JPH05279884A - シンクロトロン放射光用の鏡の清浄方法 - Google Patents
シンクロトロン放射光用の鏡の清浄方法Info
- Publication number
- JPH05279884A JPH05279884A JP8056792A JP8056792A JPH05279884A JP H05279884 A JPH05279884 A JP H05279884A JP 8056792 A JP8056792 A JP 8056792A JP 8056792 A JP8056792 A JP 8056792A JP H05279884 A JPH05279884 A JP H05279884A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- mirror
- synchrotron radiation
- carbon
- container
- gas
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Withdrawn
Links
Landscapes
- Cleaning And De-Greasing Of Metallic Materials By Chemical Methods (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 シンクロトロン放射光を用いるＣＶＤやリソ
グラフィ等において用いるシンクロトロン放射光用の鏡
の清浄方法を提供する。 【構成】 真空状態にすることのできる容器１１内に収
容されたシンクロトロン放射光用の鏡１７の表面を清浄
する方法であって、容器１１内に水素ガスを導入し、鏡
１７の表面にシンクロトロン放射光２５を照射して、鏡
１７の表面に付着した炭素および炭素化合物を除去す
る。
グラフィ等において用いるシンクロトロン放射光用の鏡
の清浄方法を提供する。 【構成】 真空状態にすることのできる容器１１内に収
容されたシンクロトロン放射光用の鏡１７の表面を清浄
する方法であって、容器１１内に水素ガスを導入し、鏡
１７の表面にシンクロトロン放射光２５を照射して、鏡
１７の表面に付着した炭素および炭素化合物を除去す
る。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は、シンクロトロン放射
光を用いるＣＶＤやリソグラフィ等において用いられる
シンクロトロン放射光用の鏡の清浄方法に関し、特に該
鏡の表面に付着した炭素および炭素化合物の除去方法に
関する。
光を用いるＣＶＤやリソグラフィ等において用いられる
シンクロトロン放射光用の鏡の清浄方法に関し、特に該
鏡の表面に付着した炭素および炭素化合物の除去方法に
関する。
【０００２】
【従来の技術】シンクロトロン放射光を用いるＣＶＤや
リソグラフィ等においては、シンクロトロン放射光用の
鏡（以下、この明細書において示される「鏡」は、シン
クロトロン放射光用の鏡を意味する）が用いられてい
る。
リソグラフィ等においては、シンクロトロン放射光用の
鏡（以下、この明細書において示される「鏡」は、シン
クロトロン放射光用の鏡を意味する）が用いられてい
る。
【０００３】たとえば、ＣＶＤにおいては、シンクロト
ロン放射光を集光し、光密度を高め、原料ガスの光励起
を促進し、目的とする薄膜を十分速い速度で得ることを
目的として、鏡が使用されている。
ロン放射光を集光し、光密度を高め、原料ガスの光励起
を促進し、目的とする薄膜を十分速い速度で得ることを
目的として、鏡が使用されている。
【０００４】また、リソグラフィにおいては、シンクロ
トロン放射光を大面積に均一に照射することを目的とし
て、鏡が使用されている。
トロン放射光を大面積に均一に照射することを目的とし
て、鏡が使用されている。
【０００５】このような鏡は、通常、真空チャンバ等の
真空状態にすることのできる容器内に収容し、容器内を
真空または減圧にした状態にして使用されている。すな
わち、空気等のガス等が存在すると、シンクロトロン放
射光が空気等のガスにより光の回折を起こしたり、散乱
エックス線が発生したり、また、空気等のガス中の分子
が光励起し、鏡の表面上で光化学反応を起こし、鏡の表
面に付着したりするからである。
真空状態にすることのできる容器内に収容し、容器内を
真空または減圧にした状態にして使用されている。すな
わち、空気等のガス等が存在すると、シンクロトロン放
射光が空気等のガスにより光の回折を起こしたり、散乱
エックス線が発生したり、また、空気等のガス中の分子
が光励起し、鏡の表面上で光化学反応を起こし、鏡の表
面に付着したりするからである。
【０００６】しかしながら、このような容器内に鏡を収
容し、容器内を真空または減圧にした状態として使用し
た場合であっても、鏡にシンクロトロン放射光を長時間
照射すると、容器内の残留空気中のＣＯやＣＯ2 等の炭
素化合物が、シンクロトロン放射光により光励起し、解
離分解し、鏡の表面上に炭素や炭素化合物として付着し
たりする。
容し、容器内を真空または減圧にした状態として使用し
た場合であっても、鏡にシンクロトロン放射光を長時間
照射すると、容器内の残留空気中のＣＯやＣＯ2 等の炭
素化合物が、シンクロトロン放射光により光励起し、解
離分解し、鏡の表面上に炭素や炭素化合物として付着し
たりする。
【０００７】また、ＣＶＤの場合は、ＣＶＤ装置の形態
にもよるが、ダイヤモンド薄膜の形成や、ＭＯＣＶＤ等
では、原料ガスとして、多量のメタンガス（ＣＨ4 ）
や、炭素を含む有機金属等を用いるため、このような原
料ガスが鏡の近傍へ到達し、シンクロトロン放射光によ
り光励起し、解離分解し、鏡の表面上に炭素や炭素化合
物として付着したりする。
にもよるが、ダイヤモンド薄膜の形成や、ＭＯＣＶＤ等
では、原料ガスとして、多量のメタンガス（ＣＨ4 ）
や、炭素を含む有機金属等を用いるため、このような原
料ガスが鏡の近傍へ到達し、シンクロトロン放射光によ
り光励起し、解離分解し、鏡の表面上に炭素や炭素化合
物として付着したりする。
【０００８】鏡の表面上に炭素や炭素化合物が付着する
と、シンクロトロン放射光の反射率が低下したり、散乱
エックス線等が増大する。また、シンクロトロン放射光
の短波長の光子束は、炭素や炭素化合物に吸収されやす
い。
と、シンクロトロン放射光の反射率が低下したり、散乱
エックス線等が増大する。また、シンクロトロン放射光
の短波長の光子束は、炭素や炭素化合物に吸収されやす
い。
【０００９】このように、シンクロトロン放射光の反射
率が低下したり、特定の波長の光が鏡の表面上の炭素や
炭素化合物により吸収されてしまうと、たとえば、ＣＶ
Ｄの場合においては、薄膜の形成速度が低下したり、光
化学反応に必要な波長のシンクロトロン放射光の光子束
が失われるため、目的とする光化学反応が生じず、目的
とする組成の薄膜を得るのが困難になるという問題を生
じる。
率が低下したり、特定の波長の光が鏡の表面上の炭素や
炭素化合物により吸収されてしまうと、たとえば、ＣＶ
Ｄの場合においては、薄膜の形成速度が低下したり、光
化学反応に必要な波長のシンクロトロン放射光の光子束
が失われるため、目的とする光化学反応が生じず、目的
とする組成の薄膜を得るのが困難になるという問題を生
じる。
【００１０】また、たとえば、リソグラフィの場合は、
短波長のシンクロトロン放射光の光子束が失われるた
め、リソグラフィの解像度が低下するという問題を生じ
る。
短波長のシンクロトロン放射光の光子束が失われるた
め、リソグラフィの解像度が低下するという問題を生じ
る。
【００１１】このため、従来は、鏡を容器内から取出し
て、鏡の表面に付着した炭素や炭素化合物をアセトン等
の有機溶剤を用いて拭き取っていた。
て、鏡の表面に付着した炭素や炭素化合物をアセトン等
の有機溶剤を用いて拭き取っていた。
【００１２】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来の
鏡の清浄方法では、鏡を容器内から外へ取出す必要があ
った。従来の鏡の清浄方法では、真空または減圧状態に
していた容器内に、空気等のガスを流入し、容器内を常
圧に戻した後、鏡を外に取出す必要があった。
鏡の清浄方法では、鏡を容器内から外へ取出す必要があ
った。従来の鏡の清浄方法では、真空または減圧状態に
していた容器内に、空気等のガスを流入し、容器内を常
圧に戻した後、鏡を外に取出す必要があった。
【００１３】このため、容器の内壁へ空気等のガスが付
着する。また、鏡を清浄する際にも鏡に空気等のガスが
付着する。
着する。また、鏡を清浄する際にも鏡に空気等のガスが
付着する。
【００１４】したがって、鏡を清浄した後、再度、鏡を
容器内に収容した後、ＣＶＤやリソグラフィに鏡を使用
する前に、容器を焼出しする必要があった。
容器内に収容した後、ＣＶＤやリソグラフィに鏡を使用
する前に、容器を焼出しする必要があった。
【００１５】また、容器内を真空または減圧にすると、
容器の内壁や、鏡に付着していたガスが容器内に放出さ
れるため、一度、鏡を清浄すると、容器の焼出し作業と
容器内を真空または減圧にする作業を、何度も繰返して
行なう必要があった。
容器の内壁や、鏡に付着していたガスが容器内に放出さ
れるため、一度、鏡を清浄すると、容器の焼出し作業と
容器内を真空または減圧にする作業を、何度も繰返して
行なう必要があった。
【００１６】このため、従来の鏡の清浄方法では、一
度、鏡を清浄すると、その後の作業効率が著しく低下す
るという問題があった。
度、鏡を清浄すると、その後の作業効率が著しく低下す
るという問題があった。
【００１７】この発明は、上述した問題を解決するため
に創案されたものであり、シンクロトロン放射光を用い
るＣＶＤやリソグラフィ等に用いる鏡の表面に付着した
炭素や炭素化合物をより簡便に除去し、かつ、鏡の清浄
時において、鏡や容器に空気等のガスが付着することの
ない、シンクロトロン放射光用の鏡の清浄方法を提供す
ることを目的とする。
に創案されたものであり、シンクロトロン放射光を用い
るＣＶＤやリソグラフィ等に用いる鏡の表面に付着した
炭素や炭素化合物をより簡便に除去し、かつ、鏡の清浄
時において、鏡や容器に空気等のガスが付着することの
ない、シンクロトロン放射光用の鏡の清浄方法を提供す
ることを目的とする。
【００１８】
【課題を解決するための手段】この発明に従うシンクロ
トロン放射光用の鏡の清浄方法は、真空状態にすること
のできる容器内に収容されたシンクロトロン放射光用の
鏡の表面を清浄する方法であって、容器内に水素ガスを
導入し、鏡の表面にシンクロトロン放射光を照射して、
鏡の表面に付着した炭素および炭素化合物を除去するこ
とを特徴とする。
トロン放射光用の鏡の清浄方法は、真空状態にすること
のできる容器内に収容されたシンクロトロン放射光用の
鏡の表面を清浄する方法であって、容器内に水素ガスを
導入し、鏡の表面にシンクロトロン放射光を照射して、
鏡の表面に付着した炭素および炭素化合物を除去するこ
とを特徴とする。
【００１９】シンクロトロン放射光用の鏡としては、以
下に示す種々のものが用いられている。
下に示す種々のものが用いられている。
【００２０】たとえば、そのような鏡として、ＳｉＯ2
基板等に白金（Ｐｔ）や金（Ａｕ）等を蒸着した鏡や、
溶融石英、無酸素銅、表面をカニゲンと称する特殊なニ
ッケル膜で覆ったアルミニウム、炭化硅素等の種々の材
料を用いたものがある。
基板等に白金（Ｐｔ）や金（Ａｕ）等を蒸着した鏡や、
溶融石英、無酸素銅、表面をカニゲンと称する特殊なニ
ッケル膜で覆ったアルミニウム、炭化硅素等の種々の材
料を用いたものがある。
【００２１】この発明に従うシンクロトロン放射光用の
鏡の清浄方法は、このような種々の材料からなるいずれ
の鏡についても適用することができる。
鏡の清浄方法は、このような種々の材料からなるいずれ
の鏡についても適用することができる。
【００２２】また、この発明に従うシンクロトロン放射
光用の鏡の清浄方法を行なう際は、通常、容器内のガス
を真空ポンプ等により排気し、水素ガスの導入後は、容
器内の真空度を１０-3Ｔｏｒｒ〜１０-2Ｔｏｒｒ程度に
維持するのが好ましい。
光用の鏡の清浄方法を行なう際は、通常、容器内のガス
を真空ポンプ等により排気し、水素ガスの導入後は、容
器内の真空度を１０-3Ｔｏｒｒ〜１０-2Ｔｏｒｒ程度に
維持するのが好ましい。
【００２３】容器内に水素ガスを導入するには、種々の
方法が考えられるが、たとえば、鏡の近傍付近の容器側
の壁に、水素ガス供給口を設け、そこから水素ガスを供
給すればよい。
方法が考えられるが、たとえば、鏡の近傍付近の容器側
の壁に、水素ガス供給口を設け、そこから水素ガスを供
給すればよい。
【００２４】水素ガスの供給量は、容器内のガスを排気
する排気量や、鏡の表面に付着した炭素や炭素化合物の
量や、鏡の表面温度や、用いるシンクロトロン放射光の
波長、強度等に応じて選択すればよい。
する排気量や、鏡の表面に付着した炭素や炭素化合物の
量や、鏡の表面温度や、用いるシンクロトロン放射光の
波長、強度等に応じて選択すればよい。
【００２５】また、この発明に従うシンクロトロン放射
光用の鏡の清浄方法を用いる場合、鏡の表面温度や容器
内の気相温度については、特に限定されることはない。
通常は、鏡の表面に付着した炭素および炭素化合物は、
この発明に従えば、鏡の表面から十分に除去することが
できる。
光用の鏡の清浄方法を用いる場合、鏡の表面温度や容器
内の気相温度については、特に限定されることはない。
通常は、鏡の表面に付着した炭素および炭素化合物は、
この発明に従えば、鏡の表面から十分に除去することが
できる。
【００２６】この発明に用いるシンクロトロン放射光
は、磁場中で円運動または螺旋運動する電子がその求心
加速度により電磁波を放射するいわゆるシンクロトロン
放射の機構に従い、電子加速器を利用して発生させられ
る真空紫外からエックス線にわたる広い波長範囲を有す
る光子束である。
は、磁場中で円運動または螺旋運動する電子がその求心
加速度により電磁波を放射するいわゆるシンクロトロン
放射の機構に従い、電子加速器を利用して発生させられ
る真空紫外からエックス線にわたる広い波長範囲を有す
る光子束である。
【００２７】この発明に用いるシンクロトロン放射光
は、ＣＶＤやリソグラフィのために用いるシンクロトロ
ン放射光をそのまま使用してもよく、また、ＣＶＤやリ
ソグラフィ用のシンクロトロン放射光とは別に、鏡を清
浄にするためのシンクロトロン放射光を用いてもよい。
は、ＣＶＤやリソグラフィのために用いるシンクロトロ
ン放射光をそのまま使用してもよく、また、ＣＶＤやリ
ソグラフィ用のシンクロトロン放射光とは別に、鏡を清
浄にするためのシンクロトロン放射光を用いてもよい。
【００２８】
【作用】ＣＶＤやリソグラフィ等において、真空または
減圧下で、鏡の表面にシンクロトロン放射光を長時間照
射すると鏡の表面に炭素や炭素化合物が付着する。すな
わち、たとえば、残留空気中のＣＯやＣＯ2 がシンクロ
トロン放射光により光励起し、解離分解し、Ｃ+ ，
Ｏ+ ，ＣＯ+ ，ＣＯ2 + 等の種々のイオンとなる。これ
らの生成イオンは反応性が高く、鏡の表面上で光化学反
応し、グラファイト等の炭素やグラファイトの側基の一
部にメチル基、カルボニル基、フェニル基等を有する炭
素化合物として鏡面に付着する。
減圧下で、鏡の表面にシンクロトロン放射光を長時間照
射すると鏡の表面に炭素や炭素化合物が付着する。すな
わち、たとえば、残留空気中のＣＯやＣＯ2 がシンクロ
トロン放射光により光励起し、解離分解し、Ｃ+ ，
Ｏ+ ，ＣＯ+ ，ＣＯ2 + 等の種々のイオンとなる。これ
らの生成イオンは反応性が高く、鏡の表面上で光化学反
応し、グラファイト等の炭素やグラファイトの側基の一
部にメチル基、カルボニル基、フェニル基等を有する炭
素化合物として鏡面に付着する。
【００２９】また、ＣＶＤの原料ガスや、分解生成物の
ＣＨ3 + 、Ｃ2 Ｈ5 + 、ＣＨ2 + や、励起種ラジカルで
あるＣＨ2 * 等が鏡の表面上で光化学反応し、グラファ
イト等の炭素や、グラファイトの側基の一部にメチル
基、エチル基、カルボニル基、フェニル基等を有する炭
素化合物として鏡の表面に付着する。
ＣＨ3 + 、Ｃ2 Ｈ5 + 、ＣＨ2 + や、励起種ラジカルで
あるＣＨ2 * 等が鏡の表面上で光化学反応し、グラファ
イト等の炭素や、グラファイトの側基の一部にメチル
基、エチル基、カルボニル基、フェニル基等を有する炭
素化合物として鏡の表面に付着する。
【００３０】特に、鏡の表面が白金（Ｐｔ）や金（Ａ
ｕ）等により被覆されていると、これらの被膜が触媒と
なり、鏡の表面上に炭素や炭素化合物が付着しやすい。
ｕ）等により被覆されていると、これらの被膜が触媒と
なり、鏡の表面上に炭素や炭素化合物が付着しやすい。
【００３１】このように、鏡の表面上に炭素や炭素化合
物が付着した後、この発明に従って、容器内に水素ガス
を導入し、鏡の表面にシンクロトロン放射光を照射する
と、水素分子が光励起し、解離分解し、活性水素
（Ｈ+ ）や、原子状水素（Ｈ）となる。
物が付着した後、この発明に従って、容器内に水素ガス
を導入し、鏡の表面にシンクロトロン放射光を照射する
と、水素分子が光励起し、解離分解し、活性水素
（Ｈ+ ）や、原子状水素（Ｈ）となる。
【００３２】特に、鏡の表面が白金（Ｐｔ）や金（Ａ
ｕ）等により被覆されていると、これらの被膜が触媒と
なり、多量の活性水素（Ｈ+ ）が生成する。
ｕ）等により被覆されていると、これらの被膜が触媒と
なり、多量の活性水素（Ｈ+ ）が生成する。
【００３３】この活性水素（Ｈ+ ）や、原子状水素
（Ｈ）は、反応性が高く、鏡の表面に付着している炭素
や炭素化合物と反応し、ＣＨ4 、Ｃ2 Ｈ6 等の飽和炭化
水素ガスや、ベンゼン（Ｃ6 Ｈ6 ）や、水（Ｈ2 Ｏ）と
なる。すなわち、鏡の表面に付着していた炭素や炭素化
合物は、活性水素（Ｈ+ ）や、原子状水素（Ｈ）により
エッチングされ、鏡の表面上から取除かれる。
（Ｈ）は、反応性が高く、鏡の表面に付着している炭素
や炭素化合物と反応し、ＣＨ4 、Ｃ2 Ｈ6 等の飽和炭化
水素ガスや、ベンゼン（Ｃ6 Ｈ6 ）や、水（Ｈ2 Ｏ）と
なる。すなわち、鏡の表面に付着していた炭素や炭素化
合物は、活性水素（Ｈ+ ）や、原子状水素（Ｈ）により
エッチングされ、鏡の表面上から取除かれる。
【００３４】一方生成したメタン（ＣＨ4 ）、エタン
（Ｃ2 Ｈ6 ）等の飽和炭化水素や、ベンゼン（Ｃ
6 Ｈ6 ）等は気体であるため、真空ポンプ等を作動し
て、容器内を真空状態にすること等により、容器の外へ
排出することができる。
（Ｃ2 Ｈ6 ）等の飽和炭化水素や、ベンゼン（Ｃ
6 Ｈ6 ）等は気体であるため、真空ポンプ等を作動し
て、容器内を真空状態にすること等により、容器の外へ
排出することができる。
【００３５】同様に、生成した水（Ｈ2 Ｏ）は、容器内
の温度を１５０℃以上にすることにより、真空ポンプ等
を作動させて容器内を真空状態にすること等により、容
器の外へ排出することができる。
の温度を１５０℃以上にすることにより、真空ポンプ等
を作動させて容器内を真空状態にすること等により、容
器の外へ排出することができる。
【００３６】
【実施例】図１を参照しながら、この発明の一具体例を
以下に説明する。
以下に説明する。
【００３７】図１を参照して、この装置はミラー槽１を
示しており、ミラー槽１を構成する、真空状態にするこ
とのできる容器２内には、鏡３が収容されている。容器
２の側壁には、光導入窓４と光導出窓５とが設けられて
いる。光導入窓４から入射したシンクロトロン放射光
は、鏡３により反射され、光導出窓５から、ＣＶＤの場
合は、ＣＶＤ装置の反応槽（図示せず）、または、リソ
グラフィの場合は、リソグラフィ用の露光チャンバ（図
示せず）へ導かれるようになっている。光導入窓４と光
導出窓５とは、シンクロトロン放射光のみが透過するこ
とができる閉じられた窓であっても、また、シンクロト
ロン放射光の透過と、容器２内のガスの移動が可能な開
放された窓であってもよい。光導入窓４と光導出窓５が
開放された窓である場合には、それぞれの窓に容器２内
のガスの分離が可能なバルブ（図示せず）等が設けられ
ており、バルブ操作により、窓を閉じ、容器２内のガス
を分離することができるようになっている。
示しており、ミラー槽１を構成する、真空状態にするこ
とのできる容器２内には、鏡３が収容されている。容器
２の側壁には、光導入窓４と光導出窓５とが設けられて
いる。光導入窓４から入射したシンクロトロン放射光
は、鏡３により反射され、光導出窓５から、ＣＶＤの場
合は、ＣＶＤ装置の反応槽（図示せず）、または、リソ
グラフィの場合は、リソグラフィ用の露光チャンバ（図
示せず）へ導かれるようになっている。光導入窓４と光
導出窓５とは、シンクロトロン放射光のみが透過するこ
とができる閉じられた窓であっても、また、シンクロト
ロン放射光の透過と、容器２内のガスの移動が可能な開
放された窓であってもよい。光導入窓４と光導出窓５が
開放された窓である場合には、それぞれの窓に容器２内
のガスの分離が可能なバルブ（図示せず）等が設けられ
ており、バルブ操作により、窓を閉じ、容器２内のガス
を分離することができるようになっている。
【００３８】また、容器２の側壁には水素供給用ノズル
６が設けられており、容器２内へ水素ガスを導入するこ
とができるようになっている。
６が設けられており、容器２内へ水素ガスを導入するこ
とができるようになっている。
【００３９】また、容器２の側壁には排気口７が設けら
れており、真空ポンプ（図示せず）等により容器２内を
真空状態にすることができるようになっている。
れており、真空ポンプ（図示せず）等により容器２内を
真空状態にすることができるようになっている。
【００４０】このような装置１において、鏡３の表面に
炭素および炭素化合物が付着した場合は、光導出窓５が
開放された窓の場合は、バルブ（図示せず）等を操作し
て、光導出窓５を閉じ、容器２内のガスを分離する。次
に、水素供給用ノズル６を介して、容器２内に水素ガス
を導入する一方、シンクロトロン放射光を光導入窓４か
ら鏡３の表面へ照射する。シンクロトロン放射光によ
り、水素分子は光励起し解離分解し、活性水素（Ｈ+ ）
や、原子状水素（Ｈ）となる。
炭素および炭素化合物が付着した場合は、光導出窓５が
開放された窓の場合は、バルブ（図示せず）等を操作し
て、光導出窓５を閉じ、容器２内のガスを分離する。次
に、水素供給用ノズル６を介して、容器２内に水素ガス
を導入する一方、シンクロトロン放射光を光導入窓４か
ら鏡３の表面へ照射する。シンクロトロン放射光によ
り、水素分子は光励起し解離分解し、活性水素（Ｈ+ ）
や、原子状水素（Ｈ）となる。
【００４１】この活性水素（Ｈ+ ）や、原子状水素
（Ｈ）のエッチング作用により、鏡３の表面上の炭素お
よび炭素化合物を鏡の表面から除去することができる。
（Ｈ）のエッチング作用により、鏡３の表面上の炭素お
よび炭素化合物を鏡の表面から除去することができる。
【００４２】また、このようなエッチングの際に生じた
ＣＨ4 、Ｃ2 Ｈ6 等の飽和炭化水素等や、ベンゼン（Ｃ
6 Ｈ6 ）や、水（Ｈ2 Ｏ）等は、真空ポンプ（図示せ
ず）等を作動させることにより、排気口７を介し、容器
２の外へ排出することができる。
ＣＨ4 、Ｃ2 Ｈ6 等の飽和炭化水素等や、ベンゼン（Ｃ
6 Ｈ6 ）や、水（Ｈ2 Ｏ）等は、真空ポンプ（図示せ
ず）等を作動させることにより、排気口７を介し、容器
２の外へ排出することができる。
【００４３】以上のようにして、容器２から鏡３を外部
へ取出すことなく、鏡３の表面上に付着した炭素または
炭素化合物を除去することができる。
へ取出すことなく、鏡３の表面上に付着した炭素または
炭素化合物を除去することができる。
【００４４】実施例１ 図２は、具体例において用いられるＣＶＤ装置を概略的
に示す構成図である。ＣＶＤ装置１０において、真空チ
ャンバは、ミラー槽１１と反応槽１２とミラー槽１１と
反応槽１２とを連結する導管１３とから構成されてい
る。ミラー槽１１と反応槽１２とを連結する導管１３に
は、ミラー槽１１内のガスと反応槽１２内のガスとを分
離するためのバルブ１４とバルブ１５とが設けられてい
る。また、導管１３のバルブ１４とバルブ１５の間に
は、イオンポンプ、ターボ分子ポンプ等を複数組合せ
た、差動排気用ポンプ（図示せず）が設けられており、
反応槽１２内から漏れ出た原料ガスを、差動排気用ポン
プ用の排気口１６を介して、真空チャンバ外へ排出でき
るようになっている。
に示す構成図である。ＣＶＤ装置１０において、真空チ
ャンバは、ミラー槽１１と反応槽１２とミラー槽１１と
反応槽１２とを連結する導管１３とから構成されてい
る。ミラー槽１１と反応槽１２とを連結する導管１３に
は、ミラー槽１１内のガスと反応槽１２内のガスとを分
離するためのバルブ１４とバルブ１５とが設けられてい
る。また、導管１３のバルブ１４とバルブ１５の間に
は、イオンポンプ、ターボ分子ポンプ等を複数組合せ
た、差動排気用ポンプ（図示せず）が設けられており、
反応槽１２内から漏れ出た原料ガスを、差動排気用ポン
プ用の排気口１６を介して、真空チャンバ外へ排出でき
るようになっている。
【００４５】ミラー槽１１には鏡１７が収容されてい
る。また、ミラー槽１１には、水素供給用ノズル１８と
差動排気ダクト１９と排気口２０とが設けられている。
また、反応槽１２には、薄膜を形成する基板２１が収め
られている。また、反応槽１２には、原料供給用ノズル
２２と排気口２３とが設けられている。
る。また、ミラー槽１１には、水素供給用ノズル１８と
差動排気ダクト１９と排気口２０とが設けられている。
また、反応槽１２には、薄膜を形成する基板２１が収め
られている。また、反応槽１２には、原料供給用ノズル
２２と排気口２３とが設けられている。
【００４６】このような装置１０において、電子蓄積リ
ング２４により発生させたシンクロトロン放射光２５
は、差動排気ダクト１９よりミラー槽１１内に入射し、
鏡１７で反射され、反応槽１２内で集光できるようにな
っている。この装置１０を用いて、シンクロトロン放射
光を用いたＣＶＤを行なう際には、バルブ１４とバルブ
１５とを開いた状態で、真空ポンプ（図示せず）や差動
排気用ポンプ（図示せず）等により、ミラー槽１１や導
管１３や反応槽１２内の圧力を所望の圧力になるまで、
排気口２０、２３、および差動排気用ポンプ用の排気口
１６を介して排気する。このような排気はＣＶＤを行な
う際は常時行われる。原料ガスを導入する前において
は、ミラー槽１１や導管１３や反応槽１２内の真空度は
１０-10 Ｔｏｒｒ程度に調整する。常時、排気を行ない
ながら、原料供給用ノズル２２から原料ガスが基板２１
の上方へ導入し、反応槽１１内は、所望の圧力に調整さ
れる。次に電子蓄積リング２４によりシンクロトロン放
射光を発生させる。シンクロトロン放射光２５は、差動
排気ダクト１９よりミラー槽１１内に入射し、鏡１７に
より反射され、反応槽１２へ導かれ、反応槽１２内の原
料ガスおよび基板２１に照射される。このように、ＣＶ
Ｄ装置１０は、通常は薄膜の形成に用いるものである。
ング２４により発生させたシンクロトロン放射光２５
は、差動排気ダクト１９よりミラー槽１１内に入射し、
鏡１７で反射され、反応槽１２内で集光できるようにな
っている。この装置１０を用いて、シンクロトロン放射
光を用いたＣＶＤを行なう際には、バルブ１４とバルブ
１５とを開いた状態で、真空ポンプ（図示せず）や差動
排気用ポンプ（図示せず）等により、ミラー槽１１や導
管１３や反応槽１２内の圧力を所望の圧力になるまで、
排気口２０、２３、および差動排気用ポンプ用の排気口
１６を介して排気する。このような排気はＣＶＤを行な
う際は常時行われる。原料ガスを導入する前において
は、ミラー槽１１や導管１３や反応槽１２内の真空度は
１０-10 Ｔｏｒｒ程度に調整する。常時、排気を行ない
ながら、原料供給用ノズル２２から原料ガスが基板２１
の上方へ導入し、反応槽１１内は、所望の圧力に調整さ
れる。次に電子蓄積リング２４によりシンクロトロン放
射光を発生させる。シンクロトロン放射光２５は、差動
排気ダクト１９よりミラー槽１１内に入射し、鏡１７に
より反射され、反応槽１２へ導かれ、反応槽１２内の原
料ガスおよび基板２１に照射される。このように、ＣＶ
Ｄ装置１０は、通常は薄膜の形成に用いるものである。
【００４７】この状態において、鏡１７に炭素や炭素化
合物が付着した場合は、まずバルブ１４を閉じることに
より、ミラー槽１１内のガスと、反応槽１２内のガスを
分離する。ガスを分離した後、ミラー槽１１内のガス
を、真空ポンプ（図示せず）等により排気口２０を介し
て排気し、ミラー槽１１内の圧力を１０-10 Ｔｏｒｒに
調整する。次に、ミラー槽１１内に水素ガスを水素供給
用ノズル１８を介し、ミラー槽１１内の圧力が１０-3Ｔ
ｏｒｒになるまで導入する。次に、シンクロトロン放射
光装置（電総研ＮＩＪＩ−ＩＩ）を用い、蓄積エネルギ
５００ＭｅＶ，電流値１００ｍＡの強度のシンクロトロ
ン放射光２５を発生させる。シンクロトロン放射光２５
により水素分子は光励起し、解離分解し、活性水素（Ｈ
+ ）や原子状水素（Ｈ）となる。この活性水素（Ｈ+ ）
や、原子状水素（Ｈ）のエッチング作用により、鏡１７
の表面上の炭素および炭素化合物は鏡の表面から除去さ
れる。
合物が付着した場合は、まずバルブ１４を閉じることに
より、ミラー槽１１内のガスと、反応槽１２内のガスを
分離する。ガスを分離した後、ミラー槽１１内のガス
を、真空ポンプ（図示せず）等により排気口２０を介し
て排気し、ミラー槽１１内の圧力を１０-10 Ｔｏｒｒに
調整する。次に、ミラー槽１１内に水素ガスを水素供給
用ノズル１８を介し、ミラー槽１１内の圧力が１０-3Ｔ
ｏｒｒになるまで導入する。次に、シンクロトロン放射
光装置（電総研ＮＩＪＩ−ＩＩ）を用い、蓄積エネルギ
５００ＭｅＶ，電流値１００ｍＡの強度のシンクロトロ
ン放射光２５を発生させる。シンクロトロン放射光２５
により水素分子は光励起し、解離分解し、活性水素（Ｈ
+ ）や原子状水素（Ｈ）となる。この活性水素（Ｈ+ ）
や、原子状水素（Ｈ）のエッチング作用により、鏡１７
の表面上の炭素および炭素化合物は鏡の表面から除去さ
れる。
【００４８】また、このようなエッチングの際に生じた
ＣＨ4 ，Ｃ2 Ｈ6 等の飽和炭化水素等や、ベンゼン（Ｃ
6 Ｈ6 ）や、水（Ｈ2 Ｏ）等は、真空ポンプ（図示せ
ず）等を作動させることにより、排気口２０を介して排
気することができる。
ＣＨ4 ，Ｃ2 Ｈ6 等の飽和炭化水素等や、ベンゼン（Ｃ
6 Ｈ6 ）や、水（Ｈ2 Ｏ）等は、真空ポンプ（図示せ
ず）等を作動させることにより、排気口２０を介して排
気することができる。
【００４９】以上のようにしてミラー槽１１から鏡１７
を外部へ取出すことなく、鏡１７の表面上の炭素または
炭素化合物を除去することができる。
を外部へ取出すことなく、鏡１７の表面上の炭素または
炭素化合物を除去することができる。
【００５０】実施例２ 図３は、具体例において用いられるリソグラフィ装置を
概略的に示す構成図である。
概略的に示す構成図である。
【００５１】リソグラフィ装置２６において、真空チャ
ンバは、ミラー槽２７と、シンクロトロン放射光をリソ
グラフィ用の露光チャンバ２８へ導くための導管２９と
により構成され、導管２９の端部にはＢｅ窓３９が設け
られている。また、鏡３３には、鏡の角度を調整する手
段（図示せず）が設けられている。なお、装置２６にお
いて、上述した以外の構成は装置１０と同様の構成とな
っている。このような装置２６を用いて、リソグラフィ
を行なう際には、水素供給用ノズル３４と排気口３６を
閉じ、バルブ３０とバルブ３１とを開いた状態で、完全
ポンプ（図示せず）等により排気口３６や、複数のイオ
ンポンプを組合せた差動排気用ポンプ（図示せず）等に
より、排気口３２を介して、ミラー槽２７および導管２
９内の圧力が１０-10 Ｔｏｒｒに調整される。リソグラ
フィ装置２６は、鏡３３の角度を調整することにより、
通常はリソグラフィに用いるものである。この状態にお
いて、鏡３３に炭素や炭素化合物が付着した場合は、ま
ずバルブ３０を閉じることにより、ミラー槽２７内のガ
スを分離する。バルブ３０を閉じた後、ミラー槽２７内
に水素ガスを水素供給用バルブ３４から導入し、ミラー
槽２７の圧力を１０ -3Ｔｏｒｒに調整する。次に、シン
クロトロン放射光装置（電総研ＮＩＪＩ−ＩＩ）を用
い、蓄積エネルギ５００ＭｅＶ，電流値１００ｍＡの強
度のシンクロトロン放射光３８を発生させる。シンクロ
トロン放射光３８により水素分子は光励起し、解離分解
し、活性水素（Ｈ+ ）や、原子状水素（Ｈ）となる。こ
の活性水素（Ｈ+ ）や、原子状水素（Ｈ）のエッチング
作用により、鏡３３の表面上の炭素および炭素化合物は
鏡の表面から除去される。また、このようなエッチング
の際に生じたＣＨ4 ，Ｃ2 Ｈ6 等の飽和炭化水素等や、
水（Ｈ2 Ｏ）等は、真空ポンプ（図示せず）等を作動さ
せることにより、排気口３６を介して排気することがで
きる。
ンバは、ミラー槽２７と、シンクロトロン放射光をリソ
グラフィ用の露光チャンバ２８へ導くための導管２９と
により構成され、導管２９の端部にはＢｅ窓３９が設け
られている。また、鏡３３には、鏡の角度を調整する手
段（図示せず）が設けられている。なお、装置２６にお
いて、上述した以外の構成は装置１０と同様の構成とな
っている。このような装置２６を用いて、リソグラフィ
を行なう際には、水素供給用ノズル３４と排気口３６を
閉じ、バルブ３０とバルブ３１とを開いた状態で、完全
ポンプ（図示せず）等により排気口３６や、複数のイオ
ンポンプを組合せた差動排気用ポンプ（図示せず）等に
より、排気口３２を介して、ミラー槽２７および導管２
９内の圧力が１０-10 Ｔｏｒｒに調整される。リソグラ
フィ装置２６は、鏡３３の角度を調整することにより、
通常はリソグラフィに用いるものである。この状態にお
いて、鏡３３に炭素や炭素化合物が付着した場合は、ま
ずバルブ３０を閉じることにより、ミラー槽２７内のガ
スを分離する。バルブ３０を閉じた後、ミラー槽２７内
に水素ガスを水素供給用バルブ３４から導入し、ミラー
槽２７の圧力を１０ -3Ｔｏｒｒに調整する。次に、シン
クロトロン放射光装置（電総研ＮＩＪＩ−ＩＩ）を用
い、蓄積エネルギ５００ＭｅＶ，電流値１００ｍＡの強
度のシンクロトロン放射光３８を発生させる。シンクロ
トロン放射光３８により水素分子は光励起し、解離分解
し、活性水素（Ｈ+ ）や、原子状水素（Ｈ）となる。こ
の活性水素（Ｈ+ ）や、原子状水素（Ｈ）のエッチング
作用により、鏡３３の表面上の炭素および炭素化合物は
鏡の表面から除去される。また、このようなエッチング
の際に生じたＣＨ4 ，Ｃ2 Ｈ6 等の飽和炭化水素等や、
水（Ｈ2 Ｏ）等は、真空ポンプ（図示せず）等を作動さ
せることにより、排気口３６を介して排気することがで
きる。
【００５２】以上のようにしてミラー槽２７から鏡３３
を外部へ取出すことなく、鏡３３の表面上の炭素または
炭素化合物を除去することができる。
を外部へ取出すことなく、鏡３３の表面上の炭素または
炭素化合物を除去することができる。
【００５３】
【発明の効果】以上説明したように、この発明に従うシ
ンクロトロン放射光用の鏡の清浄方法を用いれば、シン
クロトロン放射光を用いるＣＶＤやリソグラフィ等に用
いる鏡の表面に付着した炭素や炭素化合物をより簡便に
除去することができる。
ンクロトロン放射光用の鏡の清浄方法を用いれば、シン
クロトロン放射光を用いるＣＶＤやリソグラフィ等に用
いる鏡の表面に付着した炭素や炭素化合物をより簡便に
除去することができる。
【００５４】また、この発明に従えば、鏡の清浄時にお
いて、容器内を真空状態に保ったままの状態で鏡を清浄
することができるので、鏡の表面や、容器の内壁に空気
等のガスが付着しない。このため、この発明に従えば、
鏡を清浄しても、鏡の清浄後において、容器の焼出し作
業と容器内を真空または減圧にする作業を繰返し行なう
必要がない。従って、この発明に従えば、鏡を清浄して
も、その後の作動効率が低下しない。
いて、容器内を真空状態に保ったままの状態で鏡を清浄
することができるので、鏡の表面や、容器の内壁に空気
等のガスが付着しない。このため、この発明に従えば、
鏡を清浄しても、鏡の清浄後において、容器の焼出し作
業と容器内を真空または減圧にする作業を繰返し行なう
必要がない。従って、この発明に従えば、鏡を清浄して
も、その後の作動効率が低下しない。
【図１】この発明に従うシンクロトロン放射光用の鏡の
清浄方法を説明するための一具体例の装置を概略的に示
す構成図である。
清浄方法を説明するための一具体例の装置を概略的に示
す構成図である。
【図２】この発明に従うシンクロトロン放射光用の鏡の
清浄方法を説明するための一具体例のＣＶＤ装置を概略
的に示す構成図である。
清浄方法を説明するための一具体例のＣＶＤ装置を概略
的に示す構成図である。
【図３】この発明に従うシンクロトロン放射光用の鏡の
清浄方法を説明するための一具体例のリソグラフィ装置
を概略的に示す構成図である。
清浄方法を説明するための一具体例のリソグラフィ装置
を概略的に示す構成図である。
１，１１，２７ ミラー槽 ２ 容器 ３，１７，３３ シンクロトロン放射光用の鏡 ４ 光導入窓 ５ 光導出窓 ６，１８，３４ 水素供給用ノズル ７，２０，２３，３６ 排気口 ８，２４，３７ 電子蓄積リング ９，２５，３８ シンクロトロン放射光 １０ ＣＶＤ装置 １２ 反応槽 １３，２９ 導管 １４，１５，３０，３１ バルブ １６，３２ 差動排気ポンプ用の排気口 １９，３５ 差動排気ダクト ２１ 基板 ２２ 原料ガス供給用ノズル ２６ リソグラフィ装置 ２８ 露光用チャンバ ３９ Ｂｅ窓
Claims (1)
- 【請求項１】 真空状態にすることのできる容器内に収
容されたシンクロトロン放射光用の鏡の表面を清浄する
方法であって、 前記容器内に水素ガスを導入し、 前記鏡の表面にシンクロトロン放射光を照射して、前記
鏡の表面に付着した炭素および炭素化合物を除去するこ
とを特徴とする、シンクロトロン放射光用の鏡の清浄方
法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8056792A JPH05279884A (ja) | 1992-04-02 | 1992-04-02 | シンクロトロン放射光用の鏡の清浄方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8056792A JPH05279884A (ja) | 1992-04-02 | 1992-04-02 | シンクロトロン放射光用の鏡の清浄方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05279884A true JPH05279884A (ja) | 1993-10-26 |
Family
ID=13721917
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8056792A Withdrawn JPH05279884A (ja) | 1992-04-02 | 1992-04-02 | シンクロトロン放射光用の鏡の清浄方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05279884A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US9046794B2 (en) | 2008-03-17 | 2015-06-02 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Cleaning module, EUV lithography device and method for the cleaning thereof |
| JP2022510701A (ja) * | 2018-12-07 | 2022-01-27 | カール・ツァイス・エスエムティー・ゲーエムベーハー | Ｖｕｖ放射線を反射する光学素子及び光学装置 |
-
1992
- 1992-04-02 JP JP8056792A patent/JPH05279884A/ja not_active Withdrawn
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US9046794B2 (en) | 2008-03-17 | 2015-06-02 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Cleaning module, EUV lithography device and method for the cleaning thereof |
| JP2022510701A (ja) * | 2018-12-07 | 2022-01-27 | カール・ツァイス・エスエムティー・ゲーエムベーハー | Ｖｕｖ放射線を反射する光学素子及び光学装置 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US4643799A (en) | Method of dry etching | |
| JPH03257182A (ja) | 表面加工装置 | |
| KR102203973B1 (ko) | 기질의 표면 처리를 위한 방법 및 장치 | |
| Moon et al. | Ultraviolet-ozone jet cleaning process of organic surface contamination layers | |
| JPH0622222B2 (ja) | 光処理装置 | |
| JP3932181B2 (ja) | 基板の表面処理方法および装置 | |
| JPH05279884A (ja) | シンクロトロン放射光用の鏡の清浄方法 | |
| JP2011086885A (ja) | 極端紫外光利用装置 | |
| JP2009290025A (ja) | 中性粒子照射型ｃｖｄ装置 | |
| Teii et al. | Kinetics and role of C, O, and OH in low-pressure nanocrystalline diamond growth | |
| JPH05288696A (ja) | シンクロトロン放射光用鏡のモニタ方法 | |
| Mantell | Surface mechanisms in aluminum chemical vapor deposition | |
| JP3568164B2 (ja) | 磁性体薄膜の加工方法 | |
| JP2019062228A (ja) | 基板を表面処理する方法及び装置 | |
| JP2770578B2 (ja) | 光ｃｖｄ方法 | |
| JP2522050B2 (ja) | 原子層ドライエッチング方法 | |
| Kunz et al. | Surface chemical reactions stimulated by low energy electron bombardment | |
| JPS63129098A (ja) | 気相法によるダイヤモンド合成法 | |
| WO1995006900A1 (fr) | Procede et appareil de realisation de motifs | |
| JPH0255297A (ja) | ダイヤモンドの合成方法 | |
| JPH0643638B2 (ja) | アルミニウム膜のエツチング方法 | |
| JPH06318581A (ja) | ドライエッチング方法 | |
| JP2667930B2 (ja) | 微細加工方法及び装置 | |
| JPS60165724A (ja) | ドライエツチング方法 | |
| JP2012230936A (ja) | シリコン酸化物加工方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 19990608 |