JP2004207730A - リソグラフィック装置、デバイス製造方法およびその方法を使用して製造されたデバイス - Google Patents
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Abstract
【解決手段】照明システムILに適用され、放射源LAで生成された放射ビームは、照明システムILに入射し、ミラーSPFである第1の光エレメントに衝突する。放射ビームは、次に、複数の別のミラーFF、FF、N1、N2およびGによって反射され、投影ビームPBとして最終的に照明システムから出ていく。シャッタSH1およびSH2を使用することによって放射の光路を選択的に遮断することができる。光エレメントの過剰露光は、光エレメントの過剰洗浄対策により防止される。
【選択図】図2
Description
−投影放射ビームを供給するための放射システムと、
−所望のパターンに従って投影ビームをパターン化するべく機能するパターン化手段を支持するための支持構造と、
−基板を保持するための基板テーブルと、
−パターン化されたビームを基板の目標部分に投射するための投影システムと
を備えたリソグラフィック投影装置に関する。
−マスク:マスクの概念についてはリソグラフィにおいては良く知られており、バイナリ、交番移相および減衰移相などのマスク・タイプ、および様々なハイブリッド・マスク・タイプが知られている。このようなマスクを放射ビーム中に配置することにより、マスクに衝突する放射をマスクのパターンに従って選択的に透過(透過型マスクの場合)させ、あるいは選択的に反射(反射型マスクの場合)させている。マスクの場合、通常、支持構造がマスク・テーブルを構成しており、入射する放射ビーム中の所望の位置にマスクを確実に保持し、かつ、必要に応じてビームに対して移動させている。
−プログラム可能ミラー・アレイ:粘弾性制御層および反射表面を有するマトリックス処理可能表面は、このようなデバイスの一例である。このような装置の基礎をなしている基本原理は、(たとえば)反射表面の処理領域が入射光を回折光として反射し、一方、未処理領域が入射光を非回折光として反射することである。適切なフィルタを使用することにより、前記非回折光を反射ビームからフィルタ除去し、回折光のみを残すことができるため、この方法により、マトリックス処理可能表面の処理パターンに従ってビームがパターン化される。プログラム可能ミラー・アレイの代替実施例には、マトリックス配列された微小ミラーが使用されている。微小ミラーの各々は、適切な局部電界を印加することによって、あるいは圧電駆動手段を使用することによって、1つの軸の回りに個々に傾斜させることができる。この場合も、微小ミラーは、入射する放射ビームを反射する方向が、処理済みミラーと未処理ミラーとで異なるよう、マトリックス処理することが可能であり、この方法により、マトリックス処理可能ミラーの処理パターンに従って反射ビームがパターン化される。必要なマトリックス処理は、適切な電子手段を使用して実行される。上で説明したいずれの状況においても、パターン化手段は、1つまたは複数のプログラム可能ミラー・アレイを備えている。上で参照したミラー・アレイに関する詳細な情報については、たとえば、いずれも参照により本明細書に組み込まれている米国特許US5,296,891号およびUS5,523,193号、およびPCT特許出願WO98/38597号およびWO98/33096号を参照されたい。プログラム可能ミラー・アレイの場合、前記支持構造は、たとえば、必要に応じて固定または移動させることができるフレームあるいはテーブルとして具体化されている。
−プログラム可能LCDアレイ:このような構成の一例は、参照により本明細書に組み込まれている米国特許US5,229,872号に記載されている。この場合の支持構造は、プログラム可能ミラー・アレイの場合と同様、たとえば、必要に応じて固定または移動させることができるフレームあるいはテーブルとして具体化されている。
がある。分かり易くするために、本明細書の以下の特定の部分、とりわけ実施例の部分にはマスクおよびマスク・テーブルが包含されているが、実施例の中で考察されている一般原理は、上で説明したパターン化手段のより広義のコンテキストの中で理解されたい。
前記二次電子が次に前記光エレメントの表面に向かって引き付けられるよう、前記電界の極性を反転させるための手段とをさらに特徴とするリソグラフィック装置が提供される。
洗浄すべき前記光エレメントの近傍に反応性ガスを供給するための手段と、
反応性ガス分子を帯電させるための手段とをさらに特徴とするリソグラフィック装置が提供される。
前記リソグラフィック投影装置の放射システム、パターン化手段または投影システムの光エレメントに、前記光エレメントを洗浄するべく放射洗浄ビームおよびガスを提供するステップが含まれており、前記放射システム、前記パターン化手段または前記投影システムの他の光エレメントが洗浄されることはない。
洗浄量を、前記リソグラフィック投影装置の放射システム、パターン化手段または投影システム部分を形成している光エレメントの表面全体に渡って空間的に変化させるべく、放射洗浄ビームを提供するステップが含まれている。
前記リソグラフィック投影装置の放射システム、パターン化手段または投影システム部分を形成している光エレメントの表面の近傍に電界を確立するステップと、
二次電子が生成されるよう、放射洗浄ビームを提供するステップと、
前記電界を使用して、前記二次電子を前記光エレメントから遠ざかる方向に引き離すステップと、
前記二次電子を前記光エレメントの表面に向けて引き付けるべく、前記電界の極性を反転させるステップが含まれている。
前記リソグラフィック投影装置の放射システム、パターン化手段または投影システム部分を形成している光エレメントの表面の近傍に電界を確立するステップと、
酸素ガス分子を帯電させるステップと、
前記帯電した酸素ガス分子を前記光エレメントの近傍に供給するステップが含まれている。
光エレメントの表面の洗浄を実行するべく、前記リソグラフィック投影装置の放射システム、パターン化手段または投影システム部分を形成している光エレメントの表面を、ガスと組み合わせた電子洗浄ビームに露光するステップが含まれている。
前記リソグラフィック投影装置の放射システム、パターン化手段または投影システム部分を形成している光エレメントの表面を、前記光エレメントによっては実質的に吸収されず、光エレメントに粘着した炭化水素分子または水分子の結合を破壊させる波長を有する光子に露光させるステップが含まれている。
前記リソグラフィック投影装置の放射システム、パターン化手段または投影システム部分を形成している光エレメントの表面をマイクロ波に露光させるステップが含まれている。水分子によってマイクロ波が吸収され、それにより汚染が軽減される。
−少なくとも一部が放射線感応材料の層で覆われた基板を提供するステップと、
−放射システムを使用して投影放射ビームを提供するステップと、
−投影ビームの断面をパターン化するべくパターン化手段を使用するステップと、
−投影システムを使用して、パターン化された放射ビームを放射線感応材料の層の目標部分に投射するステップとを含み、
本発明の第1から第6までの態様によるいずれか1つの方法を使用して装置を洗浄するステップを特徴とするデバイス製造方法が提供される。
−投影放射ビームPB(たとえばEUV放射)を供給するための放射システムEx、IL(この特定の実施例の場合、放射システムにはさらに放射源LAが含まれている)と、
−マスクMA(たとえばレチクル)を保持するためのマスク・ホルダを備えた、アイテムPLに対してマスクを正確に位置決めするための第1の位置決め手段に接続された第1の対物テーブル(マスク・テーブル)MTと、
−基板W(たとえばレジスト被覆シリコン・ウェハ)を保持するための基板ホルダを備えた、アイテムPLに対して基板を正確に位置決めするための第2の位置決め手段に接続された第2の対物テーブル(基板テーブル)WTと、
−マスクMAの照射部分を基板Wの目標部分C(たとえば1つまたは複数のダイからなっている)に結像させるための投影システム(「レンズ」)PL(たとえばミラー群)とを備えている。図に示すように、この装置は反射型(たとえば反射型マスクを有する)装置であるが、一般的にはたとえば透過型(たとえば透過型マスクを備えた)装置であっても良い。別法としては、この装置は、たとえば上で参照したプログラム可能ミラー・アレイ・タイプなど、他の種類のパターン化手段を使用することもできる。
1.ステップ・モードでは、マスク・テーブルMTは、基本的に静止状態に維持され、マスク画像全体が目標部分Cに1回の照射(すなわち単一「フラッシュ」で)投影される。次に、基板テーブルWTがxおよび/またはy方向にシフトされ、異なる目標部分CがビームPBによって照射される。
2.走査モードでは、所与の目標部分Cが単一「フラッシュ」に露光されない点を除き、ステップ・モードと基本的に同じシナリオが適用される。走査モードではマスク・テーブルMTを所与の方向(いわゆる「走査方向」、たとえばy方向)に速度νで移動させることができるため、投影ビームPBでマスク画像を走査し、かつ、基板テーブルWTを同時に同じ方向または逆方向に、速度V=Mνで移動させることができる。MはレンズPLの倍率である(通常、M=1/4またはM=1/5)。この方法によれば、解像度を犠牲にすることなく、比較的大きい目標部分Cを露光させることができる。
本発明のこの態様は、知られている洗浄プロセスが、リソグラフィック装置のすべての光エレメントに光子洗浄ビームおよび酸素を供給し、したがって異なる光エレメントには異なる洗浄量が必要であることが考慮されていない、という問題を対象としている。光エレメントの過剰洗浄は、不可逆反射損失の原因になっている。
本発明のこの態様は、強度が均一な光子ビームおよび濃度が空間的に変化しない酸素を使用した場合に、光エレメント(たとえば多層ミラー)の表面全体に渡って同じ洗浄速度が生じる、という問題を対象としている。光エレメント上の炭素付着物は、光エレメントの表面全体に渡って一様に分布しないことが分かっており、したがって、光エレメントの表面の炭素が最も薄く付着した部分は、より厚い炭素付着物の洗浄が終了する前に洗浄されてしまうことになる。そのまま洗浄を継続することにより、既に洗浄済みの部分が過剰露光され、不可逆反射損失がもたらされる。しかしながら、薄く付着した炭素の洗浄が終了した時点で洗浄プロセスを停止させると、厚い付着物は洗浄されないことになる。
本発明のこの態様は、知られている、光子ビームおよび酸素を使用した洗浄プロセスより高速の洗浄プロセスの達成を対象としている。本発明のこの態様について、図12および13を参照して説明する。
本発明のこの態様は、知られている洗浄プロセスが、リソグラフィック装置のすべての光エレメントに光子洗浄ビームおよび酸素を供給し、したがって異なる光エレメントには異なる洗浄量が必要であることが考慮されていない、という問題に関している。本発明の第1の態様は、個々のミラーへの異なる量の光子の供給を提案しており、また、本発明のこの第4の態様は、異なるミラーに対して異なる洗浄速度を付与するべく、個々のミラーの近傍への異なる量の酸素の供給に関している。これは、本発明の第3の態様を実施するべく使用される手段と類似の手段、すなわち格子部材GMおよび関連する電圧源VSを使用して達成される。この第4の態様について、図14、15および16を参照して説明する。
光子洗浄ビームの代わりに電子洗浄ビームを使用することができることについては、本発明の第2の態様に関連して既に言及した。二次電子を遊離させ、続いて酸素を活性化させることによって洗浄プロセスをもたらすためには、光子洗浄ビームには光エレメントの表面との相互作用が必要であることが分かっている。電子洗浄ビームを使用する利点は、密度のより高い電子が提供され、総合洗浄速度が速くなり、それにより洗浄時間が短縮されることである。
本発明のこの態様は、リソグラフィック装置の真空システムを起動した後に、水蒸気または炭化水素ガスが浸透あるいは存在し、光エレメントOEの表面に粘着する問題に関している。露光ステップにおいて、水分子が高エネルギー光子に露光されると、光エレメントOEの表面が酸化し、それにより不可逆反射損失がもたらされることになる。また、露光ステップにおいて、炭化水素が高エネルギー光子に露光されると、光エレメントが汚染されることになる。
BM 拡大光学系(ビーム拡大器)
BS ビーム・ステアリング・ユニット
C 目標部分
CD 炭素付着物
DE 離散エレメント
DF 拡散板
EB 電子ビーム
Ex ビーム拡大器
FF、G、M1、M2、M3、M4、M5、M6、N1、N2、SPF ミラー
GF 濃度フィルタ
GM 格子部材
IF 干渉測定手段
IL 照明システム
IN インテグレータ
LA、LA1、LA2、LA3、LA4、LA5、LA6、LA7 放射源
MA マスク
MT 第1の対物テーブル(マスク・テーブル)
OE 光エレメント
OR 酸素除去手段
OS 酸素供給手段
PB 投影ビーム
PL 投影システム(投影レンズ)
SE 二次電子
SH1、SH2、SH3、SH4、SH5 シャッタ
VS 電圧源
W 基板
WT 第2の対物テーブル(基板テーブル)
Claims (43)
- 投影放射ビームを提供するための放射システムと、
所望のパターンに従って前記投影ビームをパターン化するべく機能するパターン化手段を支持するための支持構造と、
基板を保持するための基板テーブルと、
前記パターン化されたビームを前記基板の目標部分に投射するための投影システムと、
前記放射システム、前記パターン化手段および/または前記投影システム部分を形成している複数の光エレメントとを備えた、少なくとも1つの放射洗浄ビームおよびガスを使用して、前記光エレメントの各々または前記光エレメントのサブセットを洗浄するための洗浄手段を特徴とするリソグラフィック投影装置。 - 前記光エレメントの前記サブセットが、前記放射システム、前記パターン化手段または前記投影システムのうちの1つの部分を形成しているすべての前記光エレメントより少ない光エレメントからなる、請求項1に記載の装置。
- 前記洗浄手段が、前記複数の光エレメントの1つまたは複数への前記放射洗浄ビームの光路を遮断するための1つまたは複数のシャッタを備えた、請求項1または2に記載の装置。
- 前記洗浄手段が、それぞれ異なる前記放射洗浄ビームを提供するための1つまたは複数の他の放射システムをさらに備えた、前記請求項のいずれか一項に記載の装置。
- 前記基板テーブルが、前記システムを介して放射洗浄ビームを後方へ反射させるための洗浄基板を保持する、前記請求項のいずれか一項に記載の装置。
- 前記支持構造が、マスクを保持するためのマスク・テーブルを備えた、前記請求項のいずれか一項に記載の装置。
- 前記マスク・テーブルが、前記投影システムおよび/または前記放射システム中に放射洗浄ビームを反射させるための洗浄マスクを保持する、請求項6に記載の装置。
- 前記洗浄手段が、洗浄量を少なくとも1つの前記光エレメントの表面全体に渡って空間的に変化させるための空間変化手段を備えた、前記請求項のいずれか一項に記載の装置。
- 投影放射ビームを提供するための放射システムと、
所望のパターンに従って前記投影ビームをパターン化するべく機能するパターン化手段を支持するための支持構造と、
基板を保持するための基板テーブルと、
前記パターン化されたビームを前記基板の目標部分に投射するための投影システムと、
前記放射システム、前記パターン化手段または前記投影システム部分を形成している光エレメントとを備えた、洗浄量を前記光エレメントの表面全体に渡って空間的に変化させるための空間変化手段を備えた洗浄手段を特徴とするリソグラフィック投影装置。 - 前記空間変化手段が、放射強度を前記光エレメントの表面全体に渡って空間的に変化させるべく、前記放射洗浄ビームを修正するようになされた濃度フィルタを備えた、請求項8または9に記載の装置。
- 前記濃度フィルタが、最終洗浄プロセスであるため、洗浄すべき前記光エレメントに入射する光の平均パターンに基づくパターンを有する、請求項10に記載の装置。
- 前記濃度フィルタが動的に適合し、それにより前記濃度フィルタのパターンをその位置で変化させることができる、請求項10または11に記載の装置。
- 前記濃度フィルタを構築している離散エレメントの透過特性または反射特性を調整することによって前記パターンを変化させることができる、請求項12に記載の装置。
- 前記空間変化手段が、電子ビームが前記光エレメントの表面を非一様に走査し、それにより空間分解洗浄を達成するべく、前記光エレメントの表面全体に渡って電子洗浄ビームを方向付けするための手段を備えた、請求項8から13までのいずれか一項に記載の装置。
- 前記洗浄手段が、
前記放射洗浄ビームと前記光エレメントの表面の相互作用によって生成される二次電子が、前記光エレメントの表面から遠ざかる方向に引き離されるよう、前記光エレメントの表面の近傍に電界を確立するための手段と、
次に前記二次電子が前記光エレメントの表面に向かって引き付けられるよう、前記電界の極性を反転させるための手段とをさらに備えた、前記請求項のいずれか一項に記載の装置。 - 投影放射ビームを提供するための放射システムと、
所望のパターンに従って前記投影ビームをパターン化するべく機能するパターン化手段を支持するための支持構造と、
基板を保持するための基板テーブルと、
前記パターン化されたビームを前記基板の目標部分に投射するための投影システムと、
前記放射システム、前記パターン化手段または前記投影システム部分を形成している光エレメントとを備えた、前記光エレメントの表面に放射洗浄ビームを供給するための洗浄手段を特徴とし、かつ、前記放射洗浄ビームと前記光エレメントの表面の相互作用によって生成される二次電子が、前記光エレメントの表面から遠ざかる方向に引き離されるよう、前記光エレメントの表面の近傍に電界を確立するための手段と、
次に前記二次電子が前記光エレメントの表面に向かって引き付けられるよう、前記電界の極性を反転させるための手段とをさらに特徴とするリソグラフィック投影装置。 - 前記洗浄手段が、洗浄すべき前記光エレメントの表面の近傍に酸素を供給するための手段を備えた、請求項15または16に記載の装置。
- 酸素を供給するための前記手段が、酸素ガス分子を帯電させるための手段を備えた、請求項17に記載の装置。
- 投影放射ビームを提供するための放射システムと、
所望のパターンに従って前記投影ビームをパターン化するべく機能するパターン化手段を支持するための支持構造と、
基板を保持するための基板テーブルと、
前記パターン化されたビームを前記基板の目標部分に投射するための投影システムと、
前記放射システム、前記パターン化手段または前記投影システム部分を形成している光エレメントとを備えた、前記光エレメントの表面に放射洗浄ビームを供給するための洗浄手段を特徴とし、かつ、前記光エレメントの表面の近傍に電界を確立するための手段と、
洗浄すべき前記光エレメントの近傍に反応性ガスを供給するための手段と、
反応性ガス分子を帯電させるための手段とをさらに特徴とするリソグラフィック投影装置。 - 反応性ガスを供給するための前記手段が、前記放射システム、前記パターン化手段または前記投影システムのいずれかまたはすべての前記光エレメントのすべてに同時に前記ガスを供給するようになされた、請求項17、請求項18または19に記載の装置。
- 前記少なくとも1つの光エレメントの表面の近傍に電界を確立するための前記手段が、より高濃度のガスを前記光エレメントの表面の近傍に生成するべく、前記帯電したガス分子を前記光エレメントの表面に向けて引き付ける傾向を示す電界を確立するようになされた、請求項18から20までのいずれか一項に記載の装置。
- 前記反応性ガス分子を帯電させるための前記手段が、前記ガス分子に負の電荷を付与するための手段を備え、前記光エレメントの表面の近傍に電界を確立するための前記手段が、前記光エレメントの表面の近傍の方が前記表面から遠くに離れた部分より正の性質が強い電界を確立するようになされた、請求項18から21までのいずれか一項に記載の装置。
- 前記表面が遠位点に対しては正に帯電し、かつ、前記帯電した反応性ガス分子に対しては負に帯電するか、あるいは帯電しないよう、前記光エレメントの表面自体が負に帯電し、前記光エレメントの前記表面から間隔を隔てた前記遠位点が前記表面より強い負に帯電した、請求項22に記載の装置。
- 電界を確立するための前記手段が、前記光エレメントの表面から約1cmの空間を隔てて変化する電界を確立するようになされた、請求項15から23までのいずれか一項に記載の装置。
- 請求項16または18に付加された場合に、電界を確立するための前記手段が、前記電界が展開している下側の領域に前記ガスが直接供給されるように、前記反応性ガスを供給するための前記手段に物理的に取り付けられる請求項17から24までのいずれか一項に記載の装置。
- 前記反応性ガスが酸素である、請求項19から25までのいずれか一項に記載の装置。
- 前記放射洗浄ビームが光子ビームである、前記請求項のいずれか一項に記載の装置。
- 前記放射洗浄ビームが非EUV放射である、請求項27に記載の装置。
- 前記放射洗浄ビームが電子ビームである、請求項1から26までのいずれか一項に記載の装置。
- 投影放射ビームを提供するための放射システムと、
所望のパターンに従って前記投影ビームをパターン化するべく機能するパターン化手段を支持するための支持構造と、
基板を保持するための基板テーブルと、
前記パターン化されたビームを前記基板の目標部分に投射するための投影システムと、
前記放射システム、前記パターン化手段または前記投影システム部分を形成している光エレメントとを備えた、前記光エレメントの表面の洗浄を実施するべく、前記光エレメントの表面をガスと組み合わせた電子洗浄ビームに露光するための手段を備えた洗浄手段を特徴とするリソグラフィック投影装置。 - 空間分解洗浄を達成するべく、1つまたは複数の前記光エレメントの表面全体に渡って前記電子ビームを方向付けするための手段をさらに備えた、請求項30に記載の装置。
- 前記電子ビームの幅を拡大するための手段をさらに備えた、請求項29、請求項30または31に記載の装置。
- 投影放射ビームを提供するための放射システムと、
所望のパターンに従って前記投影ビームをパターン化するべく機能するパターン化手段を支持するための支持構造と、
基板を保持するための基板テーブルと、
前記パターン化されたビームを前記基板の目標部分に投射するための投影システムと、
前記放射システム、前記パターン化手段および/または前記投影システム部分を形成している光エレメントとを備えた、前記光エレメントの表面に、前記光エレメントによっては実質的に吸収されず、前記光エレメントの表面に粘着したあらゆる炭化水素分子または水分子によって吸収される波長を有する光子ビームを供給するための手段を特徴とするリソグラフィック投影装置。 - 投影放射ビームを提供するための放射システムと、
所望のパターンに従って前記投影ビームをパターン化するべく機能するパターン化手段を支持するための支持構造と、
基板を保持するための基板テーブルと、
前記パターン化されたビームを前記基板の目標部分に投射するための投影システムと、
前記放射システム、前記パターン化手段および/または前記投影システム部分を形成している光エレメントとを備えた、前記光エレメントの表面のあらゆる双極分子を励起することによって前記光エレメントの汚染を低減するべくマイクロ波を供給するための手段を特徴とするリソグラフィック投影装置。 - リソグラフィック投影装置を洗浄する方法であって、
前記リソグラフィック投影装置の放射システム、パターン化手段または投影システムの光エレメントに、前記光エレメントを洗浄するべく放射洗浄ビームおよびガスを提供するステップを含み、前記放射システム、前記パターン化手段または前記投影システムの他の光エレメントが洗浄されない方法。 - リソグラフィック投影装置を洗浄する方法であって、
洗浄量を、前記リソグラフィック投影装置の放射システム、パターン化手段または投影システム部分を形成している光エレメントの表面全体に渡って空間的に変化させるべく、放射洗浄ビームを提供するステップを含む方法。 - リソグラフィック投影装置を洗浄する方法であって、
前記リソグラフィック投影装置の放射システム、パターン化手段または投影システム部分を形成している光エレメントの表面の近傍に電界を確立するステップと、
二次電子が生成されるよう、放射洗浄ビームを提供するステップと、
前記電界を使用して、前記二次電子を前記光エレメントから遠ざかる方向に引き離すステップと、
前記二次電子を前記光エレメントの表面に向けて引き付けるべく、前記電界の極性を反転させるステップとを含む方法。 - リソグラフィック投影装置を洗浄する方法であって、
前記リソグラフィック投影装置の放射システム、パターン化手段または投影システム部分を形成している光エレメントの表面の近傍に電界を確立するステップと、
反応性ガス分子を帯電させるステップと、
前記帯電した反応性ガス分子を前記光エレメントの近傍に供給するステップとを含む方法。 - リソグラフィック投影装置を洗浄する方法であって、
光エレメントの表面の洗浄を実行するべく、前記リソグラフィック投影装置の放射システム、パターン化手段または投影システム部分を形成している前記光エレメントの表面を、ガスと組み合わせた電子洗浄ビームに露光するステップを含む方法。 - リソグラフィック投影装置の汚染を低減する方法であって、
前記リソグラフィック投影装置の放射システム、パターン化手段または投影システム部分を形成している光エレメントの表面を、前記光エレメントによっては実質的に吸収されず、前記光エレメントに粘着した汚染物質分子によって吸収される波長を有する光子に露光させるステップを含む方法。 - リソグラフィック投影装置の汚染を低減する方法であって、
光エレメントに粘着した双極分子を励起し、汚染を低減すべく、前記リソグラフィック投影装置の放射システム、パターン化手段または投影システム部分を形成している前記光エレメントの表面をマイクロ波に露光させるステップを含む方法。 - デバイス製造方法であって、
少なくとも一部が放射線感応材料の層で覆われた基板を提供するステップと、
放射システムを使用して投影放射ビームを提供するステップと、
前記投影ビームの断面をパターン化するべくパターン化手段を使用するステップと、
投影システムを使用して、前記パターン化された放射ビームを前記放射線感応材料の層の目標部分に投射するステップとを含み、前記方法が、
請求項35から41までのいずれか一項に記載の方法を使用してリソグラフィック投影装置を洗浄するステップを特徴とする方法。 - 請求項42に記載の方法によって製造されたデバイス。
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