JPH07297103A - パターン形成方法、投影露光装置、光学系及びその設計方法 - Google Patents

パターン形成方法、投影露光装置、光学系及びその設計方法

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JPH07297103A
JPH07297103A JP6084901A JP8490194A JPH07297103A JP H07297103 A JPH07297103 A JP H07297103A JP 6084901 A JP6084901 A JP 6084901A JP 8490194 A JP8490194 A JP 8490194A JP H07297103 A JPH07297103 A JP H07297103A
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optical system
light
diffraction grating
diffraction
substrate
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Application number
JP6084901A
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Inventor
Hiroshi Fukuda
宏 福田
Tsuneo Terasawa
恒男 寺澤
Masaaki Ito
昌昭 伊東
Souichi Katagiri
創一 片桐
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Hitachi Ltd
Original Assignee
Hitachi Ltd
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  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【目的】複雑な作製工程を要する上に、十分な面精度を
得ることが困難な非球面鏡を用いることなく、実現可能
な精度で作製できる光学系を用いて、広い露光領域にわ
たり高い解像度が得られるパターン形成方法を提供する
こと。 【構成】所望のパターン有するマスク11に光10を照
射し、マスク11から反射した光を反射光学系を介して
基板16上へ投影し、基板上にパターンを転写するとき
に、この反射光学系に、図(b)に示す非球面Aに代え
て、その参照球面Sを反射鏡基板とし、図(c)に示す
ように回折格子をその表面に配置した反射型回折レンズ
を含む光学系を用いるパターン形成方法。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、各種固体素子等の微細
パターンを形成するためのパターン形成方法、それに用
いる投影露光装置、それに用いる光学系及びその設計方
法に関する。
【0002】
【従来の技術】LSI(大規模集積回路)等の固体素子
の集積度及び動作速度を向上するため、回路パターンの
微細化が進んでいる。現在これらのパターン形成には、
量産性と解像性能に優れた紫外線縮小投影露光法が広く
用いられている。この方法の解像度は、露光波長に比例
し、投影光学系の開口数(NA)に反比例する。従来、
解像限界の向上は開口数を大きくすること(高NA化)
により行なわれてきたが、これに伴う焦点深度の減少と
レンズ設計及び製造技術の困難から限界に近づきつつあ
る。このため、近年露光光の波長を短くするアプローチ
が注目されている。
【0003】しかし、波長190nm以下の光では実質
的に透明な材料がないため、従来の露光法において用い
られてきた屈折型レンズが使用できない。このため、完
全反射光学系を用いる必要がある。しかしながら、完全
反射光学系を用いて屈折型光学系に匹敵する大きなNA
を有するレンズを設計するのは一般に極めて困難であ
る。そこで、縮小投影露光法の限界(約0.2μm)を
越える高い解像度を得るには、極端に短い波長の光、例
えば30nm以下の軟X線を用いることが望まれる。近
年、多層膜反射鏡等のX線光学素子技術の発達により、
この波長領域の光による投影露光が可能となった。軟X
線を用いた反射縮小投影露光法については、例えば、ジ
ャーナル オブ バキューム サイエンス アンド テ
クノロジー、第B8巻、第1325頁〜1328頁(1
990年)(J.Vac.Sci.Technol.,
Vol.B8,pp.1325〜1328(199
0))に論じられている。
【0004】また、LSI等の露光過程においては、チ
ップの全面を一括転写するために広い露光領域が必要で
あるが、完全反射光学系でこれに十分な露光領域を確保
するためには、一般に非球面鏡を採用することが好まし
い。非球面鏡を用いた現実的な露光フィールドを有する
軟X線縮小投影露光用光学系については、例えば、オー
エスエー プロシーディングス オン ソフト エック
ス レイ プロジェクション リソグラフィ、第12
巻、第18頁〜第21頁(1991年)(OSA Proceedi
ngs on Soft-X-Ray Projection Lithography,Vol.12,p
p.18〜21(1991))に論じられている。
【0005】ところで、従来屈折型投影光学系の性能を
さらに向上するために、いわゆる回折レンズを光学系に
導入することが提案されている。回折レンズとは、ゾー
ンプレート等回折格子の回折により光線を曲げる作用を
レンズとして用いるものである。回折レンズの屈折型投
影光学系への適用例については、例えば、第40回応用
物理学関係連合講演会講演予稿集、No.2、第562
頁(講演番号、30p−L−1)(1993年)に論じ
られている。この方法は、数枚組の屈折レンズ系の瞳近
傍に、平面基板上にバイナリープロセスを用いて形成し
たブレーズ角を付けた透過位相ゾーンプレートを1枚だ
け挿入する方法である。
【0006】
【発明が解決しようとする課題】上記従来の非球面鏡を
用いた軟X線縮小投影露光用光学系は、面精度に対する
要求を満足する非球面鏡を作製することが、現在のとこ
ろ極めて困難であるという問題があった。すなわち、非
球面鏡が十分な解像度を確保するためには、波面収差の
十分に抑えられたいわゆる回折限界光学系である必要が
あり、従って、反射鏡の面精度は露光に用いる光の波長
と比べて十分に小さいことが望ましい。例えば、軟X線
を用いた反射縮小投影露光法の場合、必要な面精度は1
nm以下となる。しかしながら、数値制御を用いた最高
水準の研磨法を用いても、要求精度に対して実際に得ら
れる非球面鏡の面形状精度は1桁から2桁も不足してい
るという問題があった。
【0007】本発明の第1の目的は、複雑な作製工程を
要する上に、十分な面精度を得ることが困難な非球面鏡
を用いることなく、実現可能な精度で作製できる光学系
を用いて、広い露光領域にわたり高い解像度が得られる
パターン形成方法を提供することにある。
【0008】本発明の第2の目的は、そのようなパター
ン形成方法を実現するための投影露光装置を提供するこ
とにある。
【0009】本発明の第3の目的は、そのような投影露
光装置に用いる光学系を提供することにある。
【0010】本発明の第4の目的は、そのような光学系
の設計方法を提供することにある。
【0011】
【課題を解決するための手段】上記第1の目的を達成す
るために、本発明のパターン形成方法は、所望のパター
ンを有するマスクに光を照射し、マスクを透過又は反射
した光を反射光学系を介して基板上へ投影し、基板上に
上記パターンを転写するときに、その反射光学系に、反
射鏡基板の表面に回折格子が配置された反射型回折レン
ズが含まれるようにしたものである。
【0012】また、上記第2の目的を達成するために、
本発明の投影露光装置は、光源と、光源からの光をマス
クに照射する手段と、マスクを保持する手段と、マスク
を透過又は反射した光を基板上へ投影するための反射光
学系と、基板を保持する手段とからなり、その反射光学
系に、反射鏡基板の表面に回折格子が配置された反射型
回折レンズが含まれるようにしたものである。
【0013】いずれの場合も、回折格子は、所定のブレ
ーズ角を有することが好ましい。また、光は、波長3n
m以上、30nm以下の範囲の軟X線を用いることが好
ましい。さらに、光の波長のスペクトルの半値幅は、波
長の1/200以下であること、また、その時間的コヒ
ーレンス長は、波長と回折格子の全格子数の積より大き
いことが好ましい。
【0014】さらにまた、反射光学系は、少なくとも2
枚の反射型回折レンズを含み、この2枚の反射型回折レ
ンズ上に形成された回折格子は、回折角の波長分散が互
いに異符号となるような回折次数に上記ブレーズ角が設
定され、かつ、反射光学系全体は、光の波長スペクトル
の範囲内で色収差補正されていることが好ましい。さら
に、反射鏡基板は、球面又は平面であることが好まし
い。
【0015】また、上記第3の目的を達成するために、
本発明の光学系は、球面鏡とその面上に配置された回折
格子とからなる反射型回折レンズを少なくとも1枚有
し、この回折格子を、球面鏡と等しい頂点及び頂点曲率
を持つ非球面鏡と等価な非球面作用を有するブレーズ回
折格子としたものである。
【0016】さらにまた、上記第4の目的を達成するた
めに、本発明の光学系の設計方法は、少なくとも1枚以
上の非球面鏡を含む光学系を最適化した後、各非球面鏡
をその非球面と等しい頂点及び頂点曲率を持つ参照球面
上で半径方向周期分布を有するブレーズ回折格子に変換
する過程を含むようにしたものである。
【0017】
【作用】表面に回折格子を有する球面鏡に光が入射する
と、回折作用のため反射光は球面鏡のみによる反射光と
は異なる方向に反射(回折)される。回折格子の周期を
変化させることにより、反射光(回折光)の進行方向を
様々に制御することができる。このため、回折パターン
を適当に設定することにより所望の非球面レンズと等価
な作用を実現することができる。また、回折格子では様
々な次数の回折光が発生するが、回折格子をブレーズ化
することにより、ある所望の次数の回折光だけを高い回
折効率で得ることができる。つまり、所望の非球面レン
ズに相当する回折光はある1つの次数に相当し、これ以
外の次数の回折光は余分なフレア光(迷光)となる。ブ
レーズ回折格子は、作製の簡便さのため、後に実施例に
示すように階段状の形状に近似させてもよい。
【0018】球面鏡上に形成したブレーズ化された回折
格子(反射型回折レンズ)による反射の作用を図1
(a)に模式的に示す。比較のため、等価な非球面鏡の
反射作用を図1(b)に示す。図1(b)は、非球面鏡
に入射した光(紙面上の左から右へ進む波面3)が、球
面1からずれた反射面を有する非球面鏡5により反射さ
れ、紙面上の右上から左下へ進む光の波面6が得られる
様子を表わしている。
【0019】一方、図1(a)に示す様に、球面1に沿
って形成したブレーズ化された回折格子によって反射
(回折)された光の波面は波面4のようになる。ここ
で、回折格子の隣合う反射面で反射された光の位相はそ
ろうようにブレーズ角及び周期を定めているため、図の
波面の進行方向に対して、高い回折効率が得られる。反
射型回折レンズ2による反射光の波面4は、非球面鏡5
による反射光の波面6と等しくなることが分かる。この
ように、回折格子を球面鏡に導入すると非球面鏡と等価
な効果を導入できるため、製作の困難な非球面鏡を用い
ずに、高解像度、広露光領域の反射型投影レンズを実現
することができる。
【0020】また、本方法は、軟X線縮小投影露光用の
反射光学系に適用すると特に効果的である。即ち、現実
的な露光フィールドを有する軟X線縮小投影露光用光学
系は、通常2枚から4枚程度の非球面鏡から構成され、
これらの非球面鏡は参照球面鏡上の回折格子により置き
換えられる。この場合、球面鏡では通常の研磨方法でも
ナノメーターオーダーの面精度を確保することが可能で
あり、このため、反射鏡の形状精度を高め、面粗さを抑
え、光学系の収差を抑えることが可能となる。また、一
般にこれらの非球面鏡の非球面量(参照球面からのず
れ)はごく小さく(半径数十mmにおいてせいぜい数μ
m程度)、これと等価な回折格子の周期は比較的大きく
なるため、回折格子の製作が比較的容易である。以上2
つの理由から、軟X線縮小投影露光用の非球面反射光学
系の製作にかかる負担を大幅に軽減することができる。
【0021】回折格子作製は、高精度の膜厚、加工深さ
制御性を有する半導体プロセス技術や、ルーリングエン
ジン等の超精密加工技術を用いることにより可能であ
る。特に前述の階段状のブレーズ回折格子は、従来技術
の項の公知例に示したバイナリープロセスと呼ばれる方
法により形成できる。従って、本発明による光学系は、
従来の極めて複雑な非球面鏡作製工程を必要とせず、比
較的容易に作製可能である。
【0022】なお、一般に回折レンズによる回折角は入
射光の波長に依存することから、色収差の影響が懸念さ
れる。従って、露光光の波長スペクトル幅はできるだけ
狭い(単色に近い)ことが好ましい。しかしながら、回
折レンズの回折次数を制御することにより、ある程度の
色収差補正を行うことは可能である。例えば、図2に示
すように反射型凹レンズ上に設けた回折格子8に光7が
入射し、回折された1、0、−1次回折光(図中実線で
示す)が各々P、Q、R点に収斂したとする。ここで波
長が短くなったとすると、回折角が減少して1、−1次
回折光(図中点線で示す)の収斂点はP、R点から各々
P’、R’点へ移動する。即ち、1次回折光が得られる
ようにブレーズ角を設定すれば正の波長分散を持つレン
ズが得られ、一方、−1次回折光が得られるようにブレ
ーズ角を設定すれば負の波長分散を持つレンズが得られ
る。従って、これらを適当に組み合わせることにより色
収差補正が可能となる。
【0023】例えば、反射凹レンズ上の回折格子に回折
次数1の回折光が得られるようなブレーズ角を設け、一
方、反射凸レンズ上の回折格子に回折次数−1の回折光
が得られるようなブレーズ角を設け、さらにこの2つの
反射レンズを組み合わせたとする。この場合、波長が短
くなると回折角が減少するため、凹レンズ上回折格子の
収斂力は弱くなる一方、凸レンズ上回折格子の発散力も
弱くなるため、両者を組み合わせることにより色収差補
正が可能となる。即ち、いわゆる一種のアクロマートを
構成することができる。従って、必要な露光光の波長ス
ペクトル幅は、光学系の設計に依存するが、後で実施例
に述べる発明者が検討した光学系の範囲では、およそ露
光波長の1/200程度であることが好ましかった。
【0024】ところで、投影露光法におけるマスクパタ
ーンの像は、マスクにより様々な方向に回折された光が
像点に再び集光され互いに干渉することにより形成され
る。このとき、光学系内のあらゆるの光路を経て像面に
達する光線の光路長は通常等しい。一方、回折格子では
隣あう格子から反射された光は1波長分だけずれて1個
の波面を構成する。従って、回折格子が光学系内に存在
すると、様々な光路を経て像面に達した光の間には最大
で回折格子の全周期数N×波長λの光路差が生じること
になる。マスクにより回折された光が像面で互いに干渉
するためには、露光光の時間的コヒーレンス長L(波束
の長さ)がこの光路差N・λより長くなければならな
い。
【0025】一般に軟X線鏡は40〜200層程度の多
層膜から構成され、各層の界面で反射された光が互いに
干渉することにより大きな反射率を得る。従って、最大
100λ〜数100λの光路差を有する光が干渉してお
り、最低限でもこの程度の時間的コヒーレンス長Lがあ
るものと考えられる。従って、回折格子の全格子数が、
少なくとも100〜数100以下であれば問題ない。な
お、一般的に時間コヒーレンシィに対する要求を緩める
ためには、1)回折格子の周期数を抑えるか、又は、
2)より時間的コヒーレンシィの高いアンジュレータ等
のX線源を用いることが望ましい。
【0026】次に、本発明による光学系の設計方法につ
いて簡単に述べる。まず、回折格子を含む光学系の最適
化手法としては、従来超高屈折率法として知られる方法
がある。超高屈折率法については、例えば、ジャーナル
オブ オプティカル ソサエティ オブ アメリカ、
第69巻、第3号、第486頁から第487頁(197
9年)(Journal of Optical So
ciety ofAmerica, Vol. 69,
No. 3, pp. 486〜487(197
9))に論じられている。この手法を用いて非球面レン
ズと等価な作用を有する回折パターンを求める手順につ
いては、実施例2に述べる。
【0027】一方、前述の軟X線縮小投影露光用光学系
は、通常非球面鏡を含む光学系として既に最適化されて
いる。この場合、次のようにしてこれらの非球面鏡を球
面上の回折格子に変換することができる。図3(a)、
(b)は、各々非球面A、球面S上の反射型ブレーズ回
折格子Gにより反射又は回折された光の波面の様子を模
式的に示したものである。図において、zは光軸、rは
光軸に垂直な平面内で光軸を原点とする極座標の半径方
向の座標である。ここで、非球面A及び球面Sの形状
を、図中の座標系を用いて、各々z=za(r)、z=
zs(r)と表す。また、球面Sは非球面Aと等しい頂
点及び頂点曲率を持つとする。
【0028】さて、非球面鏡Aの作用を球面S上の回折
格子Gにより実現することを考えると、図3(a)、
(b)各々の半径方向の単位長さ(例えば図中δrs)
当たり反射波面数と回折波面数が等しい場合、反射波面
と回折波面の進行方向が一致する。図3(a)におい
て、非球面A上δra当りの反射波面数(非球面Aと反
射波面の交点の数=図中二重丸の数)は、球面Sの上δ
rs当りの入射波面数(白丸の数)に、図中δza−δ
zsの光路差に相当する波面の数(黒丸の数)を加えた
ものに等しい。一方、図3(b)に示すように、球面S
のδrs上に周期数が(δza−δzs)/λに等しい
回折格子を設けると、球面Sのδrs当たりの反射波面
数を実効的に(δza−δzs)/λだけ増やすことが
できる。即ち、球面Sによる反射波の進行方向を非球面
Aによる反射波の進行方向と一致させることができる。
求める回折格子周期の半径方向分布S0は、次式で表さ
れる。
【0029】 S0(r)=δrs/[(δza−δzs)/λ] =λ/[(1/k)・(dza/dr)−(dzs/dr)]…(1) 但し、ここに、k=(tan2β−tanα)/(ta
n2β−tanβ)、αとβは、図3(a)中に示す角
度であり、α=tan-1(dzs/dr)、β=tan
-1(dza/dr)となる。
【0030】しかし、図4に示すように球面Sと非球面
Aによる反射波の進行方向が一致しても両者による反射
点は光軸方向にずれるため、集光点も光軸方向にずれて
しまう。両者の焦点距離が等しくなるようにこれを補正
すると式2となる。
【0031】 S(r)=S0(r)+ΔS(r) ………(2) ここにΔS(r)は下記の式3で表される。
【0032】
【数3】
【0033】但し、Fは焦点距離である。以上の方法
(以下、直接変換法と呼ぶ)によれば、非球面鏡を直接
回折格子に変換できるが、上の導出過程から明らかなよ
うに入射光と光軸のなす角が増大すると精度が低下する
恐れがある。この手法を用いて非球面レンズと等価な作
用を有する回折パターンを求める手順については、実施
例1に述べる。
【0034】
【実施例】
〈実施例1〉本発明の露光光学系を上述の直接変換法を
用いて設計する例を図5を用いて説明する。図5(a)
は、3枚の非球面鏡からなるNA0.08の結像光学系
で、反射型マスク11に入射した光10は、マスク上の
反射パターンにより反射、回折された後、3枚の非球面
鏡13、14、15により、基板16の近傍にマスク1
1上の反射パターンの像を形成する。各非球面鏡の曲率
及び円錐係数と各光学素子の配置を、波長13nmの光
により0.1μmのパターン転写が可能となるように、
前述の文献のオーエスエー プロシーディングス オン
ソフト−エックス−レイ プロジェクション リソグ
ラフィ記載の方法のように最適化した。図5(b)は、
非球面鏡の非球面と参照球面(非球面と等しい頂点及び
頂点曲率を持つ球面)の関係を示し、図5(c)はこれ
と等価な作用を有する参照球面上の回折格子を示す。
【0035】さて、最適化された非球面鏡における非球
面と参照球面(非球面と等しい頂点及び頂点曲率を持つ
球面)のずれ量の半径方向分布を、図6(a)に示す。
次に、各非球面鏡に対して、これと等価な作用を有する
参照球面上の回折格子を、前述の式1、式2により求め
た。求めた回折格子の半径方向周期分布を、図6(b)
に示す。なお、回折次数は、元の非球面鏡の円錐係数k
及び面の凹凸に応じて、表1に従って設定した。但し、
ここで回折次数は、0次回折光に対して光軸方向に収束
する方向を正、発散する方向を負と仮定する。
【0036】
【表1】
【0037】設計した回折格子を含む光学系の光学性能
を光線追跡により調べた結果(横収差及び色収差)を図
7(a)、(b)に示す。元の非球面鏡光学系とほぼ等
価な0.1μmの解像性能を有することを確認した。但
し、上記解像性能を得るためには、露光光の波長スペク
トル半値幅を0.05nm以下とすることが好ましい。
【0038】〈実施例2〉本発明による露光装置の露光
光学系を作用の項で説明した高屈折率法を用いて設計す
る例を図8を用いて説明する。図8(a)において、反
射型マスク11に入射した光10は、マスク上の反射パ
ターンにより反射、回折され、3枚の球面鏡23、2
4、25と各反射鏡の直前に設けた架空の非球面屈折レ
ンズ26、27、28からなる光学系により、基板16
の近傍にマスク11上の反射パターンの像を形成する。
ここで、架空の非球面屈折レンズ26、27、28は、
各々極めて高い屈折率を有し、その厚さと球面鏡との距
離は波長と比べて十分に小さいものとする。また、屈折
レンズは球面鏡に入射する光だけが通過し、反射光は素
通りするものと仮定する。もちろん、このような構成及
び材料は非現実的なもので、あくまで設計のための仮定
に過ぎない。このような構成のレンズ系に対して、レン
ズ設計プログラムを利用してレンズ形状の最適化を行い
最適形状を求めた。
【0039】次に、得られた架空の屈折レンズ(図8
(b)に示す)の屈折率n及び形状(t(r))から、
次式を用いてこれと等価な回折レンズの回折パターン周
期S(r)を求めた。但し、rは球面鏡の動径方向位置
座標、tはレンズの厚さ、mは回折次数、λは波長であ
る。
【0040】 (n−1)dt(r)/dr=mλ/S(r) ……(4) 式4より求めた回折パターンを各球面鏡の表面に設ける
ことにより、図8(c)に模式的に示す様な反射型回折
レンズ29を得た。なお、回折次数mは1とし、1次の
回折光だけが得られるように、回折パターンに図8
(c)に示すようなブレーズ角を設けた。本実施例によ
っても、実施例1とほぼ同様の回折格子が得られた。
【0041】〈実施例3〉次に、実施例1の設計に基づ
いて作製した露光装置の投影光学系の例を説明する。図
9は本実施例による投影光学系の構成の模式図で、マス
クステージ31、反射型縮小投影光学系32、基板ステ
ージ33を含む。照明光学系(図示せず)により光源
(図示せず)からの波長13nmの軟X線が、マスクス
テージ31上の反射型マスク11を照射する。マスク上
の反射パターンにより反射又は回折された光12は、反
射型縮小投影光学系32により、基板ステージ33上に
固定された基板16表面の感光性レジスト膜の近傍にマ
スクパターンの像を形成する。反射型縮小投影光学系3
2は実施例1の設計に基づき、その開口数(NA)は
0.08である。また、反射面にはすべて軟X線反射用
Mo/Si多層膜をコーティングした。なお、反射型縮
小投影光学系32の図の左下の反射鏡が平面の光学系
は、回折格子を設けてないが、ここにもブレーズ角を持
つ回折格子を設けてもよい。
【0042】反射型縮小投影光学系を構成する反射回折
レンズは、図10に示す様にして作製した。ゼロデュー
ア基板を研磨加工して、形状精度0.5nm、面粗さ
0.3nmの球面鏡基板41を作製した(図10
(a))。次に、マグネトロンスパッタを用いて上記基
板上に厚さ6nmのMo膜42を堆積した後(図10
(b))、この上にレジストパターン43を形成し(図
10(c))、これをマスクに上記Mo膜を湿式エッチ
ングしてMoパターン44を形成した(図10
(d))。更に、同様の工程を繰り返して厚さ3nmの
Moパターン45、厚さ1.5nmのMoパターン46
を形成し(図10(e)、(f))、階段状のブレーズ
回折格子パターン47を球面鏡基板41上に作製した。
次に、上記基板上に、通常の軟X線反射用Mo/Si多
層膜コーティングを行い、軟X線反射用多層膜48を形
成した(図10(g))。コーティング後も、多層膜の
深さ方向に回折格子パターンは保存された。
【0043】なお、基板、回折格子パターン等の材質、
膜厚に関しては、上に示したものに限らない。また、上
記回折格子は、図11に示すように、公知のバイナリー
プロセスにより、基板41のエッチングにより形成して
もよい。この場合、反応ガスの導入と排気を周期的に繰
り返すことにより原子層をほぼ1層づつはぎ取っていく
いわゆるデジタルエッチングを用いると、高いエッチン
グ深さ精度を得ることができる。より厳密な深さ制御を
行うためには、例えば電子ビーム描画を用いた真空一貫
プロセスによりパターニングを行ってもよい。
【0044】この方法は、例えば真空チャンバー内で極
めて薄いSi酸化膜を形成し、これに電子線描画を行い
酸化膜を除去し、酸化膜の存在しない領域のみ又は存在
する領域のみに選択的にCVD、エピタキシャル成長又
はエッチングを行うものである。しかも、本実施例の様
にパターニングとエッチング又は膜堆積を繰り返して行
う場合には、同一チャンバー内部での連続処理が可能で
ある。この様に、有機レジストを用いずに表面反応によ
り原子オーダーのエッチング及び膜堆積を行うことが出
来るため、本発明による回折格子パターンの形成に適し
ている。また、回折格子パターンの作製には、リフトオ
フプロセスを用いる等してもよい。また、ルーリングエ
ンジン等の超精密機械加工を用いても、ナノメーターオ
ーダーの深さ制御性をもつパターン形成が可能である。
但し、一般に本発明における回折格子は同心円状に形成
されるため、同心円状に刻線可能な特殊なルーリングエ
ンジンを用いることが好ましい。また、この場合ガラス
等の基板上にAl(アルミ)等の軟質金属を一様に蒸着
したものを基板に用いることが好ましい。いずれにせ
よ、上記回折格子パターンの作製は、細心の深さ制御を
行うことが望ましい。なお、1次の回折光に対するブレ
ーズ角の深さは波長/2とすることが好ましい。
【0045】〈実施例4〉上記露光装置を用いて、LS
Iパターンを転写した。アンジュレータ放射光源からの
波長13nmの軟X線を、照明光学系を介して実施例3
の露光装置に設定した反射型マスクの露光領域(長さ1
4mm、幅1mmの円弧状のスリット領域)に照射し
た。しかる後に、被露光基板と上記反射型マスクを投影
光学系の縮小率を考慮して同期させながら走査すること
により、マスクパターンを上記基板上に露光した。これ
により、露光領域の全面にわたり、光学系の設計解像限
界である0.1μmの解像度が得られた。
【0046】なお、以上述べてきた実施例では、3枚の
反射鏡とMo/Si多層膜を用いた波長13nmの軟X
線による縮小投影露光について述べたが、実施例中で述
べた様々な条件は、本発明の趣旨を逸脱しない範囲内で
変更することが可能である。例えば、光学系については
反射鏡の枚数は3枚以外でもよく、波長についてもより
短波長又は長波長の光を用いてよい。また、光源につい
ても、アンジュレータ放射光源の他に、通常のシンクロ
トロン放射光源、X線レーザ、レーザプラズマX線源等
を用いることができる。例えば、色収差を抑えるために
は、光源の波長スペクトル半値幅を狭くすることが好ま
しいが、このためにはアンジュレータ放射光源、X線レ
ーザ、レーザプラズマX線源からの輝線スペクトルを用
いることが好ましい。また、波長により多層膜組成や反
射面の構成を変えることもいうまでもない。例えば、よ
り短波長の5nm付近の波長領域でX線反射多層膜の層
数を増やすことにより、光学系の透過波長スペクトル半
値幅を狭め、色収差を抑えることができる。この場合に
は、通常のシンクロトロン放射光源が利用できる。
【0047】また、これまで主に軟X線を用いた投影露
光について述べてきたが、本発明は屈折レンズの困難な
他の波長、具体的には主に200nm以下の真空紫外光
を用いた投影露光にも効果的である。例えば、フッ素レ
ーザ等を光源とし、本発明によりNAの大きな反射型回
折レンズを用いることにより、0.2μm以下のパター
ン形成が可能となる。また、マスクは、反射型マスクに
ついて述べたが、透過型マスクを用いてもよい。
【0048】
【発明の効果】以上、本発明によれば、マスクパターン
を基板上に反射光学系により転写する際、上記光学系
に、球面又は平面基板の表面に回折格子が形成された反
射型回折レンズを用いることにより、複雑な作製工程を
要する上に十分な面精度を得ることが困難な非球面鏡を
用いることなく、比較的容易な方法で作製が可能で、か
つ十分な精度と理想的な非球面作用を実現することによ
り広い露光領域にわたり高い解像度が得られた。更に、
これにより、0.1μm以下の微細パターンを、広い露
光領域にわたり形成することができた。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の原理を示す模式図である。
【図2】本発明の作用を説明するための光学系の模式図
である。
【図3】本発明の光学系の設計手法を説明するための模
式図である。
【図4】本発明の光学系の設計手法を説明するための他
の模式図である。
【図5】本発明の一実施例の光学系を示す模式図であ
る。
【図6】本発明の一実施例の光学系の特性を示す図であ
る。
【図7】本発明の一実施例の光学系の特性を示す図であ
る。
【図8】本発明の他の実施例の設計手法を説明するため
の光学系の模式図である。
【図9】本発明の一実施例による露光装置用投影光学系
を示す模式図である。
【図10】本発明で用いる光学部品の作製過程を示す模
式図である。
【図11】本発明で用いる光学部品の他の作製過程を示
す模式図である。
【符号の説明】
1…球面 2、29、…反射型回折レンズ 3、4、6…波面 5、13、14、15…非球面鏡 7、10、12…光 8…回折格子 11…マスク 16…基板 23、24、25…球面鏡 26、27、28…架空の非球面屈折レンズ 31…マスクステージ 32…反射型縮小投影光学系 33…基板ステージ 41…球面鏡基板 42…Mo膜 43…レジストパターン 44、45、46…Moパターン 47…ブレーズ回折格子パターン 48…軟X線反射用多層膜 A…非球面 S…球面 G…反射型回折格子
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 片桐 創一 東京都国分寺市東恋ケ窪1丁目280番地 株式会社日立製作所中央研究所内

Claims (16)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】所望のパターンを有するマスクに光を照射
    し、該マスクを透過又は反射した光を反射光学系を介し
    て基板上へ投影し、該基板上に上記パターンを転写する
    パターン形成方法において、上記反射光学系は、反射鏡
    基板の表面に回折格子が配置された反射型回折レンズを
    含むことを特徴とするパターン形成方法。
  2. 【請求項2】上記光は、波長3nm以上、30nm以下
    の範囲の軟X線であることを特徴とする請求項1記載の
    パターン形成方法。
  3. 【請求項3】上記光は、波長スペクトルの半値幅が該波
    長の1/200以下であることを特徴とする請求項2記
    載のパターン形成方法。
  4. 【請求項4】上記反射型回折レンズは、回折格子が形成
    された反射鏡基板上に、軟X線反射用多層膜を有するこ
    とを特徴とする請求項2又は3記載のパターン形成方
    法。
  5. 【請求項5】上記反射鏡基板は、球面又は平面であるこ
    とを特徴とする請求項1から4のいずれか一に記載のパ
    ターン形成方法。
  6. 【請求項6】上記回折格子は、所定のブレーズ角を有す
    ることを特徴とする請求項1から5のいずれか一に記載
    のパターン形成方法。
  7. 【請求項7】上記反射光学系は、少なくとも2枚の反射
    型回折レンズを含み、該2枚の反射型回折レンズ上に形
    成された回折格子は、回折角の波長分散が互いに異符号
    となるような回折次数に上記ブレーズ角が設定され、か
    つ、反射光学系全体は、上記光の波長スペクトルの範囲
    内で色収差補正されていることを特徴とする請求項6記
    載のパターン形成方法。
  8. 【請求項8】上記光は、時間的コヒーレンス長が、上記
    光の波長と上記回折格子の全格子数の積より大きいこと
    を特徴とする請求項1から7のいずれか一に記載のパタ
    ーン形成方法。
  9. 【請求項9】光源と、該光源からの光をマスクに照射す
    る手段と、該マスクを保持する手段と、該マスクを透過
    又は反射した光を基板上へ投影するための反射光学系
    と、該基板を保持する手段とからなる投影露光装置にお
    いて、上記反射光学系は、反射鏡基板の表面に回折格子
    が配置された反射型回折レンズを含むことを特徴とする
    投影露光装置。
  10. 【請求項10】上記光源は、波長3nm以上、30nm
    以下の範囲の軟X線を発する光源であることを特徴とす
    る請求項9記載の投影露光装置。
  11. 【請求項11】上記反射型回折レンズは、回折格子が形
    成された反射鏡基板上に、軟X線反射用多層膜を有する
    ことを特徴とする請求項10記載の投影露光装置。
  12. 【請求項12】上記反射鏡基板は、球面又は平面である
    ことを特徴とする請求項9から11のいずれか一に記載
    の投影露光装置。
  13. 【請求項13】上記回折格子は、所定のブレーズ角を有
    することを特徴とする請求項9から12のいずれか一に
    記載の投影露光装置。
  14. 【請求項14】上記反射光学系は、少なくとも2枚の反
    射型回折レンズを含み、該2枚の反射型回折レンズ上に
    形成された回折格子は、回折角の波長分散が互いに異符
    号となるような回折次数に上記ブレーズ角が設定され、
    かつ、反射光学系全体は、上記光の波長スペクトルの範
    囲内で色収差補正されていることを特徴とする請求項1
    3記載の投影露光装置。
  15. 【請求項15】球面鏡とその面上に配置された回折格子
    とからなる反射型回折レンズを少なくとも1枚有する光
    学系であって、上記回折格子は、上記球面鏡と等しい頂
    点及び頂点曲率を持つ非球面鏡と等価な非球面作用を有
    するブレーズ回折格子であることを特徴とする光学系。
  16. 【請求項16】少なくとも1枚以上の非球面鏡を含む光
    学系を最適化した後、上記各非球面鏡をその非球面と等
    しい頂点及び頂点曲率を持つ参照球面上で半径方向周期
    分布を有するブレーズ回折格子に変換する過程を含むこ
    とを特徴とする光学系の設計方法。
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Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2005302998A (ja) * 2004-04-12 2005-10-27 Canon Inc Euv光を用いた露光装置および露光方法
JPWO2007105406A1 (ja) * 2006-03-10 2009-07-30 株式会社ニコン 投影光学系、露光装置および半導体デバイスの製造方法
JP2010004002A (ja) * 2008-05-20 2010-01-07 Komatsu Ltd 極端紫外光を用いる半導体露光装置
JP2010004001A (ja) * 2008-05-20 2010-01-07 Komatsu Ltd 極端紫外光用ミラー、極端紫外光用ミラーの製造方法及び極端紫外光源装置

Cited By (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2005302998A (ja) * 2004-04-12 2005-10-27 Canon Inc Euv光を用いた露光装置および露光方法
JP4508708B2 (ja) * 2004-04-12 2010-07-21 キヤノン株式会社 Euv光を用いた露光装置および露光方法
JPWO2007105406A1 (ja) * 2006-03-10 2009-07-30 株式会社ニコン 投影光学系、露光装置および半導体デバイスの製造方法
JP4924604B2 (ja) * 2006-03-10 2012-04-25 株式会社ニコン 投影光学系、露光装置および半導体デバイスの製造方法
JP2010004002A (ja) * 2008-05-20 2010-01-07 Komatsu Ltd 極端紫外光を用いる半導体露光装置
JP2010004001A (ja) * 2008-05-20 2010-01-07 Komatsu Ltd 極端紫外光用ミラー、極端紫外光用ミラーの製造方法及び極端紫外光源装置
JP2012182492A (ja) * 2008-05-20 2012-09-20 Gigaphoton Inc 極端紫外光用ミラー、極端紫外光用ミラーの製造方法及び極端紫外光源装置
JP2012216854A (ja) * 2008-05-20 2012-11-08 Gigaphoton Inc 極端紫外光を用いる半導体露光装置

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