JPH11317362A - 走査型露光装置、および該装置を用いるデバイス製造方法 - Google Patents

走査型露光装置、および該装置を用いるデバイス製造方法

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JPH11317362A
JPH11317362A JP11058621A JP5862199A JPH11317362A JP H11317362 A JPH11317362 A JP H11317362A JP 11058621 A JP11058621 A JP 11058621A JP 5862199 A JP5862199 A JP 5862199A JP H11317362 A JPH11317362 A JP H11317362A
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pattern
reticle
light
illumination
diffraction grating
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JP11058621A
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Naomasa Shiraishi
直正 白石
Shigeru Hirukawa
茂 蛭川
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Nikon Corp
Original Assignee
Nikon Corp
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    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70216Mask projection systems
    • G03F7/70225Optical aspects of catadioptric systems, i.e. comprising reflective and refractive elements
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70216Mask projection systems
    • G03F7/70358Scanning exposure, i.e. relative movement of patterned beam and workpiece during imaging

Abstract

(57)【要約】 【目的】 照明光学系を大型化することなく、従来のレ
チクルをそのまま使用して高解像度、大焦点深度の投影
露光を実現する。 【構成】 レチクル8の光源側に所定間隔だけ離して回
折格子状パターン7を設け、パターン7から発生する±
1次回折光L1,L2をレチクル8に対して所定角度Θだ
け傾けて対称的に入射させる。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体集積回路等の微
細パターンの形成に使用される走査露光に関するもので
ある。
【0002】
【従来の技術】従来、この種の走査露光方式の投影露光
装置としてはミラープロジェクションアライナーがあ
り、マスクと感光基板とを投影光学系を挟んで対向させ
て円弧状スリット照明光のマスク照明のもとで相対走査
して露光を行っている。さらに、最近ではスキャン露光
方式においても高解像力を達成する新たな方式が、SP
IE Vol.1088 Optical/Laser MicrolithographyII(198
9)の第424頁〜433頁においてステップアンドスキ
ャン方式として提案された。ステップアンドスキャン方
式とは、マスク(レチクル)を一次元に走査しつつ、ウ
エハをそれと同期した速度で一次元に走査するスキャン
方式と、走査露光方向と直交する方向にウエハをステッ
プ移動させる方式とを混用したものである。
【0003】ミラープロジェクション方式やステップア
ンドスキャン方式の露光装置に適用される投影光学系は
主として反射素子のみから成っており、円弧状スリット
照明光が使用されている。これは、投影光学系の光軸か
ら一定距離だけ離れた像高点の狭い範囲(輪帯状)で各
種収差がほぼ零になるという利点を得るためである。さ
らに上記の如き反射素子から成る投影光学系(反射投影
系)は、屈折素子から成る投影光学系(屈折投影系)と
比べて、より広い波長域の照明光を露光光として使用で
きる利点もある。これは、基板(ウエハ等)上に塗布さ
れる感光性薄膜(フォトレジスト)の内部で生じる定在
波を低減する効果が得られることになる。
【0004】また、反射投影系は屈折投影系と異なり、
使用する光学素子の光透過率特性を問題とする必要がな
い。従って、屈折投影系では透過率のために実現困難な
真空紫外域のエネルギー線を使用する露光装置も、上記
の如き反射投影系では実現することができる。但し、投
影光学系の良像範囲が円弧状の領域に限定されるため、
より広い露光領域を確保するためには露光中のスキャン
(走査)が必要である。尚、ステップアンドスキャン方
式に好適な投影光学系、特に反射屈折縮小投影系の一例
は、例えばUSP.4,747,678 に開示されている。また、上
記の如き円弧状スリット照明光を使うステップアンドス
キャン露光方式の他に、円形のイメージフィールドを有
する通常の投影光学系(フル・フィールドタイプ)をス
テップアンドスキャン露光方式に応用する試みが、例え
ば特開平2−229423号公報で提案されている。
【0005】ところで、最近では変形光源技術と呼ばれ
る傾斜照明法により、投影光学系の解像度及び焦点深度
を増大することが提案されている。傾斜照明法について
は、例えば特開平4−101148号公報に開示されて
いるように、レチクルパターンのピッチ及び方向性に応
じた最適な入射角度、方向から複数の照明光束をレチク
ルパターンに対して傾けて入射させるものである。
【0006】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記の
如き変形光源法を採用した投影露光装置では、従来装置
と比べてより大型、かつ複雑な照明光学系が必要とな
る。これは、変形光源法を有効に機能させるためには、
照明光のレチクルへの入射角度をより大きくする必要が
あり、従ってより一層開口数の大きな照明光学系が必要
となるからである。また、特に円弧状の良像範囲のみを
効率良く照明するための照明光学系においては、変形光
源用の照明系の設計、製造がより複雑化し、かつ装置の
大型化及び高コスト化してしまう。
【0007】本発明は上記問題点を鑑みてなされたもの
で、従来と全く同様の照明光学系をそのまま利用しなが
ら、変形光源法と同等(等価)な高解像度、大焦点深度
の投影露光が可能な投影露光装置を得ることを目的とし
ている。
【0008】
【課題を解決するための手段】かかる問題点を解決する
ため本発明においては、マスク(8)のパターン形成
面、またはその共役面から光源側に所定間隔だけ離れた
面、もしくはマスクのパターンの共役面内に配置され、
かつ照明光ILが入射したとき、入射光の少なくとも一
部をマスク(8)のパターンに対して所定角度だけ傾け
て入射させる回折格子状パターン(7)を設け、この回
折格子パターン(7)の形成領域を、マスク(8)のパ
ターンの照明領域程度以上の大きさに定めることとし
た。
【0009】
【作用】光源から発生してレチクルに至る照明光は、照
明光学系によりレチクルへの入射角度範囲が制限されて
いる。この角度範囲をより大きくする(照明光をより傾
けて入射させる)ためには、より大きな開口数の照明光
学系が必要となる。そこで本発明では、マスクパターン
の光源側近傍に回折格子状パターンを配置し、ここで回
折された光を用いてマスクパターンを照明する。従っ
て、従来の照明光学系をそのまま用いても、照明光(回
折格子状パターンからの回折光)のマスクへの入射角度
を従来装置よりも大きくすることが可能となる。また、
特に回折格子状パターンを位相型回折格子とすれば、当
該パターンからの0次回折光の発生を防止することがで
き、変形光源法と全く等価な照明状態を実現して高解像
度、大焦点深度の投影露光が可能となる。
【0010】
【実施例】図1は本発明の実施例による投影露光装置の
概略的な構成を示し、本実施例では屈折素子と反射素子
との組み合わせで構成された1/4縮小の反射屈折縮小
投影光学系(以下、単に投影光学系と呼ぶ)を備えたス
テップアンドスキャン方式の投影露光装置について説明
する。
【0011】図1において、水銀ランプ1から射出した
照明光ILは楕円鏡2で反射され、オプチカルインテグ
レータ(フライアイレンズ)、開口絞り(σ絞り)、及
び円弧状スリットを有する絞り部材等を含む照明光学系
3に入射する。尚、開口絞りは照明光学系の開口数、す
なわちσ値(投影光学系のレチクル側開口数と照明光学
系の開口数との比)を規定するための可変絞りであり、
本実施例ではσ値(コヒーレンスファクター)が0.1
〜0.3程度となるようにその開口径が定められてい
る。
【0012】さらに照明光学系3を射出した照明光は、
ミラー4、コンデンサーレンズ5、及び裏面(レチクル
側の面)に回折格子状パターン7が形成されたガラス基
板6を介してレチクル8に照射される。ガラス基板6は
照明光ILに対して透明な基板(石英基板等)であり、
回折格子状パターン7は基板6上に所定のピッチPGで
設けられている1次元の位相型回折格子である。位相格
子パターン7は誘電体薄膜をパターンニングしたもの
で、デューティは1:1であり、その詳細は後述する。
尚、光源1からコンデンサーレンズ5までの構成は、従
来装置と全く同様である。
【0013】さて、ガラス基板6にほぼ垂直に入射した
照明光ILが回折格子状パターン7に入射すると、パタ
ーン7からは±1次回折光のみが発生し、ここで回折さ
れた±1次回折光は、レチクル8に対して所定角度だけ
傾いてパターン領域8a内に形成された回路パターン
(1次元のラインアンドスペースパターン)に入射す
る。尚、レチクルパターン面での照明光の照明領域は円
弧状である。レチクル8は、コラム12上を少なくとも
Z方向(紙面内上下方向)に等速移動可能なレチクルス
テージ9に保持される。レチクルステージ9は駆動系1
1によってZ方向の一次元走査移動、ヨーイング補正の
ための微小回転移動等を行う。また、レチクルステージ
9の一端にはレーザ干渉計10からの測長ビームを反射
する移動鏡9mが固定され、レチクル8のZ方向の位置
とヨーイング量とが干渉計10によってリアルタイムに
計測される。
【0014】レチクル8に形成されたパターンは、投影
光学系(G1 〜G4 、M1 、M2)により1/4に縮小さ
れてウエハ13上に転写される。ウエハ13は微小回転
可能なウエハホルダ14に保持されるとともに、このホ
ルダ14は2次元移動可能なウエハステージ15上に設
けられている。ウエハステージ15は駆動系17により
駆動され、その座標位置とヨーイング量とはレーザ干渉
計16によって計測される。また、ウエハステージ15
の端部には干渉計16からの測長ビームを反射するため
の固定鏡14mが固定されている。
【0015】さて、図1中の投影光学系(G1 〜G4 、
M1 〜M3)の有効露光領域は円弧状のスリット領域であ
り、露光動作時にはより広い実効露光領域を得るため、
レチクル8とウエハ13との各々を所定速度でZ方向と
X方向とに移動(スキャン)する。このとき、主制御系
18はレチクル8とウエハ13との結像関係を崩さない
ように、ステージ9、15のスキャン速度を制御する。
本実施例では投影倍率を1/4としたので、スキャン露
光時のウエハステージ15のX方向の移動速度Vwsは、
レチクルステージ9のZ方向の移動速度Vrsの1/4で
ある。主制御系18は、干渉計10、16からの位置情
報(さらには速度情報)やヨーイング情報、駆動系1
1、17内のタコジェネレータ等からの速度情報等に基
づいて、スキャン露光時にレチクルステージ9とウエハ
ステージ15とを所定の速度比を保ちつつ、レチクルパ
ターンとウエハ13上の1つのショット領域との相対位
置関係を所定のアライメント誤差内に押えたまま相対移
動させる。
【0016】ここで、図1中に示した投影光学系の具体
的な構成について説明する。図示の通り、レチクルパタ
ーン面からの光束は両凸正レンズL11とレチクル側に凸
面を向けた負メニスカスレンズL12とから成る第1レン
ズ群G1 を通り、第1凹面反射鏡M1 に導かれ、ここで
の反射により所定の縮小倍率が与えられ、第1凹面反射
鏡M1 側に凸面を向けた負メニスカスレンズL21と第1
凹面反射鏡M1 側により強い曲率の面を向けた正レンズ
L22とから成る第2レンズ群G2 に入射する。第2レン
ズ群G2 により、さらに縮小された1次像I1 が形成さ
れる。1次像I1 からの光束は光路屈曲用の平面反射鏡
M3 にて反射され、第2凹面反射鏡M2に入射し、ここ
での反射により等倍よりやや大きい倍率が与えられる。
さらに、第2凹面反射鏡M2 側により強い曲率の面を向
けた正レンズL31、第2凹面反射鏡M2 側に凸面を向け
たメニスカスレンズL32、及び第2凹面反射鏡M2 側に
より強い曲率の面を向けた正レンズL33から成る第3レ
ンズ群G3 により縮小倍率を与えられ、1次像I1 をさ
らに縮小した2次像がウエハ13上に形成される。
【0017】ここでは、第2凹面反射鏡M2 と第3レン
ズ群G3 との間に、第4レンズ群G4として弱い負屈折
力を有する負レンズが配置されており、高次の球面収差
を良好に補正している。
【0018】上記の構成において、第1レンズ群G1 、
第1凹面反射鏡M1 、及び第2レンズ群G2 が第1部分
光学系を構成し、第2凹面反射鏡M2 、第3レンズ群G
3 、及び第4レンズ群G4 が第2部分光学系を構成して
いる。第1部分光学系における第2レンズ群G2 は第1
凹面反射鏡M1 に向かう光束を遮ることなく第1凹面反
射鏡M1 からの反射光のみを集光するために、第1部分
光学系の光軸AX1の片側にのみ設けられている。また、
光路屈曲用の平面反射鏡M3 は、第3レンズ群G3 の近
傍において第1部分光学系の光軸AX1に対して45°の
角度で斜設され、第2部分光学系の光軸AX2を第1部分
光学系の光軸AX1に対して直交するように構成してい
る。平面反射鏡M3 は1次像I1 の近傍でもあるため、
その大きさは小さく、第3レンズ群G3 中の第1正レン
ズL31の一部を切り欠くことで十分設置することができ
る。また、第2部分光学系中の第4レンズ群G4 は第1
部分光学系の光路を遮らないように設けられる。尚、こ
こでは平面反射鏡M3 の斜設角度を45°としたが、当
然ながら光路の分離が可能な範囲で任意の配置とするこ
とができる。
【0019】図2は、回折格子状パターン7、及びレチ
クル8の部分拡大図である。ここで、回折格子状パター
ン7は位相シフトパターンであり、位相シフト部を透過
した光の位相が光透過部(ガラス裸面部)の透過光の位
相に対してほぼ(2n+1)π[rad](nは整数)だけず
れるものとする。さて、ガラス基板6にほぼ垂直に入射
した照明光ILが回折格子状パターン7に入射すると、
パターン7から発生する回折光は主に±1次回折光のみ
となり、特に0次光(直進光)は発生しない。このた
め、レチクル8に入射する照明光としては垂直入射光束
がなくなり、斜入射光束のみとなる。すなわち、回折格
子状パターン7からの±1次回折光L1 、L2 は、レチ
クル8と垂直な方向に対して互いに角度θ(sinθ=λ/
PG 、λ:照明光ILの波長)だけ傾いて対称的にレチ
クルパターン(1次元のラインアンドスペースパター
ン)RPに入射することになる。
【0020】この結果、例えば特開平4−101148
号公報に開示されている変形光源法(傾斜照明法)と同
様に、レチクルパターンRPから発生する±1次回折光
のいずれか一方と0次回折光とが、投影光学系の瞳面
(フーリエ変換面)内で光軸からほぼ等距離だけ離れた
2つの部分領域を通過し、高解像度と大焦点深度とが得
られることになる。すなわち、本発明は前述の回折格子
状パターンをレチクルパターンの光源側近傍に設けるこ
とにより、原理的には変形光源(傾斜照明)と等価な照
明を実現させたものである。
【0021】ここで、回折格子状パターン7への入射角
も垂直のみでなく、垂直を中心としてある範囲(照明光
の開口数NAIL)を持つが、この場合発生する回折光も
上記のθ方向を中心としてNAILの範囲を有する。ま
た、基板6上での回折格子状パターン7の形成領域は、
レチクル8のパターン面における照明領域(円弧状のス
リット領域)と同程度以上の大きさに定めれば良い。こ
のとき、上記の如き照明光の開口数NAILを考慮し、回
折格子状パターン7の形成領域を、少なくとも開口数N
AILに見合った量だけ照明領域より広げておくことが望
ましい。
【0022】さらに、本実施例ではレチクル8の光源側
近傍に配置したガラス基板6の下面に回折格子状パター
ン7を形成しているが、レチクル8と垂直な方向に関す
る回折格子状パターン7とレチクルパターンRPとの間
隔Δtは狭い方が良い。これは、回折格子状パターン7
の半影ぼけの影響等を除去するためである。尚、レチク
ルパターンRPに対する傾斜照明を実現するための間隔
Δtは、Δt≧PG /2NAILなる関係を満足すれば良
い。また、回折格子状パターン7のピッチPGとレチク
ルパターンRPのピッチPR とは、PG =2×PR なる
関係に定められている。さらにレチクルパターンRPと
回折格子状パターン7とは、互いにほぼ平行となるよう
に配置され、回折格子状パターン7の周期(ピッチ)方
向とレチクルパターンRPの周期(ピッチ)方向とがほ
ぼ一致するように、レチクル8に対してガラス基板6が
相対的に位置合わせされる。従って、ガラス基板6(回
折格子状パターン7)はレチクルパターンのピッチに応
じて交換可能に構成するとともに、レチクル8とほぼ平
行な面内で2次元移動、及び回転可能に構成しておくこ
とが望ましい。
【0023】以上、本発明の原理と回折格子状パターン
の具体的な構成とについて説明したが、実際のレチクル
パターンは主に、互いに直交する2方向の各々に配列さ
れた周期性パターン(縦方向パターンと横方向パター
ン)を多く含んでいる。そこで、この種のレチクルパタ
ーンに好適な回折格子状パターンの一例を図3に示す。
図3に示すように、回折格子状パターン30は市松格子
状の位相型回折格子(位相シフトパターン)である。ま
た、ガラス基板6上での回折格子状パターン30の形成
領域は円弧状で、レチクルパターン面での照明光学系の
照明領域、すなわち投影光学系の有効露光領域よりも多
少広くなるように定めれている。これは、回折格子状パ
ターン30とレチクルパターンRPとの間隔Δtによっ
て発生する照明領域の広がり(ぼけ)を考慮してのこと
である。尚、図3では図示の都合上、市松格子の大きさ
(ピッチ)を誇張して示してある。実際は、円弧状領域
に比べてはるかに微細なピッチPG =2×PR で形成さ
れている。
【0024】さて、図3の如き回折格子状パターン30
にほぼ垂直に照明光ILが入射すると、4つの1次回折
光がそれぞれ(Y、Z)=(+1、+1)、(+1、−
1)、(−1、+1)、(−1、−1)の方向に発生す
ることになる。また、その回折角は市松格子状パターン
の周期(ピッチ)によって一義的に定まる。従って、レ
チクル8に入射する光束は主として上記4方向からの1
次回折光のみとなり、垂直入射光束(回折格子状パター
ン30からの0次回折光)は生じない。
【0025】この結果、レチクル8への入射光21の角
度分布は図4に示す如きものとなる。図4において、u
はY方向の角度、vはZ方向の角度を示し、20は投影
光学系の開口を表している。これは、最近提案されてい
る変形光源法と全く等価なものである。これらの各回折
光のレチクルへの入射角は、レチクルパターンのピッチ
により最適値を有する。この入射角については、例えば
1992年SPIE 1974-63 "New Imaging Technique for
64M-DRAM" 等に述べられている。但し、本実施例のよう
にレチクルの光源側近傍に配置した位相型回折格子によ
り回折光を発生させることで、変形光源法と等価な照明
状態(系)を実現する場合には、位相型回折格子のピッ
チをX、Y方向共に、レチクルパターンのX、Y方向の
ピッチの2倍に定めておけば良い。これは、図3に示し
た市松格子の場合にも全く同様である。これによって、
レチクルパターンのピッチに応じた最適な照明光入射角
を得ることができる。
【0026】また、上記関係は照明光の波長によらず一
定であるので、光源が広帯域、あるいは離散的な数本の
輝線よりなる波長幅を有していても、レチクルパターン
のピッチに応じた最適の照明条件を実現できる。尚、位
相型回折格子7、30によって与えられる位相差は露光
波長が変化すると、理想的な位相差π[rad] よりずれる
ことになる。但し、例えば中心波長が240nmで波長
幅が±10nm程度の光源を想定すると、波長240n
mの光に対して180°(π[rad])の位相差を与える位
相シフターは、230nmの光に対しては187.8°
の位相差を与えることになる。このような場合、位相シ
フターによる0次光の相殺は完全には生じないため、図
4の原点(u=v=0)近傍に0次回折光が生じる、す
なわちレチクルに対して従来の如きほぼ垂直なる入射光
が生じてしまうことになる。この結果、上記構成の装置
(図1)における変形光源法と等価な効果は薄らぐこと
となる。しかしながら、187.8°の位相差で生じる
0次光と4つの1次回折光との強度比はわずか0.7%
にすぎないので、実質上像質(解像度、焦点深度)が劣
化するような量ではない。
【0027】また、図1から明らかなように回折格子状
パターン7は、レチクルパターンを転写すべきウエハ面
と共役な関係(結像関係)にはないので、その欠陥や付
着した異物がウエハ面に転写され難く、多少の欠陥等が
存在していても全く問題とはならない。さらに、図3に
示す如き位相型回折格子30に対して、レチクル8はZ
方向に走査(スキャン)されることになるが、このスキ
ャンに伴う平均化(Z方向)によっても回折格子の欠陥
等が平滑化され、より一層目立たなくなるという効果が
ある。
【0028】ここで、上記実施例(図2)では回折格子
状パターン7をガラス基板6に形成していたが、例えば
レチクル8のガラス面(パターン形成面と反対側の面)
に形成しても良い。但し、この場合にはレチクルパター
ンの形成領域8aに対応してほぼ全面に回折格子状パタ
ーンを形成しておく必要がある。また、レチクル8のパ
ターン面と共役な面、もしくはその共役面から光源側に
所定間隔(上記Δtとコンデンサーレンズ5等を含む合
成系の倍率とに対応した値)だけ離れた面内に回折格子
状パターンを配置するようにしても良い。前者の場合、
欠陥等の転写という問題は上記の如きスキャンに伴う平
均化効果のみにより低減するしかないが、先に述べた半
影ぼけはなくなるといった利点がある。後者の場合は、
上記実施例と全く同様の効果が得られる。さらに、レチ
クルパターン面での照明領域を円弧状とするため、照明
光学系3中のレチクルパターン面とほぼ共役な面内に配
置される絞り部材、すなわち円弧状スリットに回折格子
状パターンを形成するようにしても良い。
【0029】また、図3に示したように上記実施例で
は、レチクル8のスキャン方向(Z方向)と回折格子状
パターン30の周期方向(ピッチ方向で、Y、Z方向)
とを一致、または直交させていたが、上記の如きスキャ
ンによる平均化効果により、少なくとも一方の周期方向
をスキャン方向に対してほんのわずかにずらしても良
い。このことは、回折格子状パターンを製造する上で有
利になることを意味している。
【0030】ところで、図1の装置に適用される回折格
子状パターンは、投影光学系(及び照明光学系)のレチ
クル側有効領域程度の大きさ(面積)であれば良く、レ
チクルのパターン領域に対応してその全面に形成してお
く必要はない。従って、大きなサイズのレチクルを使用
する場合でも、回折格子自体は小型のもので良く、コス
ト的に有利である。また、同一ガラス基板上に、互いに
ピッチや周期方向が異なる複数の位相型回折格子を形成
しておき、レチクルパターンのピッチに応じてガラス基
板を移動し、そのレチクルパターンに最適な回折格子を
照明光路中に配置するように構成しても良い。
【0031】尚、上記実施例では投影光学系として反射
屈折縮小投影光学系を用いた例を示したが、反射素子の
みから成る投影光学系、屈折素子のみから成る投影光学
系等を用いても、上記と全く同様の効果を得られる。特
に屈折素子のみから成る投影光学系を用いる場合には、
レチクルパターン面上での照明領域を矩形状としても良
い。また、上記の如き投影光学系の投影倍率も任意の倍
率であって構わない。さらに、ステップアンドスキャン
方式以外のいかなるスキャン方式の投影露光装置に対し
ても本発明を適用して同様の効果を得ることができる。
【0032】
【発明の効果】以上のように本発明によれば、従来通り
の走査露光方式の投影露光装置に回折格子状パターンを
追加するだけで変形光源法と等価な照明光源を実現で
き、高解像度、大焦点深度の投影露光が可能となる。特
に、マスクパターンの照明領域が円弧状となる反射型の
投影光学系を備えた投影露光装置においては、照明光学
系の変形により変形光源法を適用することが難しいた
め、本発明は極めて有効である。また、露光波長が比較
的広帯域でもよい反射型、もしくは反射屈折型の投影光
学系を備えた投影露光装置においても、本発明は広帯域
の照明光に適しているため、容易に応用することができ
る。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の実施例による投影露光装置の概略的な
構成を示す図。
【図2】回折格子状パターン及びレチクルの部分拡大
図。
【図3】図1に示す装置に好適な回折格子状パターンの
一例を示す図。
【図4】図3に示す回折格子状パターンを用いたときの
レチクルへの入射光の角度分布を示す図。
【符号の説明】
6 ガラス基板 7、30 回折格子状パターン 8 レチクル 13 ウエハ 18 主制御系 G1 〜G4 、M1 〜M3 投影光学系
【手続補正書】
【提出日】平成11年6月29日
【手続補正1】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正内容】
【発明の名称】 走査型露光装置、および該装置を用い
るデバイス製造方法
【手続補正2】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正内容】
【特許請求の範囲】
【手続補正3】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】0008
【補正方法】変更
【補正内容】
【0008】
【課題を解決するための手段】かかる問題点を解決する
ために、請求項1の本発明においては、マスク(8)の
パターン形成面、またはその共役面から光源側に所定間
隔だけ離れた面、もしくはマスクのパターンの共役面内
に配置され、かつ照明光ILが入射したとき、入射光の
少なくとも一部をマスク(8)のパターンに対して所定
角度だけ傾けて入射させる回折格子状パターン(7)を
設けることとした。また請求項6に記載の本発明によれ
ば、走査露光中に、所定の第1面(YZ面)で第1物体
(8)を保持する可動体(9)を第1方向(Z方向)に
移動し、その第1面と交差する第2面(XY面)で第2
物体(13)を保持する可動体を第2方向(X方向)へ
移動するようにした。
【手続補正4】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】0009
【補正方法】変更
【補正内容】
【0009】
【作用】請求項1の本発明によれば、光源から発生して
マスクのパターン面に至る照明光は、照明光学系により
マスクのパターン面への入射角度範囲が制限されてい
る。この角度範囲をより大きくする(照明光をより傾け
て入射させる)ためには、より大きな開口数の照明光学
系が必要となる。そこで本発明では、マスクパターンの
光源側近傍に回折格子状パターンを配置し、ここで回折
された光を用いてマスクパターンを照明する。従って、
従来の照明光学系をそのまま用いても、照明光(回折格
子状パターンからの回折光)のマスクへの入射角度を従
来装置よりも大きくすることが可能となる。また、特に
回折格子状パターンを位相型回折格子とすれば、当該パ
ターンからの0次回折光の発生を防止することができ、
変形光源法と全く等価な照明状態を実現して高解像度、
大焦点深度の投影露光が可能となる。また請求項6の本
発明によれば、第1物体(レチクル8)と第2物体(ウ
エハ13)の各々を互いに交差する面内で同期して移動
できるようになっているので、投影光学系の構成に制限
がなく、たとえば屈折素子と反射素子との組み合せで構
成される縮小投影光学系を用いることもできる。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 光源からの照明光をマスクに照射する照
    明光学系と、前記マスクに形成されたパターンを感光基
    板上に投影する投影光学系とを有し、前記マスクのパタ
    ーンを走査露光方式で前記感光基板に露光する走査型露
    光装置において、 前記マスクのパターン、またはその共役面から光源側に
    所定間隔だけ離れた面、もしくは前記マスクのパターン
    の共役面内に配置され、かつ前記照明光が入射したと
    き、該入射光の少なくとも一部を前記マスクのパターン
    に対して所定角度だけ傾けて入射させる回折格子状パタ
    ーンを備え、 該回折格子状パターンの形成領域を、前記マスクのパタ
    ーンの照明領域程度以上の大きさに定めたことを特徴と
    する走査型露光装置。
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