CN1975581A - 辐射系统和光刻设备 - Google Patents

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Abstract

公开了一种用于产生辐射束的辐射系统。该辐射系统包括用于产生EUV辐射的脉冲EUV辐射源，和安装在EUV源前面用于选择性通过来自所述EUV源的EUV辐射束的光谱范围的光谱过滤器。该光谱过滤器被安装在与脉冲EUV源同步移动的可移动支架上，以阻止从EUV源传播的碎屑冲击光谱过滤器。因此，光谱过滤器被保持基本上免于碎屑造成的污染。

Description

辐射系统和光刻设备
技术领域
本发明涉及辐射系统和包括辐射系统的光刻设备。具体地，本发明涉及用于产生辐射束的辐射系统，其包括产生EUV辐射的脉冲EUV源。
背景技术
光刻设备是将所需图形施加到衬底上，通常为衬底的目标部分上的机器。例如，光刻设备可以用于集成电路(IC)的制造中。在这种情况下，可称为掩模、标线(reticle)等的构图装置可以用于产生将形成在IC单层上的电路图形。该图形可以转移到衬底(例如，硅晶片)上的目标部分(例如，包括一个或几个管芯的部分)上。通常通过在提供于衬底上的辐射敏感材料(抗蚀剂)层上成像来转移图形。通常，单个衬底包括依次构图的相邻目标部分的网络。已知的光刻设备包括通过将整个图形一次曝光在目标部分上来辐射每个目标部分的所谓的步进机和通过在给定方向(“扫描”方向)上通过辐射束扫描图形来辐射每个目标部分同时同步地平行或反平行于该方向扫描衬底的所谓的扫描器。还可以通过将图形刻印在衬底上把图形从构图装置转移到衬底。
除EUV辐射外，用于EUV光刻的辐射源产生对光学器件和在其中实现光刻处理的工作环境有害的污染物质。这种问题对于通过激光引起的等离子体操作的EUV源尤为显著。因此，在EUV光刻中，存在着限制用于调节来自EUV源辐射束的光学系统的污染物的需求。此外，由于可能产生更适宜在辐射源光路下游之外的其他辐射，所以可能要求提供来自EUV源的辐射束的光谱过滤。其中的辐射源尤其指分别用于调节EUV辐射束和将所述束投影到衬底上的照明系统和投影系统。对光谱过滤EUV辐射束，已知多种物质可以提供此种过滤功能。然而，由于从EUV源传播的碎屑(debris)，这种物质在光路中的定位是难以解决的。
发明内容
希望提供用于所产生的EUV束的光谱过滤器同时保持过滤器避开(clear from)碎屑。更进一步，希望提供用于光谱过滤脉冲EUV源的辐射束的方法。
根据本发明的一个方面，提供产生辐射束的辐射系统。该辐射系统包括产生EUV辐射的脉冲EUV源，和安装在EUV源前面用于选择性通过来自EUV源的EUV辐射束的光谱范围的光谱过滤器。该光谱过滤器被安装在被配置成可与脉冲EUV源同步移动的可移动支架(mount)上。
根据本发明的另一方面，提供一种光谱过滤辐射束的方法。该方法包括用脉冲EUV源产生EUV辐射，通过安装在EUV源前面的光谱过滤器选择性通过来自所述EUV源的EUV辐射束的光谱范围，和与脉冲EUV源同步移动光谱过滤器以阻止从EUV源传播的碎屑冲击(impact)光谱过滤器。
根据本发明的另一方面，提供一种光刻设备。该设备包括用于产生辐射束的辐射系统。该辐射系统包括用于产生EUV辐射的脉冲EUV源，和被安装在EUV源前面用于选择性通过来自EUV源的EUV辐射束的光谱范围的光谱过滤器。该设备还包括对辐射束构图的构图装置，和将构图辐射束投射到衬底上的投影系统。光谱过滤器被安装在被配置成可与脉冲EUV源同步移动的可移动支架上。
附图说明
现在将参考附图，仅以示例方式描述本发明的实施例，其中相应参考符号表示相应部分，且其中：
图1示出根据本发明实施例的光刻设备。
图2示出本发明的第一实施例。
图3示出本发明的第二实施例。
图4示出从一侧看去的本发明第二实施例。
图5示出第二实施例的具体操作方法；并且
图6示出实现图5所示的具体操作方法的可选实施例。
具体实施方式
图1示意性地示出根据本发明的一个实施例的光刻设备。该设备包括：调节辐射束B(例如，UV辐射或EUV辐射)的照明系统(照明器)IL；支撑构图装置(例如，掩模)MA并连接到根据特定参数精确定位构图装置的第一定位器PM的支撑结构(例如，掩模台)MT；保持衬底(例如，涂有抗蚀剂的晶片)W并连接到根据特定参数精确定位衬底的第二定位器PW的衬底台(例如，晶片台)WT；和将通过构图装置MA赋予辐射束B的图形投射到衬底W的目标部分C(例如，包括一个或多个管芯)上的投影系统(例如，折射投影透镜系统)PS。
照明系统可以包括各种类型的光学部件，如折射的，反射的，磁的，电磁的，静电的或其他类型的光学部件，或它们的任意组合，用于引导、成形或控制辐射。
支撑结构支撑，即承受构图装置的重量。支撑结构以取决于构图装置的定向、光刻设备的设计和诸如构图装置是否保持于真空环境中的其他条件的方式保持构图装置。支撑结构可以利用机械、真空、静电或其他夹紧技术来保持构图装置。支撑结构可以是框架或平台，例如，如果需要其可以是固定的或可动的。支撑结构确保构图装置处于期望位置上，例如，相对于投影系统。在此任意使用的术语“标线”或“掩模”可以认为与更普通的术语“构图装置”同义。
在此使用的术语“构图装置”应当广泛地解释为表示可以用来在辐射束的横截面中赋予其图形以便在衬底的目标部分中产生图形的任何装置。应当注意到赋予到辐射束的图形可以不完全与衬底的目标部分中期望的图形相应，例如如果该图形包括相移部件或所谓的辅助部件。通常，赋予到辐射束的图形将与目标部分中制造的诸如集成电路的器件中的特定功能层相对应。
构图装置可以是透射性或反射性的。构图装置的例子包括掩模、可编程镜面阵列和可编程LCD面板。掩模是光刻中众所周知的，且包括诸如二元的、交替相移的和衰减相移的掩模类型以及各种混合掩模类型。可编程镜面阵列的例子采用小镜面的矩阵布置，每个小镜面可以单独倾斜以便在不同方向上反射入射的辐射束。倾斜镜面在由镜面阵列反射的辐射束中赋予图形。
在此使用的术语“投影系统”应当广泛地解释为包括任何类型的投影系统，包括折射的、反射的、反折射的、磁的、电磁的和静电光学系统，或者它们的任意组合，只要其适于所用的曝光辐射或用于诸如使用浸没液体或使用真空的其他因素。在此任意使用的术语“投影透镜”可以认为与更普通的术语“投影系统”同义。
如在此所述的，设备是反射型的(例如，采用反射掩模)。可选地，设备可以是透射型的(例如，采用透射掩模)。
光刻设备可以是具有两个(双级)或更多衬底台(和/或两个或更多掩膜台)的类型。在这种“多级”机器中其他平台可以并行使用，或者在一个或多个平台上进行预备步骤，同时一个或多个其他平台用于曝光。
光刻设备也可以是其中衬底的至少一部分浸没在具有相对高折射率的液体例如水中以便填充投影系统与衬底之间空间的类型。浸没液体也可以用于光刻设备的其他空间，如掩膜和投影系统之间。浸没技术在增加投影系统的数值孔径在技术中众所周知。在此使用的术语“浸没”不是指一种结构，如衬底，必须浸没在液体中，而是仅指在曝光期间液体位于投影系统和衬底之间。
参考图1，照明器IL接收来自辐射源SO的辐射束。例如当源为受激准分子激光器时，源和光刻设备可以是独立实体。在这种情况下，认为源不形成光刻设备的一部分，且辐射束借助束传送系统从源SO传递到照明器IL，该束传送系统例如包括合适的引导镜面和/或束扩展器。在其他情况下，例如当源为汞灯时，源可以是光刻设备的整体部分。如果需要，可以将源SO和照明器IL连同束传送系统BD一起称为辐射系统。
照明器IL可以包括用于调节辐射束角强度分布的调节器。通常，至少可以调节照明器光瞳平面中强度分布的外部和/或内部径向范围(通常分别称作σ-外和σ-内)。此外，照明器IL可以包括各种其他部件，例如积分器和聚光器。照明器可以用于调节辐射束，使其在其截面中具有期望的均匀性和强度分布。
辐射束B入射到保持在支撑结构(例如，掩模台MT)上的构图装置(例如，掩膜MA)上，并由构图装置构图。横穿(traversed)掩膜MA，辐射束B穿过投影系统PS，该投影系统PS将束聚焦到衬底W的目标部分C上。借助于第二定位器PW和位置传感器IF2(例如，干涉测量装置、线性编码器或电容传感器)，衬底台WT可以精确地移动，例如，以便在辐射束B的路径中定位不同的目标部分C。类似地，第一定位器PM和另一位置传感器IF1可以用于相对于辐射束B的路径来精确定位掩膜MA，例如在从掩模库中机械检索之后，或在扫描期间。通常，掩膜台MT的移动可以借助于构成第一定位器PM一部分的长冲程模块(粗定位)和短冲程模块(细定位)来实现。类似地，衬底台WT的移动可以使用构成第二定位器PW一部分的长冲程模块和短冲程模块来实现。在步进机(与扫描器相对)情况下，掩膜台MT可以只连接到短冲程调节器或者是固定的。掩膜MA和衬底W可以利用掩膜对准标记M1，M2和衬底对准标记P1、P2来对准。虽然所示的衬底对准标记占据专用目标部分，但它们可以位于目标部分之间的空间中(这就是已知的划片线(scribe-lane)对准标记)。类似地，在多于一个的管芯提供在掩膜MA上的情况下，掩模对准标记可以位于管芯之间。
所述设备可以用于以下模式的至少一种中：
1.在步进模式中，掩模台MT和衬底台WT基本保持固定，同时将赋予辐射束的整个图形一次投射到目标部分C上(，即，单静态曝光)。然后衬底台WT在X和/或Y方向上移动以便可以曝光不同的目标部分C。在步进模式中，曝光场的最大尺寸限制了单静态曝光中成像的目标部分C的尺寸。
2.在扫描模式中，掩模台MT和衬底台WT被同步扫描，同时将赋予辐射束的图形投射到目标部分C上(即，单动态曝光)。衬底台WT相对于掩模台MT的速度和方向可以由投影系统PL的放大(缩小)和图像翻转特性来确定。在扫描模式中，曝光场的最大尺寸限制了单动态曝光中目标部分的宽度(在非扫描方向上)，而扫描运动的长度确定了目标部分的高度(在扫描方向上)。
3.在其他模式中，掩模台MT基本保持固定地保持可编程构图装置，且衬底台WT被移动或扫描，同时将赋予辐射束的图形投射到目标部分C上。在该模式中，通常采用脉冲辐射源，在衬底台WT每次移动之后或在扫描期间的连续辐射脉冲之间需要更新可编程构图装置。这种模式的操作容易应用于利用可编程构图装置的无掩模光刻，例如上述所称类型的可编程镜面阵列。
还可以采用上述模式的组合和/或变形或者完全不同的模式。
图2示出了根据本发明的辐射系统1的第一实施例。通常，辐射系统1包括如锡或者Xe源的激光诱发的等离子体源2，然而，其他源也可能。图2示出的源2通常以脉冲方式操作以至于与从源2传播的碎屑4一起产生周期性EUV辐射3。通常操作频率在几(数十)kHz的范围。为了过滤源2，例如，用于选择性通过10-20nm波长范围内的EUV辐射3，光谱过滤器5被安装在EUV源2的前面。
用于提供这种光谱过滤器的常用材料可以包括Zr/Si多层过滤器或Zr/Nb多层过滤器。
光谱过滤器5安装在与源2相隔一段距离的旋转盘6上。该盘借助适当的驱动装置，特别地，电动机8，绕轴7旋转。
通过基于碎屑的平均速度和光速选择合适的距离，可以从产生自源2的EUV辐射3中分离出从源2传播的碎屑4。旋转盘6与脉冲EUV源2同步移动以阻止传播的碎屑4冲击光谱过滤器5上。在这里，术语“同步”表示该盘具有与脉冲EUV源2相同的操作频率，或者，可选地，该盘具有与脉冲激光源频率相匹配的作为更高次频率的操作频率。这样，光谱纯度过滤器5就能一直避开碎屑4。在图2的实施例中盘6具有敞形结构(open structure)。
作为选择，在图3的实施例中，图示的旋转盘9是固体以提供对辐射系统1的隔板(closure)。这在图4中更详细的示出，其中很清楚看出辐射系统被盘9分隔以提供介于缓冲气压源10和EUV辐射源2之间的压力壁垒。因此，等离子体源2可以独立于由盘9分离的部分14内的压力体系(pressure regime)在真空压力部分11中操作。这样，源2可以在真空压力下操作。在源和旋转盘9之间可以存在碎屑缓和(mitigation)装置，特别地，箔片俘获器(foil trap)12。这是利用很多紧密堆积的箔片的装置，其中箔片调准到与EUV源产生的光的方向大体平行。
污染性碎屑4，如微粒，毫微粒和离子可以被俘获在箔板(未示出)提供的壁上。因此，箔片俘获器12作为俘获来自源的污染物的污染壁垒。相对于作为压力壁垒的盘9，在与真空压力部分11中的箔片俘获器12和源2相对的部分14中，缓冲压力源10可以阻挡未被箔片俘获器12和旋转盘9布置阻挡的残余污染物。
通常，这可以是在低压中利用缓冲气体流13俘获的离子类污染物。在邻近由该缓冲气体操作的碎屑缓和部分14的部分中存在用于收集来自所述EUV源的EUV辐射并将EUV辐射聚集成束的收集器15，该束下游由照明器和/或投影光学器件进一步调节。这样，收集器将来自所述EUV源2的所述EUV辐射会聚到进一步的EUV光学器件。这种收集器元件15可以沿着中心轴方向对称的圆柱并可以包括由同心弯曲壳(shell)形成的反射面，该反射面以基本上在1到7cm之间的范围的距离堆叠(stacked)。此外它可以是多层垂直入射类型。
在操作上，根据本发明的光谱过滤辐射束3的方法包括提供连同从源2传播的碎屑4一起产生EUV辐射的脉冲EUV源2；在EUV源前面安装光谱过滤器5以选择性通过来自所述EUV源2的EUV辐射束3的光谱范围；和与脉冲EUV源2同步移动所述光谱过滤器5以阻止传播的碎屑4冲击光谱过滤器5。
图5示出图3所示的第二实施例的具体操作方法。事实上，可供选择地，或另外地，旋转盘9可以在图4的16示出的部分中操作。通常，在部分16中，EUV辐射经过如图6所示的中间焦点。因此，旋转盘9可以作为选择性遮挡EUV光的遮光器(shutter)。在该实施例中收集器15置于遮光器9和EUV源2之间。在中间焦点位置，有利地是，旋转盘9直径可以很小，而且相应地可以制作的比在其他部分旋转快些。
因此，遮光器9可以用于选择性透射光到如图1示出的EUV光刻设备的下游光学部件(未示出)。这样，在处理步骤之间，即在光刻设备没有主动传送图像到衬底，而是，例如处于操纵衬底或者改变标线的中间阶段的时间间隔中，EUV源2可保持以脉冲方式运行，从而保证收集器15的温度稳定。因此，可以避免收集器15的温度波动，提高EUV辐射系统1的效率。同时，源的寿命增长并且其他下游光学部件上的负荷降低。
因此，图5的实施例在操作中用于通过EUV源保持收集器15被加热的同时切断EUV辐射束。具体地，图5A示出旋转光谱过滤器的通过模式。在该模式中，光谱过滤器与脉冲激光源2的工作期间(on-periods)同步移动，以使光谱过滤器5“看到”来自脉冲源2的辐射。在图5B中，EUV辐射束3被固体盘7形成的遮光器遮挡。这可以通过使旋转光谱过滤器5和脉冲源2不同步，例如通过在脉冲源2的脉冲中引入短的延时来提供。在该模式中，光谱过滤器与脉冲激光源2的关断期间(off-periods)同步移动，以使光谱过滤器5不能“看到”来自来自脉冲源2的辐射并且盘7相应地遮挡EUV辐射。
通过根据本发明的布置，可以在只有当EUV辐射通过而不存在碎屑时选择性使用光谱过滤器。因此，光谱过滤器在本身比EUV辐射慢的污染性碎屑颗粒的冲击时间移开。注意，US4408338公开了基于碎屑和所产生的电磁性辐射的速度差选择性俘获碎屑的旋转盘布置。然而，该公布未提及放置EUV过滤器和保护该过滤器免于碎屑冲击的需要。
图6示出实施光谱操作方法的替代实施例。该实施例的各方面特征化如下：
-用于产生辐射束的辐射系统，包括：连同从源传播的碎屑一同产生EUV辐射的该脉冲EUV源；用于收集来自所述EUV源的EUV辐射的收集器；和选择性遮挡EUV束的遮光器；所述收集器位于遮光器和EUV源之间。
-用于产生辐射束的辐射系统，包括：连同从源传播的碎屑一同产生EUV辐射的该脉冲EUV源；用于收集来自所述EUV源的EUV辐射的收集器；用于将EUV辐射耦合到收集器外和/或将来自可选光源的辐射耦合到收集器内的可倾斜镜面；并且所述收集器位于可倾斜镜面和EUV源之间。
-稳定收集来自EUV源的EUV辐射的收集器温度的方法，该方法包括：提供产生EUV辐射的EUV源；提供用于收集来自所述EUV源的EUV辐射的收集器；提供选择性遮挡由所述EUV源产生的EUV束的遮光器；将所述收集器放置在遮光器和EUV源之间；并且在保持收集器被EUV源加热的同时选择性遮挡所述EUV辐射。
-稳定收集来自EUV源的EUV辐射的收集器温度的方法，该方法包括：提供产生EUV辐射的EUV源；提供用于收集来自所述EUV源的EUV辐射的收集器；提供可倾斜镜面；将所述收集器放置在镜面和EUV源之间；并且倾斜所述镜面以在保持收集器被加热的同时选择性外耦合(outcoupling)来自收集器的EUV辐射和/或将来自可选光源的辐射内耦合(incoupling)到收集器中。
特别地，图6A示出标准操作模式，其中可倾斜镜面17，特别地，具有高切线入射反射性(grazing incidence reflectivity)的镜面，置于中间焦点。因为镜面处于中间焦点，所以镜面可以小一些。
图6B中示出可选操作，这里可倾斜镜面17相对于标准操作模式被倾斜。在这一位置，可在收集器被加热的同时将来自可选光源18的辐射耦合到收集器15内。
在实施例中，镜面17可由图5示出的旋转遮光器布置9提供。这可以结合可选地使EUV源2或可选光源18与旋转遮光器布置同步来完成。
在未示出的另一实施例中，可选择地，可将来自收集器15的EUV辐射耦合到外面以保持收集器15被加热和EUV源2运行。
虽然在本文中具体参考了IC制造中光刻设备的使用，但应当理解在此描述的光刻设备可以具有其他应用，例如，集成光学系统、用于磁畴存储器的引导和探测图形、平板显示器、液晶显示器(LCD)、薄膜磁头等的制造。本领域技术人员将意识到，在这些可选应用的范围中，在此任意使用的术语“晶片”或“管芯”可以认为分别与更普通的术语“衬底”或“目标部分”同义。在这里衬底指在曝光之前或之后，可以在例如轨道(track)(通常将抗蚀剂层涂覆到衬底并显影已曝光抗蚀剂的工具)、度量工具和/或检验工具中被处理。在应用中，这里的描述可以应用于这些和其他衬底处理工具。此外，衬底可以被处理一次以上，例如为了制造多层IC，因此在此使用的术语衬底还可以指已经包括多个已处理层的衬底。
虽然已经在上面具体参考了本发明在光刻中的应用，将意识到本发明可以用于其他应用，例如压印，在允许的情况下，不限于光刻。在压印中，构图装置中的几何形状限定了衬底上制造的图形。构图装置的几何形状可以定义在称底上产生的图形。构图装置的几何形状可以被压制在提供到衬底的抗蚀剂层中，由此在衬底上通过施加电磁辐射、热、压力或它们的组合使抗蚀剂硬化。在抗蚀剂硬化后将构图装置移到留有图形的抗蚀剂之外。
在此使用的术语“辐射”和“束”包括所有类型的电磁辐射，包括紫外线(UV)辐射(例如，具有约365、355，248、193、157或126nm的波长)和远紫外线辐射(例如具有在5-20nm范围的波长)，还有粒子束，比如离子束或电子束。
术语“透镜”在本文允许的情况下可以指各种光学部件的任何一种或组合，包括折射的、反射的、磁的、电磁的和静电光学部件。
虽然已经在上面描述了本发明的具体实施例，但将意识到除上述外可以实现本发明。例如，在应用中，本发明可以采取包含描述上述方法的一个或多个连续机器可读指令的计算机程序的形式，或者采取具有存储在其中的这种计算机程序的数据存储介质(例如，半导体存储器、磁盘或光盘)的形式。
上述描述意在说明，而非限制性的。很明显，在不脱离以下所述权利要求范围的情况下，本领域技术人员可以对本发明进行改变。

Claims (20)

1.一种用于产生辐射束的辐射系统，包括：
用于产生EUV辐射的脉冲EUV源；和
安装在EUV源前面用于选择性通过来自所述EUV源的EUV辐射束的光谱范围的光谱过滤器；
所述光谱过滤器被安装在被配置成与脉冲EUV源同步移动的可移动支架上。
2.根据权利要求1的辐射系统，其中所述光谱过滤器被安装在距源一定距离的可旋转盘上以便提供产生自源的EUV辐射和从源传播的碎屑的时间上的分离，以阻止碎屑冲击光谱过滤器。
3.根据权利要求2的辐射系统，其中所述可旋转盘是固体以提供对所述辐射系统的隔板。
4.根据权利要求3的辐射系统，进一步包括用于在所述系统中产生用于俘获碎屑的压力的缓冲气体压力源；并且其中所述可旋转盘被设置用于提供压力壁垒。
5.根据权利要求4的辐射系统，其中所述压力壁垒提供位于缓冲气体压力源和EUV辐射源之间的壁垒。
6.根据权利要求1的辐射系统，其中所述光谱过滤器选择性通过具有在约10-20nm范围内的波长的辐射。
7.根据权利要求1的辐射系统，其中所述光谱过滤器包括Zr/Si多层过滤器或Zr/Nb多层过滤器。
8.根据权利要求1的辐射系统，其中可动支架被旋转以使光谱过滤器与脉冲EUV束的工作周期同步。
9.根据权利要求1的辐射系统，进一步包括用于控制脉冲EUV源的脉冲的定时的处理电路，以使光谱过滤器或遮光器与脉冲EUV束的工作周期同步。
10.根据权利要求9的辐射系统，其中所述辐射系统进一步包括用于收集来自所述EUV源的EUV辐射的收集器，所述收集器被放置在遮光器和EUV源之间。
11.根据权利要求10的辐射系统，其中所述遮光器被放置在收集器的中间焦点处。
12.根据权利要求10的辐射系统，其中所述收集器为圆柱并包括以基本上在2到7cm之间的范围的距离堆叠的同心弯曲反射面。
13.根据权利要求1的辐射系统，其中所述EUV源为激光诱发的等离子体源或放电产生的等离子体源。
14.根据权利要求1的辐射系统，其中所述等离子体源包括锡或Xe。
15.光谱过滤辐射束的方法包括：
用脉冲EUV源产生EUV辐射；
通过安装在EUV源前面的光谱过滤器选择性通过来自所述EUV源的EUV辐射束的光谱范围；和
与脉冲EUV源同步地移动所述光谱过滤器以阻止从所述EUV源传播的碎屑冲击光谱过滤器。
16.根据权利要求15的方法，进一步包括
提供可旋转盘；
在所述可旋转盘上安装所述光谱过滤器和遮光器以选择性遮挡所述EUV束或通过所述EUV源的选定光谱范围；
提供用于收集来自所述EUV源的EUV辐射的收集器，所述收集器被放置在遮光器和EUV源之间；和
在保持收集器被EUV源加热的同时遮挡所述EUV辐射束。
17.根据权利要求16的方法，其中通过使旋转光谱过滤器与脉冲激光源不同步来切断所述EUV辐射束。
18.一种光刻设备，包括：
用于产生辐射束的辐射系统，所述辐射系统包括用于产生EUV辐射的脉冲EUV源，和安装在EUV源前面用于选择性通过来自所述EUV源的EUV辐射束的光谱范围的光谱过滤器；
用于对辐射束构图的构图装置；和
用于将构图的辐射束投射到衬底上的投影系统；
所述光谱过滤器被安装在被配置成与脉冲EUV源同步移动的可移动支架上。
19.根据权利要求18的光刻设备，其中所述光谱过滤器被安装在距源一定距离的可旋转盘上以便提供产生自源的EUV辐射和从源传播的碎屑的时间上的分离，以阻止碎屑冲击光谱过滤器。
20.根据权利要求19的光刻设备，其中所述可旋转盘是固体以提供对所述辐射系统的隔板。
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SE01 Entry into force of request for substantive examination
C02 Deemed withdrawal of patent application after publication (patent law 2001)
WD01 Invention patent application deemed withdrawn after publication

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