JP2005197678A - 露光方法及びこれを遂行するためのレチクル、レチクルアセンブリー及び露光装置 - Google Patents
露光方法及びこれを遂行するためのレチクル、レチクルアセンブリー及び露光装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2005197678A JP2005197678A JP2004364127A JP2004364127A JP2005197678A JP 2005197678 A JP2005197678 A JP 2005197678A JP 2004364127 A JP2004364127 A JP 2004364127A JP 2004364127 A JP2004364127 A JP 2004364127A JP 2005197678 A JP2005197678 A JP 2005197678A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- reticle
- light
- wafer
- region
- illumination light
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/20—Exposure; Apparatus therefor
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70425—Imaging strategies, e.g. for increasing throughput or resolution, printing product fields larger than the image field or compensating lithography- or non-lithography errors, e.g. proximity correction, mix-and-match, stitching or double patterning
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03B—APPARATUS OR ARRANGEMENTS FOR TAKING PHOTOGRAPHS OR FOR PROJECTING OR VIEWING THEM; APPARATUS OR ARRANGEMENTS EMPLOYING ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ACCESSORIES THEREFOR
- G03B27/00—Photographic printing apparatus
- G03B27/32—Projection printing apparatus, e.g. enlarger, copying camera
- G03B27/42—Projection printing apparatus, e.g. enlarger, copying camera for automatic sequential copying of the same original
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70425—Imaging strategies, e.g. for increasing throughput or resolution, printing product fields larger than the image field or compensating lithography- or non-lithography errors, e.g. proximity correction, mix-and-match, stitching or double patterning
- G03F7/70466—Multiple exposures, e.g. combination of fine and coarse exposures, double patterning or multiple exposures for printing a single feature
Abstract
【解決手段】ウエハーW上の少なくとも一つのダイ領域を含む複数のショット領域に対する第1露光工程はレチクルRを通した照明光を用いて遂行され、ウエハーWのエッジ部位と隣接するダイ領域に対する2次露光工程はレチクルに隣接して配置される光透過部材102を通過した照明光によって遂行される。光透過部材は、照明光を通過させるための四角リボン形状の光透過領域を含み、ウエハーは、光透過領域を通過した照明光がウエハーのエッジ部位と隣接するダイ領域をスキャンするように移動する。第1露光工程から第2露光工程へ移行する際にレチクルRの交換が不要になる。
【選択図】図1
Description
12 光源
14 照明ユニット
18 投影ユニット
20 ウエハーステージ
22 第1駆動ユニット
24 第2駆動ユニット
100、400 レチクルアセンブリー
102、202、302 光透過部材
104、204、404 レチクルステージ
220、420 レチクルホルダー
230 締結部材
410 第1イメージパターン
412 第2イメージパターン
Claims (42)
- イメージ情報を含む投影光でフォトレジスト膜が形成されたウエハー上に設定された少なくとも一つのダイ領域を含む複数のショット領域上にイメージを投影する段階と、
走査光で前記ウエハーのエッジ部位と隣接するダイ領域をスキャンする段階と、を含むことを特徴とする露光方法。 - 前記走査光は、リボン形状の断面を有することを特徴とする請求項1記載の露光方法。
- 前記投影段階は、
リボン形状の断面を有する照明光で前記イメージと対応する投影パターンを照明する段階と、
前記投影光を形成するために前記投影パターンを前記照明光の光軸に対して垂直な方向に移動させる段階と、
前記投影光が前記ショット領域上にイメージを形成するように前記ウエハーを前記投影パターンの移動方向に対して反対の方向に前記投影パターンの移動と同時に移動させる段階と、を含むことを特徴とする請求項1記載の露光方法。 - 前記走査光が前記ウエハーのエッジ部位と隣接するダイ領域をスキャンするように前記ウエハーを前記走査光の光軸に対して垂直の方向に移動させることを特徴とする請求項1記載の露光方法。
- 各々のショット領域が各々のダイ領域と実質的に同じ場合、前記ウエハーのエッジ部位と隣接するエッジショット領域を除いた残りのショット領域に前記イメージを投影することを特徴とする請求項1記載の露光方法。
- 各々のショット領域が複数のダイ領域を含む場合、前記ウエハーのエッジ部位と隣接するエッジショット領域を含む全体ショット領域に前記イメージを投影することを特徴とする請求項1記載の露光方法。
- 前記ウエハーのエッジ部位は、実質的に前記フォトレジスト膜のエッジ部位を含むことを特徴とする請求項1記載の露光方法。
- ウエハー上に転写されるためのイメージと対応する投影パターンを有するレチクル上に照明光を照射する段階と、
前記レチクルを通過した投影光を用いてフォトレジスト膜が形成されたウエハー上に設定された少なくとも一つのダイ領域を含む複数のショット領域を露光する段階と、
前記照明光が、前記投影パターンと隣接して配置される光透過領域を有する光透過部材を照明するように前記レチクルと前記光透過部材を移動させる段階と、
前記光透過部材を通過した走査光が前記ウエハーのエッジ部位と隣接するダイ領域をスキャンするように前記ウエハーを移動させる段階と、を含むことを特徴とする露光方法。 - 前記光透過領域は、リボン形状を有することを特徴とする請求項8記載の露光方法。
- 前記レチクルと光透過部材は、前記投影光を通過させるためのメイン開口及び前記走査光を通過させるための補助開口を有するステージによって支持されることを特徴とする請求項8記載の露光方法。
- 前記レチクル及び光透過部材を照明する照明光は、四角リボン形状の断面を有することを特徴とする請求項8記載の露光方法。
- 前記露光段階を遂行する間に、前記投影パターンを前記ウエハー上に転写するための前記レチクルを前記照明光に対して垂直方向に移動させ、前記ウエハーを前記レチクルの移動方向に対して反対方向に移動させることを特徴とする請求項8記載の露光方法。
- 各々のショット領域が各々のダイ領域と実質的に同じ場合、前記ウエハーのエッジ部位と隣接するエッジショット領域を除いたショット領域に対して前記露光段階を遂行することを特徴とする請求項8記載の露光方法。
- 各々のショット領域が複数のダイ領域を含む場合、前記ウエハーのエッジ部位と隣接するエッジショット領域を含む全体ショット領域に対して前記露光段階を遂行することを特徴とする請求項8記載の露光方法。
- 前記ウエハーのエッジ部位は、実質的に前記フォトレジスト膜のエッジ部位を含むことを特徴とする請求項8記載の露光方法。
- 照明光を用いてフォトレジスト膜が形成されたウエハー上に設定された少なくとも一つのダイ領域を各々含む複数のショット領域にイメージを転写するためのイメージパターンを有する第1領域と、
前記第1領域の一側と隣接して配置され、前記照明光を用いて前記ウエハーのエッジ部位と隣接するダイ領域を露光するための第2領域と、を含むことを特徴とするレチクル。 - 前記第2領域は、四角リボンの形状を有する光透過領域を形成するための第2イメージパターンを有することを特徴とする請求項16記載のレチクル。
- 照明光を用いてフォトレジスト膜が形成されたウエハー上に設定された少なくとも一つのダイ領域を各々含む複数のショット領域にイメージを転写するための投影パターンを有するレチクルと、
前記レチクルの一側部位と隣接して配置され、前記照明光を用いて前記ウエハーのエッジ部位と隣接するダイ領域を露光するための光透過領域を有する光透過部材と、
前記レチクル及び前記光透過部材を支持するためのステージと、を含むことを特徴とするレチクルアセンブリー。 - 前記光透過領域は、四角リボンの形状を有することを特徴とする請求項18記載のレチクルアセンブリー。
- 前記光透過部材は、光透過物質からなる基板と、前記基板上に形成され、前記光透過領域を構成するためのパターンを含むことを特徴とする請求項19記載のレチクルアセンブリー。
- 前記ステージは、前記レチクルを通過した照明光を通過させるためのメイン開口と、前記光透過部材を通過した照明光を通過させるための補助開口を有することを特徴とする請求項18記載のレチクルアセンブリー。
- 前記メイン開口の際と前記補助開口の際に各々配置され、前記レチクル及び前記光透過部材を真空を用いて各々保持するための第1ホルダーと第2ホルダーを更に含むことを特徴とする請求項21記載のレチクルアセンブリー。
- 前記メイン開口の際に配置され、前記レチクルを真空を用いて保持するためのレチクルホルダーを更に含むことを特徴とする請求項21記載のレチクルアセンブリー。
- 前記光透過部材は、前記補助開口をカバーするように前記補助開口の際に結合されることを特徴とする請求項23記載のレチクルアセンブリー。
- 前記光透過部材は、四角プレートの形状を有し、前記照明光を通過させるためのスロットが形成されたことを特徴とする請求項24記載のレチクルアセンブリー。
- 前記レチクル及び前記光透過部材は、一体で形成されることを特徴とする請求項18記載のレチクルアセンブリー。
- 前記ステージは、前記レチクルを通過した照明光及び前記光透過部材を通過した照明光を通過させるための開口を有することを特徴とする請求項26記載のレチクルアセンブリー。
- 前記開口の際に配置され、前記レチクル及び前記光透過部材を真空を用いて保持するためのホルダーを更に含むことを特徴とする請求項27記載のレチクルアセンブリー。
- 光を生成するための光源と、
照明光を用いてフォトレジスト膜が形成されたウエハー上に設定された少なくとも一つのダイ領域を各々含む複数のショット領域にイメージを転写するためのイメージパターンを有する第1領域と、前記レチクル一側と隣接して配置され、前記照明光を用いて前記ウエハーのエッジ部位と隣接するダイ領域を露光するための第2領域を含むレチクルと、
前記レチクルを支持するためのレチクルステージと、
前記照明光で前記レチクル及び前記光透過部材を照明するための照明ユニットと、
前記レチクル及び前記光透過部材を通過した照明光を前記ウエハー上に投影させるための投影ユニットと、
前記ウエハーを支持するためのウエハーステージと、を含むことを特徴とする露光装置。 - 前記第2領域は、四角リボンの形状を有する光透過領域を形成するための第2イメージパターンを有することを特徴とする請求項29記載のレチクル。
- 前記レチクルステージは、前記第1領域を通過した照明光及び前記第2領域を通過した照明光を通過させるための開口を有することを特徴とする請求項29記載の露光装置。
- 前記開口の際に配置され、前記レチクルを真空を用いて保持するためのホルダーを更に含むことを特徴とする請求項31記載の露光装置。
- 光を生成するための光源と、
前記光源から発生した照明光を用いてフォトレジスト膜が形成されたウエハー上に設定された少なくとも一つのダイ領域を各々含む複数のショット領域にイメージを転写するための投影パターンを有するレチクルと、前記レチクルの一側と隣接して配置され、前記照明光を用いて前記ウエハーのエッジ部位と隣接するダイ領域を露光するための光透過領域を有する光透過部材と、前記レチクル及び前記光透過部材を支持するためのレチクルステージを含むレチクルアセンブリーと、
前記照明光で前記レチクル及び前記光透過部材を照明するための照明ユニットと、
前記レチクル及び前記光透過部材を通過した照明光を前記ウエハー上に投影させるための投影ユニットと、
前記ウエハーを支持するためのウエハーステージと、を含むことを特徴とする露光装置。 - 前記光透過領域は、四角リボンの形状を有することを特徴とする請求項33記載の露光装置。
- 前記光透過部材は、光透過物質からなる基板と、前記基板上に形成され、前記光透過領域を構成するためのパターンを含むことを特徴とする請求項33記載の露光装置。
- 前記ウエハーのエッジ部位と隣接するダイ領域を露光する間、前記光透過部材を通過した照明光が前記ダイ領域をスキャンするように前記ウエハーを前記照明光の光軸に対して垂直な方向に移動するための駆動ユニットを更に含むことを特徴とする請求項33記載の露光装置。
- 前記レチクルステージは、前記レチクルを通過した照明光を通過させるためのメイン開口と、前記光透過部材を通過した照明光を通過させるための補助開口を有することを特徴とする請求項33記載の露光装置。
- 前記メイン開口の際と前記補助開口の際に各々配置され、前記レチクル及び前記光透過部材を真空を用いて各々保持するための第1ホルダーと第2ホルダーを更に含むことを特徴とする請求項37記載の露光装置。
- 前記メイン開口の際に配置され、前記レチクルを真空を用いて保持するためのレチクルホルダーを更に含むことを特徴とする請求項37記載の露光装置。
- 前記光透過部材は、前記補助開口をカバーするように前記補助開口の際に結合されることを特徴とする請求項39記載の露光装置。
- 前記光透過部材は、四角プレートの形状を有し、前記照明光を通過させるためのスロットが形成されたことを特徴とする請求項40記載の露光装置。
- 前記イメージを転写する間に、前記レチクルを水平方向に移動させるための第1駆動ユニットと、前記レチクルの移動方向に対して反対方向に前記ウエハーを移動させるための第2駆動ユニットを更に含むことを特徴とする請求項33記載の露光装置。
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR10-2003-0097467A KR100530499B1 (ko) | 2003-12-26 | 2003-12-26 | 노광 방법 및 이를 수행하기 위한 레티클, 레티클어셈블리 및노광 장치 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2005197678A true JP2005197678A (ja) | 2005-07-21 |
Family
ID=34698527
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2004364127A Pending JP2005197678A (ja) | 2003-12-26 | 2004-12-16 | 露光方法及びこれを遂行するためのレチクル、レチクルアセンブリー及び露光装置 |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (2) | US7265818B2 (ja) |
JP (1) | JP2005197678A (ja) |
KR (1) | KR100530499B1 (ja) |
DE (1) | DE102004062228A1 (ja) |
NL (1) | NL1027890C2 (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2008218769A (ja) * | 2007-03-06 | 2008-09-18 | Nikon Corp | マスク保持装置、マスク調整方法、露光装置及び露光方法 |
Families Citing this family (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN104950582B (zh) * | 2014-03-24 | 2017-05-31 | 上海微电子装备有限公司 | 一种边缘曝光系统和边缘曝光方法 |
DE102016109099B4 (de) | 2016-05-18 | 2023-01-19 | Infineon Technologies Ag | Belichtungsmaske, Belichtungsvorrichtung und Verfahren zum Kalibrieren einer Belichtungsvorrichtung |
US10290354B1 (en) | 2017-10-31 | 2019-05-14 | Sandisk Technologies Llc | Partial memory die |
US10776277B2 (en) | 2017-10-31 | 2020-09-15 | Sandisk Technologies Llc | Partial memory die with inter-plane re-mapping |
Citations (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH01261821A (ja) * | 1988-04-13 | 1989-10-18 | Nec Corp | 縮小投影露光装置 |
JPH03237459A (ja) * | 1990-02-14 | 1991-10-23 | Fujitsu Ltd | 半導体ウエハの露光方法およびステップ露光用レチクル |
JPH09306827A (ja) * | 1996-05-09 | 1997-11-28 | Nikon Corp | 露光装置 |
JPH11121341A (ja) * | 1997-10-20 | 1999-04-30 | Fujitsu Ltd | 半導体装置の製造方法 |
JP2000029223A (ja) * | 1998-07-10 | 2000-01-28 | Canon Inc | 走査型露光装置および露光方法 |
JP2000353660A (ja) * | 1999-04-30 | 2000-12-19 | Infineon Technol North America Corp | 半導体製造方法 |
JP2001291652A (ja) * | 2000-04-05 | 2001-10-19 | Nec Corp | 投影露光装置、投影露光方法及びデバイスの製造方法 |
JP2002334822A (ja) * | 2001-05-08 | 2002-11-22 | Nec Kansai Ltd | 半導体装置の製造方法 |
JP2004157327A (ja) * | 2002-11-06 | 2004-06-03 | Kawasaki Microelectronics Kk | 半導体デバイス用マスク、および露光方法 |
Family Cites Families (16)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6141107A (en) * | 1991-02-28 | 2000-10-31 | Nikon Corporation | Apparatus for detecting a position of an optical mark |
JP2830492B2 (ja) * | 1991-03-06 | 1998-12-02 | 株式会社ニコン | 投影露光装置及び投影露光方法 |
JPH05217834A (ja) * | 1992-01-31 | 1993-08-27 | Sharp Corp | マスク上のlsiチップレイアウト方法 |
US5617182A (en) * | 1993-11-22 | 1997-04-01 | Nikon Corporation | Scanning exposure method |
US6169602B1 (en) * | 1995-02-12 | 2001-01-02 | Nikon Corporation | Inspection method and apparatus for projection optical systems |
US5999244A (en) * | 1995-11-07 | 1999-12-07 | Nikon Corporation | Projection exposure apparatus, method for correcting positional discrepancy of projected image, and method for determining image formation characteristic of projection optical system |
JPH10116886A (ja) * | 1996-10-11 | 1998-05-06 | Nikon Corp | 試料保持方法及び露光装置 |
JPH1050584A (ja) * | 1996-08-07 | 1998-02-20 | Nikon Corp | マスク保持装置 |
US6180289B1 (en) * | 1997-07-23 | 2001-01-30 | Nikon Corporation | Projection-microlithography mask with separate mask substrates |
JP2001274080A (ja) * | 2000-03-28 | 2001-10-05 | Canon Inc | 走査型投影露光装置及びその位置合わせ方法 |
US20030138742A1 (en) * | 2000-04-11 | 2003-07-24 | Nikon Corporation | Exposure method and exposure apparatus |
TW486741B (en) | 2000-04-17 | 2002-05-11 | Nikon Corp | Aligner and method of exposure |
JP2002033272A (ja) | 2000-05-11 | 2002-01-31 | Nikon Corp | 露光方法及び装置、並びにデバイス製造方法 |
JP2002151400A (ja) * | 2000-11-15 | 2002-05-24 | Canon Inc | 露光装置、その保守方法並びに同装置を用いた半導体デバイス製造方法及び半導体製造工場 |
JP2003037038A (ja) * | 2001-07-23 | 2003-02-07 | Nec Kansai Ltd | 投影露光方法 |
TWI251116B (en) * | 2002-12-19 | 2006-03-11 | Asml Netherlands Bv | Device manufacturing method, computer-readable medium and lithographic apparatus |
-
2003
- 2003-12-26 KR KR10-2003-0097467A patent/KR100530499B1/ko not_active IP Right Cessation
-
2004
- 2004-12-16 JP JP2004364127A patent/JP2005197678A/ja active Pending
- 2004-12-23 DE DE102004062228A patent/DE102004062228A1/de not_active Ceased
- 2004-12-24 NL NL1027890A patent/NL1027890C2/nl not_active IP Right Cessation
- 2004-12-27 US US11/023,231 patent/US7265818B2/en not_active Expired - Fee Related
-
2007
- 2007-07-30 US US11/830,439 patent/US20070263194A1/en not_active Abandoned
Patent Citations (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH01261821A (ja) * | 1988-04-13 | 1989-10-18 | Nec Corp | 縮小投影露光装置 |
JPH03237459A (ja) * | 1990-02-14 | 1991-10-23 | Fujitsu Ltd | 半導体ウエハの露光方法およびステップ露光用レチクル |
JPH09306827A (ja) * | 1996-05-09 | 1997-11-28 | Nikon Corp | 露光装置 |
JPH11121341A (ja) * | 1997-10-20 | 1999-04-30 | Fujitsu Ltd | 半導体装置の製造方法 |
JP2000029223A (ja) * | 1998-07-10 | 2000-01-28 | Canon Inc | 走査型露光装置および露光方法 |
JP2000353660A (ja) * | 1999-04-30 | 2000-12-19 | Infineon Technol North America Corp | 半導体製造方法 |
JP2001291652A (ja) * | 2000-04-05 | 2001-10-19 | Nec Corp | 投影露光装置、投影露光方法及びデバイスの製造方法 |
JP2002334822A (ja) * | 2001-05-08 | 2002-11-22 | Nec Kansai Ltd | 半導体装置の製造方法 |
JP2004157327A (ja) * | 2002-11-06 | 2004-06-03 | Kawasaki Microelectronics Kk | 半導体デバイス用マスク、および露光方法 |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2008218769A (ja) * | 2007-03-06 | 2008-09-18 | Nikon Corp | マスク保持装置、マスク調整方法、露光装置及び露光方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR20050066214A (ko) | 2005-06-30 |
DE102004062228A1 (de) | 2005-07-28 |
NL1027890A1 (nl) | 2005-06-28 |
US20050140952A1 (en) | 2005-06-30 |
US20070263194A1 (en) | 2007-11-15 |
KR100530499B1 (ko) | 2005-11-22 |
US7265818B2 (en) | 2007-09-04 |
NL1027890C2 (nl) | 2006-12-13 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US20030197847A1 (en) | Illumination optical system, exposure apparatus having the same, and device fabricating method | |
JP2006216917A (ja) | 照明光学系、露光装置およびデバイス製造方法 | |
US5926257A (en) | Illumination optical system and exposure apparatus having the same | |
US7050152B2 (en) | Exposure apparatus | |
JP2003303751A (ja) | 投影光学系、該投影光学系を有する露光装置及び方法 | |
US7417709B2 (en) | Method and apparatus for exposing semiconductor substrates | |
JP2003017396A (ja) | 露光装置、露光方法、デバイス製造方法、並びに、デバイス | |
US20070263194A1 (en) | Method of exposing a wafer to a light, and reticle, reticle assembly and exposing apparatus for performing the same | |
JP5361239B2 (ja) | 露光装置及びデバイス製造方法 | |
JP2002050564A (ja) | 照明装置、投影露光装置並びにそれを用いたデバイス製造方法 | |
US20060192933A1 (en) | Multiple exposure apparatus and multiple exposure method using the same | |
JP3008744B2 (ja) | 投影露光装置及びそれを用いた半導体素子の製造方法 | |
JP5644416B2 (ja) | 光学ユニット、光学系、露光装置、及びデバイスの製造方法 | |
US7190436B2 (en) | Illumination apparatus and exposure apparatus | |
JP2009177126A (ja) | マスクブランクス、マスク、マスク保持装置、露光装置及びデバイスの製造方法 | |
JP4366098B2 (ja) | 投影露光装置および方法ならびにデバイス製造方法 | |
JP3376043B2 (ja) | 照明装置及びそれを用いた投影露光装置 | |
US9733571B2 (en) | Illumination optical device, exposure apparatus, and method of manufacturing article | |
KR102554101B1 (ko) | 조명 광학계, 노광 장치 및 물품 제조 방법 | |
KR20070036237A (ko) | 스테이지와 스테이지 세정 방법, 이를 갖는 노광 장치 | |
US20040212809A1 (en) | Beam delivery methods, and systems, and wafer edge exposure apparatus delivering a plurality of laser beams | |
JP2004022945A (ja) | 露光装置及び方法 | |
JP2005347572A (ja) | 露光装置 | |
JP2003303750A (ja) | 結像光学系、該光学系を有する露光装置、収差低減方法 | |
KR20240002920A (ko) | 광원장치, 리소그래피 장치, 및 물품의 제조 방법 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20070531 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20100323 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20100611 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20100727 |
|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20101221 |