JPH05288696A - シンクロトロン放射光用鏡のモニタ方法 - Google Patents
シンクロトロン放射光用鏡のモニタ方法Info
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- JPH05288696A JPH05288696A JP4084099A JP8409992A JPH05288696A JP H05288696 A JPH05288696 A JP H05288696A JP 4084099 A JP4084099 A JP 4084099A JP 8409992 A JP8409992 A JP 8409992A JP H05288696 A JPH05288696 A JP H05288696A
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- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70058—Mask illumination systems
- G03F7/702—Reflective illumination, i.e. reflective optical elements other than folding mirrors, e.g. extreme ultraviolet [EUV] illumination systems
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- G—PHYSICS
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 シンクロトロン放射光を用いるＣＶＤやリソ
グラフィ等において用いられるシンクロトロン放射光用
鏡のモニタ方法を提供する。 【構成】 シンクロトロン放射光用鏡について、その鏡
面の汚れをモニタするための方法であって、鏡面にシン
クロトロン放射光５０を照射して、鏡面から放射される
光電子の量を測定することによって、鏡面の汚れをモニ
タする。
グラフィ等において用いられるシンクロトロン放射光用
鏡のモニタ方法を提供する。 【構成】 シンクロトロン放射光用鏡について、その鏡
面の汚れをモニタするための方法であって、鏡面にシン
クロトロン放射光５０を照射して、鏡面から放射される
光電子の量を測定することによって、鏡面の汚れをモニ
タする。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は、シンクロトロン放射
光を用いるＣＶＤやリソグラフィ等において用いられる
シンクロトロン放射光用の鏡のモニタ方法に関し、特
に、その鏡面の汚れをモニタするための方法に関する。
光を用いるＣＶＤやリソグラフィ等において用いられる
シンクロトロン放射光用の鏡のモニタ方法に関し、特
に、その鏡面の汚れをモニタするための方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】シンクロトロン放射光を用いるＣＶＤや
リソグラフィ等においては、シンクロトロン放射光用鏡
（以下、この明細書において示される「鏡」は、シンク
ロトロン放射光用鏡を意味する）が用いられている。
リソグラフィ等においては、シンクロトロン放射光用鏡
（以下、この明細書において示される「鏡」は、シンク
ロトロン放射光用鏡を意味する）が用いられている。
【０００３】たとえば、ＣＶＤにおいては、シンクロト
ロン放射光を集光し、光密度を高め、原料ガスの光励起
を促進し、目的とする薄膜を十分速い速度で得ることを
目的として、鏡が使用されている。
ロン放射光を集光し、光密度を高め、原料ガスの光励起
を促進し、目的とする薄膜を十分速い速度で得ることを
目的として、鏡が使用されている。
【０００４】また、リソグラフィにおいては、シンクロ
トロン放射光を大面積に均一に照射することを目的とし
て、鏡が使用されている。
トロン放射光を大面積に均一に照射することを目的とし
て、鏡が使用されている。
【０００５】このような鏡は、通常、真空チャンバ等の
真空状態にすることのできる容器内に収容し、容器内を
真空または減圧にした状態にして使用されている。すな
わち、空気等のガスが存在すると、シンクロトロン放射
光が空気等のガスにより光の回折を起こしたり、散乱エ
ックス線が発生したり、また、空気等のガス中の分子が
光励起し、鏡面上で光化学反応を起こし、鏡面に付着し
たりするからである。
真空状態にすることのできる容器内に収容し、容器内を
真空または減圧にした状態にして使用されている。すな
わち、空気等のガスが存在すると、シンクロトロン放射
光が空気等のガスにより光の回折を起こしたり、散乱エ
ックス線が発生したり、また、空気等のガス中の分子が
光励起し、鏡面上で光化学反応を起こし、鏡面に付着し
たりするからである。
【０００６】しかしながら、このような容器内に鏡を収
容し、容器内を真空または減圧にした状態として使用し
た場合であっても、鏡にシンクロトロン放射光を長時間
照射すると、容器内の残留空気中のＣＯやＣＯ2 等の炭
素化合物が、シンクロトロン放射光により光励起し、解
離、分解し、鏡面上に炭素や炭素化合物等の汚れを形成
したりする。
容し、容器内を真空または減圧にした状態として使用し
た場合であっても、鏡にシンクロトロン放射光を長時間
照射すると、容器内の残留空気中のＣＯやＣＯ2 等の炭
素化合物が、シンクロトロン放射光により光励起し、解
離、分解し、鏡面上に炭素や炭素化合物等の汚れを形成
したりする。
【０００７】また、ＣＶＤの場合は、ＣＶＤ装置の形態
にもよるが、ダイヤモンド薄膜の形成や、ＭＯＣＶＤ等
では、原料ガスとして、多量のメタンガス（ＣＨ4 ）
や、炭素を含む有機金属等を用いるため、このような原
料ガスが鏡の近傍へ到達し、シンクロトロン放射光によ
り光励起し、解離、分解し、鏡面上に炭素や炭素化合物
等の汚れを形成したりする。
にもよるが、ダイヤモンド薄膜の形成や、ＭＯＣＶＤ等
では、原料ガスとして、多量のメタンガス（ＣＨ4 ）
や、炭素を含む有機金属等を用いるため、このような原
料ガスが鏡の近傍へ到達し、シンクロトロン放射光によ
り光励起し、解離、分解し、鏡面上に炭素や炭素化合物
等の汚れを形成したりする。
【０００８】鏡面上に炭素や炭素化合物等の汚れが形成
されると、シンクロトロン放射光の反射率が低下した
り、散乱エックス線等が増大する。また、シンクロトロ
ン放射光の短波長の光子束は、炭素や炭素化合物等の汚
れに吸収されやすい。
されると、シンクロトロン放射光の反射率が低下した
り、散乱エックス線等が増大する。また、シンクロトロ
ン放射光の短波長の光子束は、炭素や炭素化合物等の汚
れに吸収されやすい。
【０００９】このように、シンクロトロン放射光の反射
率が低下したり、特定の波長の光が鏡面上の炭素や炭素
化合物等の汚れに吸収されてしまうと、たとえば、ＣＶ
Ｄの場合においては、薄膜の形成速度が低下したり、光
化学反応に必要な波長のシンクロトロン放射光の光子束
が失われるため、目的とする光化学反応が生じず、目的
とする組成の薄膜を得るのが困難になるという問題を生
じる。
率が低下したり、特定の波長の光が鏡面上の炭素や炭素
化合物等の汚れに吸収されてしまうと、たとえば、ＣＶ
Ｄの場合においては、薄膜の形成速度が低下したり、光
化学反応に必要な波長のシンクロトロン放射光の光子束
が失われるため、目的とする光化学反応が生じず、目的
とする組成の薄膜を得るのが困難になるという問題を生
じる。
【００１０】また、たとえば、リソグラフィの場合は、
短波長のシンクロトロン放射光の光子束が失われるた
め、リソグラフィの解像度が低下するという問題を生じ
る。
短波長のシンクロトロン放射光の光子束が失われるた
め、リソグラフィの解像度が低下するという問題を生じ
る。
【００１１】このため、従来の鏡のモニタ方法として
は、鏡を容器内から取出し、直接肉眼にて鏡面の汚れを
観察するということが行なわれていた。
は、鏡を容器内から取出し、直接肉眼にて鏡面の汚れを
観察するということが行なわれていた。
【００１２】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来の
鏡のモニタ方法では、鏡を容器内から外へ取出す必要が
あった。従来の鏡のモニタ方法では、真空または減圧状
態にしていた容器内に、空気等のガスを流入し、容器内
を常圧に戻した後、鏡を外に取出す必要があった。この
ため、容器の内壁へ空気等のガスが付着する。また、鏡
をモニタする際にも鏡に空気等のガスが付着する。
鏡のモニタ方法では、鏡を容器内から外へ取出す必要が
あった。従来の鏡のモニタ方法では、真空または減圧状
態にしていた容器内に、空気等のガスを流入し、容器内
を常圧に戻した後、鏡を外に取出す必要があった。この
ため、容器の内壁へ空気等のガスが付着する。また、鏡
をモニタする際にも鏡に空気等のガスが付着する。
【００１３】したがって、鏡をモニタした後、再度、鏡
を容器内に収容した後、ＣＶＤやリソグラフィに鏡を使
用する前に、容器を焼き出しする必要があった。
を容器内に収容した後、ＣＶＤやリソグラフィに鏡を使
用する前に、容器を焼き出しする必要があった。
【００１４】また、容器内を真空または減圧すると、容
器の内壁や、鏡に付着していたガスが容器内に放出され
るため、一度、鏡をモニタすると、容器の焼き出し作業
と容器内を真空または減圧にする作業を何度も繰り返し
て行なう必要があった。
器の内壁や、鏡に付着していたガスが容器内に放出され
るため、一度、鏡をモニタすると、容器の焼き出し作業
と容器内を真空または減圧にする作業を何度も繰り返し
て行なう必要があった。
【００１５】このため、従来の鏡のモニタ方法では、一
度、鏡をモニタすると、その後の作業効率が著しく低下
するという問題があった。
度、鏡をモニタすると、その後の作業効率が著しく低下
するという問題があった。
【００１６】この発明は、上述した問題を解決するため
に創案されたものであり、シンクロトロン放射光を用い
るＣＶＤやリソグラフィ等に用いる鏡の鏡面の汚れをよ
り簡便にモニタし、かつ、鏡をモニタする際において、
鏡や容器に空気等のガスが付着することのない、シンク
ロトロン放射光用鏡のモニタ方法を提供することを目的
とする。
に創案されたものであり、シンクロトロン放射光を用い
るＣＶＤやリソグラフィ等に用いる鏡の鏡面の汚れをよ
り簡便にモニタし、かつ、鏡をモニタする際において、
鏡や容器に空気等のガスが付着することのない、シンク
ロトロン放射光用鏡のモニタ方法を提供することを目的
とする。
【００１７】
【課題を解決するための手段】この発明に従うシンクロ
トロン放射光用鏡のモニタ方法は、シンクロトロン放射
光用鏡について、その鏡面の汚れをモニタする方法であ
って、鏡面にシンクロトロン放射光を照射して、鏡面か
ら放射される光電子の量を測定することを特徴とする。
トロン放射光用鏡のモニタ方法は、シンクロトロン放射
光用鏡について、その鏡面の汚れをモニタする方法であ
って、鏡面にシンクロトロン放射光を照射して、鏡面か
ら放射される光電子の量を測定することを特徴とする。
【００１８】シンクロトロン放射光用鏡としては、以下
に示す種々のものが用いられている。
に示す種々のものが用いられている。
【００１９】たとえば、そのような鏡として、ＳｉＯ2
基板等に白金（Ｐｔ）や金（Ａｕ）等を蒸着した鏡や、
溶融石英、無酸素銅、表面をカニゲンと称する特殊なニ
ッケル膜で覆ったアルミニウム、炭化ケイ素等の種々の
材料を用いたものがある。
基板等に白金（Ｐｔ）や金（Ａｕ）等を蒸着した鏡や、
溶融石英、無酸素銅、表面をカニゲンと称する特殊なニ
ッケル膜で覆ったアルミニウム、炭化ケイ素等の種々の
材料を用いたものがある。
【００２０】この発明に従うシンクロトロン放射光用鏡
のモニタ方法は、このような種々の材料からなるいずれ
の鏡についても適用することができる。
のモニタ方法は、このような種々の材料からなるいずれ
の鏡についても適用することができる。
【００２１】この発明に用いるシンクロトロン放射光
は、磁場中で円運動または螺旋運動する電子がその求心
加速度により電磁波を放射するいわゆるシンクロトロン
放射の機構に従い、電子加速器を利用して発生させられ
る真空紫外からエックス線にわたる広い波長範囲を有す
る光子束である。
は、磁場中で円運動または螺旋運動する電子がその求心
加速度により電磁波を放射するいわゆるシンクロトロン
放射の機構に従い、電子加速器を利用して発生させられ
る真空紫外からエックス線にわたる広い波長範囲を有す
る光子束である。
【００２２】この発明に用いるシンクロトロン放射光
は、ＣＶＤやリソグラフィのために用いるシンクロトロ
ン放射光をそのまま使用してもよく、また、ＣＶＤやリ
ソグラフィ用のシンクロトロン放射光とは別に、鏡をモ
ニタするためのシンクロトロン放射光を用いてもよい。
は、ＣＶＤやリソグラフィのために用いるシンクロトロ
ン放射光をそのまま使用してもよく、また、ＣＶＤやリ
ソグラフィ用のシンクロトロン放射光とは別に、鏡をモ
ニタするためのシンクロトロン放射光を用いてもよい。
【００２３】この発明において、鏡面から放射される光
電子の量を測定する方法としては、種々の方法を用いる
ことができる。たとえば、真空にすることのできる容器
内に光電子を放射する鏡面（光電陰極）に対し、陽極を
設けることにより、光電子による電流を測定することが
できる。そのような方法としては、たとえば、光電子分
光方法を用いることができる。どのような構成の光電子
分光装置を用いるかは、用いるＣＶＤ装置やリソグラフ
ィ装置のミラー層の形態や、鏡面上の汚れをどのような
精度で、定量的または定性的にモニタするか等に応じて
選択すればよい。
電子の量を測定する方法としては、種々の方法を用いる
ことができる。たとえば、真空にすることのできる容器
内に光電子を放射する鏡面（光電陰極）に対し、陽極を
設けることにより、光電子による電流を測定することが
できる。そのような方法としては、たとえば、光電子分
光方法を用いることができる。どのような構成の光電子
分光装置を用いるかは、用いるＣＶＤ装置やリソグラフ
ィ装置のミラー層の形態や、鏡面上の汚れをどのような
精度で、定量的または定性的にモニタするか等に応じて
選択すればよい。
【００２４】このような光電子分光方法は、通常は、固
体の表面の元素分析や固体表面の原子結合状態を分析
し、試料自体の物質の構造回折や評価に用いるものであ
る。
体の表面の元素分析や固体表面の原子結合状態を分析
し、試料自体の物質の構造回折や評価に用いるものであ
る。
【００２５】これに対し、この発明に従うシンクロトロ
ン放射光用鏡のモニタ方法では、鏡面が汚れる前の状態
において、鏡面にシンクロトロン放射光を照射して、鏡
面から放射される光電子の量と、鏡面が汚れた後の状態
において、鏡面にシンクロトロン放射光を照射して、鏡
面から放射される光電子の量との比較を行なうことによ
って、鏡面の汚れをモニタする方法を提供することを目
的としている。
ン放射光用鏡のモニタ方法では、鏡面が汚れる前の状態
において、鏡面にシンクロトロン放射光を照射して、鏡
面から放射される光電子の量と、鏡面が汚れた後の状態
において、鏡面にシンクロトロン放射光を照射して、鏡
面から放射される光電子の量との比較を行なうことによ
って、鏡面の汚れをモニタする方法を提供することを目
的としている。
【００２６】鏡面を構成する物質の原子は、通常は、白
金（Ｐｔ）や金（Ａｕ）等の金属である。これに対し、
鏡面の汚れを構成する物質は、通常は、炭素（Ｃ）や炭
素化合物である。
金（Ｐｔ）や金（Ａｕ）等の金属である。これに対し、
鏡面の汚れを構成する物質は、通常は、炭素（Ｃ）や炭
素化合物である。
【００２７】このように鏡面を構成する物質と、鏡面の
汚れを構成する物質とは相異なっている。
汚れを構成する物質とは相異なっている。
【００２８】このため、鏡面にシンクロトロン放射光を
照射した場合、鏡面を構成する物質から放射される光電
子のエネルギと、鏡面の汚れを構成する物質から放射さ
れる光電子のエネルギは異なっている。このような光電
子のエネルギの差は、スペクトルチャートの差となって
現われるため、この発明に従えば、鏡面の汚れを定性的
および定量的にモニタすることができる。
照射した場合、鏡面を構成する物質から放射される光電
子のエネルギと、鏡面の汚れを構成する物質から放射さ
れる光電子のエネルギは異なっている。このような光電
子のエネルギの差は、スペクトルチャートの差となって
現われるため、この発明に従えば、鏡面の汚れを定性的
および定量的にモニタすることができる。
【００２９】また、シンクロトロン放射光を照射するこ
とにより鏡面から放射される光電子の量は、たとえば、
鏡面を流れる電流値を測定することによっても、直接的
に測定することができる。
とにより鏡面から放射される光電子の量は、たとえば、
鏡面を流れる電流値を測定することによっても、直接的
に測定することができる。
【００３０】この場合、鏡面が汚れる前の状態におい
て、鏡面にシンクロトロン放射光を照射して、鏡面を流
れる電流値と、鏡面が汚れた後の状態において、鏡面に
シンクロトロン放射光を照射して、鏡面を流れる電流値
とを測定し、その電流値を比較することにより、鏡面の
汚れを定性的および定量的にモニタすることができる。
て、鏡面にシンクロトロン放射光を照射して、鏡面を流
れる電流値と、鏡面が汚れた後の状態において、鏡面に
シンクロトロン放射光を照射して、鏡面を流れる電流値
とを測定し、その電流値を比較することにより、鏡面の
汚れを定性的および定量的にモニタすることができる。
【００３１】また、このような電流値を測定する方法と
しては、種々の方法があるが、たとえば、鏡面が白金
（Ｐｔ）や金（Ａｕ）等の金属で形成されている場合
は、鏡面上に電極を設け、電極をアースし、電極とアー
ス部との間に設けられた導線の一部に電流計等を設ける
ことにより、直接的に測定することができる。
しては、種々の方法があるが、たとえば、鏡面が白金
（Ｐｔ）や金（Ａｕ）等の金属で形成されている場合
は、鏡面上に電極を設け、電極をアースし、電極とアー
ス部との間に設けられた導線の一部に電流計等を設ける
ことにより、直接的に測定することができる。
【００３２】また、この発明に従うシンクロトロン放射
光用鏡のモニタ方法において、シンクロトロン放射光と
して、ＣＶＤやリソグラフィのために用いるシンクロト
ロン放射光をそのまま使用した場合は、ＣＶＤやリソグ
ラフィを行なっている際の鏡の汚れを経時的にモニタす
ることができる。
光用鏡のモニタ方法において、シンクロトロン放射光と
して、ＣＶＤやリソグラフィのために用いるシンクロト
ロン放射光をそのまま使用した場合は、ＣＶＤやリソグ
ラフィを行なっている際の鏡の汚れを経時的にモニタす
ることができる。
【００３３】
【作用】物質に光を照射すると、物質を構成する原子が
光子を吸収し、価電子および軌道電子を放出する。この
ような電子は、物質の表面から光電子として放射され
る。放射される光電子が、たとえば、同じＫ殻の電子で
あっても、物質の種類によって放射される光電子のエネ
ルギは異なる。
光子を吸収し、価電子および軌道電子を放出する。この
ような電子は、物質の表面から光電子として放射され
る。放射される光電子が、たとえば、同じＫ殻の電子で
あっても、物質の種類によって放射される光電子のエネ
ルギは異なる。
【００３４】Ｌ殻、Ｎ殻等の電子が光電子として放射さ
れる場合も同様である。したがって、鏡面にシンクロト
ロン放射光を照射して、鏡面から放射される光電子のエ
ネルギは、鏡面を構成する白金（Ｐｔ）や金（Ａｕ）等
の原子により、定まった値となる。
れる場合も同様である。したがって、鏡面にシンクロト
ロン放射光を照射して、鏡面から放射される光電子のエ
ネルギは、鏡面を構成する白金（Ｐｔ）や金（Ａｕ）等
の原子により、定まった値となる。
【００３５】また、鏡面の汚れは、炭素や炭素化合物等
であり、このような汚れにシンクロトロン放射光を照射
して、鏡面の汚れから放射される光電子のエネルギは、
鏡面の汚れを構成する炭素や炭素化合物等により定まっ
た値となる。
であり、このような汚れにシンクロトロン放射光を照射
して、鏡面の汚れから放射される光電子のエネルギは、
鏡面の汚れを構成する炭素や炭素化合物等により定まっ
た値となる。
【００３６】この光電子のエネルギの差は、スペクトル
チャートの差となって現われ、定性的および定量的に分
析することができる。
チャートの差となって現われ、定性的および定量的に分
析することができる。
【００３７】また、特定の物質について、入射光の振動
数νが一定の限界振動数ν0 以上（したがって、波長λ
が、限界波長λ0 以上）の場合だけに光電子放射が起こ
る。ν0 、λ0 の値は、物質の種類によって決まり、入
射光の強度にはよらない。
数νが一定の限界振動数ν0 以上（したがって、波長λ
が、限界波長λ0 以上）の場合だけに光電子放射が起こ
る。ν0 、λ0 の値は、物質の種類によって決まり、入
射光の強度にはよらない。
【００３８】物質の光学的仕事関数をφとすると、式１
の関係が成立する。 ｈν0 ＝ｃｈ／λ0 ＝ｅφ …（１） たとえば、振動数ν0 の光子を含むシンクロトロン放射
光を鏡面に照射した場合、この鏡面上に炭素や炭素化合
物の汚れが付着していると、これらの汚れがシンクロト
ロン放射光の光子の中、振動数ν0 以上の光子束を吸収
してしまい、部分的に振動数ν0 以下の光子束が鏡面を
構成する物質に到達する。このような場合は、鏡面を構
成する物質は、光電子を放出しない。一方、振動数ν0
以上のシンクロトロン放射光を鏡面に照射した場合は、
その光の強度が強いほど、鏡面を構成する物質から放射
される光電子の量は、増加する。
の関係が成立する。 ｈν0 ＝ｃｈ／λ0 ＝ｅφ …（１） たとえば、振動数ν0 の光子を含むシンクロトロン放射
光を鏡面に照射した場合、この鏡面上に炭素や炭素化合
物の汚れが付着していると、これらの汚れがシンクロト
ロン放射光の光子の中、振動数ν0 以上の光子束を吸収
してしまい、部分的に振動数ν0 以下の光子束が鏡面を
構成する物質に到達する。このような場合は、鏡面を構
成する物質は、光電子を放出しない。一方、振動数ν0
以上のシンクロトロン放射光を鏡面に照射した場合は、
その光の強度が強いほど、鏡面を構成する物質から放射
される光電子の量は、増加する。
【００３９】すなわち、鏡面が汚れ、鏡面上に炭素や炭
素化合物等の汚れが付着すると、これらの汚れは、光を
吸収しやすい性質を有するため、鏡面を構成する物質に
到達するシンクロトロン放射光の光子量が減少する。こ
のため、鏡面にシンクロトロン放射光を照射した場合、
鏡面を構成する物質から放射される光電子の量は、鏡面
が汚れるに伴って、減少する。
素化合物等の汚れが付着すると、これらの汚れは、光を
吸収しやすい性質を有するため、鏡面を構成する物質に
到達するシンクロトロン放射光の光子量が減少する。こ
のため、鏡面にシンクロトロン放射光を照射した場合、
鏡面を構成する物質から放射される光電子の量は、鏡面
が汚れるに伴って、減少する。
【００４０】したがって、この発明に従って、鏡面が汚
れる前の状態において、鏡面にシンクロトロン放射光を
照射して、鏡面から放射される光電子の量と、鏡面が汚
れた後の状態において、鏡面にシンクロトロン放射光を
照射して、鏡面から放射される光電子の量とを比較すれ
ば、鏡面の汚れを定性的および定量的にモニタすること
ができる。
れる前の状態において、鏡面にシンクロトロン放射光を
照射して、鏡面から放射される光電子の量と、鏡面が汚
れた後の状態において、鏡面にシンクロトロン放射光を
照射して、鏡面から放射される光電子の量とを比較すれ
ば、鏡面の汚れを定性的および定量的にモニタすること
ができる。
【００４１】また、シンクロトロン放射光は、直進性に
優れているため、鏡面にシンクロトロン放射光を照射す
ると、シンクロトロン放射光は、鏡で反射され、光導出
窓を介して、ＣＶＤの場合は、反応槽内へ照射される。
優れているため、鏡面にシンクロトロン放射光を照射す
ると、シンクロトロン放射光は、鏡で反射され、光導出
窓を介して、ＣＶＤの場合は、反応槽内へ照射される。
【００４２】また、リソグラフィの場合も同様に、シン
クロトロン放射光は、露光用チャンバ内へ照射される。
クロトロン放射光は、露光用チャンバ内へ照射される。
【００４３】これに対し、光電子は、負の電荷を持って
いるので、真空にすることができる容器内に、陽極を置
くことにより、光電子による電流を測定することができ
る。したがって、この発明に従うシンクロトロン放射光
用鏡のモニタ方法を用いれば、ＣＶＤやリソグラフィの
作業を中止することなく鏡のモニタをすることができ
る。
いるので、真空にすることができる容器内に、陽極を置
くことにより、光電子による電流を測定することができ
る。したがって、この発明に従うシンクロトロン放射光
用鏡のモニタ方法を用いれば、ＣＶＤやリソグラフィの
作業を中止することなく鏡のモニタをすることができ
る。
【００４４】また、このような光電子の量は、鏡面上に
電極を設け、電極をアースし、電極とアース部との間に
設けられた導線の一部に電流計を設けることによっても
測定できる。シンクロトロン放射光を未照射の状態で
は、鏡面上の電極をアースしても、電極とアース間には
電流は流れない。すなわち、鏡面上の白金（Ｐｔ）や金
（Ａｕ）等の金属等は、自由電子が飽和した状態となっ
ているからである。
電極を設け、電極をアースし、電極とアース部との間に
設けられた導線の一部に電流計を設けることによっても
測定できる。シンクロトロン放射光を未照射の状態で
は、鏡面上の電極をアースしても、電極とアース間には
電流は流れない。すなわち、鏡面上の白金（Ｐｔ）や金
（Ａｕ）等の金属等は、自由電子が飽和した状態となっ
ているからである。
【００４５】この状態において、鏡面にシンクロトロン
放射光を照射すると、白金（Ｐｔ）、または、金（Ａ
ｕ）の原子が、光子を吸収し、価電子および軌道電子を
放出する。白金（Ｐｔ）、または、金（Ａｕ）の原子が
価電子および軌道電子を放出すると、白金（Ｐｔ）また
は金（Ａｕ）の原子の軌道上に正孔を生じる。このよう
にして形成された正孔に対し、正孔の近傍の自由電子が
補完される。このようにして、金属の原子の軌道上に自
由電子が補完されると、鏡面上の自由電子が不足した状
態となるため、アース部から鏡面の電極方向に電子が補
完される。このような電子の動きは、電極とアース部と
の間に設けられた導線の一部に電流計等を設けることに
より、直接的に測定することができる。
放射光を照射すると、白金（Ｐｔ）、または、金（Ａ
ｕ）の原子が、光子を吸収し、価電子および軌道電子を
放出する。白金（Ｐｔ）、または、金（Ａｕ）の原子が
価電子および軌道電子を放出すると、白金（Ｐｔ）また
は金（Ａｕ）の原子の軌道上に正孔を生じる。このよう
にして形成された正孔に対し、正孔の近傍の自由電子が
補完される。このようにして、金属の原子の軌道上に自
由電子が補完されると、鏡面上の自由電子が不足した状
態となるため、アース部から鏡面の電極方向に電子が補
完される。このような電子の動きは、電極とアース部と
の間に設けられた導線の一部に電流計等を設けることに
より、直接的に測定することができる。
【００４６】このようにして測定される電流値は、鏡面
から放射される光電子の量に対応する。
から放射される光電子の量に対応する。
【００４７】したがって、鏡面が汚れ、鏡面上に炭素や
炭素化合物等の汚れが付着すると、これらは、光を吸収
しやすい性質を有するため、鏡面に到達するシンクロト
ロン放射光の光子量が減少する。このため、鏡面にシン
クロトロン放射光を照射した場合、鏡面から放射される
光電子の量は、鏡面が汚れるに伴って小さい値となる。
このように鏡面から放射される光電子の量が小さい値と
なるに従って、鏡面上の電極とアース間を流れる電流値
も小さい値となる。
炭素化合物等の汚れが付着すると、これらは、光を吸収
しやすい性質を有するため、鏡面に到達するシンクロト
ロン放射光の光子量が減少する。このため、鏡面にシン
クロトロン放射光を照射した場合、鏡面から放射される
光電子の量は、鏡面が汚れるに伴って小さい値となる。
このように鏡面から放射される光電子の量が小さい値と
なるに従って、鏡面上の電極とアース間を流れる電流値
も小さい値となる。
【００４８】したがって、鏡面が汚れる前の状態におい
て、鏡面にシンクロトロン放射光を照射して、鏡面を流
れる電流値と、鏡面が汚れた後の状態において、鏡面に
シンクロトロン放射光を照射して、鏡面を流れる電流値
とを測定し、その電流値を比較することにより、鏡面の
汚れを定性的および定量的にモニタすることがてきる。
て、鏡面にシンクロトロン放射光を照射して、鏡面を流
れる電流値と、鏡面が汚れた後の状態において、鏡面に
シンクロトロン放射光を照射して、鏡面を流れる電流値
とを測定し、その電流値を比較することにより、鏡面の
汚れを定性的および定量的にモニタすることがてきる。
【００４９】
【実施例】図１を参照しながら、この発明の一具体例を
以下に説明する。
以下に説明する。
【００５０】図１を参照して、この装置は、ミラー槽１
を示しており、ミラー槽１はその内部を真空状態にする
ことができるようになっている。ミラー槽１内には、鏡
２が収容されている。ミラー槽１の側壁には、光導入窓
３と光導出窓４とが設けられている。光導入窓３と光導
出窓４とは、シンクロトロン放射光５０のみが透過する
ことができる閉じられた窓であっても、また、シンクロ
トロン放射光５０の透過と、ミラー槽１内のガスの移動
が可能な開放された窓であってもよい。光導入窓３と光
導出窓４が開放された窓である場合には、それぞれの窓
にミラー槽１内のガスの分離が可能なバルブ（図示せ
ず）等が設けられており、バルブ操作により、窓を閉
じ、ミラー槽１内のガスを分離することができるように
なっている。
を示しており、ミラー槽１はその内部を真空状態にする
ことができるようになっている。ミラー槽１内には、鏡
２が収容されている。ミラー槽１の側壁には、光導入窓
３と光導出窓４とが設けられている。光導入窓３と光導
出窓４とは、シンクロトロン放射光５０のみが透過する
ことができる閉じられた窓であっても、また、シンクロ
トロン放射光５０の透過と、ミラー槽１内のガスの移動
が可能な開放された窓であってもよい。光導入窓３と光
導出窓４が開放された窓である場合には、それぞれの窓
にミラー槽１内のガスの分離が可能なバルブ（図示せ
ず）等が設けられており、バルブ操作により、窓を閉
じ、ミラー槽１内のガスを分離することができるように
なっている。
【００５１】また、ミラー槽１の側壁には、排気口５が
設けられており、真空ポンプ（図示せず）等によりミラ
ー槽１内を真空状態にすることができるようになってい
る。
設けられており、真空ポンプ（図示せず）等によりミラ
ー槽１内を真空状態にすることができるようになってい
る。
【００５２】また、鏡２の鏡面上には、電極６が接合さ
れている。電極６には、導線７が接続され、ミラー槽１
の側壁に設けられた電流導入端子８を介して、アース部
９でアースされている。電流導入端子８とアース部９と
の間における導線７には、電流計１０が設けられてい
る。このミラー槽１は、通常は、光導出窓４を介して、
ＣＶＤの場合は、反応槽（図示せず）や、また、リソグ
ラフィの場合は、露光チャンバに連結されている。
れている。電極６には、導線７が接続され、ミラー槽１
の側壁に設けられた電流導入端子８を介して、アース部
９でアースされている。電流導入端子８とアース部９と
の間における導線７には、電流計１０が設けられてい
る。このミラー槽１は、通常は、光導出窓４を介して、
ＣＶＤの場合は、反応槽（図示せず）や、また、リソグ
ラフィの場合は、露光チャンバに連結されている。
【００５３】ＣＶＤやリソグラフィの場合、ミラー槽１
内のガスは、真空ポンプ（図示せず）等により排気され
る。
内のガスは、真空ポンプ（図示せず）等により排気され
る。
【００５４】このようなミラー槽１において、ＣＶＤや
リソグラフィを行なう前に、鏡２が汚れる前の状態にお
いて、鏡２の鏡面にシンクロトロン放射光を照射し、鏡
２の鏡面を流れる電流値を電流計１０により測定する。
リソグラフィを行なう前に、鏡２が汚れる前の状態にお
いて、鏡２の鏡面にシンクロトロン放射光を照射し、鏡
２の鏡面を流れる電流値を電流計１０により測定する。
【００５５】その後、ＣＶＤやリソグラフィを開始し、
鏡２の鏡面を流れる電流値を電流計１０により経時的に
測定することにより、シンクロトロン放射光用鏡の汚れ
をモニタすることができる。
鏡２の鏡面を流れる電流値を電流計１０により経時的に
測定することにより、シンクロトロン放射光用鏡の汚れ
をモニタすることができる。
【００５６】また、以上のように構成されるミラー槽を
ＣＶＤ装置に連結して用いる状態を図２に示す。
ＣＶＤ装置に連結して用いる状態を図２に示す。
【００５７】図２を参照して、このＣＶＤ装置１１にお
いては、ＣＶＤを行なうための反応槽１２は、導管１３
を介してミラー槽１４と連結される。導管１３には、ミ
ラー槽１４内のガスと反応槽１２内のガスとを分離する
ためのバルブ１５とバルブ１６とが設けられている。ま
た、導管１３のバルブ１５とバルブ１６との間には、イ
オンポンプ、ターボ分子ポンプ等を複数個組合わせた、
差動排気用ポンプ（図示せず）が設けられており、反応
槽１２内から漏れ出た原料ガスを、差動排気用ポンプ用
の排気口１７を介して、ＣＶＤ装置１１真空外へ排出で
きるようになっている。この場合、鏡１８として、Ｓｉ
Ｏ2 基板に白金（Ｐｔ）が被覆されたトロイダルミラー
が用いられる。トライダルミラーの鏡面を構成する白金
（Ｐｔ）被覆上には、電極１９が設けられている。電極
１９には、導線２０が接続されており、導線２０は、電
流導入端子２１を介し、アース部２２でアースされてい
る。電流導入端子２１とアース部２２との間における導
線２０には、電流計２３が設けられている。また、ミラ
ー槽１４には、光導入窓として差動排気ダクト２４と排
気口２５とが設けられている。
いては、ＣＶＤを行なうための反応槽１２は、導管１３
を介してミラー槽１４と連結される。導管１３には、ミ
ラー槽１４内のガスと反応槽１２内のガスとを分離する
ためのバルブ１５とバルブ１６とが設けられている。ま
た、導管１３のバルブ１５とバルブ１６との間には、イ
オンポンプ、ターボ分子ポンプ等を複数個組合わせた、
差動排気用ポンプ（図示せず）が設けられており、反応
槽１２内から漏れ出た原料ガスを、差動排気用ポンプ用
の排気口１７を介して、ＣＶＤ装置１１真空外へ排出で
きるようになっている。この場合、鏡１８として、Ｓｉ
Ｏ2 基板に白金（Ｐｔ）が被覆されたトロイダルミラー
が用いられる。トライダルミラーの鏡面を構成する白金
（Ｐｔ）被覆上には、電極１９が設けられている。電極
１９には、導線２０が接続されており、導線２０は、電
流導入端子２１を介し、アース部２２でアースされてい
る。電流導入端子２１とアース部２２との間における導
線２０には、電流計２３が設けられている。また、ミラ
ー槽１４には、光導入窓として差動排気ダクト２４と排
気口２５とが設けられている。
【００５８】また、反応槽１２には、薄膜を形成する基
板２６が収められている。また、反応槽１２には、原料
供給用ノズル２７と水素供給用ノズル２８と排気口２９
とが設けられている。このようなＣＶＤ装置１１におい
て、電子蓄積リング３０により発生させたシンクロトロ
ン放射光３１は、差動排気ダクト２４よりミラー槽１４
内に入射し、鏡１８で反射され、反応槽１２内で集光で
きるようになっている。
板２６が収められている。また、反応槽１２には、原料
供給用ノズル２７と水素供給用ノズル２８と排気口２９
とが設けられている。このようなＣＶＤ装置１１におい
て、電子蓄積リング３０により発生させたシンクロトロ
ン放射光３１は、差動排気ダクト２４よりミラー槽１４
内に入射し、鏡１８で反射され、反応槽１２内で集光で
きるようになっている。
【００５９】このＣＶＤ装置１１を用いて、シンクロト
ロン放射光を用いたＣＶＤにおいては、たとえば、基板
２６として、シリコンウェハを使用し、原料ガスとし
て、メタンガス（ＣＨ4 ）および水素（Ｈ2 ）を用い
て、ダイヤモンドの薄膜を形成することができる。ダイ
ヤモンド薄膜の形成においては、まず、反応槽１２内に
基板２６を設置し、バルブ１５とバルブ１６とを開いた
状態にして、真空ポンプ（図示せず）や差動排気用ポン
プ（図示せず）等により、ＣＶＤ装置１１内のガスを排
気する。このような排気は、ダイヤモンド薄膜を形成す
る間、常時行なわれる。
ロン放射光を用いたＣＶＤにおいては、たとえば、基板
２６として、シリコンウェハを使用し、原料ガスとし
て、メタンガス（ＣＨ4 ）および水素（Ｈ2 ）を用い
て、ダイヤモンドの薄膜を形成することができる。ダイ
ヤモンド薄膜の形成においては、まず、反応槽１２内に
基板２６を設置し、バルブ１５とバルブ１６とを開いた
状態にして、真空ポンプ（図示せず）や差動排気用ポン
プ（図示せず）等により、ＣＶＤ装置１１内のガスを排
気する。このような排気は、ダイヤモンド薄膜を形成す
る間、常時行なわれる。
【００６０】排気の後、原料供給用ノズル２７から原料
ガスとして、メタンガス（ＣＨ4 ）を基板２６の上方へ
供給し、また、水素供給用ノズル２８から、水素ガス
（Ｈ2）を基板２６の上方へ供給し、ＣＶＤ装置１１内
の圧力を１０-1Ｔｏｒｒに維持する。基板２６の基板温
度は、たとえば、８００℃とし、また、反応槽１２の気
相温度は、たとえば、２０００℃に維持する。次に、シ
ンクロトロン放射装置（電総研ＴＥＲＡＳ）を使用し
て、蓄積ビームの電流値１００ｍＡ・時間、波長１００
ｎｍのシンクロトロン放射光を、原料ガスに照射しなが
ら、原料ガスを光励起、解離、分解して、基板２６上に
ダイヤモンド薄膜を堆積させていく。
ガスとして、メタンガス（ＣＨ4 ）を基板２６の上方へ
供給し、また、水素供給用ノズル２８から、水素ガス
（Ｈ2）を基板２６の上方へ供給し、ＣＶＤ装置１１内
の圧力を１０-1Ｔｏｒｒに維持する。基板２６の基板温
度は、たとえば、８００℃とし、また、反応槽１２の気
相温度は、たとえば、２０００℃に維持する。次に、シ
ンクロトロン放射装置（電総研ＴＥＲＡＳ）を使用し
て、蓄積ビームの電流値１００ｍＡ・時間、波長１００
ｎｍのシンクロトロン放射光を、原料ガスに照射しなが
ら、原料ガスを光励起、解離、分解して、基板２６上に
ダイヤモンド薄膜を堆積させていく。
【００６１】このような工程に際して、ＣＶＤを開始す
る前から、蓄積ビームの電流値１００ｍＡ・時間、波長
１００ｎｍのシンクロトロン放射光を照射し、鏡１８の
鏡面を流れる電流値を測定した後、ＣＶＤを行ないなが
ら、同様に、鏡１８鏡面を流れる電流値を経時的に測定
していく。
る前から、蓄積ビームの電流値１００ｍＡ・時間、波長
１００ｎｍのシンクロトロン放射光を照射し、鏡１８の
鏡面を流れる電流値を測定した後、ＣＶＤを行ないなが
ら、同様に、鏡１８鏡面を流れる電流値を経時的に測定
していく。
【００６２】このような電流値の推移は、たとえば、鏡
面が汚れるに従って電流値が減少するので、ＣＶＤによ
るダイヤモンド薄膜を形成する際において、この発明に
従って、シンクロトロン放射光用鏡の鏡面の汚れをモニ
タすることができる。
面が汚れるに従って電流値が減少するので、ＣＶＤによ
るダイヤモンド薄膜を形成する際において、この発明に
従って、シンクロトロン放射光用鏡の鏡面の汚れをモニ
タすることができる。
【００６３】なお、本実施例は、単に説明するために用
いたものであり、この発明に従うシンクロトロン放射光
用鏡のモニタ方法を、鏡面を流れる電流値によってモニ
タする方法に限定するものではない。たとえば、ミラー
層１４内に陽極を設けた光電子分光法等によっても、こ
の発明に従って、光電子の量を測定することができ、そ
の結果、シンクロトロン放射光用鏡のモニタを行なうこ
とができる。
いたものであり、この発明に従うシンクロトロン放射光
用鏡のモニタ方法を、鏡面を流れる電流値によってモニ
タする方法に限定するものではない。たとえば、ミラー
層１４内に陽極を設けた光電子分光法等によっても、こ
の発明に従って、光電子の量を測定することができ、そ
の結果、シンクロトロン放射光用鏡のモニタを行なうこ
とができる。
【００６４】
【発明の効果】以上説明したように、この発明に従うシ
ンクロトロン放射光用鏡のモニタ方法を用いれば、シン
クロトロン放射光を用いるＣＶＤやリソグラフィ等に用
いる鏡の表面に付着した炭素や炭素化合物等の汚れをよ
り簡便にモニタすることができる。
ンクロトロン放射光用鏡のモニタ方法を用いれば、シン
クロトロン放射光を用いるＣＶＤやリソグラフィ等に用
いる鏡の表面に付着した炭素や炭素化合物等の汚れをよ
り簡便にモニタすることができる。
【００６５】また、この発明に従えば、鏡のモニタ時に
おいて、容器内を真空状態に保ったままの状態で、鏡を
モニタすることができるので、鏡の表面や、容器の内壁
に空気等のガスが付着しない。このため、この発明に従
えば、鏡をモニタしても、鏡のモニタ後において、容器
の焼き出し作業と容器内を真空または減圧にする作業を
繰り返し行なう必要がない。したがって、この発明に従
えば、鏡をモニタしても、その後の作業効率が低下しな
い。
おいて、容器内を真空状態に保ったままの状態で、鏡を
モニタすることができるので、鏡の表面や、容器の内壁
に空気等のガスが付着しない。このため、この発明に従
えば、鏡をモニタしても、鏡のモニタ後において、容器
の焼き出し作業と容器内を真空または減圧にする作業を
繰り返し行なう必要がない。したがって、この発明に従
えば、鏡をモニタしても、その後の作業効率が低下しな
い。
【００６６】また、この発明に従って、ＣＶＤやリソグ
ラフィに用いるシンクロトロン放射光を用いた場合は、
ＣＶＤやリソグラフィの作業と並行して鏡のモニタが行
なえる。したがって、この発明に従えば、鏡をモニタす
る際においても、ＣＶＤやリソグラフィの作業効率が低
下しない。
ラフィに用いるシンクロトロン放射光を用いた場合は、
ＣＶＤやリソグラフィの作業と並行して鏡のモニタが行
なえる。したがって、この発明に従えば、鏡をモニタす
る際においても、ＣＶＤやリソグラフィの作業効率が低
下しない。
【図１】この発明に従うシンクロトロン放射光用鏡のモ
ニタ方法を説明するための一具体例の装置を概略的に示
す構成図である。
ニタ方法を説明するための一具体例の装置を概略的に示
す構成図である。
【図２】この発明に従うシンクロトロン放射光用鏡のモ
ニタ方法を説明するための一具体例のＣＶＤ装置を概略
的に示す構成図である。
ニタ方法を説明するための一具体例のＣＶＤ装置を概略
的に示す構成図である。
【符号の説明】 １、１４ ミラー槽 ２、１８ シンクロトロン放射光用鏡 ３ 光導入窓 ４ 光導出窓 ５、２５、２９ 排気口 ６、１９ 電極 ７、２０ 導線 ８，２１ 電流導入端子 ９、２２ アース部 １０、２３ 電流計 １１ ＣＶＤ装置 １２ 反応槽 １３ 導管 １５、１６ バルブ １７ 差動排気用ポンプ用の排気口 ２４ 差動排気ダクト ２６ 基板 ２７ 原料供給用ノズル ２８ 水素供給用ノズル ３０ 電子蓄積リング ３１，５０ シンクロトロン放射光
Claims (1)
- 【請求項１】 シンクロトロン放射光用鏡について、そ
の鏡面の汚れをモニタするための方法であって、 前記鏡面にシンクロトロン放射光を照射して、前記鏡面
から放射される光電子の量を測定することを特徴とす
る、シンクロトロン放射光用鏡のモニタ方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4084099A JPH05288696A (ja) | 1992-04-06 | 1992-04-06 | シンクロトロン放射光用鏡のモニタ方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4084099A JPH05288696A (ja) | 1992-04-06 | 1992-04-06 | シンクロトロン放射光用鏡のモニタ方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05288696A true JPH05288696A (ja) | 1993-11-02 |
Family
ID=13821074
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4084099A Withdrawn JPH05288696A (ja) | 1992-04-06 | 1992-04-06 | シンクロトロン放射光用鏡のモニタ方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05288696A (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0987601A2 (en) * | 1998-09-17 | 2000-03-22 | Nikon Corporation | An exposure apparatus and exposure method using same |
| EP1182511A1 (en) * | 2000-08-25 | 2002-02-27 | Asm Lithography B.V. | Lithographic apparatus |
| US6721389B2 (en) | 2000-08-25 | 2004-04-13 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus, device manufacturing method, and device manufactured thereby |
| US6781673B2 (en) | 2000-08-25 | 2004-08-24 | Asml Netherlands B.V. | Mask handling apparatus, lithographic projection apparatus, device manufacturing method and device manufactured thereby |
| US7686505B2 (en) | 2005-02-01 | 2010-03-30 | Carl Zeiss Smt Ag | Method and system for indirect determination of local irradiance in an optical system |
| US7875865B2 (en) | 2005-11-10 | 2011-01-25 | Carl Zeiss Smt Ag | EUV illumination system with a system for measuring fluctuations of the light source |
-
1992
- 1992-04-06 JP JP4084099A patent/JPH05288696A/ja not_active Withdrawn
Cited By (13)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6842500B1 (en) | 1998-09-17 | 2005-01-11 | Nikon Corporation | Exposure apparatus and exposure method using same |
| EP0987601A3 (en) * | 1998-09-17 | 2001-10-04 | Nikon Corporation | An exposure apparatus and exposure method using same |
| EP0987601A2 (en) * | 1998-09-17 | 2000-03-22 | Nikon Corporation | An exposure apparatus and exposure method using same |
| EP1566695A1 (en) * | 2000-08-25 | 2005-08-24 | ASML Netherlands B.V. | Lithographic apparatus |
| US6781673B2 (en) | 2000-08-25 | 2004-08-24 | Asml Netherlands B.V. | Mask handling apparatus, lithographic projection apparatus, device manufacturing method and device manufactured thereby |
| US6721389B2 (en) | 2000-08-25 | 2004-04-13 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus, device manufacturing method, and device manufactured thereby |
| EP1182511A1 (en) * | 2000-08-25 | 2002-02-27 | Asm Lithography B.V. | Lithographic apparatus |
| US7075620B2 (en) | 2000-08-25 | 2006-07-11 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus, device manufacturing method, and device manufactured thereby |
| US7459690B2 (en) | 2000-08-25 | 2008-12-02 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus, device manufacturing method, and device manufactured thereby |
| US7686505B2 (en) | 2005-02-01 | 2010-03-30 | Carl Zeiss Smt Ag | Method and system for indirect determination of local irradiance in an optical system |
| US8454230B2 (en) | 2005-02-01 | 2013-06-04 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Method and system for indirect determination of local irradiance in an optical system |
| US7875865B2 (en) | 2005-11-10 | 2011-01-25 | Carl Zeiss Smt Ag | EUV illumination system with a system for measuring fluctuations of the light source |
| US8513628B2 (en) | 2005-11-10 | 2013-08-20 | Carl Zeiss Smt Gmbh | EUV illumination system with a system for measuring fluctuations of the light source |
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