CN101689030B - 碎片防止系统、辐射系统以及光刻设备 - Google Patents

碎片防止系统、辐射系统以及光刻设备 Download PDF

Info

Publication number
CN101689030B
CN101689030B CN2008800243735A CN200880024373A CN101689030B CN 101689030 B CN101689030 B CN 101689030B CN 2008800243735 A CN2008800243735 A CN 2008800243735A CN 200880024373 A CN200880024373 A CN 200880024373A CN 101689030 B CN101689030 B CN 101689030B
Authority
CN
China
Prior art keywords
foil trap
debris
radiation
axle
radiation source
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
CN2008800243735A
Other languages
English (en)
Other versions
CN101689030A (zh
Inventor
M·M·J·W·范赫彭
W·A·索尔
K·杰里森
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
ASML Netherlands BV
Original Assignee
ASML Netherlands BV
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by ASML Netherlands BV filed Critical ASML Netherlands BV
Publication of CN101689030A publication Critical patent/CN101689030A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN101689030B publication Critical patent/CN101689030B/zh
Expired - Fee Related legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/027—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34
    • H01L21/0271—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising organic layers
    • H01L21/0273—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising organic layers characterised by the treatment of photoresist layers
    • H01L21/0277—Electrolithographic processes
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/708—Construction of apparatus, e.g. environment aspects, hygiene aspects or materials
    • G03F7/70908—Hygiene, e.g. preventing apparatus pollution, mitigating effect of pollution or removing pollutants from apparatus
    • G03F7/70916—Pollution mitigation, i.e. mitigating effect of contamination or debris, e.g. foil traps
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B82—NANOTECHNOLOGY
    • B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
    • B82Y10/00—Nanotechnology for information processing, storage or transmission, e.g. quantum computing or single electron logic
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70008—Production of exposure light, i.e. light sources
    • G03F7/70033—Production of exposure light, i.e. light sources by plasma extreme ultraviolet [EUV] sources
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/708—Construction of apparatus, e.g. environment aspects, hygiene aspects or materials
    • G03F7/70858—Environment aspects, e.g. pressure of beam-path gas, temperature
    • G03F7/70883—Environment aspects, e.g. pressure of beam-path gas, temperature of optical system
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/708—Construction of apparatus, e.g. environment aspects, hygiene aspects or materials
    • G03F7/70983—Optical system protection, e.g. pellicles or removable covers for protection of mask

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Epidemiology (AREA)
  • Public Health (AREA)
  • Environmental & Geological Engineering (AREA)
  • Atmospheric Sciences (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Nanotechnology (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Theoretical Computer Science (AREA)
  • Mathematical Physics (AREA)
  • Toxicology (AREA)
  • Plasma & Fusion (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)

Abstract

一种碎片防止系统，其构造并布置成防止从辐射源(2)发射的碎片与来自辐射源(2)的辐射一起传播进入光刻设备或在光刻设备内部传播。碎片防止系统包括：孔(3)，其限定来自所述辐射源(2)的所述辐射的最大发射角(α)；和第一碎片阻挡件(4、4’)，其具有辐射透射率。第一碎片阻挡件(4、41)包括可旋转翼片阱。碎片防止系统还包括第二碎片阻挡件(5)，其具有辐射透射率。第一碎片阻挡件(4、4’)配置成覆盖所述发射角的一部分并且所述第二碎片阻挡件(5)配置成覆盖所述发射角(θ)的另一部分。

Description

碎片防止系统、辐射系统以及光刻设备
技术领域
本发明主要涉及一种碎片防止系统、辐射系统和包括它们的光刻设备。更具体地，本发明涉及构造并布置用以防止从辐射源发射的碎片与辐射一起从辐射源传播进入光刻设备或在光刻设备内部进行传播。
背景技术
光刻设备是一种将所需图案应用到衬底上，通常是衬底的目标部分上的机器。例如，可以将光刻设备用在集成电路(IC)的制造中。在这种情况下，可以将可选地称为掩模或掩模版的图案形成装置用于生成在所述IC的单层上待形成的电路图案。可以将该图案转移到衬底(例如，硅晶片)上的目标部分(例如，包括一部分管芯、一个或多个管芯)上。通常，图案的转移是通过把图案成像到提供到衬底上的辐射敏感材料(抗蚀剂)层上进行的。通常，单独的衬底将包含被连续形成图案的相邻目标部分的网络。公知的光刻设备包括：步进机，在所述步进机中，通过将全部图案一次曝光到所述目标部分上来辐射每一个目标部分；以及所谓扫描器，在所述扫描器中，通过辐射束沿给定方向(“扫描”方向)扫描所述图案、同时沿与该方向平行或反向平行的方向同步地扫描所述衬底来辐射每一个目标部分。也可能通过将图案压印(imprinting)到衬底上的方式将图案从图案形成装置转移到衬底上。
除了EUV辐射之外，用在EUV光刻术中的辐射源产生可能对光学元件和执行光刻工艺所处的工作环境有害的污染物材料。因而，在EUV光刻术中，希望限制布置用以调节来自EUV源的辐射束的光学系统的污染。为了这个目的，已知的方案是采用例如在US6,838,684中公开的一种所谓的旋转翼片阱(RFT)。翼片阱使用大量紧密排布的翼片，这些翼片可以基本上平行于由EUV源产生的辐射的方向对齐。污染物碎片，例如微米颗粒、纳米颗粒以及离子，可以在翼片板提供的壁中被俘获。因此，翼片阱用作俘获来自源的污染物材料的污染物阻挡件。然而，由于辐射源带来的热载荷给现有技术的实施例中的旋转构造带来严重的挑战，尤其是在冷却旋转部分的困难方面带来严重的挑战。
发明内容
本发明旨在减少旋转翼片阱上的热载荷。根据本发明的一个实施例，提供一种碎片防止系统，其构造并布置成防止从辐射源发射的碎片与来自辐射源的辐射一起传播进入光刻设备或在光刻设备内部传播。碎片防止系统包括：孔，其限定来自所述辐射源的所述辐射的最大发射角；和第一碎片阻挡件，其具有辐射透射率。第一碎片阻挡件包括可旋转翼片阱。碎片防止系统还包括第二碎片阻挡件，其具有辐射透射率。第一碎片阻挡件配置成覆盖所述发射角的一部分并且所述第二碎片阻挡件配置成覆盖所述发射角的另一部分。
根据本发明的一个实施例，提供一种辐射系统，包括：辐射源，其包括配置用以产生极紫外辐射的产生等离子体的放电源。该放电源包括配置成提供电压差的一对电极；以及放电系统，所述放电系统构造并布置成在所述一对电极之间产生放电以便在所述电极之间的中心区域中提供箍缩的等离子体。该辐射系统还包括碎片防止系统，该碎片防止系统构造并布置用以防止从所述辐射源发射的碎片与来自所述辐射源的辐射一起传播进入光刻设备或在光刻设备内部传播。所述碎片防止系统包括：孔，其限定来自所述辐射源的所述辐射的最大发射角；和第一碎片阻挡件，其具有辐射透射率。第一碎片阻挡件包括可旋转翼片阱。该碎片防止系统还包括具有辐射透射率的第二碎片阻挡件。所述第一碎片阻挡件配置成覆盖所述发射角的一部分并且所述第二碎片阻挡件配置成覆盖所述发射角的另一部分。
根据本发明的一个实施例，提供一种辐射系统，包括：辐射源；和碎片防止系统，所述碎片防止系统构造并布置用以防止从所述辐射源发射的碎片与来自所述辐射源的辐射一起传播进入光刻设备或在光刻设备内部传播。该碎片防止系统包括：孔，其限定来自所述辐射源的所述辐射的最大发射角；和第一碎片阻挡件，其具有辐射透射率。第一碎片阻挡件包括可旋转翼片阱。该碎片防止系统还包括第二碎片阻挡件，其具有辐射透射率。第一碎片阻挡件覆盖所述发射角的一部分并且所述第二碎片阻挡件覆盖所述发射角的另一部分。辐射系统还包括收集器，所述收集器限定一收集角，光在所述收集角上被收集。可旋转翼片阱和所述第二碎片阻挡件布置成削减基本上在整个所述收集角上的碎片。
根据本发明的一个实施例，提供一种光刻设备，包括：照射系统，其配置用以调节辐射束；和支撑结构，其构造用以支撑图案形成装置。图案形成装置配置用以将图案在其横截面上赋予所述辐射束以形成图案化辐射束。所述设备还包括衬底台，其构造用以保持衬底；投影系统，其配置用以将所述图案化辐射束投影到所述衬底的目标部分上；和碎片防止系统，其构造并布置用以防止从辐射源发射的碎片与来自所述辐射源的辐射一起传播进入所述光刻设备或在所述光刻设备内传播。该碎片防止系统包括：孔，其限定来自所述辐射源的所述辐射的最大发射角；第一碎片阻挡件，其具有辐射透射率。第一碎片阻挡件包括可旋转翼片阱。该碎片防止系统还包括第二碎片阻挡件，其具有辐射透射率。第一碎片阻挡件配置成覆盖所述发射角的一部分并且所述第二碎片阻挡件配置成覆盖所述发射角的另一部分。
附图说明
下面仅通过示例的方式，参考附图对本发明的实施例进行描述，其中示意性附图中相应的标记表示相应的部件，在附图中：
图1示出根据本发明实施例的光刻设备；
图2示出根据本发明实施例的产生辐射束的系统；
图3示出图1中的实施例的收集立体角沿光轴观察的投影；
图4示出图2中实施例的修改形式；
图5示出静态翼片阱的水平开口角和旋转翼片阱的开口角之间的关系；
图6示出作为旋转翼片阱的开口角的函数的旋转翼片阱的被照射的立体角的分数比例；
图7a和7b每一个示出根据本发明实施例的产生辐射束的系统；
图8示出静态翼片阱的实施例的详细示意图；
图9示出静态翼片阱的实施例的示意性俯视图；和
图10示出图9中的实施例的示意性正视图。
具体实施方式
图1示意地示出了根据本发明的一个实施例的光刻设备。所述光刻设备包括：照射系统(照射器)IL，其配置用于调节辐射束B(例如，紫外(UV)辐射或极紫外(EUV)辐射)；支撑结构(例如掩模台)MT，其构造用于支撑图案形成装置(例如掩模)MA，并与配置用于根据确定的参数精确地定位图案形成装置的第一定位装置PM相连；衬底台(例如晶片台)WT，其构造成用于保持衬底(例如涂覆有抗蚀剂的晶片)W，并与配置用于根据确定的参数精确地定位衬底的第二定位装置PW相连；和投影系统(例如折射式投影透镜系统)PS，其配置成用于将由图案形成装置MA赋予辐射束B的图案投影到衬底W的目标部分C(例如包括一根或多根管芯)上。
照射系统可以包括各种类型的光学部件，例如折射型、反射型、磁性型、电磁型、静电型或其它类型的光学部件、或其任意组合，以引导、成形、或控制辐射。
所述支撑结构支撑图案形成装置，即承载图案形成装置的重量。支撑结构以依赖于图案形成装置的方向、光刻设备的设计以及诸如图案形成装置是否保持在真空环境中等其他条件的方式保持图案形成装置。所述支撑结构可以采用机械的、真空的、静电的或其它夹持技术保持图案形成装置。所述支撑结构可以是框架或台，例如，其可以根据需要成为固定的或可移动的。所述支撑结构可以确保图案形成装置位于所需的位置上(例如相对于投影系统)。在这里任何使用的术语“掩模版”或“掩模”都可以认为与更上位的术语“图案形成装置”同义。
这里所使用的术语“图案形成装置”应该被广义地理解为表示能够用于将图案在辐射束的横截面上赋予辐射束、以便在衬底的目标部分上形成图案的任何装置。应当注意，被赋予辐射束的图案可能不与在衬底的目标部分上的所需图案完全相符(例如如果该图案包括相移特征或所谓辅助特征)。通常，被赋予辐射束的图案将与在目标部分上形成的器件中的特定的功能层相对应，例如集成电路。
图案形成装置可以是透射式的或反射式的。图案形成装置的示例包括掩模、可编程反射镜阵列以及可编程液晶显示(LCD)面板。掩模在光刻术中是公知的，并且包括诸如二元掩模类型、交替型相移掩模类型、衰减型相移掩模类型和各种混合掩模类型之类的掩模类型。可编程反射镜阵列的示例采用小反射镜的矩阵布置，每一个小反射镜可以独立地倾斜，以便沿不同方向反射入射的辐射束。所述已倾斜的反射镜将图案赋予由所述反射镜矩阵反射的辐射束。
这里使用的术语“投影系统”应该广义地解释为包括任意类型的投影系统，包括折射型、反射型、反射折射型、磁性型、电磁型和静电型光学系统、或其任意组合，如对于所使用的曝光辐射所适合的、或对于诸如使用浸没液或使用真空之类的其他因素所适合的。这里使用的术语“投影透镜”可以认为是与更上位的术语“投影系统”同义。
如这里所示的，所述设备可以是反射型的(例如，采用反射式掩模)。替代地，所述设备可以是透射型的(例如，采用透射式掩模)。
所述光刻设备可以是具有两个(双台)或更多衬底台(和/或两个或更多的掩模台)的类型。在这种“多台”机器中，可以并行地使用附加的台，或可以在一个或更多个台上执行预备步骤的同时，将一个或更多个其它台用于曝光。
所述光刻设备还可以是这种类型，其中衬底的至少一部分可以由具有相对高的折射率的液体(例如水)覆盖，以便填满投影系统和衬底之间的空间。浸没液体还可以施加到光刻设备的其他空间中，例如掩模和投影系统之间的空间。浸没技术在本领域是熟知的用于提高投影系统的数值孔径的技术。这里使用的术语“浸没”并不意味着必须将结构(例如衬底)浸入到液体中，而仅意味着在曝光过程中液体位于投影系统和该衬底之间。
参照图1，所述照射器IL接收从辐射源SO发出的辐射束。该源SO和所述光刻设备可以是分立的实体(例如当该源为准分子激光器时)。在这种情况下，不会将该源考虑成形成光刻设备的一部分，并且通过包括例如合适的定向反射镜和/或扩束器的束传递系统BD的帮助，将所述辐射束从所述源SO传到所述照射器IL。在其它情况下，所述源可以是所述光刻设备的组成部分(例如当所述源是汞灯时)。可以将所述源SO和所述照射器IL、以及如果需要时设置的所述束传递系统BD一起称作辐射系统。
所述照射器IL可以包括用于调整所述辐射束的角强度分布的调整器AD。通常，可以对所述照射器的光瞳平面中的强度分布的至少所述外部和/或内部径向范围(一般分别称为σ-外部和σ-内部)进行调整。此外，所述照射器IL可以包括各种其它部件，例如积分器和聚光器。可以将所述照射器用于调节所述辐射束，以在其横截面中具有所需的均匀性和强度分布。
所述辐射束B入射到保持在支撑结构(例如，掩模台MT)上的所述图案形成装置(例如，掩模MA)上，并且通过所述图案形成装置来形成图案。已经穿过掩模MA之后，所述辐射束B通过投影系统PS，所述投影系统将辐射束聚焦到所述衬底W的目标部分C上。通过第二定位装置PW和位置传感器IF2(例如，干涉仪器件、线性编码器或电容传感器)的帮助，可以精确地移动所述衬底台WT，例如以便将不同的目标部分C定位于所述辐射束B的路径中。类似地，例如在从掩模库的机械获取之后，或在扫描期间，可以将所述第一定位装置PM和另一个位置传感器IF1用于相对于所述辐射束B的路径精确地定位掩模MA。通常，可以通过形成所述第一定位装置PM的一部分的长行程模块(粗定位)和短行程模块(精定位)的帮助来实现掩模台MT的移动。类似地，可以采用形成所述第二定位装置PW的一部分的长行程模块和短行程模块来实现所述衬底台WT的移动。在步进机的情况下(与扫描器相反)，掩模台MT可以仅与短行程致动器相连，或可以是固定的。可以使用掩模对准标记M1、M2和衬底对准标记P1、P2来对准掩模MA和衬底W。尽管所示的衬底对准标记占据了专用目标部分，但是它们可以位于目标部分之间的空间(这些公知为划线对齐标记)中。类似地，在将多于一个的管芯设置在掩模MA上的情况下，所述掩模对准标记可以位于所述管芯之间。
可以将所示的设备用于以下模式中的至少一种中：
1.在步进模式中，在将掩模台MT和衬底台WT保持为基本静止的同时，将赋予所述辐射束的整个图案一次投影到目标部分C上(即，单一的静态曝光)。然后将所述衬底台WT沿X和/或Y方向移动，使得可以对不同目标部分C曝光。在步进模式中，曝光场的最大尺寸限制了在单一的静态曝光中成像的所述目标部分C的尺寸。
2.在扫描模式中，在对掩模台MT和衬底台WT同步地进行扫描的同时，将赋予所述辐射束的图案投影到目标部分C上(即，单一的动态曝光)。衬底台WT相对于掩模台MT的速度和方向可以通过所述投影系统PS的(缩小)放大率和图像反转特征来确定。在扫描模式中，曝光场的最大尺寸限制了单一动态曝光中所述目标部分的宽度(沿非扫描方向)，而所述扫描运动的长度确定了所述目标部分的高度(沿所述扫描方向)。
3.在另一个模式中，将用于保持可编程图案形成装置的掩模台MT保持为基本静止，并且在对所述衬底台WT进行移动或扫描的同时，将赋予所述辐射束的图案投影到目标部分C上。在这种模式中，通常采用脉冲辐射源，并且在所述衬底台WT的每一次移动之后、或在扫描期间的连续辐射脉冲之间，根据需要更新所述可编程图案形成装置。这种操作模式可易于应用于利用可编程图案形成装置(例如，如上所述类型的可编程反射镜阵列)的无掩模光刻术中。
也可以采用上述使用模式的组合和/或变体，或完全不同的使用模式。
图2示出辐射系统1的一个实施例，其构造和布置用以产生辐射束。辐射系统1包括产生碎片的辐射源2。通过系统和外围的壳体的尺寸设置，提供孔3。孔3由限定孔的屏蔽件(shield)90、90’示意地示出。屏蔽件可以包括冷却回路91。孔3限定一发射角α，其是来自源2的EUV辐射将被收集的最大角度。在示出的实施例中，设置两个可旋转翼片阱(RFT’s)4和4’以覆盖所述发射角α的一部分。屏蔽件90、90’可以阻挡EUV辐射到达位于发射角α的外部的翼片阱4、4’的整个区域。另一碎片阻挡件5设置在发射角α的中央部分，并且覆盖开口角θ，如下面将详细地介绍的那样。碎片阻挡件可以透射至少20％的EUV辐射。
该实施例提出一种具有布置在中心碎片阻挡件5的相对两侧上的两个旋转翼片阱4、4’的密西西比船(Mississippi boat)型配置。在本实施例中，中央碎片阻挡件5是位置敏感的翼片阱，参照图8进一步说明。发射角α限定源自源2的(将要被收集的)EUV光6的锥形。该源可以是放电产生的EUV源，例如本领域已知的2型源。正如图2看到的，相对于将发射角α分开的光轴7以较大角度发射的EUV光6传播通过旋转翼片阱4和4’(角度＞θ)，并且以角度＜θ围绕光轴发射的光传播通过位置敏感翼片阱5。翼片阱4、4’可以是具有相对于源2径向地安装的可旋转轴9的类型。每个轴9可以相对于源2取向以与通过辐射源2的线60对齐。多个翼片8相对于轴9沿径向安装，也就是说，以轴9作为中心，翼片8将被取向成相对于该中心沿径向方向。在这种方式中，翼片阱4可以通过旋转翼片以便捕获从源2传播过来的碎片来提供阻挡件抵挡来自源2的碎片。虽然图2示出翼片阱4、4’的轴9在基本上相同平面内调准，但是其他布置也是可以的，例如图4中示出的布置。特别地，翼片阱4和4’以及位置敏感翼片阱5的相对位置可以独立地或单独地进行优化。例如，翼片阱4、4’可以被更远离源2放置以使得源2具有更多可用空间。在一个实施例中，可旋转翼片阱4、4’相对于静态翼片阱5的布置可以使得翼片阱4、4’部分地插入到静态翼片阱5中。在这样实施例中，碎片将通过离心力从旋转翼片阱4、4’被发射的机会将在相当程度上被减小或甚至通过用静态翼片阱5捕获碎片而被防止。
图2示出静态翼片阱5的小片15部分地延伸到可旋转翼片阱5前面(沿朝向源2的光轴视线方向观察)，使得从翼片阱4发射的碎片可以通过静态翼片阱5捕获。除了静态翼片阱5，也可以使用其它碎片捕获机构。正如图2中看到的，为了最小化作用在可旋转翼片阱4、4’上的热载荷，仅多个翼片8的一部分每时刻被暴露给来自源2的辐射，而其它部分不被暴露。可旋转翼片阱4、4’的轴9不应该暴露给来自源2的辐射。因此，翼片阱4、4’可以至少部分地放置在发射角α的外侧。因此，旋转翼片阱4、4’将转动翼片8进入和离开孔3。图2的布置关于发射角α对称，但是其他布置也是可以的，包括不对称的布置。例如，可以设置多个可旋转翼片阱4、4’，其每一个包括与源2径向地安装的轴9，并且每一个具有径向安装到轴9的多个翼片8，用于提供抵挡来自源2的碎片的阻挡件。
图3示出图2中实施例的收集立体角沿光轴7(未示出，见图2)观察的投影的示意图。尤其地，中心区域10由位置敏感翼片阱5覆盖，而外围区域11被旋转翼片阱4、4’覆盖。单个旋转翼片阱4的半径以及其到源2的距离确定单个翼片阱4的开口角β(见图2)。开口角具有由将要被收集的总的角度α和位置敏感翼片阱5的(水平)开口角θ确定的最小值。考虑位置敏感翼片阱5的外角(outer corner)中的一个，如图3中的点12所示。因为该点位于收集锥角(cone)α的边缘上，所以可以得到
Figure G2008800243735D00091
其中
Figure G2008800243735D00092
是通过光轴的水平面上方的仰角(elevation angle)。此外，因为其还必须位于由可旋转翼片阱所保护的锥角β内，所以可以得到
结合(1)与(2)给出对于给定收集角α的，可旋转翼片阱的开口角β和位置敏感翼片阱(PSFT)的开口角θ之间的下列关系：
cosβ＝tanθcosα    (3)
图4示出图2中示出的实施例的修改形式。具体地，可旋转翼片阱4、4’的多个轴9设置在单个平面内，但是所述多个轴彼此之间形成角度。该角度依赖于角度α并且优选依赖于轴9的尺寸而比角度α大5-10度左右，使得该轴处在角α的外部。轴之间的角度的典型值大于100度，并且更优选地大于大约120度、大约140度、大约160度或大约180度。因为旋转翼片阱4的更大部分被使用，因此本实施例可以允许翼片阱4、4’的半径更小。这可以通过将等式(2)中的θ用θ+δ代换推导出，其中δ是旋转翼片阱4、4’已经向内移过的角度。此外，对EUV源2来说更多的空间变得可用。例如，存在更多个空间用于需要用以提供箍缩13的电极和电路。此外，也可以沿其他方向移动旋转翼片阱4、4’。这将进一步减小热载荷，但是将增大旋转翼片阱4、4’的开口角β，这可以使得它们更大。通过向内倾斜(即朝向光轴)旋转翼片阱，优选保持轴恰好在发射角外侧以便保持高的光学透射率且在旋转翼片阱4上保持相对低的热载荷。例如，旋转翼片阱4、4’被定位成使得当最大收集角为80°时，轴9和光轴之间的角为85°而不是90°。由于角度的倾斜，更多的设计空间可用于源2。
图5示出静态翼片阱5的所需的水平开口角θ和旋转翼片阱的开口角β之间的关系，具体地如图2、3所示。典型的收集角为80°。假定旋转翼片阱4的开口角为80°，在上面的等式(1)到(3)中，tanθ＝1并且因此静态翼片阱5的水平开口角θ等于45°。图5给出示出对于70°的总的收集角(线50)和80°的总的收集角(线51)情形中的静态翼片阱5的水平开口角θ和旋转翼片阱4的开口角β之间的关系的等式(3)的图。收集角等于发射角并且将在大约60到大约90°量级，优选至少为大约70°。
图6示出处于收集角内的旋转翼片阱的分数比例，其依赖于70°(线60)和80°(线61)之间的收集角范围，大约为25-40％(即在某一时刻每个旋转翼片阱的大约25-40％被照射)。这意味着旋转翼片阱4、4’接收的热载荷实质上低于具有相同几何形状的常规的旋转翼片阱，这可以改善其性能，因为热载荷可以限制旋转翼片阱的性能。此外，收集角外侧的旋转翼片阱的面积可以用于额外的冷却。
图7a和7b示出根据本发明的实施例。这些实施例不采用静态翼片阱形式的中心碎片阻挡件。通过提供相对于它们各自的轴9远侧延伸的杯形翼片8可以减小中心区域。这种布置可以在相对的旋转翼片阱4、4’的翼片8之间留下小的间隙14。在图7a示出的实施例中，两个翼片阱4、4’围绕辐射源2放置。旋转翼片阱4、4’的轴9和由此的旋转轴线与辐射源对齐并且基本上垂直于光轴。没有被旋转翼片阱所覆盖的中心部分可以通过例如屏蔽件封闭。由于大多数EUV收集器(未示出)具有大约10°的最小收集角的原因，由中心区域14中的透射损失导致的附加的EUV损失可以相对小。在其他实施例中，由两个可旋转翼片阱(RFT)覆盖的收集角可以交叠。这可以通过两个方式来实现。第一，通过让RFT的翼片缠绕在一起(interwine)而不相互接触。这需要RFT同步，而这在高的旋转频率附近可能是困难的。其次，通过将RFT中一个放置在另一个后面的方式布置RFT。离源最远的RFT具有长的翼片以便获得相当大的开口角，这可能会增大由于离心力带来的翼片中的机械应力，并可以因此限制可达到的旋转频率。
表1示出图7a中的布置的典型的参数组。
表1：用于透射计算的参数
Figure G2008800243735D00111
虽然原理上图7a和7b中的实施例的开口角可以非常大，但是一些实际的限制可能包括翼片的机械变形，和源的空间要求，这可能会防止翼片8变得太大。这些方面可以导致70°的最大开口角，在这个开口角的情况下，透射率大约为60％。对透射没有贡献的区域可以被封闭。
图7b示出根据本发明的实施例。在本实施例中，示出了三个旋转翼片阱，每一个具有相对于源2径向地取向的轴。此外，翼片阱4”形状可以形成为具有三角配置的杯形形式。例如，翼片阱4的轴9相对于彼此形成120°的角，使得可以提供源2的连续的封闭。实质上，留下未被翼片阱4覆盖的中心三角区域15。该区域可以通过其他碎片削减系统进行保护或可以完全被密封起来。这种配置的计算得到的透射率大约为总的发射角的62％。此外，多个旋转翼片阱(例如四个相同尺寸的旋转翼片阱)可以被布置成具有以90°相互角度垂直于光轴的旋转轴线。在这种情形中，可以保持的最大开口角大约为45°并且所计算出的总的透射率大约为42％。在具体情形中，通过以第三个(和/或第四个)旋转翼片阱的代价增大两个旋转翼片阱的开口角可以减小图7a和7b的实施例中的未被保护的间隙的尺寸。例如，可以配置具有两个70°开口角的旋转翼片阱和一个40°开口角的旋转翼片阱。在旋转翼片阱开口角明显低于常规旋转翼片阱的情况下可以实现良好的光学透射。而且，如上面所述的那样，热载荷可以更小。结果，图7a和7b中的实施例相对于常规的旋转翼片阱可以被放大到高得多的功率水平。在图7a和7b的实施例中，轴可以朝向光轴倾斜以便进一步减小中心区域。表2总结了上面提到的所有实施例的透射率值。在每一种情形中，在70°的最大旋转翼片阱开口角的限制条件下(即假定这是在生产工具条件下可以实现的最大的旋转翼片阱开口角)，旋转翼片阱的开口角被选定以便给出最大透射率。为了阻止原子级的碎片，旋转翼片阱通常与典型的80％的透射率的静态的翼片阱(SFT)组合。这种组合的透射率值也包含在表2中，以便反映整个碎片削减工具的典型透射率。
表2：在不具有和具有80％透射率的静态翼片阱(SFT)的情况下的透射率值的对比
  翼片类型  10-80°收集器
  无SFT   有SFT
  优选的实施例：3RFT倾斜   70.4％   56.4％
  3RFT   64.6％   51.7％
  4RFT   58.6％   46.9％
  2RFT   56.6％   45.3％
由此可见，实施例可以设置成具有两个、三个或四个翼片阱，优选相对于平行于光轴的对称的平面对称地布置。尤其，可旋转翼片阱的旋转轴线相对于光轴形成至少一个70°的角度。
图8示出图2中示出的静态翼片阱5的详细示意图。在这种配置中，小片、或翼片16是静态的并且取向成屏蔽电极17以使其不落入在小片16之间提供的视线中并且为来自在电极17之间形成的中间体积18的辐射提供通道。具体地，源2是用于产生极紫外辐射的产生等离子体的放电源。电极对17通过相应的电路提供电压差，(未示出)该电路用以在电极17之间产生放电，用于在电极17之间的中间体积18内提供箍缩的等离子体(Z-箍缩)。由于位置敏感翼片阱5的静态特性，热载荷可以是相对高的，因为这种类型的碎片阻挡件可以通过合适的冷却(未示出)被有效地冷却，还因为其不会遭遇由于旋转导致的机械应力。位置敏感翼片阱5的翼片16全部指向源2(例如箍缩)；翼片16之间的间距决定围绕箍缩的体积18有多少被透射通过翼片阱5。为了翼片阱5能够将箍缩与电极隔离开，使用许多紧密排布的翼片16。这在图8中示出，图8中示出了位于翼片阱的中心部分中的两个相邻的翼片16-1、16-2，其与电极17、17’之间的箍缩2对齐。过滤器间距s被限定成透射通过翼片阱并且形成中间体积18的区域的宽度。这与翼片阱的尺寸相关，由下式表示
tan θ = d 1 + d 2 2 ( r 2 - r 1 ) = d 2 + s 2 r 2 - - - ( 4 )
因为通过限定d2＝(r2/r1)d1，这可以改写成
s = 2 r 2 r 2 - r 1 d 1 - - - ( 5 )
例如，翼片阱几何形状可以使得内半径r1＝30mm，外半径r2＝90mm并且在翼片阱的入口处的翼片间距d1＝0.5mm，在这种情况下，过滤器间距s＝1.5mm。因此，在3mm的典型电极间隙的情况下，通过翼片阱不能观察到电极。
图8中示出的位置敏感翼片阱是对EUV辐射透射的碎片阻挡件的示例。典型的透射率值为60％或甚至更高，80-90％。然而，如图8所示，在与光轴成大的角度的情形中，间距变得非常小，这可能会影响透射率。如果翼片16-6和16-7将透射相同距离s，如垂直于光轴测量的那样，则投影的过滤器间距s’远小于s；具体地，s’＝scosθ，其中θ是与光轴所成的角度。
例如，140°的典型的收集器开口角需要在离光轴70°角度处进行碎片削减。在上面提到的翼片阱几何形状的情况下，其导致外侧翼片的翼片间距仅为0.17mm(相对比，内侧翼片为0.5mm)。因此，外侧翼片的光学透射率非常低(假定翼片厚度为0.1mm时，外侧翼片的光学透射率为～40％)。此外，由于间距紧密，锡污染物迅速地充满翼片阱的翼片之间的空间使得透射率被进一步减小。因此，在小角度θ情况下能够最佳工作的翼片阱可以用作本文所述实施例中的中心翼片阱5。
图9示出为静态翼片阱5的外围区域19提供增大的透射率的实施例的示意性俯视图。图10示出图9中的实施例的示意性正视图。提供组合的翼片阱结构，其包括用于在与光轴成小角度范围内(分度角θ)的碎片削减的位置敏感翼片阱5和用于在与光轴7成大于θ的大角度范围内的削减碎片的旋转翼片阱20。因此，可旋转翼片阱20布置成围绕小片16的静态配置旋转。组合的翼片阱21具有比静态翼片阱5更好的光学透射率并且可以承受比旋转的翼片更高的热载荷。具体地，小片16的静态延伸体相对于光轴(未示出)对称地布置。在图9中示出的实施例中，通过具有悬挂在壳体22内并指向源箍缩2的翼片16的位置敏感翼片阱5，将碎片阻止在围绕光轴的立体角θ内。θ的典型值在60°到120°之间。收集EUV的立体成像角α(在尺寸上对应于收集器的开口角)的剩余部分由围绕静态翼片阱5旋转翼片阱20所覆盖。旋转翼片阱20包括悬挂在内侧环23和外侧环24之间的翼片8。
虽然图9中将位置敏感翼片阱5的翼片16和旋转翼片阱20的翼片8显示成具有相同长度和到箍缩的相同距离，但是应该注意的是，这并不是必须的。实际上，翼片长度和到箍缩的间距可以针对两种翼片阱进行独立地优化。
旋转翼片阱可以在内侧环23上或在外侧环24上进行驱动。在外侧环24上驱动翼片阱允许转动机构被放置或设置在EUV收集角的外侧，这改善翼片阱系统4的光学透射率。除了翼片8之外，辐条(spoke)可以安装在内侧环23和外侧环24之间以提供旋转翼片阱20的必要的刚性。
壳体22、内侧环23和外侧环24可以用于翼片阱结构21的冷却。此外，壳体22和内侧环23之间的间隙可以设置轴承。在实施例中，该间隙充满液体金属，例如Ga-In-Sn合金，其用作轴承和冷却剂两者。由于翼片的长度短、冷却可能性的提高以及具有由辐条(未示出)连接的内侧环23和外侧环24的强壮设计，根据本实施例的翼片阱21可以比覆盖整个收集角α的常规的旋转翼片阱承受高得多的热载荷。在实施例中，组合的翼片阱21不仅可以用于抑制微粒碎片，还可以用于抑制原子和离子碎片。在实施例中，可以在位置敏感翼片阱和旋转翼片阱的翼片之间注入缓冲气体。在实施例中，常规的静态翼片阱可以放置在旋转翼片阱后面，并且缓冲气体可以注入到位置敏感翼片阱和静态翼片阱的翼片之间。
虽然在本文中详述了光刻设备用在制造IC(集成电路)，但是应该理解到这里所述的光刻设备可以有其他的应用，例如制造集成光学系统、磁畴存储器的引导和检测图案、平板显示器、液晶显示器(LCD)、薄膜磁头等。本领域技术人员应该认识到，在这种替代应用的情况中，可以将这里使用的任何术语“晶片”或“管芯”分别认为是与更上位的术语“衬底”或“目标部分”同义。这里所指的衬底可以在曝光之前或之后进行处理，例如在轨道(一种典型地将抗蚀剂层涂到衬底上，并且对已曝光的抗蚀剂进行显影的工具)、量测工具和/或检验工具中。在可应用的情况下，可以将所述公开内容应用于这种和其他衬底处理工具中。另外，所述衬底可以处理一次以上，例如为产生多层IC，使得这里使用的所述术语“衬底”也可以表示已经包含多个已处理层的衬底。
虽然在上面所述的实施例中，源2是放电产生的源，但是可以采用其他产生碎片的源，例如激光诱导等离子体源。此外，虽然碎片被统称为锡碎片，但是使用其他等离子体材料的其他碎片产生源也是可以根据本发明的实施例进行使用的，例如锂或氙-源。此外，所述的辐射系统通常独立于光刻设备进行制造并且可以包括例如收集来自辐射系统的辐射的收集器等其他子系统。这些收集器可以是任何合适种类(例如限定收集角的种类)，并且例如可旋转翼片阱4和静态翼片阱5等碎片阻挡件可以布置用以在收集器的整个收集角上削减碎片。例如，收集器元件可以是圆柱对称的并且包括同心的弯曲反射表面。这些表面可以以基本上从大约2cm到大约7cm范围的间距堆叠。
根据本文所述实施例，碎片防止系统可以与辐射系统一起使用或作为辐射系统的一部分，并且与光刻设备一起使用或作为光刻设备(例如前面实施例中具体的图1中的布置有源SO的光刻设备)的一部分。
虽然上面详述了本发明的实施例在光刻设备的应用，应该注意到，本发明可以有其它的应用，例如压印光刻，并且只要情况允许，不局限于光学光刻。在压印光刻中，图案形成装置中的拓扑限定了在衬底上产生的图案。可以将所述图案形成装置的拓扑印刷到提供给所述衬底的抗蚀剂层中，在其上通过施加电磁辐射、热、压力或其组合来使所述抗蚀剂固化。在所述抗蚀剂固化之后，所述图案形成装置从所述抗蚀剂上移走，并在抗蚀剂中留下图案。
这里使用的术语“辐射”和“束”包含全部类型的电磁辐射，包括：紫外(UV)辐射(例如具有约365、355、248、193、157或126nm的波长)和极紫外(EUV)辐射(例如具有5-20nm范围的波长)，以及粒子束，例如离子束或电子束。
在允许的情况下，术语“透镜”可以表示不同类型的光学部件中的任何一种或其组合，包括折射式的、反射式的、磁性的、电磁的以及静电的光学构件。
尽管以上已经描述了本发明的具体实施例，但应该认识到，本发明可以以与上述不同的方式来实现。例如，本发明可以采用包含用于描述一种如上面公开的方法的一个或更多个机器可读指令序列的一个或更多个计算机程序的形式，或具有存储其中的这种计算机程序的数据存储介质(例如半导体存储器、磁盘或光盘)的形式。
以上的描述是说明性的，而不是限制性的。因此，本领域的技术人员应当理解，在不背离所附的权利要求的保护范围的条件下，可以对本发明进行修改。

Claims (25)

1.一种碎片防止系统，其构造并布置成防止从辐射源发射的碎片与来自辐射源的辐射一起传播进入光刻设备或在光刻设备内部传播，所述碎片防止系统包括：
孔，其限定来自所述辐射源的所述辐射的最大发射角；
第一碎片阻挡件，其具有辐射透射率，所述第一碎片阻挡件包括可旋转翼片阱；和
第二碎片阻挡件，其具有辐射透射率，
其中所述第一碎片阻挡件配置成覆盖所述发射角的一部分并且所述第二碎片阻挡件配置成覆盖所述发射角的另一部分，且其中所述可旋转翼片阱包括：相对于所述辐射源径向安装的轴；和多个翼片，所述多个翼片相对于所述轴径向安装，提供阻挡件抵挡所述碎片，所述轴被至少部分地放置在所述发射角的外侧。
2.如权利要求1所述的碎片防止系统，其中所述可旋转翼片阱布置成旋转所述翼片进入和出离所述发射角。
3.如权利要求1所述的碎片防止系统，其中所述第二碎片阻挡件包括另一可旋转翼片阱。
4.如权利要求3所述的碎片防止系统，其中所述可旋转翼片阱中的每个包括：相对于所述源径向安装的轴；和多个翼片，所述多个翼片被径向地安装到所述轴，所述轴提供阻挡件抵挡所述碎片。
5.如权利要求4所述的碎片防止系统，其中所述可旋转翼片阱中的每一个具有其设置位于单个平面内的轴。
6.如权利要求4所述的碎片防止系统，其中所述可旋转翼片阱布置成使其各自的轴形成大于140°的角。
7.如权利要求4所述的碎片防止系统，其中所述翼片阱由相对于其各自轴远侧延伸的相对地布置的杯形翼片形成。
8.如权利要求3所述的碎片防止系统，其中两个、三个或四个翼片阱相对于平行于光轴的对称平面对称地布置。
9.如权利要求8所述的碎片防止系统，其中所述可旋转翼片阱的旋转轴线相对于所述光轴形成至少70°的角。
10.如权利要求1所述的碎片防止系统，其中所述发射角是至少70°。
11.如权利要求1所述的碎片防止系统，其中所述孔由设置在所述源和所述可旋转翼片阱之间的屏蔽件所限定。
12.如权利要求11所述的碎片防止系统，其中所述屏蔽件包括冷却回路。
13.一种辐射系统，包括：
辐射源，其包括配置用以产生极紫外辐射的产生等离子体的放电源，所述放电源包括配置成提供电压差的一对电极，以及放电系统，所述放电系统构造并布置成在所述一对电极之间产生放电以便在所述电极之间的中心区域提供箍缩的等离子体；和
碎片防止系统，其构造并布置用以防止从所述辐射源发射的碎片与来自所述辐射源的辐射一起传播进入光刻设备或在光刻设备内部传播，所述碎片防止系统包括：
孔，其限定来自所述辐射源的所述辐射的最大发射角；
第一碎片阻挡件，其具有辐射透射率，所述第一碎片阻挡件包括可旋转翼片阱；和
第二碎片阻挡件，其具有辐射透射率，
其中所述第一碎片阻挡件配置成覆盖所述发射角的一部分并且所述第二碎片阻挡件配置成覆盖所述发射角的另一部分，且其中所述可旋转翼片阱包括：相对于所述辐射源径向安装的轴；和多个翼片，所述多个翼片相对于所述轴径向安装，提供阻挡件抵挡所述碎片，所述轴被至少部分地放置在所述发射角的外侧。
14.如权利要求13所述的辐射系统，其中所述第二碎片阻挡件包括小片的静态配置，其中所述小片被取向成屏蔽所述电极以使其不落入在小片之间提供的视线中，并且给来自所述中心区域的辐射提供通道。
15.如权利要求14所述的辐射系统，其中所述可旋转翼片阱布置成围绕小片的所述静态配置旋转。
16.如权利要求14所述的辐射系统，其中小片的所述静态配置以相对于光轴位于中心的方式布置；且其中多个可旋转翼片阱分别布置到所述小片外围。
17.如权利要求16所述的辐射系统，其中两个、三个或四个翼片阱布置在外围。
18.如权利要求17所述的辐射系统，其中所述翼片阱布置成部分地插入到小片的所述静态配置中，用于捕获由所述旋转翼片阱再次发射的碎片。
19.一种辐射系统，包括：
辐射源；
碎片防止系统，其构造并布置用以防止从所述辐射源发射的碎片与来自所述辐射源的辐射一起传播进入光刻设备或在光刻设备内部传播，所述碎片防止系统包括：
孔，其限定来自所述辐射源的所述辐射的最大发射角；
第一碎片阻挡件，其具有辐射透射率，所述第一碎片阻挡件包括可旋转翼片阱；和
第二碎片阻挡件，其具有辐射透射率，
其中所述第一碎片阻挡件覆盖所述发射角的一部分并且所述第二碎片阻挡件覆盖所述发射角的另一部分；和
收集器，其限定一收集角，光在所述收集角上被收集，
其中所述可旋转翼片阱和所述第二碎片阻挡件布置成削减基本上在整个所述收集角上的碎片，且其中所述可旋转翼片阱包括：相对于所述辐射源径向安装的轴；和多个翼片，所述多个翼片相对于所述轴径向安装，提供阻挡件抵挡所述碎片，所述轴被至少部分地放置在所述发射角的外侧。
20.如权利要求19所述的辐射系统，其中所述收集器元件是圆柱对称的，并且包括同心的弯曲的反射表面。
21.如权利要求20所述的辐射系统，其中所述反射表面以范围在大约2cm到大约7cm之间的间距堆叠。
22.如权利要求19所述的辐射系统，其中所述收集器元件是正入射类型的。
23.如权利要求19所述的辐射系统，其中所述辐射源包括放电产生或激光诱导的等离子体源。
24.如权利要求23所述的辐射系统，其中所述等离子体源包括锡或锂或氙。
25.一种光刻设备，包括：
照射系统，其配置用以调节辐射束；
支撑结构，其构造用以支撑图案形成装置，所述图案形成装置配置用以将图案在其横截面上赋予所述辐射束以形成图案化辐射束；
衬底台，其构造用以保持衬底；
投影系统，其配置用以将所述图案化辐射束投影到所述衬底的目标部分上；和
碎片防止系统，其构造并布置用以防止从辐射源发射的碎片与来自所述辐射源的辐射一起传播进入所述光刻设备或在所述光刻设备内传播，所述碎片防止系统包括：
孔，其限定来自所述辐射源的所述辐射的最大发射角；
第一碎片阻挡件，其具有辐射透射率，所述第一碎片阻挡件包括可旋转翼片阱；和
第二碎片阻挡件，其具有辐射透射率，
其中所述第一碎片阻挡件配置成覆盖所述发射角的一部分并且所述第二碎片阻挡件配置成覆盖所述发射角的另一部分，且其中所述可旋转翼片阱包括：相对于所述辐射源径向安装的轴；和多个翼片，所述多个翼片相对于所述轴径向安装，提供阻挡件抵挡所述碎片，所述轴被至少部分地放置在所述发射角的外侧。
CN2008800243735A 2007-07-16 2008-07-16 碎片防止系统、辐射系统以及光刻设备 Expired - Fee Related CN101689030B (zh)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US11/826,525 US7687788B2 (en) 2007-07-16 2007-07-16 Debris prevention system, radiation system, and lithographic apparatus
US11/826,525 2007-07-16
PCT/NL2008/050480 WO2009011579A1 (en) 2007-07-16 2008-07-16 Debris prevention system, radiation system, and lithographic apparatus

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN101689030A CN101689030A (zh) 2010-03-31
CN101689030B true CN101689030B (zh) 2011-09-21

Family

ID=39789461

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN2008800243735A Expired - Fee Related CN101689030B (zh) 2007-07-16 2008-07-16 碎片防止系统、辐射系统以及光刻设备

Country Status (6)

Country Link
US (1) US7687788B2 (zh)
JP (1) JP2010533973A (zh)
KR (1) KR101193978B1 (zh)
CN (1) CN101689030B (zh)
NL (1) NL1035675A1 (zh)
WO (1) WO2009011579A1 (zh)

Families Citing this family (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5559562B2 (ja) * 2009-02-12 2014-07-23 ギガフォトン株式会社 極端紫外光光源装置
NL2004085A (en) * 2009-03-11 2010-09-14 Asml Netherlands Bv Radiation source, lithographic apparatus, and device manufacturing method.
US9268031B2 (en) * 2012-04-09 2016-02-23 Kla-Tencor Corporation Advanced debris mitigation of EUV light source
US9609731B2 (en) * 2014-07-07 2017-03-28 Media Lario Srl Systems and methods for synchronous operation of debris-mitigation devices
NL2015391A (en) * 2014-10-13 2016-08-30 Asml Netherlands Bv A Radiation Source.
CN106527062B (zh) * 2017-01-11 2018-11-27 惠科股份有限公司 一种曝光机及其图像偏移防治方法和系统
EP4209120A1 (en) * 2020-09-04 2023-07-12 Isteq B.V. Short- wavelength radiation source with multisectional collector module

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP1274287A1 (en) * 2001-07-05 2003-01-08 Canon Kabushiki Kaisha Debris removing system for use in X-ray source
CN1531840A (zh) * 2001-04-06 2004-09-22 ���Ͷ�����ʵ���о��ٽ�Э�� 产生远紫外辐照和软x射线辐照的方法和装置
US6838684B2 (en) * 2002-08-23 2005-01-04 Asml Netherlands B.V. Lithographic projection apparatus and particle barrier for use therein

Family Cites Families (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20020090054A1 (en) * 2001-01-10 2002-07-11 Michael Sogard Apparatus and method for containing debris from laser plasma radiation sources
KR100958765B1 (ko) * 2002-12-19 2010-05-18 칼 짜이스 에스엠티 아게 향상된 집광기 광학계를 구비하는 조명 시스템
TWI230847B (en) * 2002-12-23 2005-04-11 Asml Netherlands Bv Contamination barrier with expandable lamellas
US7230258B2 (en) * 2003-07-24 2007-06-12 Intel Corporation Plasma-based debris mitigation for extreme ultraviolet (EUV) light source
US7485881B2 (en) * 2004-12-29 2009-02-03 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus, illumination system, filter system and method for cooling a support of such a filter system
JP4904809B2 (ja) * 2005-12-28 2012-03-28 ウシオ電機株式会社 極端紫外光光源装置
US7442948B2 (en) * 2006-05-15 2008-10-28 Asml Netherlands B.V. Contamination barrier and lithographic apparatus
US7759663B1 (en) * 2006-12-06 2010-07-20 Asml Netherlands B.V. Self-shading electrodes for debris suppression in an EUV source
US7696492B2 (en) * 2006-12-13 2010-04-13 Asml Netherlands B.V. Radiation system and lithographic apparatus

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1531840A (zh) * 2001-04-06 2004-09-22 ���Ͷ�����ʵ���о��ٽ�Э�� 产生远紫外辐照和软x射线辐照的方法和装置
EP1274287A1 (en) * 2001-07-05 2003-01-08 Canon Kabushiki Kaisha Debris removing system for use in X-ray source
US6838684B2 (en) * 2002-08-23 2005-01-04 Asml Netherlands B.V. Lithographic projection apparatus and particle barrier for use therein

Also Published As

Publication number Publication date
KR20100041838A (ko) 2010-04-22
US20090021705A1 (en) 2009-01-22
US7687788B2 (en) 2010-03-30
JP2010533973A (ja) 2010-10-28
NL1035675A1 (nl) 2009-01-19
CN101689030A (zh) 2010-03-31
WO2009011579A1 (en) 2009-01-22
KR101193978B1 (ko) 2012-10-24

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN101689030B (zh) 碎片防止系统、辐射系统以及光刻设备
CN103080840B (zh) 光刻设备和方法
CN1495531B (zh) 光刻投射装置及用于所述装置中的粒子屏障
CN102132209B (zh) 具有高热传导率的euv掩模版基底
JP4799620B2 (ja) 放射システムおよびリソグラフィ装置
US9529251B2 (en) Flare-measuring mask, flare-measuring method, and exposure method
CN102736442B (zh) 光刻设备和方法
TWI430041B (zh) 污染物屏蔽及包含該屏蔽之微影裝置
CN101715568B (zh) 污染防止系统、光刻设备、辐射源以及制造器件的方法
CN101755239A (zh) 碎片防止系统和光刻设备
CN101849212A (zh) 辐射系统和方法以及光谱纯度滤光片
CN102597890A (zh) 具有空间滤光片的全息掩模检查系统
CN1975581A (zh) 辐射系统和光刻设备
CN102216853B (zh) 光刻设备、辐射系统、器件制造方法以及碎片减少方法
CN102460302B (zh) 光刻设备和用于减小杂散辐射的方法
JP2007208239A (ja) リソグフィ装置およびデバイス製造方法
CN102132213B (zh) 光谱纯度滤光片、包括这样的光谱纯度滤光片的光刻设备以及器件制造方法
KR20050076716A (ko) 광학요소, 이 광학요소를 포함하는 리소그래피 장치 및디바이스 제조방법
CN101641646A (zh) 污染物阻止系统、光刻设备、辐射源和制造器件的方法
CN101595430A (zh) 在euv源中用于碎片抑制的屏蔽电极
CN101681115A (zh) 用于照射图案形成装置的照射系统和制造照射系统的方法
CN101609267B (zh) 光刻设备
CN101957561B (zh) 传感器、台以及光刻设备
US8232537B2 (en) Radiation source, lithographic apparatus and device manufacturing method
CN102576194A (zh) 光谱纯度滤光片、光刻设备以及器件制造方法

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
C14 Grant of patent or utility model
GR01 Patent grant
CF01 Termination of patent right due to non-payment of annual fee

Granted publication date: 20110921

Termination date: 20150716

EXPY Termination of patent right or utility model