JP2010004002A - 極端紫外光を用いる半導体露光装置 - Google Patents
極端紫外光を用いる半導体露光装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2010004002A JP2010004002A JP2008226548A JP2008226548A JP2010004002A JP 2010004002 A JP2010004002 A JP 2010004002A JP 2008226548 A JP2008226548 A JP 2008226548A JP 2008226548 A JP2008226548 A JP 2008226548A JP 2010004002 A JP2010004002 A JP 2010004002A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- mirror
- light
- extreme ultraviolet
- ultraviolet light
- exposure apparatus
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Images
Landscapes
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- X-Ray Techniques (AREA)
- Optical Elements Other Than Lenses (AREA)
- Microscoopes, Condenser (AREA)
- Diffracting Gratings Or Hologram Optical Elements (AREA)
- Optical Filters (AREA)
Abstract
【解決手段】ミラー510の表面には、Mo/Siの多層膜が設けられており、この多層膜にブレーズド溝513が形成される。EUV光源装置1から入射する光203,301は、ミラー510に入射し、反射または回折する。EUV反射光204(EUV回折光を含む)と、他の波長の光302とは、反射角度または回折角度が異なるため、進行方向が異なる。アパーチャやダンパによって他の光302を除去することにより、純度の高いEUV光をマスク600に照射することができる。
【選択図】図1
Description
特に、炭酸ガスパルスレーザ(波長10.6μmの赤外光。以下、CO2レーザと表記)を錫ターゲットの励起源とするEUV光源装置の場合、高出力のCO2レーザ光がターゲットにおいて散乱、反射するため、この散乱するCO2レーザ光を除去する必要がある。例えば、中心波長13.5nmのEUV光の強度を1とした場合、CO2レーザ光の強度を0.01以下に抑える必要がある。
また、コイル140あるいは141のどちらかの磁束密度を相対的に弱くして、磁束密度の低い側に電荷を帯びているデブリが流れるようにしてもよい。
となる。つまりEUV光204とは27.6mradだけ異なる角度で回折(302B)する。回折光(302B)もピンホールアレイ530(図3)の壁部に吸収される。
は13.8mradとなり、2θB は27.6mrad となる。
このように構成される本実施例のミラーを照明光学系500に組み込むことにより、第1から第4の実施例と同様の作用効果を得ることができる。
Claims (16)
- 極端紫外光を用いる照明光学系を備える半導体露光装置であって、
前記照明光学系は、前記極端紫外光を反射させるための極端紫外光用ミラーを複数備えており、
前記各極端紫外光用ミラーのうち少なくとも一つの所定の極端紫外光用ミラーは、極端紫外光と他の波長の光とを分離させるものであって、
基板部と、
前記基板部の前記一面側に設けられる基礎部であって、前記基板部の前記一面側に設けられる第1多層膜から形成される基礎部と、
前記基礎部の一面側に一体的に設けられる反射部であって、前記基礎部の前記一面側に設けられる第2多層膜に所定形状の溝を形成することにより生成される反射部と、
を備える、半導体露光装置。 - 所定の前記極端紫外光用ミラーは、入射した極端紫外光をほぼ平行光として反射させるための凹面を有するミラーとして構成される、請求項1に記載の半導体露光装置。
- 所定の前記極端紫外光用ミラーは、入射した極端紫外光を反射させるための平面を有するミラーとして構成される、請求項1に記載の半導体露光装置。
- 前記照明光学系は、前記極端紫外光が集光される中間的な集光点を含んでおり、前記中間的な集光点の近傍には、前記極端紫外光を通過させるための開口部を有する遮光部材が設けられる、請求項1〜請求項3のいずれかに記載の半導体露光装置。
- 前記第1多層膜及び前記第2多層膜は一体的に形成されており、前記第1多層膜及び前記第2多層膜をそれぞれ構成する複数のペア層の厚み寸法は、入射する極端紫外光の角度に応じて設定される請求項1〜請求項3のいずれかに記載の半導体露光装置。
- 前記所定形状の溝は、ブレーズド状の溝として形成される請求項1〜請求項3のいずれかに記載の半導体露光装置。
- 前記所定形状の溝は、三角波状の溝として形成される請求項1〜請求項3のいずれかに記載の半導体露光装置。
- 前記所定形状の溝は、波状の溝として形成される請求項1〜請求項3のいずれかに記載の半導体露光装置。
- 前記所定形状の溝は、同心円状または平行線状に設けられる請求項1〜請求項3のいずれかに記載の半導体露光装置。
- 前記第1多層膜及び前記第2多層膜を構成するペア層の合計数は、100以上1000以下の範囲である請求項1〜請求項3のいずれかに記載の半導体露光装置。
- 極端紫外光を用いる照明光学系を備える半導体露光装置であって、
極端紫外光を出力する光源装置の出力側に接続されるチャンバと、
前記光源装置から入射する極端紫外光を平行光として反射する第1ミラーと、
前記第1ミラーにより反射される前記極端紫外光が入射する第2ミラーであって、前記極端紫外光の強度を均一化させる第2ミラーと、
前記第2ミラーによって強度の均一化された前記極端紫外光を集光し、マスクに照射するための第3ミラーと、
前記第2ミラーと前記第3ミラーとの間、あるいは前記第1ミラーと前記第2ミラーとの間に位置して設けられ、前記極端紫外光以外の他の波長の光線を吸収ないし減衰させる遮光部材と、を備えており、
前記第1ミラーは、基板部と、前記基板部の前記一面側に設けられる基礎部であって、前記基板部の前記一面側に設けられる第1多層膜から形成される基礎部と、前記基礎部の一面側に一体的に設けられる反射部であって、前記基礎部の前記一面側に設けられる第2多層膜に所定形状の溝を形成することにより生成される反射部と、
を備えて構成される、半導体露光装置。 - 前記第1ミラーは、前記極端紫外光の入射角度が0度から30度までの範囲内、または、60度から80度までの範囲内となるように、設けられている、請求項11に記載の半導体露光装置。
- 前記所定形状の溝は、ブレーズド状の溝、または、三角波状の溝として形成される請求項11に記載の極端紫外光源装置。
- 前記遮光部材は、前記極端紫外光のみを通過させ、前記他の波長の光線を吸収または減衰させる、ピンホール部材として構成される請求項11〜請求項13のいずれかに記載の半導体露光装置。
- 前記遮光部材は、前記他の波長の光線を吸収するダンパ部材として構成される請求項11〜請求項13のいずれかに記載の半導体露光装置。
- 極端紫外光を用いる照明光学系を備える半導体露光装置であって、
極端紫外光を出力する光源装置の出力側に接続されるチャンバと、
入射する極端紫外光を平行光として反射する第1ミラーと、
前記第1ミラーにより反射される前記極端紫外光が入射する第2ミラーであって、前記極端紫外光の強度を均一化させる第2ミラーと、
前記第2ミラーによって強度の均一化された前記極端紫外光を集光し、マスクに照射するための第3ミラーと、
前記光源装置の出力側と前記第1ミラーとの間に設けられ、前記光源装置から入射する極端紫外光を前記第1ミラーに向けて反射する第4ミラーと、
前記第2ミラーと前記第3ミラーとの間に位置して設けられ、前記極端紫外光以外の他の波長の光線を吸収ないし減衰させる遮光部材と、を備えており、
前記第4ミラーは、基板部と、前記基板部の前記一面側に設けられる基礎部であって、前記基板部の前記一面側に設けられる第1多層膜から形成される基礎部と、前記基礎部の一面側に一体的に設けられる反射部であって、前記基礎部の前記一面側に設けられる第2多層膜に所定形状の溝を形成することにより生成される反射部と、
を備えて構成される、半導体露光装置。
Priority Applications (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2008226548A JP5061069B2 (ja) | 2008-05-20 | 2008-09-04 | 極端紫外光を用いる半導体露光装置 |
US12/469,176 US8227778B2 (en) | 2008-05-20 | 2009-05-20 | Semiconductor exposure device using extreme ultra violet radiation |
US13/494,778 US8507885B2 (en) | 2008-05-20 | 2012-06-12 | Semiconductor exposure device using extreme ultra violet radiation |
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2008132479 | 2008-05-20 | ||
JP2008132479 | 2008-05-20 | ||
JP2008226548A JP5061069B2 (ja) | 2008-05-20 | 2008-09-04 | 極端紫外光を用いる半導体露光装置 |
Related Child Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2012132145A Division JP5439541B2 (ja) | 2008-05-20 | 2012-06-11 | 極端紫外光を用いる半導体露光装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2010004002A true JP2010004002A (ja) | 2010-01-07 |
JP5061069B2 JP5061069B2 (ja) | 2012-10-31 |
Family
ID=41585446
Family Applications (4)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2008226548A Active JP5061069B2 (ja) | 2008-05-20 | 2008-09-04 | 極端紫外光を用いる半導体露光装置 |
JP2012132161A Active JP5362076B2 (ja) | 2008-05-20 | 2012-06-11 | 極端紫外光用ミラー、極端紫外光用ミラーの製造方法及び極端紫外光生成装置 |
JP2012132160A Pending JP2012182492A (ja) | 2008-05-20 | 2012-06-11 | 極端紫外光用ミラー、極端紫外光用ミラーの製造方法及び極端紫外光源装置 |
JP2012132145A Active JP5439541B2 (ja) | 2008-05-20 | 2012-06-11 | 極端紫外光を用いる半導体露光装置 |
Family Applications After (3)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2012132161A Active JP5362076B2 (ja) | 2008-05-20 | 2012-06-11 | 極端紫外光用ミラー、極端紫外光用ミラーの製造方法及び極端紫外光生成装置 |
JP2012132160A Pending JP2012182492A (ja) | 2008-05-20 | 2012-06-11 | 極端紫外光用ミラー、極端紫外光用ミラーの製造方法及び極端紫外光源装置 |
JP2012132145A Active JP5439541B2 (ja) | 2008-05-20 | 2012-06-11 | 極端紫外光を用いる半導体露光装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (4) | JP5061069B2 (ja) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2012227526A (ja) * | 2011-04-15 | 2012-11-15 | Asml Netherlands Bv | オブジェクトによる使用のために放射ビームを調整するための光学装置、リソグラフィ装置、およびデバイスを製造する方法 |
JP2015519009A (ja) * | 2012-05-23 | 2015-07-06 | カール・ツァイス・エスエムティー・ゲーエムベーハー | ファセットミラー |
JP2017526007A (ja) * | 2014-08-15 | 2017-09-07 | カール・ツァイス・エスエムティー・ゲーエムベーハー | 反射光学素子 |
Families Citing this family (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPWO2014098181A1 (ja) * | 2012-12-20 | 2017-01-12 | ギガフォトン株式会社 | 極端紫外光生成システム及び極端紫外光生成装置 |
US9442387B2 (en) | 2013-02-01 | 2016-09-13 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Extreme ultraviolet lithography process |
DE102014117453A1 (de) * | 2014-11-27 | 2016-06-02 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Kollektorspiegel für Mikrolithografie |
TWI734799B (zh) * | 2016-06-20 | 2021-08-01 | 日商尼康股份有限公司 | 具有失真匹配的密集線極紫外光微影系統以及將圖案轉移至工件上的方法 |
Citations (20)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS62502145A (ja) * | 1985-09-19 | 1987-08-20 | ヒユ−ズ・エアクラフト・カンパニ− | 放射線源 |
US4915463A (en) * | 1988-10-18 | 1990-04-10 | The United States Of America As Represented By The Department Of Energy | Multilayer diffraction grating |
JPH04120717A (ja) * | 1990-09-12 | 1992-04-21 | Nec Corp | X線露光装置 |
JPH07297103A (ja) * | 1994-04-22 | 1995-11-10 | Hitachi Ltd | パターン形成方法、投影露光装置、光学系及びその設計方法 |
JPH0921900A (ja) * | 1995-07-04 | 1997-01-21 | Canon Inc | 照明装置とこれを有する露光装置や顕微鏡装置、ならびにデバイス生産方法 |
JP2000346817A (ja) * | 1999-06-07 | 2000-12-15 | Nikon Corp | 測定装置、照射装置および露光方法 |
JP2002184691A (ja) * | 2000-10-10 | 2002-06-28 | Asm Lithography Bv | リソグラフィ装置、デバイス製造方法、およびそれにより製造したデバイス |
US6469827B1 (en) * | 1998-08-06 | 2002-10-22 | Euv Llc | Diffraction spectral filter for use in extreme-UV lithography condenser |
JP2003084095A (ja) * | 2001-09-13 | 2003-03-19 | Nikon Corp | 多層膜反射鏡、その製造方法、x線露光装置、半導体デバイスの製造方法及びx線光学系 |
US20040007902A1 (en) * | 2002-05-03 | 2004-01-15 | Inalfa Roof Systems Group B.V. | Open roof construction for a vehicle, and method of moving a closure element thereof |
JP2004108876A (ja) * | 2002-09-17 | 2004-04-08 | Canon Inc | 多層膜ミラーの検査修正装置 |
JP2004207730A (ja) * | 2002-12-20 | 2004-07-22 | Asml Netherlands Bv | リソグラフィック装置、デバイス製造方法およびその方法を使用して製造されたデバイス |
JP2004258423A (ja) * | 2003-02-27 | 2004-09-16 | Nitto Denko Corp | 三角溝及び光学素子の製造方法 |
JP2005049845A (ja) * | 2003-07-09 | 2005-02-24 | Asml Netherlands Bv | ミラー及びミラーを備えたリソグラフィック装置 |
JP2005142569A (ja) * | 2003-11-06 | 2005-06-02 | Asml Netherlands Bv | 光学素子、このような光学素子を備えたリソグラフィ装置及びデバイス製造方法 |
JP2005302998A (ja) * | 2004-04-12 | 2005-10-27 | Canon Inc | Euv光を用いた露光装置および露光方法 |
US20060087738A1 (en) * | 2004-06-02 | 2006-04-27 | The Regents Of The University Of Ca | High-efficiency spectral purity filter for euv lithography |
WO2006126444A1 (ja) * | 2005-05-23 | 2006-11-30 | Nikon Corporation | センサの校正方法、露光方法、露光装置、デバイス製造方法、および反射型マスク |
JP2007273749A (ja) * | 2006-03-31 | 2007-10-18 | Canon Inc | 光源装置、及びそれを用いた露光装置、デバイス製造方法 |
JP2009272622A (ja) * | 2008-05-02 | 2009-11-19 | Asml Netherlands Bv | ダイクロイックミラー、ダイクロイックミラーを製造するための方法、リソグラフィ装置、半導体デバイス、およびそれらのための製造方法 |
Family Cites Families (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH07120607A (ja) * | 1993-10-22 | 1995-05-12 | Hitachi Ltd | 光学素子及びその製造方法 |
JPH0817720A (ja) * | 1994-06-30 | 1996-01-19 | Nikon Corp | 投影露光装置 |
KR100931335B1 (ko) * | 2000-09-29 | 2009-12-11 | 칼 짜이스 에스엠티 아게 | 격자 엘리먼트를 구비한 조명 시스템 |
US6809327B2 (en) * | 2002-10-29 | 2004-10-26 | Intel Corporation | EUV source box |
JP4578901B2 (ja) * | 2004-09-09 | 2010-11-10 | 株式会社小松製作所 | 極端紫外光源装置 |
US7196343B2 (en) * | 2004-12-30 | 2007-03-27 | Asml Netherlands B.V. | Optical element, lithographic apparatus including such an optical element, device manufacturing method, and device manufactured thereby |
JP4924604B2 (ja) * | 2006-03-10 | 2012-04-25 | 株式会社ニコン | 投影光学系、露光装置および半導体デバイスの製造方法 |
EP2283388B1 (en) * | 2008-05-30 | 2017-02-22 | ASML Netherlands BV | Radiation system, radiation collector, radiation beam conditioning system, spectral purity filter for a radiation system and method of forming a spectral purity filter |
-
2008
- 2008-09-04 JP JP2008226548A patent/JP5061069B2/ja active Active
-
2012
- 2012-06-11 JP JP2012132161A patent/JP5362076B2/ja active Active
- 2012-06-11 JP JP2012132160A patent/JP2012182492A/ja active Pending
- 2012-06-11 JP JP2012132145A patent/JP5439541B2/ja active Active
Patent Citations (21)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS62502145A (ja) * | 1985-09-19 | 1987-08-20 | ヒユ−ズ・エアクラフト・カンパニ− | 放射線源 |
US4915463A (en) * | 1988-10-18 | 1990-04-10 | The United States Of America As Represented By The Department Of Energy | Multilayer diffraction grating |
JPH04120717A (ja) * | 1990-09-12 | 1992-04-21 | Nec Corp | X線露光装置 |
JPH07297103A (ja) * | 1994-04-22 | 1995-11-10 | Hitachi Ltd | パターン形成方法、投影露光装置、光学系及びその設計方法 |
JPH0921900A (ja) * | 1995-07-04 | 1997-01-21 | Canon Inc | 照明装置とこれを有する露光装置や顕微鏡装置、ならびにデバイス生産方法 |
US6469827B1 (en) * | 1998-08-06 | 2002-10-22 | Euv Llc | Diffraction spectral filter for use in extreme-UV lithography condenser |
JP2000346817A (ja) * | 1999-06-07 | 2000-12-15 | Nikon Corp | 測定装置、照射装置および露光方法 |
JP2004506315A (ja) * | 2000-08-04 | 2004-02-26 | イーユーヴィー リミテッド リアビリティ コーポレーション | 超紫外線リソグラフィーコンデンサに用いる回折スペクトルフィルタ |
JP2002184691A (ja) * | 2000-10-10 | 2002-06-28 | Asm Lithography Bv | リソグラフィ装置、デバイス製造方法、およびそれにより製造したデバイス |
JP2003084095A (ja) * | 2001-09-13 | 2003-03-19 | Nikon Corp | 多層膜反射鏡、その製造方法、x線露光装置、半導体デバイスの製造方法及びx線光学系 |
US20040007902A1 (en) * | 2002-05-03 | 2004-01-15 | Inalfa Roof Systems Group B.V. | Open roof construction for a vehicle, and method of moving a closure element thereof |
JP2004108876A (ja) * | 2002-09-17 | 2004-04-08 | Canon Inc | 多層膜ミラーの検査修正装置 |
JP2004207730A (ja) * | 2002-12-20 | 2004-07-22 | Asml Netherlands Bv | リソグラフィック装置、デバイス製造方法およびその方法を使用して製造されたデバイス |
JP2004258423A (ja) * | 2003-02-27 | 2004-09-16 | Nitto Denko Corp | 三角溝及び光学素子の製造方法 |
JP2005049845A (ja) * | 2003-07-09 | 2005-02-24 | Asml Netherlands Bv | ミラー及びミラーを備えたリソグラフィック装置 |
JP2005142569A (ja) * | 2003-11-06 | 2005-06-02 | Asml Netherlands Bv | 光学素子、このような光学素子を備えたリソグラフィ装置及びデバイス製造方法 |
JP2005302998A (ja) * | 2004-04-12 | 2005-10-27 | Canon Inc | Euv光を用いた露光装置および露光方法 |
US20060087738A1 (en) * | 2004-06-02 | 2006-04-27 | The Regents Of The University Of Ca | High-efficiency spectral purity filter for euv lithography |
WO2006126444A1 (ja) * | 2005-05-23 | 2006-11-30 | Nikon Corporation | センサの校正方法、露光方法、露光装置、デバイス製造方法、および反射型マスク |
JP2007273749A (ja) * | 2006-03-31 | 2007-10-18 | Canon Inc | 光源装置、及びそれを用いた露光装置、デバイス製造方法 |
JP2009272622A (ja) * | 2008-05-02 | 2009-11-19 | Asml Netherlands Bv | ダイクロイックミラー、ダイクロイックミラーを製造するための方法、リソグラフィ装置、半導体デバイス、およびそれらのための製造方法 |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2012227526A (ja) * | 2011-04-15 | 2012-11-15 | Asml Netherlands Bv | オブジェクトによる使用のために放射ビームを調整するための光学装置、リソグラフィ装置、およびデバイスを製造する方法 |
JP2015519009A (ja) * | 2012-05-23 | 2015-07-06 | カール・ツァイス・エスエムティー・ゲーエムベーハー | ファセットミラー |
US10599041B2 (en) | 2012-05-23 | 2020-03-24 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Facet mirror |
JP2017526007A (ja) * | 2014-08-15 | 2017-09-07 | カール・ツァイス・エスエムティー・ゲーエムベーハー | 反射光学素子 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP5061069B2 (ja) | 2012-10-31 |
JP5362076B2 (ja) | 2013-12-11 |
JP2012182492A (ja) | 2012-09-20 |
JP5439541B2 (ja) | 2014-03-12 |
JP2012216854A (ja) | 2012-11-08 |
JP2012212904A (ja) | 2012-11-01 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5061063B2 (ja) | 極端紫外光用ミラーおよび極端紫外光源装置 | |
US8227778B2 (en) | Semiconductor exposure device using extreme ultra violet radiation | |
JP5439541B2 (ja) | 極端紫外光を用いる半導体露光装置 | |
TWI311695B (en) | Multi-layer spectral purity filter, lithographic apparatus including such a spectral purity filter, device manufacturing method, and device manufactured thereby | |
US10001709B2 (en) | Lithographic apparatus, spectral purity filter and device manufacturing method | |
EP2283388B1 (en) | Radiation system, radiation collector, radiation beam conditioning system, spectral purity filter for a radiation system and method of forming a spectral purity filter | |
US9195144B2 (en) | Spectral purity filter, radiation source, lithographic apparatus, and device manufacturing method | |
JP4799620B2 (ja) | 放射システムおよびリソグラフィ装置 | |
JP5694784B2 (ja) | Gicミラー及びlpp・euv光源を備えた光源集光モジュール | |
US20130126761A1 (en) | Chamber apparatus and extreme ultraviolet light generation system | |
KR20150143802A (ko) | 방사선 수집기, 냉각 시스템 및 리소그래피 장치 | |
JP2010533973A (ja) | デブリ防止システム、放射システム、及びリソグラフィ装置 | |
US20050157282A1 (en) | Optical element, lithographic apparatus comprising such optical element and device manufacturing method | |
JP6232210B2 (ja) | ミラー装置、極端紫外光生成装置及び極端紫外光生成システム | |
US11454877B2 (en) | Extreme ultraviolet light reflective structure including nano-lattice and manufacturing method thereof | |
US20230324814A1 (en) | Euv lithography apparatus and operating method for mitigating contamination | |
EA042061B1 (ru) | Плазменный источник экстремального ультрафиолетового излучения и литографическая система с его использованием | |
NL2006604A (en) | Lithographic apparatus, spectral purity filter and device manufacturing method. |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20110608 |
|
RD02 | Notification of acceptance of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7422 Effective date: 20111006 |
|
RD04 | Notification of resignation of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7424 Effective date: 20111019 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20120404 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20120410 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20120611 |
|
A711 | Notification of change in applicant |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A711 Effective date: 20120611 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20120717 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20120806 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20150810 Year of fee payment: 3 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 5061069 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |