JP2007013167A - リソグラフィ装置、放射システム、及びデバイス製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】ホイル・トラップが、放射ビームの経路内に配置される。ホイル・トラップは、導電ストリップ34のアレイを含む。電圧印加回路は、ストリップ34の隣接するストリップ対間に電圧差を印加するためにストリップ34に結合される。電圧印加回路は、自己維持アーク放電がホイル・トラップ内で生じることがある閾値より低い値に、ストリップ34への電流を制限するように構成される電流制限回路を含む。
【選択図】図3
Description
26 コレクタ・レンズ
29 ガス源
30 内側リング
32 外側リング
34 ストリップ
34a 第1のストリップ・ステージ
34b 第2のストリップ・ステージ
40 電圧源
42 抵抗器
B 放射ビーム
C ターゲット部分
IF1、IF2 位置センサ
IL 照明システム
M1、M2 マスク・アライメント・マーク
MA パターン形成デバイス
MT 支持構造体
P1、P2 基板アライメント・マーク
PM 第1のポジショナ
PS 投影システム
PW 第2のポジショナ
W 基板
WT 基板テーブル
Claims (35)
- 基板上に放射ビームを投影するためのリソグラフィ装置であって、
導電ストリップのアレイを備え、且つ前記放射ビームの経路内に配置される汚染バリアと、
前記ストリップの隣接するストリップ対間に電圧差を印加するための、前記ストリップに結合される電圧印加回路とを備え、前記電圧印加回路は、自己維持アーク放電が前記汚染バリア内で生じる閾値より低い値に、前記ストリップへの電流を制限するように構成される電流制限回路を備えるリソグラフィ装置。 - 前記電流制限回路は、複数のサブ回路を備え、各サブ回路は、前記ストリップのそれぞれ1つに結合され、且つ前記サブ回路の他のサブ回路に結合されるストリップの電流とは実質的に無関係に、前記ストリップのそれぞれ1つへの電流を制限するように構成される請求項1に記載のリソグラフィ装置。
- 前記電圧印加回路は、前記ストリップへ電圧を印加するように構成され、前記電圧は、全て前記装置の残りへ印加される電圧に対して低く、前記ストリップと前記装置の残りとの間の実質的に任意の電界が前記ストリップに向けられ、それによって、電子が、前記ストリップから反発され又は少なくとも引き付けられない請求項1に記載のリソグラフィ装置。
- 前記放射ビームの伝播方向に対するガス流方向で、前記ストリップ対間の少なくとも空間にガス流を導入するように構成されたガス源をさらに備える請求項1に記載のリソグラフィ装置。
- 前記ストリップは、前記汚染バリアの第1のステージを形成し、前記汚染バリアは、前記放射ビームの伝播方向に対して前記第1のステージの下流側に配置された第2のステージを備え、前記第2のステージは、さらなる導電ストリップ及び/又は前記第1の導電ストリップの導電延長部の第2のアレイを備え、前記さらなる導電ストリップ及び/又は延長部の少なくとも一部は、第1のアレイの前記ストリップとは別に電気的に制御可能であり、前記第2のステージにおける隣接するストリップ及び/又は延長部での電圧間のさらなる電圧差が、存在すれば、前記第1のステージ内の前記ストリップ間の電圧差より小さいように、前記装置は、さらなる導電ストリップ及び/又は延長部で電圧を維持するように構成される請求項4に記載のリソグラフィ装置。
- 前記装置は、動作の間に、さらなる導電ストリップ及び/又は延長部間のさらなる電圧差を実質的にゼロに維持するように構成される請求項5に記載のリソグラフィ装置。
- 電圧差は、100ボルトから1000ボルトの範囲内である請求項1に記載のリソグラフィ装置。
- 前記ストリップは、前記ビームの伝播方向において少なくとも10ミリメートルの幅を有する請求項1に記載のリソグラフィ装置。
- 前記電圧印加回路は、第1の複数の前記ストリップに結合された第1の端子と、前記第1の複数からそれぞれのストリップ対間にそれぞれ位置する第2の複数の前記ストリップに結合された第2の端子とを有する電圧源回路を備え、前記第2の端子は、前記電流制限回路を介して前記第2の複数の前記ストリップに結合される請求項1に記載のリソグラフィ装置。
- 前記電流制限回路は、抵抗器を備え、各抵抗器は、前記第2の端子と前記第2の複数の前記ストリップのそれぞれとの間に結合される請求項9に記載のリソグラフィ装置。
- 前記抵抗器は、100オームから10キロオームの間の抵抗値を有する請求項10に記載のリソグラフィ装置。
- 前記ストリップ間の電圧差と距離との間の比率が、ミリメートル当たり30ボルトと1000ボルトとの間であるように選択された値を、前記電圧差が有する請求項1に記載のリソグラフィ装置。
- 基板上に放射ビームを投影するためのリソグラフィ装置であって、
前記放射ビームの経路内に配置された汚染バリアを備え、前記汚染バリアは、第1及び第2のステージを備え、前記第2のステージは、前記放射ビームの伝播方向に対して前記第1のステージの下流側に配置され、前記第1のステージは、第1の導電ストリップの第1のアレイを備え、第2のステージは、第2の導電ストリップ及び/又は前記第1の導電ストリップの導電延長部の第2のアレイを備え、前記第2の導電ストリップ及び/又は延長部の少なくとも一部は、第1の導電ストリップとは別に電気的に制御可能であり、前記リソグラフィ装置はさらに、
前記第1及び第2の導電ストリップ及び/又は延長部に結合された電圧印加回路を備え、前記電圧印加回路は、前記第1の導電ストリップの隣接する導電ストリップ対間に第1の電圧差を印加し、且つ隣接する第2の導電ストリップ及び/又は延長部間の第2の電圧差が、存在すれば、第1の電圧差より小さいように、前記第2の導電ストリップ及び/又は延長部に電圧を印加するリソグラフィ装置。 - 前記電圧印加回路は、前記第2の電圧差を実質的にゼロにするように構成される請求項13に記載のリソグラフィ装置。
- 前記電圧印加回路は、前記第1及び第2のストリップ及び/又は延長部へ電圧を印加するように構成され、前記電圧は、全て前記装置の残りへ印加される電圧に対して低く、前記装置の残りと前記第1及び第2のストリップ及び/又は延長部との間の実質的な任意の電界が、前記第1及び第2のストリップ及び/又は延長部に向けられ、それによって、電子が、前記第1及び第2のストリップ及び/又は延長部から反発され又は少なくとも引き付けられない請求項13に記載のリソグラフィ装置。
- 前記放射ビームの伝播方向に対するガス流方向で、前記第1及び第2のステージの少なくとも1つの対間の少なくとも空間にガス流を導入するように構成されたガス源をさらに備える請求項13に記載のリソグラフィ装置。
- 調整された放射のビームを提供する放射システムであって、
放射ビームを生成する放射源と、
前記放射ビームの経路内に配置され、且つ導電ストリップのアレイを備える汚染バリアと、
前記ストリップの隣接するストリップ対間に電圧差を印加するための、前記ストリップに結合される電圧印加回路とを備え、前記電圧印加回路は、自己維持アーク放電が前記汚染バリア内で生じることができる閾値より低い値に、前記ストリップへの電流を制限するように構成される電流制限回路を備える放射システム。 - 前記電流制限回路は、複数のサブ回路を備え、各サブ回路は、前記ストリップのそれぞれ1つに結合され、且つ前記サブ回路の他のサブ回路に結合されるストリップの電流とは実質的に無関係に、前記ストリップのそれぞれ1つへの電流を制限するように構成される請求項17に記載の放射システム。
- 前記電圧印加回路は、前記ストリップへ電圧を印加するように構成され、前記電圧は、全て前記システムの残りへ印加される電圧に対して低く、前記ストリップと前記システムの残りとの間の実質的な任意の電界が前記ストリップに向けられ、それによって、電子が、前記ストリップから反発され又は少なくとも引き付けられない請求項17に記載の放射システム。
- 前記放射ビームの伝播方向に対する流れ方向で、前記ストリップ対間の少なくとも空間にガス流を導入するように構成されたガス源をさらに備える請求項17に記載の放射システム。
- 前記ストリップは、前記汚染バリアの第1のステージを形成し、前記汚染バリアは、前記放射ビームの伝播方向に対して前記第1のステージの下流側に配置された第2のステージを備え、前記第2のステージは、前記第1のステージのさらなる導電ストリップ及び/又は導電延長部の第2のアレイを備え、前記さらなる導電ストリップ及び/又は延長部の少なくとも一部は、第1のステージの前記ストリップとは別に電気的に制御可能であり、前記第2のステージにおける隣接する導電ストリップ及び/又は延長部での電圧間のさらなる電圧差が、存在すれば、前記第1のステージ内の前記ストリップ間の電圧差より小さいように、前記システムは、さらなる導電ストリップ及び/又は延長部で電圧を維持するように構成される請求項20に記載の放射システム。
- 前記システムは、前記第2のステージにおける前記さらなる導電ストリップ及び/又は延長部間の電圧差を実質的にゼロに維持するように構成される請求項21に記載の放射システム。
- 電圧差は、100ボルトから1000ボルトの範囲内である請求項17に記載の放射システム。
- 前記ストリップは、前記ビームの伝播方向において少なくとも10ミリメートルの幅を有する請求項17に記載の放射システム。
- 前記電圧印加回路は、第1の複数の前記ストリップに結合された第1の端子と、前記第1の複数からそれぞれのストリップ対間にそれぞれ位置する第2の複数の前記ストリップに結合された第2の端子とを有する電圧源回路を備え、前記第2の端子は、前記電流制限回路を介して前記第2の複数の前記ストリップに結合される請求項17に記載の放射システム。
- 前記電流制限回路は、抵抗器を備え、各抵抗器は、前記第2の端子と前記第2の複数の前記ストリップそれぞれ1つとの間に結合される請求項25に記載の放射システム。
- 前記抵抗器は、100オームから10キロオームの間の抵抗値を有する請求項26に記載の放射システム。
- 前記ストリップ間の電圧差と距離との間の比率が、ミリメートル当たり30ボルトと1000ボルトとの間であるように選択された値を、前記電圧差が有する請求項17に記載の放射システム。
- 調整された放射のビームを提供する放射システムであって、
放射ビームを生成する放射源と、
前記放射ビームの経路内に配置された汚染バリアとを備え、前記汚染バリアは、第1及び第2のステージを備え、前記第2のステージは、前記放射ビームの伝播方向に対して前記第1のステージの下流側に配置され、前記第1のステージは、第1の導電ストリップの第1のアレイを備え、第2のステージは、第2の導電ストリップ及び/又は前記第1の導電ストリップの導電延長部の第2のアレイを備え、前記第2の導電ストリップ及び/又は延長部の少なくとも一部は、第1の導電ストリップとは別に電気的に制御可能であり、前記放射システムはさらに、
前記第1及び第2の導電ストリップ及び/又は延長部に結合された電圧印加回路を備え、前記電圧印加回路は、前記第1の導電ストリップの隣接する導電ストリップ対間に第1の電圧差を印加し、且つ隣接する第2の導電ストリップ及び/又は延長部間の第2の電圧差が、存在すれば、第1の電圧差より小さいように、前記第2の導電ストリップ及び/又は延長部に電圧を印加する放射システム。 - 前記電圧印加回路は、前記第2の電圧差を実質的にゼロに維持するように構成される請求項29に記載の放射システム。
- 前記電圧印加回路は、前記第1及び第2のストリップ及び/又は延長部へ電圧を印加するように構成され、前記電圧は、全て前記システムの残りへ印加される電圧に対して低く、前記システムの残りと前記第1及び第2のストリップ及び/又は延長部との間の実質的な任意の電界が、前記第1及び/又は第2のストリップ及び/又は延長部に向けられ、それによって、電子が、前記第1及び第2のストリップ及び/又は延長部から反発され又は少なくとも引き付けられない請求項29に記載の放射システム。
- 前記放射ビームの伝播方向に対する流れ方向で、前記第1及び第2のステージの少なくとも1つのストリップ対間の少なくとも空間にガス流を導入するように構成されたガス源をさらに備える請求項29に記載の放射システム。
- デバイス製造方法であって、放射ビームが基板上に投影され、前記ビームは、複数の導電ストリップを備える汚染バリアを通過し、前記デバイス製造方法は、
隣接ストリップ対間に電圧差を印加することと、
自己維持アーク放電が前記汚染バリア内で生じることができる閾値より低い値に、前記ストリップを通る電流を制限することとを含むデバイス製造方法。 - 前記ストリップの他のストリップの電流とは実質的に無関係に、前記ストリップのそれぞれ1つへの電流を制限することをさらに含む請求項34に記載のデバイス製造方法。
- 100ボルトから1000ボルトの範囲の電圧差が、前記ストリップ間に印加される請求項33に記載のデバイス製造方法。
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US11/170,788 US8018574B2 (en) | 2005-06-30 | 2005-06-30 | Lithographic apparatus, radiation system and device manufacturing method |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2007013167A true JP2007013167A (ja) | 2007-01-18 |
JP4440234B2 JP4440234B2 (ja) | 2010-03-24 |
Family
ID=37588362
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2006178866A Expired - Fee Related JP4440234B2 (ja) | 2005-06-30 | 2006-06-29 | リソグラフィ装置、放射システム、及びデバイス製造方法 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US8018574B2 (ja) |
JP (1) | JP4440234B2 (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2011155254A (ja) * | 2010-01-25 | 2011-08-11 | Media Lario Srl | 斜入射集光器用冷却スパイダ及び方法 |
Families Citing this family (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7889312B2 (en) * | 2006-09-22 | 2011-02-15 | Asml Netherlands B.V. | Apparatus comprising a rotating contaminant trap |
JP5758153B2 (ja) * | 2010-03-12 | 2015-08-05 | エーエスエムエル ネザーランズ ビー.ブイ. | 放射源装置、リソグラフィ装置、放射発生および送出方法、およびデバイス製造方法 |
US10149374B1 (en) * | 2017-08-25 | 2018-12-04 | Asml Netherlands B.V. | Receptacle for capturing material that travels on a material path |
Family Cites Families (14)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
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NL1008352C2 (nl) * | 1998-02-19 | 1999-08-20 | Stichting Tech Wetenschapp | Inrichting, geschikt voor extreem ultraviolet lithografie, omvattende een stralingsbron en een verwerkingsorgaan voor het verwerken van de van de stralingsbron afkomstige straling, alsmede een filter voor het onderdrukken van ongewenste atomaire en microscopische deeltjes welke door een stralingsbron zijn uitgezonden. |
JP3454758B2 (ja) | 1999-08-30 | 2003-10-06 | 正樹 山本 | 軟x線利用装置のデブリ除去機構 |
US6972421B2 (en) * | 2000-06-09 | 2005-12-06 | Cymer, Inc. | Extreme ultraviolet light source |
IT1316249B1 (it) | 2000-12-01 | 2003-04-03 | Enea Ente Nuove Tec | Procedimento di abbattimento del flusso di ioni e di piccoli detritiin sorgenti di raggi-x molli da plasma, tramite l'uso di kripton. |
US6576912B2 (en) * | 2001-01-03 | 2003-06-10 | Hugo M. Visser | Lithographic projection apparatus equipped with extreme ultraviolet window serving simultaneously as vacuum window |
JP2003022950A (ja) | 2001-07-05 | 2003-01-24 | Canon Inc | X線光源用デブリ除去装置及び、デブリ除去装置を用いた露光装置 |
JP3790814B2 (ja) | 2001-10-25 | 2006-06-28 | 独立行政法人産業技術総合研究所 | X線照射装置における飛散物除去方法及び装置 |
DE10237901B3 (de) | 2002-08-16 | 2004-05-27 | Xtreme Technologies Gmbh | Anordnung zur Unterdrückung von Teilchenemission bei der Strahlungserzeugung einer Röntgenstrahlungsquelle |
US6963071B2 (en) * | 2002-11-25 | 2005-11-08 | Intel Corporation | Debris mitigation device |
EP1491963A3 (en) | 2003-06-27 | 2005-08-17 | ASML Netherlands B.V. | Laser produced plasma radiation system with contamination barrier |
US7230258B2 (en) * | 2003-07-24 | 2007-06-12 | Intel Corporation | Plasma-based debris mitigation for extreme ultraviolet (EUV) light source |
US7307263B2 (en) * | 2004-07-14 | 2007-12-11 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus, radiation system, contaminant trap, device manufacturing method, and method for trapping contaminants in a contaminant trap |
US7145132B2 (en) * | 2004-12-27 | 2006-12-05 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus, illumination system and debris trapping system |
-
2005
- 2005-06-30 US US11/170,788 patent/US8018574B2/en not_active Expired - Fee Related
-
2006
- 2006-06-29 JP JP2006178866A patent/JP4440234B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2011155254A (ja) * | 2010-01-25 | 2011-08-11 | Media Lario Srl | 斜入射集光器用冷却スパイダ及び方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US20070001126A1 (en) | 2007-01-04 |
JP4440234B2 (ja) | 2010-03-24 |
US8018574B2 (en) | 2011-09-13 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
RD03 | Notification of appointment of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7423 Effective date: 20061208 |
|
RD05 | Notification of revocation of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7425 Effective date: 20070524 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20090729 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20090804 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20091104 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20091218 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20100106 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130115 Year of fee payment: 3 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |