NL1027890C2 - Werkwijze voor blootstellen van een wafel aan licht, alsmede reticule, reticulesamenstel en belichtingstoestel voor uitvoeren daarvan. - Google Patents

Werkwijze voor blootstellen van een wafel aan licht, alsmede reticule, reticulesamenstel en belichtingstoestel voor uitvoeren daarvan. Download PDF

Info

Publication number
NL1027890C2
NL1027890C2 NL1027890A NL1027890A NL1027890C2 NL 1027890 C2 NL1027890 C2 NL 1027890C2 NL 1027890 A NL1027890 A NL 1027890A NL 1027890 A NL1027890 A NL 1027890A NL 1027890 C2 NL1027890 C2 NL 1027890C2
Authority
NL
Netherlands
Prior art keywords
light
reticle
wafer
area
transmitting member
Prior art date
Application number
NL1027890A
Other languages
English (en)
Other versions
NL1027890A1 (nl
Inventor
Byong-Cheol Park
Dong-Hwa Shin
Seung-Ki Chae
Sang-Ho Lee
Original Assignee
Samsung Electronics Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Samsung Electronics Co Ltd filed Critical Samsung Electronics Co Ltd
Publication of NL1027890A1 publication Critical patent/NL1027890A1/nl
Application granted granted Critical
Publication of NL1027890C2 publication Critical patent/NL1027890C2/nl

Links

Classifications

    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/20Exposure; Apparatus therefor
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70425Imaging strategies, e.g. for increasing throughput or resolution, printing product fields larger than the image field or compensating lithography- or non-lithography errors, e.g. proximity correction, mix-and-match, stitching or double patterning
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03BAPPARATUS OR ARRANGEMENTS FOR TAKING PHOTOGRAPHS OR FOR PROJECTING OR VIEWING THEM; APPARATUS OR ARRANGEMENTS EMPLOYING ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ACCESSORIES THEREFOR
    • G03B27/00Photographic printing apparatus
    • G03B27/32Projection printing apparatus, e.g. enlarger, copying camera
    • G03B27/42Projection printing apparatus, e.g. enlarger, copying camera for automatic sequential copying of the same original
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70425Imaging strategies, e.g. for increasing throughput or resolution, printing product fields larger than the image field or compensating lithography- or non-lithography errors, e.g. proximity correction, mix-and-match, stitching or double patterning
    • G03F7/70466Multiple exposures, e.g. combination of fine and coarse exposures, double patterning or multiple exposures for printing a single feature

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)

Description

i
Korte aanduiding: Werkwijze voor blootstellen van een wafel aan licht, alsmede reticule, reticulesamenstel en belichtingstoestel voor uitvoeren daarvan 5 De onderhavige uitvinding heeft betrekking op een belichtingsprocédé voor vervaardigen van halfgeleiderinrichtingen; meer in het bijzonder een werkwijze van blootstellen van een wafel aan licht, waardoor een patroon op een reticule wordt overgebracht op de wafel, alsmede een toestel voor uitvoeren van de 10 belichtingswerkwijze, dat een reticulesamenstel omvat.
In het algemeen worden halfgeleiderinrichtingen vervaardigd door uitvoeren van een vervaardigingswerkwijze (FAB) voor vormen van een elektrische schakeling op een halfgeleidersubstraat, een elektrisch chipsorteerprocédé (eletrical die sorting, EDS) voor 15 inspecteren van elektrische kenmerken van de elektrische schakeling, alsmede een verpakkingsprocédé voor scheiden van het halfgeleidersubstraat in afzonderlijke halfgeleiderchips en verzegelen van elk van de halfgeleiderchips onder gebruikmaking van bijvoorbeeld een epoxyhars.
20 Het FAB-procédé omvat een afzettingsprocédé voor het vormen van een dunne laag op het halfgeleidersubstraat, een chemisch mechanisch polijstprocédé (CMP) voor polijsten van de dunne laag, een fotolithografieprocédé voor vormen van een patroon van fotogevoelige lak op de dunne laag, een etsprocédé voor etsen van de dunne laag in 25 een elektrisch patroon onder gebruikmaking van het fotolakpatroon als een masker, een ionenimplantatieprocédé voor implanteren van ionen in een gebied van het halfgeleidersubstraat, een reinigingsprocédé voor reinigen van onzuiverheden van het halfgeleidersubstraat en een inspectieprocédé voor inspecteren van een oppervlak van het 30 halfgeleidersubstraat om fouten vast te stellen in de dunne laag of in het elektrische patroon.
Het fotolithografieprocédé omvat een bekledingsprocédé voor het bekleden van een laag van fotogevoelige laksamenstelling op een siliconenwafel, een bakprocédé voor harden van de laag fotogevoelige 35 laksamenstelling tot een fotolakfilm, een belichtingsprocédé voor overbrengen van een patroon op de reticule (bijvoorbeeld een reticulepatroon) naar de fotolaklaag, alsmede een ontwikkelprocédé 1027890 - 2 - voor vormen van het fotolakpatroon volgens het overgebrachte reticulepatroon.
Een belichtingstoestel voor uitvoeren van het belichtingsprocédé omvat een lichtbron, een verlichtingseenheid voor 5 verlichten van de reticule met licht van de lichtbron, een reticuleplatform voor ondersteunen van de reticule, een optisch projectiesysteem voor op de wafel projecteren van licht dat door de reticule gaat, alsmede een wafelplatform voor ondersteunen van de wafel. Voorbeelden van het belichtingstoestel zijn openbaar gemaakt 10 in US octrooinummer 6.331.885 (op naam van Nishi) en ÜS octrooinummer 6.538.719 (op naam van Takahashi et al).
De reticule heeft een patroon dat overeenstemt met een beeld dat wordt overgebracht op meerdere opnamegebieden die zijn gedefinieerd op de wafel. Het reticuleplatform is boven het optische 15 projectiesysteem geplaatst. Het wafelplatform is onder het optische projectiesysteem geplaatst.
Verlichtingslicht wordt opgewekt in de lichtbron. De reticule wordt tijdens het belichtingsprocédé bestraald door het verlichtingslicht dat door de verlichtingseenheid is gegaan. Het 20 reticuleplatform beweegt horizontaal om het verlichtingslicht dat door de reticule gaat om te zetten in projectielicht. Het | projectielicht bevat beeldinformatie nadat het door de reticule is gegaan. Het wafelplatform beweegt in een tegengestelde richting ten opzichte van het reticuleplatform zodat het projectielicht de 25 beeldinformatie naar de wafel overbrengt.
Aantal en afmeting van de opnamegebieden kunnen worden bepaald in overeenstemming met een kenmerk en een gebruik van de halfgeleiderinrichting. Het belichtingsprocédé omvat een eerste belichtingsprocédé dat wordt uitgevoerd op de opnamegebieden en een 30 tweede belichtingsprocédé dat wordt uitgevoerd op randopnamegebieden.
De randopnamegebieden liggen aan de randgedeelten van de wafel. Het eerste belichtingsprocédé kan worden uitgevoerd op alle opnamegebieden van de wafel. Alternatief kan het eerste belichtingsprocédé worden uitgevoerd op alle opnamegebieden met 35 uitzondering van de randopnamegebieden van de wafel. Het tweede belichtingsprocédé verwijdert de fotolaklaag op chipgebieden nabij het randgedeelte van de wafel.
In een gebruikelijk enkelvoudig belichtingsprocédé kan het eerste belichtingsprocédé gebruikmaken van een gebruikelijke reticule 1027890 - 3 - met een enkel patroon als een belichtingsmasker. Het tweede belichtingsprocédé in het gebruikelijke enkelvoudige belichtingsprocédé kan gebruikmaken van een reticule zonder patroon als het belichtingsmasker. In een gebruikelijk meervoudig 5 belichtingsprocédé kan een reticule met meerdere patroongebieden worden gebruikt als het belichtingsmasker.
In het gebruikelijke enkelvoudige belichtingsprocédé, voor uitvoeren van het tweede belichtingsprocédé, dient de gebruikelijke reticule te worden vervangen door de reticule zonder patroon na 10 voltooien van het eerste belichtingsprocédé. In het gebruikelijke meervoudige belichtingsprocédé kan het aantal opnamegebieden toenemen omdat het patroongebied van de reticule in het eerste belichtingsprocédé kleiner is dan dat van de gebruikelijke reticule.
Er bestaat derhalve een behoefte om een belichtingswerkwijze 15 en een belichtingstoestel te verbeteren teneinde tijdverlies in het gebruikelijke enkelvoudige belichtingsprocédé en het gebruikelijke meervoudige belichtingsprocédé te verminderen.
In een voorbeelduitvoeringsvorm van de onderhavige uitvinding omvat een werkwijze voor belichten van een wafel met licht 20 overbrengen van een beeld op meerdere opnamegebieden door middel van belichten met projectielicht, waarbij elk van meerdere opnamegebieden ten minste één chipgebied gedefinieerd op de wafel omvat, waarop een fotolaklaag wordt gevormd, alsmede aftasten van het ten minste ene chipgebied nabij een randgedeelte van de wafel door middel van 25 instralen van aftastlicht.
In een andere voorbeelduitvoeringsvorm van de onderhavige uitvinding omvat een werkwijze voor belichten van een wafel met licht bestralen met een verlichtingslicht van een reticule met een projectiepatroon dat overeenstemt met een beeld dat dient te worden 30 overgebracht op de wafel, belichten van meerdere opnamegebieden met projectielicht dat door de reticule is gegaan, waarbij elk van de meerdere opnamegebieden ten minste één chipgebied omvat dat is gedefinieerd op de wafel waarop een fotolakfilm is gevormd, zodanig bewegen van de reticule en een lichtdoorlatend onderdeel dat het 35 verlichtingslicht het lichtdoorlatende onderdeel verlicht, waarbij het lichtdoorlatende onderdeel aangrenzend aan het projectiepatroon is geplaatst en een projectiegebied heeft, en zodanig bewegen van de wafel dat een aftastlicht dat door het lichtdoorlatende onderdeel is 1027890 - 4 - gegaan chipgebieden aftast die grenzen aan een randgedeelte van de wafel.
In nog een andere voorbeelduitvoeringsvorm van de onderhavige uitvinding omvat een reticule voor belichten van een wafel met licht 5 een eerste gebied omvattende een afbeeldingspatroon dat wordt bestraald met verlichtingslicht, waarbij een afbeelding overeenkomt met het afbeeldingspatroon dat wordt overgebracht naar meerdere opnamegebieden, en elk van de meerdere opnamegebieden ten minste één chipgebied omvat dat is gedefinieerd op de wafel waarop een 10 fotolakfilm is gevormd; en een tweede gebied voor belichten van chipgebieden aangrenzend aan randgedeelten van de wafel met het verlichtingslicht, waarbij het tweede gebied zich bevindt aangrenzend aan het eerste gebied.
In een andere voorbeelduitvoeringsvorm van de onderhavige 15 uitvinding omvat een reticulesamenstel voor belichten van een wafel met licht | een reticule met een projectiepatroon voor overbrengen van een j afbeelding op meerdere opnamegebieden onder gebruikmaking van verlichtingslicht, waarbij elk van de meerdere opnamegebieden ten i 20 minste één chipgebied omvat dat is gedefinieerd op de wafel waarop een fotolakfilm is gevormd; | een lichtdoorlatend onderdeel dat nabij de reticule is geplaatst, waarbij het lichtdoorlatende onderdeel een lichtdoorlatend gebied omvat voor belichten van het ten minste ene chipgebied 25 aangrenzend aan een randgedeelte van de wafel met verlichtingslicht; ; en j een platform voor ondersteunen van de reticule en het lichtdoorlatende onderdeel.
In een andere voorbeelduitvoeringsvorm van de onderhavige 30 uitvinding omvat een toestel voor belichten van een wafel een lichtbron voor opwekken van licht; een reticule omvattende een eerste gebied dat een afbeeldingspatroon omvat dat door het licht wordt belicht, waarbij een afbeelding overeenkomt met het afbeeldingspatroon dat wordt 35 overgebracht op meerdere opnamegebieden die ten minste één chipgebied omvatten dat is gedefinieerd op de wafel waarop een fotolakfilm is gevormd, alsmede een tweede gebied voor belichten van chipgebieden aangrenzend aan randgedeelten van de wafel onder gebruikmaking van 1027890 I : - 5 - ! ι het licht, waarbij het tweede gebied zich bevindt aangrenzend aan het eerste gebied; een reticuleplatform voor ondersteunen van de reticule; een verlichtingseenheid voor verlichten van de reticule onder 5 gebruikmaking van het licht; een projectie-eenheid voor op de wafel projecteren van het licht door de reticule is gegaan; en een wafelplatform voor ondersteunen van de wafel.
In andere voorbeelduitvoeringsvorm van de onderhavige 10 uitvinding omvat een toestel voor belichten van een wafel een lichtbron voor opwekken van licht; een reticulesamenstel omvattend een reticule met een patroon voor overbrengen van een afbeelding op meerdere opnamegebieden onder gebruikmaking van het licht, waarbij elk van de meerdere 15 opnamegebieden ten minste één chipgebied omvat dat is gedefinieerd op de wafel waarop een fotolakfilm is gevormd, een lichtdoorlatend onderdeel omvattende een lichtdoorlatend gebied voor belichten van chipgebieden aangrenzend aan een randgedeelte van de wafel onder gebruikmaking van het licht, waarbij het lichtdoorlatende onderdeel 20 is geplaatst nabij de reticule, alsmede een reticuleplatform voor ondersteunen van de reticule en het lichtdoorlatende onderdeel; een verlichtingsonderdeel voor verlichten van de reticule en het lichtdoorlatende onderdeel onder gebruikmaking van het licht; een projectie-eenheid voor op de wafel projecteren van het 25 licht dat door de reticule en het lichtdoorlatende onderdeel is gegaan; en een wafelplatform voor ondersteunen van de wafel.
Deze en andere voorbeelduitvoeringsvormen, aspecten, kenmerken en voordelen van de uitvinding zullen duidelijker worden door 30 voorbeelduitvoeringsvormen daarvan in detail te beschrijven onder verwijzing naar de bijgevoegde tekeningen.
Figuur 1 is een stroomschema voor tonen van een werkwijze voor belichten van een wafel met licht volgens een voorbeelduitvoeringsvorm van de onderhavige uitvinding.
35 Figuur 2 is een constructieaanzicht dat schematisch een belichtingstoestel voor uitvoeren van de belichtingswerkwijze getoond in figuur 1 weergeeft.
Figuur 3 is een bovenaanzicht dat een wafel weergeeft met een opnamegebied dat in hoofdzaak identiek is aan een chipgebied.
1027890 i 1 j - 6 -
Figuur 4 is een bovenaanzicht dat een wafel weergeeft met een opnamegebied dat meerdere chipgebieden omvat.
Figuur 5 is een doorsnee aanzicht dat een reticulesamenstel volgens een voorbeelduitvoeringsvorm van de onderhavige uitvinding 5 weergeeft.
Figuur 6 is een aanzicht in perspectief dat de reticule en het lichtdoorlatende onderdeel getoond in figuur 5 weergeeft.
Figuur 7 is een aanzicht in perspectief dat de reticuleplatform getoond in figuur 5 weergeeft.
10 Figuur 8 is een aanzicht in dwarsdoorsnede dat een reticulesamenstel weergeeft volgens een andere voorbeelduitvoeringsvorm van de onderhavige uitvinding.
Figuur 9 is een aanzicht in perspectief dat een lichtdoorlatend onderdeel volgens een andere voorbeelduitvoeringsvorm 15 van de onderhavige uitvinding weergeeft.
Figuur 10 is een aanzicht in perspectief dat een andere voorbeelduitvoeringsvorm van de reticule weergeeft.
Figuur 11 is een aanzicht in dwarsdoorsnede dat een reticulesamenstel met inbegrip van de reticule getoond in figuur 10 20 weergeeft.
Figuur 12 is een aanzicht in perspectief dat een reticuleplatform getoond in figuur 11 weergeeft.
Voorbeelduitvoeringsvormen van de onderhavige uitvinding zullen hierna vollediger worden beschreven onder verwijzing van de 25 bijgaande tekening. Uitvoeringsvormen van de uitvinding kunnen echter worden uitgevoerd in vele verschillende vormen en dienen niet te worden uitgelegd als zijnde beperkt tot de hierin beschreven voorbeelduitvoeringsvormen. Eerder zijn voorbeelduitvoeringsvormen verschaft opdat deze openbaarmaking gedegen en volledig zal zijn, en 30 zij de omvang van de uitvinding volledig duidelijk zal maken aan de
vakman op het gebied. J
Figuur 1 is een stroomdiagram voor tonen van een werkwijze voor belichten van een wafel met licht volgens een voorbeelduitvoeringsvorm van de onderhavige uitvinding. Figuur 2 is 35 een constructieaanzicht dat schematisch een belichtingstoestel voor uitvoeren van de belichtingswerkwijze getoond in figuur 1 weergeeft.
Onder verwijzing naar figuren 1 en 2 wordt een fotolakfilm (niet getoond) bekleed op een siliciumwafel W, en wordt de fotolakfilm gevormd in een fotolakpatroon door middel van een 1027890 - 7 - i belichting en een ontwikkelingsprocédé. De fotolakfilm wordt op de wafel W gevormd door middel van een fotolakbekledingsprocédé en een zacht bakprocédé. Het fotolakpatroon kan worden gebruikt als een etsmasker of een ionenimplantatiemasker.
5 Meerdere opnamegebieden worden gedefinieerd op de wafel W. Elk van de meerdere opnamegebieden kan ten minste één chipgebied omvatten. Afmetingen van het chipgebied kunnen worden bepaald in overeenstemming met de soort halfgeleiderinrichting. Aantal en afmetingen van elk opnamegebied kunnen worden bepaald in 10 overeenstemming met de afmetingen van het chipgebied.
Een belichtingstoestel 10 volgens een voorbeelduitvoeringsvorm van de onderhavige uitvinding omvat een lichtbron 12 voor opwekken van een verlichtingslicht, een reticulesamenstel 100, een verlichtingseenheid 14 voor verlichten van een reticule R onder 15 gebruikmaking van het verlichtingslicht, een projectie-eenheid 18 voor op de wafel projecteren van het verlichtingslicht dat door de reticule R is gegaan, en een wafelplatform 20 voor ondersteunen van de wafel W. Hierna zal licht dat door de reticule R is gegaan projectielicht worden genoemd. Het reticulesamenstel 100 omvat de 20 reticule R, een lichtdoorlatend onderdeel 102 en een reticuleplatform 104. De reticule R heeft een eerste-afbeeldingspatroon (of een projectiepatroon) dat overeenkomt met een fotolakpatroon. Het lichtdoorlatende onderdeel 102 heeft een lichtdoorlatend gebied dat is gevormd in een rechthoekig lint. Het reticuleplatform 104 25 ondersteunt de reticule R en het lichtdoorlatende onderdeel 102.
Een eerste afbeeldingspatroon van de reticule R is soortgelijk aan een afbeelding die op de wafel W dient te worden overgebracht. De afbeelding komt overeen met het fotolakpatroon. Dat wil zeggen het verlichtingslicht dat door de reticule R gaat wordt door de reticule 30 R omgezet in het projectielicht dat de afbeeldingsinformatie bevat.
Het lichtdoorlatende onderdeel 102 is naast de reticule R aangebracht, het lichtdoorlatende onderdeel 102 heeft een tweede afbeeldingspatroon voor omzetten van het verlichtingslicht in aftastlicht. Het aftastlicht kan een doorsnee oppervlak hebben dat is 35 gevormd als een rechthoekig lint. Het tweede afbeeldingspatroon heeft een rechthoekige vorm dat het lichtdoorlatende gebied omvat dat is gevormd in het rechthoekige lint. Het lichtdoorlatende onderdeel 102 wordt gebruikt als een aanvullende reticule voor belichten van het chipgebied aangrenzend aan een randgedeelte van de wafel W.
1027890 - 8 -
Een excimeerlaser die excimeerlaserbundels uitzendt kan worden gebruikt als de lichtbron 12. Bijvoorbeeld kunnen een kryptonfluoride (KrF) laser, een argonfluoride (ArF) laser en een fluor (F2) laser worden gebruikt als de lichtbron 12. De kryptonfluoride (KrF) laser 5 zendt een kryptonfluoridelaserbundel uit met een golflengte van 248 nm. De argonfluoride (ArF) laser zendt een argonfluoridelaserbundel uit een golflengte van 193 nm. De fluor (F2) laser zendt een fluorlaserbundel uit met een golflengte van 157 nm.
De lichtbron 12 is door middel van een bundelafstemeenheid 10 verbonden met de verlichtingseenheid 14. Het verlichtingslicht dat is opgewekt in de lichtbron 12 bestraalt de reticule R of bestraalt het lichtdoorlatende onderdeel 102 door de verlichtingseenheid 14. Het j verlichtingslicht dat door de verlichtingseenheid 14 is gegaan heeft een dwarsdoorsnedeoppervlak dat is gevormd tot het rechthoekige lint.
15 In een voorbeelduitvoeringsvorm omvat de verlichtingseenheid 14 een verlichtingssysteembehuizing 14A voor afschermen van het 1 inwendige daarvan van de omgeving, een variabele bundelverzwakker 14B, een optisch bundelvormsysteem 14C, een eerste vliegenooglenssysteem 14D, een trillende spiegel 14E, een 20 condensorlens 14F, een eerste spiegel 14G, en tweede vliegenooglenssysteem 14H, een diafragmaplaat 14J, een bundelsplitser 14K, een eerste relaylens 14L, een reticuleafschermmechanisme 14M, een tweede relaylens 14N, een tweede spiegel 14P en een hoofdcondensorlenssysteem 14Q.
25 Het belichtingstoestel 10 omvat voorts een eerste aanstuureenheid 22 voor bewegen van het reticuleplatform 104 in een horizontale richting alsmede een tweede aanstuureenheid 24 voor bewegen van het wafelplatform 20 in een horizontale richting.
Wanneer het belichtingsprocédé wordt uitgevoerd op de meerdere 30 opnamegebieden beweegt de eerste aanstuureenheid 22 het reticuleplatform 104 in de horizontale richting teneinde het verlichtingslicht dat door de reticule R gaat om te zetten in het projectielicht dat beeldinformatie bevat. De tweede aanstuureenheid 24 kan tegelijkertijd het wafelplatform 20 bewegen in een 35 tegengestelde richting ten opzichte van het reticuleplatform 104. In een andere voorbeelduitvoeringsvorm beweegt het reticuleplatform 104 in een richting loodrecht op zowel een lichtas van het verlichtingslicht als een langsrichting van een doorsneeoppervlak van het verlichtingslicht. Het wafelplatform 20 kan bewegen in een 1027890 - 9 - richting loodrecht op zowel een lichtas van het projectielicht als een langsrichting van een dwarsdoorsnedeoppervlak van het projectielicht. Het wafelplatform 20 kan bewegen in een tegenovergestelde richting ten opzichte van het reticuleplatform 104.
5 Wanneer het belichtingsprocédé wordt uitgevoerd op de chipgebieden aangrenzend aan het randgedeelte van de wafel W bestraalt de verlichtingseenheid 14 het lichtdoorlatende onderdeel 102 met het verlichtingslicht. Het aftastlicht dat door het tweede beeldpatroon van het lichtdoorlatende onderdeel 102 is gegaan heeft 10 een dwarsdoorsnedeoppervlak dat is gevormd tot het rechthoekige lint. Volgens een voorbeelduitvoeringsvorm is een afmeting van het lichtdoorlatende gebied van het tweede beeldpatroon kleiner dan het dwarsdoorsnedeoppervlak van het verlichtingslicht uit de verlichtingseenheid 14. De tweede aanstuureenheid 24 beweegt het 15 wafelplatform 20 in een richting loodrecht op zowel een lichtas van het aftastlicht als een langsrichting van een dwarsdoorsnedeoppervlak van het aftastlicht. Als een gevolg daarvan kan het aftastlicht elk van de chipgebieden aangrenzend aan het randgedeelte van de wafel W bestralen.
20 Teneinde posities van de reticule R en het lichtdoorlatende onderdeel 102 te besturen kan de eerste aanstuureenheid 22 het reticuleplatform 104 bewegen in een horizontale richting loodrecht op de bewegingsrichting van het reticuleplatform 104, hetgeen overeenkomt met de langsrichting van een dwarsdoorsnedeoppervlak van 25 het verlichtingslicht. De eerste aanstuureenheid kan draaien ten opzichte van een centrale lichtas van de reticule R. Om de plaats van de wafel te besturen kan de tweede aanstuureenheid 24 het wafelplatform 20 bewegen in een horizontale richting loodrecht op de bewegingsrichting van het wafelplatform 20, hetgeen overeenkomt met 30 de langsrichting van een dwarsdoorsnedeoppervlak van het projectielicht of het aftastlicht. Het wafelplatform 20 kan draaien ten opzichte van een centrale lichtas van de wafel W.
Figuur 3 is een bovenaanzicht dat een wafel weergeeft met een opnamegebied dat in hoofdzaak identiek is aan het chipgebied. Figuur 35 4 is een bovenaanzicht dat een wafel weergeeft met een opnamegebied dat meerdere chipgebieden omvat.
Hieronder wordt een werkwijze voor het belichten van een wafel met licht volgens een voorbeelduitvoeringsvorm volgens de onderhavige uitvinding beschreven onder verwijzing naar de bovengenoemde figuren.
1027890 - 10 -
De reticule R en het lichtdoorlatende onderdeel 102 worden geladen op het reticuleplatform 104 (stap S100). Een wafel W wordt geladen op het wafelplatform 20 (stap S110). In een voorbeelduitvoeringsvorm omvat de wafel W meerdere opnamegebieden SI of S2 die daarop zijn 5 gedefinieerd. Elk van de opnamegebieden SI of S2 heeft ten minste één ! chipgebied Dl of D2. Het verlichtingslicht dat is opgewekt in de lichtbron 12 bestraalt de reticule R nadat het door de verlichtingseenheid 14 is gegaan (stap S120).
Een eerste belichtingsprocédé kan worden uitgevoerd op de 10 meerdere opnamegebieden SI of S2 onder gebruikmaking van het projectielicht dat door de reticule R is gegaan (stap S130). Het reticuleplatform 104 en het wafelplatform 20 kunnen bewegen in een tegengestelde richting ten opzichte van elkaar teneinde het eerste afbeeldingspatroon over te brengen op elk opnamegebied SI of S2. Na 15 het eerste belichtingsprocédé op de meerdere opnamegebieden SI of S2 kan de eerste aanstuureenheid 22 het reticuleplatform 104 bewegen en bestraalt het verlichtingslicht van de verlichtingseenheid 14 het lichtdoorlatende onderdeel 102 (stap S140).
Een tweede belichtingsprocédé kan worden uitgevoerd op 20 randchipgebieden Dll of D22 aangrenzend aan het randgedeelte We van de wafel E. Het tweede belichtingsprocédé maakt gebruik van het aftastlicht dat door het lichtdoorlatende gebied van het ! lichtdoorlatende onderdeel is gegaan (stap S150). Tijdens het tweede belichtingsprocédé kan het reticuleplatform 104 zijn gestopt en kan 25 het wafelplatform 20 door middel van de tweede aanstuureenheid 24 bewegen in een richting loodrecht op de lichtas van het aftastlicht.
De fotolakfilm op de randchipgebieden Dll of D22 kan worden verwijderd tijdens het tweede belichtingsprocédé.
Zoals getoond in figuur 3 wordt, wanneer elk van de 30 opnamegebieden in hoofdzaak identiek is aan elk van de chipgebieden, het eerste belichtingsprocédé uitgevoerd op niet-randopnamegebieden S12, en wordt het tweede belichtingsprocédé uitgevoerd op de randopnamegebieden Sll of de chipgebieden Dll aangrenzend aan het randgedeelte We van de wafel E.
35 Zoals getoond is in figuur 4 kan, wanneer elk van de opnamegebieden meerdere chipgebieden omvat, het eerste belichtingsprocédé worden uitgevoerd op een geheel opnamegebied S2 op de wafel W. Het tweede belichtingsprocédé wordt uitgevoerd op de chipgebeden D22 aangrenzend aan het randgedeelte We van de wafel W.
1027890 ! - 11 -
In een voorbeelduitvoeringsvorm omvat het randgedeelte We van de wafel W een randgedeelte Pe van de fotolakfilm.
Aangezien het eerste belichtingsprocédé wordt uitgevoerd onder gebruikmaking van de reticule R en het tweede belichtingsprocédé 5 wordt uitgevoerd onder gebruikmaking van het lichtdoorlatende onderdeel nabij de reticule R kan het gehele opnamegebied op de wafel worden belicht zonder de reticule R te wisselen. De afmetingen van het eerste patroongebied van de reticule R zijn groter dan het patroongebied van het gebruikelijke reticule voor het meervoudige 10 belichtingsprocédé. Aldus kan belichtingstijd worden verminderd.
Figuur 5 is. een aanzicht in dwarsdoorsnede dat een reticulesamenstel volgens een voorbeelduitvoeringsvorm van de onderhavige uitvinding weergeeft. Figuur 6 is een aanzicht in perspectief dat de reticule en het lichtdoorlatende onderdeel getoond 15 in figuur 5 weergeeft. Figuur 7 is een aanzicht in perspectief dat het reticuleplatform getoond in figuur 5 weergeeft. Figuur 8 is een aanzicht in dwarsdoorsnede dat het reticulesamenstel volgens een andere voorbeelduitvoeringsvorm van de onderhavige uitvinding weergeeft.
20 Onder verwijzing naar figuren 5 tot en met 8 omvat het reticulesamenstel 100 een reticule R, een lichtdoorlatend onderdeel 102 en een reticuleplatform 104. Onder gebruikmaking van verlichtingslicht dat door de verlichtingseenheid 14 gaat brengt de reticule R een beeld over op meerdere opnamegebieden die zijn 25 gedefinieerd op een wafel W waarop een fotolakfilm is gevormd. Het lichtdoorlatende onderdeel 102 belicht chipgebieden aangrenzend aan het randgedeelte van de wafel W met het verlichtingslicht. Het reticuleplatform 104 ondersteunt de reticule R en het lichtdoorlatende onderdeel 102.
30 De reticule R omvat een eerste afbeeldingspatroon 110 dat overeenkomt met een fotolakpatroon. Elk van de op de wafel W gedefinieerde opnamegebieden omvat ten minste één chipgebied. Het lichtdoorlatende onderdeel 102 is aangrenzend aan de reticule R j aangebracht. Het lichtdoorlatende onderdeel 102 heeft een constructie 35 die soortgelijk is aan de constructie van de reticule R. Het lichtdoorlatende onderdeel 102 omvat een rechthoekig substraat 102a, een tweede afbeeldingspatroon 112 en een lichtdoorlatend gebied 112a.
Het rechthoekige substraat 102a kan zijn vervaardigd van een lichtdoorlatend materiaal. Het tweede afbeeldingspatroon 112 is ! 1027890 - 12 - aangebracht op het substraat 102a en vormt een lichtdoorlatend gebied 112a met een rechthoekige lintvorm.
In een voorbeelduitvoeringsvorm is het reticuleplatform 104 een rechthoekige plaat. Het reticuleplatform 104 omvat een 5 hoofdopening 104a waardoorheen het projectielicht gaat nadat het door de reticule R is gegaan. Het reticuleplatform omvat voorts een aanvullende opening 104b waardoorheen het aftastlicht gaat nadat het door het lichtdoorlatende onderdeel 102 is gegaan. Meerdere eerste houders 120 voor onder gebruikmaking van een vacuüm vasthouden van de 10 reticule R zijn aangebracht rond een omtreksgedeelte van de hoofdopening 104a. Meerdere tweede houders 122 voor onder gebruikmaking van een vacuüm vasthouden van het lichtdoorlatende onderdeel 102 zijn aangebracht rond een randgedeelte van de aanvullende opening 104b.
15 In een andere voorbeelduitvoeringsvorm van de onderhavige uitvinding kan het lichtdoorlatende onderdeel 102 alternatief zijn gekoppeld met een omtreksgedeelte van de aanvullende opening voor bedekken van de aanvullende opening zoals getoond in figuur 8. Onder verwijzing naar figuur 8 wordt de reticule R vastgehouden door de 20 reticulehouders 220. De reticule R bedekt de hoofdopening 204a van het reticuleplatform 204. Het lichtdoorlatende onderdeel 202 is gemonteerd op het omtreksgedeelte van de aanvullende opening 204b onder gebruikmaking van een verbindingsgedeelte 230 zoals bijvoorbeeld een bout. Het lichtdoorlatende onderdeel 202 kan ook 25 zijn gehecht op het reticuleplatform 204 onder gebruikmaking van kleefmiddelen.
Figuur 9 is een aanzicht in perspectief dat een lichtdoorlatend onderdeel volgens een ander voorbeelduitvoeringsvorm van de onderhavige uitvinding weergeeft. Onder verwijzing naar figuur 30 9 is het lichtdoorlatende onderdeel 302 een rechthoekige plaat. Het verlichtingslicht van de verlichtingseenheid 14 dringt door het lichtdoorlatende onderdeel 302 heen door een gleuf 302a.
Het lichtdoorlatende onderdeel 302 kan worden vastgehouden door de tweede houders die zijn getoond in figuur 7. Alternatief kan 35 het lichtdoorlatende onderdeel 302 zijn gekoppeld met het reticuleplatform getoond in figuur 8 onder gebruikmaking van het verbindingsonderdeel getoond in figuur 8 of van kleefmiddelen.
De gleuf 302a waardoorheen het verlichtingslicht gaat kan door het reticuleplatform gaan boren. In een voorbeelduitvoeringsvorm is 1027890 - 13 - i j een dwarsdoorsnedeoppervlakte van de gleuf kleiner dan die van het verlichtingslicht van de verlichtingseenheid 14.
Figuur 10 is een aanzicht in perspectief dat de reticule R voor uitvoeren van de belichtingswerkwijze getoond in figuur 1 5 volgens een andere voorbeelduitvoeringsvorm van de onderhavige uitvinding weergeeft. Figuur 11 is een aanzicht in dwarsdoorsnede dat een reticulesamenstel met inbegrip van de reticule getoond in figuur 10 weergeeft. Figuur 12 is een aanzicht in perspectief dat een reticuleplatform getoond in figuur 11 weergeeft.
10 Onder verwijzing naar figuren 10 tot en met 12 omvat het reticulesamenstel 400 een reticule R1 voor uitvoeren van een belichtingsprocédé op een wafel W alsmede een reticuleplatform 404 voor ondersteunen van de reticule Rl. In een voorbeelduitvoeringsvorm kan de reticule Rl zijn vervaardigd van een lichtdoorlatend materiaal 15 en heeft hij een rechthoekige plaat. De reticule Rl omvat een eerste gebied Ril waarop een eerste afbeeldingspatroon 410 is gevormd alsmede een tweede gebied R12 waarop een tweede afbeeldingspatroon 412 is gevormd.
Het eerste patroon 410 kan worden gebruikt als een 20 projectiepatroon voor overbrengen van een beeld op meerdere opnamegebieden op de wafel W onder gebruikmaking van verlichtingslicht. Elk opnamegebied omvat ten minste één chipgebied dat is gedefinieerd op de wafel W waarop een fotolakfilm is gevormd.
Het tweede patroon 412 kan worden gebruikt als een aftastpatroon voor 25 belichten van een randchipgebied aangrenzend aan een randgedeelte van de wafel W met het verlichtingslicht.
Het tweede afbeeldingspatroon 412 omvat een lichtdoorlatend gebied 412a met een rechthoekige lintvorm voor aftasten van het randchipgebied aangrenzend aan het randgedeelte van de wafel W. De 30 wafel W beweegt in de richting loodrecht op een langsrichting van het lichtdoorlatende gebied 412a. Het aftastlicht bestraalt het randchipgebied van de wafel W.
De reticule Rl wordt ondersteund door het reticuleplatform 404. Meerdere houders 420 voor onder gebruikmaking van een vacuüm 35 vasthouden van de reticule Rl zijn aangebracht op het reticuleplatform 404. Het reticuleplatform 404 omvat een openingsgédeelte 404a waardoorheen het projectielicht en het aftastlicht gaan. Het projectielicht kan worden gevormd door het eerste afbeeldingspatroon 410 en het aftastlicht kan worden gevormd 1027890 - 14 - door het tweede aftastpatroon 420. De reticulehouders 420 zijn aangebracht rond een omtreksgedeelte van het openingsgedeelte 404a.
Volgens een andere voorbeelduitvoeringsvorm van de onderhavige uitvinding kan de belichtingswerkwijze omvatten een eerste 5 belichtingsprocédé en een tweede belichtingsprocédé. Het eerste belichtingsprocédé kan worden uitgevoerd op meerdere opnamegebieden j die zijn gedefinieerd op de siliciumwafel. Het tweede belichtingsprocédé kan worden uitgevoerd op meerdere chipgebieden die grenzen aan een randgedeelte van de wafel. Het eerste 10 belichtingsprocédé kan worden uitgevoerd onder gebruikmaking van een reticule met een eerste afbeeldingspatroon en het tweede belichtingsprocédé kan worden uitgevoerd onder gebruikmaking van een lichtdoorlatend onderdeel nabij de reticule.
Dienovereenkomstig kan de belichtingswerkwijze op 15 ononderbroken wijze worden uitgevoerd zonder de reticule te veranderen. Aldus kan de belichtingstijd worden verminderd in vergelijking met het gebruikelijke enkelvoudige belichtingsprocédé.
De belichtingstijd kan ook worden verminderd in vergelijking met het gebruikelijke meervoudige belichtingsprocédé dat gebruikmaakt van een 20 reticule met een meervoudig patroongebied. Als een gevolg daarvan kunnen de belichtingswerkwijze en het toestel voor uitvoeren daarvan volgens voorbeelduitvoeringsvorm van de onderhavige uitvinding de verwerkingscapaciteit van de plak en een belichtingsprocédé verbeteren.
25 1 1027890

Claims (41)

1. Werkwijze voor belichten van een wafel met licht, omvattende: overbrengen van een beeld op meerdere opnamegebieden door middel van bestralen met projectielicht, waarbij elk van de meerdere 5 opnamegebieden ten minste één chipgebied omvat dat is gedefinieerd op de wafel waarop een fotolakfilm is gevormd; en aftasten van het ten minste ene chipgebied aangrenzend aan een randgedeelte van de wafel door middel van bestralen met aftastlicht.
2. Werkwijze volgens conclusie 1, waarbij het aftastlicht een dwarsdoorsnedeoppervlak heeft met een lintvorm.
3. Werkwijze volgens conclusie 1, waarbij overbrengen van de afbeelding omvat: 15 met behulp van verlichtingslicht bestralen van een projectiepatroon dat overeenkomt met de afbeelding, waarbij het verlichtingslicht een dwarsdoorsnedeoppervlak heeft met een lintvorm; verticaal bewegen van het projectiepatroon ten opzichte van een lichtas van het verlichtingslicht, waardoor het projectielicht wordt 20 gevormd; en bewegen van de wafel in gelijktijdigheid met het projectiepatroon in een tegengestelde richting ten opzichte van het projectiepatroon, waardoor de afbeelding wordt gevormd op de meerdere opnamegebieden. 25
4. Werkwijze volgens conclusie 1, waarbij de wafel verticaal beweegt ten opzichte van een lichtas van het aftastlicht, zodat chipgebieden aangrenzend aan het randgedeelte van de wafel worden afgetast door het aftastlicht. j 30
5. Werkwijze volgens conclusie 1, waarbij de afbeelding wordt overgebracht op meerdere opnamegebieden met uitzondering van randopnamegebieden aangrenzend aan het randgedeelte van de wafel wanneer elk van de meerdere opnamegebieden in hoofdzaak identiek is 35 aan elk van de chipgebieden. 1027890 - 16 -
6. Werkwijze volgens conclusie 1, waarbij de afbeelding wordt overgebracht op een geheel opnamegebied wanneer elk van de meerdere opnamegebieden meerdere chipgebieden omvat.
7. Werkwijze volgens conclusie 1, waarbij het randgedeelte van de wafel in hoofdzaak een randgedeelte van de fotolakfilm omvat. j
8. Werkwijze voor belichten van een wafel met licht, i omvattende: \ 10 bestralen met verlichtingslicht van een reticule met een projectiepatroon dat overeenkomt met een afbeelding die dient te [ i worden overgebracht op de wafel; belichten van meerdere opnamegebieden met een projectielicht dat door de reticule is gegaan, waarbij elk van de meerdere 15 opnamegebieden ten minste één chipgebied omvat dat is gedefinieerd op de wafel waarop een fotolakfilm is gevormd; bewegen van de reticule en een lichtdoorlatend onderdeel, i zodanig dat het verlichtingslicht het lichtdoorlatende onderdeel verlicht, waarbij het lichtdoorlatende onderdeel is aangebracht nabij 20 het projectiepatroon en een projectiegebied heeft; en j ! bewegen van de wafel zodanig dat een aftastlicht dat door het lichtdoorlatende onderdeel is gegaan chipgebieden aftast die grenzen j aan een randgedeelte van de wafel. !
9. Werkwijze volgens conclusie 8, waarbij het projectiegebied is gevormd tot een lint.
10. Werkwijze volgens conclusie 8, waarbij de reticule en het lichtdoorlatende onderdeel worden ondersteund door een platform dat 30 een hoofdopening omvat waardoorheen het projectielicht gaat alsmede een aanvullende opening waardoorheen het aftastlicht gaat.
11. Werkwijze volgens conclusie 8, waarbij het verlichtingslicht door welk de reticule en het lichtdoorlatende 35 onderdeel worden verlicht een dwarsdoorsnedeoppervlak met een rechthoekige lintvorm heeft.
12. Werkwijze volgens conclusie 8, waarbij de reticule verticaal beweegt ten opzichte van het verlichtingslicht en de wafel 1027890 - 17 - beweegt in een tegengestelde richting ten opzichte van de reticule teneinde de afbeelding die overeenkomt met het projectiepatroon over te brengen op de wafel terwijl de meerdere opnamegebieden worden belicht met het projectielicht. 5
13. Werkwijze volgens conclusie 8, waarbij de meerdere opnamegebieden worden belicht met het projectielicht met uitzondering van randopnamegebieden aangrenzend aan het randgedeelte van de wafel wanneer elk van de meerdere opnamegebieden in hoofdzaak identiek is 10 aan elk van de chipgebieden.
14. Werkwijze volgens conclusie 8, waarbij de meerdere opnamegebieden geheel worden belicht met het projectielicht wanneer elk van de meerdere opnamegebieden meerdere chipgebieden omvat. 15
15. Werkwijze volgens conclusie 8, waarbij het randgedeelte van de wafel in hoofdzaak een randgedeelte van de fotolakfilm omvat.
16. Reticule voor belichten van een wafel met licht, omvattende: een eerste gebied omvattende een afbeeldingspatroon dat wordt bestraald met verlichtingslicht, waarbij een afbeelding overeenkomt met het afbeeldingspatroon dat wordt overgebracht naar meerdere 25 opnamegebieden, en elk van de meerdere opnamegebieden ten minste één chipgebied omvat dat is gedefinieerd op de wafel waarop een fotolakfilm is gevormd; en een tweede gebied voor belichten van chipgebieden aangrenzend aan randgedeelten van de wafel met het verlichtingslicht, waarbij het 30 tweede gebied zich bevindt aangrenzend aan het eerste gebied.
17. Reticule volgens conclusie 16, waarbij het tweede gebied een tweede afbeeldingspatroon omvat voor vormen van een lichtdoorlatend gebied met een lintvorm. 3.5
18. Reticulesamenstel voor belichten van een wafel met licht, omvattende: j een reticule met een projectiepatroon voor overbrengen van een | afbeelding op meerdere opnamegebieden onder gebruikmaking van j 1027890 - 18 - verlichtingslicht, waarbij elk van de meerdere opnamegebieden ten minste één chipgebied omvat dat is gedefinieerd op de wafel waarop een fotolakfilm is gevormd; een lichtdoorlatend onderdeel dat nabij het reticule is 5 geplaatst, waarbij het lichtdoorlatende onderdeel een lichtdoorlatend gebied omvat voor belichten van het ten minste ene chipgebied aangrenzend aan een randgedeelte van de wafel met verlichtingslicht; en een platform voor ondersteunen van de reticule en het 10 lichtdoorlatende onderdeel.
19. Reticulesamenstel volgens conclusie 18, waarbij het lichtdoorlatende gebied een rechthoekige lintvorm heeft.
20. Reticulesamenstel volgens conclusie 19, waarbij het lichtdoorlatende onderdeel een substraat omvat dat een lichtdoorlatend materiaal omvat alsmede een patroon voor vormen van het lichtdoorlatende gebied op het substraat.
21. Reticulesamenstel volgens conclusie 18, waarbij het platform een hoofdopening omvat waardoorheen het verlichtingslicht gaat nadat het door de reticule is gegaan, alsmede een aanvullende opening waardoorheen het verlichtingslicht gaat nadat het door het lichtdoorlatende onderdeel is gegaan. 25
22. Reticulesamenstel volgens conclusie 21, voorts omvattende eerste en tweede houders voor onder gebruikmaking van een vacuüm vasthouden van de reticule respectievelijk het lichtdoorlatende onderdeel, waarbij de eerste en tweede houders zich bevinden op een 30 omtreksgedeelte van de hoofdopening respectievelijk aanvullende opening. 1 1 02 7 8 90 Reticulesamenstel volgens conclusie 21, voorts omvattende een reticulehouder voor onder gebruikmaking van een vacuüm vasthouden 35 van een reticule, waarbij de reticulehouder is geplaatst op een omtreksgedeelte van de hoofdopening. - 19 -
24. Reticulesamenstel volgens conclusie 23, waarbij het lichtdoorlatende onderdeel is gekoppeld met een omtreksgedeelte van de aanvullende opening voor bedekken van de aanvullende opening.
25. Reticulesamenstel volgens conclusie 24, waarbij het lichtdoorlatende onderdeel een rechthoekige plaatvorm heeft, en een sleuf daarin omvat waardoorheen het verlichtingslicht gaat.
26. Reticulesamenstel volgens conclusie 18, waarbij de reticule 10 en het lichtdoorlatende onderdeel een als één geheel gevormde constructie zijn.
27. Reticulesamenstel volgens conclusie 26, waarbij het platform een openingsgedeelte omvat waardoorheen het 15 verlichtingslicht gaat nadat het door de reticule en het lichtdoorlatende onderdeel is gegaan.
28. Reticulesamenstel volgens conclusie 27, voorts omvattende een houder voor onder gebruikmaking van een vacuüm vasthouden van de 20 reticule en het lichtdoorlatende onderdeel, waarbij de houder is geplaatst op een omtreksgedeelte van het openingsgedeelte.
29. Toestel voor belichten van een wafel, omvattende: een lichtbron voor opwekken van licht; 25 een reticule omvattende een eerste gebied dat een afbeeldingspatroon omvat dat door het licht wordt belicht, waarbij een afbeelding overeenkomt met het afbeeldingspatroon dat wordt overgebracht op meerdere opnamegebieden die ten minste één chipgebied omvatten dat is gedefinieerd op de wafel waarop een fotolakfilm is 30 gevormd, alsmede een tweede gebied voor belichten van chipgebieden aangrenzend aan randgedeelten van de wafel onder gebruikmaking van het licht, waarbij het tweede gebied zich bevindt aangrenzend aan het eerste gebied; een reticuleplatform voor ondersteunen van de reticule; 35 een verlichtingseenheid voor verlichten van de reticule onder gebruikmaking van het licht; een projectie-eenheid voor op de wafel projecteren van het licht door de reticule is gegaan; en een wafelplatform voor ondersteunen van de wafel. 10 2 7 8 9 0 - 20 - !
30. Toestel volgens conclusie 29, waarbij het tweede gebied een tweede afbeeldingspatroon omvat voor vormen van een lichtdoorlatend gebied met een lintvorm. 5
31. Toestel volgens conclusie 29, waarbij het reticuleplatform een openingsgedeelte omvat waardoorheen het verlichtingslicht gaat nadat het door het eerste gebied en het tweede gebied is gegaan.
32. Toestel volgens conclusie 31, voorts omvattende een houder voor onder gebruikmaking van een vacuüm vasthouden van de reticule, waarbij de houder is geplaatst op een omtreksgedeelte van het openingsgedeelte.
33. Toestel voor belichten van een wafel, omvattende: een lichtbron voor opwekken van licht; een reticulesamenstel omvattend een reticule met een patroon voor overbrengen van een afbeelding op meerdere opnamegebieden onder gebruikmaking van het licht, waarbij elk van de meerdere 20 opnamegebieden ten minste één chipgebied omvat dat is gedefinieerd op de wafel waarop een fotolakfilm is gevormd, een lichtdoorlatend onderdeel omvattende een lichtdoorlatend gebied voor belichten van chipgebieden aangrenzend aan een randgedeelte van de wafel onder gebruikmaking van het licht, waarbij het lichtdoorlatende onderdeel 25 is geplaatst nabij de reticule, alsmede een reticuleplatvorm voor ondersteunen van de reticule en het lichtdoorlatende onderdeel; een verlichtingsonderdeel voor verlichten van de reticule en het lichtdoorlatende onderdeel onder gebruikmaking van het licht; een projectie-eenheid voor op de wafel projecteren van het 30 licht dat door de reticule en het lichtdoorlatende onderdeel is gegaan; en een wafelplatform voor ondersteunen van de wafel.
34. Toestel volgens conclusie 33, waarbij het lichtdoorlatende 35 gebied een rechthoekige lintvorm heeft.
35. Toestel volgens conclusie 33, waarbij het lichtdoorlatende onderdeel een substraat omvat dat een lichtdoorlatend materiaal en 1027890 j i - 21 - een patroon voor vormen van het lichtdoorlatende gebied op het substraat omvat.
36. Toestel volgens conclusie 33, voorts omvattend een 5 aanstuureenheid voor verticaal bewegen van de wafel ten opzichte van een lichtas van het verlichtingslicht, zodat de chipgebieden worden afgetast door het licht dat door het lichtdoorlatende onderdeel is gegaan terwijl chipgebieden aangrenzend aan het randgedeelte van de wafel worden belicht. 10
37. Toestel volgens conclusie 33, waarbij het reticuleplatform een hoofdopening omvat waardoorheen het licht gaat nadat het door de reticule is gegaan, alsmede een aanvullende opening waardoorheen het licht gaat nadat het door het lichtdoorlatende onderdeel is gegaan. 15
38. Toestel volgens conclusie 37, voorts omvattende een eerste houder en een tweede houder voor onder gebruikmaking van een vacuüm vasthouden van de reticule respectievelijk het lichtdoorlatende onderdeel, waarbij de eerste en tweede houders zijn geplaatst op een 20 omtreksgedeelte van de hoofdopening respectievelijk de aanvullende opening.
39. Toestel volgens conclusie 37, voorts omvattend een reticulehouder voor onder gebruikmaking van een vacuüm vasthouden van 25 de reticule, waarbij de reticulehouder is geplaatst op een omtreksgedeelte van de hoofdopening.
40. Toestel volgens conclusie 39, waarbij het lichtdoorlatende onderdeel is gekoppeld met een omtreksgedeelte van de aanvullende 30 opening voor bedekken van de aanvullende opening.
41. Toestel volgens conclusie 40, waarbij het lichtdoorlatende onderdeel een rechthoekige plaatvorm heeft, en een gleuf daarin omvat waar het licht doorheen gaat. 35
42. Toestel volgens conclusie 33, voorts omvattend een eerste aanstuureenheid voor aansturen van de reticule in een horizontale richting, alsmede een tweede aanstuureenheid voor aansturen van de wafel in een tegengestelde richting ten opzichte van de reticule 1027890 - 22 - terwijl de afbeelding wordt overgebracht op de meerdere opnamegebieden. j 1027890
NL1027890A 2003-12-26 2004-12-24 Werkwijze voor blootstellen van een wafel aan licht, alsmede reticule, reticulesamenstel en belichtingstoestel voor uitvoeren daarvan. NL1027890C2 (nl)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR20030097467 2003-12-26
KR10-2003-0097467A KR100530499B1 (ko) 2003-12-26 2003-12-26 노광 방법 및 이를 수행하기 위한 레티클, 레티클어셈블리 및노광 장치

Publications (2)

Publication Number Publication Date
NL1027890A1 NL1027890A1 (nl) 2005-06-28
NL1027890C2 true NL1027890C2 (nl) 2006-12-13

Family

ID=34698527

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
NL1027890A NL1027890C2 (nl) 2003-12-26 2004-12-24 Werkwijze voor blootstellen van een wafel aan licht, alsmede reticule, reticulesamenstel en belichtingstoestel voor uitvoeren daarvan.

Country Status (5)

Country Link
US (2) US7265818B2 (nl)
JP (1) JP2005197678A (nl)
KR (1) KR100530499B1 (nl)
DE (1) DE102004062228A1 (nl)
NL (1) NL1027890C2 (nl)

Families Citing this family (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5066948B2 (ja) * 2007-03-06 2012-11-07 株式会社ニコン マスク保持装置、マスク調整方法、露光装置及び露光方法
CN104950582B (zh) * 2014-03-24 2017-05-31 上海微电子装备有限公司 一种边缘曝光系统和边缘曝光方法
DE102016109099B4 (de) 2016-05-18 2023-01-19 Infineon Technologies Ag Belichtungsmaske, Belichtungsvorrichtung und Verfahren zum Kalibrieren einer Belichtungsvorrichtung
US10290354B1 (en) 2017-10-31 2019-05-14 Sandisk Technologies Llc Partial memory die
US10776277B2 (en) 2017-10-31 2020-09-15 Sandisk Technologies Llc Partial memory die with inter-plane re-mapping

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH03237459A (ja) * 1990-02-14 1991-10-23 Fujitsu Ltd 半導体ウエハの露光方法およびステップ露光用レチクル
US5617182A (en) * 1993-11-22 1997-04-01 Nikon Corporation Scanning exposure method
JPH10116886A (ja) * 1996-10-11 1998-05-06 Nikon Corp 試料保持方法及び露光装置
US6232051B1 (en) * 1997-10-20 2001-05-15 Fujitsu Limited Method for production of semiconductor devices
JP2003037038A (ja) * 2001-07-23 2003-02-07 Nec Kansai Ltd 投影露光方法

Family Cites Families (20)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0713939B2 (ja) * 1988-04-13 1995-02-15 日本電気株式会社 縮小投影露光装置
US6141107A (en) * 1991-02-28 2000-10-31 Nikon Corporation Apparatus for detecting a position of an optical mark
JP2830492B2 (ja) * 1991-03-06 1998-12-02 株式会社ニコン 投影露光装置及び投影露光方法
JPH05217834A (ja) * 1992-01-31 1993-08-27 Sharp Corp マスク上のlsiチップレイアウト方法
US6169602B1 (en) * 1995-02-12 2001-01-02 Nikon Corporation Inspection method and apparatus for projection optical systems
US5999244A (en) * 1995-11-07 1999-12-07 Nikon Corporation Projection exposure apparatus, method for correcting positional discrepancy of projected image, and method for determining image formation characteristic of projection optical system
JPH09306827A (ja) * 1996-05-09 1997-11-28 Nikon Corp 露光装置
JPH1050584A (ja) * 1996-08-07 1998-02-20 Nikon Corp マスク保持装置
US6180289B1 (en) * 1997-07-23 2001-01-30 Nikon Corporation Projection-microlithography mask with separate mask substrates
JP2000029223A (ja) * 1998-07-10 2000-01-28 Canon Inc 走査型露光装置および露光方法
US6270947B2 (en) * 1999-04-30 2001-08-07 Infineon Technologies Ag Method and apparatus for reducing non-uniformity area effects in the manufacture of semiconductor devices
JP2001274080A (ja) * 2000-03-28 2001-10-05 Canon Inc 走査型投影露光装置及びその位置合わせ方法
JP2001291652A (ja) * 2000-04-05 2001-10-19 Nec Corp 投影露光装置、投影露光方法及びデバイスの製造方法
US20030138742A1 (en) * 2000-04-11 2003-07-24 Nikon Corporation Exposure method and exposure apparatus
TW486741B (en) 2000-04-17 2002-05-11 Nikon Corp Aligner and method of exposure
JP2002033272A (ja) 2000-05-11 2002-01-31 Nikon Corp 露光方法及び装置、並びにデバイス製造方法
JP2002151400A (ja) * 2000-11-15 2002-05-24 Canon Inc 露光装置、その保守方法並びに同装置を用いた半導体デバイス製造方法及び半導体製造工場
JP3627234B2 (ja) * 2001-05-08 2005-03-09 関西日本電気株式会社 半導体装置の製造方法
JP4481561B2 (ja) * 2002-11-06 2010-06-16 川崎マイクロエレクトロニクス株式会社 半導体デバイス用マスク
JP4004461B2 (ja) * 2002-12-19 2007-11-07 エーエスエムエル ネザーランズ ビー.ブイ. デバイス製造方法、コンピュータ・プログラム、及びリソグラフィ投影装置

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH03237459A (ja) * 1990-02-14 1991-10-23 Fujitsu Ltd 半導体ウエハの露光方法およびステップ露光用レチクル
US5617182A (en) * 1993-11-22 1997-04-01 Nikon Corporation Scanning exposure method
JPH10116886A (ja) * 1996-10-11 1998-05-06 Nikon Corp 試料保持方法及び露光装置
US6232051B1 (en) * 1997-10-20 2001-05-15 Fujitsu Limited Method for production of semiconductor devices
JP2003037038A (ja) * 2001-07-23 2003-02-07 Nec Kansai Ltd 投影露光方法

Non-Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
PATENT ABSTRACTS OF JAPAN vol. 016, no. 019 (P - 1300) 17 January 1992 (1992-01-17) *
PATENT ABSTRACTS OF JAPAN vol. 1998, no. 10 31 August 1998 (1998-08-31) *
PATENT ABSTRACTS OF JAPAN vol. 2003, no. 06 3 June 2003 (2003-06-03) *

Also Published As

Publication number Publication date
DE102004062228A1 (de) 2005-07-28
JP2005197678A (ja) 2005-07-21
KR20050066214A (ko) 2005-06-30
US7265818B2 (en) 2007-09-04
US20070263194A1 (en) 2007-11-15
NL1027890A1 (nl) 2005-06-28
KR100530499B1 (ko) 2005-11-22
US20050140952A1 (en) 2005-06-30

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR100563102B1 (ko) 표면들로부터 입자들을 제거함으로써 세정하는 방법,세정장치 및 리소그래피투영장치
US20110267595A1 (en) Lithographic apparatus and method of manufacturing article
US7834982B2 (en) Substrate holder and exposure apparatus having the same
CN110320742B (zh) 光刻装置、图案形成方法以及物品的制造方法
JP2003303751A (ja) 投影光学系、該投影光学系を有する露光装置及び方法
JP2004006784A (ja) マスクまたは基板の移送方法、そのような方法での使用に適合した保管ボックス、デバイスまたは装置、およびそのような方法を含むデバイス製造方法
US20050030504A1 (en) Exposure apparatus
KR100695555B1 (ko) 리소그래피 장치 및 디바이스 제조방법
JP2004040107A (ja) 自己集合単分子層を伴う光学エレメントを備えたeuvリソグラフィ投影装置、自己集合単分子層を伴う光学エレメント、自己集合単分子層を適用する方法、デバイス製造法およびそれによって製造したデバイス
EP1698940A2 (en) Exposure method and apparatus
JP2003017396A (ja) 露光装置、露光方法、デバイス製造方法、並びに、デバイス
US20070263194A1 (en) Method of exposing a wafer to a light, and reticle, reticle assembly and exposing apparatus for performing the same
KR100614295B1 (ko) 디바이스 제조방법, 그 디바이스 및 그를 위한 리소그래피장치
KR20230044214A (ko) 입자 검사 시스템의 처리량 개선을 위한 이중 스캐닝 광학 기계식 구성체
JP2003232901A (ja) 光学素子、照明装置及び露光装置
JP6828107B2 (ja) リソグラフィ装置、パターン形成方法及び物品の製造方法
JP2004235460A (ja) 露光システム、走査型露光装置及び露光方法
JP2002170757A (ja) 位置計測方法及びその装置、露光方法及びその装置、デバイスの製造方法
KR100572250B1 (ko) 리소그래피 장치, 디바이스 제조방법 및 그에 의해 제작된디바이스
JP2020173296A (ja) Euvマスクのパターン検査装置及びeuvマスクのパターン検査方法
JP7071483B2 (ja) リソグラフィ装置、パターン形成方法及び物品の製造方法
US20040212809A1 (en) Beam delivery methods, and systems, and wafer edge exposure apparatus delivering a plurality of laser beams
JP2004022945A (ja) 露光装置及び方法
JP2003303750A (ja) 結像光学系、該光学系を有する露光装置、収差低減方法
KR20070037822A (ko) 레티클 위치 제어 유닛 및 이를 포함하는 노광 장치

Legal Events

Date Code Title Description
AD1A A request for search or an international type search has been filed
RD2N Patents in respect of which a decision has been taken or a report has been made (novelty report)

Effective date: 20061012

PD2B A search report has been drawn up
V1 Lapsed because of non-payment of the annual fee

Effective date: 20130701