JP5362076B2 - 極端紫外光用ミラー、極端紫外光用ミラーの製造方法及び極端紫外光生成装置 - Google Patents
極端紫外光用ミラー、極端紫外光用ミラーの製造方法及び極端紫外光生成装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP5362076B2 JP5362076B2 JP2012132161A JP2012132161A JP5362076B2 JP 5362076 B2 JP5362076 B2 JP 5362076B2 JP 2012132161 A JP2012132161 A JP 2012132161A JP 2012132161 A JP2012132161 A JP 2012132161A JP 5362076 B2 JP5362076 B2 JP 5362076B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- extreme ultraviolet
- ultraviolet light
- mirror
- light
- laser
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
Images
Landscapes
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- X-Ray Techniques (AREA)
- Optical Elements Other Than Lenses (AREA)
- Microscoopes, Condenser (AREA)
- Optical Filters (AREA)
- Diffracting Gratings Or Hologram Optical Elements (AREA)
Description
図1〜図4に基づいて第1実施形態を説明する。図1は、EUV集光ミラー130を拡大して示す説明図、図2は、EUV集光ミラー130を備えるEUV光源装置1の説明図、図3は、EUV集光ミラー130に設けられるブレーズド溝の説明図、図4は、EUV光の入射角度に応じてペア層の厚みを設定するための特性図である。先に図2を参照してEUV光源装置1の構成を説明し、次に図1等を参照してEUV集光ミラー130の構成を説明する。
以下、図5〜図7に基づいて第2実施形態を説明する。以下に述べる各実施形態は、第1実施形態の変形例に相当する。従って、第1実施形態との相違点を中心に説明する。本実施形態と第1実施形態との相違点は、ブレーズド溝の角度が逆である点と、その相違点に伴ってダンパ105が新たに設けられている点とにある。
図8,図9に基づいて第3実施形態を説明する。本実施形態では、ブレーズド溝の変形例について説明する。図8は、EUV集光ミラー130を正面からみた図である。図8(a)に示すように、ブレーズド溝133を同心円状に形成してもよいし、あるいは、図8(b)に示すように平行な直線状に形成してもよい。
図10に基づいて第4実施形態を説明する。以下、SPF機能を有するEUV集光ミラー130の製造方法について幾つかの例を説明する。
図11に基づいて第5実施形態を説明する。本実施形態では、EUV光の集まる中間集光点IFに対応する位置を回動軸412(IF)とし、イオンミリング装置410及びマスク420を回動させる。
図12に基づいて第6実施形態を説明する。本実施形態では、図12(a)に示すように、回動412(201)の位置を、プラズマ201の発生点に設定する。さらに、図12(b)に示すように、EUV集光ミラー130の半径に相当する長さのマスク420Aを用い、この長いマスク420Aには各ブレーズド溝に対応するパターン421をそれぞれ設けておく。従って、イオンミリング装置410を径方向に揺動させながらイオンビームを照射するだけで、各ブレーズド溝を形成することができる。
図13〜図15に基づいて第7実施形態を説明する。本実施形態のEUV集光ミラー130Bは、ブレーズド溝に代えて、三角波状の溝133Bを備える。本実施形態のEUV集光ミラー130Bでは、基板部135の表面を覆う多層膜に、三角波状の溝133Bを一体的に形成する。第1実施形態と同様に、本実施形態においても、Mo/Siペア層の多層膜を例えば300層積層し、表面から250層分を三角波状または三角屋根型に形成する。図13中、軸線AX1a,AX1bは、基板部135に垂直な軸を示し、他の軸線AX2a,AX2bは、三角波状の溝133Bの斜面に垂直な軸を示す。
図16〜図18に基づいて第8実施形態を説明する。本実施形態のEUV集光ミラー130Cは、波状の溝133Cを備える。波状の例として、正弦波状を挙げることができる。本実施形態においても、Mo/Siペア層の多層膜を例えば300層積層し、表面から250層分を波状に形成する。図13中、軸線AX1L,AX1Rは、基板部135に垂直な軸を示し、他の軸線AX2L,AX2Rは、円弧状の面に垂直な軸を示す。符号133C1は波の頂上を、符号133C2は波の谷をそれぞれ示す。
Claims (53)
- ドライバレーザから出力されたレーザ光をターゲットに照射してプラズマを生成するように構成された極端紫外光生成装置に用いられる極端紫外光用ミラーであって、
少なくとも前記ドライバレーザからの前記レーザ光の波長と同一波長の光を回折するように構成された同心円状の溝を有し、前記プラズマから放射された前記極端紫外光を第1の集光点に集光するように回折させるとともに、前記ターゲットによって反射または散乱した前記レーザ光が前記極端紫外光の前記第1の集光点とは異なる第2の集光点に集光するように前記反射または散乱したレーザ光を回折させる多層反射面を備える極端紫外光用ミラー。 - 前記溝によって回折される光の波長は、略10.6μm(マイクロメータ)である、請求項1に記載の極端紫外光用ミラー。
- 前記ドライバレーザは、炭酸ガスレーザである、請求項1または2に記載の極端紫外光用ミラー。
- 第1焦点と、該第1焦点とは異なる第2焦点とを備える、請求項1〜3のいずれか一つに記載の極端紫外光用ミラー。
- 前記溝は、前記第1焦点と前記第2焦点とを通る軸に対して同心円状に配置されている、請求項4に記載の極端紫外光用ミラー。
- 楕円ミラーおよび放物面ミラーのうちいずれか一方である、請求項1〜3のいずれか一つに記載の極端紫外光用ミラー。
- 前記溝は、前記楕円ミラーおよび前記放物面ミラーのうちいずれか一方の前記多層反射面の対称軸に対して同心円状に配置されている、請求項6に記載の極端紫外光用ミラー。
- 隣接する前記溝同士の最下部の間の距離は、300μm以上800μm以下である、請求項1〜7のいずれか一つに記載の極端紫外光用ミラー。
- 隣接する前記溝同士の最下部の間の距離は、1.54μm以上400μm以下である、請求項1〜7のいずれか一つに記載の極端紫外光用ミラー。
- 隣接する前記溝同士の最下部の間の距離は、400μm以上800μm以下である、請求項1〜7のいずれか一つに記載の極端紫外光用ミラー。
- 隣接する前記溝同士の最下部の間の距離は、1.54μm以上800μm以下である、請求項1〜7のいずれか一つに記載の極端紫外光用ミラー。
- 前記多層反射面は、100以上1000以下に積層されたMo/Siペア層を備える、請求項1〜11のいずれか一つに記載の極端紫外光用ミラー。
- 前記多層反射面は、積層されたMo/Siペア層を備え、
各溝の最下部は、表面から数えて約250番目から300番目の前記Mo/Siペア層まで達している、請求項1〜11のいずれか一つに記載の極端紫外光用ミラー。 - 前記多層反射面を有する基板を備え、
前記多層反射面は、積層されたMo/Siペア層を備え、
各溝の最下部から前記基板までの間には、略50層の前記Mo/Siペア層が含まれる、
請求項13に記載の極端紫外光用ミラー。 - 前記多層反射面の表面を覆う表面コーティングをさらに備える、請求項1〜14のいずれか一つに記載の極端紫外光用ミラー。
- 前記表面コーティングの材料は、ルテニウムを含む、請求項15に記載の極端紫外光用ミラー。
- 前記溝は、前記ターゲットによって反射または散乱した光を回折するように構成されている、請求項1〜16のいずれか一つに記載の極端紫外光用ミラー。
- 前記溝は、前記ターゲットによって反射または散乱した前記レーザ光を回折するように構成されている、請求項1〜17のいずれか一つに記載の極端紫外光用ミラー。
- 前記溝は、前記ターゲットによって反射または散乱した前記レーザ光が所定の位置に集光するように、該反射または散乱したレーザ光を回折する、請求項1〜18のいずれか一つに記載の極端紫外光用ミラー。
- 前記溝の間隔は、前記多層反射面上の位置に応じて変化する、請求項1〜20のいずれか一つに記載の極端紫外光用ミラー。
- ドライバレーザからのレーザ光をターゲットに照射することで該ターゲットを極端紫外光の放射源であるプラズマに状態変化させ、該プラズマから放射した極端紫外光を露光装置へ入力するように構成された極端紫外光生成装置であって、
チャンバと、
前記チャンバ内へ前記ターゲットを供給するように構成されたターゲット供給装置と、
前記チャンバ内に配置され、少なくとも前記ドライバレーザからの前記レーザ光の波長と同一波長の光を回折するように構成された同心円状の溝を有し、前記プラズマから放射された前記極端紫外光を第1の集光点に集光するように回折させるとともに、前記ターゲットによって反射または散乱した前記レーザ光が前記極端紫外光の前記第1の集光点とは異なる第2の集光点に集光するように前記反射または散乱したレーザ光を回折させる多層反射面を備える極端紫外光用ミラーと、
を備える極端紫外光生成装置。 - 前記溝によって回折される光の波長は、略10.6μm(マイクロメータ)である、請求項21に記載の極端紫外光生成装置。
- 前記ドライバレーザは、炭酸ガスレーザである、請求項21または22に記載の極端紫外光生成装置。
- 前記プラズマの周囲に磁界を生成する磁界生成部をさらに備える、請求項21〜23のいずれか一つに記載の極端紫外光生成装置。
- 前記磁界生成部は、前記磁界を形成するための複数のコイルを含む、請求項24に記載の極端紫外光生成装置。
- 前記ターゲット供給装置は、ドロップレットの形態で前記ターゲットを前記チャンバ内に供給するように構成されている、請求項21〜25のいずれか一つに記載の極端紫外光生成装置。
- 前記ターゲットの材料は、Snである、請求項21〜26のいずれか一つに記載の極端紫外光生成装置。
- 前記チャンバは、水素ガス、ハロゲンガス、水素ハロゲンガスおよびアルゴンガスのうち少なくとも1つを含む、請求項21〜27のいずれか一つに記載の極端紫外光生成装置。
- 前記極端紫外光用ミラーを加熱するヒータをさらに備える、請求項28に記載の極端紫外光生成装置。
- 前記チャンバ内の前記水素ガス、前記ハロゲンガス、前記水素ハロゲンガスおよび前記アルゴンガスのうち少なくとも1つを励起するための電磁波を生成するように構成された電磁波生成部をさらに備える、請求項28または29に記載の極端紫外光生成装置。
- 前記極端紫外光用ミラーと前記露光装置との間に配置され、前記極端紫外光用ミラーによって前記第1の集光点に集光された光を通過するように構成された遮光部をさらに備える、請求項21〜30のいずれか一つに記載の極端紫外光生成装置。
- 前記遮光部は、前記ターゲットが前記プラズマへ状態変化する領域と前記露光装置との間に配置されている、請求項31に記載の極端紫外光生成装置。
- 前記遮光部は、当該遮光部を冷却する冷却部を含む、請求項31または32に記載の極端紫外光生成装置。
- 前記遮光部は、前記第1の集光点に集光された前記光が通過するアパーチャを含む、請求項32〜33のいずれか一つに記載の極端紫外光生成装置。
- 前記アパーチャの開口径は、10mm(ミリメートル)以下である、請求項34に記載の極端紫外光生成装置。
- 前記アパーチャの開口径は、4mm以上6mm以下である、請求項34に記載の極端紫外光生成装置。
- 前記極端紫外光用ミラーは、第1焦点と、該第1焦点とは異なる第2焦点とを備える、請求項21〜36のいずれか一つに記載の極端紫外光生成装置。
- 前記溝は、前記第1焦点と前記第2焦点とを通る軸に対して前記同心円状に配置されている、請求項37に記載の極端紫外光生成装置。
- 前記極端紫外光用ミラーは、楕円ミラーおよび放物面ミラーのうちいずれか一方である、請求項21〜38のいずれか一つに記載の極端紫外光生成装置。
- 前記溝は、前記楕円ミラーおよび前記放物面ミラーのうちいずれか一方の前記多層反射面の対称軸に対して前記同心円状に配置されている、請求項39に記載の極端紫外光生成装置。
- 隣接する前記溝同士の最下部の間の距離は、300μm以上800μm以下である、請求項21〜40のいずれか一つに記載の極端紫外光生成装置。
- 前記多層反射面の表面を覆う表面コーティングをさらに備える、請求項21〜41のいずれか一つに記載の極端紫外光生成装置。
- 前記表面コーティングの材料は、ルテニウムを含む、請求項42に記載の極端紫外光生成装置。
- 前記極端紫外光用ミラーは、前記プラズマから放射した前記極端紫外光を最初に反射する位置に配置されている、請求項21〜43のいずれか一つに記載の極端紫外光生成装置。
- 前記極端紫外光用ミラーは、前記プラズマから放射した前記極端紫外光が直接入射する位置に配置されている、請求項21〜43のいずれか一つに記載の極端紫外光生成装置。
- 請求項1に記載の極端紫外光用ミラーの製造方法であって、
前記多層反射膜に粒子ビームを照射することで、少なくとも前記ドライバレーザからの前記レーザ光の波長と同一波長の光を回折し、前記プラズマから放射された前記極端紫外光を第1の集光点に集光するように回折させるとともに、前記ターゲットによって反射または散乱した前記レーザ光が前記極端紫外光の前記第1の集光点とは異なる第2の集光点に集光するように前記反射または散乱したレーザ光を回折させる同心円状の溝を形成する照射工程を含む、極端紫外光用ミラーの製造方法。 - 前記粒子ビームは、イオンビームである、請求項46に記載の極端紫外光用ミラーの製造方法。
- 前記照射工程は、前記多層反射面が前記粒子ビームで照射されているとき、前記極端紫外光用ミラーの対称軸を回転軸として該極端紫外光用ミラーを回転させることを含む、請求項46または47に記載の極端紫外光用ミラーの製造方法。
- 前記照射工程は、
第1方向から前記多層反射面を前記粒子ビームで照射することで第1溝を形成する第1溝形成工程と、
前記粒子ビームの照射方向を前記第1方向から第2方向へ変更する照射方向変更工程と、
前記第2方向から前記多層反射面を前記粒子ビームで照射することで第2溝を形成する第2溝形成工程と、
を含む、請求項46記載の極端紫外光用ミラーの製造方法。 - 前記第1方向および前記第2方向は、前記粒子ビームが照射される前記多層反射面に対して実質的に垂直である、請求項48または49に記載の極端紫外光用ミラーの製造方法。
- ドライバレーザから出力されたレーザ光をターゲットに照射してプラズマを生成するように構成された極端紫外光生成装置に用いられる極端紫外光用ミラーであって、
少なくとも前記ドライバレーザからの前記レーザ光の波長と同一波長の光を回折するように構成された同心円状の溝を有し、前記プラズマから放射された前記極端紫外光を第1の集光点に集光するように回折させるとともに、前記ターゲットによって反射または散乱した前記レーザ光が前記極端紫外光の前記第1の集光点とは異なる第2の集光点に集光するように前記反射または散乱したレーザ光を回折させる多層反射面を備えた楕円ミラーである極端紫外光用ミラー。 - 第1焦点と、該第1焦点と異なる第2焦点とを備え、前記第1焦点付近で生成された前記プラズマから放射した前記極端紫外光を前記第2焦点付近に集光するように構成されている、請求項51に記載の極端紫外光用ミラー。
- 前記多層反射面は、ブラッグ反射によって前記極端紫外光を前記集光点に集光するように構成されている、請求項51または52に記載の極端紫外光用ミラー。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2012132161A JP5362076B2 (ja) | 2008-05-20 | 2012-06-11 | 極端紫外光用ミラー、極端紫外光用ミラーの製造方法及び極端紫外光生成装置 |
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2008132479 | 2008-05-20 | ||
JP2008132479 | 2008-05-20 | ||
JP2012132161A JP5362076B2 (ja) | 2008-05-20 | 2012-06-11 | 極端紫外光用ミラー、極端紫外光用ミラーの製造方法及び極端紫外光生成装置 |
Related Parent Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2008212787A Division JP5061063B2 (ja) | 2008-05-20 | 2008-08-21 | 極端紫外光用ミラーおよび極端紫外光源装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2012212904A JP2012212904A (ja) | 2012-11-01 |
JP5362076B2 true JP5362076B2 (ja) | 2013-12-11 |
Family
ID=41585446
Family Applications (4)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2008226548A Active JP5061069B2 (ja) | 2008-05-20 | 2008-09-04 | 極端紫外光を用いる半導体露光装置 |
JP2012132160A Pending JP2012182492A (ja) | 2008-05-20 | 2012-06-11 | 極端紫外光用ミラー、極端紫外光用ミラーの製造方法及び極端紫外光源装置 |
JP2012132145A Active JP5439541B2 (ja) | 2008-05-20 | 2012-06-11 | 極端紫外光を用いる半導体露光装置 |
JP2012132161A Active JP5362076B2 (ja) | 2008-05-20 | 2012-06-11 | 極端紫外光用ミラー、極端紫外光用ミラーの製造方法及び極端紫外光生成装置 |
Family Applications Before (3)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2008226548A Active JP5061069B2 (ja) | 2008-05-20 | 2008-09-04 | 極端紫外光を用いる半導体露光装置 |
JP2012132160A Pending JP2012182492A (ja) | 2008-05-20 | 2012-06-11 | 極端紫外光用ミラー、極端紫外光用ミラーの製造方法及び極端紫外光源装置 |
JP2012132145A Active JP5439541B2 (ja) | 2008-05-20 | 2012-06-11 | 極端紫外光を用いる半導体露光装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (4) | JP5061069B2 (ja) |
Families Citing this family (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US9372413B2 (en) * | 2011-04-15 | 2016-06-21 | Asml Netherlands B.V. | Optical apparatus for conditioning a radiation beam for use by an object, lithography apparatus and method of manufacturing devices |
DE102012010093A1 (de) * | 2012-05-23 | 2013-11-28 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Facettenspiegel |
WO2014098181A1 (ja) * | 2012-12-20 | 2014-06-26 | ギガフォトン株式会社 | 極端紫外光生成システム及び極端紫外光生成装置 |
US9442387B2 (en) | 2013-02-01 | 2016-09-13 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Extreme ultraviolet lithography process |
DE102014216240A1 (de) * | 2014-08-15 | 2016-02-18 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Reflektives optisches Element |
DE102014117453A1 (de) * | 2014-11-27 | 2016-06-02 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Kollektorspiegel für Mikrolithografie |
TWI800855B (zh) * | 2016-06-20 | 2023-05-01 | 日商尼康股份有限公司 | 具有失真匹配的密集線極紫外光微影系統以及將圖案轉移至工件上的方法 |
Family Cites Families (28)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4727550A (en) * | 1985-09-19 | 1988-02-23 | Chang David B | Radiation source |
US4915463A (en) * | 1988-10-18 | 1990-04-10 | The United States Of America As Represented By The Department Of Energy | Multilayer diffraction grating |
JPH04120717A (ja) * | 1990-09-12 | 1992-04-21 | Nec Corp | X線露光装置 |
JPH07120607A (ja) * | 1993-10-22 | 1995-05-12 | Hitachi Ltd | 光学素子及びその製造方法 |
JPH07297103A (ja) * | 1994-04-22 | 1995-11-10 | Hitachi Ltd | パターン形成方法、投影露光装置、光学系及びその設計方法 |
JPH0817720A (ja) * | 1994-06-30 | 1996-01-19 | Nikon Corp | 投影露光装置 |
JP3167095B2 (ja) * | 1995-07-04 | 2001-05-14 | キヤノン株式会社 | 照明装置とこれを有する露光装置や顕微鏡装置、ならびにデバイス生産方法 |
US6469827B1 (en) * | 1998-08-06 | 2002-10-22 | Euv Llc | Diffraction spectral filter for use in extreme-UV lithography condenser |
JP2000346817A (ja) * | 1999-06-07 | 2000-12-15 | Nikon Corp | 測定装置、照射装置および露光方法 |
KR100931335B1 (ko) * | 2000-09-29 | 2009-12-11 | 칼 짜이스 에스엠티 아게 | 격자 엘리먼트를 구비한 조명 시스템 |
TWI240151B (en) * | 2000-10-10 | 2005-09-21 | Asml Netherlands Bv | Lithographic apparatus, device manufacturing method, and device manufactured thereby |
JP4415523B2 (ja) * | 2001-09-13 | 2010-02-17 | 株式会社ニコン | 多層膜反射鏡、その製造方法、x線露光装置、半導体デバイスの製造方法及びx線光学系 |
DE60213202T2 (de) * | 2002-05-03 | 2007-07-19 | Inalfa Roof Systems Group B.V. | Öffnungsfähige Dachkonstruktion für ein Fahrzeug und Verfahren für die Betätigung eines zugehörigen Schliesselementes |
JP2004108876A (ja) * | 2002-09-17 | 2004-04-08 | Canon Inc | 多層膜ミラーの検査修正装置 |
US6809327B2 (en) * | 2002-10-29 | 2004-10-26 | Intel Corporation | EUV source box |
SG139554A1 (en) * | 2002-12-20 | 2008-02-29 | Asml Netherlands Bv | Lithographic apparatus, device manufacturing method, and device manufactured thereby |
JP2004258423A (ja) * | 2003-02-27 | 2004-09-16 | Nitto Denko Corp | 三角溝及び光学素子の製造方法 |
EP1496521A1 (en) * | 2003-07-09 | 2005-01-12 | ASML Netherlands B.V. | Mirror and lithographic apparatus with mirror |
SG112034A1 (en) * | 2003-11-06 | 2005-06-29 | Asml Netherlands Bv | Optical element, lithographic apparatus comprising such optical element and device manufacturing method |
JP4508708B2 (ja) * | 2004-04-12 | 2010-07-21 | キヤノン株式会社 | Euv光を用いた露光装置および露光方法 |
US7050237B2 (en) * | 2004-06-02 | 2006-05-23 | The Regents Of The University Of California | High-efficiency spectral purity filter for EUV lithography |
JP4578901B2 (ja) * | 2004-09-09 | 2010-11-10 | 株式会社小松製作所 | 極端紫外光源装置 |
US7196343B2 (en) * | 2004-12-30 | 2007-03-27 | Asml Netherlands B.V. | Optical element, lithographic apparatus including such an optical element, device manufacturing method, and device manufactured thereby |
KR101267144B1 (ko) * | 2005-05-23 | 2013-05-23 | 가부시키가이샤 니콘 | 센서의 교정 방법, 노광 방법, 노광 장치, 디바이스 제조방법, 및 반사형 마스크 |
JP4924604B2 (ja) * | 2006-03-10 | 2012-04-25 | 株式会社ニコン | 投影光学系、露光装置および半導体デバイスの製造方法 |
JP4850558B2 (ja) * | 2006-03-31 | 2012-01-11 | キヤノン株式会社 | 光源装置、及びそれを用いた露光装置、デバイス製造方法 |
NL1036891A1 (nl) * | 2008-05-02 | 2009-11-03 | Asml Netherlands Bv | Dichroic mirror, method for manufacturing a dichroic mirror, lithographic apparatus, semiconductor device and method of manufacturing therefor. |
US9097982B2 (en) * | 2008-05-30 | 2015-08-04 | Asml Netherlands B.V. | Radiation system, radiation collector, radiation beam conditioning system, spectral purity filter for radiation system and method for forming a spectral purity filter |
-
2008
- 2008-09-04 JP JP2008226548A patent/JP5061069B2/ja active Active
-
2012
- 2012-06-11 JP JP2012132160A patent/JP2012182492A/ja active Pending
- 2012-06-11 JP JP2012132145A patent/JP5439541B2/ja active Active
- 2012-06-11 JP JP2012132161A patent/JP5362076B2/ja active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2012212904A (ja) | 2012-11-01 |
JP2010004002A (ja) | 2010-01-07 |
JP5439541B2 (ja) | 2014-03-12 |
JP2012216854A (ja) | 2012-11-08 |
JP5061069B2 (ja) | 2012-10-31 |
JP2012182492A (ja) | 2012-09-20 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5061063B2 (ja) | 極端紫外光用ミラーおよび極端紫外光源装置 | |
JP5362076B2 (ja) | 極端紫外光用ミラー、極端紫外光用ミラーの製造方法及び極端紫外光生成装置 | |
US8507885B2 (en) | Semiconductor exposure device using extreme ultra violet radiation | |
US8895946B2 (en) | Source-collector modules for EUV lithography employing a GIC mirror and a LPP source | |
TWI311695B (en) | Multi-layer spectral purity filter, lithographic apparatus including such a spectral purity filter, device manufacturing method, and device manufactured thereby | |
US9195144B2 (en) | Spectral purity filter, radiation source, lithographic apparatus, and device manufacturing method | |
US9097982B2 (en) | Radiation system, radiation collector, radiation beam conditioning system, spectral purity filter for radiation system and method for forming a spectral purity filter | |
JP4404508B2 (ja) | リソグラフィ投影装置 | |
US10001709B2 (en) | Lithographic apparatus, spectral purity filter and device manufacturing method | |
JP4799620B2 (ja) | 放射システムおよびリソグラフィ装置 | |
US8884257B2 (en) | Chamber apparatus and extreme ultraviolet light generation system | |
JP5758662B2 (ja) | 極端紫外光生成装置及び極端紫外光生成方法 | |
JP6232210B2 (ja) | ミラー装置、極端紫外光生成装置及び極端紫外光生成システム | |
JP4966312B2 (ja) | Euv光発生装置及びeuv露光装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20130604 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20130725 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20130813 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20130903 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 5362076 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |