JP2009543332A - 洗浄構成を含むリソグラフィ装置、洗浄構成、および洗浄される表面を洗浄するための方法 - Google Patents

Abstract

【課題】ＥＵＶリソグラフィ装置、例えばＳｎソースを用いるＥＵＶリソグラフィ装置における使用のための洗浄構成が提供される。
【解決手段】洗浄構成は、水素含有ガスのためのガスソースおよび水素ラジカルソースを含む。水素ラジカルソースは、水素の光解離を誘導する（ＵＶ）放射のソースである。ラジカルは、Ｓｎ酸化物（存在する場合）を還元し、またＳｎ堆積および／または炭素堆積の揮発性水素化物を形成する。このようにして、洗浄構成は、Ｓｎおよび／またはＣ堆積を光エレメントから洗浄するために使用されることができる。ＥＵＶソースは、水素ラジカルソースとして使用される。光フィルタは、望ましくないＥＵＶ放射を除去し、望ましいＵＶ放射を透過させるために使用される。
【選択図】図３ａ

Description

本発明は、洗浄構成を含むリソグラフィ装置に関する。本発明は、洗浄構成にも関する。本発明はさらに、洗浄される表面、例えばリソグラフィ装置内の光エレメントの表面を洗浄するための方法に関する。

リソグラフィ装置は、所望のパターンを基板上、通常、基板のターゲット部分上に付与する機械である。リソグラフィ装置は、例えば、集積回路（ＩＣ）の製造に用いることができる。その場合、ＩＣの個々の層上に形成される回路パターンを生成するために、マスクまたはレチクルとも呼ばれるパターニングデバイスを用いることができる。このパターンは、基板（例えば、シリコンウェーハ）上のターゲット部分（例えば、ダイの一部、または１つ以上のダイを含む）に転写することができる。通常、パターンの転写は、基板上に設けられた放射感応性材料（レジスト）層上への結像によって行われる。一般には、単一の基板が、連続的にパターニングされる隣接したターゲット部分のネットワークを含んでいる。公知のリソグラフィ装置としては、ターゲット部分上にパターン全体を一度に露光することにより各ターゲット部分を照射するステッパ、および放射ビームによってある特定の方向（「スキャン」方向）にパターンをスキャンすると同時に、この方向に平行または逆平行に基板をスキャンすることにより各ターゲット部分を照射する、スキャナが含まれる。パターンを基板上にインプリントすることにより、パターニングデバイスから基板にパターンを転写することも可能である。

リソグラフィ装置において、基板上に結像可能なフィーチャのサイズは投影放射の波長により限定される。デバイスを高密度に備え、したがって高作業速度を有する集積回路を生産するためには、より小さなフィーチャを結像できることが望ましい。近年のリソグラフィ投影装置の殆どが水銀ランプまたはエキシマレーザにより生成される紫外線を使用する一方で、例えば、約１３ｎｍといったより短い波長の放射を使用することが提案されている。このような放射は極端紫外線（ＥＵＶ）または軟Ｘ線と呼ばれ、可能なソースとしては、例えば、レーザ生成プラズマソース、放電プラズマソース、または電子蓄積リングからのシンクロトロン放射が含まれる。

ＥＵＶソースは、典型的にはプラズマソース、例えば、レーザ生成プラズマまたは放電ソースである。どのプラズマソースにも共通する特徴は、速いイオンおよび原子の生成であり、これらはプラズマから全方向に放出される。これらの粒子は、通常もろい表面を有する多層ミラーまたはかすめ入射ミラーであるコレクタおよびコンデンサミラーに損傷を与える。この表面は、プラズマから放出される粒子の衝撃またはスパッタリングによって徐々に劣化され、従ってミラーの寿命は短くなる。スパッタリング効果は、放射コレクタで特に問題になる。このミラーの目的は、プラズマソースによって全方向に放出された放射を集め、この放射を照明システム内の他のミラーへと誘導することである。放射コレクタは、プラズマソースに非常に近く、かつ当該プラズマソースとの視線上に位置しているので、プラズマから大きな束の高速粒子を受け取る。このシステム中のその他のミラーは、ある程度シールドされ得るので、一般に、プラズマから放出される粒子のスパッタリングによる損傷の程度が小さい。

近い将来、極端紫外線（ＥＵＶ）ソースは、おそらく、ＥＵＶ放射を生成するためにスズ（Ｓｎ）または別の金属蒸気を使用することになるだろう。このスズは、リソグラフィ装置内に漏れることがあり、リソグラフィ装置内のミラー、例えば、放射コレクタ（コレクタとも呼ばれる）のミラー上に堆積する。このような放射コレクタのミラーは、例えば、ルテニウム(Ｒｕ)のＥＵＶ反射上層を有する。反射Ｒｕ層上の約１０ｎｍを上回るスズの堆積は、バルクＳｎと同じ態様でＥＵＶ放射を反射する。ＳｎベースＥＵＶソース付近では数ｎｍのＳｎの層が非常に急速に堆積されることが想定される。スズの反射係数はルテニウムの反射係数よりもかなり低いので、コレクタの透過全体は、大幅に減少することがある。ソースからのデブリ、またはこのデブリによって発生される二次粒子が放射コレクタ上に堆積するのを防止するために、汚染物質バリアを使用してもよい。そのような汚染物質バリアはデブリの一部を除去し得るが、依然として、放射コレクタまたはその他の光エレメント上にいくらかのデブリは堆積する。さらに、炭素（Ｃ）もミラーのような光エレメント上に堆積し得、これは、反射などの光特性の減少へと導くことがある。

リソグラフィ装置のための洗浄構成であって、炭素、スズ、またはその両方の除去のためのプロセスで使用することができる洗浄構成を提供することが望ましい。炭素、スズ、または炭素およびスズの両方が洗浄される表面から炭素、スズ、または炭素およびスズの両方を洗浄するための方法を提供することがさらに望ましい。

本発明の第１の実施形態によると、リソグラフィ装置が提供され、このリソグラフィ装置は、ＥＵＶソースと、洗浄構成とを含み、洗浄構成は、水素含有ガスおよび補助化合物含有ガスからなる群から選択される１つ以上のガスを提供するためのソースと、水素ラジカルソースとを含み、水素ラジカルソースは、水素含有ガスおよび補助化合物含有ガスからなる群から選択される前記１つ以上のガスの少なくとも一部を水素ラジカル含有ガスに変換し、洗浄構成は、水素ラジカル含有ガスを洗浄される光エレメントの表面に提供し、水素ラジカルソースは、水素含有ガスおよび補助化合物含有ガスからなる群から選択される前記１つ以上のガスの光解離を誘導する放射のソースを含む。

本発明の特定の実施形態によると、リソグラフィ装置が提供され、このリソグラフィ装置はＥＵＶソースを含み、リソグラフィ装置はさらに洗浄構成を含み、洗浄構成は、水素含有ガスソースと、水素ラジカルソースとを含み、水素ラジカルソースは、水素含有ガスの少なくとも一部を水素ラジカル含有ガスに変換し、洗浄構成は、水素ラジカル含有ガスを洗浄される光エレメントの表面に提供し、水素ラジカルソースは、水素の光解離を誘導する放射のソースを含む。

本発明のさらなる実施形態によると、洗浄構成が提供され、この洗浄構成は、水素含有ガスおよび補助化合物含有ガスからなる群から選択される１つ以上のガスを提供するためのソースと、水素ラジカルソースとを含み、水素ラジカルソースは、水素含有ガスおよび補助化合物含有ガスからなる群から選択される前記１つ以上のガスの少なくとも一部を水素ラジカル含有ガスに変換し、洗浄構成は、水素ラジカル含有ガスを洗浄される光エレメントの表面に提供し、水素ラジカルソースは、水素含有ガスおよび補助化合物含有ガスからなる群から選択される前記１つ以上のガスの光解離を誘導する放射のソースを含む。

本発明のさらなる特定の実施形態によると、例えばリソグラフィ装置のための洗浄構成が提供され、この洗浄構成は、水素含有ガスソースおよび水素ラジカルソースを含み、水素ラジカルソースは、水素含有ガスの少なくとも一部を水素ラジカル含有ガスに変換し、洗浄構成は、水素ラジカル含有ガスを洗浄される光エレメントの表面に提供し、水素ラジカルソースは、水素の光解離を誘導する放射のソースを含む。

本発明の次の実施形態によると、リソグラフィ装置の光エレメントの表面を洗浄するための方法が提供され、この方法は、水素含有ガスおよび補助化合物含有ガスからなる群から選択される１つ以上のガスを（洗浄される）表面に導くことと、水素含有ガスおよび補助化合物含有ガスからなる群から選択される前記１つ以上のガスの光解離を誘導する放射を、１つ以上のガス、表面、あるいは１つ以上のガスおよび表面の両方に照射することとを含む。

本発明の次の特定の実施形態によると、リソグラフィ装置の光エレメントの洗浄される表面を洗浄するための方法が提供され、この方法は、水素含有ガスを洗浄される表面に導くことと、水素の光解離を誘導する放射をガス、洗浄される表面、または両方に照射することとを含む。

特定の実施形態では、水素含有ガスは、Ｈ_２、Ｄ_２、Ｔ_２、ＨＤ、ＨＴおよびＤＴ含有ガスの群から選択されるガスを含む。別の特定の実施形態では、補助化合物含有ガスは、光解離可能な炭化水素およびシランからなる群から選択される１つ以上の化合物を含む。

上記の方法の特定の実施形態では、水素含有ガスおよび補助化合物含有ガスの両方が適用される。さらなる特定の実施形態では、水素ガス対補助化合物の体積比は、５０００〜２、特に５０００〜５の範囲内にある。

本発明の実施形態は、一例としてのみ、対応の参照符号が対応部分を示す付属の概略図を参照して説明される。

本発明の一実施形態によるリソグラフィ装置を示す。 図１によるリソグラフィ装置のＥＵＶ照明システムおよび投影光学系の側面図を示す。 本発明による洗浄構成、特にリソグラフィ装置と組み合わされた洗浄構成の実施形態を示す。 本発明による洗浄構成、特にリソグラフィ装置と組み合わされた洗浄構成の実施形態を示す。 本発明による洗浄構成、特にリソグラフィ装置と組み合わされた洗浄構成の実施形態を示す。 本発明による洗浄構成、特にリソグラフィ装置と組み合わされた洗浄構成の実施形態を示す。 本発明による洗浄構成、特にリソグラフィ装置と組み合わされた洗浄構成の実施形態を示す。 本発明による洗浄構成、特にリソグラフィ装置と組み合わされた洗浄構成の実施形態を示す。

図１は、本発明の一実施形態によるリソグラフィ装置１を概略的に示している。装置１は、放射ビームＢ（例えば、紫外線またはＥＵＶ放射）を調整するように構成された照明システム（イルミネータ）ＩＬを備える。サポート（例えば、マスクテーブル）ＭＴは、パターニングデバイス（例えば、マスク）ＭＡを支持するように構成され、かつ特定のパラメータに従ってパターニングデバイスを正確に位置付けるように構成された第１のポジショナＰＭに連結されている。基板テーブル（例えば、ウェーハテーブル）ＷＴは、基板（例えば、レジストコートウェーハ）Ｗを保持するように構成され、かつ特定のパラメータに従って基板を正確に位置付けるように構成された第２のポジショナＰＷに連結されている。投影システム（例えば、屈折投影レンズシステム）ＰＳは、パターニングデバイスＭＡによって放射ビームＢに付与されたパターンを基板Ｗのターゲット部分Ｃ（例えば、１つまたは複数のダイを含む）上に投影するように構成されている。

照明システムとしては、放射を誘導し、整形し、または制御するために、屈折型、反射型、磁気型、電磁型、静電型、またはその他のタイプの光コンポーネント、あるいはそれらのあらゆる組合せなどのさまざまな種類の光コンポーネントを含むことができる。

サポートは、パターニングデバイスを支持、つまり、重さを支える。サポートは、パターニングデバイスの配向、リソグラフィ装置の設計、および、パターニングデバイスが真空環境内で保持されているか否かなどの他の条件に応じた態様で、パターニングデバイスを保持する。サポートは、機械式、真空式、静電式またはその他のクランプ技術を使って、パターニングデバイスを保持することができる。サポートは、例えば、必要に応じて固定または可動式にすることができるフレームまたはテーブルであってもよい。サポートは、パターニングデバイスが、例えば、投影システムに対して所望の位置にあることを確実にすることができる。本明細書において使用される「レチクル」または「マスク」という用語はすべて、より一般的な「パターニングデバイス」という用語と同義であると考えるとよい。

本明細書において使用される「パターニングデバイス」という用語は、基板のターゲット部分内にパターンを作り出すように、放射ビームの断面にパターンを与えるために使用できるあらゆるデバイスを指していると、広く解釈されるべきである。なお、留意すべき点として、放射ビームに付与されたパターンは、例えば、そのパターンが位相シフトフィーチャまたはいわゆるアシストフィーチャを含む場合、基板のターゲット部分内の所望のパターンに正確に一致しない場合もある。通常、放射ビームに付けたパターンは、集積回路などのターゲット部分内に作り出されるデバイス内の特定機能層に対応することになる。

パターニングデバイスは、透過型であっても、反射型であってもよい。パターニングデバイスの例としては、マスク、プログラマブルミラーアレイ、およびプログラマブルＬＣＤパネルが含まれる。マスクは、リソグラフィでは公知であり、バイナリ、レゼンソン型(alternating)位相シフト、およびハーフトーン型(attenuated)位相シフトなどのマスク型、ならびに種々のハイブリッドマスク型を含む。プログラマブルミラーアレイの一例では、小型ミラーのマトリックス配列が用いられており、各小型ミラーは、入射する放射ビームを様々な方向に反射させるように、個別に傾斜させることができる。傾斜されたミラーは、ミラーマトリックスによって反射される放射ビームにパターンを付ける。

本明細書において使用される「投影システム」という用語は、使われている露光放射にとって、あるいは液浸液の使用または真空の使用といった他の要因にとって適切な、屈折型、反射型、反射屈折型、磁気型、電磁型、および静電型光学系、またはそれらのあらゆる組合せを含むあらゆる型の投影システムを包含していると広く解釈されるべきである。本明細書において使用される「投影レンズ」という用語はすべて、より一般的な「投影システム」という用語と同義であると考えるとよい。

本明細書に示されているとおり、装置は、反射型のもの（例えば、反射型マスクを採用しているもの）である。また、装置は、透過型のもの（例えば、透過型マスクを採用しているもの）であってもよい。

リソグラフィ装置は、２つ（デュアルステージ）以上の基板テーブル（および／または２つ以上のマスクテーブル）を有するタイプのものであってもよい。そのような「マルチステージ」機械においては、追加のテーブルは並行して使うことができ、または予備工程を１つ以上のテーブル上で実行しつつ、別の１つ以上のテーブルを露光用に使うこともできる。

リソグラフィ装置は、投影システムと基板との間の空間を満たすように、比較的高屈折率を有する液体、例えば水によって基板の少なくとも一部を覆うことができるタイプのものであってもよい。リソグラフィ装置内の別の空間、例えば、マスクと投影システムとの間に液浸液を加えてもよい。液浸技術は、投影システムの開口数を増加させるための技術においてよく知られている。本明細書において使用される「液浸」という用語は、基板のような構造物を液体内に沈めなければならないという意味よりむしろ、露光中、投影システムと基板との間に液体があるということを単に意味するものである。

図１ａを参照すると、イルミネータＩＬは、放射ソースＳＯから放射を受ける。例えば、ソースがエキシマレーザである場合、ソースとリソグラフィ装置は、別個の構成要素であってもよい。そのような場合には、ソースは、リソグラフィ装置の一部を形成しているとはみなされず、また放射は、ソースＳＯからイルミネータＩＬへ、例えば、適切な誘導ミラーおよび／またはビームエキスパンダを含むビームデリバリシステムを使って送られる。その他の場合においては、例えば、ソースが水銀ランプである場合、ソースは、リソグラフィ装置の一体部分とすることもできる。ソースＳＯおよびイルミネータＩＬは、必要ならばビームデリバリシステムＢＤとともに、放射システムと呼んでもよい。

イルミネータＩＬは、放射ビームの角強度分布を調節するアジャスタを含んでもよい。一般に、イルミネータの瞳面内の強度分布の少なくとも外側および／または内側半径範囲（通常、それぞれσ-outerおよびσ-innerと呼ばれる）を調節することができる。さらに、イルミネータＩＬは、インテグレータおよびコンデンサといったさまざまな他のコンポーネントを含んでもよい。イルミネータは、放射ビームの断面に所望の均一性および強度分布をもたせるように、放射ビームを調整するために使用することができる。

放射ビームＢは、サポート（例えば、マスクテーブルＭＴ）上に保持されているパターニングデバイス（例えば、マスクＭＡ）上に入射して、パターニングデバイスによってパターン形成される。マスクＭＡを通り抜けた後、放射ビームＢは投影システムＰＳを通過し、投影システムＰＳは、基板Ｗのターゲット部分Ｃ上にビームの焦点をあわせる。第２のポジショナＰＷおよび位置センサＩＦ２（例えば、干渉計デバイス、リニアエンコーダ、または静電容量センサ）を使って、例えば、さまざまなターゲット部分Ｃを放射ビームＢの経路内に位置付けるように、基板テーブルＷＴを正確に動かすことができる。同様に、第１のポジショナＰＭおよび別の位置センサＩＦ１（例えば、干渉デバイス、リニアエンコーダ、または静電容量センサ）は、例えば、マスクライブラリからマスクを機械的に取り出した後またはスキャン中に、マスクＭＡを放射ビームＢの経路に対して正確に位置付けるために使用されることもできる。通常、マスクテーブルＭＴの動きは、第１のポジショナＰＭの一部を形成するロングストロークモジュール（粗動位置決め）およびショートストロークモジュール（微動位置決め）を使って達成することができる。同様に、基板テーブルＷＴの動きも、第２のポジショナＰＷの一部を形成するロングストロークモジュールおよびショートストロークモジュールを使って達成することができる。ステッパの場合においては、スキャナとは対照的に、マスクテーブルＭＴは、ショートストロークアクチュエータのみに連結されてもよく、または固定されてもよい。マスクＭＡおよび基板Ｗは、マスクアライメントマークＭ１，Ｍ２と、基板アライメントマークＰ１，Ｐ２とを使って、位置合わせされてもよい。例示では基板アライメントマークが専用ターゲット部分を占めているが、基板アライメントマークをターゲット部分とターゲット部分との間の空間内に置くこともできる（これらは、スクライブラインアライメントマークとして公知である）。同様に、１つより多いダイがマスクＭＡ上に設けられている場合、マスクアライメントマークは、ダイとダイの間に置かれてもよい。

例示の装置は、以下のモードのうち少なくとも１つのモードで使用できる。
１．ステップモードにおいては、マスクテーブルＭＴおよび基板テーブルＷＴを基本的に静止状態に保ちつつ、放射ビームに付けられたパターン全体を一度に（すなわち、単一静止露光）ターゲット部分Ｃ上に投影する。その後、基板テーブルＷＴは、Ｘおよび／またはＹ方向に移動され、それによって別のターゲット部分Ｃを露光することができる。ステップモードにおいては、露光フィールドの最大サイズによって、単一静止露光時に結像されるターゲット部分Ｃのサイズが限定される。
２．スキャンモードにおいては、マスクテーブルＭＴおよび基板テーブルＷＴを同期的にスキャンする一方で、放射ビームに付けられたパターンをターゲット部分Ｃ上に投影する（すなわち、単一動的露光）。マスクテーブルＭＴに対する基板テーブルＷＴの速度および方向は、投影システムＰＳの（縮小）拡大率および像反転特性によって決めることができる。スキャンモードにおいては、露光フィールドの最大サイズよって、単一動的露光時のターゲット部分の幅（非スキャン方向）が限定される一方、スキャン動作の長さによって、ターゲット部分の高さ（スキャン方向）が決まる。
３．別のモードにおいては、プログラマブルパターニングデバイスを保持した状態で、マスクテーブルＭＴを基本的に静止状態に保ち、また基板テーブルＷＴを動かす、またはスキャンする一方で、放射ビームに付けられているパターンをターゲット部分Ｃ上に投影する。このモードにおいては、通常、パルス放射ソースが採用されており、さらにプログラマブルパターニングデバイスは、基板テーブルＷＴの移動後ごとに、またはスキャン中の連続する放射パルスと放射パルスとの間に、必要に応じて更新される。この動作モードは、前述のタイプのプログラマブルミラーアレイといったプログラマブルパターニングデバイスを利用するマスクレスリソグラフィに容易に適用することができる。

上述の使用モードの組合せおよび／またはバリエーション、あるいは完全に異なる使用モードもまた採用可能である。

本発明による実施形態では、放射ビームを調整するように構成された照明システムと、パターニングデバイスを支持するように構成されたサポートであって、パターニングデバイスが、パターニングされた放射ビームを形成するために放射ビームの断面にパターンを与えるように構成されたサポートと、基板を保持するように構成された基板テーブルと、パターニングされた放射ビームを基板のターゲット部分に投影するように構成された投影システムと、本発明による洗浄デバイスとを含むリソグラフィ装置が提供される。さらなる実施形態では、リソグラフィ装置は、ＥＵＶリソグラフィのためにＥＵＶ放射ビームを生成するように構成されたＥＵＶソースを含む。一般に、ＥＵＶソースは、放射システム（下記参照）内に構成されている。照明システムは、ＥＵＶソースのＥＵＶ放射ビームを調節するように構成されている。

「ｘおよび／またはｙ」というような用語は、ｘおよびｙからなる１つ以上の群として解釈してもよい。

「ハロゲン含有ガス」または「水素含有ガス」という用語は、それぞれ少なくともハロゲンガスまたは水素ガスを含むガスまたはガス混合物を表す。「ハロゲン含有ガス」という用語における「ハロゲン」という用語は、Ｆ、Ｃｌ、ＢｒおよびＩから選択される少なくとも１つまたは複数を表し、これは、原子（ラジカル）としてのものであり、または化合物、例えばＦ_２、Ｃｌ_２、Ｂｒ_２、Ｉ_２、ＨＦ、ＨＣｌ、ＨＢｒ、ＨＩ、ハロゲン間化合物、例えばＣｌＦ_３、あるいは約５０〜５００°の間の温度で気相にすることができるＦ、Ｃｌ、ＢｒおよびＩから選択される１つまたは複数を含む他の化合物としてのものである。一実施形態では、Ｆ_２、Ｃｌ_２、Ｂｒ_２Ｉ_２の１つまたは複数、特にＩ_２が使用されることがある。「水素」および「水素ラジカル」という用語は、それらの同位体、特に重水素も含む。したがって、「水素含有ガス」という用語は、Ｈ_２、またはその重水素もしくは三重水素類似体を含むガスを表す。一実施形態では、水素含有ガスは、Ｈ_２、ＨＤ、Ｄ_２、ＨＴ、ＤＴ、Ｔ_２からなる群から選択される１つまたは複数を含む。したがって、「水素含有ガス」またはＨ_２という用語は、Ｈ_２、Ｄ_２、Ｔ_２、ＨＤ、ＨＴおよびＤＴ含有ガスからなる群から選択されるガスを表す。ハロゲン含有ガスまたは水素含有ガスは、Ａｒなどの緩衝ガスなど、追加の成分をさらに含むこともある。「水素ラジカルの流れ」は、ガス中に水素ラジカルも存在するガス流を表す。通常、全ての水素がラジカルに変換されるわけではないことがあるので、またラジカルの再結合により、そのようなガスは、水素分子（Ｈ_２、ＨＤ、Ｄ_２、ＨＴ、ＤＴ、Ｔ_２の１つまたは複数など）も含む。「水素ラジカル含有ガス」という用語は、水素ラジカル、またはその重水素もしくは三重水素類似体を含むガスを表す。さらに、そのようなガスは、解離されていない、または水素ラジカルから再結合されたＨ_２など、他の成分をさらに含むことがある。「水素含有ガスソース」という用語は、ガスが少なくとも水素分子（および／またはその類似体、上記参照）を含む、１つ以上のガスソースを表す。「水素ラジカルソース」という用語は、水素ラジカル含有ガスが提供されるように（水素含有ガスの）水素ガスの少なくとも一部を水素ラジカルに変換するデバイスを表す。「水素含有ガスの少なくとも一部を水素ラジカル含有ガスに変換する」という表現は、本明細書中、（水素含有ガスソースからの）水素含有ガスの水素分子の総量の少なくとも一部が（光解離によって）水素ラジカルに変換され、それによって水素ラジカル含有ガスを形成するというプロセスを表す。

「ガス含有補助化合物」または「補助化合物含有ガス」という用語は、照射形成ラジカルに起因し得る化合物を含むかまたはその化合物からなるガスを表す。特定の実施形態においては、そのような化合物は、水素基を含む。補助化合物の特定の例は、メタン（ＣＨ_４）、エタン（Ｃ_２Ｈ_６）、エテン（Ｃ_２Ｈ_４）（エチレン）、エチン（Ｃ_２Ｈ_２）（アセチレン）、プロパン等である。一実施形態においては、補助化合物は、炭化水素および／またはシランを含む。補助化合物含有ガスは、メタンとエタンとの混合などのように、２つ以上のガスの混合であってもよい。補助化合物含有ガスは、炭化水素および／またはシランを含むかまたはそれらからなってもよいが、炭化水素および／またはシランおよび少なくとも別のガス、特に水素含有ガス、より詳細には水素（それらの類似体を含む）からなってもよい。補助化合物含有ガスは、（１）炭化水素および／またはシラン、（２）水素（それらの類似体を含む）および（３）（Ｉ_２および／またはＢｒ_２のような）１つまたは複数のハロゲンを含んでもそれらからなってもよい。

「水素ラジカル含有ガス」という用語は、水素含有ガスまたは補助化合物、あるいはその両方から光解離によって生成され得る水素ラジカル、またはその重水素もしくは三重水素類似体を含むガスを表す。そのような水素ラジカル含有ガスは、解離されていない、または再結合されたＨ_２など、他の成分、および／または解離されていない、または再結合された補助化合物をさらに含むことがある。

「水素含有ガスおよび補助化合物含有ガスからなる群から選択される１つ以上のガスを提供するソース」という用語は、少なくとも水素分子（および／またはその類似体、上記参照）および／または補助化合物含有ガスを含むガスの１つ以上のソースを表す。「水素ラジカルソース」という用語は、水素ラジカル含有ガスが提供されるように（水素含有ガスの）水素ガスの少なくとも一部および／または補助化合物の少なくとも一部を水素ラジカルに変換するデバイスを表す。ガスソースは、（水素含有ガスおよび補助化合物含有ガスからなる群から選択される１つ以上のガスを提供する）単一のガスソースまたは（水素含有ガスおよび補助化合物含有ガスからなる群から選択される１つ以上のガスを提供する）複数のガスソースであってもよい。

「補助化合物の少なくとも一部を水素ラジカル含有ガスに変換する」という表現は、本明細書中、（補助化合物含有ガスからの）補助化合物の総量の少なくとも一部が（光解離によって）水素ラジカルに変換され、それによって水素ラジカル含有ガスを形成するというプロセス、および／または（補助化合物含有ガスからの）補助化合物の総量の少なくとも一部が（光解離によって）ラジカルに変換され、その水素（類似体を含む）との反応によって水素ラジカルを形成するというプロセス（下記の図式も参照）を表す。

したがって、「水素」という用語は、水素化合物（その類似体を含む）を表し、「水素基」という用語は、化合物内の水素原子を表し、「水素ラジカル」または「ラジカル」は、遊離水素原子を表す。

明細書中、「水素および／または補助化合物含有ガス」という用語は、「水素含有ガスおよび補助化合物含有ガスからなる群から選択される１つ以上のガス」を簡単に表し、時々「ガス」とも示される。明細書中、このガスは、ＥＵＶソースＳＯ（特に、インサイチュ(in situ)洗浄を想定）および追加のソース（一実施形態では、リソグラフィ装置または洗浄構成内に構成することができるが、リソグラフィ装置または洗浄構成の外にも構成することができる（下記参照））からなる群から選択される１つ以上のソースであり得る放射のソースからの放射を受ける。特定の実施形態においては、この放射は約４〜５００ｎｍの範囲内にあり、すなわち、補助化合物および／または水素は、約４〜５００ｎｍの範囲内の波長で光解離可能であってラジカルを生成し、これは明細書中に記載された反応スキームに使用することができる。

「補助化合物含有ガスを導く」または「炭化水素化合物およびシラン化合物からなる群から選択される１つ以上のガスを導く」という表現は特に、それぞれ、補助化合物、炭化水素化合物またはシラン化合物の意図的意図的な導入を説明する。明細書中、実施形態では、意図的は特に、ガスの総量に対して少なくとも約１０００ｐｐｍｖまたはさらに少なくとも２０００ｐｐｍｖのように、少なくとも約５００ｐｐｍｖの量を意味する。液体の場合、一実施形態においては、化合物は、例えば（予熱）加熱によってガス状化合物として装置に導入されるか、リソグラフィ装置のような装置内で蒸発されるか、装置内の分解の後に導入されるか、または装置内で分解される。

一実施形態では、炭化水素またはシラン化合物のような補助化合物の沸騰温度は７７３Ｋ（５００°Ｃ）より低い。さらなる実施形態では、炭化水素またはシラン化合物のような補助化合物の沸騰温度は６２３Ｋ（３５０°Ｃ）より低い。また、さらなる実施形態では、炭化水素またはシラン化合物のような補助化合物の沸騰温度は５２３Ｋ（２５０°Ｃ）より低い。また、別のさらなる実施形態では、炭化水素またはシラン化合物のような補助化合物の沸騰温度は４２３Ｋ（１５０°Ｃ）より低い。

「基」、「側鎖」または「側基」という用語は同義語である。例えば、トリメチルシラン（ＨＳｉ（ＣＨ_３）_３）は、１つの水素基（Ｈ）および３つのメチル基を含むシリコンであり、または、例えば、イソブタンは、１つのメチル側基または側鎖を有するプロパンを含む。Ｃ１〜Ｃ６などの用語は、Ｃ_１（すなわち、ＣＨ_４化合物またはＣＨ_３側鎖）、Ｃ_２（エタンまたはエチル基（またはエテニルまたはエチニル基））、Ｃ_３（プロパンまたはプロピル基（またはプロペニル基またはプロピニル等））、Ｃ_４（ブタンまたはブチル基（またはブテニルまたはブチニル基））、Ｃ_５（ペンタンまたはペンチル基（またはペンテニルまたはペンチニル基））、Ｃ_６（ヘキサンまたはヘキシル基）等、および（１つ以上のハロゲンと任意的に独立して置換されてもよい）その異性体のような炭化水素または炭化水素側鎖を表す。したがって、化学的に可能な場合、（Ｃ１〜Ｃ６）側鎖は、１つ以上の不飽和結合および／または成分を含んでいることがある。

したがって、特定の実施形態では、補助化合物含有ガスは、光解離可能な炭化水素およびシランからなる群から選択される１つ以上の化合物を含む。「光解離可能」という用語は、光放射（特に、ＵＶまたは可視光であるが、ＥＵＶ光であることもある）の影響のもとで解離し、１つのまたは複数のラジカルを形成する化合物を表す。以下に例を示す。

一例として、メタン（ＣＨ_４）の場合はこのようになる。ＣＨ_４の解離エネルギーは約４１３ｋＪ／ｍｏｌであり、これは約２８９ｎｍの波長（これはＨ_２に対して使用されるより長い波長である）に対応する。

別の例は、Ｃ−Ｃ結合が壊れているＣ_２Ｈ_６（エタン）の場合である（解離エネルギー３４７ｋＪ／ｍｏｌ＝３４４ｎｍ）。

さらに、Ｃ＝Ｃ結合が壊れているＣ_２Ｈ_４（エチレン）については、これは以下のようになる（解離エネルギー２６７ｋＪ／ｍｏｌ＝４４８ｎｍ）。

したがって、上に示されたような補助化合物は、水素ラジカルを直接的な方法（メタン例）または間接的な方法（エタンおよびエテン例）で生成してもよい。

本発明の一実施形態では、炭化水素化合物はＣ_１〜Ｃ_２５化合物を含む。さらなる実施形態では、炭化水素化合物は、線形、分岐、環状または芳香族炭化水素、例えば、メタン、エタン、ｎ−プロパン、ｎ−ブタン、ｎ−プロパン、ｎ−ヘキサン、およびその異性体（シクロプロパン、シクロブタン、ｔ−ブタン（イソブタンまたは２−メチルプロパン）、シクロペンタン、イソペンタン（または２−メチルブタン）、ネオペンタン（または２，２ジメチルプロパン）など）を含む。また、さらなる実施形態では、炭化水素化合物は、メタン、エタン、ｎ−プロパン、ｎ−ブタン、ｎ−プロパン、ｎ−ヘキサン、シクロブタン、ｔ−ブタン（イソブタン）、イソペンタン、ネオペンタン、およびこれらの化合物の２つ以上の混合から選択される。さらに、炭化水素化合物は、１つ以上の不飽和結合を有していることがあり、すなわち、アルケン、アルキンまたは芳香族である。これらの炭化水素化合物の２つ以上による組み合わせが使用されてもよい。

一実施形態では、炭化水素化合物がＲ_１Ｒ_２Ｒ_３ＣＲ_４化合物を含み、Ｒ_１、Ｒ_２、Ｒ_３およびＲ_４は独立して、Ｃ_１〜Ｃ_６炭化水素基からなる群から選択される、本発明による方法が提供される。任意選択として、Ｒ_１、Ｒ_２、Ｒ_３およびＲ_４は独立して、Ｃ_１〜Ｃ_６炭化水素基および１つ以上のハロゲン基からなる群から選択される。

さらなる実施形態では、炭化水素化合物は、Ｒ_１Ｒ_２Ｒ_３ＣＲ_４化合物を含み、Ｒ_１、Ｒ_２、Ｒ_３およびＲ_４は独立して、Ｃ_１〜Ｃ_６炭化水素基および水素基からなる群から選択され、Ｒ_１、Ｒ_２、Ｒ_３およびＲ_４の少なくとも１つは、水素基を含む。特定の実施形態では、炭化水素化合物は、ＨＣＲ_１Ｒ_２Ｒ_３から選択され、Ｒ_１、Ｒ_２およびＲ_３は独立して、ＣＨ（ＣＨ_３）_３（トリメチルメタン）、ＣＨ（ＣＨ_２ＣＨ_３）_３（トリエチルメタン）、ＣＨ（ＣＨ_２ＣＨ_２ＣＨ_３）_３（トリプロピルメタン）、ＣＨ（ＣＨ_２ＣＨ_２ＣＨ_２ＣＨ_３）_３（トリブチルメタン）、ＣＨ（ＣＨ_２ＣＨ_２ＣＨ_２ＣＨ_２ＣＨ_３）_３（トリペンチルメタン）およびＣＨ（ＣＨ_２ＣＨ_２ＣＨ_２ＣＨ_２ＣＨ_２ＣＨ_３）_３（トリヘキシルメタン）のようなＣ_１〜Ｃ_６炭化水素基からなる群から選択される。さらなる別の特定の実施形態では、炭化水素化合物は、メタン、トルエンおよびＲ_１Ｒ_２Ｒ_３ＣＨからなる群から選択され、Ｒ_１、Ｒ_２およびＲ_３は独立して、例えばＣＨ（ＣＨ_３）_３（トリメチルメタン）、ＣＨ（ＣＨ_２ＣＨ_３）_３（トリエチルメタン）、ＣＨ（ＣＨ_２ＣＨ_２ＣＨ_３）_３（トリプロピルメタン）、ＣＨ（ＣＨ_２ＣＨ_２ＣＨ_２ＣＨ_３）_３（トリブチルメタン）のような、線形、分岐または環状であり得るＣ_１〜Ｃ_４炭化水素基からなる群から選択される。側鎖は、一実施形態では、例えば上記で定義されたような、これらの炭化水素基の異性体を含んでもよい。側鎖は、不飽和の炭化水素基を含んでもよい。側鎖は、異なっていてもよく、線形、分岐または環状であってもよい。任意選択として、Ｒ_１、Ｒ_２、Ｒ_３およびＲ_４は独立して、Ｃ_１〜Ｃ_６炭化水素基および１つ以上のハロゲン基からなる群から選択され、Ｒ_１、Ｒ_２、Ｒ_３およびＲ_４の少なくとも１つは、水素基を含む。例えば、塩化メチル、塩化メチレンまたはクロロホルムが使用されてもよい。

さらなる別の実施形態では、炭化水素化合物は、線形、分岐、環状または芳香族であり得る、少なくとも１つのＣ_１〜Ｃ_６炭化水素基で置換される芳香族化合物を含む。これらは、任意選択として、１つ以上のハロゲン原子で置換されてもよい。

炭化水素化合物の代わりに、または炭化水素化合物に追加して、シラン化合物を使用してもよい。一実施形態では、シラン化合物がＲ_１Ｒ_２Ｒ_３ＳｉＲ_４化合物を含み、Ｒ_１、Ｒ_２、Ｒ_３およびＲ_４は独立して、Ｃ_１〜Ｃ_６炭化水素基からなる群から選択される発明による方法が提供される。任意選択として、Ｒ_１、Ｒ_２、Ｒ_３およびＲ_４は独立して、Ｃ_１〜Ｃ_６炭化水素基および１つ以上のハロゲン基からなる群から選択される。

一実施形態では、シラン化合物は、Ｒ_１Ｒ_２Ｒ_３ＳｉＲ_４化合物を含み、Ｒ_１、Ｒ_２、Ｒ_３およびＲ_４は独立して、Ｃ_１〜Ｃ_６炭化水素基および水素基からなる群から選択され、Ｒ_１、Ｒ_２、Ｒ_３およびＲ_４の少なくとも１つは、水素基を含み、すなわち、シリコン分子は、線形、分岐、環状または芳香族であってお互い独立し得る３つまたは３つより少ない炭化水素基によって統合される（例えば、トリまたはジメチルシラン）。炭化水素側鎖は、１つ以上の不飽和結合、すなわち、アルケン、アルキンまたは芳香族を有していてもよい。特定の実施形態では、炭化水素化合物は、ＨＳｉＲ_１Ｒ_２Ｒ_３から選択され、Ｒ_１、Ｒ_２およびＲ_３は独立して、ＳｉＨ（ＣＨ_３）_３（トリメチルシラン）、ＳｉＨ（ＣＨ_２ＣＨ_３）_３（トリエチルシラン）、ＳｉＨ（ＣＨ_２ＣＨ_２ＣＨ_３）_３（トリプロピルシラン）、ＳｉＨ（ＣＨ_２ＣＨ_２ＣＨ_２ＣＨ_３）_３（トリブチルシラン）、ＳｉＨ（ＣＨ_２ＣＨ_２ＣＨ_２ＣＨ_２ＣＨ_３）_３（トリペンチルシラン）およびＳｉＨ（ＣＨ_２ＣＨ_２ＣＨ_２ＣＨ_２ＣＨ_２ＣＨ_３）_３（トリヘキシルシラン）のようなＣ_１〜Ｃ_６炭化水素基からなる群から選択される。さらなる別の特定の実施形態では、シラン化合物は、Ｒ_１Ｒ_２Ｒ_３ＳｉＨからなる群から選択され、Ｒ_１、Ｒ_２およびＲ_３は独立して、例えば、ＳｉＨ（ＣＨ_３）_４（トリメチルシラン）、ＳｉＨ（ＣＨ_２ＣＨ_３）_４（トリエチルシラン）、ＳｉＨ（ＣＨ_２ＣＨ_２ＣＨ_３）_４（トリプロピルシラン）、ＳｉＨ（ＣＨ_２ＣＨ_２ＣＨ_２ＣＨ_３）_４（トリブチルシラン）のような、線形、分岐または環状であり得るＣ_１〜Ｃ_４炭化水素基からなる群から選択される。上記のように、側鎖は、一実施形態では、例えば上記で定義されたような、これらの炭化水素基の異性体を含んでもよい。側鎖は、不飽和の炭化水素基を含んでもよい。側鎖は、異なっていてもよく、線形、分岐または環状であってもよい。任意選択として、Ｒ_１、Ｒ_２、Ｒ_３およびＲ_４は独立して、Ｃ_１〜Ｃ_６炭化水素基および１つ以上のハロゲン基からなる群から選択され、Ｒ_１、Ｒ_２、Ｒ_３およびＲ_４の少なくとも１つは、水素基を含む。別の実施形態では、シランはポリシランを含む。

さらに、一般に、Ｃ_１〜Ｃ_２５化合物（例えば、Ｃ１〜Ｃ６、特にＣ１〜Ｃ４またはＣ１〜Ｃ３など）、または、炭化水素化合物もしくはシラン化合物のいずれかのためのＣ_１〜Ｃ_６炭化水素側基あるいはＣ_１〜Ｃ_４炭化水素側基は、アルコキシ基（例えば、アルキルアルコキシシラン）、アルコール基およびハライド基の群から選択される１つ以上の置換基を含んでもよい。当業者に明らかであるように、ガスの組み合わせを使用してもよい。

全ての上述の側鎖に対して、側鎖は、一実施形態では、例えば上記で定義されたような、これらの炭化水素基の異性体を含んでもよい。側鎖は、不飽和の炭化水素基を含んでもよい。側鎖は、異なっていてもよく（１つの化合物内、例えば、エチルジメチルシラン：（ＣＨ_３ＣＨ_２）ＳｉＨ（ＣＨ_３）_２等）、線形、分岐または環状であってもよい。さらに、側鎖は独立して、１つ以上のハロゲン置換基を含んでもよい。

さらなる別の実施形態では、シラン化合物は、Ｓｉ_ｎＨ_２ｎ＋２からなる群から選択される１つ以上の化合物を含み、ｎは１または１より大きい整数である。特に、ｎは１〜６の範囲内、より詳細には、１〜３または１〜２のように１〜４の範囲内である。

Ｈ_２（その類似体を含む）のみを使用することに対する問題は、水素の光解離が特定の波長を必要とするということであり得る。他の波長のほうがより適していることがあるため、波長の選択がより柔軟であった場合、それは利点である。したがって、示されているように、Ｈ_２の間接的光解離を使用することは可能である。多数の種類の化合物が使用されてもよく、それらはＣ−Ｈ、Ｃ−Ｃ、Ｃ＝Ｃ、Ｃ≡Ｃのような典型的な結合を含み、Ｎ−Ｎ、Ｎ＝Ｎ、Ｃ−Ｎ、Ｃ＝Ｎ、Ｎ−Ｈ、ＳＨのような結合を用いる化合物も可能である。異なる結合をそれぞれ用いる２つ以上の化合物による組み合わせも、使用してもよい。このＨ_２の間接的光解離を用いることによって（上記の反応スキームを参照）、放射のソースを選択することに対して多くの自由がある。というのは、異なる化合物は、異なる波長によって解離されるからである（上記されたように）。解離波長は、かつそれにより放射のソースの選択は、よって、より広く、柔軟性がある。したがって、本明細書中で提案されている解決策は、水素化合物の間接的光解離を使用することである。例えば、別の水素ラジカルを形成するためにＣＨ_３ラジカルが水素化合物と反応できる後、ＣＨ_４は、ＣＨ_３とＨに解離されてもよい。

上記されたように、これらの炭化水素化合物の２つ以上による組み合わせが使用されてもよい。同様に、２つ以上のシラン化合物による組み合わせも使用されてもよい。同様に、１つ以上の炭化水素化合物および１つ以上のシラン化合物による組み合わせも使用されてもよい。一実施形態では、補助化合物含有ガスは、１つ以上の上記の結合を有する化合物を含んでもよく、かつ一実施形態では、それぞれが異なる結合（上述されたように）を有し得る化合物の組み合わせを含んでもよい。例えば、メタン、エタンおよびエチレンの組み合わせ、さらにエタンおよびエチレンの組み合わせ等を使用してもよい。したがって、一実施形態では、補助化合物含有ガスが適用され、水素ラジカルが多数の異なる放射波長で生成され得る。これらの補助化合物の２つ以上による組み合わせを使用することの利点は、Ｈラジカルを（間接的に）形成するために広帯域源が使用されてもよいことであり、これは効率をさらに上げる場合がある。

上記されたように、一実施形態では、実質的に水素含有ガスのみが適用され、すなわち、ガスソースによって供給されるガスは実質的に水素のみ（類似体を含む、上記参照）を含む。実質的にという単語は特に、９５ｖｏｌ．％以上、特に９９ｖｏｌ．％以上の量のＨ_２（その類似体を含む）を含んでいると解釈できる。一実施形態では、Ｈ_２含有ガス内の（汚染物質のような）非Ｈ_２の内容は、約１００ｐｐｍｖ（１００万分の１体積分率）またはそれ以下のように、１−０ｖｏｌ．％の範囲内である。本明細書中、体積とは、ガスの総体積に対するＨ_２ガス（その類似体を含む）（または汚染物質）の体積を表す。

上記の方法の特定の実施形態では、水素含有ガスおよび補助化合物含有ガスの両方が適用され、すなわち、光解離によって水素ラジカルを生成するためのガスとして使用される。さらなる特定の実施形態では、補助化合物に対する水素ガスの体積率は、約５０００〜２、特に約５０００〜５の範囲内にある。本明細書中、体積とは、ガスの総量に対するＨ_２ガス（その類似体を含む）および補助化合物含有ガスの体積を表す。例えば、１００部のＨ_２ガスおよび１部のＣＨ_４ガスは、１００の割合（水素ガス対補助化合物）を提供する。補助化合物含有ガスを使用する場合、Ｈラジカルが間接的に形成されてもよい（上記のスキームも参照）。

任意選択として、ガスはハロゲンを含んでもよい（特にＩ_２）。したがって、一実施形態では、水素、補助化合物ガスおよびハロゲンからなる群から選択される１つ以上のガスが提供される。水素の体積率は特に、約２０〜１００ｖｏｌ．％の範囲内であり、補助化合物の体積率は特に、約０〜５０ｖｏｌ．％（特に、約０．１〜２０ｖｏｌ．％）の範囲内であり、ハロゲンの体積率は特に、０〜５ｖｏｌ．％（特に、約０．００１〜１ｖｏｌ．％、例えば特に、約０．０２〜０．５ｖｏｌ．％）の範囲内である。

特定の実施形態では、炭化水素化合物は、Ｃ１〜Ｃ４炭化水素、詳細にはＣ１〜Ｃ３、より詳細にはＣ１〜Ｃ２炭化水素からなる群から選択される。適用可能な所では、炭化水素化合物は、１つ以上の不飽和結合および／またはハロゲン置換基のような置換基の１つ以上を含んでもよい。したがって、一実施形態では、補助化合物は、Ｃ１〜Ｃ４炭化水素化合物からなる群から選択される１つ以上の化合物を含む。

さらなる実施形態では、補助化合物含有ガスは、光開始剤および連鎖移動剤からなる群から選択される１つ以上の化合物を含み、これらは光解離可能な水素基を有する。光開始剤は、エネルギーの特定の波長にさらされた場合にラジカルを形成する剤である。連鎖移動剤は、連鎖重合において連鎖移動をもたらすことができる物質である。これは、重合鎖の成長末端でラジカルに原子を与え、そうすることで、新しい鎖の成長を開始できるラジカルができる。本明細書中、連鎖移動剤および光開始剤は、放射のソースの放射の影響のもとで水素ラジカルを形成する種である。

特定の実施形態では、水素含有ガスおよび補助化合物の両方が適用される。さらなる変形では、この混合は、Ｈ_２（および／またはその類似体）およびＣＨ_４、Ｃ_２Ｈ_４およびＳｉＨ_４からなる群から選択される１つ以上を含み、この混合は特に、Ｈ_２（および／またはその類似体）および約５ｖｏｌ．％のように２〜１０ｖｏｌ．％（ガスの総量に対して）のＣＨ_４、Ｃ_２Ｈ_４およびＳｉＨ_４からなる群から選択される１つ以上を含む。一実施形態では、混合は、Ｃ_２Ｈ_４（またはそれのみ）を補助化合物として含む。別の実施形態では、混合はＣＨ_４（またはそれのみ）を補助化合物として含む。さらなる別の実施形態では、混合はＳｉＨ_４（またはそれのみ）を補助化合物として含む。

「レンズ」という用語は、文脈によっては、屈折型、反射型、磁気型、電磁型および静電型光コンポーネントを含む様々な種類の光コンポーネントのいずれか１つまたはこれらの組合せを指すことができる。

本明細書で使用する「放射」および「ビーム」という用語は、紫外（ＵＶ）放射（例えば、波長λが３６５、２４８、１９３、１５７、または１２６ｎｍ）および極端紫外（ＥＵＶまたは軟Ｘ線）放射（例えば、波長が５〜２０ｎｍの範囲内、例えば１３．５ｎｍ）、ならびにイオンビームや電子ビームなどの粒子ビームを含めた全てのタイプの電磁放射を包含する。一般に、約７８０〜３０００ｎｍ（以上）の間の波長を有する放射が、ＩＲ放射とみなされる。ＵＶは、約１００〜４００ｎｍの波長を有する放射を表す。リソグラフィにおいては、ＵＶは、通常、水銀放電ランプによって発生することができる波長、すなわちＧ線４３６ｎｍ、Ｈ線４０５ｎｍ、および／またはＩ線３６５ｎｍにも適用される。ＶＵＶは、真空ＵＶ（すなわち、空気によって吸収されるＵＶ）であり、約１００〜２００ｎｍの波長を表す。ＤＵＶは、深ＵＶであり、リソグラフィにおいては通常、１２６ｎｍ〜２４８ｎｍなどエキシマレーザによって発生される波長に関して使用される。例えば５〜２０ｎｍの範囲内の波長を有する放射は、少なくとも一部が５〜２０ｎｍの範囲内にある何らかの波長帯域を有する放射に関係することを当業者は理解されよう。

「ＥＵＶソースＳＯが可視またはＵＶにおける波長を有する放射をさらに放出する」という表現は、本明細書中で使用されるようなＥＵＶソースに関連し、そのＥＵＶソースＳＯは、ＥＵＶ放射を放出するように構成されているが、一実施形態では、ＵＶまたは可視において放出することもある。当該技術分野で知られているＳｎＥＵＶソースは、ＥＵＶ放出を生成するように設計されているが、ＵＶおよび可視においても放出する。本明細書中、ソースおよびリソグラフィ装置は、特に使用中について記載される。したがって、「ＥＵＶソースがＥＵＶ（またはＵＶ）放射を放出する」などの表現は、「使用中」のリソグラフィ装置またソースを表す。

「洗浄構成」および「洗浄するための方法」という用語は、洗浄プロセスで使用されることがある構成および方法を表す。以下に述べるように、水素ラジカルの提供が、Ｓｎ酸化物などの酸化物の還元のために使用されることがあり、次のステップで、ハロゲン（例えばＩ_２など）が、ハロゲン化物の形成によってＳｎなどの金属を除去することができる。したがって、この文脈での「洗浄」は、望ましくない堆積の完全な除去または部分的な除去を意味し、しかしまた、（堆積を実質的に除去しない）還元など洗浄プロセスの一部も意味することもある。したがって、「洗浄」という用語は、洗浄プロセスの洗浄の工程におけるガスを用いた処理も含む。さらに、一実施形態では、それにも関わらず、水素ラジカルが、（Ｓｎ水素化物の形成によって）堆積を除去するために使用されてもよい。洗浄プロセスは、（ＣＨ_４のような揮発性炭化水素の形成によって）少なくとも部分的にＣ（炭素）を除去するためにも使用されてもよい。「洗浄される」という表現は、「部分的に洗浄される」ということも表す。

図２は、放射システム４２と、照明光学ユニット４４と、投影システムＰＳとを含む投影装置１をより詳細に示す。放射システム４２は、放電プラズマによって形成されてもよい放射ソースＳＯを含む。ＥＵＶ放射は、ガスまたは蒸気、例えばＸｅガス、Ｌｉ蒸気、またはＳｎ蒸気によって発生されることができ、このとき、電磁スペクトルのＥＵＶ範囲内で放射を放出するために非常に高温のプラズマが生成される。非常に高温のプラズマは、例えば放電によってプラズマを少なくとも部分的にイオン化することで生成される。例えば１０Ｐａの、Ｘｅ、Ｌｉ、Ｓｎ蒸気または任意の他の適切なガスまたは蒸気の分圧が、放射の効率的な発生に必要とされる。放射ソースＳＯによって放出される放射は、ソースチャンバ４７から、ソースチャンバ４７の開口部内または開口部の後方に位置決めされたガスバリアまたは汚染物質トラップ４９を通して、コレクタチャンバ４８内に進められる。ガスバリア４９は、チャネル構造を含むことができる。

コレクタチャンバ４８は、かすめ入射コレクタによって形成されることができる放射コレクタ５０（集光ミラーまたはコレクタとも呼ばれる）を含む。放射コレクタ５０は、上流放射コレクタ側５０ａと下流放射コレクタ側５０ｂとを有する。コレクタ５０を通された放射は、回折格子スペクトルフィルタ５１で反射させることができ、コレクタチャンバ４８のアパーチャで仮想ソース点５２に合焦される。コレクタチャンバ４８から、放射ビーム５６は、照明光学ユニット４４内で、法線入射レフレクタ５３、５４を介して、レチクルまたはマスクテーブルＭＴ上に位置決めされたレチクルまたはマスク上に反射される。パターニングされたビーム５７が形成され、このビーム５７は、投影システムＰＳ内で反射エレメント５８、５９を介してウェーハステージまたは基板テーブルＷＴ上に結像される。一般に、図示されるよりも多くのエレメントが、照明光学ユニット４４および投影システムＰＳ内に存在することがある。回折格子スペクトルフィルタ５１は、リソグラフィ装置のタイプに応じて任意選択で存在することがある。さらに、図に示されるものよりも多くのミラーが存在することがあり、例えば、５８、５９よりも１〜４個多くの反射エレメントが存在することがある。放射コレクタ５０は、従来技術から知られている。２つのリフレクタの間、参照番号１８０は、例えばリフレクタ１４２と１４３との間の空間を示す。

集光ミラー５０としてのかすめ入射ミラーの代わりに、法線入射ミラーが適用されてもよい。リフレクタ１４２、１４３および１４６を有する入れ子化されたコレクタとして、本明細書中の一実施形態により詳細に説明され、かつ図３ｃ〜図３ｆに概略的に示されている集光ミラー５０は、本明細書中、コレクタの一例としてさらに使用されている。したがって、適用可能な所においては、かすめ入射コレクタとしての集光ミラー５０は、一般的にコレクタとしても解釈されてもよく、一実施形態では、法線入射コレクタとしても解釈されてもよい。

さらに、図２に概略的に示されたような格子５１の代わりに、透過型光フィルタが適用されてもよい。ＥＵＶ放射が透過し、かつＵＶ放射があまり透過せず、またはＵＶ放射を実質的に吸収までもする光フィルタは、当該技術分野では公知である。したがって、「格子スペクトル純度フィルタ」は、本明細書中、格子または透過型フィルタを含む「スペクトル純度フィルタ」としてさらに示される。概略図３ａおよび３ｂには示されていないが、任意選択の光エレメントとしても含まれるのは、例えば集光ミラー５０の上流に構成されたＥＵＶ透過型光フィルタ、または照明ユニット４４および／または投影システムＰＳにおける光ＥＵＶ透過型フィルタであってもよい。

本明細書中、光エレメントに対する「上流」および「下流」という用語は、それぞれ、「光学的上流」および「光学的下流」の位置を示す。放射ビームＢは、リソグラフィ装置１を通過する。放射ビームＢがリソグラフィ装置１中を横断する光路を追って、第２の光エレメントよりソースＳＯに近い第１の光エレメントは、第２の光エレメントの上流に構成され、第２の光エレメントは、第１の光エレメントの下流に構成される。例えば、集光ミラー５０がスペクトルフィルタ５１の上流に構成されるのに対して、光エレメント５３はスペクトルフィルタ５１の下流に構成される。

図２に示される全ての光エレメント（およびこの実施形態の概略図に示されていない光エレメント）は、ソースＳＯによって生成される汚染物質、例えばＳｎの堆積を受けやすい。これは、放射コレクタ５０、および存在する場合にはスペクトル純度フィルタ５１に関して当てはまる。したがって、本発明による洗浄デバイスは、これらの光エレメントの１つまたは複数を洗浄するために使用されることができ、また、本発明の洗浄方法は、それらの光エレメントに適用されることができ、しかしまた、法線入射レフレクタ５３、５４および反射エレメント５８、５９、または他の光エレメント、例えば追加のミラー、回折格子などにも適用されることができる。

放射コレクタ５０は、かすめ入射コレクタであってもよい。コレクタ５０は、光軸Ｏに沿って位置合わせされる。ソースＳＯまたはそのイメージが、光軸Ｏ上に位置される。放射コレクタ５０は、リフレクタ１４２、１４３、１４６（いくつかのＷｏｌｔｅｒ型リフレクタを含むＷｏｌｔｅｒ型リフレクタとしても知られている）を含むことがある。時として、それらはシェルとも呼ばれる。これらのリフレクタ１４２、１４３、１４６は、入れ子化され、光軸Ｏの周りで回転対称である場合がある。図２では、内側リフレクタは参照番号１４２で示され、中間リフレクタは参照番号１４３で示され、かつ外側リフレクタは参照番号１４６で示されている。放射コレクタ５０は、ある体積、すなわち（１つまたは複数の）外側リフレクタ１４６内部の体積を取り囲む。通常、（１つまたは複数の）外側リフレクタ１４６内部のこの体積は、小さな開口部が存在することもできるが、円周方向で閉じられている。全てのリフレクタ１４２、１４３および１４６が、少なくとも一部が１層の反射層または幾つかの反射層を含む表面を含む。したがって、リフレクタ１４２、１４３および１４６（より多くのリフレクタが存在することもあり、３つより多いリフレクタまたはシェルを有する放射コレクタ（集光コレクタとも呼ばれる）の実施形態が本明細書に含まれる）は、ソースＳＯからのＥＵＶ放射を反射および収集するように設計された少なくとも一部を含み、リフレクタの少なくとも一部は、ＥＵＶ放射を反射および収集するようには設計されないことがある。例えば、リフレクタの裏面の少なくとも一部は、ＥＵＶ放射を反射および収集するようには設計されない。その部分も裏面と呼ばれ得る。これらの反射層の表面上には、さらに、保護のために、または反射層の表面の少なくとも一部の上に設けられる光フィルタとして、キャップ層が存在することもできる。

放射コレクタ５０は、ソースＳＯまたはソースＳＯのイメージの近傍に配置されてもよい。各リフレクタ１４２、１４３、１４６は、少なくとも２つの隣接する反射面を含んでもよく、ソースＳＯから離れた反射面は、よりソースＳＯに近い反射面よりも、光軸Ｏに対して小さな角度で配置される。このようにして、かすめ入射コレクタ５０は、光軸Ｏに沿って伝搬する（Ｅ）ＵＶ放射のビームを発生するように構成される。少なくとも２つのリフレクタは、実質的に同軸に配置され、光軸Ｏの周りで実質的に回転対称に延在してもよい。放射コレクタ５０が、外側リフレクタ１４６の外面上にさらなるフィーチャ、または外側リフレクタ１４６の周りにさらなるフィーチャ、例えば保護ホルダやヒータなどを有することもあることを理解すべきである。

使用中、外側１４６および内側１４２／１４３リフレクタの１つまたは複数の上に、堆積、特にＳｎソースＳＯが使用されるときにはＳｎが生じ得る。例えばＳｎソースによるＳｎの堆積は、数層の単層の後、放射コレクタ５０または他の光エレメントの反射に有害であり、そのような光エレメントの洗浄を必要とする。本明細書における「有害」は、放射を反射（および／または収集）するように設計されたリフレクタまたはミラーの反射面の反射率の減少および損失を表す。さらに、炭素の堆積が生じ得る。

堆積、例えばＳｎを含む堆積は、一実施形態では（ガスとしての）ハロゲン、例えばＦ_２、Ｃｌ_２、Ｂｒ_２およびＩ_２によって、別の実施形態では水素ラジカルによって、さらなる実施形態では、水素ラジカルと、それと同時に、またはそれに続いて適用される１つ以上のハロゲンとの組合せによって除去されることができる。例えばＳｎを有する堆積が存在する場合、少量の酸素の存在により、通常、Ｓｎ酸化物も幾らか存在する。Ｓｎ酸化物を除去するために、元素Ｓｎを除去できる前に還元ステップが必要であり得る。したがって、一実施形態では、洗浄される表面の洗浄プロセスは、水素ラジカル含有ガスを洗浄される表面に提供するプロセスを含んでもよい。さらなる別の実施形態では、洗浄プロセスは、（上述されたような）１つ以上のハロゲンガスをさらに含む水素ラジカル含有ガスを洗浄される表面に提供するプロセスを含む。別の実施形態では、洗浄される表面の洗浄プロセスは、水素ラジカル含有ガスを洗浄される表面に提供し、その後、１つ以上のハロゲンガスをさらに含む水素ラジカル含有ガスを洗浄される表面に提供するプロセスを含んでもよい。さらなる別の実施形態では、洗浄される表面の洗浄プロセスは、水素ラジカル含有ガスを洗浄される表面に提供し、その後、ハロゲン含有ガスを洗浄される表面に提供するプロセスを含んでもよい。これらの実施形態のプロセスは、任意選択として、続いて、水素ラジカル含有ガスを洗浄される表面に提供することをさらに含んでもよい。これらのプロセスによって、Ｓｎおよび／またはＣが除去されることがあり、特に、Ｓｎの除去に適切である。上記されたように、これらのプロセスでは、水素ラジカル含有ガスは、水素含有ガス、補助化合物含有ガス、および、特に水素と補助化合物含有ガスとの組み合わせから生成され得る。

したがって、還元または除去のいずれかのための水素ラジカルが、コレクタ５０の表面の少なくとも一部、または他の光エレメントの洗浄される表面の少なくとも一部に提供されなければならない。そのような表面は、例えば、Ｓｎのような堆積で汚染されているリフレクタ１４２、１４３および１４６のＥＵＶ反射面である。さらに、水素ラジカルは、揮発性炭化水素の形成によって炭素堆積を除去するために使用されてもよい。

図１および図２を参照すると、異なる光エレメントが、例えばＳｎおよび／またはＣ堆積から少なくとも部分的に洗浄されなければならない場合がある。一実施形態では、光エレメントは、集光ミラー５０、放射システム４２（ソースコレクタモジュールとしても知られている）、照明システムＩＬおよび投影システムＰＳ（投影光ボックスとして知られている）の群から選択される。一実施形態では、洗浄されるモジュールは、スペクトル純度フィルタ５１であってもよい。さらなる別の実施形態では、洗浄されるモジュールは、マスク、特に反射多層マスクであってもよい。（少なくとも部分的に）洗浄される表面は、集光ミラー５０（法線入射コレクタまたはかすめ入射コレクタである）、スペクトル純度フィルタ５１（格子または透過型フィルタ）および放射システム（光）センサ（図示せず）のような放射システム４２に含まれる光エレメントと、ミラー５３および５４（または存在する場合、他のミラー）ならびに照明システム（光）センサ（図示せず）のような照明システム４４に含まれる光エレメントと、ミラー５８および５９（または存在する場合、他のミラー）ならびに投影システム（光）センサ（図示せず）のような投影システムＰＳに含まれる光エレメントとの群から選択される光エレメントの表面を含んでもよい。一実施形態では、「光エレメント」という用語は、汚染物質バリア４９も含む。したがって、光エレメントという用語は、格子スペクトルフィルタ、透過型光フィルタ、多層ミラー、多層ミラー上のコーティングフィルタ、かすめ入射ミラー、（多層コレクタのような）法線入射ミラー、かすめ入射コレクタ、法線入射コレクタ、そしてさらに（光）センサおよび汚染物質バリア４９の群から選択される１つ以上のエレメントを表す。本発明の洗浄方法は、光エレメントの表面ではない、壁、サポート構造、ガスロックなどの他の表面を洗浄するために使用されてもよい。

「光エレメント」、「洗浄される表面」という用語はそれぞれ、複数の「光エレメント」および複数の「洗浄される表面」にも関連する。

リソグラフィ装置１の光エレメントの洗浄および構成２５０の洗浄は、上記された少なくとも複数のリフレクタを含むコレクタ５０に関連して説明される。しかしながら、図３ａ〜図３ｆに示される洗浄構成２５０は、（上記されたような）他の光エレメントの洗浄のためにも使用されてもよい。

図３ａを参照すると、洗浄構成２５０（特に、リソグラフィ装置１の光エレメント２０１の洗浄される表面２０２のために設計されていることがある）は、水素ラジカル含有ガス９６を洗浄される表面２０２の少なくとも一部に提供するように構成された水素ガスソース７００および水素ラジカルソース１０３を含む。表面２０２は、光エレメント２０１の表面であってもよい。一実施形態では、光エレメントは、集光ミラー５０を含む。光エレメント２０１の表面２０２は、炭素、スズ、または炭素およびスズの両方で汚染され得る。他の汚染物質も存在し得る。汚染物質は、堆積２０３によって概略的に示されているが、汚染は必ずしも層のような堆積を形成しないことが理解されたい。上述されたように、水素含有ガス、補助化合物含有ガス、および任意選択としてハロゲンからなる群から選択される１つ以上のガスを含むガス１００が提供されてもよい。したがって、水素ガスソース７００は、本明細書中の一実施形態では、上記のガス１００の１つ以上を提供するように構成された１つ以上のガスソース７００を含んでもよい。１つのガスソース７００は、複数のガス１００の混合物を提供してもよいが、複数のガスソース７００は、複数のガス１００の混合物、またはＨ_２および炭化水素ガスなどの個別のガス１００をそれぞれ提供してもよい。したがって、水素ガスソース７００は本明細書中、水素ガスソース７００として示されているが、別の実施形態では、水素含有ガス、補助化合物含有ガス、および任意選択としてハロゲンからなる群から選択される１つ以上のガス１００を提供するように構成された１つ以上のガスソース７００を表す。これらのガスは、ガス１００として示される。

以下では、本発明は、実施形態を用いてさらに示され、特に、Ｈ_２はガス１００として表される。しかしながら、本発明による変形では、これは代替として補助化合物ガスとしても解釈されてもよく、本発明による特定の変形では、水素および補助化合物（上記参照）を含むガスとしても解釈されてもよい。

水素含有ガスソース７００は、上記されたように、水素含有ガス、重水素含有ガスなどを提供するように構成されてもよい。したがって、ソース７００は、参照番号１００で示される水素含有ガスを提供するように構成されている。このガスは、チューブ１０４の開口部であり得る出口１０６を介してソース７００から出る。チューブ１０４は、ソース７００とガス状接触しており、ガス１００を所定の位置、例えば洗浄される表面の数センチ以内、本明細書中では表面２０２と示されており、例えば洗浄される光エレメント２０１の表面２０２の少なくとも一部の約２〜５０ｃｍ以内に提供するように構成されてもよい。一実施形態では、出口１０６は、水素ラジカル９６によって汚染物質から洗浄される、および／またはこれらのラジカル９６によって処理される表面２０２の少なくとも一部から約１０ｃｍ以下離れている。

一実施形態では、チューブ１０４は、例えば、集光ミラー５０（図２で参照番号１８０として示されてる）の２つのシェルの間の所定の位置に位置付けされるように移動可能であってもよい。「出口１０６」および「チューブ１０４」という用語は、それぞれ、複数の出口１０６およびチューブ１０４を用いる実施形態を含んでもよい。

水素含有ガス１００は、例えば、チューブ１０４内のガス流を誘導するように構成されたポンプ（任意選択のポンプ４００から独立していることがあるそのようなポンプは、図示されていない）によって、または光エレメント２０１が構成されている体積の圧力に対するソース７００における過圧によって、または排気ポンプ４００によって、洗浄される表面２０２の方向に少なくとも部分的に流れる。チューブ１０４を介して流れ１００を提供するように構成されたポンプ、および洗浄される光エレメント２０１が構成されている体積からガスを排出するように構成されたポンプ４００のように、２つまたは複数による組み合わせが使用されてもよい。図３ａで概略的に示されている構成では、洗浄される表面２０２に流れが提供される。この流れは初期的に、流れ１００を含み、これは水素含有ガスである。さらに、上記に加えて、「流れ」という用語は、水素ガス１００の拡散を含んでもよく、かつ適用可能な所では水素ラジカル９６の拡散も含んでもよい。したがって、水素含有ガス１００の流れを使用する場合、この流れは、必ずではないが、洗浄される表面２０２の方向へと誘導されることがある。揮発性反応製品は、拡散によって、表面２０２から拡散することもある。

放射ソース１０３が解離エネルギー（下記参照）の範囲内の波長を有する光を放射するエリアにおいて、水素分子の総数の少なくとも一部は、水素ラジカルに解離し、水素ラジカル含有ガス９６が提供される。放射ソース１０３によって放射される体積は、断続線で囲まれているエリア２１９によって概略的に示されている。概略図２ａおよび２ｂでは、水素ラジカルソース１０３が水素含有ガス１００および洗浄される表面２０２の両方が照射する実施形態が示されている（すなわち、表面２０２および／または堆積２０３はビーム２０９によって照射される）。

本明細書中、「水素ラジカルソース１０３」という用語は、光学放射ソース、特に、水素ラジカルソース１０３の放射によって照射される水素分子の光解離、および／または、上記されたように、（水素）ラジカル（および当業者に公知であり、かつ上記の例を用いる他の製品）への補助化合物の光解離へと導く（すなわち、誘導する）エネルギーを有するソースを表す。水素ラジカルソース１０３は、その放射２０９によって水素分子１００（および／または補助化合物）から水素ラジカル９６を生成する。したがって、水素ラジカルソース１０３は、それ自体がスタンドアローン装置として水素ラジカルを生成できるラジカルソースではないが、水素含有ガス（および／または補助化合物含有ガスかの）１００のソース７００と水素ソース１０３の放射２０９（すなわち、参照番号２１９で示されている照射された体積）との組み合わせによって、水素ラジカルソース１０３は水素ラジカル９６を生成することが可能である。水素ラジカルソース１０３は、水素含有ガス流１００（および／または補助化合物流）の少なくとも一部を照射する。したがって、本明細書中の「水素ラジカルソース１０３」は、「放射のソース１０３」または「放射ソース１０３」としても示される。以下に詳細に説明されるように、一実施形態では、放射のソース１０３は放射の追加ソース（すなわち、ＥＵＶソースＳＯに追加される）であり、別の実施形態では、放射のソース１０３は放射のソースＳＯ、特に、ソースＳＯのＥＵＶ放射を減少させるＵＶ透過型フィルタとの組み合わせであるソースＳＯであり得る。

水素ラジカル含有ガス（および／または補助化合物含有ガス）の流れは、一実施形態では、少なくとも１ｍ／ｓである。

例えば、揮発性水素化物（ＣＨ_４、ＳｎＨ_４等、あるいは水素化物、例えばＳｎ塩化物またはＳｎヨウ化物等のようなＳｎ水素化物）として汚染物質２０３の少なくとも一部が除去されるが、Ｈ_２Ｏが形成されて（Ｓｎ酸化物がＳｎに還元された場合）（上記参照）除去され得る。揮発された汚染の除去は、参照番号２０４で示されている。揮発性汚染は、排気を介して除去されてもよい。一実施形態では、揮発性汚染は、ポンプ４００によって少なくとも部分的に排気される。ポンプ４００は、開口部または入口（排気口）、あるいは複数の開口部１０７および排気５５０を含む。任意選択として、開口部１０７は、ポンプ４００とガス状接触しているチューブ４７１に設けられてもよい。一実施形態では、チューブ４７１が水素ラジカルおよび任意選択としてハロゲンでの処理によって揮発された汚染物質２０４を排気するように位置付けされ得るように、チューブ４７１は、洗浄される表面に近い所定の位置へと移動可能であってもよい。

放射のソース１０３によって放出される放射２０９は、任意選択のビームエキスパンダ２１０によって拡大されてもよい。同様に、望まれた場合かつソース１０３の種類によって、フォーカスレンズが使用されてもよい。放射ビーム２０９を提供するためにさらなる光学系が存在し得る。一実施形態では、放射のソース１０３およびビームエキスパンダのような任意の他の光学系２１０が、光エレメント２０１の表面２０２をスキャンするように構成されてもよい。

一実施形態では、放射のソース１０３としても示されている水素ラジカルソース１０３は、ＥＵＶソースＳＯ（図１および図２に表されている）とは異なるソースである。これは、ソースＳＯの隣に、少なくとも１つ以上ソース１０３がリソグラフィ装置１に取り付けまたは組み込まれてもよい。例えば、一実施形態では、放射システム４２は、少なくとも１つの水素ラジカルソース１０３を含んでもよく、一実施形態では、照明システムＩＬ（４４）は少なくとも１つの水素ラジカルソース１０３を含んでもよく、かつ投影システムＰＳは少なくとも１つの水素ラジカルソース１０３を含んでもよい。複数の水素含有ガスおよび／または補助化合物含有ガスソース７００および／または水素含有ガスソース７００の複数の出口１０６（および／または補助化合物含有ガスのためのソース７００）は、水素含有ガス１００を用いる異なるモジュール（システム）に役立つために使用されてもよい。同様に、ガスを排気するために複数の排気口１０７および／または複数のポンプ４００が使用されてもよい。

一実施形態では、放射のソースまたは水素ソース１０３は、水素分子を解離するのに十分であるエネルギーを放射２０９に提供するように設計されたソースを含む。水素の光解離を誘導する放射のソースは、ＵＶ（すなわち、約１００〜４００ｎｍの範囲内の放射波長）ソースを含んでもよい。さらに、一実施形態では、水素の光解離を誘導する放射のソース１０３は、高出力(high power)ＵＶソースを含む。一実施形態では、ソース１０３の放射２０９の波長または波長範囲は、水素分子の光解離が可能であるエネルギー範囲内である。例えば、Ｈ_２に対しては、ソース１０３の放射２０９の適した波長は、約２７０ｎｍであってもよい。この波長では、流れ１００における水素分子は、水素ラジカル含有ガス９６が生成されるように、放射２０９によってラジカルに解離される。同様に、ソース１０３の放射２０９の波長または波長範囲は、（水素）ラジカルを生成するための補助化合物の光解離が可能であるエネルギー範囲内である。これは、ＵＶでもあり得るが、可視においてもあり得る。

放射のソース１０３は、高圧水銀ランプ、重水素ランプおよびレーザ等の広帯域源および狭帯域源から選択されてもよい。１つより多いソースを使用してもよい。したがって、参照番号１０３は、１つ以上の放射のソース１０３を含む。例えば、Ｈ_２およびＤ_２等（任意選択として、炭化水素基含有化合物ガス混合物を含む）のガス混合物が使用された場合、異なる放射波長を有する異なるソースを使用してもよい。放射束、したがって洗浄／除去プロセスを増加させるために、複数のソースを使用してもよい。ソース１０３は、ラマンシフタ、周波数変更クリスタル（周波数二倍器、三倍器等）、エタロン、染料セルなど、波長を調節または変更する光学系および光デバイスをさらに含んでもよい。一実施形態では、放射のソース１０３は、（任意選択として、エキシマレーザから直接提供されない場合に解離のための波長を選択するために、染料レーザのような周波数シフタと組み合わせて）エキシマレーザのようなレーザソースを含む。

したがって、図３ａに概略的に示されている実施形態では、放射のソース１０３からの放射２０９は、洗浄を必要としている表面２０２に向かって誘導される。この表面２０２は、例えば、集光ミラー５０およびスペクトル純度フィルタ５１のようなかすめ入射ミラーの多層であってもよいが、汚染物質バリア４９のチャネル構造におけるチャネルの表面であってもよい。水素（Ｈ_２）および／または補助化合物含有ガスの流れは、洗浄される表面２０２の上へと誘導される。照らされたエリア２１９に入る際、水素分子１００および／または補助化合物含有ガスの総量の少なくとも一部は、Ｓｎおよび／またはＣ堆積２０３を表面２０２から除去するＨラジカル９６へと移される。この実施形態の利点は、レーザソースを使用する場合、放射２０９の波長をＨ−Ｈ結合、あるいはＣ−Ｈ、Ｃ−Ｃ、Ｃ＝Ｃ、Ｃ≡Ｃ、Ｎ−Ｈ、Ｎ−Ｎ、Ｎ＝Ｎ、Ｃ−Ｎ、Ｃ＝ＮまたはＳ−Ｈ結合のような他の結合を壊すための最適化された波長に調節することができることである。これによって、水素ラジカル９６は最も高い効率で生成されることができ、したがって、水素ラジカル９６を生成するために比較的低い力を必要とする場合がある。これは、洗浄中および洗浄後の光エレメント２０１の温度が比較的低いことを有利に意味することがある。例えば、ラジカルを生成するために熱フィラメントを用いる場合、実質的に温度はより高い場合があり、光学系が損害を受けているかまたはそのアライメントが緩んでいることを意味する。

図３ｂは、上述されたものと同じ実施形態を概略的に示しているが、ここでは、放射のソース１０３として（高出力）水銀ランプまたは（高出力）重水素ランプ等のような（高出力）ＵＶソースを使用している。例えば、Ｈｇランプが使用されてもよい。この実施形態の利点は、一部のレーザソースと比べて、非常に高出力なソースが利用可能であることである。一実施形態では、高出力水銀ランプは、８００ワットまたはそれ以上、例えば少なくとも１０００ワットのものが使用される。上記の実施形態と比べて、より多くの水素ラジカル９６が生成されることがあり、したがって、より早い洗浄速度が達成されることがある（同じ数の放射ソース１０３で比較して）。ＵＶ（広帯域）光ソースは、ＵＶレーザソースより小さく、かつ安い。

この実施形態の変形では、光学系２１０が含まれる。これらの光学系はフォーカスまたはデフォーカスレンズ（上記参照）を含んでもよいが、光フィルタも含んでもよい。さらなる別の実施形態では、光学系２１０は、有用な放射と比べて、水素分子（「無用な放射」）および／または補助化合物を解離できない放射（すなわち、水素および／または補助化合物を解離しない放射）を減少させるように設計されたフィルタを含む。例えば、光解離範囲内で放射の少なくとも一部に対して透過型であり、かつ水素分子（および／または補助化合物）を解離しない放射の少なくとも一部に対して透過型ではないまたはあまり透過型ではない帯域通過フィルタ、すなわち、所望の範囲内の周波数（光解離のエネルギーを有する波長）を通過させ、その範囲より低いおよび高い周波数を減衰するフィルタが使用されてもよい。例えば、約２７０ｎｍの帯域フィルタがＨ_２の解離に使用されてもよい。そのような光フィルタ２１０を使用することの利点は、この方法では、光エレメント２０１の洗浄される表面２０２は有用ではない放射によって不必要に加熱されないことである。したがって、損害および／またはアライメントが最小限に抑えられる。光学系２１０は、反射型または透過型の特徴を有していてもよい。さらに、光学系２１０は、多数の光学系を含んでもよい。

上記の実施形態は、汚染物質バリア４９、集光ミラー５０、スペクトル純度フィルタ５１、ミラー５３、５４、５７、５８（および存在する場合、他のミラー）、図示されていない他の反射型または透過型光フィルタ、光センサ等のような光エレメントを洗浄するのに適している。

集光ミラー５０を洗浄するための実施形態は、図３ｃ〜図３ｅに概略的に示されている。本明細書中、一実施形態では、放射のソース１０３は追加のソースではないが、ソースＳＯを含み、すなわちソースＳＯは放射のソース１０３である。一実施形態では、ソースＳＯは、当該技術分野で公知である、Ｓｎソースのような、ＥＵＶソースである。そのようなＥＵＶソースは、しかしながら、ＤＵＶ／ＵＶ範囲内でもいくらかの放射を放出する。この放射は、水素ガスおよび／または補助化合物含有ガスソース７００からの水素分子１００を、リソグラフィ装置１内の他の光エレメントの表面２０２またはシェル１４２、１４３および１４６の表面２０２（図示せず）を洗浄する水素ラジカル含有ガス９６に解離するために使用されてもよい。特定の変形においては、放射のソース１０３の光学的下流および洗浄される光エレメントの光学的上流にフィルタ２１１が構成される。このフィルタは、反射型または透過型であってもよい。一実施形態では、フィルタ２１１は透過型である。このフィルタは、光解離範囲内の放射の少なくとも一部に対して透過型であり、かつ水素分子および／または補助化合物を解離しない放射の少なくとも一部に対して透過型ではないかまたはあまり透過型ではないように構成および設計され、すなわち、所望の範囲内の周波数（光解離のエネルギーを有する波長）を通過させ、その範囲より上および／または下の周波数を減衰させるフィルタである。一実施形態では、解離エネルギーの上および下の周波数を減衰させる帯域通過フィルタが適用される。光フィルタ２１１が位置付け可能である。これは、洗浄中にフィルタ２１１が存在し得、リソグラフィプロセス中にフィルタ２１１が除去されることを意味する。

上述されたように、ＥＵＶソースＳＯはＥＵＶ放射のみではなく、ＵＶのような他の光周波数も生成する。ＵＶは水素分子を生成するために使用することができるが、ソースＳＯ（すなわち、本明細書中、放射のソース１０３も）からのＥＵＶ放射が集光ミラー５０のような光学系に損害を与え得るイオン化水素を生成する可能性がある。これを回避するために、フィルタ２１１が使用される。この実施形態は、実質的に（追加の）空間を必要としない。というのは、自然に存在するソースＳＯは、光フィルタ２１１と組み合わせて、水素ラジカルソース１０３として使用されるからである。したがって、この実施形態では、放射のソース１０３は、ＥＵＶおよびＵＶ放射を放出するソースＳＯ、およびＵＶ放射に対してＥＵＶ放射を減らすように設計された光フィルタ２１１を含む。他の実施形態では、光フィルタ２１１は、可視放射に対してＥＵＶ放射を減らすように設計されている。

図３ｄは、この実施形態の変形をより詳細に示している。任意選択の汚染物質バリア４９が存在する場合、フィルタ２１１は、汚染物質バリア４９の光学的下流（すなわち、汚染物質バリア４９と集光ミラー５０との間）または汚染物質バリア４９の光学的上流（すなわち、ソースＳＯと汚染物質バリア４９との間）に構成されてもよい。後者の実施形態は、汚染物質バリア４９を水素ラジカル９６で処理するために適していることがあり、前者は、集光ミラー５０を水素ラジカル９６で処理するために適していることがある。後者の場合、水素含有ガスおよび／または補助含有化合物ガスソース７００の出口１０６は、汚染物質バリア４９を介してガス流１００を提供するように構成されてもよい。図３ｄに概略的に示されている実施形態では、洗浄構成２５０は、集光ミラー５０を介して水素ラジカル９６を有するガス流を提供するように構成されている。任意選択の排気ポンプ４００の排気口１０７の位置および水素含有ガスソース７００の出口１０６の位置を調整することによって、水素ラジカル含有ガス流９６の方向を調整することができる。

一実施形態では、集光ミラー５０および水素ラジカルを用いて処理される他の光エレメント（例えば、任意選択の汚染物質バリア４９）は、リソグラフィ装置１の他の部から離されていてもよい（インサイチュ）。洗浄されるエレメントは、図３ｅおよび図３ｆに概略的に示されているように、本明細書中では集光ミラー５０に対して、円周ハル(circumferential hull)５００によって囲まれている。ハル５００は、水素含有ガス１００のための出口１０６およびポンプ４００によって排気５００へとガスを除去するための排気口１０７を含む。したがって、ＥＵＶソースＳＯがＵＶにおける波長を有する放射をさらに放出するリソグラフィ装置１が提供され、リソグラフィ装置１は、ＥＵＶソースＳＯと洗浄される表面との間に位置付け可能な光フィルタ２１１をさらに含み、光フィルタ２１１は、ＵＶ放射に対するＥＵＶ放射を減少させるように構成されている。

上述したように、一部の場合においては、化合物を光解離するために可視放射が使用されてもよく、したがって、水素ラジカルが生成される。したがって、一実施形態では、ＥＵＶソースＳＯが可視光における波長を有する放射をさらに放出するリソグラフィ装置１が提供され、リソグラフィ装置は、ＥＵＶソースと洗浄される表面との間に位置付け可能な光フィルタをさらに含み、光フィルタは、可視放射に対するＥＵＶ放射を減少させるように構成されている。

上記したように、出口１０７および排気口１０７が、集光ミラー５０の少なくとも一部を介してガス流を提供するように構成されている。図３ｃ〜図３ｅに概略的に示されているものより他の光エレメントが洗浄されるか、または他の種類の集光ミラー５０が洗浄される場合、水素ガスおよび／または補助化合物含有ガス出口１０６および開口部１０７は、洗浄される表面の少なくとも一部の上で流れを提供するように構成される。汚染物質バリア４９が洗浄される場合、水素ガスおよび／または補助化合物含有ガス出口１０６および開口部１０７は、汚染物質バリア４９の少なくとも一部を介する流れを提供するように構成される。

さらに、円周ハル５００は少なくとも、洗浄される表面２０２がソースＳＯ（放射のソース１０３）によって照射され得るように、ソースＳＯの水素（および／または補助化合物含有ガス）の光解離を誘導する放射２０９の少なくとも一部を透過させるように構成および設計されている１つフィルタ２１１を含む。図３ｄで概略的に示されている実施形態のように、この実施形態は、フィルタ２１１と組み合わせて、水素ラジカルソース１０３としてソースＳＯを含む。

この実施形態では、処理プロセスはリソグラフィ装置１の他の部分から離れており、したがって、例えば、揮発性水素化物（２０４）の再堆積によるリソグラフィ装置１の至る所における汚染は最小限に抑えられ得る。実際には、反応器が設けられ、そこで水素ラジカル処理が実行される。

任意選択として、円周ハル５００は、洗浄される光エレメントの下流に構成され、かつ放射２０９の少なくとも一部が装置の残部を通過するように構成された第２のフィルタ２１１ｂをさらに含んでもよい。例えば、フィルタ２１１ｂを透過する放射は、光エレメント５３、５４等を照射するために使用されてもよい。

ソースＳＯを水素ラジカルソース１０３として使用することは、光学系上の照明されたエリアが水素分子の解離のために放射によって処理されることを可能にし、これは、フィルタ２１１（および任意選択のフィルタ２１１ｂ）が存在しない場合にＥＵＶ放射によって照明されるのと実質的に同じである。したがって、良い照射が、特に集光ミラー５０の反射面に対して達成されることがあるのに対して、追加のソース１０３が使用された場合、集光ミラー５０の反射面の全面を照射することがより複雑であり得る。これは、上記のＷｏｌｔｅｒ集光ミラーのような曲がった表面を有する集光ミラーを使用する場合、望まれる実施形態であり得る。

円周ハル５００は、１つまたは２つのドアを含む繭のようなハルであってもよく、少なくとも１つのドアはソースＳＯと洗浄される光エレメントとの間に構成され、ドアはフィルタ２１１を含んでもよい。洗浄される光エレメントの下流に構成される場合がある第２のドアが存在してもよく、第２のドアは、任意選択としてフィルタ２１１ｂを含んでもよい。

そのようなドアは、参照番号１２０および１３０を用いて図３ｅに概略的に示されており、図３ｆにはより詳細に示されている。ドア１３０は任意選択である。本明細書中、放射のソース１０３（すなわち、水素ラジカルソース１０３）は図示されていない。円周ハル５００は、ハル２００およびドア１２０を含んでもよい。任意選択として、２つのドアが存在してもよく、これらはドア１２０および１３０として示されている概略図３ｅおよび図３ｆにある。ハル２００は円形ハル２００として概略的に示されているが、他の形を使用してもよい。

ドア１２０および任意選択のドア１３０とは別の、円周ハル５００内の光フィルタ２１１および任意選択のフィルタ２１１ｂの位置が可能である。例えば、それらはハル２００内に存在してもよい。

図３ｆでは、水素含有ガスおよび／または補助化合物含有ガス１００は、ドア１２０の開口部（すなわち、図では出口１０６）を介して入り、ガスは任意選択のチューブ４７１を介して排気口１０７を通ってポンプ４００によって除去される。水素ラジカルソース１０３は、フィルタ２１１（または任意選択のフィルタ２１１）を介して円周ハル５００内の水素含有ガスおよび／または補助化合物含有ガス１００を照射し、それによって円周ハル５００内に水素ラジカルを生成し、それによって円周ハル５００に含まれる光エレメントの洗浄／処理される表面を洗浄／処理する。

ドア１２０および任意選択のドア１３０とは別の、円周ハル５００内の出口１０６および排気１０７の位置が可能である。例えば、それらはハル２００内に存在してもよい。

本明細書中、洗浄構成２５０は、水素含有ガスおよび／または補助化合物含有ガス１００、放射のソース１０３（図示せず）、光エレメントを囲うように構成された円周ハル５００を含み、円周ハル５００は、少なくとも１つのドア１２０および任意選択として第２のドア１３０を含み、円周ハル５００は、ソース７００からの水素含有ガスおよび補助化合物含有ガス１００を円周ハル５００によって囲われている体積へと導入するように構成された出口１０６および円周ハル５００からガスを除去するように構成された排気口１０７をさらに含み、円周ハル５００は、フィルタ２１１および任意選択のフィルタ２１１ｂをさらに含み、フィルタ２１１は放射のソース１０３の放射２０９の少なくとも一部を透過させるように構成され（すなわち、水素分子および／または補助化合物の光解離が誘導され得る波長範囲の少なくとも一部は、少なくとも部分的に円周ハル５００へとフィルタ２１１を透過する）、放射のソース１０３およびフィルタ２１１は、円周ハル５００に含まれる水素含有ガスおよび／または補助化合物含有ガスの少なくとも一部を照射するように構成され、それによって円周ハル５００に含まれる体積に導入される水素含有ガスおよび補助化合物含有ガス１００における水素分子および／または補助化合物の総量の少なくとも一部を水素ラジカル含有ガス９６に変換し、洗浄構成は、水素ラジカル含有ガスを円周ハル５００に含まれている洗浄される光エレメントの表面に提供するように構成されている（すなわち、円周ハル５００によって囲われている体積内に構成される）。

図３ｅおよび図３ｆに概略的に示されている洗浄構成は、水素ラジカルソース１０３としてソースＳＯのみを用いて使用されないことがあり、別の水素ラジカルソース１０３が使用されることもある。例えば、ＵＶソースがフィルタ２１１または任意選択のフィルタ２１１ｂの前に配置されてもよい。１つより多いソース１０３が使用されてもよい。さらに、１つより多いフィルタが使用されてもよい。

図３ｅおよび図３ｆに概略的に示されている洗浄構成２５０が集光ミラー５０を囲っていると想定すると、円周ハル５００に含まれるガス１００をフィルタ２１１を介して照射するために追加の放射のソース１０３が集光ミラー５０の光学的上流に配置されてもよく（例えば、集光ミラー５０と任意選択の汚染物質バリア４９との間）、および／または円周ハル５００に含まれるガス１００をフィルタ２１１ｂを介して照射するために追加の放射のソース１０３が集光ミラー５０の光学的下流に配置されてもよい。２つ以上のフィルタ２１１／２１１ｂを使用する場合、少なくとも１つのフィルタは、放射の少なくとも一部を円周ハル５００の外に透過させるように構成されてもよい。円周ハル５００から漏れ出る放射は、他の光エレメントを洗浄するために使用されてもよい（上記参照）。

洗浄構成２５０は、リソグラフィ装置１のインサイチュ(in situ)で使用されてもよいが、エックスサイチュ(ex situ)で使用されてもよい。さらに、そのような洗浄構成は、集光ミラー５０を洗浄するために使用されてもよいが、汚染物質バリア４９のような他のエレメント、他の反射型または透過型の光フィルタ（上記したように）などであってもよい。円周ハル５００を含む洗浄構成２５０をインサイチュ洗浄のために使用する場合、リソグラフィプロセス中に実質的に妨げられない放射ビームＢを保証するために円周ハル５００の少なくとも一部が除去可能である。例えば、ドア１２０および１３０が移動可能であってもよく、またはフィルタ２１１および２１１ｂが移動可能であってもよい。

上記の実施形態では、図３ｅおよび図３ｆに概略的に示されたように、放射のソース１０３は、ソースＳＯまたはソースＳＯに追加される放射のソースのいずれかである。追加の放射のソース１０３は、円周ハル５００の外に構成されてもよい。さらなる別の実施形態では、追加の放射のソース１０３は、円周ハル４００内に構成される。この実施形態では、光フィルタ２１１および任意選択の光フィルタ２１１ｂは必要ではなく、たとえそのようなフィルタの１つまたは複数が円周ハル５００の外の光エレメントを照射するためにまだ使用されている場合があっても必要ではない。

水素ラジカルおよび任意選択としてハロゲンを用いた処理の後、フィルタ２１１（単独のフィルタまたはドア１２０に含まれたフィルタ）は除去される。任意選択のフィルタ２１１ｂが存在した場合（単独のフィルタまたはドア１３０に含まれたフィルタのいずれかとして）、フィルタ２１１ｂも除去される。次いで、リソグラフィプロセスを続けることができる。したがって、フィルタ２１１および任意選択のフィルタ２１１ｂは、位置付け可能である。

例えば、図３ａおよび図３ｂに関連する上記の実施形態を使用する場合、一部の光エレメントもオンライン、すなわち、リソグラフィプロセス中に洗浄されてもよい。

上記されたように、光フィルタ２１１は、集光ミラー５０の上流（すなわち、集光ミラー５０の光学的上流）に配置されてもよく、または集光ミラー５０の下流（すなわち、集光ミラー５０の光学的下流）に配置されてもよい。後者の実施形態では、特に照明エリア（図２参照、参照番号４４（ＩＬ））内の光エレメントおよび／または投影エリア（図２参照、参照番号ＰＳ）内の光エレメントが、ＵＶ放射によって照射されることがある。

さらなる実施形態では、リソグラフィ装置およびリソグラフィ装置の光エレメントの洗浄される表面を洗浄するための洗浄方法が提供され、リソグラフィ装置は、（ＥＵＶ放射に対して）ＵＶ放射を低減するための光フィルタ、例えばＵＶ放射を低減させるための透過型光フィルタを含み、ＵＶ放射を低減するためのこのフィルタは除去される。したがって、ＵＶ放射は、リソグラフィ装置中を「邪魔されずに」伝搬することができ、本発明の洗浄構成および洗浄方法で使用することができる。一実施形態では、ＵＶを低減するための光フィルタの除去の次に、光フィルタ２１１が、ビームＢにおいて、洗浄される光エレメントの光学的上流に構成される。この光フィルタ２１１は、上記されて図３ａ〜図３ｆ、例えば図３ｃ〜図３ｅに概略的に示されているような光フィルタ２１１であってもよい。同様に、この方法は、可視放射がリソグラフィ装置中を「邪魔されずに」伝搬することができ、本発明の洗浄構成および洗浄方法で使用することができるように、可視放射を低減させるためのフィルタが使用されて同様に除去された場合に、可視放射を透過させるために適用されてもよい。

洗浄装置２５０は、リソグラフィ装置１のエックスサイチュまたはインサイチュで構成されてもよい。本発明のさらなる実施形態によると、洗浄構成２５０が提供され、その洗浄構成２５０自体が水素含有ガスおよび／または補助化合物含有ガスソース７００、および水素ラジカルソース１０３を含み、水素ラジカルソース１０３は、水素含有ガスおよび／または補助化合物含有ガス１００の少なくとも一部を水素ラジカル含有ガス９６に変換するように構成され、洗浄構成２５０は、水素ラジカル含有ガス９６を洗浄される光エレメント２０１の表面２０２に提供するように構成され、水素ラジカルソース１０３は、水素の光解離を誘導するソース１０３を含む。

本発明の一実施形態によると、光エレメント２０１を囲うように構成された円周ハル５００をさらに含む洗浄構成２５０が提供され、円周ハル５００は、少なくとも１つのドア１２０を含み、円周ハル５００は、水素含有ガスおよび／または補助化合物含有ガスソース７００からの水素含有ガス１００を円周ハル５００によって囲われている体積へと導入するように構成された出口１０６および円周ハル５００からのガスの除去を可能にするように構成された排気口１０７をさらに含み、円周ハル５００は、放射のソース１０３の放射２０９の少なくとも一部を透過させるように構成された光フィルタ２１１をさらに含み、放射のソース１０３および光フィルタ２１１は、円周ハル５００に含まれる水素含有ガスおよび／または補助化合物含有ガス１００の少なくとも一部を照射するように構成され、それによって円周ハル５００に含まれる水素含有ガスおよび／または補助化合物含有ガス１００の少なくとも一部を水素ラジカル含有ガス９６に変換し、洗浄構成２５０は、水素ラジカル含有ガス９６を円周ハル５００に含まれている洗浄される光エレメント２０１の表面２０２に提供するように構成されている。

本発明のさらなる実施形態によると、リソグラフィ装置１の光エレメント２０１の洗浄される表面２０２を洗浄するための方法が提供される。これは、インサイチュでの方法、すなわち、リソグラフィ装置１における光エレメント２０１の洗浄される表面２０２を洗浄するための方法であってもよい。方法は、水素含有ガスおよび／または補助化合物含有ガス１００を洗浄される表面２０２に導くことと、水素の光解離を誘導する放射２０９でガス１００または洗浄される表面２０２あるいはその両方を照射することとを含む。ガスを照射することによって水素ラジカルが生成され、それによって水素ラジカル含有ガス９６を提供する。洗浄される表面２０２を照射することによって、洗浄される表面２０２に近い水素および／または補助化合物含有ガスは水素ラジカル９６に解離する。水素ラジカルの生成のためにはガス１００のみを照射することが十分であり得るが、一般的には、洗浄される表面２０２が照射される。例えば、放射のソース１０３は、チューブ１０４にも存在し得る。

本明細書中、チューブは、ガスチューブまたはガスパイプ、すなわち、水素のようなガスを運ぶためのチューブを表す。

ガス流は、示されているもの以外の方向であってもよい。

特定の実施形態では、洗浄構成またはリソグラフィ装置に導入されるガスが所望の温度、例えば、炭化水素および／またはシランがガス状である温度（上記参照）まで上げられるように、ガスソース７００、チューブ１０４、出口１０６および表面２０２のうちの１つまたは複数がＩＲヒーターを含むヒーター（図示せず）によって加熱される。

したがって、一実施形態では、本発明は、リソグラフィ装置のエレメント、特に光エレメントを洗浄するためのインサイチュ洗浄方法、すなわち、エレメントが装置内または装置の一部内で洗浄される方法を提供する。別の実施形態では、本発明は、リソグラフィ装置のエレメント、特に光エレメントを洗浄するためのエックスサイチュ洗浄方法を提供する。

本発明は、ＥＵＶ放射のみに限定されないが、上記されたように他の放射を使用するリソグラフィ装置に対しても使用されてもよい。Ｓｎ以外のソースの結果として生じる他の汚染物質も、本発明の洗浄構成２５０および洗浄方法によって除去されてもよい。

本明細書において、ＩＣ製造におけるリソグラフィ装置の使用について具体的な言及がなされているが、本明細書記載のリソグラフィ装置が、集積光学システム、磁気ドメインメモリ用のガイダンスパターンおよび検出パターン、フラットパネルディスプレイ、液晶ディスプレイ（ＬＣＤ）、薄膜磁気ヘッド等の製造といった他の用途を有し得ることが理解されるべきである。そのような別の用途においては、本明細書で使用される「ウェーハ」または「ダイ」という用語はすべて、それぞれより一般的な「基板」または「ターゲット部分」という用語と同義であるとみなしてよいと理解されたい。本明細書に記載した基板は、露光の前後を問わず、例えば、トラック（通常、基板にレジスト層を塗布し、かつ露光されたレジストを現像するツール）、メトロロジツール、および／またはインスペクションツールで処理されてもよい。適用可能な場合には、本明細書中の開示内容を上記のような基板プロセシングツールおよびその他の基板プロセシングツールに適用してもよい。さらに基板は、例えば、多層ＩＣを作るために複数回処理されてもよいので、本明細書で使用される基板という用語は、すでに多重処理層を包含している基板を表すものとしてもよい。

光リソグラフィの関連での本発明の実施形態の使用について上述のとおり具体的な言及がなされたが、本発明は、他の用途、例えば、インプリントリソグラフィに使われてもよく、さらに状況が許すのであれば、光リソグラフィに限定されることはないことが理解されたい。インプリントリソグラフィにおいては、パターニングデバイス内のトポグラフィによって、基板上に創出されるパターンが定義される。パターニングデバイスのトポグラフィは、基板に供給されたレジスト層の中にプレス加工され、基板上では、電磁放射、熱、圧力、またはそれらの組合せによってレジストは硬化される。パターニングデバイスは、レジストが硬化した後、レジスト内にパターンを残してレジストの外へ移動される。

本発明の実施形態を上述してきたが、説明した以外の形で本発明を実施することもできることを理解されたい。例えば、本発明は、上記で開示した方法を記載する機械読取可能命令の１つまたは複数のシーケンスを含むコンピュータプログラム、あるいはそのようなコンピュータプログラムが中に記憶されたデータ記憶媒体（例えば半導体メモリ、磁気または光ディスク）の形を取ることがある。

上記の説明は、限定ではなく例示を意図したものである。したがって、当業者には明らかなように、下記の特許請求の範囲を逸脱することなく本記載の発明に変更を加えてもよい。

特許請求の範囲では、括弧内に配置された任意の参照符号は特許請求の範囲を限定するものとして解釈されるべきではない。「含む」という動詞およびその語形変化は、特許請求の範囲で述べられるもの以外の要素または工程の存在を排除しない。エレメントの前にある「ａ」または「ａｎ」という冠詞は、複数のそのようなエレメントの存在を排除しない。例えば、化合物という用語は、一実施形態では、複数の化合物も含む。本発明は、いくつかの別個のエレメントを含むハードウェアによって、および適切にプログラムされたコンピュータによって実施されてもよい。いくつかの手段を列挙するデバイスクレームでは、これらの手段のいくつかは、ハードウェアの１つのおよび同じアイテムに組み入れられてもよい。単にいくらかの手段が相互に異なる従属クレームに記載されているという事実は、これらの手段の組み合わせが利点として使用できないということを示さない。

Claims (47)

1. リソグラフィ装置であって、
   ＥＵＶソースと、
   洗浄構成とを含み、前記洗浄構成は、
   水素含有ガスおよび補助化合物含有ガスからなる群から選択される１つ以上のガスを提供するためのソースと、
   水素ラジカルソースとを含み、
   前記水素ラジカルソースは、前記水素含有ガスおよび前記補助化合物含有ガスからなる群から選択される前記１つ以上のガスの少なくとも一部を水素ラジカル含有ガスに変換し、前記洗浄構成は、前記水素ラジカル含有ガスを洗浄される光エレメントの表面に提供し、前記水素ラジカルソースは、前記水素含有ガスおよび前記補助化合物含有ガスからなる群から選択される前記１つ以上のガスの光解離を誘導する放射ソースを含む、リソグラフィ装置。
2. 請求項１に記載のリソグラフィ装置であって、
   前記ＥＵＶソースと、
   前記洗浄構成とを含み、前記洗浄構成は、
   水素含有ガスソースと、
   前記水素ラジカルソースとを含み、
   前記水素ラジカルソースは、前記水素含有ガスの少なくとも一部を前記水素ラジカル含有ガスに変換し、前記洗浄構成は、前記水素ラジカル含有ガスを洗浄される光エレメントの表面に提供し、前記水素ラジカルソースは、前記水素の光解離を誘導する前記放射ソースを含む、リソグラフィ装置。
3. 前記水素含有ガスは、Ｈ_２、Ｄ_２、Ｔ_２、ＨＤ、ＨＴおよびＤＴ含有ガスの群から選択されるガスを含む、請求項１ないし２のいずれか一項に記載のリソグラフィ装置。
4. 前記補助化合物含有ガスは、光解離可能な炭化水素およびシランからなる群から選択される１つ以上の化合物を含む、請求項１ないし３のいずれか一項に記載のリソグラフィ装置。
5. 前記水素含有ガスおよび前記補助化合物含有ガスからなる群から選択される前記１つ以上のガスの光解離を誘導する前記放射のソースは、ＵＶソースを含む、請求項１ないし４のいずれか一項に記載のリソグラフィ装置。
6. 光解離を誘導する前記放射のソースは、高出力ＵＶソースを含む、請求項５に記載のリソグラフィ装置。
7. 光解離を誘導する前記放射のソースは、高圧水銀ランプを含む、請求項５ないし６のいずれか一項に記載のリソグラフィ装置。
8. 前記水素含有ガスおよび前記補助化合物含有ガスからなる群から選択される前記１つ以上のガスの光解離を誘導する前記放射のソースは、可視光ソースを含む、請求項１ないし７のいずれか一項に記載のリソグラフィ装置。
9. 使用中の前記ＥＵＶソースは、前記ＵＶ内に波長を有する放射をさらに放出し、前記リソグラフィ装置は、前記ＥＵＶソースと洗浄される表面との間で位置決め可能な光フィルタをさらに含み、前記光フィルタは、ＵＶ放射に対してＥＵＶ放射を減少させる、請求項１ないし８のいずれか一項に記載のリソグラフィ装置。
10. 使用中の前記ＥＵＶソースは、前記可視光内に波長を有する放射をさらに放出し、前記リソグラフィ装置は、前記ＥＵＶソースと洗浄される表面との間で位置決め可能な光フィルタをさらに含み、前記光フィルタは、可視放射に対してＥＵＶ放射を減少させる、請求項１ないし９のいずれか一項に記載のリソグラフィ装置。
11. 前記光フィルタは、集光ミラーの上流である、請求項９ないし１０のいずれか一項に記載のリソグラフィ装置。
12. 前記光フィルタは、集光ミラーの下流である、請求項９ないし１０のいずれか一項に記載のリソグラフィ装置。
13. 前記洗浄される表面は、放射システム内に含まれている光エレメント、照明システム内に含まれている光エレメントおよび投影システム内に含まれている光エレメントの群から選択される光エレメントの表面である、請求項１ないし１２のいずれか一項に記載のリソグラフィ装置。
14. 前記光エレメントは、反射型光エレメント、透過型光エレメント、汚染物質バリアおよびセンサの群から選択される、請求項１ないし１３のいずれか一項に記載のリソグラフィ装置。
15. 前記光エレメントは、法線入射集光ミラーおよびかすめ入射集光ミラーの群から選択される、請求項１ないし１４のいずれか一項に記載のリソグラフィ装置。
16. 前記洗浄構成は、前記光エレメントを囲う円周ハルをさらに含み、前記円周ハルは、
    ドアと、
    前記水素含有ガスおよび前記補助化合物含有ガスからなる群から選択される１つ以上のガスを前記円周ハルによって囲われている体積に提供するために、前記ソースから前記水素含有ガスおよび前記補助化合物含有ガスからなる群から選択される１つ以上の前記ガスを導入する出口と、
    前記円周ハルからのガスの除去を可能にする排気口と、
    前記放射のソースの放射の少なくとも一部を透過させる光フィルタとを含み、前記放射のソースおよび前記光フィルタは、前記円周ハル内に含まれている前記水素含有ガスおよび前記補助化合物含有ガスからなる群から選択される前記１つ以上のガスの少なくとも一部を照射し、それによって、前記円周ハルによって含まれている前記水素含有ガスおよび前記補助化合物含有ガスからなる群から選択される前記１つ以上のガスの少なくとも一部を前記水素ラジカル含有ガスに変換し、前記洗浄構成は、前記水素ラジカル含有ガスを前記円周ハル内に含まれている洗浄される光エレメントの表面に提供する、
    請求項１ないし１５のいずれか一項に記載のリソグラフィ装置。
17. 前記放射のソースは、前記ＥＵＶソースを含む、請求項１ないし１６のいずれか一項に記載のリソグラフィ装置。
18. 前記放射のソースは、前記ＥＵＶソースとは異なる放射ソースを含む、請求項１ないし１６のいずれか一項に記載のリソグラフィ装置。
19. リソグラフィ装置であって、
    ＥＵＶソースと、
    前記ＥＵＶソースの放射ビームを調整する照明システムと、
    パターン形成された放射ビームを形成するためにビームの断面にパターンを付与するパターンニングデバイスを支持するサポートと、
    基板を保持する基板テーブルと、
    前記基板のターゲット部分上に前記パターン形成された放射ビームを投影する投影システムと、
    洗浄構成とを含み、前記洗浄構成は、
    水素含有ガスおよび補助化合物含有ガスからなる群から選択される１つ以上のガスを提供するためのソースと、
    水素ラジカルソースとを含み、前記水素ラジカルソースは、前記水素含有ガスおよび前記補助化合物含有ガスからなる群から選択される前記１つ以上のガスの少なくとも一部を水素ラジカル含有ガスに変換し、前記洗浄構成は、前記水素ラジカル含有ガスを洗浄される光エレメントの表面に提供し、前記水素ラジカルソースは、前記水素含有ガスおよび前記補助化合物含有ガスからなる群から選択される前記１つ以上のガスの光解離を誘導する放射のソースを含む、リソグラフィ装置。
20. 洗浄構成であって、
    水素含有ガスおよび補助化合物含有ガスからなる群から選択される１つ以上のガスを提供するためのソースと、
    水素ラジカルソースとを含み、前記水素ラジカルソースは、前記水素含有ガスおよび前記補助化合物含有ガスからなる群から選択される前記１つ以上のガスの少なくとも一部を水素ラジカル含有ガスに変換し、前記洗浄構成は、水素ラジカル含有ガスを洗浄される光エレメントの表面に提供し、前記水素ラジカルソースは、前記水素含有ガスおよび前記補助化合物含有ガスからなる群から選択される前記１つ以上のガスの光解離を誘導する放射のソースを含む、洗浄構成。
21. 光エレメントを囲う円周ハルを含み、前記円周ハルは、
    ドアと、
    前記水素含有ガスおよび前記補助化合物含有ガスからなる群から選択される１つ以上のガスを前記円周ハルによって囲われている体積に提供するために、前記ソースから前記水素含有ガスおよび前記補助化合物含有ガスからなる群から選択される前記１つ以上のガスを導入する出口と、
    前記円周ハルからのガスの除去を可能にするように構成された排気口と、
    前記放射のソースの放射の少なくとも一部を透過させる光フィルタとを含み、前記放射のソースおよび前記光フィルタは、前記円周ハル内に含まれている前記水素含有ガスおよび前記補助化合物含有ガスからなる群から選択される前記１つ以上のガスの少なくとも一部を照射し、それによって、前記円周ハルによって含まれている前記水素含有ガスおよび前記補助化合物含有ガスからなる群から選択される前記１つ以上のガスの少なくとも一部を前記水素ラジカル含有ガスに変換し、前記洗浄構成は、前記水素ラジカル含有ガスを前記円周ハル内に含まれている洗浄される光エレメントの表面に提供する、請求項２０に記載の洗浄構成。
22. 前記放射のソースは、前記円周ハルの外部に配置されている、請求項２０ないし２１のいずれか一項に記載の洗浄構成。
23. リソグラフィ装置の光エレメントの表面を洗浄するための方法であって、
    水素含有ガスおよび補助化合物含有ガスからなる群から選択される１つ以上のガスを前記表面に導くことと、
    前記水素含有ガスおよび前記補助化合物含有ガスからなる群から選択される前記１つ以上のガスの光解離を誘導する放射を、前記１つ以上のガス、前記表面、または前記１つ以上のガスおよび前記表面の両方に照射することと
    を含む、方法。
24. 前記リソグラフィ装置の前記光エレメントの表面を洗浄するための請求項２３に記載の方法であって、
    前記水素含有ガスを前記表面に導くことと、
    前記水素の光解離を誘導する放射を前記ガスおよび／または前記表面に照射することと
    を含む、請求項２３に記載の方法。
25. 前記表面は、放射システム内に含まれている光エレメント、照明システム内に含まれている光エレメントおよび投影システム内に含まれている光エレメントの群から選択される光エレメントの表面である、請求項２３ないし２４のいずれか一項に記載の方法。
26. 前記水素含有ガスは、Ｈ_２、Ｄ_２、Ｔ_２、ＨＤ、ＨＴおよびＤＴ含有ガスの群から選択されるガスを含む、請求項２３ないし２５のいずれか一項に記載の方法。
27. 前記補助化合物含有ガスは、光解離可能な炭化水素およびシランからなる群から選択される１つ以上の化合物を含む、請求項２３ないし２６のいずれか一項に記載の方法。
28. 前記炭化水素化合物は、任意選択として１つ以上のハロゲン基で置換されるＣ_１〜Ｃ_２５化合物を含む、請求項２７に記載の方法。
29. 前記炭化水素化合物は、線形、分岐、環状または芳香族炭化水素を含む、請求項２７ないし２８のいずれか一項に記載の方法。
30. 前記炭化水素化合物は、Ｒ_１Ｒ_２Ｒ_３ＣＲ_４化合物を含み、Ｒ_１、Ｒ_２、Ｒ_３およびＲ_４は独立して、Ｃ_１〜Ｃ_６炭化水素基および任意選択として１つ以上のハロゲン基からなる群から選択される、請求項２７ないし２９のいずれか一項に記載の方法。
31. 前記炭化水素化合物は、Ｒ_１Ｒ_２Ｒ_３ＣＲ_４化合物を含み、Ｒ_１、Ｒ_２、Ｒ_３およびＲ_４は独立して、Ｃ_１〜Ｃ_６炭化水素基および水素基からなる群から選択され、Ｒ_１、Ｒ_２、Ｒ_３およびＲ_４の少なくとも１つは、水素基を含む、請求項２７ないし２９のいずれか一項に記載の方法。
32. 前記炭化水素化合物は、少なくとも１つのＣ_１〜Ｃ_６炭化水素基で置換される芳香族化合物を含む、請求項２７ないし３１のいずれか一項に記載の方法。
33. 前記炭化水素化合物は、メタン、トルエンおよびＲ_１Ｒ_２Ｒ_３ＣＨからなる群から選択され、Ｒ_１、Ｒ_２、Ｒ_３およびＲ_４は独立して、Ｃ_１〜Ｃ_４炭化水素基からなる群から選択される、請求項２７ないし２９のいずれか一項に記載の方法。
34. 前記炭化水素化合物は、任意選択として１つ以上のハロゲン基で置換される、Ｃ１〜Ｃ４炭化水素、特にＣ１〜Ｃ３、より詳細にはＣ１〜Ｃ２炭化水素からなる群から選択される、請求項２７ないし２９のいずれか一項に記載の方法。
35. 前記シラン化合物は、Ｒ_１Ｒ_２Ｒ_３ＳｉＲ_４化合物を含み、Ｒ_１、Ｒ_２、Ｒ_３およびＲ_４は独立して、Ｃ_１〜Ｃ_６炭化水素基および任意選択として１つ以上のハロゲン基からなる群から選択される、請求項２７ないし３４のいずれか一項に記載の方法。
36. 前記シラン化合物は、Ｒ_１Ｒ_２Ｒ_３ＳｉＲ_４化合物を含み、Ｒ_１、Ｒ_２、Ｒ_３およびＲ_４は独立して、Ｃ_１〜Ｃ_６炭化水素基および水素基からなる群から選択され、Ｒ_１、Ｒ_２、Ｒ_３およびＲ_４の少なくとも１つは、水素基を含む、請求項２７ないし３４のいずれか一項に記載の方法。
37. 前記シラン化合物は、ＨＳｉＲ_１Ｒ_２Ｒ_３化合物を含み、Ｒ_１、Ｒ_２およびＲ_３は独立して、Ｃ_１〜Ｃ_６炭化水素基からなる群から選択される、請求項２７ないし３４のいずれか一項に記載の方法。
38. 前記シラン化合物は、Ｓｉ_ｎＨ_２ｎ＋２からなる群から選択される１つ以上の化合物を含み、ｎは１または１より大きい整数である、請求項２７ないし３４のいずれか一項に記載の方法。
39. 前記補助化合物は７７３Ｋより低い沸騰温度を有する、請求項２７ないし３８のいずれか一項に記載の方法。
40. 前記補助化合物含有ガスは、光開始剤および連鎖移動剤からなる群から選択される１つ以上の化合物を含み、これらは光解離可能な水素基を有する、請求項２７ないし３９のいずれか一項に記載の方法。
41. 前記補助化合物含有ガスは、ＮＨおよびＳＨ基からなる群から選択される１つ以上の群を含む、請求項２７ないし４０のいずれか一項に記載の方法。
42. 前記補助化合物は、Ｃ−Ｈ、Ｃ−Ｃ、Ｃ＝Ｃ、Ｃ≡Ｃ、Ｎ−Ｈ、Ｎ−Ｎ、Ｎ＝Ｎ、Ｃ−Ｎ、Ｃ＝ＮまたはＳ−Ｈ結合からなる群から選択される１つ以上の結合を含む、請求項２７ないし４１のいずれか一項に記載の方法。
43. 前記補助化合物は、Ｃ１〜Ｃ４炭化水素化合物からなる群から選択される１つ以上の化合物を含む、請求項２７ないし４２のいずれか一項に記載の方法。
44. 実質的に前記水素含有ガスのみが適用される、請求項２７ないし４３のいずれか一項に記載の方法。
45. 前記水素含有ガスおよび前記補助化合物含有ガスの両方が適用される、請求項２７ないし４４のいずれか一項に記載の方法。
46. 前記水素含有ガスおよび前記補助化合物含有ガスの両方が適用され、前記補助化合物は、ＣＨ_４、Ｃ_２Ｈ_４およびＳｉＨ_４からなる群から選択される１つ以上の化合物を含む、請求項２７ないし４５のいずれか一項に記載の方法。
47. 前記水素ガス対前記補助化合物の体積比は、５０００〜５の範囲内にある、請求項４４ないし４６のいずれか一項に記載の方法。

Images