-
Ausführungsbeispiele
der Erfindung beziehen sich auf Lithographie.
-
Lithographie
wird verwendet zum Belichten eines oder mehrere Bereiche auf einem
Substrat mit einem Strahl zum Definieren einer oder mehrerer gewünschter
Strukturen in dem belichteten Bereich.
-
Es
ist die Aufgabe der vorliegenden Erfindung, ein Verfahren zum Belichten
eines Bereichs auf einem Substrat mit einem Strahl, ein Computerprogramm,
ein Verfahren zum Herstellen von zumindest zwei Messpunkten in einem
Fokusbelichtungsfeld einer Fokusbelichtungsmatrix, ein Computerprogramm
mit maschinenlesbaren Befehlen, sowie ein photolithographisches
System mit verbesserten Charakteristika zu schaffen.
-
Die
Aufgabe wird gelöst
durch die Merkmale der unabhängigen
Ansprüche.
Weiterbildungen finden sich in den abhängigen Ansprüchen.
-
Bevorzugte
Ausführungsbeispiele
der vorliegenden Erfindung werden nachfolgend Bezug nehmend auf
die beiliegenden Zeichnungen näher
erläutert.
Es zeigen:
-
1 ein
Flussdiagramm eines Verfahrens zum Belichten eines Bereichs auf
einem Substrat mit einem Strahl gemäß einem Ausführungsbeispiel
der Erfindung;
-
2 ein
weiteres Flussdiagramm eines Verfahrens zum Belichten eines Bereichs
auf einem Substrat mit einem Strahl gemäß einem weiteren Ausführungsbeispiel
der Erfindung;
-
3a eine
schematische Zeichnung zum Einstellen eines Fokusversatzes für einen
photolithographischen Strahl auf einem Bereich eines Wafers, und
Modulieren des Fokusversatzes des photolithographischen Strahls
durch Neigen des photolithographischen Strahls bezüglich der
Oberflächennormalen des
Wafers;
-
3b eine
schematische Vergrößerung eines
belichteten Bereichs auf dem Wafer gemäß 3a mit
jeweils eingestellten und modulierten Fokusversätzen,
-
4a ein
Diagramm eines herkömmlichen Lösungsansatzes
zum Einstellen eines Fokusversatzes für Fokusbelichtungsfelder einer
Fokusbelichtungsmatrix auf einem Wafer;
-
4b eine
Waferkarte mit einer Mehrzahl von Fokusbelichtungsfeldern einer
Fokusbelichtungsmatrix, die auf herkömmliche Weise belichtet wird;
-
4c schematisch
ein herkömmliches
Resistprofil in X-Richtung der Waferkarte;
-
4d schematisch
ein herkömmliches
Resistprofil in Y-Richtung einer Waferkarte;
-
5a ein
Diagramm eines fortlaufenden Fokusversatzes, der moduliert wird
durch Fokusneigung in Y-Richtung gemäß einem Ausführungsbeispiel
der Erfindung;
-
5b eine
jeweilige Waferkarte mit einer Mehrzahl von Fokusbelichtungsfeldern,
wobei die Fokusbelichtungsfelder eine Mehrzahl von Messpunkten umfassen;
-
5c das
Resistprofil in X-Richtung gemäß einem
Ausführungsbeispiel
der Erfindung;
-
5d schematisch
das Resistprofil in Y-Richtung, verursacht durch Neigen des Fokus
in Y-Richtung gemäß einem
Ausführungsbeispiel
der Erfindung;
-
6 eine
weitere Waferkarte mit einer Mehrzahl von Fokusbelichtungsfeldern
gemäß einem Ausführungsbeispiel
der Erfindung;
-
7 eine
schematische Zeichnung eines photolithographischen Systems zum Belichten
eines Bereichs auf einem Substrat mit einem Strahl gemäß einem
Ausführungsbeispiel
der Erfindung.
-
Mit
Bezugnahme auf die angehängten 1 bis 7 werden
Ausführungsbeispiele
und Erklärungen
gegeben, die sich auf ein Verfahren zum Belichten eines Bereichs
auf einem Substrat mit einem Strahl, auf ein photolithographisches
System und Computerprogramme zum Durchführen desselben beziehen.
-
Ausführungsbeispiele
gemäß der Erfindung beziehen
sich auf ein Verfahren zum Belichten eines Bereichs auf einem Substrat
mit einem Strahl bzw. ein Verfahren zum Aussetzen eines Bereichs
auf einem Substrat gegenüber
einem Strahl. Solch ein Strahl kann ein photolithographischer Strahl
sein, der in einem Halbleiterherstellungsprozess verwendet wird.
Der photolithographische Strahl kann ein Partikelstrahl sein, der
beispielsweise Atome, Inne, Elektronen, Neutronen oder Protonen
umfasst, oder eine elektromagnetische Strahlung, beispielsweise
in dem sichtbaren, ultravioletten oder Röntgen-Spektralbereich. Der
Bereich auf einem Substrat kann beispielsweise ein Fokusbelichtungsfeld
einer Fokusbelichtungsmatrix (FEM; FEM = focus exposure matrix)
auf einem Wafer sein. Der Bereich kann messbare Strukturen oder
Messpunkte umfassen. Solche Strukturen oder Messpunkte können kritische
Abmessungen (CD; CD = critical dimensions) für einen photolithographischen
Prozess umfassen. Um solch einen photolithographischen Prozess zu
optimieren, kann ein Wafer mehrere Fokusbelichtungsfelder umfassen,
wobei ein Photoresist auf dem Wafer unter variierenden Belichtungsbedingungen
belichtet wird. Die Belichtung des Photoresists kann ein kritischer Schritt
sein zum Erhalten gut definierter Strukturen für integrierte Schaltungen oder
Halbleiterbauelemente auf einem Wafer. Um ein optimiertes Bild einer Struktur
oder elektrischen Schaltung auf dem Wafer zu empfangen, müssen eine
exakte Dosis und ein exakter Fokus gewählt und eingestellt werden.
Die Dosis kann von der Belichtungszeit für den Bereich auf dem Substrat
abhängen,
der zu belichten ist, und von der Intensität des angelegten Strahls. Durch
systematisches Modifizieren solcher Parameter kann eine optimierte
Einstellung für
einen photolithographischen Prozess erreicht werden. Die Qualität einer solchen
einstellbaren photolithographischen Prozesseinstellung kann daher
von der Qualität
der Fokusbelichtungsmatrix abhängen.
Die Qualität
der Fokusbelichtungsmatrix (FEM) hängt von einer Anzahl von Fokusbelichtungsfeldern
pro Wafer mit variierenden Fokus/Dosiswerten ab. Für große Belichtungsfelder ist
eine solche Fokusbelichtungsmatrixanalyse begrenzt und erfordert
häufig
mehr als einen Wafer. Das Verwenden von mehreren Wafer bedeutet
das Verwenden von mehr Herstellungsressourcen, wie z. B. Resist
(Photoresist), Werkzeugzeit, Messzeit, die alle durch Einführen ausreichender
Fokusbelichtungsanalyse von einem einzelnen oder einer reduzierten Anzahl
von Wafer eingespart werden könnten.
Anders ausgedrückt,
es gibt einen Bedarf, die Belichtung einer solchen Fokusbelichtungsmatrix
zu optimieren, um optimierte Fokus/Dosiswerte eines photolithographischen
Prozesses zu bestimmen. Ein photolithographisches System kann kalibriert
werden durch Einstellen solcher optimierter Fokus/Dosiswerte, die
bestimmt werden durch gemessene und jeweilige berechnete Einstellungen
von einer Fokusbelichtungsmatrix. Als Folge kann der photolithographische Prozess
und somit die Qualität
der Halbleiterbauelemente, die herzustellen sind, verbessert werden.
-
1 zeigt
ein Flussdiagramm eines Verfahrens zum Belichten eines Bereichs
auf einem Substrat mit einem Strahl gemäß einem Ausführungsbeispiel
der Erfindung. Das Verfahren umfasst das Einstellen 10 eines
Fokusversatzes des Strahls bezüglich
eines Bereichs des Substrats. Das Verfahren umfasst auch das Neigen 15 des
Strahls oder das Neigen des Substrats, und das Belichten 18 des
Bereichs des Substrats mit dem Strahl, wodurch Positionen innerhalb
des Bereichs erzeugt werden, die mit unterschiedlichen Fokussen
belichtet sind.
-
Der
Bereich auf einem Substrat kann das oben erwähnte Fokusbelichtungsfeld einer
FEM auf einem Wafer sein. Der Wafer kann mit einem Photoresist bedeckt
sein, und ein solches Fokusbelichtungsfeld kann eine Mehrzahl von
Strukturen umfassen, die photolithographisch übertragen werden mit einem
photolithographischen Strahl eines photolithographischen Systems.
Eine solche Struktur oder ein solcher Messpunkt kann übertragen
werden auf den Bereich durch Positionieren einer Maske mit einem Bild
der Struktur in dem photolithographischen Strahl, so dass während des
Belichtens 18 ein positives oder negatives Bild der Struktur
auf den Bereich auf dem Substrat übertragen wird. Das photolithographische
System kann ein System sein, das für Halbleiterverarbeitung verwendet
wird, und daher kann der photolithographische Strahl elektromagnetische Strahlung
in dem sichtbaren, ultravioletten oder Röntgen-Spektralbereich umfassen.
Es ist auch möglich,
dass der Strahl des photolithographischen Systems eine photolithographische
Strahlquelle zum Emittieren von Elektronen, Protonen, Neutronen, Atomen
oder Ionen umfasst, um einen Bereich auf dem Substrat zu strukturieren
oder zu belichten. Es kann eine Maske mit einem Muster oder einer
Struktur, die zwischen der photolithographischen Strahlquelle und
dem Substrat positioniert ist, geben, so dass das Muster oder die
Struktur während
des Belichtens photolithographisch auf das Substrat übertragen
wird. Das Substrat kann mit einem negativen oder positiven Photoresist
bedeckt sein. Aber es ist auch möglich,
dass das Substrat Strukturen oder Muster umfasst, die direkt dem
Strahl ausgesetzt werden können.
Das Substrat kann beispielsweise ein Halbleiterwafer oder Glaswafer
sein.
-
Das
Einstellen 10 eines Fokusversatzes des photolithographischen
Strahls kann bezüglich
des Bereichs des Substrats durchgeführt werden. Das heißt der Bereich
kann beispielsweise mit einem Photoresist bedeckt sein, und der
Fokusversatz kann bezüglich
der Oberfläche
des Photoresists eingestellt werden. Der Fokusversatz kann eingestellt
werden, so dass der Fokus des Strahls über der Oberfläche des
Photoresists der Photoresistschicht, auf der Oberfläche der
Photoresistschicht oder in der Photoresistschicht liegt. Das heißt, der Fokusversatz
kann variiert werden, so dass der Fokus absichtlich defokussiert
wird und damit variiert wird. Als Folge können Strukturen oder Muster,
die auf dem Bereich mit variierenden Fokusversätzen angeordnet sind, nach dem
Entwickeln des Photoresists unterschiedliche Abmessungen für identische
kritische Maskenstrukturen umfassen.
-
Bisher
wird zum Belichten einer Fokusbelichtungsmatrix nur ein Fokuswert
pro Fokusbelichtungsfeld eingestellt. Der Bereich auf einem Substrat,
bzw. das Fokusbelichtungsfeld, kann durch das Belichtungsfeld definiert
werden, d. h. den Bereich, der während
eines photolithographischen Belichtungsschusses belichtet werden
kann. Durch Neigen entweder des Strahls oder des Substrats können zumindest
zwei unterschiedliche Fokusse des Strahls in dem Bereich auf dem
Substrat eingestellt werden. Das heißt, ein eingestellter Fokusversatz
kann moduliert werden durch Neigen des Strahls bezüglich beispielsweise
der Oberflächennormalen
des Bereichs oder durch Neigen des Substrats bezüglich des senkrecht einfallenden
Strahls. Der Fokusversatz kann moduliert werden durch Neigen und
dadurch kann die Anzahl unterschiedlicher Fokusse des photolithographischen
Strahls in dem Bereich auf dem Substrat variiert werden. Abhängig von
dem Neigen 15 kann eine fortlaufende Fokusversatzmodulation
in dem Bereich erreicht werden. Das heißt, innerhalb eines bestimmten
Fokuswertbereichs kann eine fortlaufende Verteilung von Fokussen
für den
photolithographischen Strahl des photolithographischen Systems in dem
Bereich auf dem Substrat erzeugt werden. Im Vergleich zu einem herkömmlichen
Verfahren zum Belichten eines solchen Fokusbelichtungsfelds können mehrere
Messpunkte pro Fokusbelichtungsfeld erzeugt werden. Bei einem herkömmlichen
Verfahren zum Belichten einer Fokusbelichtungsmatrix auf einem Wafer
kann nur ein fester eingestellter Fokuswert pro Fokusbelichtungsfeld
erhalten werden.
-
Das
Belichten 18 des Bereichs auf dem Substrat mit dem photolithographischen
Strahl kann während
einer voreingestellten Belichtungszeitperiode durchgeführt werden.
Nach dem Belichten des Bereichs auf dem Substrat umfasst der Bereich
zumindest zwei Positionen, die mit zumindest zwei unterschiedlichen
Fokussen auf dem photolithographischen Strahl belichtet sind. Im
Vergleich zu einem herkömmlichen
Lösungsansatz,
wo nur ein einzelner Fokusversatz pro Fokusbelichtungsfeld und somit nur
ein Fokuswert eingestellt werden kann, kann mit einem Verfahren
gemäß Ausführungsbeispielen
der Erfindung die Anzahl einzelner Fokuswerte und somit der Messpunkte
zum Optimieren eines photolithographischen Prozesses erhöht werden.
Wie es oben erwähnt
wurde, kann der belichtete Bereich auf dem Substrat einen fortlaufenden
Bereich von Fokussen umfassen, aufgrund der Modulation des photolithographischen
Strahls. Somit kann eine Mehrzahl von Messpunkten erhalten werden
zum Optimieren eines photolithographischen Prozesses. Die Erfindung kann
daher einen neuartigen Lösungsansatz
verwenden zum Belichten einer Fokusbelichtungsmatrix durch Verwenden
bestehender Belichtungswerkzeugsoptionen eines photolithographischen
Systems. Mit dem Verfahren, das in Ausführungsbeispielen der Erfindung
beschrieben ist, ist es möglich,
einen fortlaufenden Fokusversatz über einen Wafer zu haben, um
mehr Fokusversatzmessungen zu ermöglichen als eine Anzahl von
Belichtungsfeldern des Wafers.
-
Die
Anzahl von Messpunkten kann erhöht werden
und daher können
mehr Messungen durchgeführt
werden. Die Analyse solcher Messungen kann manuell oder durch automatische
Werkzeuge durchgeführt
werden, beispielsweise optische Scanner, die optisch kritische Abmessungen
der photoithographisch übertragenen
Strukturen in den Fokusbelichtungsfeldern nach dem Entwickeln des
Wafers messen. Durch Auswerten der belichteten Strukturen können wichtige
Belichtungsparameter optimiert und/oder an bestimmte Bedürfnisse
für die
Herstellung einer integrierten Schaltung oder eines Halbleiterbauelements
angepasst werden. Die zu messenden Strukturen können in dem Schlitz eines Chips angeordnet
sein und können
als Schlitzstrukturen bezeichnet werden.
-
Die
erhöhte
Anzahl von Messpunkten kann erreicht werden durch wesentliches Modulieren
des Fokusversatzes durch Fokusneigen. Das Neigen kann durchgeführt werden
durch Neigen des photolithographischen Strahls bezüglich des
Bereichs oder durch Neigen der Fokusbelichtungsmatrix bezüglich des
einfallenden photolithographischen Strahls. Beispielsweise können durch
Berücksichtigen
von sechs vollen Belichtungsfeldern über einem Wafer in einem herkömmlichen
Fokusbelichtungsmatrixslösungsansatz
nur sechs einzelne Fokusversatzwerte bereitgestellt werden. Für jedes
Fokusbelichtungsfeld wird ein fester Fokusversatz eingestellt. Durch
Belichten der Fokusbelichtungsmatrix auf eine Weise, wie sie in
Ausführungsbeispielen
der Erfindung beschrieben ist, kann jedoch ein fortlaufender Fokusversatz
erreicht werden, und somit ist die Anzahl von messbaren Fokusversatzwerten
erhöht.
Die Anzahl von messbaren Fokusversatzwerten kann nur begrenzt werden
durch die Anzahl von Messstrukturen oder Messpunkten pro Fokusbelichtungsfeld.
Ein Fokusbelichtungsfeld einer FEM kann eine Mehrzahl von zu messenden
Strukturen umfassen, so dass die Anzahl von möglichen Messpunkten nur begrenzt
wird durch die Anzahl von Messstrukturen, die während des Belichtens auf demselben
abgebildet werden.
-
Das
Belichten 18 kann durchgeführt werden mit einer voreingestellten
Dosis des Strahls. Die Dosis kann von der Intensität des Strahls
und von der Belichtungszeit oder Belich tungszeitperiode abhängen. Die
Dosis für
eine Belichtung kann die Intensität des Strahls multipliziert
mit der Belichtungszeit sein.
-
Gemäß einem
weiteren Ausführungsbeispiel der
Erfindung kann das Verfahren das Einstellen einer Dosis zum Belichten 18 des
Bereichs des Substrats mit dem photolithographischen Strahl umfassen. Die
Einstellung der Belichtungszeit kann durchgeführt werden, bevor die Belichtung
des Bereichs auf dem Substrat durchgeführt wird. Durch Einstellen
einer gut definierten Dosis wird der Bereich des Substrats, der
mit Photoresist bedeckt sein kann, während einer gut definierten
Zeitperiode einem photolithographischen Strahl einer gut definierten
Intensität
ausgesetzt. Dies kann praktisch erreicht werden durch Öffnen einer
Blende, die zwischen einer Photolithographischer-Strahl-Quelle und
dem Bereich auf dem Substrat in dem Strahlenweg des Strahls angeordnet sein
kann, so dass während
einer eingestellten Belichtungszeit, der photolithographische Strahl
den Bereich belichten kann und während
einer anderen Zeit der photolithographische Strahl durch die Blende blockiert
sein kann. Bei einem anderen Ausführungsbeispiel wird die Einstellung
der Belichtungszeit nur durchgeführt
durch Einschalten der Photolithographischer-Strahl-Quelle während der
Belichtungszeit.
-
2 zeigt
ein weiteres Flussdiagramm eines Verfahrens zum Belichten eines
Bereichs auf einem Substrat mit einem photolithographischen Strahl eines
photolithographischen Systems. Das Verfahren kann ferner das Positionieren 5 einer
Maske mit einem Strukturbild oder einem Muster in den photolithographischen
Strahl umfassen, so dass ein positives oder negatives Bild der Struktur
oder des Musters während
des Belichtens 18 auf den Bereich auf dem Substrat übertragen
wird. Das Verfahren kann auch das Aufbringen 8 eines positiven
oder negativen Photoresists auf das zu belichtende Substrat umfassen.
Das Aufbringen 8 kann durchgeführt werden, so dass der Bereich
auf dem Substrat Photoresist umfasst, vor dem Einstellen eines Fokusversatzes und
dem Belichten desselben mit dem photolithographischen Strahl. Nach
dem Aufbringen eines Photoresists auf dem Substrat, beispielsweise
auf einem Halbleiterwafer, kann ein Fokusversatz für den photolithographischen
Strahl eingestellt werden bezüglich
der Oberfläche
des Photoresists auf dem Wafer. Der zu belichtende Bereich kann
in diesem Fall der Photoresistbereich auf dem Substrat sein. Der
Fokusversatz und ein Neigungswinkel können beispielsweise eingestellt
werden bezüglich
der Oberfläche
dieses Photoresists auf dem Wafer. Nach oder vor dem Einstellen
eines Fokusversatzes, wie es oben beschrieben ist, kann der Fokusversatz
erneut moduliert werden 15 durch Neigen des photolithographischen
Strahls oder durch Neigen des Bereichs auf dem Substrat bezüglich des
einfallenden photolithographischen Strahls. Anders ausgedrückt, ein
Neigungswinkel kann eingestellt werden, so dass der Strahl und der
Bereich auf dem Substrat zueinander einen Neigungswinkel umfassen,
der sich von 90° unterscheidet.
Das Verfahren kann ferner das Einstellen 16 einer Dosis
zum Belichten des Bereichs auf dem Substrat umfassen. Für ein bestimmtes
Belichtungsfeld kann eine bestimmte Belichtungsdosis eingestellt
werden. Das Einstellen einer Dosis kann durchgeführt werden vor dem Belichten
des Bereichs des Substrats mit dem photolithographischen Strahl. Durch
Belichten des Bereichs auf dem Substrat mit dem Strahl werden Orte
innerhalb des Bereichs erzeugt, die mit unterschiedlichen Fokussen
belichtet werden. Es kann zumindest zwei Positionen innerhalb des
Bereichs geben, die mit zumindest zwei unterschiedlichen Fokussen
belichtet werden.
-
Das
Verfahren kann ferner das Entwickeln 20 des Photoresists
auf dem Bereich auf dem Substrat mit den Positionen umfassen, die
mit unterschiedlichen Fokussen belichtet sind. Das heißt, nach
dem Entwickeln des Bereichs auf dem Substrat, der auf die oben beschriebene
Weise belichtet wird, kann der entwickelte Bereich zumindest zwei
Messpunkte auf einer Struktur umfassen, die photolithographisch übertragen
ist. Die Strukturen können
kritische Abmessungen mit unterschiedlichen Abmessungen umfassen,
obwohl die kritischen Abmessungen auf dem Maskenstrukturbild identisch
sind. Unter anderem können
sich aufgrund der unterschiedlichen Fokusse für den photolithographischen
Strahl die tatsächlichen
Abmessungen der entwickelten Strukturen auf dem Wafer unterscheiden.
Für einen
gewünschten Wert
für eine
kritische Abmessung in einer integrierten Schaltung können die
genauen Fokus/Dosisbedingungen für
den jeweiligen photolithographischen Prozess dann von den gemessenen
variierenden Abmessungen der entwickelten Strukturen berechnet werden.
Die Reihenfolge des Positionierens 5, Aufbringens 8,
Einstellens 10 eines Fokusversatzes, Neigen 15 und
Einstellens einer Dosis 16 kann sich bei anderen Ausführungsbeispielen
von dem in 2 dargestellten Flussdiagramm
unterscheiden.
-
Abhängig davon,
ob der Photoresist auf dem Bereich des Substrats ein positiver oder
ein negativer Photoresist ist, werden die belichteten Bereiche oder die
unbelichteten Bereiche während
des Entwickelns 20 entfernt. Das Entwickeln 20 kann
durchgeführt werden
durch herkömmliche
Mittel innerhalb einer chemischen Reaktion. Abhängig von den genauen Belichtungsbedingungen
kann das Photoresist mehr oder weniger widerstandsfähig gegenüber einer
chemischen Reaktion sein, und daher können kritische Abmessungen
der Struktur, die mit unterschiedlichen Fokussen belichtet wird,
im Vergleich zueinander unterschiedliche Abmessungen umfassen. Ferner
kann das Verfahren das Messen 23 der Abmessungen der übertragenen
Struktur an Positionen der unterschiedlichen Fokusse umfassen, und
das Bestimmen 24 eines gewünschten Fokus für einen
nachfolgenden Herstellungsprozess auf der Basis eines Vergleichs der
gemessenen Abmessungen mit einer vordefinierten Abmessung.
-
Gemäß einem
Ausführungsbeispiel
kann das Verfahren wiederholt werden 19, um zumindest einen
zweiten Bereich auf dem Substrat zu belichten. Für die Wiederholung kann zumindest
die Neigung des photolithographischen Strahls oder die Neigung des
Substrats mit dem Bereich auf dem Substrat modifiziert werden. Der
Bereich auf dem Substrat kann ein Fokusbelichtungsfeld einer FEM
auf einem Wafer sein, und daher kann ein Neigungswinkel des photolithographischen
Strahls oder ein Neigungswinkel des Substrats modifiziert werden
im Vergleich zu einem zweiten Fokusbelichtungsfeld gemäß einem Ausführungsbeispiel
der Erfindung. Außerdem
kann das zweite Fokusbelichtungsfeld einen anderen Fokusversatz
und/oder eine Einstellung für
eine andere Dosis umfassen. Anders ausgedrückt, ein Substrat kann einen
zweiten zu belichtenden Bereich umfassen; wobei das Einstellen 10,
das Neigen 15 und das Belichten 18 für den zweiten
Bereich wiederholt wird, wobei entweder der Fokusversatz oder der
Neigungswinkel modifiziert wird im Vergleich zum Belichten eines
ersten Bereichs auf dem Substrat. Bei einem weiteren Ausführungsbeispiel
können
unterschiedliche Dosen für
den Strahl zum Belichten des ersten und des zweiten Bereichs eingestellt
werden.
-
Gemäß Ausführungsbeispielen
der Erfindung kann das Neigen des Fokusversatzes durchgeführt werden
durch modulares Einstellen des photolithographischen Strahls und
des Bereichs auf dem Substrat, so dass sich ein Neigungswinkel zwischen dem
photolithographischen Strahl und der Oberfläche des Bereichs von 90° unterscheidet.
Mit Bezugnahme auf Ausführungsbeispiele
der Erfindung kann das Modulieren des Fokusversatzes das Neigen
des photolithographischen Strahls relativ zu der Oberfläche des
Bereichs oder das Neigen des Substrats relativ zu dem einfallenden
photolithographischen Strahl bedeuten. Bei Ausführungsbeispielen kann ein Neigungswinkel
zwischen dem photolithographischen Strahl und der Oberfläche des
Bereichs auf dem Substrat ohne Neigen des photolithographischen
Strahls oder ohne Neigen des Substrats des Substrats 90° umfassen.
-
Bei
einem anderen Ausführungsbeispiel
der Erfindung wird das Verfahren wiederholt, um zumindest einen
zweiten Bereich auf dem Substrat zu belichten, wobei zumindest entweder
der Fokusversatz, das Neigen des photolithographischen Strahls oder das
Neigen des Substrats und die Dosis modifiziert wird. Der Bereich
auf dem Substrat kann ein Fokusbelichtungsfeld auf einem Wafer sein,
das mit Photoresist bedeckt ist. Das Verfahren kann wiederholt werden,
um eine Mehrzahl von Fokusbelichtungsfeldern zu belichten, die Reihen
und Spalten auf dem Wafer angeordnet sind.
-
Durch
Modulieren des Fokusversatzes und Belichten des Bereichs auf dem
Substrat ist eine Anzahl von Positionen in dem Bereich auf dem Substrat, die
mit unterschiedlichen Fokussen belichtet werden, höher als
eine Anzahl von Positionen, die mit unterschiedlichen Fokussen belichtet
werden, ohne den Fokusversatz zu modulieren durch Neigen des photolithographischen
Strahls oder durch Neigen des Substrats während eines Belichtungsschusses.
Das bedeutet, die Anzahl von Positionen oder Messpunkten, die mit
unterschiedlichen Fokussen in einem Fokusbelichtungsfeld belichtet
werden, kann erhöht werden
durch Neigen des photolithographischen Strahls im Vergleich zu einem
herkömmlichen
Lösungsansatz,
wo ein Fokusbelichtungsfeld nur eine einzelne Fokuseinstellung umfasst.
Aus diesem Grund können
gemäß einem
Ausführungsbeispiel der
Erfindung mehr Messpunkte und daher detailliertere Informationen über einen
photolithographischen Prozess erhalten werden.
-
3a und 3b zeigen
schematisch das Neigen eines photolithographischen Strahls in einem Neigungswinkel α. In 3a ist
ein Wafer 30 mit einer Mehrzahl von Fokusbelichtungsfeldern 31,
die die Fokusbelichtungsmatrix 39 bilden, dargestellt. Der
Wafer kann in der XY-Ebene des Koordinatensystems angeordnet sein,
das in 3a dargestellt ist. Die Z-Koordinate
kann senkrecht zu dem Wafer 30 sein, z. B. parallel zu
dem einfallenden photolithographischen Strahl 32. Für eine bessere
Möglichkeit zum
Darstellen der Modulation des Fokusversatzes durch Neigen des photolithographischen
Strahls ist der Neigungswinkel α dargestellt,
und der geneigte photolithographische Strahl 33. Abhängig von
einem eingestellten Fokusversatz kann der jeweilige Fokus 32a, 32b und 32c durch
unterschiedliche Fokuspunkte 32a, 32b, 32c dargestellt
werden. Diese Fokuspunkte können
unterschiedliche Durchmesser umfassen. Bei diesem Ausführungsbeispiel
kann der einfallende photolithographische Strahl parallel zu der
Oberflächennormale
des Wafers 30 sein. Das heißt, die XY-Ebene mit dem Wafer
und dem einfallenden Strahl umfasst einen Winkel von 90°. Ein eingestellter
Fokusversatz kann nun moduliert werden, beispielsweise durch Neigen
des einfallenden photolithographischen Strahls, so dass der photolithographische
Strahl 33 einen Winkel bezüglich des Wafers umfasst, der
sich von 90° unterscheidet.
Der geneigte photolithographische Strahl kann auch eine kegelartige
Form 33' mit
modulierten Fokusversätzen 33a, 33b und 33c umfassen.
-
3b zeigt
eine schematische Vergrößerung des
Fokusbelichtungsfelds 31a von 3a. Entsprechend
den eingestellten Fokusversatzwerten 32a bis 32c kann
die Fokusbelichtungsmatrix drei unterschiedliche Fokuspunkte 32'a bis 32'c mit unterschiedlichen
Durchmessern umfassen. Durch Neigen des photolithographischen Strahls 33 kann
ein trapezförmiger
fortlaufender Bereich unterschiedlicher Fokusse erreicht werden.
Dies ist dargestellt durch die Trapeze 33'a, 33'b und 33'c, was den Fokusversatzwerten 33a bis 33c entspricht.
Anders ausgedrückt,
durch Neigen des photolithographischen Strahls für einen eingestellten Fokusversatz kann
eine fortlaufende Modulation des Fokus innerhalb des Fokusbelichtungsfelds
erreicht werden.
-
Es
sollte angemerkt werden, dass während eines
realen Belichtungsprozesses das gesamte Fokusbelichtungsfeld mit
einem Fokus belichtet wird, der dem eingestellten Fokusversatz entspricht.
Die Kreise und Trapeze sind in 3b lediglich
zu einer besseren Darstellung dargestellt.
-
4a bis 4d zeigen
ein herkömmliches
Verfahren zum Belichten eines Wafers mit einer Mehrzahl von Fokusbelichtungsfeldern,
um eine Fokusbelichtungsmatrix (FEM) zu bilden. Wie es in 4b dargestellt
ist, kann ein Wafer 30 eine Mehrzahl von Fokusbelichtungsfeldern 31 umfassen,
die in Reihen und Spalten angeordnet sind, und zusammen die FEM 39 bilden.
Eine Position eines bestimmten Fokusbelichtungsfelds ist gegeben
durch ihre entsprechende X und Y-Koordinaten (4b).
In einem herkömmlichen
Lösungsansatz
zum Belichten einer Fokusbelichtungsmatrix wird durch den jeweiligen
eingestellten Fokusversatz nur ein Fokuswert pro Fokusbelichtungsfeld
eingestellt. Dies ist in 4a schematisch
gezeigt. Der Fokusversatz wird für
ein Fokusbelichtungsfeld (X- oder Y-Feldposition) modifiziert. Ein Fokusversatz
für ein
bestimmtes Fokusbelichtungsmatrixfeld kann gegeben sein bezüglich der
Oberfläche
eines Photoresists auf dem Wafer. Mit diesem herkömmlichen
Lösungsansatz
kann nur eine Messung pro Belichtungsfeld 31 durchgeführt werden,
was mit den Messpunkten 40 dargestellt ist. Für eine zu
messende Struktur kann das Photoresistprofil in X- und Y-Richtung
(siehe 4c, 4d) identisch
sein. Das Resistprofil in X- und Y-Richtung kann eine trapezartige
Form umfassen.
-
5a bis 5d zeigen
ein Ausführungsbeispiel
gemäß der Erfindung.
Im Vergleich zu dem vorhergehenden herkömmlichen Verfahren (4a–d) kann
ein Fokusbelichtungsmatrixfeld 31 auf einem Wafer 30 gemäß einem
Ausführungsbeispiel
der Erfindung nun eine Mehrzahl von Messpunkten 40a bis 40c umfassen.
Bei diesem Ausführungsbeispiel
ist der Fokusversatz moduliert durch eine Fokusneigung in Y-Richtung,
so dass innerhalb eines Fokusbelichtungsmatrixfeldes 31 eine
Mehrzahl von Messpunkten 40a–40c hergestellt werden kann.
Falls das Verfahren wiederholt wird, und der Fokusversatz und/oder
die Neigung entsprechend modifiziert wird, kann ein fortlaufend
gleicher Fokusversatz über
die Fokusbelichtungsmatrix auf dem Wafer 30 erreicht werden.
Dies ist in 5a schematisch gezeigt in X-Richtung
der Waferkoordinate. Durch Neigen des Fokusversatzes in Y- Richtung kann das
Resistprofil zum Messen der Struktur erneut trapezartig sein, wie
es in 5c gezeigt ist, kann sich aber
durch den Fokusneigungs-Y-Effekt für das Resistprofil in Y-Richtung ändern (5d).
Als Folge des Neigens kann ein asymmetrisches Resistprofil in Y-Richtung
erreicht werden, basierend auf den unterschiedlichen Fokussen während der
Belichtung.
-
Die
in 6 dargestellte Waferkarte 60 stellt ein
weiteres Ausführungsbeispiel
gemäß der Erfindung
dar, wobei die Waferkarte 60 eine Mehrzahl von Fokusbelichtungsfeldern 31 umfasst,
die die Fokusbelichtungsmatrix 39 bilden. Diese Belichtungsfelder 31 sind
in Reihen und Spalten angeordnet. Die Koordinaten eines Fokusbelichtungsfeldes
sind durch die entsprechende X- und Y-Koordinate gegeben. Jedes Fokusbelichtungsfeld
kann eine Mehrzahl von Chips 62 umfassen, die an dem Rand
der Waferkarte 60 dargestellt sind. Jeder Chip kann mehrere
Strukturen umfassen, mit Abmessungen, die zu messen sind, oder elektrische
Schaltungen mit entsprechenden Strukturen, die zu messen sind. Bei
diesem Ausführungsbeispiel
wurde jedes Fokusbelichtungsmatrixfeld 31 belichtet durch
Variieren von zumindest einem der drei Parameter – der Dosis 63,
des Fokus 64 oder der Neigung 65 (hierin X-Richtung).
Die Fokusbelichtungsmatrix 31c wurde beispielsweise mit
einer Dosis von 23 (beliebige Einheit) belichtet. Der Fokusversatz
wird beispielsweise eingestellt auf –0,1 (in beliebigen Einheiten)
und die Neigung ist beispielsweise eingestellt auf –2 (in beliebigen
Einheiten). Gemäß Ausführungsbeispielen
der Erfindung ist es nun möglich,
im Gegensatz zu dem oben erwähnten
herkömmlichen
Lösungsansatz,
drei Belichtungsparameter pro Fokusbelichtungsfeld einer Fokusbelichtungsmatrix
zu modifizieren. Dies ist für
das Fokusbelichtungsmatrixfeld 31d dargestellt, das im
Vergleich zu dem Fokusbelichtungsfeld 31c drei modifizierte
Belichtungsparameter umfasst. Normalerweise sind Untersuchungen
in dem Fokusbelichtungsmatrixentwurf begrenzt durch Belichtungswerkzeugsoptionen. Übliche Belichtungswerkzeugsoptionen
sind begrenzt auf das Variieren von nur zwei Parametern innerhalb
einer Matrix – beispielsweise
Fokus und Belichtung oder Fokusneigung und Belichtung – etc. Gemäß dieser
Erfindung ist es möglich,
einen Bereich auf einem Substrat zu belichten, wobei drei Parameter
modifiziert werden.
-
Bei
einem weiteren Ausführungsbeispiel
der Erfindung kann ein Wafer eine Mehrzahl von Fokusbelichtungsfeldern
umfassen, wobei zumindest ein Fokusbelichtungsfeld zumindest zwei
Messpunkte mit unterschiedlichen Abmessungen für eine übertragene identische Maskenabmessung
umfasst, was anzeigt, dass die Fokusbelichtungsmatrix mit zumindest
zwei unterschiedlichen Fokussen eines photolithographischen Strahls
belichtet wurde. Ein Fokusbelichtungsfeld kann zumindest eine Struktur
umfassen, die beispielsweise von einer Maske photolithographisch übertragen
werden kann, und wobei die Struktur eine kritische Abmessung umfassen
kann, die von dem Maskenbild übertragen
wird, und wobei die Struktur zwei Messpunkte umfasst, wobei eine identische
kritische Maskenabmessung unterschiedliche Abmessungen umfasst.
-
Gemäß einem
Ausführungsbeispiel
der Erfindung umfasst ein Wafer eine Mehrzahl von Fokusbelichtungsfeldern,
wobei zumindest eines der Fokusbelichtungsfelder eine Mehrzahl von
Messpunkten mit unterschiedlichen Abmessungen für eine identische Maskenbildabmessung
umfasst, was anzeigt, dass das Fokusbelichtungsfeld mit einem fortlaufend
variierenden Fokus eines photolithographischen Strahls belichtet
wurde. Anders ausgedrückt, ein
Fokusbelichtungsfeld kann eine Mehrzahl von Messpunkten umfassen,
wobei jeder Messpunkt mit einer unterschiedlichen Fokuseinstellung
eines Fokus eines photolithographischen Strahls belichtet wurde.
Aufgrund der Modulation des Fokusversatzes durch Neigen des Substrats
oder des photolithographischen Strahls kann ein fortlaufend variierender Fokus
in dem Fokusbelichtungsfeld erreicht werden.
-
Ein
Wafer kann eine Mehrzahl von Fokusbelichtungsfeldern umfassen, wobei
jedes der Fokusbelichtungsfelder zumindest eine messbare Struktur umfasst,
und wobei die messbare Struktur mit einem positiven oder negativen
Bild eines Maskenbilds gebildet ist, das mit einem photolithographischen
Strahl eines photolithographischen Systems belichtet wird. Darüber hinaus
umfasst zumindest eines der Fokusbelichtungsfelder eine messbare
Struktur mit einer kritischen Maskenabmessung mit zumindest zwei unterschiedlichen
Abmessungen, die anzeigen, dass das Fokusbelichtungsfeld mit zumindest
zwei unterschiedlichen Fokussen des photolithographischen Strahls
des photolithographischen Systems belichtet wurde.
-
Bei
dem in 6 dargestellten Ausführungsbeispiel sollten beispielsweise
horizontale kritische Abmessungen an mehreren Stellen oder Messpunkten
eines Belichtungsfelds gemessen werden, und ein jeweiliger Fokusversatz
von der Messkoordinate berechnet werden. Bei diesem Ausführungsbeispiel ist
der Fokus des photolithographischen Strahls an einem Punkt (X, Y)
eine Funktion von X-Position, Y-Position, Fokusversatz und Neigung
in X-Richtung. Anders ausgedrückt,
der Fokus und die Position in der Fokusbelichtungsmatrix hängt von
der X- und Y-Position auf dem Wafer, dem Fokusversatz und der Neigung
des photographischen Strahls oder der Neigung der Fokusbelichtungsmatrix
auf dem Wafer ab. Nach dem Belichten und Entwickeln eines solchen Wafers
können
horizontale kritische Abmessungen beispielsweise automatisch gemessen
werden an mehreren Stellen eines Belichtungsfelds, und abhängig von
den Messwerten kann ein jeweiliger Fokusversatz von den Messkoordinaten
berechnet werden, da der Fokus an einem Punkt (X, Y) eine Funktion von
X, Y, Fokusversatz und Neigung ist. Basierend auf diesen Informationen
kann ein photolithographisches System für einen photolithographischen
Prozess kalibriert oder optimiert werden.
-
Durch
Modifizieren von drei Belichtungsparametern innerhalb eines Fokusbelichtungsfelds
ist es offensichtlich, dass die Anzahl von Wiederholungen zum Erhalten
einer vorbestimmten Anzahl von Messpunkten reduziert ist im Vergleich
zu einem herkömmlichen
Lösungsansatz,
der darauf begrenzt ist, nur zwei Belichtungsparameter innerhalb
eines Fokusbelichtungsfelds und somit innerhalb der Fokusbelichtungsmatrix
zu variieren.
-
Bei
einem anderen Ausführungsbeispiel
der Erfindung wird das Verfahren wiederholt, um zumindest einen
zweiten Bereich auf einem Substrat zu belichten. Ein solcher Bereich
kann ein zweites Fokusbelichtungsfeld einer FEM sein. Bei der Wiederholung
der Belichtung wird zumindest entweder der Fokusversatz, das Neigen
des photolithographischen Strahls oder das Neigen des Substrats
modifiziert. Ferner ist die Anzahl von Wiederholungen zum Belichten
einer vorbestimmten Anzahl von Messpunkten in einem Fokusbelichtungsfeld,
die mit unterschiedlichen Fokussen belichtet werden, bei diesem Ausführungsbeispiel
reduziert im Vergleich zu einem herkömmlichen Verfahren, ohne den
Fokusversatz des photolithographischen Strahls zu modulieren. Gemäß einem
weiteren Ausführungsbeispiel
der Erfindung wird das Verfahren so durchgeführt, dass der Fokus des photolithographischen
Strahls an einer Position in dem Bereich auf dem Substrat abhängig ist
von dem eingestellten Fokusversatz und dem Neigungswinkel des Strahls
oder des Substrats.
-
7 zeigt
ein photolithographisches System, das eine Photolithographischer-Strahl-Quelle 71 umfasst,
wobei die Photolithographischer-Strahl-Quelle konfiguriert ist,
um einen photolithographischen Strahl 72 mit einer einstellbaren
Intensität
zu emittieren, zum Belichten eines Bereichs auf einem Substrat.
Das photolithographische System umfasst ferner eine Blende 73,
wobei die Blende konfiguriert ist, um den photolithographischen
Strahl zu blockieren oder den photolithographischen Strahl durchzulassen,
so dass eine Belichtungszeit des Bereichs auf einem Substrat photolithographischen Strahl
steuerbar ist. Das photolithographische System 70 umfasst
ferner ein Linsensystem 74, das konfiguriert ist, um den
photolithographischen Strahl, der von der Photolithographischer-Strahl-Quelle 71 emittiert
wird, auf den Bereich auf dem Substrat abzubilden. Das Linsensystem
kann ein optisches Linsensystem sein, aber es ist auch möglich, dass
das Linsensystem ein elektrooptisches oder magnetisches Linsensystem
ist, das konfiguriert ist, um einen Partikelstrahl zu beugen, der
durch die Photolithographischer-Strahl-Quelle 71 emittiert
wird. Allgemein kann das Linsensystem konfiguriert sein, um den
entsprechenden photolithographischen Strahl, der durch die Photolithographischer-Strahl-Quelle 71 emittiert
wird, zu beugen und auf einem Substrat abzubilden, das auf der Spannvorrichtung 76 befestigt
ist. Das photolithographische System kann ferner einen Maskenhalter 75 umfassen,
wobei der Maskenhalter konfiguriert ist, um eine Maske oder eine
Zwischenmaske zu tragen, so dass eine Struktur auf der Maske/der
Zwischenmaske photolithographisch übertragen werden kann auf den
Bereich auf dem Substrat und einer Spannvorrichtung 76,
wobei die Spannvorrichtung eine bewegliche Spannvorrichtung sein
kann, die konfiguriert ist, um ein Substrat auf derselben zu tragen
und zu bewegen. Das System 70 kann durch eine Steuereinheit 77 gesteuert
werden. Die Steuereinheit 77 kann konfiguriert sein, um
den Fokusversatz des photolithographischen Strahls einzustellen, um
den Fokusversatz zu modulieren durch Neigen des photolithographischen
Strahls oder durch Neigen der Spannvorrichtung mit dem Substrat
auf derselben. Als Folge können
unterschiedlichen Fokusse des photolithographischen Strahls eingestellt
werden innerhalb des Bereichs des Substrats in einem Belichtungsschuss.
Darüber
hinaus kann die Steuereinheit konfiguriert sein, um die Blende und
somit die Belichtungszeit für
eine Belichtung des Bereichs auf dem Substrat zu steuern, und die
Steuereinheit 77 kann ferner konfiguriert sein, um die
Intensität
des photolithographischen Strahls zu steuern. Daher kann die Steuereinheit 77 konfiguriert
sein, so dass ein Substrat, das mit einem Belichtungsschuss belichtet
wird, Positionen umfasst, die mit unterschiedlichen Fokussen des
photolithographischen Strahls belichtet werden.
-
Die
Steuereinheit 77 ist gemäß einem weiteren Ausführungsbeispiel
der Erfindung ferner konfiguriert, um die Spannvorrichtung 76 zu
einer anderen Position zu bewegen, so dass das Einstellen des Fokusversatzes,
das Neigen des photolithographischen Strahls oder das Neigen der
Spannvorrichtung mit dem Substrat auf derselben und das Belichten
eines zweiten Bereichs auf dem Substrat durchgeführt werden kann. Dadurch wird
eines von Fokusversatz, Belichtungszeit, Intensität und Neigungswinkel
modifiziert im Vergleich zu einer Belichtung des ersten Bereichs
auf dem Substrat. Anders ausgedrückt,
die Steuereinheit kann konfiguriert sein, so dass eine Belichtung
automatisch an einem anderen Bereich auf dem Substrat wiederholt
werden kann, wobei einer der Belichtungsparameter Fokusversatz,
Fokusneigung, Belichtungszeit oder Strahlintensität im Vergleich
zu der Belichtung des ersten Bereichs modifiziert werden kann.
-
Bei
einem weiteren Ausführungsbeispiel
der Erfindung ist die Steuereinheit 77 des photolithographischen
Systems 70 konfiguriert, um eine Spannvorrichtung zu einer
anderen Position zu bewegen, so dass eine Belichtung eines zweiten
Bereichs auf dem Substrat wiederholbar ist, wobei der Fokusversatz
sowie ein Neigungswinkel und eine Dosis, die von der Belichtungszeit
und der Intensität
des photolithographischen Strahls abhängen, modifiziert sind. Das
bedeutet, die Steuereinheit 77 kann konfiguriert werden,
um den Fokusversatz, den Neigungswinkel und die Dosis für einen
Belichtungsschuss zu modifizieren, im Vergleich zu einem Belichtungsschuss
für einen
ersten Bereich auf dem Substrat.
-
Bei
einem weiteren Ausführungsbeispiel
des photolithographischen Systems 70 ist die Steuereinheit 77 konfiguriert,
um eine Mehrzahl von Fokusbelichtungsfeldern einer Fokusbelichtungsmatrix
auf dem Wafer zu belichten, so dass zumindest für eines der Fokusbelichtungsfelder
ein Neigungswinkel des photolithographischen Strahls oder ein Neigungswinkel
des Fokusbelichtungsfelds bezüglich
des Strahls modifiziert ist, im Vergleich zu anderen Fokusbelichtungsfeldern
der Fokusbelichtungsmatrix auf dem Wafer.
-
Bei
Ausführungsbeispielen
der Erfindung kann eine Fokusbelichtungsmatrix auf einem Substrat
erweitert werden durch Verwenden eines fortlaufenden Fokusversatzes,
der durch eine Fokusneigung modifiziert wird. Dieses Verfahren kann
für großflächige Belichtungsfelder
sehr effektiv sein. Bei Ausführungsbeispielen
der Erfindung kann das Verfahren beispielsweise für alle großen Chiplogik/Speicherprodukte
verwendet werden. Bei Ausführungsbeispielen
der Erfindung kann die Anzahl von messbaren Fokusversatzwerten gegeben
sein durch die Anzahl von Strukturen pro Fokusbelichtungsfeld.
-
Das
Verfahren, das bei Ausführungsbeispielen
der Erfindung beschrieben wird, kann verwendet werden für die Herstellung
von Prozessfensterschlitzen oder „Regenbogen” Schlitzen
für ein
Halbleiterbauelement oder elektrische Schaltungen. Für solche
Schlitze kann der photolithographische Prozess und somit auch die
Belichtung mit dem photolithographischen Strahl absichtlich modifiziert
werden, um den Halbleiterherstellungsprozess des Halbleiterbauelements
zu optimieren oder mögliche
Leistungsschwankungen des Halbleiterbauelements, die auf dem Herstellungsprozess
basieren, zu messen. Somit können
solche Messungen für
die Qualifikation eines Halbleiterbauelements wesentlich sein.
-
Bei
Ausführungsbeispielen
der Erfindung wird ein Verfahren zum Belichten eines Bereichs auf einem
Substrat mit einem Strahl und ein Verfahren zum Herstellen von zumindest
zwei Messpunkten in einem Fokusbelichtungsfeld einer Fokusbelichtungsmatrix
durch ein Computerprogramm durchgeführt, das einen maschinenlesbaren
Code oder Befehle umfasst zum Ausführen eines Verfahrens gemäß hierin
beschriebenen Ausführungsbeispielen.
-
Ein
Computerprogramm ist beschrieben, das maschinenlesbare Befehle umfassen
kann zum Steuern eines photolithographischen Systems, um einen Bereich
auf einem Substrat mit einem Strahl zu belichten, durch Einstellen
eines Fokusversatzes des Strahls bezüglich des Bereichs auf dem
Substrat. Das Computerprogramm umfasst ferner maschinenlesbare Befehle
zum Neigen des Strahls oder Neigen des Substrats und zum Belichten
des Bereichs auf dem Substrat mit dem Strahl, so dass dadurch Positionen
innerhalb des Bereichs erzeugt werden, die mit unterschiedlichen
Fokussen belichtet werden.
-
Gemäß einem
weiteren Ausführungsbeispiel der
Erfindung umfasst ein Computerprogramm maschinenlesbare Befehle
zum Belichten unterschiedlicher Messpunkte in einem Fokusbelichtungsfeld
einer Fokusbelichtungsmatrix auf einem Wafer mit einem photolithographischen
Strahl. Der Wafer kann mit Photoresist bedeckt sein. Das Computerprogramm
umfasst maschinenlesbaren Code oder Befehle zum Einstellen eines
Fokusversatzes eines photolithographischen Strahls bezüglich des
Fokusbelichtungsfelds auf dem Wafer. Ferner umfasst das Computerprogramm
maschinenlesbare Befehle zum Neigen des photolithographischen Strahls
und Neigen des Wafers relativ zu dem photolithographischen Strahl,
und zum Einstellen einer Dosis zum Belichten des Fokusbelichtungsfelds
auf dem Wafer mit dem photolithographischen Strahl. Darüber hinaus
kann das Computerprogramm maschinenlesbare Befehle umfassen zum
Belichten des Fokusbelichtungsfelds auf dem Wafer mit dem photolithographischen
Strahl, wodurch unterschiedliche Messpunkte innerhalb des Fokusbelichtungsfelds
erzeugt werden, die mit unterschiedlichen Fokussen belichtet werden.
-
Obwohl
das Vorhergehende insbesondere beschrieben wurde mit Bezugnahme
auf bestimmte Ausführungsbeispiele
desselben, ist es für
Fachleute auf diesem Gebiet klar, dass verschiedene andere Änderungen
bei dem Verfahren, der Form und den Einzelheiten durchgeführt werden
können,
ohne von der Wesensart und dem Schutzbereich desselben abzuweichen.
Es ist klar, dass beim Anpassen unterschiedlicher Ausführungsbeispiele
verschiedene Änderungen
durchgeführt
werden können,
ohne von den breiteren Konzepten abzuweichen, die hierin offenbart
sind und in den folgenden Ansprüchen
enthalten sind.