JP2010533973A - デブリ防止システム、放射システム、及びリソグラフィ装置 - Google Patents

デブリ防止システム、放射システム、及びリソグラフィ装置 Download PDF

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Abstract

【課題】デブリ防止システムにおいて、回転フォイルトラップへの熱負荷を低減すること。
【解決手段】デブリ防止システムは、放射源（２）から放出されるデブリが放射源（２）からの放射と共にリソグラフィ装置内へ及びその中で伝播することを阻止するように構成される。このデブリ防止システムは、放射源（２）から到来する放射の最大放出角（α）を画定するアパーチャ（３）と、放射透過率を有する第１のデブリバリア（４、４’）を含む。第１のデブリバリア（４、４’）は回転フォイルトラップを含む。このデブリ防止システムは更に、放射透過率を有する第２のデブリバリア（５）を含む。第１のデブリバリア（４、４’）は放出角の一部をカバーするように構成され、第２のデブリバリア（５）は放出角の別の一部（θ）をカバーするように構成される。
【選択図】図２

Description

[0001] 本発明は、一般に、デブリ防止システム、放射システム、及びそれらを含むリソグラフィ装置に関する。より具体的には、本発明は、放射源から放出されるデブリが放射源からの放射と共にリソグラフィ装置内へ及びその中で伝播することを阻止するように構成されたデブリ防止システムに関する。
[0002] リソグラフィ装置は、所望のパターンを基板上、通常、基板のターゲット部分上に付与する機械である。リソグラフィ装置は、例えば、集積回路（ＩＣ）の製造に用いることができる。その場合、ＩＣの個々の層上に形成される回路パターンを生成するために、マスク又はレチクルとも呼ばれるパターニングデバイスを用いることができる。このパターンは、基板（例えばシリコンウェーハ）上のターゲット部分（例えば、ダイの一部又は１つ以上のダイを含む）に転写することができる。通常、パターンの転写は、基板上に設けられた放射感応性材料（レジスト）層上への結像によって行われる。一般には、単一の基板が、連続的にパターニングされる隣接したターゲット部分のネットワークを含んでいる。公知のリソグラフィ装置としては、ターゲット部分上にパターン全体を一度に露光することにより各ターゲット部分を照射するいわゆるステッパ、及び放射ビームによってある特定の方向（「スキャン」方向）にパターンをスキャンすると同時に、この方向に平行又は逆平行に基板をスキャンすることにより各ターゲット部分を照射するいわゆるスキャナが含まれる。パターンを基板上にインプリントすることにより、パターニングデバイスから基板にパターンを転写することも可能である。
[0003] ＥＵＶ放射に加えて、ＥＵＶリソグラフィに用いられる放射源は、光学部品やリソグラフィプロセスがその中で行われる作業環境に有害である汚染物質を発生する。したがって、ＥＵＶリソグラフィでは、ＥＵＶ源から到来する放射ビームを調整するように構成された光学システムの汚染を制限することが望まれている。この目的を達成するために、例えば米国特許第６，８３８，６８４号に開示されるようないわゆる回転フォイルトラップ（ＲＦＴ）を使用することが知られている。フォイルトラップには、ＥＵＶ源によって発生される放射の方向にほぼ平行に整列される多数の密に詰められたフォイルが用いられる。微粒子、ナノ粒子、及びイオンといった汚染デブリをフォイルプレートによって与えられる壁によって捕捉することができる。したがって、フォイルトラップは、放射源からの汚染物質を捕捉する汚染物質バリアとして機能する。しかし、放射源による熱負荷によって、従来技術の実施形態の回転式の構成物は、回転部分の冷却の困難性を考慮するに難題が課される。
[0004] 回転フォイルトラップへの熱負荷を低減することが望ましい。本発明の一実施形態では、放射源から放出されるデブリが放射源からの放射と共にリソグラフィ装置内へ及びその中で伝播することを阻止するように構成されたデブリ防止システムが提供される。このデブリ防止システムは、放射源から到来する放射の最大放出角を画定するアパーチャと、放射透過率を有する第１のデブリバリアを含む。第１のデブリバリアは回転フォイルトラップを含む。このデブリ防止システムは更に、放射透過率を有する第２のデブリバリアを含む。第１のデブリバリアは放出角の一部をカバーする（覆う）ように構成され、第２のデブリバリアは放出角の別の一部をカバーするように構成される。
[0005] 本発明の一実施形態では、極端紫外線を発生するように構成されたプラズマ生成放電源を含む放射源が提供される。この放電源は、電圧差が供給されるように構成された１対の電極と、１対の電極間に放電を生成して電極間の中心領域にピンチされたプラズマを供給するように構成された放電システムとを含む。放射システムは更に、放射源から放出されるデブリが放射源からの放射と共にリソグラフィ装置内へ及びその中で伝播することを阻止するように構成されたデブリ防止システムを含む。このデブリ防止システムは、放射源から到来する放射の最大放出角を画定するアパーチャと、放射透過率を有する第１のデブリバリアを含む。第１のデブリバリアは回転フォイルトラップを含む。このデブリ防止システムは更に、放射透過率を有する第２のデブリバリアを含む。第１のデブリバリアは放出角の一部をカバーするように構成され、第２のデブリバリアは放出角の別の一部をカバーするように構成される。
[0006] 本発明の一実施形態では、放射源と、放射源から放出されるデブリが放射源からの放射と共にリソグラフィ装置内へ及びその中で伝播することを阻止するように構成されたデブリ防止システムとを含む放射システムが提供される。このデブリ防止システムは、放射源から到来する放射の最大放出角を画定するアパーチャと、放射透過率を有する第１のデブリバリアを含む。第１のデブリバリアは回転フォイルトラップを含む。このデブリ防止システムは更に、放射透過率を有する第２のデブリバリアを含む。第１のデブリバリアは放出角の一部をカバーし、第２のデブリバリアは放出角の別の一部をカバーする。放射システムは更に、光が集められる集光角（collection angle；収集角、集束角）を画定するコレクタを含む。回転フォイルトラップ及び第２のデブリバリアは、実質的に集光角全体に亘ってデブリを軽減するように構成される。
[0007] 本発明の一実施形態では、放射ビームを調整するように構成された照明システムと、パターニングデバイスを支持するように構成されたサポートを含むリソグラフィ装置が提供される。パターニングデバイスは、パターン付き放射ビームを形成するように放射ビームの断面にパターンを付与するように構成される。リソグラフィ装置は更に、基板を保持するように構成された基板テーブルと、パターン付き放射ビームを基板のターゲット部分に投影するように構成された投影システムと、放射源から放出されるデブリが放射源からの放射と共にリソグラフィ装置内へ及びその中で伝播することを阻止するように構成されたデブリ防止システムを含む。このデブリ防止システムは、放射源から到来する放射の最大放出角を画定するアパーチャと、放射透過率を有する第１のデブリバリアを含む。第１のデブリバリアは回転フォイルトラップを含む。このデブリ防止システムは更に、放射透過率を有する第２のデブリバリアを含む。第１のデブリバリアは放出角の一部をカバーするように構成され、第２のデブリバリアは放出角の別の一部をカバーするように構成される。
[0008] 本発明のいくつかの実施形態を、単なる例として、添付の概略図を参照して以下に説明する。これらの図面において同じ参照符号は対応する部分を示す。
[0009] 図１は本発明の一実施形態によるリソグラフィ装置を示す。 [0010] 図２は本発明の一実施形態による放射ビームを発生するシステムを示す。 [0011] 図３は光軸に沿って見た図１の実施形態の集光された立体角の投影を示す。 [0012] 図４は図２の実施形態の改良を示す。 [0013] 図５は静止フォイルトラップの水平開口角と回転フォイルトラップの開口角との関係を示す。 [0014] 図６は回転フォイルトラップの開口角の関数としての回転フォイルトラップの照明された立体角の割合を示す。 [0015] 図７（ａ）及び（ｂ）は本発明の一実施形態による放射ビームを発生するシステムを示す。 [0016] 図８は静止フォイルトラップの一実施形態の詳細概略図を示す。 [0017] 図９は静止フォイルトラップの一実施形態の概略平面図を示す。 [0018] 図１０は図９の実施形態の概略正面図を示す。
[0019] 図１は、本発明の一実施形態によるリソグラフィ装置を概略的に示している。このリソグラフィ装置は、放射ビームＢ（例えば、ＵＶ放射又はＥＵＶ放射）を調整するように構成された照明システム（イルミネータ）ＩＬと、パターニングデバイス（例えばマスク）ＭＡを支持するように構成され、かつ特定のパラメータに従ってパターニングデバイスを正確に位置付けるように構成された第１ポジショナＰＭに接続されたサポート構造（例えばマスクテーブル）ＭＴと、基板（例えばレジストコートウェーハ）Ｗを保持するように構成され、かつ特定のパラメータに従って基板を正確に位置付けるように構成された第２ポジショナＰＷに接続された基板テーブル（例えばウェーハテーブル）ＷＴと、パターニングデバイスＭＡによって放射ビームＢに付与されたパターンを基板Ｗのターゲット部分Ｃ（例えば１つ以上のダイを含む）上に投影するように構成された投影システム（例えば、屈折投影レンズシステム）ＰＳを含む。
[0020] 照明システムとしては、放射を誘導し、整形し、又は制御するために、屈折型、反射型、磁気型、電磁型、静電型、若しくはその他のタイプの光コンポーネント、又はそれらのあらゆる組合せなどのさまざまなタイプの光コンポーネントを含むことができる。
[0021] サポート構造は、パターニングデバイスを支持する。すなわち、パターニングデバイスの重量を支える。サポート構造は、パターニングデバイスの配向、リソグラフィ装置の設計、及び、パターニングデバイスが真空環境内で保持されているか否かなどの他の条件に応じた態様で、パターニングデバイスを保持する。サポート構造は、機械式、真空式、静電式又はその他のクランプ技術を使って、パターニングデバイスを保持することができる。サポート構造は、例えば、必要に応じて固定又は可動式にすることができるフレーム又はテーブルであってもよい。サポート構造は、パターニングデバイスを、例えば、投影システムに対して所望の位置に確実に置くことができる。本明細書において使用される「レチクル」又は「マスク」という用語はすべて、より一般的な「パターニングデバイス」という用語と同義であると考えるとよい。
[0022] 本明細書において使用される「パターニングデバイス」という用語は、基板のターゲット部分内にパターンを作り出すように、放射ビームの断面にパターンを与えるために使用できるあらゆるデバイスを指していると、広く解釈されるべきである。なお、留意すべき点として、放射ビームに付与されたパターンは、例えば、そのパターンが位相シフトフィーチャ又はいわゆるアシストフィーチャを含む場合、基板のターゲット部分内の所望のパターンに正確に一致しない場合もある。通常、放射ビームに付与されたパターンは、集積回路などのターゲット部分内に作り出されるデバイス内の特定機能層に対応することになる。
[0023] パターニングデバイスは、透過型であっても反射型であってもよい。パターニングデバイスの例としては、マスク、プログラマブルミラーアレイ、及びプログラマブルＬＣＤパネルが含まれる。マスクは、リソグラフィでは公知であり、バイナリ、レゼンソン型（alternating）位相シフト、及びハーフトーン型（attenuated）位相シフトなどのマスク型、ならびに種々のハイブリッドマスク型を含む。プログラマブルミラーアレイの一例では、小型ミラーのマトリックス配列が用いられており、各小型ミラーは、入射する放射ビームを様々な方向に反射させるように、個別に傾斜させることができる。傾斜されたミラーは、ミラーマトリックスによって反射される放射ビームにパターンを付与する。
[0024] 本明細書において使用される「投影システム」という用語は、使われている露光放射に、又は液浸液の使用若しくは真空の使用といった他の要因に適切な、屈折型、反射型、反射屈折型、磁気型、電磁型、及び静電型光学系、又はそれらのあらゆる組合せを含むあらゆる型の投影システムを包含していると広く解釈されるべきである。本明細書において使用される「投影レンズ」という用語はすべて、より一般的な「投影システム」という用語と同義であると考えるとよい。
[0025] 本明細書に示されているとおり、リソグラフィ装置は、反射型のもの（例えば反射型マスクを採用しているもの）である。或いは、リソグラフィ装置は、透過型のもの（例えば透過型マスクを採用しているもの）であってもよい。
[0026] リソグラフィ装置は、２つ（デュアルステージ）以上の基板テーブル（及び／又は２つ以上のマスクテーブル）を有する型のものであってもよい。そのような「マルチステージ」機械においては、追加のテーブルを並行して使うことができ、又は予備工程を１つ以上のテーブル上で実行しつつ、別の１つ以上のテーブルを露光用に使うこともできる。
[0027] また、リソグラフィ装置は、投影システムと基板との間の空間を満たすように、比較的高い屈折率を有する液体（例えば水）によって基板の少なくとも一部を覆うことができるタイプのものであってもよい。また、リソグラフィ装置内の別の空間（例えば、マスクと投影システムとの間）に液浸液を加えてもよい。液浸技術は、投影システムの開口数を増加させるために当技術においてよく知られている。本明細書において使用される「液浸」という用語は、基板のような構造物を液体内に沈めなければならないという意味ではなく、単に、露光中、投影システムと基板との間に液体があるということを意味するものである。
[0028] 図１を参照すると、イルミネータＩＬは、放射源ＳＯから放射ビームを受ける。例えば放射源がエキシマレーザである場合、放射源とリソグラフィ装置は、別個の構成要素であってもよい。その場合、放射源は、リソグラフィ装置の一部を形成しているとはみなされず、また放射ビームは、放射源ＳＯからイルミネータＩＬへ、例えば、適切な誘導ミラー及び／又はビームエキスパンダを含むビームデリバリシステムを使って送られる。その他の場合、例えば、放射源が水銀ランプである場合、放射源は、リソグラフィ装置の一体部分とすることもできる。放射源ＳＯ及びイルミネータＩＬは、必要ならばビームデリバリシステムとともに、放射システムと呼んでもよい。
[0029] イルミネータＩＬは、放射ビームの角強度分布を調節するアジャスタを含むことができる。一般に、イルミネータの瞳面内の強度分布の少なくとも外側及び／又は内側半径範囲（通常、それぞれσ-outer及びσ-innerと呼ばれる）を調節することができる。さらに、イルミネータＩＬは、インテグレータ及びコンデンサといったさまざまな他のコンポーネントを含むことができる。イルミネータを使って放射ビームを調整すれば、放射ビームの断面に所望の均一性及び強度分布をもたせることができる。
[0030] 放射ビームＢは、サポート構造（例えばマスクテーブルＭＴ）上に保持されているパターニングデバイス（例えばマスクＭＡ）上に入射して、パターニングデバイスによってパターン形成される。マスクＭＡを通り抜けた後、放射ビームＢは投影システムＰＳを通過し、投影システムＰＳは、基板Ｗのターゲット部分Ｃ上にビームの焦点を合わせる。第２ポジショナＰＷ及び位置センサＩＦ２（例えば、干渉計デバイス、リニアエンコーダ、又は静電容量センサ）を使って、例えば、さまざまなターゲット部分Ｃを放射ビームＢの経路内に位置付けるように、基板テーブルＷＴを正確に動かすことができる。同様に、第１ポジショナＰＭ及び別の位置センサを使い、例えば、マスクライブラリからの機械的な取り出し後又はスキャン中に、マスクＭＡを放射ビームＢの経路に対して正確に位置付けることもできる。通常、マスクテーブルＭＴの移動は、第１ポジショナＰＭの一部を形成するロングストロークモジュール（粗動位置決め）及びショートストロークモジュール（微動位置決め）を使って実現することができる。同様に、基板テーブルＷＴの移動も、第２ポジショナＰＷの一部を形成するロングストロークモジュール及びショートストロークモジュールを使って実現することができる。ステッパの場合は（スキャナとは対照的に）、マスクテーブルＭＴは、ショートストロークアクチュエータのみに接続されてもよく、又は固定されてもよい。マスクＭＡ及び基板Ｗは、マスクアライメントマークＭ１、Ｍ２と、基板アライメントマークＰ１、Ｐ２を使って、位置合わせされてもよい。例示では基板アライメントマークが専用ターゲット部分を占めているが、基板アライメントマークをターゲット部分とターゲット部分との間の空間内に置くこともできる（これらは、スクライブラインアライメントマークとして公知である）。同様に、複数のダイがマスクＭＡ上に設けられている場合、マスクアライメントマークは、ダイとダイの間に置かれてもよい。
[0031] 例示の装置は、以下に説明するモードのうち少なくとも１つのモードで使用できる。
[0032] １．ステップモードでは、マスクテーブルＭＴ及び基板テーブルＷＴを基本的に静止状態に保ちつつ、放射ビームに付けられたパターン全体を一度にターゲット部分Ｃ上に投影する（すなわち、単一静的露光）。その後、基板テーブルＷＴは、Ｘ及び／又はＹ方向に移動され、それによって別のターゲット部分Ｃを露光することができる。ステップモードでは、露光フィールドの最大サイズによって、単一静的露光時に結像されるターゲット部分Ｃのサイズが限定される。
[0033] ２．スキャンモードでは、マスクテーブルＭＴ及び基板テーブルＷＴを同期的にスキャンする一方で、放射ビームに付与されたパターンをターゲット部分Ｃ上に投影する（すなわち、単一動的露光）。マスクテーブルＭＴに対する基板テーブルＷＴの速度及び方向は、投影システムＰＳの（縮小）拡大率及び像反転特性によって決めることができる。スキャンモードでは、露光フィールドの最大サイズよって、単一動的露光時のターゲット部分の幅（非スキャン方向）が限定される一方、スキャン動作の長さによって、ターゲット部分の高さ（スキャン方向）が決まる。
[0034] ３．別のモードでは、プログラマブルパターニングデバイスを保持した状態で、マスクテーブルＭＴを基本的に静止状態に保ち、また基板テーブルＷＴを動かす、又はスキャンする一方で、放射ビームに付けられているパターンをターゲット部分Ｃ上に投影する。このモードでは、通常、パルス放射源が採用され、さらにプログラマブルパターニングデバイスは、基板テーブルＷＴの移動後ごとに、又はスキャン中の連続する放射パルスと放射パルスとの間に、必要に応じて更新される。この動作モードは、前述の型のプログラマブルミラーアレイといったプログラマブルパターニングデバイスを利用するマスクレスリソグラフィに容易に適用することができる。
[0035] 上述の使用モードの組合せ及び／若しくは又はバリエーション、又は完全に異なる使用モードもまた採用可能である。
[0036] 図２は、放射ビームを発生するように構成された放射システム１の一実施形態を示す。放射システム１は、デブリ発生放射源２を含む。放射システムと周囲のハウジングの適切な寸法合わせによってアパーチャ３が提供される。アパーチャ３は、アパーチャ画定シールド９０、９０’によって概略的に示される。これらのシールドは、冷媒回路９１を含んでよい。アパーチャ３は放出角αを画定する。放出角αは、放射源２から到来するＥＵＶ放射が集光される最大角度である。図示する実施形態では、２つの回転フォイルトラップ（ＲＦＴ）４、４’が放出角αの一部をカバーするように設けられる。シールド９０、９０’は、放出角αから外れるフォイルトラップ４、４’の領域全体へのＥＵＶ放射を遮断することができる。別のデブリバリア５が、以下に更に詳細に説明するように、放出角αの中心部に設けられ、開口角θをカバーする。このデブリバリアは、少なくとも２０％（の透過度）でＥＵＶ放射を透過する。
[0037] 本実施形態は、中心デブリバリア５の両側に２つの回転フォイルトラップ４、４’を有するミシシッピボート（Mississippi boat）型の構成を思い起こさせる。本実施形態では、中心デブリバリア５は、図８を参照して更に説明する位置感応型フォイルトラップである。放出角αは、放射源２から生じる（集光される）ＥＵＶ光６の錐体を画定する。この放射源は、当技術では知られている２タイプ放射源（2-type source）といった放電生成ＥＵＶ放射源であってよい。図２から分かるように、放出角αを分割する光軸７に対して大きい角度で放出されるＥＵＶ光６は、回転フォイルトラップ４、４’を通り抜け（角度＞θ）、光軸を中心に角度＜θで放出された光は、位置感応型フォイルトラップ５を通り抜ける。フォイルトラップ４、４’は、放射源２に対して放射状に取り付けられた回転シャフト９を有する種類のものであってよい。各シャフト９は、放射源２を通り抜ける線６０と整列するように放射源２に対して向けられる。複数のフォイル８が、シャフト９に対して放射状に取り付けられる。すなわち、シャフト９を中心としてフォイル８はその中心に対して半径方向に向けられる。このようにすると、フォイルトラップ４は、放射源２から運ばれるデブリを捕捉するようにフォイルを回転することによって放射源２からのデブリに対するバリアを提供することができる。図２では、フォイルトラップ４、４’のシャフト９は、実質的に同じ平面内で一直線にあるように示すが、図４に示す配置といった他の配置も可能である。特に、フォイルトラップ４、４’と位置感応型フォイルトラップ５の相対位置は独立して最適化することができる。例えば、フォイルトラップ４、４’は、放射源２により多くの空間を利用できるように放射源２から更に遠くに置かれてもよい。一実施形態では、回転フォイルトラップ４、４’は、静止フォイルトラップ５に対して、フォイルトラップ４、４’が静止フォイルトラップ５内に部分的に挿入されるように配置されてよい。このような実施形態では、回転フォイルトラップ４、４’から遠心力によってデブリが放出される可能性が、静止フォイルトラップ５を用いてデブリを捕捉することによって実質的に低減されるか又は更には阻止される。
[0038] 図２は、放射源２に向かって光軸７に沿った方向に見て、静止フォイルトラップ５の複数のプレートレット１５が回転フォイルトラップ５の前に部分的に延在し、それにより、フォイルトラップ４から放出されるデブリは静止フォイルトラップ５によって捕捉されうることを示す。静止フォイルトラップ５の代わりに他のデブリ捕捉機構を用いてもよい。図２から分かるように、回転フォイルトラップ４、４’への熱負荷を最小限にするために、複数のフォイル８の一部のみが毎瞬間、放射源２からの放射に曝され、その他の部分は曝されない。回転フォイルトラップ４、４’のシャフト９は、放射源２からの放射に曝されるべきではない。したがって、フォイルトラップ４、４’は、少なくとも部分的に放出角αの外側に置かれてよい。それゆえに回転フォイルトラップ４、４’は、アパーチャ３内へと及びその外へとフォイル８を回転させる。図２の配置は、放出角αについて対称であるが、非対称配置を含む他の配置も可能である。例えば、放射源２に対して放射状に取り付けられるシャフト９をそれぞれ含む複数の回転フォイルトラップ４、４’を設けることができ、また、回転フォイルトラップはそれぞれ、放射源２からのデブリに対するバリアを提供するためにシャフト９に放射状に取り付けられる複数のフォイル８を有する。
[0039] 図３は、光軸７（図示せず、図２参照）に沿って見た図２の実施形態の集光された立体角の投影の概略図を示す。具体的には、中心ゾーン１０は位置感応型フォイルトラップ５によってカバーされ、周辺領域１１は回転フォイルトラップ４、４’によってカバーされる。単一の回転フォイルトラップ４の半径とその放射源２への距離とが、その単一のフォイルトラップ４の開口角βを決定する（図２参照）。この開口角は、集光される角度α全体と、位置感応型フォイルトラップ５の（水平）開口角θによって決定される最小値を有する。図３に点１２で示す位置感応型フォイルトラップ５の外周コーナのうちの１つを検討する。この点は、集光された錐体αのエッジ上にあるので、
ｃｏｓα＝ｃｏｓθｃｏｓφ （１）
となる。ここで、φは、光軸を通る水平面より上方の仰角である。更に、この点は、回転フォイルトラップによって保護される錐体β内でなくてはならないので、
ｃｏｓβ＝ｓｉｎθｃｏｓφ （２）
となる。（１）と（２）を組み合わせると、所与の収光角αについて、回転フォイルトラップの開口角βと位置感応型フォイルトラップ（ＰＳＦＴ）の開口角θとに次のような関係
ｃｏｓβ＝ｔａｎθｃｏｓα （３）
が与えられる。
[0040] 図４は、図２に示す実施形態の改良を示す。具体的には、回転フォイルトラップ４、４’のシャフト９は単一面内に設けられるが、シャフトは互いに角度をなす。この角度は、角度αに依存し、また、シャフトが角度αの外側にあり続けるように、シャフト９のサイズに依存して約５から１０度大きいことが好適である。シャフト間の角度の典型的な値は１００度より大きく、より好適には約１２０度、約１４０度、約１６０度、又は約１８０度より大きい。この実施形態では、回転フォイルトラップ４の大部分が使用されるので、フォイルトラップ４、４’の半径を小さくすることができる。このことは、式（２）においてθをθ＋δで置換することにより推定でき、ここで、δは、回転フォイルトラップ４、４’が内側に動かされた角度である。更に、ＥＵＶ源２により多くの空間が利用できるようになる。例えば、ピンチ１３を提供するために必要な電極及び回路のための空間が多くなる。更に、回転フォイルトラップ４、４’を他の方向に動かすことも可能である。このことは、熱負荷を更に下げるが、回転フォイルトラップ４、４’の開口角βを増加してしまう。これは回転フォイルトラップを大きくしてしまう。回転フォイルトラップを内側に、すなわち、光軸に向かって傾斜させることに関して、高い光透過率と回転フォイルトラップ４への比較的低い熱負荷を維持するために、シャフトを放出角のすぐ外に維持することが好適である。回転フォイルトラップ４、４’は、例えば、最大集光角が８０°である場合に、シャフト９と光軸との間の角度が９０°ではなく８５°であるように位置付けられる。角度の傾斜によって放射源２のための設計空間がより多く使用できるようになる。
[0041] 図５は、具体的には図２及び図３に示す静止フォイルトラップ５の必要水平開口角θと回転フォイルトラップの開口角βとの関係を示す。典型的な集光角は８０°である。上記の式（１）〜（３）において、回転フォイルトラップ４の開口角が８０°であると仮定すると、ｔａｎθ＝１であり、したがって、静止フォイルトラップ５の水平開口角θは４５°となる。図５は、７０°の全集光角（線５０）及び８０°の全集光角（線５１）について、静止フォイルトラップ５の水平開口角θと回転フォイルトラップ４の開口角βとの関係を示す式（３）のグラフを示す。集光角は放出角に等しくなり、約６０から９０°、好適には少なくとも約７０°のオーダーとなる。
[0042] 図６は、集光角内にある回転フォイルトラップの割合を示し、これは約７０°（線６０）と８０°（線６１）の範囲の集光角に依存して約２５から４０％である（すなわち、各回転フォイルトラップの約２５から４０％が１回につき照明される）。これは、回転フォイルトラップ４、４’が同じ形状を有する従来の回転フォイルトラップより実質的に低い熱負荷を受け、熱負荷は回転フォイルトラップの性能を制限してしまうことがあるので、実質的に低い熱負荷を受けるということは性能を向上できるということを意味する。更に、集光角の外側の回転フォイルトラップの領域は、追加の冷却に用いることができる。
[0043] 図７ａ及び図７ｂは、本発明による実施形態を示す。これらの実施形態は、静止フォイルトラップの形態の中心デブリバリアを用いない。中心領域は、それぞれのシャフト９に対して遠位側に延在するカップ形状の複数のフォイル８を設けることによって縮小することができる。このような配置では、対向する回転フォイルトラップ４、４’のフォイル８間に小さな空隙１４ができることがある。図７ａに示す実施形態では、２つのフォイルトラップ４、４’が放射源２の周りに置かれる。回転フォイルトラップ４、４’のシャフト９、したがって、回転軸は放射源と整列され、また、光軸に対して実質的に垂直である。回転フォイルトラップによってカバーされていない中心部は、例えば、シールドによって閉じることができる。多くのＥＵＶコレクタ（図示せず）は約１０°の最小集光角を有するという事実によって、中心領域１４において透過がないことによる追加のＥＵＶ損失は比較的小さくなる。他の実施形態では、２つの回転フォイルトラップ（ＲＦＴ）によってカバーされる集光角は重なってもよい。このことは２つの方法で達成することができる。第一に、ＲＦＴのフォイルを互いに接触することなくより合わせることによる。このことは、すぐには高い回転数では困難となりうるＲＦＴの同期を必要とする。第二に、ＲＦＴを互いに後ろに置くことによる。放射源から最も離れているＲＦＴは、実質的な開口角を得るために長いフォイルを有し、このことは、遠心力によるフォイル内の機械的応力を増加してしまい、また、達成可能な回転数を制限してしまうことがある。
[0044] 表１は、図７ａの配置のための典型的なパラメータセットを示す。
表１：透過計算に用いられるパラメータ
放射源及び集光パラメータ
最小集光角 １０°
最大集光角 ８０°
ピンチ長 ０．３ｍｍ
ピンチ直径 ０．１ｍｍ
ＲＦＴパラメータ
内半径 ３０ｍｍ
外半径 ７０ｍｍ
フォイル数 １００
フォイル厚 ０．１５ｍｍ
[0045] 原則的に、図７ａ及び図７ｂの実施形態の開口角は、非常に大きくなりうるが、なんらかの実際の制限にはフォイルの機械的変形や放射源の空間要件が挙げられ、これらはフォイル８が大きくなりすぎることを防ぐ。このような観点によって７０°の最大開口角が生じ、この角度では透過率は約６０％である。透過に貢献しない領域は閉じられてよい。
[0046] 図７ｂは本発明による一実施形態を示す。本実施形態では、３つの回転フォイルトラップを示し、各自、放射源２に対して放射状に向けられたシャフトを有する。更に、フォイルトラップ４’’は、三角形の構成を有するカップ形状に形付けられてよい。例えば、フォイルトラップ４のシャフト９は互いに１２０°の角度を成し、それにより、放射源２の連続的な閉鎖を提供することができる。実際には、フォイルトラップ４によってカバーされない中心の三角形の領域１５ができる。この領域は、他のデブリ軽減システムによって保護されるか又は完全に密閉されてもよい。この構成の計算される透過率は全放出角の約６２％である。更に、例えば、光軸に対して垂直な回転軸を有する４つの同等サイズの回転フォイルトラップといった複数の回転フォイルトラップを９０°の相互角度で置くこともできる。この場合、維持可能な最大開口角は約４５°であり、計算される全体の透過率は約４２％である。図７ａ及び図７ｂの実施形態における保護されていない空隙のサイズは、ある場合には、第３の（及び／又は第４の）回転フォイルトラップを犠牲にして２つの回転フォイルトラップの開口角を増加することによって縮小することができる。例えば、７０°の開口角の２つの回転フォイルトラップと４０°の開口角の１つの回転フォイルトラップを有する構成であってもよい。良好な光透過を、従来の回転フォイルトラップよりかなり低い回転フォイルトラップの開口角で達成することができる。更に、上述したように、熱負荷も実質的に小さい。その結果、図７ａ及び図７ｂの実施形態は、従来の回転フォイルトラップよりかなり高いパワーレベルにスケーリングすることができる。図７ａ及び図７ｂの実施形態では、シャフトを光軸に向けて傾斜させて中心領域を更に縮小することができる。表２は、上述した全ての実施形態の透過率値をまとめたものである。どの場合も、回転フォイルトラップの開口角は最大透過率が得られるように選択され、ただし、７０°を回転フォイルトラップの最大開口角とする（すなわち、これは、生産ツール条件下で達成することのできる回転フォイルトラップの最大開口角であると仮定する）。原子状デブリを遮断するために、回転フォイルトラップは、通常、一般に８０％の透過率の固定フォイルトラップ（ＳＦＴ）と組み合わされてよい。この組み合わせの透過率値も表２に含めて、デブリ軽減ツール全体の典型的な透過率を示す。
表２ ８０％の透過率の固定フォイルトラップ（ＳＦＴ）
を用いた場合と用いない場合の透過率値の比較

フォイルトラップのタイプ １０−８０％コレクタ
ＳＦＴ有り ＳＦＴ無し
好適な実施形態：
傾斜された３つのＲＦＴ ７０．４％ ５６．４％
３つのＲＦＴ ６４．６％ ５１．７％
４つのＲＦＴ ５８．６％ ４６．９％
２つのＲＦＴ ５６．６％ ４５．３％
[0047]
[0048] したがって、光軸に平行な対称面に対して対称に配置されることが好適である２つの、３つの、又は、４つのフォイルトラップを有する実施形態を提供することができる。特に、回転フォイルトラップの回転軸は、光軸に対して少なくとも７０°の角度を成す。
[0049] 図８は、図２に示す静止フォイルトラップ５の詳細概略図を示す。この構成では、プレートレット、すなわち、フォイル１６は静止していて、且つ、プレートレット１６間に与えられる見通し線に対して電極１７をシールドし、また、電極１７間に形成される中心容積１８からの放射のための通路を与えるように向けられている。具体的には、放射源２は極端紫外線を発生させるためのプラズマ生成放電源である。電極１７の対には、対応する回路（図示せず）によって電圧差が与えられる。この回路は、電極１７間に放電を生成して、電極１７間の中心容積１８内にピンチされたプラズマ（Ｚピンチ）を提供するよう機能する。位置感応型フォイルトラップ５の定常特性によって、このタイプのデブリバリアは適切な冷却（図示せず）によって効果的に冷却することができ且つ回転による機械的応力を受けないので熱負荷が比較的高いことが可能である。位置感応型フォイルトラップ５のフォイル６は全て放射源２（例えばピンチ）に向けられ、フォイル１６間の空間は、どれくらいの、ピンチを取り囲む容積１８がフォイルトラップ５を通して透過されるのかを決定する。フォイルトラップ５が、ピンチを電極から分離可能とするために、多くの密に詰められたフォイル１６が用いられる。このことは図８に示す。図８は、フォイルトラップの中心部に、電極１７、１７’間のピンチ２と整列される２つの隣接したフォイル１６−１、１６−２を示す。フィルタ距離ｓは、フォイルトラップを透過し且つ中心容積１８を形成する領域の幅として定義される。このことは、
Figure 2010533973
によりフォイルトラップ寸法に関連する。これは定義ｄ２＝（ｒ２／ｒ１）ｄ１により、
Figure 2010533973
のように書き換えることができる。
[0050] 例えば、フォイルトラップの形状は、内半径ｒ１＝３０ｍｍ、外半径ｒ２＝９０ｍｍ、及び、フォイルトラップの入射口におけるフォイル間隔ｄ１＝０．５ｍｍのような形状であってよく、この場合、フィルタ距離ｓ＝１．５ｍｍとなる。したがって、３ｍｍの典型的な電極空隙があることにより、電極はフォイルトラップを通して見えない。
[0051] 図８に示す位置選択的なフォイルトラップは、ＥＵＶ放射についての透過率を有するデブリバリアの一例である。典型的な透過率値は、６０％、又は、より高い値、８０から９０％である。しかし、図８に示すように光軸から大きい角度にある場合、間隔は非常に小さくなり、このことは透過率に影響を及ぼすことがある。フォイル１６−６及び１６−７が、光軸に対して垂直に測定した場合に、同じ距離ｓを透過させるのであれば、投影されるフィルタ距離ｓ’はｓよりかなり小さい。具体的には、ｓ’＝ｓｃｏｓθであり、ただし、θは光軸からの角度である。
[0052] 例えば、典型的なコレクタ開口角１４０°では、光軸から７０°の角度におけるデブリ軽減を必要とする。上述したフォイルトラップの形状では、このことは、外側のフォイルに０．１７ｍｍのフォイル空間しかもたらさない（内側のフォイルには０．５ｍｍであるのに比較して）。それゆえに、外側フォイルの光の透過率は非常に低い（〜４０％、フォイル厚は０．１ｍｍであると仮定する）。更に、密な間隔によって、Ｓｎ汚染物質がフォイルトラップのフォイル間の空間を速く埋めてしまい、それにより、透過率は更に下がる。したがって、小さい角度θで最良に動作するフォイルトラップを、本明細書に記載する実施形態では中心のフォイルトラップ５として用いてよい。
[0053] 図９は、静止フォイルトラップ５の周辺ゾーン１９の透過率を増加させる実施形態の概略平面図を示す。図１０は、図９の実施形態の概略正面図を示す。角度θを分割する光軸から小さい角度における軽減のための位置感応型フォイルトラップ５と、光軸７から＞θの大きい角度における軽減のための回転フォイルトラップ２０とを含む組み合わせフォイルトラップ構造が提供される。したがって、回転フォイルトラップ２０は、複数のプレートレット１６の静止構造の周りを回転するように構成される。組み合わせフォイルトラップ２１は、静止フォイルトラップ５より良好な光の透過率を有し、また、回転フォイルより高い熱負荷に耐えることができる。具体的には、複数のプレートレット１６の静的な連続は、光軸（図示せず）に対して対称に配置される。図９に示す実施形態では、デブリは、ケーシング２２内に懸架され且つ放射源ピンチ２に向けられた複数のフォイル１６を有する位置感応型フォイルトラップ５によって光軸周りの立体角θ内で阻止される。θの一般的な値は６０°から１２０°の間である。ＥＵＶが集光される立体結像角（solid imaging angle）αの残りの部分（コレクタの開口角に対応するサイズ）は、静止フォイルトラップ５の周りを回転するフォイルトラップ２０によってカバーされる。回転フォイルトラップ２０は、内側リング２３と外側リング２４との間に懸架される複数のフォイル８を含む。
[0054] 図９では、位置感応型フォイルトラップ５のフォイル１６と回転フォイルトラップ２０のフォイル８がピンチに対して同じ長さ及び距離を有するものとして示されているが、これは必ずしも必要ではないことに留意されたい。実際には、ピンチまでのフォイル長及び距離は、両方のフォイルトラップについて独立して最適化してよい。
[0055] 回転フォイルトラップは、内側リング２３か外側リング２４のどちらか一方で駆動されてよい。フォイルトラップを外側リング２４で駆動させると、回転機構をＥＵＶ集光角の外に配置することができ、これはフォイルトラップシステム４の光の透過率を向上させる。フォイル８に加えて、内側リング２３と外側リング２４との間にスポークを取り付けて回転フォイルトラップ２０に必要な剛性を与えてもよい。
[0056] ケーシング２２、内側リング２３、及び外側リング２４は、フォイルトラップ構造２１の冷却に用いられてもよい。更に、ケーシング２２と内側リング２３との間の空隙には軸受が備え付けられてもよい。一実施形態では、この空隙は、軸受と冷媒の両方として作用するＧａ−Ｉｎ−Ｓｎ合金といった液体金属で充填されてもよい。本実施形態によるフォイルトラップ２１は、フォイル長が短いことと、冷却の可能性が高められることと、スポーク（図示せず）によって接続された内側リング２３及び外側リング２４を用いたロバスト設計によって、集光角α全体をカバーする従来の回転フォイルトラップよりかなり高い熱負荷に耐えることができる。一実施形態では、組み合わせフォイルトラップ２１を用いて微粒子デブリだけでなく原子状及びイオンのデブリも抑制してよい。一実施形態では、バッファガスを、位置感応型フォイルトラップのフォイルと回転フォイルトラップのフォイルとの間に注入してもよい。一実施形態では、従来の固定フォイルトラップを回転フォイルトラップの後方に置いて、バッファガスを、位置感応型フォイルトラップのフォイルと固定フォイルトラップのフォイルとの間に注入してもよい。
[0057] 本明細書において、ＩＣ製造におけるリソグラフィ装置の使用について具体的な言及がなされているが、本明細書記載のリソグラフィ装置が、集積光学システム、磁気ドメインメモリ用のガイダンスパターン及び検出パターン、フラットパネルディスプレイ、液晶ディスプレイ（ＬＣＤ）、薄膜磁気ヘッド等の製造といった他の用途を有し得ることが理解されるべきである。当業者にとっては当然のことであるが、そのような別の用途においては、本明細書で使用される「ウェーハ」又は「ダイ」という用語はすべて、それぞれより一般的な「基板」又は「ターゲット部分」という用語と同義であるとみなしてよい。本明細書に記載した基板は、露光の前後を問わず、例えば、トラック（通常、基板にレジスト層を塗布し、かつ露光されたレジストを現像するツール）、メトロロジーツール、及び／又はインスペクションツールで処理されてもよい。適用可能な場合には、本明細書中の開示内容を上記のような基板プロセシングツール及びその他の基板プロセシングツールに適用してもよい。さらに基板は、例えば、多層ＩＣを作るために複数回処理されてもよいので、本明細書で使用される基板という用語は、すでに多重処理層を包含している基板を表すものとしてもよい。
[0058] 上述した実施形態では、放射源２は放電生成源であるが、レーザ誘起プラズマ源といった他のデブリ発生源を用いることもできる。更に、デブリは一般にスズのデブリとして言及しているが、リチウム又はキセノン源といった他のプラズマ物質を用いる他のデブリ発生源を本発明の実施形態に従って用いることができる。また、記載した放射システムは、一般に、リソグラフィ装置とは独立して製造され、放射システムからの放射を集めるコレクタといった他のサブシステムを含んでもよい。これらのコレクタは、集光角を定義する種類といった任意の好適な種類であってよく、また、回転フォイルトラップ４及び静止フォイルトラップ５といったデブリバリアは、コレクタの集光角全体に亘ってデブリを軽減するように構成されてよい。例えば、コレクタ素子は円柱対称であり、同心円状に曲げられた複数の反射面を含むことができる。これらの面は、一般に実質的に約２ｃｍから約７ｃｍの範囲の距離で積み重ねられてよい。
[0059] 本明細書に記載する実施形態では、デブリ防止システムは、放射システムと共に又は放射システムの一部として、及び、前出の実施形態において明確に述べたように放射源ＳＯを備えた図１のリソグラフィ装置といったリソグラフィ装置と共に又はその一部として用いられてよい。
[0060] 光リソグラフィの関連での本発明の実施形態の使用について上述のとおり具体的な言及がなされたが、当然のことながら、本発明は、他の用途、例えば、インプリントリソグラフィに使われてもよく、さらに状況が許すのであれば、光リソグラフィに限定されることはない。インプリントリソグラフィにおいては、パターニングデバイス内のトポグラフィによって、基板上に創出されるパターンが定義される。パターニングデバイスのトポグラフィは、基板に供給されたレジスト層の中にプレス加工され、基板上では、電磁放射、熱、圧力、又はそれらの組合せによってレジストは硬化される。パターニングデバイスは、レジストが硬化した後、レジスト内にパターンを残してレジストの外へ移動される。
[0061] 本明細書で使用される「放射」及び「ビーム」という用語は、紫外線（ＵＶ）（例えば、３６５ｎｍ、３５５ｎｍ、２４８ｎｍ、１９３ｎｍ、１５７ｎｍ、若しくは１２６ｎｍの波長、又はおよそこれらの値の波長を有する）、及び極端紫外線（ＥＵＶ）（例えば、５〜２０ｎｍの範囲の波長を有する）、並びにイオンビームや電子ビームなどの微粒子ビームを含むあらゆる種類の電磁放射を包含している。
[0062] 「レンズ」という用語は、文脈によっては、屈折、反射、磁気、電磁気、及び静電型光コンポーネントを含む様々な種類の光コンポーネントのいずれか１つ又はこれらの組合せを指すことができる。
[0063] 以上、本発明の具体的な実施形態を説明してきたが、本発明は、上述以外の態様で実施できることが明らかである。例えば、本発明は、上記に開示した方法を表す１つ以上の機械読取可能命令のシーケンスを含むコンピュータプログラムの形態、又はこのようなコンピュータプログラムが記憶されたデータ記憶媒体（例えば、半導体メモリ、磁気ディスク又は光ディスク）の形態であってもよい。
[0064] 上記の説明は、制限ではなく例示を意図したものである。したがって、当業者には明らかなように、添付の特許請求の範囲を逸脱することなく本記載の発明に変更を加えてもよい。

Claims (27)

  1. 放射源から放出されるデブリが前記放射源からの放射と共にリソグラフィ装置内へ及びその中で伝播することを阻止するように構成されたデブリ防止システムであって、
    前記放射源から到来する前記放射の最大放出角を画定するアパーチャと、
    放射透過率を有する第１のデブリバリアであって、回転フォイルトラップを含む第１のデブリバリアと、
    放射透過率を有する第２のデブリバリアと、
    を備え、
    前記第１のデブリバリアは前記放出角の一部をカバーするように構成され、
    前記第２のデブリバリアは前記放出角の別の一部をカバーするように構成される、
    デブリ防止システム。
  2. 前記回転フォイルトラップは、前記放射源に対して放射状に取り付けられたシャフトと、
    前記デブリに対するバリアを提供する、前記シャフトに対して放射状に取り付けられた複数のフォイルと、
    を含む請求項１に記載のデブリ防止システム。
  3. 前記シャフトは、少なくとも部分的に、前記放出角の外側に置かれる、
    請求項２に記載のデブリ防止システム。
  4. 前記回転フォイルトラップは、前記フォイルを、前記放出角内へと及びその外へと回転させるように構成される、
    請求項２に記載のデブリ防止システム。
  5. 前記第２のデブリバリアは、更なる回転フォイルトラップを含む、
    請求項１に記載のデブリ防止システム。
  6. 前記回転可能フォイルトラップのそれぞれは、前記放射源に対して放射状に取り付けられたシャフトと、前記デブリに対するバリアを提供し、且つ、前記シャフトに対して放射状に取り付けられた複数のフォイルとを含む、
    請求項５に記載のデブリ防止システム。
  7. 前記回転フォイルトラップのそれぞれは、各自のシャフトが単一面にあるように設けられている、
    請求項６に記載のデブリ防止システム。
  8. 前記回転フォイルトラップは、各自のシャフトが１４０°より大きい角度を成すように構成される、
    請求項６に記載のデブリ防止システム。
  9. 前記フォイルトラップは、各自のシャフトに対して遠位側に延在する、対向するように配置されたカップ形状のフォイルによって形成される、
    請求項６に記載のデブリ防止システム。
  10. ２つの、３つの、又は４つのフォイルトラップが、光軸に平行な対称面に対して対称に配置される、
    請求項５に記載のデブリ防止システム。
  11. 前記回転フォイルトラップの前記回転軸は、前記光軸に対して少なくとも７０°の角度を成す、
    請求項１０に記載のデブリ防止システム。
  12. 前記放出角は、少なくとも７０°である、
    請求項１に記載のデブリ防止システム。
  13. 前記アパーチャは、前記放射源と前記回転フォイルトラップとの間に設けられたシールドによって画定される、
    請求項１に記載のデブリ防止システム。
  14. 前記シールドは、冷却回路を含む、
    請求項１３に記載のデブリ防止システム。
  15. 極端紫外線を発生するように構成されたプラズマ生成放電源を含む放射源であって、前記放電源は、電圧差が供給されるように構成された１対の電極と、前記１対の電極間に放電を生成して前記電極間の中心領域にピンチされたプラズマを供給するように構成された放電システムとを含む、放射源と、
    前記放射源から放出されるデブリが前記放射源からの放射と共にリソグラフィ装置内へ及びその中で伝播することを阻止するように構成されたデブリ防止システムであって、
    前記放射源から到来する前記放射の最大放出角を画定するアパーチャと、
    放射透過率を有する第１のデブリバリアであって、回転フォイルトラップを含む第１のデブリバリアと、
    放射透過率を有する第２のデブリバリアと、
    を含み、
    前記第１のデブリバリアは前記放出角の一部をカバーするように構成され、
    前記第２のデブリバリアは前記放出角の別の一部をカバーするように構成される、
    デブリ防止システムと、
    を備える放射システム。
  16. 前記第２のデブリバリアはプレートレットの静止構成を含み、
    前記プレートレットは、前記プレートレット間に与えられる見通し線から前記電極をシールドし、前記中心領域からの放射のための通路を与えるように向けられる、
    請求項１５に記載の放射システム。
  17. 前記回転フォイルトラップは、前記プレートレットの静止構成の周りを回転するように構成される、
    請求項１６に記載の放射システム。
  18. 前記プレートレットの静止構成は、光軸に対して中心に配置され、複数の回転フォイルトラップは、前記プレートレットに対して周辺に配置される、
    請求項１６に記載の放射システム。
  19. ２つの、３つの、又は４つのフォイルトラップが周辺に配置される、
    請求項１８に記載の放射システム。
  20. 前記フォイルトラップは、前記プレートレットの静止構成内に部分的に挿入されて、前記回転フォイルトラップにより再放出されたデブリを捕捉する、
    請求項１９に記載の放射システム。
  21. 放射源と、
    前記放射源から放出されるデブリが前記放射源からの放射と共にリソグラフィ装置内へ及びその中で伝播することを阻止するように構成されたデブリ防止システムであって、
    前記放射源から到来する前記放射の最大放出角を画定するアパーチャと、
    放射透過率を有する第１のデブリバリアであって、回転フォイルトラップを含む第１のデブリバリアと、
    放射透過率を有する第２のデブリバリアと、
    を含み、
    前記第１のデブリバリアは前記放出角の一部をカバーし、
    前記第２のデブリバリアは前記放出角の別の一部をカバーする、
    デブリ防止システムと、
    光が集められる集光角を画定するコレクタと、
    を備え、
    前記回転フォイルトラップ及び前記第２のデブリバリアは、実質的に前記集光角全体に亘ってデブリを軽減するように構成される、
    放射システム。
  22. 前記コレクタの素子が円柱対称であり、同心円状に曲げられた反射面を含む、
    請求項２１に記載の放射システム。
  23. 前記反射面は、約２ｃｍと約７ｃｍの範囲の距離で積み重ねられる、
    請求項２２に記載の放射システム。
  24. 前記コレクタの素子は、法線入射型のものである、
    請求項２１に記載の放射システム。
  25. 前記放射源は、放電生成又はレーザ誘起プラズマ源を含む、
    請求項２１に記載の放射システム。
  26. 前記プラズマ源は、スズ又はリチウム又はキセノンを含む、
    請求項２５に記載の放射システム。
  27. 放射ビームを調整するように構成された照明システムと、
    パターニングデバイスを支持するように構成されたサポートであって、前記パターニングデバイスは、パターン付き放射ビームを形成するように前記放射ビームの断面にパターンを付与するように構成される、サポートと、
    基板を保持するように構成された基板テーブルと、
    前記パターン付き放射ビームを前記基板のターゲット部分に投影するように構成された投影システムと、
    放射源から放出されるデブリが前記放射源からの放射と共にリソグラフィ装置内へ及びその中で伝播することを阻止するように構成されたデブリ防止システムであって、
    前記放射源から到来する前記放射の最大放出角を画定するアパーチャと、
    放射透過率を有する第１のデブリバリアであって、回転フォイルトラップを含む第１のデブリバリアと、
    放射透過率を有する第２のデブリバリアと、
    を含み、
    前記第１のデブリバリアは前記放出角の一部をカバーするように構成され、
    前記第２のデブリバリアは前記放出角の別の一部をカバーするように構成される、
    デブリ防止システムと、
    を備えるリソグラフィ装置。
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