JP2015109468A - デブリ粒子を抑制するための放射線源装置、リソグラフィ装置、照明システム、および方法 - Google Patents
デブリ粒子を抑制するための放射線源装置、リソグラフィ装置、照明システム、および方法 Download PDFInfo
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Abstract
【解決手段】放射線を発生するための放射線源SOと、放射線を調整するための照明システムと、調整された放射線にパターンを付与するためのパターン付与デバイスと、パターンが付与された放射線を基板のターゲット部分に投影するための投影システムとを含む。照明システムは、放射線の発生によって解放されるデブリ粒子を抑制するためのデブリ抑制システムDと、放射線を収集するための光学システムOSとを含む。デブリ抑制システムは、放射線源から光学システムへ放射線が進む経路A1内で、デブリ粒子を直接蒸発させるように、デブリ粒子を直接荷電するように、またはデブリ粒子からプラズマを直接発生させるように、あるいはそれらの任意の組合せを行うように配置される。
【選択図】図2
Description
放射線を発生するための放射線源と、
放射線の発生によって解放されるデブリ粒子を抑制するためのデブリ抑制システムと、
放射線を収集するための光学システムと
を有する放射線源装置であって、
デブリ抑制システムは、放射線源から光学システムへ放射線が進む経路内で、デブリ粒子を直接蒸発させるように、デブリ粒子を直接荷電するように、またはデブリ粒子からプラズマを直接発生させるように、あるいはそれらの任意の組合せを行うように配置されている放射線源装置が提供される。
放射線を調整するための照明システムと、
調整された放射線にパターンを付与するためのパターン付与デバイスと、
パターンが付与された放射線を基板のターゲット部分に投影するための投影システムと
を有するリソグラフィ装置であって、このリソグラフィ装置が、放射線を送達するために放射線源装置を有し、この放射線源装置が、
放射線を発生するための放射線源と、
放射線の発生によって解放されるデブリ粒子を抑制するためのデブリ抑制システムと、
放射線を収集するための光学システムと
を有し、
デブリ抑制システムは、放射線源から光学システムへ放射線が進む経路内で、デブリ粒子を直接蒸発させるように、デブリ粒子を直接荷電するように、またはデブリ粒子からプラズマを直接発生させるように、あるいはそれらの任意の組合せを行うように配置されているリソグラフィ装置が提供される。
IL 照明システム、照明器
MA パターン付与デバイス、マスク
PM 第1の位置決め手段
MT 支持構造、マスク・テーブル
W 基板
PW 第2の位置決め手段
WT 基板テーブル、ウェハ・テーブル
C ターゲット部分
PS 投影システム
SO 放射線源
D デブリ抑制システム
OS 光学システム
H 加熱器
EM 電磁放射線
EMG EM発生器、電磁放射線発生器
EMR EM放射線反射器
EB 電子ビーム
EBG EB発生器
EBR EB反射器
P プラズマ
PG プラズマ発生器
Claims (21)
- 放射線を発生するための放射線源と、
放射線の前記発生によって解放されるデブリ粒子を抑制するためのデブリ抑制システムと、
前記放射線を収集するための光学システムと
を有する放射線源装置であって、
前記デブリ抑制システムは、前記放射線源から前記光学システムへ前記放射線が進む経路内で、前記デブリ粒子を直接蒸発させるように、前記デブリ粒子を直接荷電するように、または前記デブリ粒子からプラズマを直接発生させるように、あるいはそれらの任意の組合せを行うように配置されている放射線源装置。 - 前記デブリ抑制システムが、(i)前記デブリ粒子を直接蒸発させること、(ii)前記デブリ粒子を直接荷電すること、および(iii)前記デブリ粒子からプラズマを直接発生させることのうち1つのみを行うことができる請求項1に記載の放射線源装置。
- 前記デブリ抑制システムが、前記デブリ粒子を加熱するための加熱器を有している請求項1に記載の放射線源装置。
- 前記加熱器がオーブンを有している請求項3に記載の放射線源装置。
- 前記加熱器が放熱器を有している請求項3に記載の放射線源装置。
- 前記デブリ抑制システムが断熱材料を有している請求項1に記載の放射線源装置。
- 前記デブリ抑制システムが、電磁放射線を発生するためのEM発生器を有している請求項1に記載の放射線源装置。
- 前記EM発生器がフラッシュ・ランプを有している請求項7に記載の放射線源装置。
- 前記EM発生器がレーザを有している請求項7に記載の放射線源装置。
- 前記EM発生器がI線ランプを有している請求項7に記載の放射線源装置。
- 前記EM発生器が、約100ワットから約1000ワットの範囲内でパワーを供給することができる請求項7に記載の放射線源装置。
- 前記デブリ抑制システムが、電磁放射線を反射するためのEM放射線反射器を有し、それによって前記経路を一度横切った後の前記電磁放射線が前記経路に向けて戻される請求項7に記載の放射線源装置。
- 前記デブリ抑制システムが、電子ビームを発生させるためのEビーム発生器を有している請求項1に記載の放射線源装置。
- 前記デブリ抑制システムが、電子を反射するためのEビーム反射器を有し、それによって前記経路を一度横切った後の前記電子が前記経路に向けて戻される請求項13に記載のリソグラフィ装置。
- 前記デブリ抑制システムが、前記デブリ粒子からプラズマを発生させるためのプラズマ発生器を有している請求項1に記載の放射線源装置。
- 前記デブリ抑制システムが、電場および/または磁場をそれぞれ発生させるための電場および/または磁場発生器をさらに有し、それによって荷電粒子が前記光学システムに向かって偏向される請求項1に記載の放射線源装置。
- 前記放射線を調整するための照明システムと、
前記調整された放射線にパターンを付与するためのパターン付与デバイスと、
前記パターンが付与された放射線を基板のターゲット部分に投影するための投影システムと
を有するリソグラフィ装置であって、
前記放射線を送達するために請求項1に記載の放射線源装置を有しているリソグラフィ装置。 - リソグラフィ装置内で放射線を調整するように構成された照明システムであって、
前記放射線が発生されるときに解放される少なくともいくらかのデブリ粒子を抑制するためのデブリ抑制システムと、
前記放射線を収集するための光学システムと
を有する照明システムにおいて、
前記デブリ抑制システムは、前記放射線を発生する放射線源から前記光学システムへ前記放射線が進む経路内で、前記デブリ粒子を直接蒸発させるように、前記デブリ粒子を直接荷電するように、または前記デブリ粒子からプラズマを直接発生させるように、あるいはそれらの任意の組合せを行うように配置されている照明システム。 - 前記デブリ抑制システムが、(i)前記デブリ粒子を直接蒸発させること、(ii)前記デブリ粒子を直接荷電すること、および(iii)前記デブリ粒子からプラズマを直接発生させることのうち1つのみを行うことができる請求項18に記載の照明システム。
- 放射線源から光学システムへ放射線が進む経路内で、前記放射線の発生中に解放される少なくともいくらかのデブリ粒子を抑制するための方法であって、前記経路内で、前記デブリ粒子を直接蒸発させること、前記デブリ粒子を直接荷電すること、または前記デブリ粒子からプラズマを直接発生させること、あるいはそれらの任意の組合せを行うことを含む方法。
- (i)前記デブリ粒子を直接蒸発させること、(ii)前記デブリ粒子を直接荷電すること、および(iii)前記デブリ粒子からプラズマを直接発生させることのうち1つのみを含む請求項20に記載の方法。
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DE102004005242B4 (de) * | 2004-01-30 | 2006-04-20 | Xtreme Technologies Gmbh | Verfahren und Vorrichtung zur plasmabasierten Erzeugung intensiver kurzwelliger Strahlung |
US7355191B2 (en) * | 2004-11-01 | 2008-04-08 | Cymer, Inc. | Systems and methods for cleaning a chamber window of an EUV light source |
JP5104095B2 (ja) * | 2007-07-25 | 2012-12-19 | 株式会社ニコン | 飛散粒子除去装置、飛散粒子の低減方法、光源装置、露光装置及び電子デバイスの製造方法 |
US9249502B2 (en) * | 2008-06-20 | 2016-02-02 | Sakti3, Inc. | Method for high volume manufacture of electrochemical cells using physical vapor deposition |
US7945344B2 (en) * | 2008-06-20 | 2011-05-17 | SAKT13, Inc. | Computational method for design and manufacture of electrochemical systems |
EP2159638B1 (en) * | 2008-08-26 | 2015-06-17 | ASML Netherlands BV | Radiation source and lithographic apparatus |
JP5559562B2 (ja) | 2009-02-12 | 2014-07-23 | ギガフォトン株式会社 | 極端紫外光光源装置 |
US8357464B2 (en) | 2011-04-01 | 2013-01-22 | Sakti3, Inc. | Electric vehicle propulsion system and method utilizing solid-state rechargeable electrochemical cells |
US8330131B2 (en) | 2010-01-11 | 2012-12-11 | Media Lario, S.R.L. | Source-collector module with GIC mirror and LPP EUV light source |
JP5758153B2 (ja) * | 2010-03-12 | 2015-08-05 | エーエスエムエル ネザーランズ ビー.ブイ. | 放射源装置、リソグラフィ装置、放射発生および送出方法、およびデバイス製造方法 |
US10770745B2 (en) | 2011-11-09 | 2020-09-08 | Sakti3, Inc. | Monolithically integrated thin-film solid state lithium battery device having multiple layers of lithium electrochemical cells |
US8301285B2 (en) | 2011-10-31 | 2012-10-30 | Sakti3, Inc. | Computer aided solid state battery design method and manufacture of same using selected combinations of characteristics |
US9127344B2 (en) | 2011-11-08 | 2015-09-08 | Sakti3, Inc. | Thermal evaporation process for manufacture of solid state battery devices |
US20120055633A1 (en) * | 2011-11-09 | 2012-03-08 | Sakti3, Inc. | High throughput physical vapor deposition apparatus and method for manufacture of solid state batteries |
US20130220546A1 (en) * | 2011-11-09 | 2013-08-29 | Sakti 3, Inc. | High throughput physical vapor deposition apparatus and method for manufacture of solid state batteries |
DE102011089779B4 (de) | 2011-12-23 | 2019-09-05 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Vorrichtung zur Unterdrückung von mit einem Lichtbündel längs eines Strahlengangs mitgeführten Fremdkörperanteilen |
US9268031B2 (en) * | 2012-04-09 | 2016-02-23 | Kla-Tencor Corporation | Advanced debris mitigation of EUV light source |
US9627717B1 (en) | 2012-10-16 | 2017-04-18 | Sakti3, Inc. | Embedded solid-state battery |
CN108828903A (zh) * | 2012-11-15 | 2018-11-16 | Asml荷兰有限公司 | 用于光刻的辐射源和方法 |
KR102275466B1 (ko) * | 2013-09-25 | 2021-07-13 | 에이에스엠엘 네델란즈 비.브이. | 빔 전달 장치 및 방법 |
US9627709B2 (en) | 2014-10-15 | 2017-04-18 | Sakti3, Inc. | Amorphous cathode material for battery device |
CN106970506B (zh) * | 2017-04-10 | 2018-11-20 | 中国科学院上海光学精密机械研究所 | 一种基于粒子群优化算法的晶圆曝光路径规划方法 |
Citations (13)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS62145633A (ja) * | 1985-12-20 | 1987-06-29 | Hitachi Ltd | プラズマx線源装置 |
JP2001042098A (ja) * | 1999-03-15 | 2001-02-16 | Cymer Inc | プラズマフォーカス高エネルギフォトン源 |
JP2001135877A (ja) * | 1999-11-01 | 2001-05-18 | Saifasha:Yugen | レーザプラズマx線発生装置 |
JP2001143893A (ja) * | 1999-11-16 | 2001-05-25 | Hitachi Ltd | レーザプラズマx線源 |
JP2001326096A (ja) * | 2000-05-16 | 2001-11-22 | Nikon Corp | プラズマフォーカス光源、照明装置及びこれらを用いたx線露光装置及び半導体デバイスの製造方法 |
JP2003007611A (ja) * | 2001-01-10 | 2003-01-10 | Asml Netherlands Bv | リソグラフィ投影装置、素子製造方法、およびそれによって製造される素子 |
JP2004207730A (ja) * | 2002-12-20 | 2004-07-22 | Asml Netherlands Bv | リソグラフィック装置、デバイス製造方法およびその方法を使用して製造されたデバイス |
JP2004279246A (ja) * | 2003-03-17 | 2004-10-07 | Ushio Inc | 極端紫外光放射源及び半導体露光装置 |
JP2004311814A (ja) * | 2003-04-09 | 2004-11-04 | Nikon Corp | 光源ユニット、照明光学装置、露光装置および露光方法 |
JP2005197456A (ja) * | 2004-01-07 | 2005-07-21 | Komatsu Ltd | 光源装置及びそれを用いた露光装置 |
JP2006186373A (ja) * | 2004-12-27 | 2006-07-13 | Asml Netherlands Bv | リソグラフィ装置、照明システム、およびデブリ粒子を抑制するための方法 |
JP2007528607A (ja) * | 2004-03-10 | 2007-10-11 | サイマー インコーポレイテッド | Euv光源 |
JP2008508722A (ja) * | 2004-07-27 | 2008-03-21 | サイマー インコーポレイテッド | Euv光源の内部コンポーネント上のプラズマ生成デブリの影響を減少させるためのシステム及び方法 |
Family Cites Families (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4872189A (en) | 1987-08-25 | 1989-10-03 | Hampshire Instruments, Inc. | Target structure for x-ray lithography system |
DE3927089C1 (ja) | 1989-08-17 | 1991-04-25 | Fraunhofer-Gesellschaft Zur Foerderung Der Angewandten Forschung Ev, 8000 Muenchen, De | |
US5459771A (en) | 1994-04-01 | 1995-10-17 | University Of Central Florida | Water laser plasma x-ray point source and apparatus |
US5577092A (en) | 1995-01-25 | 1996-11-19 | Kublak; Glenn D. | Cluster beam targets for laser plasma extreme ultraviolet and soft x-ray sources |
US5504795A (en) | 1995-02-06 | 1996-04-02 | Plex Corporation | Plasma X-ray source |
EP1223468B1 (en) | 2001-01-10 | 2008-07-02 | ASML Netherlands B.V. | Lithographic projection apparatus and device manufacturing method |
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Patent Citations (14)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS62145633A (ja) * | 1985-12-20 | 1987-06-29 | Hitachi Ltd | プラズマx線源装置 |
JP2001042098A (ja) * | 1999-03-15 | 2001-02-16 | Cymer Inc | プラズマフォーカス高エネルギフォトン源 |
JP2001135877A (ja) * | 1999-11-01 | 2001-05-18 | Saifasha:Yugen | レーザプラズマx線発生装置 |
JP2001143893A (ja) * | 1999-11-16 | 2001-05-25 | Hitachi Ltd | レーザプラズマx線源 |
JP2001326096A (ja) * | 2000-05-16 | 2001-11-22 | Nikon Corp | プラズマフォーカス光源、照明装置及びこれらを用いたx線露光装置及び半導体デバイスの製造方法 |
JP2003007611A (ja) * | 2001-01-10 | 2003-01-10 | Asml Netherlands Bv | リソグラフィ投影装置、素子製造方法、およびそれによって製造される素子 |
JP2004207730A (ja) * | 2002-12-20 | 2004-07-22 | Asml Netherlands Bv | リソグラフィック装置、デバイス製造方法およびその方法を使用して製造されたデバイス |
JP2004279246A (ja) * | 2003-03-17 | 2004-10-07 | Ushio Inc | 極端紫外光放射源及び半導体露光装置 |
JP2004311814A (ja) * | 2003-04-09 | 2004-11-04 | Nikon Corp | 光源ユニット、照明光学装置、露光装置および露光方法 |
JP2005197456A (ja) * | 2004-01-07 | 2005-07-21 | Komatsu Ltd | 光源装置及びそれを用いた露光装置 |
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JP2008508722A (ja) * | 2004-07-27 | 2008-03-21 | サイマー インコーポレイテッド | Euv光源の内部コンポーネント上のプラズマ生成デブリの影響を減少させるためのシステム及び方法 |
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