JP7362763B2 - 変化するデューティサイクルを有する周期的なパターンを印刷するための方法および装置 - Google Patents
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- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 58
- 230000000737 periodic effect Effects 0.000 title claims description 21
- 238000007639 printing Methods 0.000 title description 10
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 claims description 272
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 77
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 claims description 73
- 238000006073 displacement reaction Methods 0.000 claims description 71
- 238000009826 distribution Methods 0.000 claims description 45
- 230000008859 change Effects 0.000 claims description 36
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims description 21
- 238000001459 lithography Methods 0.000 claims description 10
- 230000003121 nonmonotonic effect Effects 0.000 claims description 4
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 claims 1
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 32
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 22
- 238000005286 illumination Methods 0.000 description 21
- 238000013461 design Methods 0.000 description 16
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 description 13
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 11
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 9
- 239000000463 material Substances 0.000 description 9
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 8
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 8
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 7
- 239000005350 fused silica glass Substances 0.000 description 7
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 7
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 6
- 230000008569 process Effects 0.000 description 6
- 238000013519 translation Methods 0.000 description 5
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 5
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 4
- LFEUVBZXUFMACD-UHFFFAOYSA-H lead(2+);trioxido(oxo)-$l^{5}-arsane Chemical compound [Pb+2].[Pb+2].[Pb+2].[O-][As]([O-])([O-])=O.[O-][As]([O-])([O-])=O LFEUVBZXUFMACD-UHFFFAOYSA-H 0.000 description 4
- 238000000609 electron-beam lithography Methods 0.000 description 3
- 238000000265 homogenisation Methods 0.000 description 3
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 description 3
- 230000010363 phase shift Effects 0.000 description 3
- 230000001902 propagating effect Effects 0.000 description 3
- 230000004075 alteration Effects 0.000 description 2
- 230000003190 augmentative effect Effects 0.000 description 2
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 2
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 2
- 238000012512 characterization method Methods 0.000 description 2
- 238000011161 development Methods 0.000 description 2
- 238000010884 ion-beam technique Methods 0.000 description 2
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 2
- 230000000644 propagated effect Effects 0.000 description 2
- 210000001747 pupil Anatomy 0.000 description 2
- 239000012780 transparent material Substances 0.000 description 2
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 1
- 238000013459 approach Methods 0.000 description 1
- 230000002238 attenuated effect Effects 0.000 description 1
- 230000001427 coherent effect Effects 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 1
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 1
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 1
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 230000001419 dependent effect Effects 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 230000007613 environmental effect Effects 0.000 description 1
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 1
- 230000014509 gene expression Effects 0.000 description 1
- 238000007689 inspection Methods 0.000 description 1
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 1
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 1
- 238000013507 mapping Methods 0.000 description 1
- 238000004377 microelectronic Methods 0.000 description 1
- 239000002086 nanomaterial Substances 0.000 description 1
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 1
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 1
- 230000004044 response Effects 0.000 description 1
- 238000013341 scale-up Methods 0.000 description 1
- 238000007493 shaping process Methods 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 238000010561 standard procedure Methods 0.000 description 1
- 230000001629 suppression Effects 0.000 description 1
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 1
- 238000009827 uniform distribution Methods 0.000 description 1
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- G02—OPTICS
- G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
- G02B5/00—Optical elements other than lenses
- G02B5/18—Diffraction gratings
- G02B5/1847—Manufacturing methods
- G02B5/1857—Manufacturing methods using exposure or etching means, e.g. holography, photolithography, exposure to electron or ion beams
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- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70408—Interferometric lithography; Holographic lithography; Self-imaging lithography, e.g. utilizing the Talbot effect
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- G02—OPTICS
- G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
- G02B27/00—Optical systems or apparatus not provided for by any of the groups G02B1/00 - G02B26/00, G02B30/00
- G02B27/0081—Optical systems or apparatus not provided for by any of the groups G02B1/00 - G02B26/00, G02B30/00 with means for altering, e.g. enlarging, the entrance or exit pupil
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- G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
- G02B27/00—Optical systems or apparatus not provided for by any of the groups G02B1/00 - G02B26/00, G02B30/00
- G02B27/09—Beam shaping, e.g. changing the cross-sectional area, not otherwise provided for
- G02B27/0938—Using specific optical elements
- G02B27/0944—Diffractive optical elements, e.g. gratings, holograms
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- G02B5/1809—Diffraction gratings with pitch less than or comparable to the wavelength
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- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
- G03F1/68—Preparation processes not covered by groups G03F1/20 - G03F1/50
- G03F1/70—Adapting basic layout or design of masks to lithographic process requirements, e.g., second iteration correction of mask patterns for imaging
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- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
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- G03H1/22—Processes or apparatus for obtaining an optical image from holograms
- G03H1/2249—Holobject properties
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- G03H1/2286—Particular reconstruction light ; Beam properties
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Description
a)所期の表面レリーフ型回折格子の周期の2倍の周期を有する線形的特徴の第1の高分解能回折格子を支持する第1のマスクを提供するステップと、
b)基板および第1のマスクを、第1のマスクが基板と平行でかつ基板から第1の距離を置くように変位タルボリソグラフィシステムに配置するステップと、
c)周期およびデューティサイクルの設計された空間的変化を有する不透明および透明な線形的特徴が交互に配置された第1の可変透過型回折格子を支持する第2のマスクを提供するステップと、
d)第1の可変透過型回折格子の線形的特徴が、第1の高分解能回折格子の線形的特徴に対して直交するように、前記第2のマスクを、第1のマスクと平行でかつ前記第1のマスクから第2の距離を置いて、第1のマスクの、基板から第1の距離を置いた側とは反対側に配置するステップと、
e)第2のマスクに入射する光が、前記第1の可変透過型回折格子の線形的特徴に対して平行な入射面において十分にコリメートされ、かつ第1の可変透過型回折格子の線形的特徴に対して直交する面において予め定められた入射角の分布を有し、それによって、前記第1の可変透過型回折格子によって透過された回折ビームが前記第1の高分解能回折格子を照明するように、第2のマスクを照明するための単色光のビームを生成するステップと、
f)変位タルボリソグラフィに従って第1の距離を変化させながら、前記ビームで第2のマスクを露光時間の間照明し、これにより、第1の高分解能回折格子によって透過されたライトフィールド(light-field)が、フォトレジストを前記所期の表面レリーフ型回折格子を形成するためのエネルギー密度分布に応じて露光するステップとを含み、
ここで、第1の可変透過型回折格子におけるデューティサイクルの空間的変化は、変位タルボリソグラフィを使用して形成された表面レリーフ型回折格子のデューティサイクルの、前記第2のマスクがない状態で、第1のマスクを照明するビームのエネルギー密度に対する予め定められた依存性に基づき、かつ所期の表面レリーフ型回折格子のデューティサイクルの空間的変化に従って設計され、
ここで、前記第2の距離および前記予め定められた入射角の分布は、露光時間内に第1の高分解能回折格子およびフォトレジストを露光するエネルギー密度分布において、第1の可変透過型回折格子の周期による変調成分が実質的に存在しないように、第1の可変透過型回折格子の周期に関連して選択されている。
a)所期の表面レリーフ型回折格子の周期の2倍の周期を有する線形的特徴の第1の高分解能回折格子を支持する第1のマスクを提供するステップと、
b)前記第1のマスクを、基板と平行にかつ基板から第1の距離を置いて配置するステップと、
c)周期およびデューティサイクルの設計された空間的変化を有する不透明および透明な線形的特徴が交互に配置された第1の可変透過型回折格子を支持する第2のマスクを提供するステップと、
d)第1の可変透過型回折格子の線形的特徴が、第1の高分解能回折格子の線形的特徴に対して直交するように、前記第2のマスクを、第1のマスクと平行でかつ前記第1のマスクから第2の距離を置いて、第1のマスクの、基板から第1の距離を置いた側とは反対側に配置するステップと、
e)第2のマスクに入射する光が、第1の可変透過型回折格子の線形的特徴に対して平行な入射面において十分にコリメートされ、それによって、前記第1の可変透過型回折格子によって透過された回折ビームが第1の高分解能回折格子を照明するように、第2のマスクを照明するための単色光のビームを生成するステップと、
f)変位タルボリソグラフィに従って第1の距離を変化させかつ第2のマスクを変位させながら、前記ビームで第2のマスクを露光時間の間照明し、これにより、第1の高分解能回折格子によって透過されたライトフィールドが、フォトレジストを前記所期の表面レリーフ型回折格子を形成するためのエネルギー密度分布に応じて露光するステップとを含み、
ここで、第2のマスクの変位は、露光時間内に第1の高分解能回折格子およびフォトレジストを露光するエネルギー密度分布において、第1の可変透過型回折格子の周期による変調成分が実質的に存在しないように、第1の可変透過型回折格子の線形的特徴の周期および方向に関連して設定され、
ここで、第1の可変透過型回折格子におけるデューティサイクルの空間的変化は、変位タルボリソグラフィを使用して形成された表面レリーフ型回折格子のデューティサイクルの、第2のマスクがない状態で、第1のマスクを照明するビームのエネルギー密度に対する予め定められた依存性に基づき、かつ所期の表面レリーフ型回折格子のデューティサイクルの空間的変化に従って設計されている。
a)所期の表面レリーフ型回折格子の周期の2倍の周期を有する線形的特徴の第1の高分解能回折格子を支持する第1のマスクと、
b)前記第1のマスクを、基板と平行にかつ基板から第1の距離を置いて配置するための手段と、
c)周期およびデューティサイクルの設計された空間的変化を有する不透明および透明な線形的特徴が交互に配置された第1の可変透過型回折格子を支持する第2のマスクと、
d)第1の可変透過型回折格子の線形的特徴が、第1の高分解能回折格子の線形的特徴に対して直交するように、前記第2のマスクを、第1のマスクと平行でかつ第1のマスクから第2の距離を置いて、第1のマスクの、基板から第1の距離を置いた側とは反対側に配置するための手段と、
e)第2のマスクに入射する光が、第1の可変透過型回折格子の線形的特徴に対して平行な入射面において十分にコリメートされ、かつ第1の可変透過型回折格子の線形的特徴の方向に対して直交する面において予め定められた入射角の分布を有し、それによって、前記第1の可変透過型回折格子によって透過された回折ビームが第1の高分解能回折格子を照明するように、第2のマスクを照明するための単色光のビームを生成する手段と、
f)変位タルボリソグラフィに従って第1の距離を変化させながら、前記ビームで第2のマスクを露光時間の間照明し、これにより、第1の高分解能回折格子によって透過されたライトフィールドが、フォトレジストを前記所期の表面レリーフ型回折格子を形成するためのエネルギー密度分布に応じて露光するための手段とを含む。
a)所期の表面レリーフ型回折格子の周期の2倍の周期を有する線形的特徴の第1の高分解能回折格子を支持する第1のマスクと
b)前記第1のマスクを、基板と平行にかつ基板から第1の距離を置いて配置するための手段と、
c)周期およびデューティサイクルの設計された空間的変化を有する不透明および透明な線形的特徴が交互に配置された第1の可変透過型回折格子を支持する第2のマスクと、
d)第1の可変透過型回折格子の線形的特徴が、第1の高分解能回折格子の線形的特徴に対して直交するように、前記第2のマスクを、第1のマスクと平行でかつ第1のマスクから予め定められた第2の距離を置いて、第1のマスクの、基板から第1の距離を置いた側とは反対側に配置するための手段と、
e)第2のマスクに入射するビームが、第1の可変透過型回折格子の線形的特徴に対して平行な入射面において十分にコリメートされ、それによって、前記第1の可変透過型回折格子によって透過された回折ビームが第1の高分解能回折格子を照明するように、第2のマスクを照明するための単色光のビームを生成するための手段と、
f)前記所期の表面レリーフ型回折格子を形成するための露光時間内にフォトレジストを露光するエネルギー密度分布において、第1の可変透過型回折格子の周期による変調成分が実質的に存在しないように、第2のマスクを照明しながら、第1の可変透過型回折格子の線形的特徴の周期および方向に関連して第2のマスクを変位させるための手段と、
g)変位タルボリソグラフィに従って第1の距離を変化させるための手段とを含む。
a)所期の表面レリーフ型回折格子の周期の2倍の周期を有する線形的特徴の第1の高分解能回折格子を支持する第1のマスクを提供するステップと、
b)前記第1のマスクを、基板と平行にかつ基板から第1の距離を置いて配置するステップと、
c)周期およびデューティサイクルの設計された空間的変化を有する不透明および透明な線形的特徴が交互に配置された第1の可変透過型回折格子を支持する第2のマスクを提供するステップと、
d)回折ビームが第1の可変透過型回折格子によって透過されるように第2のマスクを照明するための単色光のビームを生成するステップと、
e)前記第2のマスクと前記第1のマスクの間に、前記回折ビームの0次または1次のビームのみが第1のマスク内の第1の高分解能回折格子を照明し、前記0次または1次のビームが前記第1の高分解能回折格子の線形的特徴に対して直交する前記第2のマスク上の入射面において十分にコリメートされるような光学的配置構成を提供するステップと、
f)変位タルボリソグラフィに従って第1の距離を変化させながら、前記照明ビームで第1の可変透過型回折格子を露光時間の間照明し、これにより、第1の高分解能回折格子によって透過されたライトフィールドが、フォトレジストを前記所期の表面レリーフ型回折格子を形成するためのエネルギー密度分布に応じて露光するステップとを含み、
ここで、前記第1の可変透過型回折格子におけるデューティサイクルの空間的変化は、変位タルボリソグラフィを使用して形成された表面レリーフ型回折格子のデューティサイクルの、前記第2のマスクがない状態で、第1のマスクを照明するビームのエネルギー密度に対する予め定められた依存性に基づき、かつ所期の表面レリーフ型回折格子のデューティサイクルの空間的変化に従って設計されている。
T(x,y)=1-f(x,y)
によって与えられる。
I(x,y)=I0{1-f(x,y)}
によって与えられる。ここで、I0は、可変透過型マスク7を照明するビーム強度である。
Δs≒2Lλ/(l-α)Λ2
によって与えられる。ここで、Lは、可変透過型マスク7と微細格子型マスク9との間の間隔であり、λは、照明波長であり、αは、可変透過型回折格子8の最大のデューティサイクルであり、Λ2は、回折格子の周期である。
φx≧1.5Λ2/L
で与えられるように設定されている。ここで、Λ2は、可変透過型回折格子8の周期、Lは、可変透過型マスク7と微細格子型マスク9との間の間隔である。
φx=wz/F
から計算される。ここで,wzは,拡散器4を照明する細長いビームのz方向のFWHM長さであり、Fは、コリメートレンズ5の焦点距離である。
φy=wy/F
によって与えられる。ここで、wyは、拡散器を照明する細長いビームのy方向のFWHM幅であり、Fは、コリメートレンズ5の焦点距離である。
DC=2.63E-0.62
で表される。
ここで,DCはデューティサイクル,Eは任意の単位での露光量である。
f(x,y)=1-E(x,y)/E0
を使用して計算される。ここで、E0は、デューティサイクルが所期の範囲の間で変化するように選択される定数である。
S≧1.5Λ2
によって与えられることが好ましい。ここで、Λ2は、可変透過型回折格子の周期である。
δφy={λ/2(1-α)}・|δα/δy|
に従って推定されてもよい。ここで、λは、照明波長であり、αおよびδα/δyは、それぞれ局所的なデューティサイクルおよびデューティサイクルの局所的なy方向の変化率である。
s1≧kp1 [1]
si≧kpi [2]
によって考慮される。
si=Scos(θ-θi) [3]
に従って記述することができる。
η0=(1-f)2
によって与えられる。
I(z,y)=I0{1-f(z,y)}2
によって与えられる。
Claims (16)
- 基板上のフォトレジスト層に、デューティサイクルの空間的変化を有する周期的な線形的特徴の所期の表面レリーフ型回折格子を形成するための変位タルボリソグラフィに基づく方法であって、該方法は、
a)前記所期の表面レリーフ型回折格子の周期の2倍の周期を有する線形的特徴の第1の高分解能回折格子を支持する第1のマスクを提供するステップと、
b)前記基板および前記第1のマスクを、前記第1のマスクが前記基板と平行でかつ前記基板から第1の距離を置くように変位タルボリソグラフィシステムに配置するステップと、
c)周期およびデューティサイクルの設計された空間的変化を有する不透明および透明な線形的特徴が交互に配置された第1の可変透過型回折格子を支持する第2のマスクを提供するステップと、
d)前記第1の可変透過型回折格子の前記線形的特徴が、前記第1の高分解能回折格子の前記線形的特徴に対して直交するように、前記第2のマスクを、前記第1のマスクと平行でかつ前記第1のマスクから第2の距離を置いて、前記第1のマスクの、前記基板から前記第1の距離を置いた側とは反対側に配置するステップと、
e)前記第2のマスクに入射する光が、前記第1の可変透過型回折格子の前記線形的特徴に対して平行な入射面において十分にコリメートされ、かつ前記第1の可変透過型回折格子の前記線形的特徴に対して直交する面において予め定められた入射角の分布を有し、それによって、前記第1の可変透過型回折格子によって透過された回折ビームが前記第1の高分解能回折格子を照明するように、前記第2のマスクを照明するための単色光のビームを生成するステップと、
f)変位タルボリソグラフィに従って前記第1の距離を変化させながら、前記ビームで前記第2のマスクを露光時間の間照明し、これにより、前記第1の高分解能回折格子によって透過されたライトフィールドが、前記フォトレジストを前記所期の表面レリーフ型回折格子を形成するためのエネルギー密度分布に応じて露光するステップと、
を含み、
前記第1の可変透過型回折格子における前記デューティサイクルの前記空間的変化は、変位タルボリソグラフィを使用して形成された表面レリーフ型回折格子のデューティサイクルの、前記第2のマスクがない状態で、前記第1のマスクを照明するビームのエネルギー密度に対する予め定められた依存性に基づき、かつ前記所期の表面レリーフ型回折格子のデューティサイクルの空間的変化に従って設計され、
前記第2の距離および前記予め定められた入射角の分布は、露光時間内に前記フォトレジストを露光するエネルギー密度分布において、前記第1の可変透過型回折格子の周期による変調成分が実質的に存在しないように、前記第1の可変透過型回折格子の前記周期に関連して選択されている、
方法。 - 基板上のフォトレジスト層に、デューティサイクルの空間的変化を有する周期的な線形的特徴の所期の表面レリーフ型回折格子を形成するための変位タルボリソグラフィに基づく方法であって、該方法は、
a)前記所期の表面レリーフ型回折格子の周期の2倍の周期を有する線形的特徴の第1の高分解能回折格子を支持する第1のマスクを提供するステップと、
b)前記第1のマスクを、前記基板と平行にかつ前記基板から第1の距離を置いて配置するステップと、
c)周期およびデューティサイクルの設計された空間的変化を有する不透明および透明な線形的特徴が交互に配置された第1の可変透過型回折格子を支持する第2のマスクを提供するステップと、
d)前記第1の可変透過型回折格子の線形的特徴が、前記第1の高分解能回折格子の前記線形的特徴に対して直交するように、前記第2のマスクを、前記第1のマスクと平行でかつ前記第1のマスクから第2の距離を置いて、前記第1のマスクの、前記基板から第1の距離を置いた側とは反対側に配置するステップと、
e)前記第2のマスクに入射する光が、前記第1の可変透過型回折格子の前記線形的特徴に対して平行な入射面において十分にコリメートされ、それによって、前記第1の可変透過型回折格子によって透過された回折ビームが前記第1の高分解能回折格子を照明するように、前記第2のマスクを照明するための単色光のビームを生成するステップと、
f)変位タルボリソグラフィに従って前記第1の距離を変化させかつ前記第2のマスクを変位させながら、前記ビームで前記第2のマスクを露光時間の間照明し、これにより、前記第1の高分解能回折格子によって透過されたライトフィールドが、前記フォトレジストを前記所期の表面レリーフ型回折格子を形成するためのエネルギー密度分布に応じて露光するステップと、
を含み、
前記第2のマスクの変位は、露光時間内に前記フォトレジストを露光するエネルギー密度分布において、前記第1の可変透過型回折格子の周期による変調成分が実質的に存在しないように、前記第1の可変透過型回折格子の前記線形的特徴の周期および方向に関連して設定され、
前記第1の可変透過型回折格子におけるデューティサイクルの前記空間的変化は、変位タルボリソグラフィを使用して形成された表面レリーフ型回折格子のデューティサイクルの、前記第2のマスクがない状態で、前記第1のマスクを照明するビームのエネルギー密度に対する予め定められた依存性に基づき、かつ前記所期の表面レリーフ型回折格子のデューティサイクルの空間的変化に従って設計されている、
方法。 - 前記所期の表面レリーフ型回折格子のデューティサイクルの前記空間的変化は、1次元であり、前記表面レリーフ型回折格子の前記線形的特徴の方向に関して平行、直交、および中間角度のうちの1つである方向にある、請求項1または2記載の方法。
- 前記所期の表面レリーフ型回折格子のデューティサイクルの前記空間的変化は、1次元であり、線形または非線形であり、単調または非単調である、請求項1または2記載の方法。
- 前記所期の表面レリーフ型回折格子のデューティサイクルの前記空間的変化は、前記表面レリーフ型回折格子の前記線形的特徴に対してそれぞれ平行および直交する方向の変化成分を有する2次元である、請求項1または2記載の方法。
- 前記所期の表面レリーフ型回折格子のデューティサイクルの前記空間的変化は、前記所期の表面レリーフ型回折格子の前記線形的特徴に対してそれぞれ平行および直交する方向の変化成分を有する2次元であり、線形、非線形、単調、および非単調な変化のいずれかである、請求項1または2記載の方法。
- 前記第1の可変透過型回折格子の周期は、一定であるか、または前記第1の可変透過型回折格子の領域にわたって変化する、請求項1または2記載の方法。
- 前記第1の可変透過型回折格子の周期は、前記第1の可変透過型回折格子の領域にわたって一定であり、前記第1の高分解能回折格子の周期よりも実質的に大きい、請求項1または2記載の方法。
- 前記第2のマスクは、前記第1の可変透過型回折格子の前記線形的特徴に対して直交する方向に、露光時間中一定の変位速度で前記可変透過型回折格子の1周期分または複数周期分の距離だけ変位される、請求項2記載の方法。
- 前記第2のマスクは、前記第1の可変透過型回折格子の前記線形的特徴に対して直交する方向に、一定の変位速度を使用して前記可変透過型回折格子の1周期分または複数周期分の距離だけ変位され、次いで、反対方向に、同じまたは異なる変位速度を使用して前記可変透過型回折格子の1周期分または複数周期分の距離だけ変位される、請求項2記載の方法。
- 前記第2のマスクは、前記第1の可変透過型回折格子の前記線形的特徴に対して直交する方向に、前記第2のマスクの増分露光量の変位距離に対する依存性が生成され実質的にガウスプロファイルを有する可変の変位速度を使用して変位される、請求項2記載の方法。
- 前記方法は、前記フォトレジスト層に、第2の周期およびデューティサイクルの第2の空間的変化を有する周期的な線形的特徴の少なくとも第2の所期の表面レリーフ型回折格子を付加的に同時に形成するためのものであり、
前記第1のマスクは、前記第2の所期の表面レリーフ型回折格子の周期の2倍の周期を有する線形的特徴の少なくとも第2の高分解能回折格子を付加的に支持し、
前記第2のマスクは、第2の周期およびデューティサイクルの第2の設計された空間的変化を有する不透明および透明な線形的特徴を交互に配置された少なくとも第2の可変透過型回折格子を付加的に支持し、
前記第2のマスクを、前記第1のマスクに関して配置するステップは、付加的に、少なくとも前記第2の可変透過型回折格子の前記線形的特徴が前記第2の高分解能回折格子の前記線形的特徴に対して直交するように配置させ、
前記第2のマスクを照明するための単色光のビームを生成するステップは、前記第2のマスクに入射する光が、少なくとも前記第2の可変透過型回折格子の前記線形的特徴に対して平行な入射面において付加的に十分にコリメートされ、それによって、前記第2の可変透過型回折格子によって透過された回折ビームが前記第2の高分解能回折格子を照明し、
変位タルボリソグラフィに従って前記第1の距離を変化させかつ前記第2のマスクを変位させながら、前記ビームで前記第2のマスクを露光時間の間照明するステップは、前記フォトレジストを前記第2の所期の表面レリーフ型回折格子を形成するためのエネルギー密度分布に応じて付加的に露光し、
前記第2のマスクの変位は、前記露光時間内に前記フォトレジストを露光するエネルギー密度分布において、前記第2の可変透過型回折格子の周期による変調成分が実質的に存在しないように、少なくとも前記第2の可変透過型回折格子の前記線形的特徴の周期および方向に関連して付加的に設定され、
前記第2の可変透過型回折格子におけるデューティサイクルの前記空間的変化は、変位タルボリソグラフィを使用して形成された表面レリーフ型回折格子のデューティサイクルの、前記第2のマスクがない状態で、前記第1のマスクを照明するビームのエネルギー密度に対する予め定められた依存性に基づき、かつ前記第2の所期の表面レリーフ型回折格子のデューティサイクルの空間的変化に従って設計されている、
請求項2記載の方法。 - 前記第1のマスクは、線形的特徴の第1および第2の高分解能回折格子を支持し、前記第1の高分解能回折格子の前記線形的特徴の方向は、前記第2の高分解能回折格子の前記線形的特徴の方向に関して傾斜した角度にあり、
前記第2のマスクは、第1および第2の周期が同じである線形的特徴の第1および第2の可変透過型回折格子を支持し、前記第1の可変透過型回折格子の線形的特徴の方向は、前記第2の可変透過型回折格子の線形的特徴に関して同じ傾斜した角度にあり、
前記第2のマスクの変位は、それぞれ前記第1および第2の可変透過型回折格子の前記線形的特徴に対して垂直な方向を角度的に二等分する方向に配置されている、
請求項12記載の方法。 - 基板にわたるフォトレジスト層に、デューティサイクルの空間的変化を有する周期的な線形的特徴の所期の表面レリーフ型回折格子を形成するための変位タルボリソグラフィに基づく装置であって、
a)前記所期の表面レリーフ型回折格子の周期の2倍の周期を有する線形的特徴の第1の高分解能回折格子を支持する第1のマスクと、
b)前記第1のマスクを、前記基板と平行にかつ前記基板から第1の距離を置いて配置するための手段と、
c)周期およびデューティサイクルの設計された空間的変化を有する不透明および透明な線形的特徴が交互に配置された第1の可変透過型回折格子を支持する第2のマスクと、
d)前記第1の可変透過型回折格子の前記線形的特徴が、前記第1の高分解能回折格子の前記線形的特徴に対して直交するように、前記第2のマスクを、前記第1のマスクと平行でかつ前記第1のマスクから第2の距離を置いて、前記第1のマスクの、前記基板から前記第1の距離を置いた側とは反対側に配置するための手段と、
e)前記第2のマスクに入射する光が、前記第1の可変透過型回折格子の前記線形的特徴に対して平行な入射面において十分にコリメートされ、かつ前記第1の可変透過型回折格子の前記線形的特徴の方向に対して直交する面において予め定められた入射角の分布を有し、それによって、前記第1の可変透過型回折格子によって透過された回折ビームが前記第1の高分解能回折格子を照明するように、前記第2のマスクを照明するための単色光のビームを生成するための手段と、
f)変位タルボリソグラフィに従って前記第1の距離を変化させながら、前記ビームで前記第2のマスクを露光時間の間照明し、これにより、前記第1の高分解能回折格子によって透過されたライトフィールドが、前記フォトレジストを前記所期の表面レリーフ型回折格子を形成するためのエネルギー密度分布に応じて露光するための手段と、
を含む、装置。 - 基板上のフォトレジスト層に、デューティサイクルの空間的変化を有する周期的な線形的特徴の所期の表面レリーフ型回折格子を形成するための変位タルボリソグラフィに基づく装置であって、
a)前記所期の表面レリーフ型回折格子の周期の2倍の周期を有する線形的特徴の第1の高分解能回折格子を支持する第1のマスクと、
b)前記第1のマスクを、前記基板と平行にかつ前記基板から第1の距離を置いて配置するための手段と、
c)周期およびデューティサイクルの設計された空間的変化を有する不透明および透明な線形的特徴が交互に配置された第1の可変透過型回折格子を支持する第2のマスクと、
d)前記第1の可変透過型回折格子の前記線形的特徴が、前記第1の高分解能回折格子の前記線形的特徴に対して直交するように、前記第2のマスクを、前記第1のマスクと平行でかつ前記第1のマスクから予め定められた第2の距離を置いて、前記第1のマスクの、前記基板から第1の距離を置いた側とは反対側に配置するための手段と、
e)前記第2のマスクに入射するビームが、前記第1の可変透過型回折格子の前記線形的特徴に対して平行な入射面において十分にコリメートされ、それによって、前記第1の可変透過型回折格子によって透過された回折ビームが前記第1の高分解能回折格子を照明するように、前記第2のマスクを照明するための単色光のビームを生成するための手段と、
f)前記所期の表面レリーフ型回折格子を形成するために前記第2のマスクを前記単色光のビームによって照射する露光時間内に前記フォトレジストを露光するエネルギー密度分布において、前記第1の可変透過型回折格子の周期による変調成分が実質的に存在しないように、前記第2のマスクを照明しながら、前記第1の可変透過型回折格子の前記線形的特徴の周期および方向に関して前記第2のマスクを変位させるための手段と、
g)変位タルボリソグラフィに従って前記第1の距離を変化させるための手段と、
を含む、装置。 - 基板上のフォトレジスト層に、デューティサイクルの空間的変化を有する周期的な線形的特徴の所期の表面レリーフ型回折格子を形成するための変位タルボリソグラフィに基づく方法であって、該方法は、
a)前記所期の表面レリーフ型回折格子の周期の2倍の周期を有する線形的特徴の第1の高分解能回折格子を支持する第1のマスクを提供するステップと、
b)前記第1のマスクを、前記基板と平行にかつ前記基板から第1の距離を置いて配置するステップと、
c)周期およびデューティサイクルの設計された空間的変化を有する不透明および透明な線形的特徴が交互に配置された第1の可変透過型回折格子を支持する第2のマスクを提供するステップと、
d)回折ビームが前記第1の可変透過型回折格子によって透過されるように前記第2のマスクを照明するための単色光のビームを生成するステップと、
e)前記第2のマスクと前記第1のマスクの間に、前記回折ビームの0次または1次のビームのみが前記第1のマスク内の前記第1の高分解能回折格子を照明し、前記0次または1次のビームが前記第1の可変透過型回折格子の前記線形的特徴に対して直交する前記第1のマスク上の前記第1の高分解能回折格子の前記線形的特徴に対して平行な入射面において十分にコリメートされるような光学的配置構成を提供するステップと、
f)変位タルボリソグラフィに従って前記第1の距離を変化させながら、前記単色光のビームで前記第1の可変透過型回折格子を露光時間の間照明し、これにより、前記第1の高分解能回折格子によって透過されたライトフィールドが、前記フォトレジストを前記所期の表面レリーフ型回折格子を形成するためのエネルギー密度分布に応じて露光するステップと、
を含み、
前記第1の可変透過型回折格子におけるデューティサイクルの前記空間的変化は、変位タルボリソグラフィを使用して形成された表面レリーフ型回折格子のデューティサイクルの、前記第2のマスクがない状態で、前記第1のマスクを照明するビームのエネルギー密度に対する予め定められた依存性に基づき、かつ前記所期の表面レリーフ型回折格子のデューティサイクルの空間的変化に従って設計されている、
方法。
Applications Claiming Priority (5)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US201962824508P | 2019-03-27 | 2019-03-27 | |
US62/824,508 | 2019-03-27 | ||
US201962923744P | 2019-10-21 | 2019-10-21 | |
US62/923,744 | 2019-10-21 | ||
PCT/IB2020/052954 WO2020194267A1 (en) | 2019-03-27 | 2020-03-27 | Method and appararus for printing a periodic pattern with a varying duty cycle |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2022527161A JP2022527161A (ja) | 2022-05-31 |
JP7362763B2 true JP7362763B2 (ja) | 2023-10-17 |
Family
ID=70740696
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2021557235A Active JP7362763B2 (ja) | 2019-03-27 | 2020-03-27 | 変化するデューティサイクルを有する周期的なパターンを印刷するための方法および装置 |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US20220155691A1 (ja) |
EP (1) | EP3948425A1 (ja) |
JP (1) | JP7362763B2 (ja) |
KR (1) | KR102665970B1 (ja) |
CN (1) | CN113841072A (ja) |
WO (1) | WO2020194267A1 (ja) |
Families Citing this family (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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2020
- 2020-03-27 CN CN202080039223.2A patent/CN113841072A/zh active Pending
- 2020-03-27 KR KR1020217034338A patent/KR102665970B1/ko active IP Right Grant
- 2020-03-27 EP EP20726531.5A patent/EP3948425A1/en active Pending
- 2020-03-27 WO PCT/IB2020/052954 patent/WO2020194267A1/en unknown
- 2020-03-27 JP JP2021557235A patent/JP7362763B2/ja active Active
- 2020-03-27 US US17/598,409 patent/US20220155691A1/en active Pending
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JP2011181979A (ja) | 2005-02-25 | 2011-09-15 | Nikon Corp | 照明光学装置、露光装置、および電子デバイス製造方法 |
JP2016517034A (ja) | 2013-03-18 | 2016-06-09 | ユーリタ アクチエンゲゼルシャフトEulitha Ag | 周期的パターンを印刷するための方法およびシステム |
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Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR20210142710A (ko) | 2021-11-25 |
JP2022527161A (ja) | 2022-05-31 |
US20220155691A1 (en) | 2022-05-19 |
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WO2020194267A1 (en) | 2020-10-01 |
CN113841072A (zh) | 2021-12-24 |
EP3948425A1 (en) | 2022-02-09 |
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