JP2006147982A - 露光装置の自己洗浄方法及び露光装置 - Google Patents

露光装置の自己洗浄方法及び露光装置 Download PDF

Info

Publication number
JP2006147982A
JP2006147982A JP2004338573A JP2004338573A JP2006147982A JP 2006147982 A JP2006147982 A JP 2006147982A JP 2004338573 A JP2004338573 A JP 2004338573A JP 2004338573 A JP2004338573 A JP 2004338573A JP 2006147982 A JP2006147982 A JP 2006147982A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
exposure
self
light beam
optical system
light source
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP2004338573A
Other languages
English (en)
Other versions
JP4617143B2 (ja
Inventor
Ryoichi Aoyama
亮一 青山
Daigo Hoshino
大子 星野
Toshio Onodera
俊雄 小野寺
Yasuhiro Yamamoto
泰弘 山本
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Oki Electric Industry Co Ltd
Original Assignee
Oki Electric Industry Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Oki Electric Industry Co Ltd filed Critical Oki Electric Industry Co Ltd
Priority to JP2004338573A priority Critical patent/JP4617143B2/ja
Priority to US11/285,211 priority patent/US7733460B2/en
Publication of JP2006147982A publication Critical patent/JP2006147982A/ja
Priority to US12/662,601 priority patent/US20100208220A1/en
Application granted granted Critical
Publication of JP4617143B2 publication Critical patent/JP4617143B2/ja
Expired - Fee Related legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B08CLEANING
    • B08BCLEANING IN GENERAL; PREVENTION OF FOULING IN GENERAL
    • B08B7/00Cleaning by methods not provided for in a single other subclass or a single group in this subclass
    • B08B7/0035Cleaning by methods not provided for in a single other subclass or a single group in this subclass by radiant energy, e.g. UV, laser, light beam or the like
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/708Construction of apparatus, e.g. environment aspects, hygiene aspects or materials
    • G03F7/70908Hygiene, e.g. preventing apparatus pollution, mitigating effect of pollution or removing pollutants from apparatus
    • G03F7/70925Cleaning, i.e. actively freeing apparatus from pollutants, e.g. using plasma cleaning

Abstract

【課題】 通常の露光経路以外の箇所に付着した汚染物質を洗浄することができる露光装置の自己洗浄方法を提供する。
【解決手段】 凸レンズ状のレンズ部12の表面に反射膜12Rがコーティングされた反射板10を、原板ホルダ6にセットし、光源1から露光用の光線を出力する。反射板10で反射された光線は拡散してコンデンサレンズ5の表面に照射され、このコンデンサレンズ5の表面に付着した汚染物質が分解・除去される。更に、コンデンサレンズ5内部に入射した光線により、通常の露光経路以外の箇所に付着した汚染物質が洗浄される。反射板として凹面鏡や透過率50%の反射板等を用いることにより、光線の照射範囲、即ち洗浄する箇所を変えることができる。
【選択図】 図1

Description

本発明は、露光装置の自己洗浄方法及び露光装置に関するものである。
特開平5−335206号公報 特開平10−335235号公報 特開平10−335236号公報 特開2000−91207号公報 特開2002−164267号公報
半導体集積回路の製造では、素子や配線のパターン形成において、露光装置を用いて半導体ウエハ上に塗布したホトレジストに光を照射してパターニングを行うホトリソグラフィ技術が用いられている。
近年の半導体回路の高集積化に伴い、より高密度かつ微細なパターン形成が求められており、その解決策として露光光源の短波長化が進んでいる。現在、波長193nmのArFエキシマ光源、波長157nmのF2光源、EUV等の軟X線が、実用或いは開発されてきている。
このような光源を用い、高密度かつ微細なパターン形成を行う露光装置では、空気中の汚染物質が光学部品の表面に付着して照度の低下や、照度むらなどの悪影響を及ぼすので、光路内を常に窒素ガスでパージして汚染物質の影響を少なくする窒素パージが行われている。しかし、そのような窒素パージを十分に行っても、光路系のメンテナンスによる大気開放や、通常露光動作でも光学部品の汚染による照度の低下や、照度むらなどの悪影響が発生する。
そのため、特に短波長の露光光源を用いた露光装置では、光源から出力される波長200nm以下の紫外線を光学系に照射し、この光学系の表面に付着した汚染物質の主成分である炭素化合物の化学結合を、紫外線の持つ強力なエネルギーで切断して、分解させる光洗浄と呼ばれる自己洗浄方法が併用されている。
例えば、前記特許文献1には、照明光を出力するための照明光学系と、照明光の露光に有効な波長のみを透過するフィルタと、所要の露光パターンが形成される露光マスクと、その露光パターンを被処理物に投影するための投影光学系と、被処理物を載置するホルダと、このホルダを前記投影光学系に対して移動させるためのステージを有する投影式露光機において、自己洗浄時に、フィルタと露光マスクに代えて紫外線フィルタを光路に位置させ、この紫外線フィルタを透過した紫外線を投影光学系を通してホルダに照射し、このホルダ上に付着している有機系の異物と不純物を酸化除去する技術が記載されている。
同様に、前記特許文献2,3には、通常の露光時とは異なる光路を形成するために、露光マスクの位置に光拡散手段や光路偏向部材を配置できるように構成した露光装置が記載されている。
また前記特許文献4には、ステージ上に配置して照射された光を光学系に反射させるための首振り式の凹面鏡が、前記特許文献5には、ステージ上に配置して照射された光を光学系に反射させる平面鏡が記載されている。
しかしながら、従来の露光装置では、次のような課題があった。
即ち、前記特許文献1では、フィルタと露光マスクに代えて紫外線フィルタを光路に位置させているので、光洗浄用の紫外線は、通常の露光時の光路と同じ経路で同じ箇所に照射される。このため、通常の露光経路以外の箇所に付着した汚染物質を洗浄することができず、残留した汚染物質が露光光路に移動して悪影響を与えることがあった。
また、特許文献2〜4では露光装置が複雑となるだけでなく、既存の露光装置に適用することができなかった。更に、特許文献5の平面鏡では、反射される光路が限定され、効果的な洗浄が困難であった。
本発明は、通常の露光経路以外の箇所に付着した汚染物質を簡単な方法で洗浄することができる露光装置とその自己洗浄方法を提供するものである。
本発明の内の請求項1〜4,11〜15の発明は、露光用の光線を出力する光源と、光源から出力された光線を露光パターンが形成された露光マスクに導く光学系と、露光パターンを被処理物に投影する投影レンズとを備えた露光装置の自己洗浄において、露光マスクが配置されるべき位置に、光学系で導かれた光線を反射させて該光学系に照射するための反射板を配置し、光源から出力されて反射板で反射された光線を光学系に照射して、光学系を洗浄することを特徴としている。
請求項5,6,16の発明は、被処理物が配置されるべき位置に、投影レンズから照射される光を反射させるための反射板を配置し、光源から出力されて反射板で反射された光線を投影レンズに照射して、投影レンズと光学系に付着した汚染物質を除去することを特徴としている。
請求項7の発明は、被処理物を搭載するステージに照射レンズを設け、光源から出力される露光用の光線の一部を照射レンズに導き、この照射レンズに導いた露光用の光線を投影レンズに照射して、投影レンズと光学系を洗浄することを特徴としている。
請求項8,9の発明は、露光マスクに代えて反射板を配置し、光源から出力される露光用の光線の一部をこの反射板に導き、反射板に導いた露光用の光線を反射させて光学系または投影レンズに照射して、光学系または投影レンズを洗浄することを特徴としている。
請求項10の発明は、露光マスクに代えて光射出部を配置し、光源から出力される露光用の光線の一部をこの光射出部に導き、光射出部に導いた露光用の光線を光学系または投影レンズに照射して、光学系または投影レンズを洗浄することを特徴としている。
本発明によれば、露光装置の自己洗浄時に次のような作用が行われる。
光源から出力された露光用の光線は、光学系等を通して自己洗浄用の反射板等に導かれる。反射板等に入射された光線は、この反射板によって拡散または集中されて光学系や投影レンズに照射される。このため、光学系や投影レンズの周辺部や内部で、通常の露光時には露光用の光線が通過しない箇所にも光線が照射される。これにより、光学系や投影レンズの表面及び内部に付着されている汚染物質の分子結合が、露光用の光線の持つ強力なエネルギーで切断され、分解及び気化されて除去される。
露光装置において露光マスクをセットする原板ホルダに、表面にレンズ状の凸部または凹部を有する石英ガラス板、或いは表面に輪帯状の凸レンズまたは凹レンズを同心円状に配置した石英ガラス板のレンズ面に反射膜をコーティングした反射板をセットする。そして、光源から露光用の光線を出力する。
図1(a)〜(c)は、本発明の実施例1を示す露光装置の自己洗浄方法の説明図である。なお、図1(a)は露光装置の全体構成図、同図(b)は自己洗浄時に用いる反射板10の平面図、及び同図(c)は同図(b)の断面図である。
この露光装置は、図1(a)に示すように、波長193nmのArFエキシマ光や、波長157nmのF2光等の極短波長の紫外線を発生する露光用の光源1を有している。光源1の出力側にはビーム整形光源系2及び光源側光学系3が配置され、その出力側にミラー4が設けられている。ミラー4で光路を90度変えられた紫外線は、コンデンサレンズ5に導かれ、このコンデンサレンズ5によって均一な平行光線として出力されるようになっている。コンデンサレンズ5の出力側には、露光マスクをセットするための原板ホルダ6が設けられている。
更に、原板ホルダ6の出力側には、露光マスク上の回路パターンを正確に縮小して被処理物の表面に投影するための投影レンズ7が配置されている。そして、投影レンズ7の先に被処理物である半導体ウエハWを載置して、この投影レンズ7に対して移動させるためのステージ9が設けられている。
一方、図1(b),(c)に示す反射板10は、図1(a)の露光装置の自己洗浄時に、露光マスクの代りに原板ホルダ6にセットして用いるものである。この反射板10は、露光処理に用いる露光マスクと同じ寸法(例えば、厚さが5mmで、1辺が150mm程度の正方形)で、同じ材質(例えば、石英ガラス)をベースにして形成されている。但し、反射板10の表面は、周囲のハンドリング部11を除いて、例えば直径130mm程度の凸レンズを形成するレンズ部12が設けられ、その表面にはCr等の金属による反射膜12Rがコーティングされている。また、反射板10の裏面及び周囲のハンドリング部11は、平らに形成されている。特に、ハンドリング部11は、露光装置のマスク搬送において、通常の露光マスクと同じ取扱ができるようになっている。
次に、この露光装置の動作を説明する。
通常の露光時には、原板ホルダ6に、所定の回路パターンが形成された露光マスクをセットすると共に、ステージ8上に半導体ウエハWを載置し、光源1から紫外線を出力する。これにより、光源1から出力された光線は、ビーム整形光学系2、光源側光学系3、ミラー4及びコンデンサレンズ5によって、均一な平行光線となって露光マスクに照射される。更に、露光マスクを透過した紫外線は、平行光線のまま投影レンズ7に入射される。
投影レンズ7によって、露光マスク上の回路パターンが縮小されて半導体ウエハW上に投影される。ステージ8を順次移動させ、移動箇所毎に図示しないシャッタを開閉することによって、半導体ウエハWの表面に回路パターンを露光する。これにより、半導体ウエハW上に複数の同一の回路パターンが露光される。
この露光装置において、コンデンサレンズ5を含む光源側の汚染物質を洗浄する時は、露光マスクを取り外し、代わりに原板ホルダ6に反射板10をその表面(凸面側)の反射膜12Rが、コンデンサレンズ5に対向するようにセットする。そして、光源1から紫外線を出力する。これにより、光源1から出力された紫外線は、ビーム整形光学系2、光源側光学系3、ミラー4及びコンデンサレンズ5によって、均一な平行光線となって反射板10に照射される。
反射板10に照射された紫外線は、この反射板10の表面に形成されて凸面鏡を形成する反射膜12Rで反射され、外側に屈折されて拡散されてコンデンサレンズ5の表面全体に照射される。これにより、コンデンサレンズ5の表面に付着されている汚染物質の分子結合が、紫外線の持つ強いエネルギーで切断され、分解及び気化されて除去される。
更に、コンデンサレンズ5の表面からレンズ内に入った紫外線は、通常の露光時とは異なった経路で、このコンデンサレンズ5の内部や、ミラー4、光源側光学系3等を照射する。これにより、この経路中に存在する汚染物質も同時に除去される。
以上のように、この実施例1の露光装置の自己洗浄方法では、表面に凸面鏡を形成する反射膜12Rがコーティングされた反射板10を原板ホルダ6にセットし、光源側から平行光線として入射された極短波長の紫外線を、外側に拡散してコンデンサレンズ5の表面全体に照射するようにしている。これにより、通常の露光では紫外線が照射されない箇所にも、光洗浄用の紫外線を照射することが可能になり、コンデンサレンズ5等の効果的な自己洗浄ができるという利点がある。また、反射板10のハンドリング11は平坦に形成されているので、鏡面に加工された箇所が原板ホルダ6に接触することなく、通常の露光マスクと同様に扱えるので、正確な位置に配置することができ、反射効率が下がることなく操作することができる。
なお、反射板10を裏返しにして、凸面の反射膜12R側が投影レンズ7に対向するようにセットすると、光源1側から見ると凹面鏡となる。この状態で、光源1から紫外線を出力すると、反射板10の石英ガラスを通って反射膜12Rの裏面で反射された紫外線は中央部に収束され、コンデンサレンズ5の中心部に集中して照射される。これにより、通常の露光処理時に最も影響のあるコンデンサレンズ5の中心部を集中的に自己洗浄することができる。
図2(a),(b)は、本発明の実施例2を示す反射板10Aの構成図であり、同図(a)は平面図、同図(b)はこの反射板10Aの中心軸を通り平面に垂直な断面を示す断面図である。
この反射板10Aは、図1(b),(c)の反射板10と同じ目的で使用するもので、反射板10の凸型のレンズ部12に代えて凹レンズ状のレンズ部13を設けると共に、このレンズ部13の表面に反射膜13Rをコーティングしたものである。
この反射板10Aの反射膜13Rをコンデンサレンズ5に対向するようにセットすれば、コンデンサレンズ5の中心部を集中的に自己洗浄することができる。また、反射膜13Rを投影レンズ7に対向するようにセットすれば、光源1側から見ると凸面鏡となるので、コンデンサレンズ5の表面全体に紫外線を照射することができる。これにより、実施例1と同様の利点がある。
図3(a),(b)は、本発明の実施例3を示す反射板10Bの構成図であり、同図(a)は平面図、同図(b)はこの反射板10Bの中心軸を通り平面に垂直な断面を示す断面図である。
この反射板10Bは、図1(b),(c)の反射板10と同じ目的で使用するもので、反射板10のレンズ部12に代えて、輪帯状にした凸レンズを同心円状に配置したフレネルレンズ14を表面に形成すると共に、このフレネルレンズ14の表面に反射膜14Rをコーティングしたものである。
この反射板10Bの材質や寸法は、図1中の反射板10と同じであり、例えば、厚さが5mmで1辺が150mm程度の正方形の石英ガラス板の表面に、断面が鋸歯状となるように同心円状の溝を切削し、その表面に反射膜14Rをコーティングすることによって製作することができる。また、耐熱性の透明樹脂で形成されたフレネルレンズ等を張り付けて製作することも可能である。
この反射板10Bの反射膜14Rをコンデンサレンズ5に対向するようにセットすれば、光源1側から見ると凸面鏡となるので、コンデンサレンズ5の表面全体に紫外線を照射することができる。また、反射膜14Rを投影レンズ7に対向するようにセットすれば、光源1側から見ると凹面鏡となるので、コンデンサレンズ5の中心部に集中的に紫外線を照射することができる。
従って、この実施例3の反射板10Bは、実施例1の反射板10と同様の自己洗浄効果を有し、更に、反射板10よりも厚さを増さずに、自由に焦点距離を設定することができるという利点がある。
図4(a),(b)は、本発明の実施例4を示す反射板10Cの構成図であり、同図(a)は平面図、同図(b)はこの反射板10Cの中心軸を通り平面に垂直な断面を示す断面図である。
この反射板10Cは、図1(b),(c)の反射板10と同じ目的で使用するもので、反射板10のレンズ部12に代えて、輪帯状にした凹レンズを同心円状に配置したフレネルレンズ15を表面に形成すると共に、このフレネルレンズ15の表面に反射膜15Rをコーティングしたものである。
この反射板10Cの反射膜15Rをコンデンサレンズ5に対向するようにセットすれば、光源1側から見ると凹面鏡となるので、コンデンサレンズ5の中心部に集中的に紫外線を照射することができる。また、反射膜15Rを投影レンズ7に対向するようにセットすれば、光源1側から見ると凸面鏡となるので、コンデンサレンズ5の表面全体に紫外線を照射することができる。
この実施例4の反射板10Cは、実施例2の反射板10Aと同様の自己洗浄効果を有し、実施例3と同様の利点が有る。
図5(a),(b)は、本発明の実施例5を示す反射板10Dの構成図であり、同図(a)は平面図、同図(b)はこの反射板10Dの中心軸を通り平面に垂直な断面を示す断面図である。
この反射板10Dは、図1(b),(c)の反射板10における反射膜12Rに代えて、一部(例えば、ほぼ半分)の光線が反射し、残りの光線が透過するような反射膜12HRをコーティングしたものである。反射膜12HRは、この図に示すように市松模様に形成したり、極めて薄い反射膜を蒸着したハーフミラーで形成したりすることができる。
この反射板10Dを用いると、光源1から出力された紫外線の一部は、反射膜12HRで反射されて拡散され、コンデンサレンズ5の表面全体に照射される。また、残りの紫外線は、反射膜12HRを透過して収束され、投影レンズ7の中央部に集中して照射される。これにより、コンデンサレレンズ5の表面全体と投影レンズ7の中央部に、同時に紫外線を照射することができ、通常の露光では紫外線が照射されない箇所を一括して自己洗浄することができる。
また、この反射板10Dを裏返しにセットすれば、コンデンサレレンズ5の中央部と投影レンズ7の表面全体に、同時に紫外線を照射することができる。
なお、図2〜図4の反射板の反射膜13R〜15Rを、この反射膜12HRと同じ様にほぼ半分の光線が反射し残りの光線が透過するような反射膜で構成することにより、この実施例5と同様の利点が得られる。
図6は、本発明の実施例6を示す露光装置の自己洗浄方法の説明図であり、図1中の要素と共通の要素には共通の符号が付されている。
この自己洗浄方法では、原板ホルダ6には何もセットせず、代わりにステージ8の露光面に反射板16をセットする。
反射板16は、例えば、半導体ウエハと同じ材質であるSi基板等を用い、その表面全体または露光箇所(例えば、中央部の25mm×33mmの長方形)を含む円形領域の表面を凸状に研磨し、その表面にAl等の蒸着によって反射膜をコーティングして形成したものである。
この状態で光源1から紫外線を出力する。これにより、光源1から出力された紫外線は、ビーム整形光学系2、光源側光学系3、ミラー4、コンデンサレンズ5、及び投影レンズ7を通して、ステージ8上にセットされた反射板16の表面に照射される。
反射板16に照射された紫外線は、この反射板16の表面に形成されて凸面鏡を形成する反射膜で反射され、外側に屈折されて拡散されて投影レンズ7の表面全体に照射される。これにより、投影レンズ7の表面に付着されている汚染物質の分子結合が、紫外線の持つ強いエネルギーで切断され、分解及び気化されて除去される。
また、投影レンズ7の表面からレンズ内に入った紫外線は、通常の露光時とは異なった経路で、この投影レンズ7の内部や、コンデンサレンズ5、ミラー4、光源側光学系3等を照射する。これにより、この経路中に存在する汚染物質も同時に除去される。
更に、反射板16をセットしたステージ8を移動させることにより、投影レンズ7への紫外線の照射角度を調整し、各部にむらなく紫外線を照射することができる。
以上のように、この実施例6の露光装置の自己洗浄方法では、ステージ8の露光面に凸面鏡を形成する反射板16をセットするので、投影レンズ7のステージ側の表面全体を中心に、効果的な自己洗浄ができるという利点がある。
なお、凸面鏡を形成する反射板16に代えて、図2に示すような凹面鏡を形成する反射板を用いれば、投影レンズ7のステージ側の表面中央部に紫外線を集中的に照射することができる。また、図3や図4に示すようなフレネルレンズ状の反射板を用いれば、反射板の厚さを増さずに、自由に焦点距離を設定することができるという利点がある。
図7は、本発明の実施例7を示す露光装置の自己洗浄方法の説明図であり、図1中の要素と共通の要素には共通の符号が付されている。
この自己洗浄方法では、図1のステージ8とは異なるステージ8Aを用いている。ステージ8Aは、下側から紫外線を導入するための1つまたは複数の開口部8hを有し、この開口部8hの上側に、その紫外線を投影レンズ7のステージ側の表面に照射するための照射レンズ8lが配置されている。
一方、光源1の出口から投影レンズ7の入口までの光路の任意位置(ここでは、ミラー4と投影レンズ7の間)にハーフミラー21を設け、このハーフミラー21で反射された紫外線を、光ファイバ22でステージ8Aの開口部8hまで導いている。
このような構成により、光源1から出力された紫外線の一部は、ハーフミラー21を介して光ファイバ22に導入され、この光ファイバ22によってステージ8Aの開口部8hに導かれる。光ファイバ22から放射された紫外線は、照射レンズ8lによって投影レンズ7の表面に照射される。また、ステージ8Aの照射レンズ8lをズームレンズとすることにより、投影レンズ7への紫外線の照射範囲を調整することができる。
以上のように、この実施例7の露光装置の自己洗浄方法では、紫外線を照射するための開口部8hと照射レンズ8lを備えたステージ8Aを用いるので、実施例6と同様に投影レンズ7の表面に紫外線を照射することができ、同様の利点が得られる。
図8は、本発明の実施例8を示す露光装置の自己洗浄方法の説明図であり、図7中の要素と共通の要素には共通の符号が付されている。
この自己洗浄方法では、原板ホルダ6にミラー30をセットし、図7と同様に光源1から出力された紫外線の一部をハーフミラー21と光ファイバ22で導き、照射レンズ23を介して、このミラー30に照射するようにしている。そして、ミラー30で反射された紫外線が、コンデンサレンズ5の表面に照射される。ミラー30の角度を変えることにより、コンデンサレンズ5の紫外線の照射範囲を調整することができる。
以上のように、この実施例8の露光装置の自己洗浄方法では、紫外線を照射するためのミラー30を原板ホルダ6にセットし、このミラー30に光ファイバ22で光源1の紫外線を導いているので、第1の実施例と同様の利点が得られる。
なお、ミラー30の角度を変えることにより、このミラー30で反射された紫外線を投影レンズ7の表面に照射するようにしても良い。
また、ミラー30は平面鏡であるが、凹面鏡や凸面鏡を用いることもできる。
図9は、本発明の実施例9を示す露光装置の自己洗浄方法の説明図であり、図8中の要素と共通の要素には共通の符号が付されている。
この自己洗浄方法では、原板ホルダ6に紫外線照射用の光射出部40をセットし、図7と同様に光源1から出力された紫外線の一部をハーフミラー21と光ファイバ22で導き、この光ファイバ22の先端に光射出部40を接続している。光射出部40は光ファイバ22から出力される紫外線を分岐して複数の照射レンズから照射するように構成したものである。光射出部40の照射レンズをコンデンサレンズ5側に向けることにより、このコンデンサレンズ5の表面に紫外線を照射することができ、投影レンズ7側に向けることにより、この投影レンズ7の表面に紫外線を照射することができる。これにより、実施例8と同様の効果が得られる。
以上の実施例1〜9における個別の変形例はその都度説明したが、ここでは、上記実施例に共通する変形例を説明する。
(1) 実施例1〜6で用いる反射板の反射膜は、Crの他、Ti,Ta,Co,Hf,W,Al,Cu,Mo等の金属、またはこれらの金属の酸化物、窒化物、フッ化物、シリコン化合物を用い、鍍金、蒸着、スパッタ等によってコーティングして形成することができる。また、反射膜は単層構造に限らず、多層構造にすることもできる。
(2) 実施例5では、反射膜として一部の光線が反射し、残りの光線が透過するものを用いているが、同様の反射膜を実施例2〜4の反射板に用いることができる。
(3) 実施例7〜9では、光源1からコンデンサレンズ5までの間の光路に配置されたハーフミラーによって紫外線の一部を取り出しているが、自己洗浄時にミラーを光路に挿入できるような可動構造にすれば、全反射ミラーを使用することができる。
(4) 実施例7〜9では、光源1から出力される紫外線の一部を洗浄用の紫外線として導くために光ファイバを用いていているが、光ファイバを用いずに、ミラーやレンズによる光路を用いても良い。
(5) 実施例7〜9では、光源1から出力される紫外線の一部を洗浄用の光として、ハーフミラーと光ファイバで取り出しているが、洗浄用の紫外線を出力する別の光源を用意しても良い。
本発明の実施例1を示す露光装置の自己洗浄方法の説明図である。 本発明の実施例2を示す反射板10Aの構成図である。 本発明の実施例3を示す反射板10Bの構成図である。 本発明の実施例4を示す反射板10Cの構成図である。 本発明の実施例5を示す反射板10Dの構成図である。 本発明の実施例6を示す露光装置の自己洗浄方法の説明図である。 本発明の実施例7を示す露光装置の自己洗浄方法の説明図である。 本発明の実施例8を示す露光装置の自己洗浄方法の説明図である。 本発明の実施例9を示す露光装置の自己洗浄方法の説明図である。
符号の説明
1 光源
2 ビーム整形光学系
3 光源側光学系
4,30 ミラー
5 コンデンサレンズ
6 原板ホルダ
7 投影レンズ
8,8A ステージ
8h 開口部
8l,23 照射レンズ
10,10A,10B,10C,10D,16 反射板
11 ハンドリング部
12,13 レンズ部
12R,12HR,13R,14R,15R 反射膜
14,15 フレネルレンズ
21 ハーフミラー
22 光ファイバ
40 光射出部

Claims (16)

  1. 露光用の光線を出力する光源と、前記光源から出力された光線を露光パターンが形成された露光マスクに導く光学系と、前記露光パターンを被処理物に投影する投影レンズとを備えた露光装置の自己洗浄方法であって、
    前記露光マスクが配置されるべき位置に、前記光学系で導かれた光線を反射させて該光学系に照射するための反射板を配置し、
    前記光源から出力されて前記反射板で反射された光線を前記光学系に照射して、該光学系を洗浄することを特徴とする露光装置の自己洗浄方法。
  2. 前記反射板は、表面にレンズ状の凸部を有する石英ガラス板、または表面に輪帯状の凸レンズを同心円状に配置した石英ガラス板の表面に反射膜をコーティングして構成したことを特徴とする請求項1記載の露光装置の自己洗浄方法。
  3. 前記反射板は、表面にレンズ状の凹部を有する石英ガラス板、または表面に輪帯状の凹レンズを同心円状に配置した石英ガラス板の表面に反射膜をコーティングして構成したことを特徴とする請求項1記載の露光装置の自己洗浄方法。
  4. 前記反射板は、一部の光線が反射し残りの光線が透過するようにコーティングされていることを特徴とする請求項2または3記載の露光装置の自己洗浄方法。
  5. 露光用の光線を出力する光源と、前記光源から出力された光線を露光パターンが形成された露光マスクに導く光学系と、前記露光パターンを被処理物に投影する投影レンズとを備えた露光装置の自己洗浄方法であって、
    前記被処理物が配置されるべき位置に、前記投影レンズから照射される光を反射させるための反射板を配置し、
    前記光源から出力されて前記反射板で反射された光線を前記投影レンズに照射して、該投影レンズ及び前記光学系を洗浄することを特徴とする露光装置の自己洗浄方法。
  6. 前記反射板は、凸面鏡または凹面鏡であることを特徴とする請求項5記載の露光装置の自己洗浄方法。
  7. 露光用の光線を出力する光源と、前記光源から出力された光線を露光パターンが形成された露光マスクに導く光学系と、前記露光パターンを被処理物に投影する投影レンズとを備えた露光装置の自己洗浄方法であって、
    前記被処理物を搭載するステージに照射レンズを設け、
    前記光源から出力される露光用の光線の一部を前記照射レンズに導き、
    前記照射レンズに導いた露光用の光線を該照射レンズから前記投影レンズに照射して、該投影レンズ及び前記光学系を洗浄することを特徴とする露光装置の自己洗浄方法。
  8. 露光用の光線を出力する光源と、前記光源から出力された光線を露光パターンが形成された露光マスクに導く光学系と、前記露光パターンを被処理物に投影する投影レンズとを備えた露光装置の自己洗浄方法であって、
    前記露光マスクが配置されるべき位置に反射板を配置し、
    前記光源から出力される露光用の光線の一部を前記反射板に導き、
    前記反射板に導いた露光用の光線を該反射板で反射させて前記光学系または前記投影レンズに照射して、該光学系または該投影レンズを洗浄することを特徴とする露光装置の自己洗浄方法。
  9. 前記反射板は、平面鏡、凸面鏡または凹面鏡であることを特徴とする請求項8記載の露光装置の自己洗浄方法。
  10. 露光用の光線を出力する光源と、前記光源から出力された光線を露光パターンが形成された露光マスクに導く光学系と、前記露光パターンを被処理物に投影する投影レンズとを備えた露光装置の自己洗浄方法であって、
    前記露光マスクが配置されるべき位置に光射出部を配置し、
    前記光源から出力される露光用の光線の一部を前記光射出部に導き、
    前記光射出部に導いた露光用の光線を該光射出部から前記光学系または前記投影レンズに照射して、該光学系または該投影レンズを洗浄することを特徴とする露光装置の自己洗浄方法。
  11. 露光用の光線を出力する光源と、前記光源から出力された光線を露光パターンが形成された露光マスクに導く光学系と、前記露光パターンを被処理物に投影する投影レンズとを備えた露光装置において、
    前記露光マスクが配置されるべき位置に配置可能な前記光学系を洗浄するための自己洗浄用反射板であって、該自己洗浄用反射板は前記光源から出力されて前記光学系で導かれた光線を反射させて該光学系に照射することを特徴とする露光装置。
  12. 前記自己洗浄用反射板は、表面にレンズ状の凸部を有する石英ガラス板、または表面に輪帯状の凸レンズを同心円状に配置した石英ガラス板のレンズ面に反射膜をコーティングして構成したことを特徴とする請求項11記載の露光装置。
  13. 前記自己洗浄用反射板は、表面にレンズ状の凹部を有する石英ガラス板、または表面に輪帯状の凹レンズを同心円状に配置した石英ガラス板のレンズ面に反射膜をコーティングして構成したことを特徴とする請求項11記載の露光装置。
  14. 前記自己洗浄用反射板は、一部の光線が反射し残りの光線が透過するようにコーティングされていることを特徴とする請求項12または13記載の露光装置。
  15. 前記自己洗浄用反射板は、周辺部が平坦に形成されていることを特徴とする請求項12、13または14記載の露光装置。
  16. 露光用の光線を出力する光源と、前記光源から出力された光線を露光パターンが形成された露光マスクに導く光学系と、前記露光パターンを被処理物に投影する投影レンズとを備えた露光装置において、
    前記被処理物が配置されるべき位置に配置可能な前記投影レンズ及び前記光学系を洗浄するための自己洗浄用反射板であって、前記投影レンズから照射される光を反射して該投影レンズに照射させる凸面または凹面を有することを特徴とする露光装置。
JP2004338573A 2004-11-24 2004-11-24 露光装置及び自己洗浄方法 Expired - Fee Related JP4617143B2 (ja)

Priority Applications (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2004338573A JP4617143B2 (ja) 2004-11-24 2004-11-24 露光装置及び自己洗浄方法
US11/285,211 US7733460B2 (en) 2004-11-24 2005-11-23 Aligner and self-cleaning method for aligner
US12/662,601 US20100208220A1 (en) 2004-11-24 2010-04-26 Aligner and self-cleaning method for aligner

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2004338573A JP4617143B2 (ja) 2004-11-24 2004-11-24 露光装置及び自己洗浄方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2006147982A true JP2006147982A (ja) 2006-06-08
JP4617143B2 JP4617143B2 (ja) 2011-01-19

Family

ID=36627290

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2004338573A Expired - Fee Related JP4617143B2 (ja) 2004-11-24 2004-11-24 露光装置及び自己洗浄方法

Country Status (2)

Country Link
US (2) US7733460B2 (ja)
JP (1) JP4617143B2 (ja)

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2008263091A (ja) * 2007-04-12 2008-10-30 Nikon Corp 光洗浄部材、メンテナンス方法、洗浄方法、露光方法及び露光装置、並びにデバイス製造方法
JP2014119210A (ja) * 2012-12-18 2014-06-30 Takasago Thermal Eng Co Ltd 過冷却解除装置および製氷装置
CN112974482A (zh) * 2021-02-24 2021-06-18 山东金涞环境科技有限公司 树脂分离箱及固废处理设备

Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2014053416A (ja) * 2012-09-06 2014-03-20 Toshiba Corp Euv露光装置及びクリーニング方法
US11341456B2 (en) * 2020-08-25 2022-05-24 Datalogic Usa, Inc. Compact and low-power shelf monitoring system
CN112547698A (zh) * 2020-12-09 2021-03-26 云南电网有限责任公司临沧供电局 一种镜片在线激光清洗装置和方法

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH10335236A (ja) * 1997-05-28 1998-12-18 Nikon Corp 露光装置、その光洗浄方法及び半導体デバイスの製造方法
JPH11283903A (ja) * 1998-03-30 1999-10-15 Nikon Corp 投影光学系検査装置及び同装置を備えた投影露光装置
JP2000091207A (ja) * 1998-09-14 2000-03-31 Nikon Corp 投影露光装置及び投影光学系の洗浄方法
JP2003115433A (ja) * 2001-10-02 2003-04-18 Nikon Corp 露光方法及び露光装置
JP2004207730A (ja) * 2002-12-20 2004-07-22 Asml Netherlands Bv リソグラフィック装置、デバイス製造方法およびその方法を使用して製造されたデバイス

Family Cites Families (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH05335206A (ja) 1992-05-29 1993-12-17 Nec Corp 投影式露光機
JPH10335235A (ja) 1997-05-28 1998-12-18 Nikon Corp 露光装置、その光洗浄方法及び半導体デバイスの製造方法
US6268904B1 (en) * 1997-04-23 2001-07-31 Nikon Corporation Optical exposure apparatus and photo-cleaning method
WO1999005708A1 (fr) * 1997-07-22 1999-02-04 Nikon Corporation Procede d'exposition pour projection, dispositif de cadrage pour projection, et procedes de fabrication et de nettoyage optique du dispositif de cadrage
WO1999027568A1 (fr) * 1997-11-21 1999-06-03 Nikon Corporation Graveur de motifs a projection et procede de sensibilisation a projection
JP2002164267A (ja) 2000-11-22 2002-06-07 Nikon Corp 露光装置及びデバイスの製造方法
DE10240002A1 (de) * 2002-08-27 2004-03-11 Carl Zeiss Semiconductor Manufacturing Technologies Ag Optisches Teilsystem insbesondere für eine Projektionsbelichtungsanlage mit mindestens einem in mindestens zwei Stellungen verbringbaren optischen Element
JP3940378B2 (ja) * 2003-05-26 2007-07-04 沖電気工業株式会社 半導体露光装置の自己洗浄方法と自己洗浄用透過板

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH10335236A (ja) * 1997-05-28 1998-12-18 Nikon Corp 露光装置、その光洗浄方法及び半導体デバイスの製造方法
JPH11283903A (ja) * 1998-03-30 1999-10-15 Nikon Corp 投影光学系検査装置及び同装置を備えた投影露光装置
JP2000091207A (ja) * 1998-09-14 2000-03-31 Nikon Corp 投影露光装置及び投影光学系の洗浄方法
JP2003115433A (ja) * 2001-10-02 2003-04-18 Nikon Corp 露光方法及び露光装置
JP2004207730A (ja) * 2002-12-20 2004-07-22 Asml Netherlands Bv リソグラフィック装置、デバイス製造方法およびその方法を使用して製造されたデバイス

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2008263091A (ja) * 2007-04-12 2008-10-30 Nikon Corp 光洗浄部材、メンテナンス方法、洗浄方法、露光方法及び露光装置、並びにデバイス製造方法
JP2014119210A (ja) * 2012-12-18 2014-06-30 Takasago Thermal Eng Co Ltd 過冷却解除装置および製氷装置
CN112974482A (zh) * 2021-02-24 2021-06-18 山东金涞环境科技有限公司 树脂分离箱及固废处理设备

Also Published As

Publication number Publication date
US20100208220A1 (en) 2010-08-19
US20070240735A1 (en) 2007-10-18
JP4617143B2 (ja) 2011-01-19
US7733460B2 (en) 2010-06-08

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP4335868B2 (ja) リソグラフィ装置、照明系及びデブリ捕捉システム
JP2004519868A (ja) Euvに透明な境界構造
JP2009105442A (ja) リソグラフィ機器、放射システム、汚染物質トラップ、デバイスの製造方法、及び汚染物質トラップ内で汚染物質を捕らえる方法
JP2004200686A (ja) リソグラフィ装置およびデバイス製造方法
TWI431407B (zh) 空白光罩之製造方法
JP2005086148A (ja) 極端紫外線光学系及び露光装置
US20100208220A1 (en) Aligner and self-cleaning method for aligner
US7455880B2 (en) Optical element fabrication method, optical element, exposure apparatus, device fabrication method
US7417709B2 (en) Method and apparatus for exposing semiconductor substrates
JP2004343082A (ja) 凹面および凸面を含む集光器を備えたリトグラフ投影装置
JP3940378B2 (ja) 半導体露光装置の自己洗浄方法と自己洗浄用透過板
TW200907594A (en) Cleaning apparatus for exposure apparatus and exposure apparatus
JP2009146959A (ja) 露光装置及び洗浄装置
JP2005244015A (ja) 露光装置、露光装置の光学素子の光洗浄方法、及び微細パターンを有するデバイスの製造方法
US11657492B2 (en) Reticle backside inspection method
JPWO2005083759A1 (ja) 露光装置、及び微細パターンを有するデバイスの製造方法
US20220299865A1 (en) Method of fabricating and servicing a photomask
US20110109890A1 (en) Light source apparatus, exposure apparatus, and electronic device manufacturing method
EP1608003A1 (en) Mask repeater and mask manufacturing method
KR101999553B1 (ko) 조명 광학장치, 노광장치, 및 물품의 제조방법
JP2005197678A (ja) 露光方法及びこれを遂行するためのレチクル、レチクルアセンブリー及び露光装置
JP3261684B2 (ja) 投影露光装置及び半導体デバイス製造方法
JP2005079555A (ja) 絞り装置及び露光装置
JP2012004158A (ja) 洗浄方法、洗浄装置、露光方法、露光装置およびデバイス製造方法。
JPH0652704B2 (ja) 投影露光方法及び装置

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20070308

A711 Notification of change in applicant

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A712

Effective date: 20081126

RD02 Notification of acceptance of power of attorney

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7422

Effective date: 20090316

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20091130

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20091208

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20100208

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20100928

A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20101025

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20131029

Year of fee payment: 3

S531 Written request for registration of change of domicile

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313531

S533 Written request for registration of change of name

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313533

R350 Written notification of registration of transfer

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees