装置70を構成する電極板71に正電圧を印加することで陽極として機能させているが、これに限定する必要はなく、電極板71に負電圧を印加させて陰極として機能させることも可能である。この場合、電極板71を陰極とすることで、負に帯電されたデブリ92bが押し返されるが、正に帯電されたデブリ92aが電極板71に付着する。また、回収板75に正電圧を印加することで陽極とすることで、押し返されたデブリ92aを回収板75に付着させることができる。この場合も、本実施形態と同様の効果を得ることができる。
本実施形態における電極板71は、複数の微小な開口部を有する構成であるが、これに限定する必要はなく、少なくとも1つの開口部を有する構成であればよいし、EUV光を透過可能であれば開口部はなくてもよい。
本実施形態では、レーザ光をターゲット材料50に集光することでプラズマを発生させるレーザ励起型の光源装置12としているが、これに限定されるものではなく、放電を用いてプラズマを発生させる放電型の光源装置を用いることも可能である。
本実施形態では、デブリ除去装置70を集光ミラー56と、照明光学系17のコリメータミラー25との間に配置した構成としているが、これに限定される必要はない。たとえば、デブリ除去装置70を配置する位置は、EUV光の進行方向において、コリメータミラー25とフライアイミラー26との間に配置してもよい。なお、デブリ除去装置70をフライアイミラー26よりも上流に配置すれば、本実施形態におけるデブリ除去装置70によって、レチクル19上でのEUV光の照度均一性が少し低下されたとしても、フライアイミラー25によってレチクル19上での高い照度均一性を保つことができる。
本実施形態では、露光装置10にデブリ除去装置70を配置した実施形態を示しているが、デブリ除去装置70を有する光源装置12を備えた露光装置10であってもよい。また、この他に、本発明のデブリ除去装置を、本発明の光源装置12と照明光学系17とからなる照明光学装置に配置した状態で、露光装置に組み付けてもよい。
本実施形態では、EUV光の進行方向において、電極板71よりも上流側に、且つEUV光の光路から外れる位置に回収板75を配置しているが、回収板75を配置する位置は、EUV光の進行方向において、電極板71の近傍に配置されていれば良く、電極板71よりも下流側に配置されてもよいし、図7に示すように、例えば電極板71の上下又は左右に、電極板71を挟み込むように二枚の回収板96,97を配置することも可能である。この場合も、本実施形態と同様に、電極板71、二枚の回収板96,97のいずれか一方を陰極として、他方を陽極として機能させるように、それぞれ電圧を印加する。
10…露光装置,12…光源装置,15レチクルステージ,16…ウェハステージ,17…照明光学系,18…投影光学系,19…レチクル,20…感光性基板,25…コリメータミラー,26,27…フライアイミラー,40…レーザ装置,42…プラズマ生成部,70…デブリ除去装置,71…電極板,72…電圧印加部,75…回収板
Claims (15)
- プラズマを生成したときに発生する飛散粒子を除去する飛散粒子除去装置において、
前記プラズマから放射されるEUV光の光路内に配置された電極板と、
前記EUV光の光路外に配置され、前記電極板に正電圧又は負電圧を印加する電圧印加部と、
を備えたことを特徴とする飛散粒子除去装置。 - 請求項1記載の飛散粒子除去装置において、
前記電極板は、前記EUV光の光路に対して交差するように配置されることを特徴とする飛散粒子除去装置。 - 請求項1又は2記載の飛散粒子除去装置において、
前記電極板は、複数の微小な開口部を有するメッシュ状で構成されることを特徴とする飛散粒子除去装置。 - 請求項1又は2記載の飛散粒子除去装置において、
前記電極板は、少なくとも1つの開口部を有することを特徴とする飛散粒子除去装置。 - 請求項1〜4のいずれか1項に記載の飛散粒子除去装置において、
前記EUV光の光路外に配置され、正電圧又は負電圧が印加された回収部をさらに備えることを特徴とする飛散粒子除去装置。 - 請求項5に記載の飛散粒子除去装置において、
前記回収部は、前記EUV光の進行方向に対して、前記電極板よりも上流に配置されることを特徴とする飛散粒子除去装置。 - プラズマを生成したときに発生する飛散粒子を除去する飛散粒子の低減方法において、
前記プラズマから放射されるEUV光の光路内に配置された電極板に正電圧又は負電圧を印加する第1工程と、
前記プラズマを生成したときに発生する飛散粒子を前記電極板によって前記EUV光の進行方向とは異なる方向へ除去する第2工程と、
を備えたことを特徴とする飛散粒子の低減方法。 - 請求項7記載の飛散粒子の低減方法において、
前記第2工程は、前記飛散粒子を前記EUV光の進行方向とは異なる方向へ偏向させることを含むことを特徴とする飛散粒子の低減方法。 - 請求項7又は8に記載の飛散粒子の低減方法において、
前記飛散粒子を除去する回収部に正電圧及び負電圧を印加し、前記飛散粒子を前記EUV光の光路外へ除去する工程をさらに含むことを特徴とする飛散粒子の低減方法。 - 請求項1〜6のいずれか1項に記載の飛散粒子除去装置と、
供給されたターゲット材料からプラズマを生成することで、当該プラズマから発生するEUV光を放出するプラズマ生成部と、
を備えたことを特徴する光源装置。 - 請求項1〜6のいずれか1項に記載の飛散粒子除去装置と、
供給されたターゲット材料からプラズマを生成することで、当該プラズマから発生するEUV光を放出するプラズマ生成部と、
少なくとも1つの照度均一化素子を備えた照明光学系と、
を備えることを特徴とする照明光学装置。 - 請求項11に記載の照明光学装置であって、
前記飛散粒子除去装置は、前記EUV光の光路内で、且つ前記照度均一化素子よりも上流側に配置されることを特徴とする照明光学装置。 - 請求項1〜6のいずれか1項に記載の飛散粒子除去装置と、
供給されたターゲット材料からプラズマを生成することで、当該プラズマから発生するEUV光を放出するプラズマ生成部と、
前記EUV光を被照射面に照射する照明光学系と、
前記被照射面を介した前記EUV光を感光性基板に投影する投影光学系と、
を備えたことを特徴とする露光装置。 - EUV光で被照射面を照明する請求項11又は12に記載の照明光学系と、
前記被照射面を介した前記EUV光を感光性基板に投影する投影光学系と、
を備えたことを特徴とする露光装置。 - リソグラフィー工程を含む電子デバイスの製造方法であって、
前記リソグラフィー工程において、請求項13又は14に記載の露光装置を用いることを特徴とする電子デバイスの製造方法。
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