DE102004062228A1

DE102004062228A1 - Verfahren zum Belichten eines Wafers sowie Retikel, Retikel Aufbau und Belichtungsvorrichtung zum Durchführen desselben

Info

Publication number: DE102004062228A1
Application number: DE102004062228A
Authority: DE
Inventors: Byong-Cheoi Suwon Park; Dong-Hwa Suwon Shin; Seung-Ki Chae; Sang-Ho Suwon Lee
Original assignee: Samsung Electronics Co Ltd
Current assignee: Samsung Electronics Co Ltd
Priority date: 2003-12-26
Filing date: 2004-12-23
Publication date: 2005-07-28
Also published as: NL1027890C2; KR100530499B1; NL1027890A1; US20050140952A1; JP2005197678A; US7265818B2; KR20050066214A; US20070263194A1

Abstract

Ein Verfahren zum Belichten eines Wafers weist das Übertragen eines Bilds auf eine Mehrzahl von Belichtungsstempelbereichen durch Bestrahlen mit einem Projektionslicht, wobei jeder der Mehrzahl von Belichtungsstempelbereichen mindestens einen Chipbereich aufweist, der an dem Wafer, an dem ein Photoresist-Film gebildet ist, definiert ist, und das Abtasten des mindestens einen Chipbereichs, der benachbart zu einem Randabschnitt des Wafers ist, durch Bestrahlen mit einem Abtastlicht auf.

Description

HINTERGRUND DER ERFINDUNG 1. Technisches Gebiet
Die vorliegende Offenbarung bezieht sich auf ein Belichtungsverfahren zum Herstellen von Halbleitervorrichtungen, und insbesondere auf ein Verfahren zum Belichten eines Wafers mit Licht, wodurch ein Muster an einem Retikel bzw. einem Zwischennegativ auf den Wafer übertragen wird, und eine Vorrichtung zum Durchführen des Belichtungsverfahrens, die einen Retikel-Aufbau aufweist.
2. Erörterung der verwandten Technik
Halbleitervorrichtungen werden allgemein durch Durchführen eines Fertigungs-(FAB-) Verfahrens zum Bilden einer elektrischen Schaltung an einem Halbleitersubstrat, eines elektrischen Chipsortier-(EDS-; EDS = Electrical Die Sorting) Verfahrens zum Untersuchen von elektrischen Charakteristika der elektrischen Schaltung und eines Packverfahrens zum Trennen des Halbleitersubstrats in einzelne Halbleiterchips und zum Abdichten bzw. Verschließen von jedem der Halbleiterchips unter Verwendung von beispielsweise einem Epoxidharz hergestellt.
Das FAB-Verfahren weist ein Abscheidungsverfahren zum Bilden einer Dünnschicht an dem Halbleitersubstrat, ein chemisch-mechanisches Polier-(CMP-; CMP = Chemical Mechanical Polishing) Verfahren zum Polieren der Dünnschicht, ein photolithographisches Verfahren zum Bilden eines Photoresist-Musters an der Dünnschicht, ein Ätzverfahren zum Ätzen der Dünnschicht in ein elektrisches Muster bzw. eine elektrische Struktur unter Verwendung des Photoresist-Musters als eine Maske, ein Ionenimplantationsverfahren zum Implantieren von Ionen in eine Region des Halbleitersubstrats, ein Reinigungsverfahren zum Reinigen von Verunreinigungen von dem Halbleitersubstrat und ein Untersuchungsverfahren zum Untersuchen einer Oberfläche des Halbleitersubstrats, um Defekte in der Dünnschicht oder in dem elektrischen Muster zu erfassen, auf.
Das photolithographische Verfahren weist ein Beschichtungsverfahren zum Beschichten einer Photoresist-Verbindungsschicht auf einen Siliziumwafer, ein Trocknungs- bzw. Aushärtungsverfahren zum Härten der Photoresist-Verbindungsschicht in einen Photoresist-Film, ein Belichtungsverfahren zum Übertragen eines Musters an dem Retikel (d. h. eines Retikel-Musters) auf den Photoresist-Film und ein Entwicklungsverfahren zum Bilden des Photoresist-Musters entlang des übertragenen Retikel-Musters auf.

Eine Belichtungsvorrichtung zum Durchführen des Belichtungsverfahrens weist eine Lichtquelle, eine Beleuchtungseinheit zum Beleuchten des Retikels mit Licht von der Lichtquelle, einen Retikel-Tisch zum Tragen des Retikels, ein optisches Projektionssystem zum Projizieren eines Lichts, das durch das Retikel läuft, auf den Wafer, und einen Wafer-Tisch zum Tragen des Wafers auf. Beispiele der Belichtungsvorrichtung sind in dem US-Patent Nr. 6,331,885 (erteilt an Nishi) und dem US-Patent Nr. 6,538,719 (erteilt an Takahashi et al.) offenbart.

Das Retikel weist ein Muster auf das einem Bild entspricht, das auf eine Mehrzahl von Belichtungsstempelbereichen, die an bzw. auf dem Wafer definiert sind, übertragen wird. Der Retikel-Tisch ist über dem optischen Projektionssystem angeordnet. Der Wafer-Tisch ist unter dem optischen Projektionssystem angeordnet.

Ein Beleuchtungslicht wird von der Lichtquelle erzeugt. Das Retikel wird durch das Beleuchtungslicht, das durch die Beleuchtungseinheit während des Belichtungsverfahrens läuft, bestrahlt. Der Retikel-Tisch ist zum Transformieren des Beleuchtungslichts, das durch das Retikel läuft, in ein Projektionslicht horizontal bewegbar. Das Projektionslicht enthält Bildinformationen, nachdem dasselbe durch das Retikel gelaufen ist. Der Wafer-Tisch ist in einer entgegengesetzten Richtung zu dem Retikel-Tisch bewegbar, derart, dass das Projektionslicht die Bildinformationen auf den Wafer überträgt.

Eine Menge und eine Größe der Belichtungsstempelbereiche kann gemäß einer Charakteristik und einer Verwendung der Halbleitervorrichtung bestimmt sein. Das Belichtungsverfahren weist ein erstes Belichtungsverfahren, das an den Belichtungsstempelbereichen durchgeführt wird, und ein zweites Belichtungsverfahren, das an den Rand-Belichtungsstempelbereichen durchgeführt wird, auf. Die Rand-Belichtungsstempelbereiche sind benachbart zu den Randabschnitten des Wafers. Das erste Belichtungsverfahren kann in bzw. an allen Belichtungsstempelbereichen des Wafers durchgeführt werden. Das erste Belichtungsverfahren kann alternativ in allen Belichtungsstempelbereichen außer den Rand-Belichtungsstempelbereichen des Wafers durchgeführt werden. Das zweite Belichtungsverfahren entfernt den Photoresist-Film an Chipbereichen bzw. Chipflächen, die benachbart zu dem Randabschnitt bzw. Kantenabschnitt des Wafers sind.

Bei einem herkömmlichen Einfach-Belichtungsverfahren kann das erste Belichtungsverfahren ein herkömmliches Retikel mit einem einzigen Muster als eine Belichtungsmaske verwenden. Das zweite Belichtungsverfahren kann bei dem herkömmlichen Einfach-Belichtungsverfahren ein nicht gemustertes Retikel als die Belichtungsmaske verwenden. Bei einem herkömmlichen Mehrfach-Belichtungsverfahren kann ein Retikel mit mehreren Musterbereichen als die Belichtungsmaske verwendet werden.

Bei dem herkömmlichen Einfach-Belichtungsverfahren muss das herkömmliche Retikel zum Durchführen des zweiten Belichtungsverfahrens durch das nicht gemusterte Retikel nach dem Beenden des ersten Belichtungsverfahrens ersetzt werden. Bei dem herkömmlichen Mehrfach-Belichtungsverfahren kann die Zahl der Belichtungsstempelbereiche zunehmen, da der Musterbereich bzw. die Musterfläche des Retikels bei dem ersten Belichtungsverfahren kleiner als dieselbe des herkömmlichen Retikels ist.

Es besteht daher ein Bedarf, ein Belichtungsverfahren und eine Belichtungsvorrichtung zu verbessern, um den Zeitverlust bei dem herkömmlichen Einfach-Belichtungsverfahren und bei dem herkömmlichen Mehrfach-Belichtungsverfahren zu reduzieren.

ZUSAMMENFASSUNG DER ERFINDUNG

Bei einem exemplarischen Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfindung weist ein Verfahren zum Belichten eines Wafers mit Licht das Übertragen eines Bilds auf eine Mehrzahl von Belichtungsstempelbereichen durch Bestrahlen mit einem Projektionslicht, wobei jeder der Mehrzahl der Belichtungsstempelbereiche mindestens einen Chipbereich aufweist, der an dem Wafer, an dem ein Photoresist-Film gebildet ist, definiert ist, und das Abtasten des mindestens einen Chipbereichs benachbart zu einem Randbereich des Wafers durch Bestrahlen mit einem Abtastlicht auf.

Bei einem weiteren exemplarischen Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfindung weist ein Verfahren zum Belichten eines Wafers mit Licht das Bestrahlen eines Retikels, das ein Projektionsmuster aufweist, das einem Bild, das auf den Wafer übertragen werden soll, entspricht, mit einem Beleuchtungslicht, das Aussetzen einer Mehrzahl von Belichtungsstempelbereichen gegenüber einem Projektionslicht bzw. das Belichten einer Mehrzahl von Belichtungsstempelbereichen mit einem Projektionslicht, das durch das Retikel gelaufen ist, wobei jeder der Mehrzahl von Belichtungsstempelbereichen mindestens einen Chipbereich aufweist, der an dem Wafer, an dem ein Photoresist-Film gebildet ist, definiert ist, das Bewegen des Retikels und eines lichttransmittierenden bzw. lichtdurchlassenden Bauglieds, derart, dass das Beleuchtungslicht das lichttransmittierende Bauglied beleuchtet, wobei das lichttransmittierende Bauglied benachbart zu dem Projektionsmuster angeordnet ist und einen Projektionsbereich aufweist, und das Bewegen des Wafers, derart, dass ein Abtastlicht, das durch das lichttransmittierende Bauglied gelaufen ist, Chipbereiche benachbart zu einem Randabschnitt des Wafers abtastet, auf.

Bei einem weiteren exemplarischen Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfindung weist ein Retikel zum Belichten eines Wafers mit Licht eine erste Region, die ein Bildmuster aufweist, das durch ein Beleuchtungslicht bestrahlt wird, wobei ein Bild, das dem Bildmuster entspricht, auf eine Mehrzahl von Belichtungsstempelbereichen übertragen wird, und wobei jeder der Mehrzahl von Belichtungsstempelbereichen mindestens einen Chipbereich aufweist, der an dem Wafer, an dem ein Photoresist-Film gebildet ist, definiert ist, und eine zweite Region zum Belichten von Chipbereichen, die benachbart zu Randabschnitten des Wafers sind, mit dem Beleuchtungslicht auf, wobei die zweite Region benachbart zu der ersten Region angeordnet ist.

Bei einem weiteren exemplarischen Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfindung weist ein Retikel-Aufbau zum Belichten eines Wafers mit Licht ein Retikel, das ein Projektionsmuster zum Übertragen eines Bilds auf eine Mehrzahl von Belichtungsstempelbereichen unter Verwendung eines Beleuchtungslichts aufweist, wobei jeder der Mehrzahl von Belichtungsstempelbereichen mindestens einen Chipbereich aufweist, der an dem Wafer, an dem ein Photoresist-Film gebildet ist, definiert ist, ein lichttransmittierendes Bauglied, das benachbart zu dem Retikel angeordnet ist, wobei das lichttransmittierende Bauglied einen lichttransmittierenden Bereich zum Belichten des mindestens einen Chipbereichs, der benachbart zu einem Randabschnitt des Wafers ist, mit einem Beleuchtungslicht aufweist, und einen Tisch zum Tragen des Retikels und des lichttransmittierenden Bauglieds auf.

Bei einem weiteren exemplarischen Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfindung weist eine Vorrichtung zum Belichten eines Wafers eine Lichtquelle zum Erzeugen eines Lichts, ein Retikel, das eine erste Region, die ein Bildmuster aufweist, das durch das Licht bestrahlt wird, wobei ein Bild dem Bildmuster entspricht, das auf eine Mehrzahl von Belichtungsstempelbereichen einschließlich mindestens einem Chipbereich übertragen wird, der an dem Wafer, an dem ein Photoresist-Film gebildet ist, definiert ist, und eine zweite Region zum Belichten von Chipbereichen benachbart zu Randabschnitten des Wafers unter Verwendung des Lichts aufweist, wobei die zweite Region benachbart zu der ersten Region angeordnet ist, einen Retikel-Tisch zum Tragen des Retikels, eine Beleuchtungseinheit zum Beleuchten des Retikels unter Verwendung des Lichts, eine Projektionseinheit zum Projizieren des Lichts, das durch das Retikel gelaufen ist, auf den Wafer, und einen Wafer-Tisch zum Tragen des Wafers auf.

Bei einem weiteren exemplarischen Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfindung weist eine Vorrichtung zum Belichten eines Wafers eine Lichtquelle zum Erzeugen eines Lichts, einen Retikel-Aufbau, der ein Retikel mit einem Muster zum Übertragen eines Bilds auf eine Mehrzahl von Belichtungsstempelbereichen unter Verwendung des Lichts, wobei jeder der Mehrzahl von Belichtungsstempelbereichen mindestens einen Chipbereich aufweist, der an dem Wafer, an dem ein Photoresist-Film gebildet ist, definiert ist, ein lichttransmittierendes Bauglied, das einen lichttransmittierenden Bereich zum Belichten von Chipbereichen, die benachbart zu einem Randabschnitt des Wafers sind, unter Verwendung des Lichts aufweist, wobei das lichttransmittierende Bauglied benachbart zu dem Retikel angeordnet ist, und einen Retikel-Tisch zum Tragen des Retikels und des lichttransmittierenden Bauglieds aufweist, eine Beleuchtungseinheit zum Beleuchten des Retikels und des lichttransmittierenden Bauglieds unter Verwendung des Lichts, eine Projektionseinheit zum Projizieren des Lichts, das durch das Retikel und das lichttransmittierende Bauglied gelaufen ist, auf den Wafer und einen Wafer-Tisch zum Tragen des Wafers auf.

Diese und andere exemplarische Ausführungsbeispiele, Aspekte, Merkmale und Vorteile der Erfindung werden durch eine detaillierte Beschreibung von exemplarischen Ausführungsbeispielen derselben unter Bezugnahme auf die beigefügten Zeichnungen offensichtlicher.

KURZE BESCHREIBUNG DER ZEICHNUNGEN
1 ist ein Flußdiagramm zum Zeigen eines Verfahrens zum Belichten eines Wafers mit Licht gemäß einem exemplarischen Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfindung.
2 ist eine Strukturansicht, die schematisch eine Belichtungsvorrichtung zum Durchführen des in 1 gezeigten Belichtungsverfahrens darstellt.
3 ist eine Draufsicht, die einen Wafer mit einem Belichtungsstempelbereich, der im Wesentlichen identisch zu einem Chipbereich ist, darstellt.
4 ist eine Draufsicht, die einen Wafer mit einem Belichtungsstempelbereich, der eine Mehrzahl von Chipbereichen aufweist, darstellt.
5 ist eine Querschnittsansicht, die eine Retikel-Aufbau gemäß einem exemplarischen Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfindung darstellt.
6 ist eine exemplarische Ansicht, die das in 5 gezeigte Retikel und das lichttransmittierende Bauglied darstellt.
7 ist eine perspektivische Ansicht, die den in 5 gezeigten Retikel-Tisch darstellt.
8 ist eine Querschnittsansicht, die einen Retikel-Aufbau gemäß einem weiteren exemplarischen Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfindung darstellt.
9 ist eine perspektivische Ansicht, die ein lichttransmittierendes Bauglied gemäß einem weiteren exemplarischen Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfindung darstellt.
10 ist eine perspektivische Ansicht, die ein weiteres exemplarisches Ausführungsbeispiel des Retikels darstellt.
11 ist eine Querschnittsansicht, die eine Retikel-Aufbau, der das in 10 gezeigte Retikel aufweist, darstellt.
12 ist eine perspektivische Ansicht, die einen in 11 gezeigten Retikel-Tisch darstellt.
BESCHREIBUNG VON EXEMPLARISCHEN AUSFÜHRUNGSBEISPIELEN
Exemplarische Ausführungsbeispiele der vorliegenden Erfindung sind im Folgenden vollständiger unter Bezugnahme auf die beigefügten Zeichnungen beschrieben. Ausführungsbeispiele der Erfindung können jedoch in vielen unterschiedlichen Formen ausgeführt sein und sollten nicht als auf die hierin bekannt gegebenen exemplarischen Ausführungsbeispiele begrenzt aufgefaßt werden. Die exemplarischen Ausführungsbeispiele sind vielmehr vorgesehen, so dass diese Offenbarung gründlich und vollständig ist und den Schutzbereich der Erfindung Fachleuten vollständig vermittelt.
1 ist ein Flußdiagramm zum Zeigen eines Verfahrens zum Belichten eines Wafers mit Licht gemäß einem exemplarischen Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfindung. 2 ist eine Strukturansicht, die eine Belichtungsvorrichtung zum Durchführen des in 1 gezeigten Belichtungsverfahrens schematisch darstellt.
Bezug nehmend auf 1 und 2 wird ein Photoresist-Film (nicht gezeigt) auf einen Siliziumwafer W beschichtet, und der Photoresist-Film wird in ein Photoresist-Muster durch ein Belichtungs- und ein Entwicklungsverfahren gebildet. Der Photoresist-Film wird an dem Wafer W durch ein Photoresist-Beschichtungsverfahren und ein sanftes Trocknungsverfahren gebildet. Das Photoresist-Muster kann als eine Ätzmaske oder als eine Ionenimplantationsmaske verwendet werden.
Eine Mehrzahl von Belichtungsstempelbereichen ist an dem Wafer W definiert. Jeder der Mehrzahl von Belichtungsstempelbereichen kann mindestens einen Chipbereich aufweisen. Eine Größe des Chipbereichs bzw. der Chipfläche kann gemäß einer An der Halbleitervorrichtung bestimmt sein. Eine Menge und eine Größe von jedem Belichtungsstempelbereich bzw. jeder Belichtungsstempelfläche kann gemäß der Größe des Chipbereichs bestimmt sein.
Eine Belichtungsvorrichtung 10 gemäß einem exemplarischen Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfindung weist eine Lichtquelle 12 zum Erzeugen eines Beleuchtungslichts, einen Retikel-Aufbau 100, eine Beleuchtungseinheit 14 zum Beleuchten eines Retikels R unter Verwendung des Beleuchtungslichts, eine Projektionseinheit 18 zum Projizieren des Beleuchtungslichts, das durch das Retikel R gelaufen ist, auf den Wafer, und einen Wafer-Tisch 20 zum Tragen des Wafers W auf. Im Folgenden wird auf Licht, das durch das Retikel R gelaufen ist, als ein Projektionslicht Bezug genommen. Der Retikel-Aufbau 100 weist das Retikel R, ein lichttransmittierendes Bauglied 102 und einen Retikel-Tisch 104 auf. Das Retikel R weist ein erstes Bildmuster (oder ein Projektionsmuster), das einem Photoresist-Muster entspricht, auf. Das lichttransmittierende Bauglied 102 weist einen lichttransmittierenden Bereich, der in ein rechtwinkliges bzw. rechteckiges Band geformt ist, auf. Der Retikel-Tisch 104 trägt das Retikel R und das lichttransmittierende Bauglied 102.
Ein erstes Bildmuster des Retikels R ist ähnlich zu einem Bild, das auf den Wafer W zu übertragen ist. Das Bild entspricht dem Photoresist-Muster. D.h., dass das Be leuchtungslicht, das durch das Retikel R läuft, in das Projektionslicht, das Bildinformationen aufweist, durch das Retikel R umgewandelt wird.
Das lichttransmittierende bzw. lichtdurchlassende Bauglied 102 ist benachbart zu dem Retikel R angeordnet. Das lichttransmittierende Bauglied 102 weist ein zweites Bildmuster zum Umwandeln des Beleuchtungslichts in ein Abtastlicht auf. Das Abtastlicht kann eine Querschnittsoberfläche bzw. Querschnittsfläche aufweisen, die als ein rechtwinkliges Band geformt ist. Das zweite Bildmuster weist eine rechtwinklige Form auf, die den lichttransmittierenden Bereich aufweist, der in das rechtwinklige Band geformt ist. Das lichttransmittierende Bauglied 102 wird als ein Ergänzungsretikel zum Belichten des Chipbereichs, der benachbart zu einem Randabschnitt des Wafers W ist, verwendet.
Ein Excimer-Laser, der Excimer-Laserstrahlen emittiert, kann als die Lichtquelle 12 verwendet werden. Ein Kryptonfluorid- (KrF-) Laser, ein Argonfluorid- (ArF-) Laser und ein Fluor- (F2-) Laser können als die Lichtquelle 12 verwendet werden. Der Kryptonfluorid- (KrF-) Laser emittiert einen Kryptonfluorid-Laserstrahl mit einer Wellenlänge von 248 nm. Der Argonfluorid- (ArF-) Laser emittiert einen Argonfluorid-Laserstrahl mit einer Wellenlänge von 193 nm. Der Fluor- (F2-) Laser emittiert einen Fluor-Laserstrahl mit einer Wellenlänge von 157 nm.
Die Lichtquelle 12 ist mit der Beleuchtungseinheit 14 durch eine Strahlanpassungseinheit verbunden. Das Beleuchtungslicht, das von der Lichtquelle 12 erzeugt wird, bestrahlt das Retikel R oder bestrahlt das lichttransmittierende Bauglied 102 durch die Beleuchtungseinheit 14. Das Beleuchtungslicht, das durch die Beleuchtungseinheit 14 gelaufen ist, weist eine Querschnittsfläche auf, die in ein rechtwinkliges Band geformt ist.
Bei einem exemplarischen Ausführungsbeispiel weist die Beleuchtungseinheit 14 ein Beleuchtungssystemgehäuse 14A zum Verschließen bzw. Abdichten des Inneren desselben von der Umgebung, einen variablen Strahldämpfer 14B, ein optisches Strahl formungssystem 14C, ein erstes Fliegenaugen-Linsensystem 14D, einen vibrierbaren Spiegel 14E, eine Kondensorlinse 14F, einen ersten Spiegel 14G, ein zweites Fliegenaugen-Linsensystem 14H, eine Apertur-Blendenplatte 14J, einen Strahlteiler 14K, eine erste Übertragungslinse 14L, eine Retikel-Schirmeinrichtung bzw. Retikel-Blendeinrichtung 14M, eine zweite Übertragungslinse 14N, einen zweiten Spiegel 14P und ein Hauptkondensorlinsensystem 14Q auf.
Die Belichtungsvorrichtung 10 weist ferner eine erste Antriebseinheit 22 zum Bewegen des Retikel-Tisches 104 in einer horizontalen Richtung, und eine zweite Antriebseinheit 24 zum Bewegen des Wafer-Tisches 20 in einer horizontalen Richtung auf.
Wenn das Belichtungsverfahren auf der Mehrzahl von Belichtungsstempelbereichen durchgeführt wird, bewegt die erste Antriebseinheit 22 den Retikel-Tisch 104 in der horizontalen Richtung, um das Beleuchtungslicht, das durch das Retikel R läuft, in das Projektionslicht, das die Bildinformationen aufweist, umzuwandeln. Die zweite Antriebseinheit 24 kann gleichzeitig den Wafer-Tisch 20 in einer entgegengesetzten Richtung zu dem Retikel-Tisch 104 bewegen. Bei einem weiteren exemplarischen Ausführungsbeispiel ist der Retikel-Tisch 104 in einer Richtung senkrecht zu sowohl einer Lichtachse des Beleuchtungslichts als auch einer Längsrichtung einer Querschnittsfläche des Beleuchtungslichts bewegbar. Der Wafer-Tisch 20 ist in einer Richtung senkrecht zu sowohl einer Lichtachse des Projektionslichts als auch einer Längsrichtung einer Querschnittsfläche des Projektionslichts bewegbar. Der Wafer-Tisch 20 kann sich in einer entgegengesetzten Richtung zu dem Retikel-Tisch 104 bewegen.
Wenn das Belichtungsverfahren an den Chipbereichen benachbart zu dem Randabschnitt des Wafers W durchgeführt wird, bestrahlt die Beleuchtungseinheit 14 das lichttransmittierende Bauglied 102 mit dem Beleuchtungslicht. Das Abtastlicht, das durch das zweite Bildmuster des lichttransmittierenden Bauglieds 102 gelaufen ist, weist eine Querschnittsfläche auf, die in das rechtwinklige Band geformt ist. Gemäß einem exemplarischen Ausführungsbeispiel ist eine Größe des lichttransmittierenden Bereichs des zweiten Bildmusters kleiner als die Querschnittsfläche des Beleuchtungslichts von der Beleuchtungseinheit 14. Die zweite Antriebseinheit 24 bewegt den Wafer-Tisch 20 in einer Richtung senkrecht zu sowohl einer Lichtachse des Abtastlichts als auch einer Längsrichtung einer Querschnittsfläche des Abtastlichts. Das Abtastlicht kann als ein Resultat jeden der Chipbereiche benachbart zu dem Randabschnitt des Wafers W bestrahlen.
Um Positionen des Retikels R und des lichttransmittierenden Bauglieds 102 zu steuern, kann die erste Antriebseinheit 22 den Retikel-Tisch 104 in einer horizontalen Richtung senkrecht zu der Bewegungsrichtung des Retikel-Tischs 104 bewegen, die der Längsrichtung einer Querschnittsfläche des Beleuchtungslichts entspricht. Die erste Antriebseinheit kann hinsichtlich einer zentralen Achse des Retikels R drehbar sein. Um die Position des Wafers zu steuern, kann die zweite Antriebseinheit 24 den Wafer-Tisch 20 in einer horizontalen Richtung senkrecht zu der Bewegungsrichtung des Wafer-Tisches 20, die der Längsrichtung einer Querschnittsfläche des Projektionslichts oder des Abtastlichts entspricht, bewegen. Der Wafer-Tisch 20 ist hinsichtlich einer zentralen Achse bzw. Mittelachse des Wafers W drehbar.
3 ist eine Draufsicht, die einen Wafer mit einem Belichtungsstempelbereich, der im Wesentlichen identisch zu dem Chipbereich ist, darstellt. 4 ist eine Draufsicht, die einen Wafer mit einem Belichtungsstempelbereich, der eine Mehrzahl der Chipbereiche aufweist, darstellt.
Ein Verfahren zum Belichten eines Wafers mit einem Licht gemäß einem exemplarischen Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfindung ist im Folgenden unter Bezugnahme auf die vorhergehenden Figuren beschrieben. Das Retikel R und das lichttransmittierende Bauglied 102 werden auf den Retikel-Tisch 104 geladen (Schritt S100). Ein Wafer W wird auf den Wafer-Tisch 20 geladen (Schritt S110). Bei einem exemplarischen Ausführungsbeispiel weist der Wafer W eine Mehrzahl von Belichtungsstempelbereichen S1 oder S2, die auf bzw. an demselben definiert sind, auf. Jeder der Belichtungsstempelbereiche S1 oder S2 weist mindestens einen Chipbereich D1 oder D2 auf. Das Beleuchtungslicht, das durch die Lichtquelle 12 erzeugt wird, bestrahlt das Retikel R, nachdem dasselbe durch die Beleuchtungseinheit 14 gelaufen ist (Schritt S120).
Ein erstes Belichtungsverfahren kann an der Mehrzahl der Belichtungsstempelbereiche S1 oder S2 unter Verwendung des Projektionslichts, das durch das Retikel R gelaufen ist, durchgeführt werden (Schritt S130). Der Retikel-Tisch 104 und der Wafer-Tisch 20 können sich in einer entgegengesetzten Richtung zueinander bewegen, um das erste Bildmuster auf jeden Belichtungsstempelbereich S1 oder S2 zu übertragen. Nach dem ersten Belichtungsverfahren an der Mehrzahl der Belichtungsstempelbereiche S1 oder S2 kann die erste Antriebseinheit 22 den Retikel-Tisch 104 bewegen, und das Beleuchtungslicht von der Beleuchtungseinheit 14 bestrahlt das lichttransmittierende Bauglied 102 (Schritt S140).
Ein zweites Belichtungsverfahren kann an Rand-Chipbereichen D11 oder D22 benachbart zu dem Randabschnitt We des Wafers W durchgeführt werden. Das zweite Belichtungsverfahren verwendet das Abtastlicht, das durch den lichttransmittierenden Bereich des lichttransmittierenden Bauglieds gelaufen ist (Schritt S150). Während des zweiten Belichtungsverfahrens kann der Retikel-Tisch 104 angehalten werden, und der Wafer-Tisch 20 kann sich in einer Richtung senkrecht zu der Lichtachse des Abtastlichts durch die zweite Antriebseinheit 24 bewegen. Der Photoresist-Film an den Rand-Chipbereichen D11 oder D22 kann während des zweiten Belichtungsverfahrens entfernt werden.
Wie in 3 gezeigt ist, wird das erste Belichtungsverfahren an Nicht-Rand-Belichtungsstempelbereichen S12 durchgeführt, und das zweite Belichtungsverfahren wird an den Rand-Belichtungsstempelbereichen S11 oder den Chipbereichen D11 benachbart zu dem Randabschnitt We des Wafers W durchgeführt, wenn jeder der Belichtungsstempelbereiche im Wesentlichen identisch zu jedem der Chipbereiche ist.
Wie in 4 gezeigt ist, kann das erste Belichtungsverfahren an einem gesamten Belichtungsstempelbereich S2 an dem Wafer W durchgeführt werden, wenn jeder der Belichtungsstempelbereiche eine Mehrzahl von Chipbereichen aufweist. Das zweite Belichtungsverfahren wird an den Chipbereichen D22 benachbart zu dem Randabschnitt We des Wafers W durchgeführt. Bei einem exemplarischen Ausführungsbeispiel weist der Randabschnitt We des Wafers W einen Randabschnitt Pe des Photoresist-Films auf.
Da das erste Belichtungsverfahren unter Verwendung des Retikels R durchgeführt wird, und das zweite Belichtungsverfahren unter Verwendung des lichttransmittierenden Bauglieds, das benachbart zu dem Retikel R ist, durchgeführt wird, kann der gesamte Belichtungsstempelbereich an dem Wafer belichtet werden, ohne das Retikel R zu wechseln. Die Größe des ersten Musterbereichs des Retikels R ist größer als der Musterbereich bzw. die Musterfläche des herkömmlichen Retikels für das Mehrfach-Belichtungsverfahren. Die Belichtungszeit kann somit reduziert werden.
5 ist eine Querschnittsansicht, die eine Retikel-Aufbau gemäß einem exemplarischen Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfindung darstellt. 6 ist eine perspektivische Ansicht, die das Retikel und das in 5 gezeigte lichttransmittierende Bauglied darstellt. 7 ist eine perspektivische Ansicht, die den in 5 gezeigten Retikel-Tisch darstellt. 8 ist eine Querschnittsansicht, die den Retikel-Aufbau gemäß einem weiteren exemplarischen Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfindung darstellt.
Bezug nehmend auf die 5 bis 8 weist der Retikel-Aufbau 100 ein Retikel R, ein lichttransmittierendes Bauglied 102 und einen Retikel-Tisch 104 auf. Das Retikel R überträgt ein Bild auf eine Mehrzahl von Belichtungsstempelbereichen, die an einem Wafer W, auf bzw. an dem ein Photoresist-Film gebildet ist, definiert sind, unter Verwendung eines Beleuchtungslichts, das durch die Beleuchtungseinheit 14 läuft. Das lichttransmittierende Bauglied 102 belichtet mit dem Beleuchtungslicht Chipbereiche, die benachbart zu dem Randabschnitt des Wafers W sind. Der Retikel-Tisch 104 trägt das Retikel R und das lichttransmittierende Bauglied 102.
Das Retikel R weist ein erstes Bildmuster 110, das einem Photoresist-Muster entspricht, auf. Jeder der Belichtungsstempelbereiche, die an dem Wafer W definiert sind, weist mindestens einen Chipbereich auf. Das lichttransmittierende Bauglied 102 ist benachbart zu dem Retikel R angeordnet. Das lichttransmittierende Bauglied 102 weist eine Struktur ähnlich zu der Struktur des Retikels R auf. Das lichttransmittierende Bauglied 102 weist ein rechtwinkliges Substrat 102a, ein zweites Bildmuster 112 und einen lichttransmittierenden Bereich 112a auf. Das rechtwinklige Substrat 102a kann aus einem lichttransmittierenden Material hergestellt sein. Das zweite Bildmuster 112 ist an dem Substrat 102a angeordnet und bildet einen lichttransmittierenden Bereich 112a einer rechtwinkligen Bandform.
Bei einem exemplarischen Ausführungsbeispiel ist der Retikel-Tisch 104 eine rechtwinklige bzw. rechteckige Platte. Der Retikel-Tisch 104 weist eine Hauptöffnung 104a, durch die das Projektionslicht läuft, nachdem dasselbe durch das Retikel R gelaufen ist, auf. Der Retikel-Tisch weist ferner eine Nebenöffnung 104b, durch die das Abtastlicht läuft, nachdem dasselbe durch das lichttransmittierende Bauglied 102 gelaufen ist, auf. Eine Mehrzahl von ersten Haltern 120 zum Halten des Retikels R unter Verwendung eines Vakuums ist um einen Umfangsabschnitt der Hauptöffnung 104a angeordnet. Eine Mehrzahl von zweiten Haltern 122 zum Halten des lichttransmittierenden Bauglieds 102 unter Verwendung eines Vakuums ist um einen Umfangsabschnitt der Nebenöffnung 104b angeordnet.
Bei einem weiteren exemplarischen Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfindung kann das lichttransmittierende Bauglied alternativ mit einem Umfangsabschnitt der Nebenöffnung zum Bedecken der Nebenöffnung, wie in 8 gezeigt ist, in Eingriff sein. Bezug nehmend auf 8 wird das Retikel R durch die Retikel-Halter 220 gehalten. Das Retikel R bedeckt die Hauptöffnung 204a des Retikel-Tischs 204. Das lichttransmittierende Bauglied 202 ist an dem Umfangsabschnitt der Nebenöffnung 204b unter Verwendung eines Verbindungsbauglieds 230, wie beispielsweise einer Schraube bzw. einem Bolzen, angebracht. Das lichttransmittierende Bauglied 202 kann ferner an dem Retikel-Tisch 204 unter Verwendung von Haftmitteln haften.
9 ist eine perspektivische Ansicht, die ein lichttransmittierendes Bauglied gemäß einem weiteren exemplarischen Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfindung darstellt. Bezug nehmend auf 9 ist das lichttransmittierende Bauglied 302 eine rechtwinklige Platte. Das Beleuchtungslicht von der Beleuchtungseinheit 14 durchdringt das lichttransmittierende Bauglied 302 durch einen Schlitz 302a. Das lichttransmittierende Bauglied 302 kann durch die in 7 gezeigten zweiten Halter gehalten werden. Das lichttransmittierende Bauglied 302 kann alternativ mit dem in 8 gezeigten Retikel-Tisch unter Verwendung des in 8 gezeigten Verbindungsbauglieds oder von Haftmitteln bzw. Klebstoff in Eingriff sein.
Der Schlitz 302a, durch den das Beleuchtungslicht läuft, kann den Retikel-Tisch durchdringen. Bei einem exemplarischen Ausführungsbeispiel ist eine Querschnittfläche des Schlitzes kleiner als dieselbe des Beleuchtungslichts von der Beleuchtungseinheit 14.
10 ist eine perspektivische Ansicht, die das Retikel R zum Durchführen des in 1 gezeigten Belichtungsverfahrens gemäß einem weiteren exemplarischen Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfindung darstellt. 11 ist eine Querschnittsansicht, die einen Retikel-Aufbau, der das in 10 gezeigte Retikel aufweist, darstellt. 12 ist eine perspektivische Ansicht, die einen in 11 gezeigten Retikel-Tisch darstellt.
Bezug nehmend auf 10 bis 12 weist der Retikel-Aufbau 400 ein Retikel R1 zum Durchführen eines Belichtungsverfahrens an einem Wafer W und einen Retikel-Tisch 404 zum Tragen des Retikels R1 auf. Bei einem exemplarischen Ausführungsbeispiel kann das Retikel R1 aus einem lichttransmittierenden Material hergestellt sein und eine rechtwinklige Platte aufweisen. Das Retikel R1 weist eine erste Region R11, an der ein erstes Bildmuster 410 gebildet ist, und eine zweite Region R12, an der ein zweites Bildmuster 412 gebildet ist, auf.
Das erste Muster 410 kann als ein Projektionsmuster zum Übertragen eines Bilds auf eine Mehrzahl von Belichtungsstempelbereichen an dem Wafer W unter Verwendung eines Beleuchtungslichts verwendet werden. Jeder Belichtungsstempelbereich weist mindestens einen Chipbereich auf, der an dem Wafer W, an dem ein Photoresist-Film gebildet ist, definiert ist. Das zweite Muster 412 kann als ein Abtastmuster zum Belichten eines Rand-Chipbereichs, der benachbart zu einem Randabschnitt des Wafers W ist, mit dem Beleuchtungslicht verwendet werden.
Das zweite Bildmuster 412 weist einen lichttransmittierenden Bereich 412a einer rechtwinkligen Bandform zum Abtasten des Rand-Chipbereichs, der benachbart zu dem Randabschnitt des Wafers W ist, auf. Der Wafer W bewegt sich bzw. ist in einer Richtung senkrecht zu einer Längsrichtung des lichttransmittierenden Bereichs 412a bewegbar. Das Abtastlicht bestrahlt den Rand-Chipbereich des Wafers.
Das Retikel R1 wird durch den Retikel-Tisch 404 getragen. Eine Mehrzahl von Haltern 420 zum Halten des Retikels R1 unter Verwendung eines Vakuums ist auf dem Retikel-Tisch 404 angeordnet. Der Retikel-Tisch 404 weist einen Öffnungsabschnitt 404a, durch den das Projektionslicht und das Abtastlicht laufen, auf. Das Projektionslicht kann durch das erste Bildmuster 410 gebildet werden, und das Abtastlicht kann durch das zweite Bildmuster 420 gebildet werden. Die Retikel-Halter 420 sind um einen Umfangsabschnitt des Öffnungsabschnitts 404a angeordnet.
Gemäß einem weiteren exemplarischen Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfindung kann das Belichtungsverfahren ein erstes Belichtungsverfahren und ein zweites Belichtungsverfahren aufweisen. Das erste Belichtungsverfahren kann an einer Mehrzahl von Belichtungsstempelbereichen, die an dem Siliziumwafer definiert sind, durchgeführt werden. Das zweite Belichtungsverfahren kann an einer Mehrzahl von Chipbereichen, die benachbart zu einem Randabschnitt des Wafers sind, durchgeführt werden. Das erste Belichtungsverfahren kann unter Verwendung eines Retikels, das ein erstes Bildmuster aufweist, durchgeführt werden, und das zweite Belichtungsverfahren kann unter Verwendung eines lichttransmittierenden Bauglieds, das benachbart zu dem Retikel ist, durchgeführt werden.
Das Belichtungsverfahren kann dementsprechend ohne ein Wechseln des Retikels kontinuierlich durchgeführt werden. Die Belichtungszeit kann somit im Vergleich zu einem herkömmlichen Einfach-Belichtungsverfahren reduziert werden. Die Belichtungszeit kann ferner im Vergleich zu einem herkömmlichen Mehrfach-Belichtungsverfahren unter Verwendung eines Retikels, das einen Mehrfachmusterbereich aufweist, reduziert werden. Das Belichtungsverfahren und die Belichtungsvorrichtung zum Durchführen desselben gemäß exemplarischen Ausführungsbeispielen der vorliegenden Erfindung können als ein Resultat den Durchsatz des Wafers bei einem Belichtungsverfahren verbessern.
Obwohl exemplarische Ausführungsbeispiele der vorliegenden Erfindung beschrieben sind, ist offensichtlich, dass die vorliegende Erfindung nicht auf diese exemplarischen Ausführungsbeispiele begrenzt sein soll, sondern verschiedene Änderungen und Modifikationen durch Fachleute innerhalb des Geistes und des Schutzbereiches der vorliegenden Erfindung, die im Folgenden beansprucht ist, durchgeführt werden können.

Claims

Verfahren zum Belichten eines Wafers, mit folgenden Schritten: Übertragen eines Bilds auf eine Mehrzahl von Belichtungsstempelbereichen durch Bestrahlen mit einem Projektionslicht, wobei jeder der Mehrzahl von Belichtungsstempelbereichen mindestens einen Chipbereich aufweist, der an dem Wafer, an dem ein Photoresist-Film gebildet ist, definiert ist; und Abtasten des mindestens einen Chipbereichs, der benachbart zu einem Randabschnitt des Wafers ist, durch Bestrahlen mit einem Abtastlicht.
Verfahren nach Anspruch 1, bei dem das Abtastlicht eine Querschnittsfläche mit einer Bandform aufweist.
Verfahren nach Anspruch 1, bei dem das Übertragen des Bilds folgende Schritte aufweist: Bestrahlen eines Projektionsmusters, das dem Bild entspricht, mit einem Beleuchtungslicht, wobei das Beleuchtungslicht eine Querschnittsfläche mit einer Bandform aufweist; Bewegen des Projektionsmusters vertikal hinsichtlich einer Lichtachse des Beleuchtungslichts, wodurch das Projektionslicht geformt wird; Bewegen des Wafers gleichzeitig mit dem Projektionsmuster in einer entgegengesetzten Richtung zu dem Projektionsmuster, wodurch das Bild an der Mehrzahl von Belichtungsstempelbereichen gebildet wird.
Verfahren nach Anspruch 1, bei dem sich der Wafer hinsichtlich einer Lichtachse des Abtastlichts vertikal bewegt, so dass die Chipbereiche, die benachbart zu dem Randabschnitt des Wafers sind, durch das Abtastlicht abgetastet werden.
Verfahren nach Anspruch 1, bei dem das Bild auf die Mehrzahl von Belichtungsstempelbereichen außer Rand-Belichtungsstempelbereichen, die benachbart zu dem Randabschnitt des Wafers sind, übertragen wird, wenn jeder der Mehrzahl von Belichtungsstempelbereichen im Wesentlichen identisch zu jedem der Chipbereiche ist.
Verfahren nach Anspruch 1, bei dem das Bild auf einen gesamten Belichtungsstempelbereich übertragen wird, wenn jeder der Mehrzahl von Belichtungsstempelbereichen eine Mehrzahl von Chipbereichen aufweist.
Verfahren nach Anspruch 1, bei dem der Randabschnitt des Wafers im Wesentlichen einen Randabschnitt des Photoresist-Films aufweist.
Verfahren zum Belichten eines Wafers mit Licht, mit folgenden Schritten: Bestrahlen eines Retikels, das ein Projektionsmuster aufweist, das einem Bild, das auf den Wafer übertragen werden soll, entspricht, mit einem Beleuchtungslicht; Belichten einer Mehrzahl von Belichtungsstempelbereichen mit einem Projektionslicht, das durch das Retikel gelaufen ist, wobei jeder der Mehrzahl von Belichtungsstempelbereichen mindestens einen Chipbereich aufweist, der an dem Wafer, an dem ein Photoresist-Film gebildet ist, definiert ist; Bewegen des Retikels und eines lichttransmittierenden Bauglieds derart, dass das Beleuchtungslicht das lichttransmittierende Bauglied beleuchtet, wobei das lichttransmittierende Bauglied benachbart zu dem Projektionsmuster angeordnet ist und einen Projektionsbereich aufweist; und Bewegen des Wafers derart, dass ein Abtastlicht, das durch das lichttransmittierende Bauglied gelaufen ist, Chipbereiche, die benachbart zu einem Randabschnitt des Wafers sind, abtastet.
Verfahren nach Anspruch 8, bei dem der Projektionsbereich in ein Band geformt ist.
Verfahren nach Anspruch 8, bei dem das Retikel und das lichttransmittierende Bauglied durch einen Tisch, der eine Hauptöffnung, durch die das Projektionslicht läuft, und eine Nebenöffnung, durch die das Abtastlicht läuft, aufweist, getragen werden.
Verfahren nach Anspruch 8, bei dem das Beleuchtungslicht, durch das das Retikel und das lichttransmittierende Bauglied beleuchtet werden, eine Querschnittsfläche einer rechtwinkligen Bandform aufweist.
Verfahren nach Anspruch 8, bei dem sich das Retikel hinsichtlich des Beleuchtungslichts vertikal bewegt und sich der Wafer in einer entgegengesetzten Richtung zu dem Retikel bewegt, um das Bild, das dem Projektionsmuster entspricht, auf den Wafer zu übertragen, während die Mehrzahl von Belichtungsstempelbereichen mit dem Projektionslicht belichtet wird.
Verfahren nach Anspruch 8, bei dem die Mehrzahl von Belichtungsstempelbereichen mit dem Projektionslicht außer Rand-Belichtungsstempelbereichen, die benachbart zu dem Randabschnitt des Wafers sind, belichtet werden, wenn jeder der Mehrzahl von Belichtungsstempelbereichen im Wesentlichen identisch zu jedem der Chipbereiche ist.
Verfahren nach Anspruch 8, bei dem die Mehrzahl von Belichtungsstempelbereichen mit dem Projektionslicht vollständig belichtet wird, wenn jeder der Mehrzahl von Belichtungsstempelbereichen eine Mehrzahl von Chipbereichen aufweist.
Verfahren nach Anspruch 8, bei dem der Randabschnitt des Wafers im Wesentlichen einen Randabschnitt des Photoresist-Films aufweist.
Retikel zum Belichten eines Wafers mit Licht, mit: einer ersten Region, die ein Bildmuster, das durch ein Beleuchtungslicht bestrahlt wird, aufweist, wobei ein Bild, das dem Bildmuster entspricht, auf eine Mehrzahl von Belichtungsstempelbereichen übertragen wird, und wobei jeder der Mehrzahl von Belichtungsstempelbereichen mindestens einen Chipbereich aufweist, der an dem Wafer, an dem ein Photoresist-Film gebildet ist, definiert ist; und einer zweiten Region zum Belichten von Chipbereichen, die benachbart zu Randabschnitten des Wafers sind, mit Beleuchtungslicht, wobei die zweite Region benachbart zu der ersten Region angeordnet ist.
Retikel nach Anspruch 16, bei dem die zweite Region ein zweites Bildmuster zum Bilden eines lichttransmittierenden Bereichs mit einer Bandform aufweist.
Retikel-Aufbau zum Belichten eines Wafers mit Licht, mit: einem Retikel, das ein Projektionsmuster aufweist, zum Übertragen eines Bilds auf eine Mehrzahl von Belichtungsstempelbereichen unter Verwendung eines Beleuchtungslichts, wobei jeder der Mehrzahl von Belichtungsstempelbereichen mindestens einen Chipbereich aufweist, der an dem Wafer, an dem ein Photoresist-Film gebildet ist, definiert ist; einem lichttransmittierenden Bauglied, das benachbart zu dem Retikel angeordnet ist, wobei das lichttransmittierende Bauglied einen lichttransmittierenden Bereich zum Belichten des mindestens einen Chipbereichs, der benachbart zu einem Randabschnitt des Wafers ist, mit einem Beleuchtungslicht aufweist; und einem Tisch zum Tragen des Retikels und des lichttransmittierenden Bauglieds.
Retikel-Aufbau nach Anspruch 18, bei dem der lichttransmittierende Bereich eine rechtwinklige Bandform aufweist.
Retikel-Aufbau nach Anspruch 19, bei dem das lichttransmittierende Bauglied ein Substrat, das ein lichttransmittierendes Material aufweist, und ein Muster zum Bilden des lichttransmittierenden Bereichs an dem Substrat aufweist.
Retikel-Aufbau nach Anspruch 18, bei dem der Tisch eine Hauptöffnung, durch die das Beleuchtungslicht läuft, nachdem dasselbe durch das Retikel gelaufen ist, und eine Nebenöffnung, durch die das Beleuchtungslicht läuft, nachdem dasselbe durch das lichttransmittierende Bauglied gelaufen ist, aufweist.
Retikel-Aufbau nach Anspruch 21, der ferner einen ersten und einen zweiten Halter zum jeweiligen Halten des Retikels und des lichttransmittierenden Bauglieds unter Verwendung eines Vakuums aufweist, wobei der erste und der zweite Halter an einem Umfangsabschnitt von jeweils der Hauptöffnung und der Nebenöffnung angeordnet sind.
Retikel-Aufbau nach Anspruch 21, der ferner einen Retikel-Halter zum Halten des Retikels unter Verwendung eines Vakuums aufweist, wobei der Retikel-Halter an einem Umfangsabschnitt der Hauptöffnung angeordnet ist.
Retikel-Aufbau nach Anspruch 23, bei dem das lichttransmittierende Bauglied mit einem Umfangsabschnitt der Nebenöffnung zum Bedecken der Nebenöffnung in Eingriff ist.
Retikel-Aufbau nach Anspruch 24, bei dem das lichttransmittierende Bauglied eine rechtwinklige Plattenform und einen Schlitz in derselben, durch den das Beleuchtungslicht läuft, aufweist.
Retikel-Aufbau nach Anspruch 18, bei dem das Retikel und das lichttransmittierende Bauglied eine einstückig gebildete Struktur sind.
Retikel-Aufbau nach Anspruch 26, bei dem der Tisch einen Öffnungsabschnitt aufweist, durch den das Beleuchtungslicht läuft, nachdem dasselbe durch das Retikel und das lichttransmittierende Bauglied gelaufen ist.
Retikel-Aufbau nach Anspruch 27, der ferner einen Halter zum Halten des Retikels und des lichttransmittierenden Bauglieds unter Verwendung eines Vakuums aufweist, wobei der Halter an einem Umfangsabschnitt des Öffnungsabschnitts angeordnet ist.
Vorrichtung zum Belichten eines Wafers, mit: einer Lichtquelle zum Erzeugen eines Lichts; einem Retikel, das eine erste Region, die ein Bildmuster, das durch das Licht bestrahlt wird, aufweist, wobei ein Bild, das dem Bildmuster entspricht, auf eine Mehrzahl von Belichtungsstempelbereichen, die mindestens einen Chipbereich aufweisen, der an dem Wafer, an dem ein Photoresist-Film gebildet ist, definiert ist, übertragen wird, und eine zweite Region zum Belichten von Chipbereichen, die benachbart zu Randabschnitten des Wafers sind, unter Verwendung des Lichts aufweist, wobei die zweite Region benachbart zu der ersten Region angeordnet ist; einem Retikel-Tisch zum Tragen des Retikels; einer Beleuchtungseinheit zum Beleuchten des Retikels unter Verwendung des Lichts; einer Projektionseinheit zum Projizieren des Lichts, das durch das Retikel gelaufen ist, auf den Wafer; und einem Wafer-Tisch zum Tragen des Wafers.
Vorrichtung nach Anspruch 29, bei der die zweite Region ein zweites Bildmuster zum Bilden eines lichttransmittierenden Bereichs mit einer Bandform aufweist.
Vorrichtung nach Anspruch 29, bei der der Retikel-Tisch einen Öffnungsabschnitt, durch den das Beleuchtungslicht läuft, nachdem dasselbe durch die erste Region und die zweite Region gelaufen ist, aufweist.
Vorrichtung nach Anspruch 31, die ferner einen Halter zum Halten des Retikels unter Verwendung eines Vakuums aufweist, wobei der Halter an einem Umfangsabschnitt des Öffnungsabschnitts angeordnet ist.
Vorrichtung zum Belichten eines Wafers, mit: einer Lichtquelle zum Erzeugen von Licht; einem Retikel-Aufbau, der ein Retikel mit einem Muster zum Übertragen eines Bilds auf eine Mehrzahl von Belichtungsstempelbereichen unter Verwendung des Lichts, wobei jeder der Mehrzahl von Belichtungsstempelbereichen mindestens einen Chipbereich aufweist, der an dem Wafer, an dem ein Photoresist-Film ge bildet ist, definiert ist, ein lichttransmittierendes Bauglied, das einen lichttransmittierenden Bereich zum Belichten von Chipbereichen, die benachbart zu einem Randabschnitt des Wafers sind, unter Verwendung des Lichts aufweist, wobei das lichttransmittierende Bauglied benachbart zu dem Retikel angeordnet ist, und einen Retikel-Tisch zum Tragen des Retikels und des lichttransmittierenden Bauglieds aufweist; einer Beleuchtungseinheit zum Beleuchten des Retikels und des lichttransmittierenden Bauglieds unter Verwendung des Lichts; einer Projektionseinheit zum Projizieren des Lichts, das durch das Retikel und das lichttransmittierende Bauglied gelaufen ist, auf den Wafer; und einem Wafer-Tisch zum Tragen des Wafers.
Vorrichtung nach Anspruch 33, bei der der lichttransmittierende Bereich eine rechtwinklige Bandform aufweist.
Vorrichtung nach Anspruch 33, bei der das lichttransmittierende Bauglied ein Substrat, das ein lichttransmittierendes Material aufweist, und ein Muster zum Bilden des lichttransmittierenden Bereichs an dem Substrat aufweist.
Vorrichtung nach Anspruch 33, die ferner eine Antriebseinheit zum vertikalen Bewegen des Wafers hinsichtlich einer Lichtachse des Beleuchtungslichts aufweist, derart, dass die Chipbereiche durch das Licht, das durch das lichttransmittierende Bauglied gelaufen ist, abgetastet werden, während Chipbereiche, die benachbart zu dem Randabschnitt des Wafers sind, belichtet werden.
Vorrichtung nach Anspruch 33, bei der der Retikel-Tisch eine Hauptöffnung, durch die das Licht läuft, nachdem dasselbe durch das Retikel gelaufen ist, und eine Nebenöffnung, durch die das Licht läuft, nachdem dasselbe durch das lichttransmittierende Bauglied gelaufen ist, aufweist.
Vorrichtung nach Anspruch 37, die ferner einen ersten Halter und einen zweiten Halter zum jeweiligen Halten des Retikels und des lichttransmittierenden Bauglieds unter Verwendung eines Vakuums aufweist, wobei der erste und der zweite Halter an einem Umfangsabschnitt von jeweils der Hauptöffnung und der Nebenöffnung angeordnet sind.
Vorrichtung nach Anspruch 37, die ferner einen Retikel-Halter zum Halten des Retikels unter Verwendung eines Vakuums aufweist, wobei der Retikel-Halter an einem Umfangsabschnitt der Hauptöffnung angeordnet ist.
Vorrichtung nach Anspruch 39, bei der das lichttransmittierende Bauglied mit einem Umfangsabschnitt der Nebenöffnung zum Bedecken der Nebenöffnung in Eingriff ist.
Vorrichtung nach Anspruch 40, bei der das lichttransmittierende Bauglied eine rechtwinklige Plattenform und einen Schlitz in demselben, durch den das Licht läuft, aufweist.
Vorrichtung nach Anspruch 33, die ferner eine erste Antriebseinheit zum Antreiben des Retikels in einer horizontalen Richtung und eine zweite Antriebseinheit zum Antreiben des Wafers in einer entgegengesetzten Richtung zu dem Retikel, während das Bild auf eine Mehrzahl von Belichtungsstempelbereichen übertragen wird, aufweist.