KR20080086486A - 방사선 시스템 및 리소그래피 장치 - Google Patents

방사선 시스템 및 리소그래피 장치 Download PDF

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KR20080086486A
KR20080086486A KR1020087016398A KR20087016398A KR20080086486A KR 20080086486 A KR20080086486 A KR 20080086486A KR 1020087016398 A KR1020087016398 A KR 1020087016398A KR 20087016398 A KR20087016398 A KR 20087016398A KR 20080086486 A KR20080086486 A KR 20080086486A
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데르크 얀 빌프레드 클룬더
마르텐 마리누스 요한네스 빌헬무스 반 헤르펜
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에이에스엠엘 네델란즈 비.브이.
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Abstract

방사선의 투영 빔을 제공하는 방사선 시스템이 개시된다. 방사선 시스템은 극자외 방사선(2)을 제공하는 극자외 방사선 소스(3), 및 방사선 소스로부터 나오는 오염 물질을 트랩하는 복수의 조밀하게 패킹된 포일 플레이트(5)를 포함하는 오염물 배리어를 포함한다. 오염물 배리어는 극자외 방사선 소스를 둘러싼다.

Description

방사선 시스템 및 리소그래피 장치{RADIATION SYSTEM AND LITHOGRAPHIC APPARATUS}
본 발명은 방사선 시스템 및 리소그래피 장치에 관한 것이다. 특히, 본 발명은 방사선의 투영 빔을 제공하는 방사선 시스템에 관한 것이다. 방사선 시스템은 극자외 방사선을 제공하는 극자외 방사선 소스, 및 방사선 소스로부터 나오는 오염 물질을 트랩(trap)하는 복수의 조밀하게 패킹된 포일 플레이트들(closely packed foil plates)을 포함하는 오염물 배리어(contamination barrier)를 포함한다.
리소그래피 장치는 기판 상에, 통상적으로는 기판의 타겟부 상에 원하는 패턴을 적용시키는 기계이다. 리소그래피 장치는, 예를 들어 집적 회로(IC)의 제조시에 사용될 수 있다. 그 경우, 대안적으로 마스크 또는 레티클이라 칭하는 패터닝 디바이스가 IC의 개별층 상에 형성될 회로 패턴을 생성하기 위해 사용될 수 있다. 이 패턴은 기판(예컨대, 실리콘 웨이퍼) 상의 (예를 들어, 한 개 또는 수 개의 다이의 부분을 포함하는) 타겟부 상으로 전사(transfer)될 수 있다. 패턴의 전사는, 통상적으로 기판 상에 제공된 방사선-감응재(레지스트)층 상으로의 이미징(imaging)을 통해 수행된다. 일반적으로, 단일 기판은 연속하여 패터닝되는 인접한 타겟부들의 네트워크를 포함할 것이다. 공지된 리소그래피 장치는, 한번에 타겟 부 상으로 전체 패턴을 노광함으로써 각각의 타겟부가 조사(irradiate)되는 소위 스테퍼, 및 방사선 빔을 통해 주어진 방향("스캐닝"-방향)으로 패턴을 스캐닝하는 한편, 이 방향과 평행한 방향(같은 방향으로 평행한 방향) 또는 역-평행 방향(반대 방향으로 평행한 방향)으로 기판을 동기적으로 스캐닝함으로써 각각의 타겟부가 조사되는 소위 스캐너를 포함한다. 또한, 기판 상에 패턴을 임프린트(imprint)함으로써 패터닝 디바이스로부터 기판으로 패턴을 전사할 수도 있다.
극자외(EUV) 방사선뿐만 아니라, EUV 리소그래피에서 사용되는 방사선 소스는 리소그래피 공정이 수행되는 작업 환경 및 광학기에 유해한 오염 물질을 발생시킨다. 이는, 특히 레이저 유도 플라즈마(laser induced plasma) 또는 방전 플라즈마(discharge plasma)를 통해 작동하는 EUV 소스들에 대한 경우이다. 따라서, EUV 리소그래피 장치에서는 EUV 소스로부터 나오는 방사선 빔들을 컨디셔닝(condition)하도록 배치되는 광학 시스템의 오염물을 제한하기 위한 요구가 존재한다. 이를 위해, 예를 들어 EP1491963에 개시된 바와 같은 소위 포일 트랩(foil trap)을 사용하는 것이 알려져 있다. 포일 트랩은, 일반적으로 EUV 소스에 의해 발생된 광의 방향에 평행하게 정렬된 많은 수의 조밀하게 패킹된 포일들을 사용한다. 마이크로-입자, 나노-입자 및 이온과 같은 오염 잔해가 포일 플레이트들에 의해 제공된 벽들에 트랩될 수 있다. 따라서, 포일 트랩은 소스로부터의 오염 물질을 트랩하는 오염물 배리어로서 기능한다. 알려진 회전 포일 트랩들은 시스템의 광학 축선을 따라 방위된 회전 축선으로 방위된다. 이는, 포일 플레이트들이 포일 트랩의 완전한 회전 동안 조명되기 때문에, 비교적 높은 열 부하(heat load)를 초래한다. 또한, 광학 축 선을 따라 정렬되는 이 구성은 EUV 방사선을 다운스트림(downstream) 광학기에 전달하는데 문제가 되는 소스 앞에서 비교적 높은 부피를 필요로 한다.
소스 앞의 오염물 배리어의 유효 부피(effective volume)를 더 제한하고, 그에 대한 열 부하를 제한하는 것이 바람직하다. 또한, 최적화된 방사선 산출을 유지하면서, 최적으로 오염물이 없는 방사선 시스템을 제공하는 것이 바람직하다.
일 실시예에 따르면, 방사선의 투영 빔을 제공하는 방사선 시스템이 제공된다. 방사선 시스템은 극자외 방사선을 제공하는 극자외 방사선 소스, 및 방사선 소스로부터 나오는 오염 물질을 트랩하는 복수의 조밀하게 패킹된 포일 플레이트를 포함한 오염물 배리어를 포함한다. 오염물 배리어는 극자외 방사선 소스를 둘러싼다.
특히, 본 발명에 따르면, 오염물 배리어는 극자외 방사선 소스를 둘러싼다. 따라서, 둘러싸인 극자외 방사선 소스는 오염물 배리어가 상기 소스를 완전히 에워싸도록 오염물 배리어 내에 위치된다.
일 실시예에 따르면, 방사선 빔을 제공하는 방사선 시스템을 포함하는 리소그래피 장치가 제공된다. 방사선 시스템은 극자외 방사선을 제공하는 극자외 방사선 소스, 및 방사선 소스로부터 나오는 오염 물질을 트랩하는 복수의 조밀하게 패킹된 포일 플레이트를 포함한 오염물 배리어를 포함한다. 오염물 배리어는 극자외 방사선 소스를 둘러싼다. 또한, 상기 장치는 방사선 빔을 패터닝하는 패터닝 디바이스, 및 패터닝된 방사선 빔을 기판 상에 투영하는 투영 시스템을 포함한다.
이하 대응하는 참조 부호들이 대응하는 부부들을 나타내는 첨부된 개략적인 도면들을 참조하여, 단지 예시의 방식으로만 본 발명의 실시예들을 설명할 것이다:
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 리소그래피 장치를 도시하는 도면;
도 2는 본 발명의 제 1 실시예의 평면도;
도 3은 도 2에 나타낸 실시예의 단면도;
도 4는 차폐물(shield)의 능동 냉각(active cooling)을 구현하는 대안적인 실시예의 단면도;
도 5는 펌프 블레이드(pump blade)들로서 포일 트랩의 포일들을 이용한 펌핑을 구현하는 대안적인 실시예를 도시하는 도면;
도 6은 본 발명의 또 다른 대안적인 실시예를 도시하는 도면;
도 7은 본 발명의 또 다른 실시예를 도시하는 도면; 및
도 8은 본 발명의 일 실시예를 도시하는 도면이다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 리소그래피 장치를 개략적으로 도시한다. 상기 장치는 방사선 빔(B)(예를 들어, UV 방사선 또는 EUV 방사선)을 컨디셔닝하도록 구성된 조명 시스템(일루미네이터)(IL); 패터닝 디바이스(예를 들어, 마스크)(MA)를 지지하도록 구성되고, 소정 파라미터들에 따라 패터닝 디바이스를 정확히 위치시키도록 구성된 제 1 위치설정기(PM)에 연결된 지지 구조체(예를 들어, 마스크 테이블)(MT); 기판(예를 들어, 레지스트-코팅된 웨이퍼)(W)을 유지하도록 구 성되고, 소정 파라미터들에 따라 기판을 정확히 위치시키도록 구성된 제 2 위치설정기(PW)에 연결된 기판 테이블(예를 들어, 웨이퍼 테이블)(WT); 및 기판(W)의 (예를 들어, 1 이상의 다이를 포함하는) 타겟부(C) 상으로 패터닝 디바이스(MA)에 의해 방사선 빔(B)에 부여된 패턴을 투영하도록 구성된 투영 시스템(예를 들어, 굴절 투영 렌즈 시스템)(PS)을 포함한다.
조명 시스템은 방사선을 지향, 성형 또는 제어하기 위하여, 굴절, 반사, 자기, 전자기, 정전기 또는 다른 형태의 광학 구성요소들, 또는 여하한의 그 조합과 같은 다양한 형태의 광학 구성요소들을 포함할 수 있다.
지지 구조체는 패터닝 디바이스를 지지, 즉 그 무게를 견딘다. 이는 패터닝 디바이스의 방위, 리소그래피 장치의 디자인, 및 예를 들어 패터닝 디바이스가 진공 환경에서 유지되는지의 여부와 같은 다른 조건들에 의존하는 방식으로 패터닝 디바이스를 유지한다. 지지 구조체는 패터닝 디바이스를 유지하기 위해 기계적, 진공, 정전기, 또는 다른 클램핑 기술들을 이용할 수 있다. 지지 구조체는, 예를 들어 필요에 따라 고정되거나 이동가능할 수 있는 프레임 또는 테이블일 수 있다. 지지 구조체는, 패터닝 디바이스가 예를 들어 투영 시스템에 대해 원하는 위치에 있을 것을 보장할 수 있다. 본 명세서의 "레티클" 또는 "마스크"라는 용어의 어떠한 사용도 "패터닝 디바이스"라는 좀 더 일반적인 용어와 동의어로 간주될 수 있다.
본 명세서에서 사용되는 "패터닝 디바이스"라는 용어는, 기판의 타겟부에 패턴을 생성하기 위해서, 방사선 빔의 단면에 패턴을 부여하는데 사용될 수 있는 여하한의 디바이스를 언급하는 것으로 폭넓게 해석되어야 한다. 방사선 빔에 부여된 패턴은, 예를 들어 상기 패턴이 위상-시프팅 피처(phase-shifting feature)들 또는 소위 어시스트 피처(assist feature)들을 포함하는 경우, 기판의 타겟부 내의 원하는 패턴과 정확히 일치하지 않을 수도 있다는 것을 유의하여야 한다. 일반적으로, 방사선 빔에 부여된 패턴은 집적 회로와 같이 타겟부에 생성될 디바이스 내의 특정 기능 층에 해당할 것이다.
패터닝 디바이스는 투과형 또는 반사형일 수 있다. 패터닝 디바이스의 예로는 마스크, 프로그램가능한 거울 어레이, 및 프로그램가능한 LCD 패널들을 포함한다. 마스크는 리소그래피 분야에서 잘 알려져 있으며, 바이너리(binary)형, 교번 위상-시프트형 및 감쇠 위상-시프트형과 같은 마스크 타입뿐만 아니라, 다양한 하이브리드(hybrid) 마스크 타입들을 포함한다. 프로그램가능한 거울 어레이의 일 예시는 작은 거울들의 매트릭스 구성을 채택하며, 그 각각은 입사하는 방사선 빔을 상이한 방향으로 반사시키도록 개별적으로 기울어질 수 있다. 기울어진 거울들은 거울 매트릭스에 의해 반사되는 방사선 빔에 패턴을 부여한다.
본 명세서에서 사용되는 "투영 시스템"이라는 용어는, 사용되는 노광 방사선에 대하여, 또는 침지 액체의 사용 또는 진공의 사용과 같은 다른 인자들에 대하여 적절하다면, 굴절, 반사, 카타디옵트릭(catadioptric), 자기, 전자기 및 정전기 광학 시스템, 또는 여하한의 그 조합을 포함하는 여하한 타입의 투영 시스템을 내포하는 것으로서 폭넓게 해석되어야 한다. 본 명세서의 "투영 렌즈"라는 용어의 어떠한 사용도 "투영 시스템"이라는 좀 더 일반적인 용어와 동의어로 간주될 수 있다.
본 명세서에 도시된 바와 같이, 상기 장치는 (예를 들어, 반사 마스크를 채 택하는) 반사형으로 구성된다. 대안적으로, 상기 장치는 (예를 들어, 투과 마스크를 채택하는) 투과형으로 구성될 수 있다.
리소그래피 장치는 2 개(듀얼 스테이지) 이상의 기판 테이블 (및/또는 2 이상의 마스크 테이블)을 갖는 형태로 구성될 수 있다. 이러한 "다수 스테이지" 기계에서는 추가 테이블이 병행하여 사용될 수 있으며, 또는 1 이상의 테이블이 노광에 사용되고 있는 동안 1 이상의 다른 테이블에서는 준비작업 단계가 수행될 수 있다.
또한, 리소그래피 장치는 투영 시스템과 기판 사이의 공간을 채우기 위해서, 기판의 전체 또는 일부분이 비교적 높은 굴절률을 갖는 액체, 예컨대 물로 덮일 수 있는 형태로도 구성될 수 있다. 또한, 침지 액체는 리소그래피 장치 내의 다른 공간들, 예를 들어 마스크와 투영 시스템 사이에도 적용될 수 있다. 침지 기술은 투영 시스템의 개구수(numerical aperture)를 증가시키는 기술로 당업계에 잘 알려져 있다. 본 명세서에서 사용되는 "침지"라는 용어는 기판과 같은 구조체가 액체 내에 담그어져야 함을 의미하는 것이라기보다는, 노광시 액체가 투영 시스템과 기판 사이에 놓이기만 하면 된다는 것을 의미한다.
도 1을 참조하면, 일루미네이터(IL)는 방사선 소스(SO)로부터 방사선 빔을 수용한다. 예를 들어, 상기 소스가 엑시머 레이저(excimer laser)인 경우, 상기 소스 및 리소그래피 장치는 별도의 개체일 수 있다. 이러한 경우, 상기 소스는 리소그래피 장치의 일부분을 형성하는 것으로 간주되지 않으며, 상기 방사선 빔은 예를 들어 적절한 지향 거울 및/또는 빔 익스팬더(beam expander)를 포함하는 빔 전달 시스템(BD)의 도움으로, 소스(SO)로부터 일루미네이터(IL)로 통과된다. 다른 경우, 예를 들어 상기 소스가 수은 램프인 경우, 상기 소스는 리소그래피 장치의 통합부일 수 있다. 상기 소스(SO) 및 일루미네이터(IL)는, 필요에 따라 빔 전달 시스템과 함께 방사선 시스템이라고 칭해질 수 있다.
상기 일루미네이터(IL)는 방사선 빔의 각도 세기 분포를 조정하는 조정기를 포함할 수 있다. 일반적으로, 일루미네이터의 퓨필 평면 내의 세기 분포의 적어도 외반경 및/또는 내반경 크기(통상적으로, 각각 외측-σ 및 내측-σ라 함)가 조정될 수 있다. 또한, 일루미네이터(IL)는 인티그레이터 및 콘덴서와 같이, 다양한 다른 구성요소들을 포함할 수도 있다. 일루미네이터는 방사선 빔의 단면에 원하는 균일성(uniformity) 및 세기 분포를 갖기 위해, 방사선 빔을 컨디셔닝하는데 사용될 수 있다.
상기 방사선 빔(B)은 지지 구조체(예를 들어, 마스크 테이블)(MT) 상에 유지되어 있는 패터닝 디바이스(예를 들어, 마스크)(MA) 상에 입사되며, 패터닝 디바이스에 의해 패터닝된다. 상기 마스크(MA)를 가로질렀으면, 상기 방사선 빔(B)은 투영 시스템(PS)을 통과하여 기판(W)의 타겟부(C) 상에 상기 빔(B)을 포커스한다. 제 2 위치설정기(PW) 및 위치 센서(IF2)(예를 들어, 간섭계 디바이스, 리니어 인코더 또는 용량성 센서)의 도움으로, 기판 테이블(WT)은 예를 들어 방사선 빔(B)의 경로 내에 상이한 타겟부(C)들을 위치시키도록 정확하게 이동될 수 있다. 이와 유사하게, 제 1 위치설정기(PM) 및 또 다른 위치 센서(IF1)는, 예를 들어 마스크 라이브러리(mask library)로부터의 기계적인 회수 후에, 또는 스캔하는 동안, 방사선 빔(B)의 경로에 대해 마스크(MA)를 정확히 위치시키는데 사용될 수 있다. 일반적으 로, 마스크 테이블(MT)의 이동은 장-행정 모듈(long-stroke module: 개략 위치설정) 및 단-행정 모듈(short-stroke module: 미세 위치설정)의 도움으로 실현될 수 있으며, 이는 제 1 위치설정기(PM)의 일부분을 형성한다. 이와 유사하게, 기판 테이블(WT)의 이동은 장-행정 모듈 및 단-행정 모듈을 이용하여 실현될 수 있으며, 이는 제 2 위치설정기(PW)의 일부분을 형성한다. (스캐너와는 대조적으로) 스테퍼의 경우, 마스크 테이블(MT)은 단-행정 액추에이터에만 연결되거나 고정될 수 있다. 마스크(MA) 및 기판(W)은 마스크 정렬 마크들(M1 및 M2) 및 기판 정렬 마크들(P1 및 P2)을 이용하여 정렬될 수 있다. 비록, 예시된 기판 정렬 마크들(P1 및 P2)은 지정된(dedicated) 타겟부들을 차지하고 있지만, 그들은 타겟부들 사이의 공간들 내에 위치될 수도 있다[이들은 스크라이브-레인 정렬 마크(scribe-lane alignment mark)들로 알려져 있다]. 이와 유사하게, 마스크(MA) 상에 1 이상의 다이가 제공되는 상황들에서, 마스크 정렬 마크들(M1 및 M2)은 다이들 사이에 위치될 수 있다.
도시된 장치는 다음 모드들 중 1 이상에서 사용될 수 있다:
1. 스텝 모드에서, 마스크 테이블(MT) 및 기판 테이블(WT)은 기본적으로 정지 상태로 유지되는 한편, 방사선 빔(B)에 부여되는 전체 패턴은 한번에 타겟부(C) 상에 투영된다[즉, 단일 정적 노광(single static exposure)]. 그 후, 기판 테이블(WT)은 상이한 타겟부(C)가 노광될 수 있도록 X 및/또는 Y 방향으로 시프트된다. 스텝 모드에서 노광 필드의 최대 크기는, 단일 정적 노광시에 이미징되는 타겟부(C)의 크기를 제한한다.
2. 스캔 모드에서, 마스크 테이블(MT) 및 기판 테이블(WT)은 방사선 빔에 부여된 패턴이 타겟부(C) 상에 투영되는 동안에 동기적으로 스캐닝된다[즉, 단일 동적 노광(single dynamic exposure)]. 마스크 테이블(MT)에 대한 기판 테이블(WT)의 속도 및 방향은 투영 시스템(PS)의 확대(축소) 및 이미지 반전 특성에 의하여 결정될 수 있다. 스캔 모드에서, 노광 필드의 최대 크기는 단일 동적 노광시 타겟부의 (스캐닝 되지 않는 방향으로의) 폭을 제한하는 반면, 스캐닝 동작의 길이는 타겟부의 (스캐닝 방향으로의) 높이를 결정한다.
3. 또 다른 모드에서, 마스크 테이블(MT)은 프로그램가능한 패터닝 디바이스를 유지하여 기본적으로 정지된 상태로 유지되며, 방사선 빔에 부여된 패턴이 타겟부(C) 상에 투영되는 동안 기판 테이블(WT)이 이동되거나 스캐닝된다. 이 모드에서는, 일반적으로 펄스화된 방사선 소스(pulsed radiation source)가 채택되며, 프로그램가능한 패터닝 디바이스는 기판 테이블(WT)이 각각 이동한 후, 또는 스캔 중에 계속되는 방사선 펄스 사이사이에 필요에 따라 업데이트된다. 이 작동 모드는 앞서 언급된 바와 같은 타입의 프로그램가능한 거울 어레이와 같은 프로그램가능한 패터닝 디바이스를 이용하는 마스크없는 리소그래피(maskless lithography)에 용이하게 적용될 수 있다.
또한, 상술된 사용 모드들의 조합 및/또는 변형, 또는 완전히 다른 사용 모드들이 채택될 수도 있다.
도 2는 본 발명에 따른 방사선 시스템(1)에 대한 기초 구성을 나타낸다. 도 2에서, 점선들은 EUV 소스(3), 전형적으로 주석, 리튬 또는 크세논 소스와 같은 레 이저 유도 플라즈마 소스 또는 플라즈마 방전 소스로부터 나오는 EUV 방사선(2)을 나타내며, 다른 소스들도 가능하다. 포일 트랩은 방사선 소스(3)로부터 나오는 오염 물질을 트랩하는 오염물 배리어(4)로서 기능한다. 이를 위해, 오염물 배리어(4)에는 전형적으로 0.3 내지 5 mm(통상적으로, 약 1 mm) 간격으로 배치된 복수의 조밀하게 패킹된 포일 플레이트(5)들이 제공되는 반면, 포일 플레이트(5)들은 일반적으로 직사각형이고 도 3에서 알 수 있는 바와 같이 원통형을 따라 장착된다. 오염물 배리어(4)는 상기 소스(3)에 대해 회전가능하며, 상기 소스(3)를 둘러싼다. 도시된 실시예에서는 오염물 배리어가 회전가능하지만, 포일들 내의 잔해를 트랩하는 버퍼 가스(buffer gas) 또는 전자기장과 같은 적절한 수단을 포함하여 회전가능하지 않은 변형예들이 실행가능하다. 또한, 상기 소스(3)가 회전가능할 수도 있다. 또한, 상기 소스(3)는 오염물 배리어의 광심(optical center)을 정의하는 상기 복수의 포일 플레이트(5)들을 통해 연장된 평면들의 교차 지점에 위치되는 것이 유리하며, 이는 도 2에 도시된 실시예에서 상기 오염물 배리어(4)의 중심 축선과 일치한다. EUV 소스와 같은 이상적인 지점에 대한 이 중심에서, 방사선은 일반적으로 평행한 포일들을 통과하며, 방사선의 차폐는 최소화되어 단지 기계적 건전성(mechanical integrity)을 떨어뜨리지 않고 최소로 유지되는 포일 플레이트의 두께에 걸쳐 발생한다. 전형적인 값은 약 10 %의 차폐를 유도할 수 있는 약 100 마이크론일 수 있다.
또한, 도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 오염물 배리어(4)가 유리하게는 상기 EUV 방사선(3)으로부터 상기 오염물 배리어(4)를 차폐하는 차폐물(6)을 포함 하고, 부분적으로 상기 EUV 소스(3)를 둘러싸는 것을 나타낸다. 도 2에서, 차폐물(6)은 원통형이고, 부분적으로 상기 소스(3)를 둘러싼다. 45°의 어퍼처(aperture: 7)를 정의함으로써, 오염물 배리어(4)에 대한 추정되는 열 방사(thermal radiation)의 열 부하가 30 % 감소될 수 있으며, 이는 오염물 배리어(4)의 온도에 있어서 상당한 감소일 수 있다. 일반적으로, 어퍼처(7)의 크기는 광 출력을 최적화하는 것과 열 부하를 최소화하는 것 사이에서 조화롭게 선택될 것이며, 전형적인 값들은 30°와 60° 사이에서 변화할 것이다. 또한, 차폐물(6)은 EUV 방사선에 대한 흡수체로서 도시되며, 이는 도 4에서 설명되는 바와 같이 차폐물(6)의 상당한 열 부하를 유도한다. 하지만, 반사 차폐물들을 포함한 다른 형태들이 가능하며, 이는 방사선 시스템(1)의 방사선 산출을 최적화하는 모양일 수 있다.
도 3은 도 2에 나타낸 방사선 시스템(1)의 측면도이다. 여기에서, 원통 축선을 따라 회전축(8)과 회전가능하게 장착되는 일반적인 원통형의 오염물 배리어(4)가 예시되며, 이는 우수한 제조 능력을 갖는다. 포일 플레이트(5)는 마주보는 장착부(mount: 9 및 10) 사이에 위치된다. 나타낸 실시예에서, 하부 장착부(9)는 환형이고, 이는 시스템의 저부 측을 개방(open)되게 한다. 따라서, 상기 소스(3)가 환형 장착부(9)를 통해 소스에 전극들(도시되지 않음)을 제공함으로써 아래로부터 설치되고 쉽게 작동될 수 있다. 상부 장착부(10)는 원반형(disk shape)이고, 적절한 구동 수단(도시되지 않음)을 통해 작동되는 회전축(8)에 부착된다. 장착부들(9 및 10)(도시되지 않음) 상에는, 포일들(5)을 부착하기 위해 레이디얼 슬릿(radial slit)들이 제공될 수 있다. 포일(5)들의 치수는 전형적으로 20 x 200 mm이고, 원반 은 약 200 내지 300 mm의 직경을 갖지만, 필요에 따라 다른 치수들도 가능하다. 포일 플레이트(5)들의 (길이 치수에 대응하는) 높이는, 상기 방사선 시스템(1)으로부터 또 다른 다운스트림 EUV 광학기, 특히 도 1에 나타낸 리소그래피 장치의 투영 광학기로 수렴(converge)하는 방사선 시스템 앞에 위치된 컬렉터 광학기(collector optics: 도시되지 않음)를 향하는 광 산출을 최적화하도록 선택된다. 이러한 컬렉터 요소는 쉘 형성 그레이징 입사 반사면(shell formed grazing incidence reflective surface)들을 포함할 수 있다. 대안적으로, 그것은 다층 수직 입사형(multilayer normal incidence type)으로 구성될 수 있다.
나타낸 실시예에서, 원통형의 오염물 배리어(4)에 의해 작은 비대칭이 도입된다. 이는, 잔해 및 EUV 광에 대한 차단 경로가 앙각(elevation angle)에 따라 변할 수 있다는 것을 의미한다. 오염물 배리어(4)에 의해, 포일(5)들이 아크(arc) 형태를 갖고 구 형상에 따라 장착되는 더 둥근 대칭형이 제공될 수 있다. 하지만, 제조 능력을 위해서는 원통형이 바람직하다. 이 점에서, 오염물 배리어(4)의 안정된 단위(unitary) 회전 이동을 제공하기 위해, 기계적 연결이 마주보는 장착부(9 및 10) 사이 및 이들 사이에 연결된 포일(5)들을 초과하여 제공될 수 있다. 이러한 연결은 살(spoke)들의 형태일 수 있으며(예시되지 않음), 이는 EUV 방사선 산출에 대해 작은 손실을 야기할 수 있다. 나타낸 실시예에서, 환형 장착부(9)는 자유자재로 매달릴 수 있다. 하지만, 그것은 기계적 안정성을 증가시키기 위해 별도의 회전축 상에 장착될 수도 있다.
도 4는 차폐물(6)의 선호 디자인의 측단면도를 개략적으로 나타낸다. 도 2 및 도 3에 도시된 실시예들에서, 소스(3)로부터의 방사선의 실질적인 부분이 소스(3)의 방사된 에너지의 상당한 부분을 흡수하는 차폐물(6) 상에 입사한다. 공간 각도(spatial angle)의 전형적인 값은 약 2 pi일 수 있다. 이는 차폐물(6)에 있어서 높은 온도들을 초래할 수 있으며, 이는 흡수된 EUV 파워의 열 재-방사를 야기할 수 있다.
이 효과들을 억제하기 위해서는, 차폐물(6)의 온도를 낮추는 것이 바람직하다. 따라서, 일 실시형태에서 본 발명은 도 4에 나타낸 바와 같이 적절한 냉각재(12)로 채워진 냉각 덕트(cooling duct: 11)를 차폐물(6)에 제공할 것을 제안한다. 냉각재(12), 특히 물(약 4200 J/kg·K의 열용량)은 차폐물의 재료- 이는, 예를 들어 몰리브덴(약 250 J/kg·K의 열용량)일 수 있음 -보다 상당히 더 높은 열용량을 가지며, 이는 차폐물 밖으로 열을 전달할 수 있다. 18 kW를 방사하는 소스에 대해, 약 9.55 kW의 파워가 차폐물에 의해 흡수될 수 있다. 이러한 방식에 대한 일 예시에서, 약 13.6 리터/분의 유량(volume flow)의 물이 냉각을 제공할 수 있는 한편, 물로 하여금 약 10 ℃ 내지 약 20 ℃로 가열되게 한다. 예시된 실시예에서, 냉각 덕트(11)는 차폐물(6) 내에 포함된 이중 벽 구조체에 의해 형성된다.
도 5는 본 발명의 또 다른 유리한 실시예를 측단면도로 나타낸다. 이 실시예에서는, 차폐물(6)과 마주하는 오염물 배리어(4)를 부분적으로 둘러싸는 인클로저(enclosure: 12)가 제공된다. 포일(5)들의 회전을 통해, 포일(5)들이 차폐물(6)과 인클로저(13) 사이에서 이동하는 펌프 블레이드들로서 기능한다. 인클로저(13)를 펌프(14)에 연결함으로써, 이에 따라 포일(5)들 사이에 형성된 볼륨(volume: 15)들 외부로 입자들이 펌핑(pump)될 수 있다. 이러한 방식으로, 방사선 시스템(1) 및 또 다른 다운스트림 광학기(도시되지 않음)에서의 압력 환경을 개선하여, 입자들의 향상된 드레인(drain)이 제공될 수 있다. 특히, 이 실시예는 상기 소스(3)에 가까운 펌핑을 허용함에 따라, 소스에 대한 작동 압력을 개선하며, 이는 일반적으로 낮은 진공 압력에 유리하다. 도 3을 참조하여 앞서 설명된 포일(5)들의 치수화에 대한 예시에 의하면, 오염물 배리어(4)의 50 Hz의 회전 주파수에 대해 약 138 l/s의 펌핑 볼륨이 제공될 수 있다. 0.5 Pa의 소스에서 요구되는 가스 압력에 대해, 단위 시간당 펌핑되는 가스량은 약 41.4 scc/m이며, 이는 펌프(14)에 의해 펌핑될 가스량이다.
도 5에 예시된 펌핑 실시예의 전형적인 적용예들은 어퍼처(7) 부근에 버퍼 가스(16)를 제공하는 것이다. 따라서, 어퍼처(7)에 가까운 부근, 특히 화살표(P)로 예시된 포일(5)들의 회전 이동에 의해 정의된 어퍼처(7)의 업스트림 측 상에 버퍼 가스 유출구(17)가 제공된다. 유출구는 포일(5)들 사이의 볼륨(15)을 채우는 것이 바람직하다. 버퍼 가스는 새어나가는 입자들, 특히 이온상(ion like) 입자들 또는 가스 입자들을 어느 정도 억제하기에 충분한 높은 압력을 갖지만, 너무 높은 압력들은 작동하는 소스에 대해 불리하다. 전형적인 압력들은 버퍼 가스(16)에 대해 약 0.5 Pa일 수 있다.
또한, 포일(5)들을 정화(purge)하기 위해 상기 인클로저(13) 내에 정화 가스(18)가 제공될 수 있다. 정화 가스(18)를 제공하기 위해서, 화살표(P)로 예시된 포일(5)들의 회전 이동에 의해 정의된 어퍼처(7)의 다운스트림 측 상의 차폐물(6) 뒤에 정화 가스 주입기(19)가 제공될 수 있다. 전형적인 정화 가스(18)는, 예를 들어 약 10 mbar의 압력에서 수소 라디칼(hydrogen radical)들, 또는 듀테륨 라디칼들을 포함할 수 있다. 이 구성에 의하여, 포일들이 상기 소스(3)로터 차폐되는 경우에 정화 가스(18)에 의해 약 200 nm/h의 세정률로 세정될 수 있다. 포일들을 세정하기에 적절한 다른 세정 가스들은 할로겐 가스들을 포함한다. 이 정화 가스 적용은 본 발명에 따른 상기 소스(3)를 둘러싸는 도 5의 오염물 배리어(4)에 대해 예시되었지만, 이 개념은 방사선의 투영 빔을 제공하는 방사선 시스템에 대해서도 적용가능할 수 있으며: 이는 극자외 방사선을 제공하는 극자외 방사선 소스; 상기 방사선 소스로부터 나오는 오염 물질을 트랩하는 복수의 조밀하게 패킹된 포일 플레이트들을 포함한 오염물 배리어를 포함하고, 상기 극자외 방사선 소스로부터 상기 오염물 배리어를 부분적으로 차폐하는 차폐물이 제공되며, 상기 차폐물 뒤에 상기 극자외 방사선 소스에 노출되지 않는 경우에 상기 오염물 배리어를 세정하는 정화 가스 주입기가 제공된다. 따라서, 상기 소스(3)로부터 차폐되는 경우에, 예를 들어 당업자에게 알려진 방법들에 의해 핫-필라멘트(hot-filament)에 의해 발생될 수 있는 수소 라디칼이 포일들 사이의 볼륨(15) 내로 삽입될 수 있다. 후속하여, 포일들이 EUV 소스(3)에 노출되기 이전에 펌프(14)에 의해 정화 가스(18) 및 반응 생성물(reaction product)[주석 소스에 대해, 이는 전형적으로 주석 수소화물 가스(tin hydride gas)일 수 있음]이 펌핑된다.
6 kHz의 주파수로 작동하고, 4 pi에서 10^15 atoms/pulse를 증착하는 소스(3)에 대해, 추정되는 주석 증착은 약 91 nm/h이며, 이는 분명히 200 nm/h의 추 정되는 세정율 최대값 이하이다. 따라서, 사용하는 동안 오염물 배리어(4)의 온라인(on line) 세정이 제공될 수 있으며, 또는 적어도 오염물 배리어 상에 오염물 층들의 성장을 상당히 방지할 수 있다.
도 6은 본 발명의 또 다른 실시예를 도시한다. 최악의 경우에, 어퍼처 영역(7)(도 5 참조) 내에서 포획(capture)되는 잔해 입자들(20)이 상기 입자들(20)에 작용하는 원심력을 통해 이 영역(7) 내에서 해방될 수 있으며, 이에 따라 다운스트림 광학기를 오염시킬 수 있다. 이 실시예에서, 포일 트랩(4)은 어퍼처(7)에 의해 정의되는 광학 축선으로부터 충분히 멀어지도록 지향되는 방향으로 포획된 입자들(20)을 해방하기에 아주 충분하도록 회전한다. 일 실시형태에 따르면, 포일 플레이트(5)는 휠-오브-포춘(wheel-of-fortune) 포일 트랩(4)의 반경에 대해 바람직한 범위 내에 치수화된다.
90 내지 270 도의 범위 내에서 잔해 입자(20)의 픽-업(pick-up)과 드롭-오프(drop-off) 사이에 요구되는 최소 회전 각도에 대해 2.51 < (Rmax/R0) < 6.0이다. 여기에서, Rmax는 드롭-오프에서의 잔해 입자의 최대 방사 거리이며, R0은 최소 방사 거리이다. 이 범위에서, 입자의 가정된 초기 방사 속도는 0으로 가정되며, 정규화된 마찰 상수는 약 1인 것으로 가정된다. 이러한 정규화된 마찰 상수는 [마찰력과 평면 속도(planar velocity) 간의 선형성을 표현하는] 마찰 상수(C) 및 인자 2 x (잔해 입자 질량) x (각속도)의 비(ratio)로서 정의된다. 정규화된 마찰 상수는, 전형적으로 1보다 작다. (정규화된) 마찰 상수가 상당히 작은 경우, Rmax와 R0 간의 비는 증가할 것이다. 앞서 간단히 설명된 동일한 조건들에 대해, 범위는 바람직하게는 2.51 < (Rmax/R0) < 55.7일 것이다.
따라서, 이 계산으로부터, 도 3의 실시예를 참조하여 설명된 치수화에 대응하는 포일 플레이트의 바람직한 폭 치수가 도 3의 실시예를 참조하여 설명된 트랩가능한 잔해 속도의 추정된 계산으로부터 이어지는 최소 치수보다 더 크게, 특히 2 cm보다 크게 치수화될 것이다. 포일 플레이트들의 폭 치수는 최소로 Rmax와 R0 간의 차에 대응할 것이다. 따라서, 포일 플레이트(5)들은 바람직하게는 [비행하는 드롭릿(ballistic droplet)들을 정지시키는데 필요한 것보다 더 크게] 연장된 최대 반경을 갖는다. 분석은 반경을 증가시키는 것이 컬렉팅 광학기를 향해 드롭릿이 휩쓸리기(sweep) 전에 회전 각도의 증가를 유도한다는 것을 나타낸다. 이 사실은, 적절히 디자인하면 드롭릿들이 컬렉팅 광학기를 향해 휩쓸리는 것을 회피할 수 있기 때문에 유리하다. 어퍼처 각도를 갖는 어퍼처에 대해서는, 회전 각도가 어퍼처 각도 절반 이상인 것이 바람직하다.
포일 플레이트들의 연장된 폭에 관하여 앞서 제안된 향상에 대안적으로 또는 추가적으로, 포일 플레이트(5)의 표면 영역에 걸쳐 이동하는 잔해 입자들(20)의 마찰력을 개선하기 위해 포일 플레이트들의 구조가 수정될 수 있다. 이는, 종래의 포일 플레이트에 비해 증가된 표면 거칠기(surface roughness), 바람직하게는 예를 들어 종래의 거칠기의 2 배 이상인 거칠기를 제공함으로써 행해질 수 있다. 또한, 증가된 표면 상호작용을 위해 적절한 재료가 선택될 수 있다. 주석(tin) 잔해 입자들(20)에 대해, 특히 이 재료들은 다음 테이블로부터 선택될 수 있으며, 이때 바람직한 재료들은 x 표시(cross sign)로 나타낸다. 일반적으로, 이 재료들은 몰리브덴 의 표면 에너지보다 낮은 표면 에너지에 의해 특성화되며, 이는 3352 dyne/cm에 달한다. 적절한 재료들은 다음 테이블에서 x로 나타낸다:
테이블 1
Figure 112008048553962-PCT00001
도 7은 다운스트림 컬렉팅 광학기, 특히 컬렉터(21)가 포일 트랩(4)으로부터 간격을 둔 본 발명의 대안적인 실시예를 나타낸다. 이러한 컬렉터의 간격은 추가 자유도를 제공하며, 수집된 잔해 입자들(20)이 광학 축선으로부터 떨어진 소정 방향으로 잔해 컬렉터(22)를 향해 드롭-오프되도록 허용되고, 컬렉터(21)의 더 큰 거리에 의해 더 작은 회전각이 보상된다.
예를 들어, 2x45 도의 어퍼처 수집 각도, 10 cm의 포일 트랩 직경 및 (포일 플레이트(5)의 평면 방향과 출구 속도 방향 간의 각도로서 정의된) 80 도의 편향 각도(deflection angle)에 대해, 대칭축과 잔해 입자들의 방향 간의 각도는 γ = (90°- α) + β - 90°= β - α = 35°로 주어질 것이다. 컬렉터 개구부(o)는 tanα = 0.5 o/d로 주어진다. 이제, 다음 식을 이용하여 거리(d)가 계산될 수 있다:
Figure 112008048553962-PCT00002
Figure 112008048553962-PCT00003
Figure 112008048553962-PCT00004
따라서, 이 구성을 이용하면 포일 트랩(4)과 컬렉터(21) 간의 거리는 최소한 0.5 m 이상이어야 한다.
도 8은 0 내지 1 범위의 정규화된 마찰 상수(Q)와 원하는 회전 각도의 함수로서 정규화된 반경 사이의 관계를 나타낸다. 도 8로부터, 90 도와 270 도 사이의 회전 각도는 마찰이 없는 경우(Q = 0)에 2.51 < Rmax/R0 < 55.7의 정규화된 반경을 필요로 하고, Q = 1의 정규화된 마찰 파라미터에 대해서는 1.64 < Rmax/R0 < 6.0이라는 것을 알 수 있다. 각속도에 상당히 가까운 초기 속도를 증가시키는 경우, 정규화된 반경의 하한(lower limit)이 더 높아야 하며, 특히 4.81보다 높아야 한다.
최종적으로, 도 9는 편향 각도, 회전 각도 및 정규화된 반경 사이의 관계를 나타낸다. 특히, 편향 각도는 정규화된 반경에만 의존하고, 포일 트랩(4)의 각속도에 독립적이라는 것이 나타날 수 있다. 또한, 편향 각도는 입자(20)의 초기 0 속도에 대해 항상 45 도보다 크다는 것이 나타날 수 있다.
또한, 도 9는 입자(20)의 회전 각도가 각속도에 독립적이고 증가하는 정규화된 반경과 함께 단조롭게 증가하는 것을 나타낸다. 특히, 45 도의 최대 어퍼처 각 도(수집 각도)를 가정하면, 회전 각도는 앞서 설명된 범위의 2.51 < Rmax/R0 < 55.7 사이의 정규화된 반경; 포일 트랩(4)의 각속도/회전 주파수에 독립적인 결과와 대응하여, 90 도보다 크고 270 도보다 작은 것이 바람직하다.
일 예시로서, 포일 트랩(4)에 대해 10 cm의 반경으로 회전하여 3 cm의 포일 트랩 폭이 모든 입자들을 정지시키기에 충분하다고 간주되는 겨우, R0는 10 + 3 = 13 cm보다 클 것이다. 입자들(20)이 다운스트림 광학기, 특히 컬렉터(21)를 향해 휩쓸리지 않는다고 가정하는 것에 대해, 포일 트랩의 외반경에 대한 훌륭한 선택은 Rmax > 32.6일 것이다. 101 도의 각도에 대해, 이는 39 cm의 Rmax에 달할 것이며, 이는 39 - 10 = 29 cm의 (방사 방향으로 보이는) 포일 플레이트들의 폭을 의미한다.
본 명세서에서는, IC 제조에 있어서 리소그래피 장치의 특정 사용예에 대하여 언급되지만, 본 명세서에 서술된 리소그래피 장치는 집적 광학 시스템, 자기 도메인 메모리용 안내 및 검출 패턴, 평판 디스플레이(flat-panel display), 액정 디스플레이(LCD), 박막 자기 헤드 등의 제조와 같이 다른 적용예들을 가질 수도 있음을 이해하여야 한다. 당업자라면, 이러한 대안적인 적용예와 관련하여, 본 명세서의 "웨이퍼" 또는 "다이"라는 용어의 어떠한 사용도 각각 "기판" 또는 "타겟부"라는 좀 더 일반적인 용어와 동의어로 간주될 수도 있음을 이해할 것이다. 본 명세서에서 언급되는 기판은 노광 전후에, 예를 들어 트랙(전형적으로, 기판에 레지스트 층을 도포하고 노광된 레지스트를 현상하는 툴), 메트롤로지 툴 및/또는 검사 툴에서 처리될 수 있다. 적용가능하다면, 이러한 기판 처리 툴과 다른 기판 처리 툴에 본 명세서의 기재 내용이 적용될 수 있다. 또한, 예를 들어 다층 IC를 생성하기 위하여 기판이 한번 이상 처리될 수 있으므로, 본 명세서에 사용되는 기판이라는 용어는 이미 여러번 처리된 층들을 포함한 기판을 칭할 수도 있다.
이상, 광학 리소그래피와 관련하여 본 발명의 실시예들의 특정 사용예를 언급하였지만, 본 발명은 다른 적용예들, 예를 들어 임프린트 리소그래피에 사용될 수 있으며, 본 명세서가 허용한다면 광학 리소그래피로 제한되지 않는다는 것을 이해할 것이다. 임프린트 리소그래피에서, 패터닝 디바이스 내의 토포그래피(topography)는 기판 상에 생성된 패턴을 정의한다. 패터닝 디바이스의 토포그래피는 전자기 방사선, 열, 압력 또는 그 조합을 인가함으로써 레지스트가 경화되는 기판에 공급된 레지스트 층으로 가압될 수 있다. 패터닝 디바이스는 레지스트가 경화된 후에 그 안에 패턴을 남기는 레지스트로부터 이동된다.
본 명세서에서 사용된 "방사선" 및 "빔"이라는 용어는 (예를 들어, 365, 355, 248, 193, 157 또는 126 nm, 또는 그 정도의 파장을 갖는) 자외(UV) 방사선 및 (예를 들어, 5 내지 20 nm 범위 내의 파장을 갖는) 극자외(EUV) 방사선뿐만 아니라, 이온 빔 또는 전자 빔과 같은 입자 빔을 포함하는 모든 형태의 전자기 방사선을 포괄한다.
본 명세서가 허용하는 "렌즈"라는 용어는, 굴절, 반사, 자기, 전자기 및 정전기 광학 구성요소들을 포함하는 다양한 형태의 광학 구성요소들 중 어느 하나 또는 그 조합으로 언급될 수 있다.
이상, 본 발명의 특정 실시예가 설명되었지만 본 발명은 설명된 것과 다르게 실시될 수 있다는 것을 이해할 것이다. 예를 들어, 본 발명은 앞서 개시된 바와 같은 방법을 구현하는 기계-판독가능한 명령어의 1 이상의 시퀀스를 포함하는 컴퓨터 프로그램, 또는 이러한 컴퓨터 프로그램이 저장되어 있는 데이터 저장 매체(예를 들어, 반도체 메모리, 자기 또는 광학 디스크)의 형태를 취할 수 있다.
상기 서술내용은 예시를 위한 것이지, 제한하려는 것이 아니다. 따라서, 당업자라면 아래에 설명되는 청구항들의 범위를 벗어나지 않고 서술된 본 발명에 대한 변형예가 행해질 수도 있음을 분명히 알 것이다.

Claims (24)

  1. 방사선의 투영 빔을 제공하는 방사선 시스템에 있어서:
    극자외 방사선을 제공하는 극자외 방사선 소스; 및
    상기 방사선 소스로부터 나오는 오염 물질을 트랩(trap)하는 복수의 조밀하게 패킹된 포일 플레이트(closely packed foil plate)를 포함한 오염물 배리어(contamination barrier)를 포함하고, 상기 오염물 배리어는 상기 극자외 방사선 소스를 둘러싸는 것을 특징으로 하는 방사선 시스템.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 오염물 배리어는 상기 소스에 대해 회전가능한 것을 특징으로 하는 방사선 시스템.
  3. 제 2 항에 있어서,
    상기 오염물 배리어로부터 상기 EUV 소스를 차폐하는 차폐물(shield)을 더 포함하고, 상기 차폐물은 상기 EUV 소스를 부분적으로 둘러싸는 것을 특징으로 하는 방사선 시스템.
  4. 제 3 항에 있어서,
    상기 차폐물에는 상기 차폐물 내에 포함되는 냉각 덕트(cooling duct)가 제 공되는 것을 특징으로 하는 방사선 시스템.
  5. 제 3 항에 있어서,
    상기 포일 플레이트들에 의해 정의된 볼륨(volume) 내에 정화 가스(purge gas)를 제공하는 정화 가스 유출구를 더 포함하고, 상기 정화 가스 유출구는 상기 차폐물에 의해 상기 소스로부터 차폐되는 것을 특징으로 하는 방사선 시스템.
  6. 제 5 항에 있어서,
    상기 정화 가스는 수소 라디칼(hydrogen radical)들, 듀테륨 라디칼들 및 할로겐 가스들로 구성된 그룹으로부터 선택되는 것을 특징으로 하는 방사선 시스템.
  7. 제 2 항에 있어서,
    상기 오염물 배리어를 부분적으로 둘러싸고 펌프에 연결하는 커넥터를 포함한 인클로저(enclosure)를 더 포함하며, 상기 배리어는 상기 인클로저 내에서 회전가능한 것을 특징으로 하는 방사선 시스템.
  8. 제 1 항에 있어서,
    상기 소스는 상기 복수의 포일 플레이트를 통해 연장된 평면들의 교차 지점에 위치되는 것을 특징으로 하는 방사선 시스템.
  9. 제 1 항에 있어서,
    상기 소스는 상기 오염물 배리어의 중심 축선 상에 위치되는 것을 특징으로 하는 방사선 시스템.
  10. 제 1 항에 있어서,
    상기 포일 플레이트들은 일반적으로 직사각형 형태를 갖도록 형성되고, 원통 형상을 따라 장착되는 것을 특징으로 하는 방사선 시스템.
  11. 제 1 항에 있어서,
    상기 포일 플레이트는 아크(arc) 형태를 갖도록 형성되고, 구 형상을 따라 장착되는 것을 특징으로 하는 방사선 시스템.
  12. 제 1 항에 있어서,
    상기 포일 플레이트들은 마주하는 장착부(mount)들 사이에 위치되고, 상기 장착부들 중 1 이상은 환형인 것을 특징으로 하는 방사선 시스템.
  13. 제 1 항에 있어서,
    상기 포일 플레이트들 사이에 버퍼 가스(buffer gas)를 제공하는 버퍼 가스 유출구를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 방사선 시스템.
  14. 제 1 항에 있어서,
    상기 EUV 소스는 레이저 유도 플라즈마 소스(laser induced plasma source) 또는 방전 생성 플라즈마 소스(discharge produced plasma source)인 것을 특징으로 하는 방사선 시스템.
  15. 제 1 항에 있어서,
    상기 EUV 소스는 주석, 리튬 또는 크세논을 포함하는 것을 특징으로 하는 방사선 시스템.
  16. 제 1 항에 있어서,
    상기 포일 플레이트들은, 90 내지 270 도 범위의 잔해 입자(20)의 픽-업(pick-up)과 드롭-오프(drop-off) 사이에서 요구되는 최소 회전 각도에 대해 2.51 < (Rmax/R0) < 55.7 범위로 치수화되며, Rmax는 드롭-오프에서의 상기 잔해 입자의 최대 방사 거리이고, R0는 상기 입자의 최소 방사 거리인 것을 특징으로 하는 방사선 시스템.
  17. 제 16 항에 있어서,
    상기 포일 플레이트들은, 0.8 내지 1.0의 범위의 정규화된 마찰 상수(friction constant)에 대해 2.51 < (Rmax/R0) < 6.0 범위로 치수화되는 것을 특징으로 하는 방사선 시스템.
  18. 제 1 항에 있어서,
    주석 소스에 대해, 상기 포일 플레이트들은 3352 dyne/cm보다 낮은 표면 에너지를 갖는 재료로부터 구성되는 것을 특징으로 하는 방사선 시스템.
  19. 제 18 항에 있어서,
    상기 재료는 Ag, Al, Au, Cr, Cu, Fe, Ni 또는 Pb의 그룹으로부터 선택되는 것을 특징으로 하는 방사선 시스템.
  20. 리소그래피 장치에 있어서:
    방사선 빔을 제공하는 방사선 시스템- 상기 방사선 시스템은 극자외 방사선을 제공하는 극자외 방사선 소스, 및 상기 방사선 소스로부터 나오는 오염 물질을 트랩하는 복수의 조밀하게 패킹된 포일 플레이트를 포함한 오염물 배리어를 포함하고, 상기 오염물 배리어는 상기 극자외 방사선 소스를 둘러쌈 -;
    상기 방사선 빔을 패터닝하는 패터닝 디바이스; 및
    상기 패터닝된 방사선 빔을 기판 상에 투영하는 투영 시스템을 포함하는 것을 특징으로 하는 리소그래피 장치.
  21. 제 20 항에 있어서,
    상기 오염물 배리어는 상기 소스에 대해 회전가능한 것을 특징으로 하는 리 소그래피 장치.
  22. 제 21 항에 있어서,
    상기 방사선 시스템은 오염물 배리어로부터 상기 EUV 소스를 차폐하는 차폐물을 더 포함하고, 상기 차폐물은 상기 EUV 소스를 부분적으로 둘러싸는 것을 특징으로 하는 리소그래피 장치.
  23. 제 22 항에 있어서,
    상기 차폐물에는 상기 차폐물 내에 포함되는 냉각 덕트가 제공되는 것을 특징으로 하는 리소그래피 장치.
  24. 제 22 항에 있어서,
    상기 방사선 시스템은 상기 포일 플레이트들에 의해 정의된 볼륨 내에 정화 가스를 제공하는 정화 가스 유출구를 더 포함하고, 상기 정화 가스 유출구는 상기 차폐물에 의해 상기 소스로부터 차폐되는 것을 특징으로 하는 리소그래피 장치.
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