JP2011514687A - 洗浄モジュール,euvリソグラフィ装置及びそれらの洗浄方法 - Google Patents
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- 238000004140 cleaning Methods 0.000 title claims abstract description 146
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 31
- 238000001900 extreme ultraviolet lithography Methods 0.000 title claims description 12
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims abstract description 61
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 claims abstract description 34
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 claims abstract description 34
- YZCKVEUIGOORGS-UHFFFAOYSA-N Hydrogen atom Chemical compound [H] YZCKVEUIGOORGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 24
- 230000001133 acceleration Effects 0.000 claims abstract description 12
- 239000007789 gas Substances 0.000 claims description 66
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 claims description 48
- 230000005684 electric field Effects 0.000 claims description 12
- 150000002431 hydrogen Chemical class 0.000 claims description 9
- 238000001914 filtration Methods 0.000 claims description 8
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 238000001816 cooling Methods 0.000 claims description 6
- 230000005672 electromagnetic field Effects 0.000 claims description 4
- 229910052756 noble gas Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 claims description 3
- YZCKVEUIGOORGS-OUBTZVSYSA-N Deuterium Chemical compound [2H] YZCKVEUIGOORGS-OUBTZVSYSA-N 0.000 claims description 2
- YZCKVEUIGOORGS-NJFSPNSNSA-N Tritium Chemical compound [3H] YZCKVEUIGOORGS-NJFSPNSNSA-N 0.000 claims description 2
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 229910052805 deuterium Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 229910052736 halogen Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 150000002367 halogens Chemical class 0.000 claims description 2
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 claims description 2
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 229910052722 tritium Inorganic materials 0.000 claims description 2
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 24
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 abstract description 18
- 238000010884 ion-beam technique Methods 0.000 abstract description 13
- -1 hydrogen ions Chemical class 0.000 abstract description 8
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 22
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 10
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 10
- 238000005406 washing Methods 0.000 description 10
- GPRLSGONYQIRFK-UHFFFAOYSA-N hydron Chemical compound [H+] GPRLSGONYQIRFK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- 239000000463 material Substances 0.000 description 7
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 7
- 238000005286 illumination Methods 0.000 description 6
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 6
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 5
- 150000001768 cations Chemical class 0.000 description 4
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 4
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 4
- 238000002310 reflectometry Methods 0.000 description 4
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 4
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 4
- 239000000356 contaminant Substances 0.000 description 3
- 230000006378 damage Effects 0.000 description 3
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 3
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 3
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 3
- 238000005192 partition Methods 0.000 description 3
- 230000008569 process Effects 0.000 description 3
- 238000007493 shaping process Methods 0.000 description 3
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 3
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 2
- 125000004435 hydrogen atom Chemical group [H]* 0.000 description 2
- 150000002835 noble gases Chemical class 0.000 description 2
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 1
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000001450 anions Chemical class 0.000 description 1
- 125000004429 atom Chemical group 0.000 description 1
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 150000001793 charged compounds Chemical class 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 230000001143 conditioned effect Effects 0.000 description 1
- 238000000354 decomposition reaction Methods 0.000 description 1
- 230000001419 dependent effect Effects 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 1
- 230000004064 dysfunction Effects 0.000 description 1
- 238000011086 high cleaning Methods 0.000 description 1
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 description 1
- 238000011065 in-situ storage Methods 0.000 description 1
- 229910052741 iridium Inorganic materials 0.000 description 1
- GKOZUEZYRPOHIO-UHFFFAOYSA-N iridium atom Chemical compound [Ir] GKOZUEZYRPOHIO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000001459 lithography Methods 0.000 description 1
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 1
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 1
- 229910001092 metal group alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052762 osmium Inorganic materials 0.000 description 1
- SYQBFIAQOQZEGI-UHFFFAOYSA-N osmium atom Chemical compound [Os] SYQBFIAQOQZEGI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 1
- 229910052702 rhenium Inorganic materials 0.000 description 1
- WUAPFZMCVAUBPE-UHFFFAOYSA-N rhenium atom Chemical compound [Re] WUAPFZMCVAUBPE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 1
- 238000011144 upstream manufacturing Methods 0.000 description 1
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- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
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- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/708—Construction of apparatus, e.g. environment aspects, hygiene aspects or materials
- G03F7/70908—Hygiene, e.g. preventing apparatus pollution, mitigating effect of pollution or removing pollutants from apparatus
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- Atmospheric Sciences (AREA)
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Abstract
Description
11 ビーム成形システム
12 EUV放射線源
13a モノクロメータ
13b コリメータ
14 加速システム
15 第1ミラー
16 第2ミラー
17 フォトマスク
18 第3ミラー
19 第4ミラー
20 投影システム
21 ウェーハ
22-24 真空室
25-27 洗浄モジュール
28 水素供給管
29 加熱フィラメント
30 ハウジング
31,32 水素流
33 偏向素子
34 冷却装置
35 構成部品
36 イオン化装置
37 板
38 電場
39 磁場
40,41 構成部品
42-48 領域
50 洗浄モジュール
51 ガス供給管
52 加熱ユニット
53 偏向ユニット
54 フィルタユニット
55 偏向ユニット
56 加速ユニット
58 ラジカル発生ユニット
59 電子源
60 ハウジング
61 出口
62 仕切り壁
63 構成部品
64 偏向電極
65 ピンホール
66 四重極磁石
67 ピンホール
68 偏向電極
101-109 プロセスステップ
201-211 プロセスステップ
Claims (27)
- EUVリソグラフィ装置の構成部品を洗浄するための洗浄モジュールであって,
分子状ガスを流して通過させることにより,前記分子状ガスを少なくとも部分的にイオンに変換することができる加熱ユニットと,
イオンが移動する方向を変化させる少なくとも一つの電磁偏向ユニット(53,55)とを備えた洗浄モジュール。 - 請求項1に記載の洗浄モジュールであって,前記ガスから特定の質量範囲のイオンをフィルタリングにより取り出す少なくとも1つの電磁フィルタユニット(54)を備えた洗浄モジュール。
- 請求項1又は2に記載の洗浄モジュールであって,イオンの運動エネルギーを変化させる少なくとも1つの電磁加速ユニット(56)を備えた洗浄モジュール。
- 請求項1〜3のいずれかに記載の洗浄モジュールであって,少なくとも1つのラジカル発生ユニット(58)を備えた洗浄モジュール。
- 請求項4に記載の洗浄モジュールであって,前記ラジカル発生ユニットが電子源(59)を備えた洗浄モジュール。
- 請求項4又は5に記載の洗浄モジュールであって,前記イオンの流れの方向において,前記ラジカル発生ユニット(58)が,前記偏向ユニット(53,55)の下流に配置されており,さらに場合によっては前記フィルタユニット(54)及び/又は前記加速ユニット(56)の下流に配置される洗浄モジュール。
- 請求項1〜6のいずれかに記載の洗浄モジュールであって,ハウジング(60)を備え,
該ハウジング(60)の内部には,少なくとも前記加熱ユニット(52)と前記偏向ユニット(53,55)とが配置され,
該ハウジング(60)は,予め調整した前記ガスが脱出する出口(61)を有する洗浄モジュール。 - 分子状ガスの供給管と,洗浄目的で原子状ガスを生成する加熱フィラメントとを備えた,EUVリソグラフィ装置のための洗浄モジュールであって,電場(38)及び/又は磁場(39)を付与する手段(33,37)が,前記ガス(31,32)の流れの方向において前記加熱フィラメント(29)の下流に配置されている洗浄モジュール。
- 請求項8に記載の洗浄モジュールであって,イオン化装置(36)が,前記ガスの流れの方向において前記加熱フィラメント(29)の下流に配置されている洗浄モジュール。
- 請求項8又は9に記載の洗浄モジュールであって,
電場を付与する手段として,偏向素子(33)が,前記ガスの流れの方向において前記加熱フィラメント(29)の下流に配置されており,
前記偏向素子はプラスの電位を有する洗浄モジュール。 - 請求項10に記載の洗浄モジュールであって,冷却装置(34)が前記偏向素子(33)に接触させて配置されている洗浄モジュール。
- 請求項10又は11に記載の洗浄モジュールであって,前記偏向素子(33)が移動可能に配置されている洗浄モジュール。
- 請求項1〜12のいずれかに記載の,少なくとも1つの洗浄モジュール(25,26,27)を備えたEUVリソグラフィ装置。
- 請求項1〜12のいずれかに記載の,少なくとも1つの洗浄モジュール(27)を備えたEUVリソグラフィ装置のための投影システム。
- 請求項1〜12のいずれかに記載の,少なくとも1つの洗浄モジュール(26)を備えたEUVリソグラフィ装置のための照射システム。
- EUVリソグラフィ装置内の構成部品の洗浄方法であって,
分子状ガスをイオン化するステップと,
イオンを他の方向へ偏向させるステップと,
洗浄すべき構成部品を予め調整したガスにさらすステップとを含む方法。 - 請求項16に記載の方法であって,前記分子状ガスから,特定の質量範囲の質量を有するイオンをフィルタリングにより取り出すステップをさらに含む方法。
- 請求項16又は17に記載の方法であって,イオンの運動エネルギーに影響を与えるステップをさらに含む方法。
- 請求項16〜18のいずれかに記載の方法であって,イオンをラジカルに変換するステップをさらに含む方法。
- 請求項19に記載の方法であって,電子を供給することによりイオンをラジカルに変換する方法。
- 請求項16〜20のいずれかに記載の方法であって,水素,重水素,三重水素,希ガス,ハロゲンガス,酸素及び窒素を含む群から選択したガスを予め調整する方法。
- 請求項16〜21のいずれかに記載の方法であって,前記洗浄すべき構成部品を,前記予め調整した洗浄ガスにパルス状の態様でさらす方法。
- EUVリソグラフィ装置内の構成部品の洗浄方法であって,
加熱フィラメント上で原子状の洗浄ガスを発生させるステップと,
前記原子状の洗浄ガスを,電場及び/又は磁場を用いて,洗浄すべき前記構成部品の方向へ偏向させるステップとを含む方法。 - 請求項23に記載の方法であって,前記偏向に先立ち,前記洗浄ガスをさらにイオン化させる方法。
- 請求項23又は24に記載の方法であって,前記洗浄すべき構成部品が目標とする方法で走査されるように前記洗浄ガスを偏向させる方法。
- 請求項23〜25のいずれかに記載の方法であって,イオンを電磁場を用いてフィルタリングする方法。
- 請求項23〜26のいずれかに記載の方法であって,原子状水素を発生させる方法。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE200810000709 DE102008000709B3 (de) | 2008-03-17 | 2008-03-17 | Reinigungsmodul, EUV-Lithographievorrichtung und Verfahren zu seiner Reinigung |
DE102008000709.9 | 2008-03-17 | ||
PCT/EP2009/051330 WO2009115370A1 (de) | 2008-03-17 | 2009-02-05 | Reinigungsmodul, euv-lithographievorrichtung und verfahren zu ihrer reinigung |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2011514687A true JP2011514687A (ja) | 2011-05-06 |
JP5010047B2 JP5010047B2 (ja) | 2012-08-29 |
Family
ID=40635823
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2011500136A Expired - Fee Related JP5010047B2 (ja) | 2008-03-17 | 2009-02-05 | 洗浄モジュール,euvリソグラフィ装置及びそれらの洗浄方法 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US9046794B2 (ja) |
JP (1) | JP5010047B2 (ja) |
DE (1) | DE102008000709B3 (ja) |
WO (1) | WO2009115370A1 (ja) |
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- 2008-03-17 DE DE200810000709 patent/DE102008000709B3/de not_active Expired - Fee Related
-
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- 2009-02-05 WO PCT/EP2009/051330 patent/WO2009115370A1/de active Application Filing
- 2009-02-05 JP JP2011500136A patent/JP5010047B2/ja not_active Expired - Fee Related
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- 2010-09-16 US US12/883,247 patent/US9046794B2/en not_active Expired - Fee Related
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---|---|
WO2009115370A1 (de) | 2009-09-24 |
DE102008000709B3 (de) | 2009-11-26 |
US9046794B2 (en) | 2015-06-02 |
US20110043774A1 (en) | 2011-02-24 |
JP5010047B2 (ja) | 2012-08-29 |
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A602 | Written permission of extension of time |
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A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
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R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
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