JPS62145633A - プラズマｘ線源装置 - Google Patents
プラズマｘ線源装置Info
- Publication number
- JPS62145633A JPS62145633A JP60287268A JP28726885A JPS62145633A JP S62145633 A JPS62145633 A JP S62145633A JP 60287268 A JP60287268 A JP 60287268A JP 28726885 A JP28726885 A JP 28726885A JP S62145633 A JPS62145633 A JP S62145633A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- magnetic field
- rays
- ray
- plasma
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- Prior art date
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- Pending
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-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/708—Construction of apparatus, e.g. environment aspects, hygiene aspects or materials
- G03F7/70808—Construction details, e.g. housing, load-lock, seals or windows for passing light in or out of apparatus
Landscapes
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Environmental & Geological Engineering (AREA)
- Epidemiology (AREA)
- Public Health (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- X-Ray Techniques (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
不発明は、大規模集積回路の製造に用いられるリソグラ
フィ用の軟ＸＩａを発生させるプラズマＸ？ｆｌｊ源装
置に関する。
フィ用の軟ＸＩａを発生させるプラズマＸ？ｆｌｊ源装
置に関する。
現、在、大規模集積回路の製造においては、ウニ・・に
パターンを形成するために、紫外、線を用いたリングラ
フィＪＪｉ−ａが使用されている。そして、近年、集積
回路のＩＩ度をさらに高める要請が強まり、近い将来パ
ターツの加工幅を１ミクロン以下にすることが望まれて
いる。ところが、パターンの加工・喝が１ミクロン以下
になると、光自身の波長の領域に近くなり、光を使った
リソグラフィではもはや鮮明な像を得ることが田無とな
る。そこで、最近、光源として軟Ｘ線を使うことが検討
されており、例えば第８図に示すごとく、ガスバフ放電
管式Ｘ線源装を途が特開昭６０−４２８３０号公報に開
示されている。
パターンを形成するために、紫外、線を用いたリングラ
フィＪＪｉ−ａが使用されている。そして、近年、集積
回路のＩＩ度をさらに高める要請が強まり、近い将来パ
ターツの加工幅を１ミクロン以下にすることが望まれて
いる。ところが、パターンの加工・喝が１ミクロン以下
になると、光自身の波長の領域に近くなり、光を使った
リソグラフィではもはや鮮明な像を得ることが田無とな
る。そこで、最近、光源として軟Ｘ線を使うことが検討
されており、例えば第８図に示すごとく、ガスバフ放電
管式Ｘ線源装を途が特開昭６０−４２８３０号公報に開
示されている。
第８図において、真空容器１０は、パルプ１２を介して
排気手段である真空ポンプ１４に接続されている。真空
ポンプ１４は、油拡散ポンプ１６と油回転ポンプ１８と
からなっている。
排気手段である真空ポンプ１４に接続されている。真空
ポンプ１４は、油拡散ポンプ１６と油回転ポンプ１８と
からなっている。
真空容器１０内には、陽極２０と陰極２２とが対向して
配置しである。陽極２０には、中心部にガス導入孔２４
が形成してあり、このガス導入孔２４が高速ガス導入弁
２６を介してガス導入管２８に接続しである。
配置しである。陽極２０には、中心部にガス導入孔２４
が形成してあり、このガス導入孔２４が高速ガス導入弁
２６を介してガス導入管２８に接続しである。
一方、陰極２２には、Ｘ線透過孔３０が形成してあり、
Ｚピンチ点３２において発生した特性Ｘ線３４を陰極２
２の下方に導くことができるようになっている。Ｘ線透
過孔３０は１図の上方から下方に向けて漸次拡開した截
頭円錐状をなしている。また、陰極２２の下部には、永
久磁石３６が配設してあり、特性Ｘ線３４の通過径路（
取抄出し径路）に直交した磁界３８を発生している。そ
して、Ｘ空容器１０には、特性Ｘ＠３４の取り出し径路
に対応した部分にベリリウム等からなるＸ線取り出し窓
４０が形成されており、Ｘ線取り出し窓４０の下方に配
置したウェハ４２にマスク４４を介して特性Ｘ線３４を
照射できるよう（でなっている。
Ｚピンチ点３２において発生した特性Ｘ線３４を陰極２
２の下方に導くことができるようになっている。Ｘ線透
過孔３０は１図の上方から下方に向けて漸次拡開した截
頭円錐状をなしている。また、陰極２２の下部には、永
久磁石３６が配設してあり、特性Ｘ線３４の通過径路（
取抄出し径路）に直交した磁界３８を発生している。そ
して、Ｘ空容器１０には、特性Ｘ＠３４の取り出し径路
に対応した部分にベリリウム等からなるＸ線取り出し窓
４０が形成されており、Ｘ線取り出し窓４０の下方に配
置したウェハ４２にマスク４４を介して特性Ｘ線３４を
照射できるよう（でなっている。
陽極２０と陰極２２とは、電源回路４６に接続しである
。電源回路４６は、交流の大成流電源４８、整流器５０
、コンデンサ５２、スイッチ５４からなっており、コン
デンサ５２に犬１１ＬｔＮ、１Ｍ源４８と整流器５０と
の直列回路が並列に接続しである。
。電源回路４６は、交流の大成流電源４８、整流器５０
、コンデンサ５２、スイッチ５４からなっており、コン
デンサ５２に犬１１ＬｔＮ、１Ｍ源４８と整流器５０と
の直列回路が並列に接続しである。
上記のごとく構成しであるガスバフ放（管式プラズマＸ
線源装置は、高速ガス導入弁２６を開き。
線源装置は、高速ガス導入弁２６を開き。
ガス導入管２８からガス導入孔２４を介して、真空容器
１０内にＡｒガスを導入すると同時に、スイッチ５４を
閉じ、陽極２０と陰極２２との間にパルス状の高電圧を
印加し、パルス大電流放電を発生させる。これにより、
Ａｒガスは′電離して高温のプラズマ状になり、Ｚピン
チ現象の発生に伴い、Ｚピンチ点３２の高温プラズマか
ら特性Ｘ線３４が放射される。２ピンチ点３２において
放射された特性Ｘｌ１３４は、Ｘ線透過孔３０からＸ線
取り出し窓４０に導かれ、マスク４４に形成しであるパ
ターンをウェハ４２に転写する。この際。
１０内にＡｒガスを導入すると同時に、スイッチ５４を
閉じ、陽極２０と陰極２２との間にパルス状の高電圧を
印加し、パルス大電流放電を発生させる。これにより、
Ａｒガスは′電離して高温のプラズマ状になり、Ｚピン
チ現象の発生に伴い、Ｚピンチ点３２の高温プラズマか
ら特性Ｘ線３４が放射される。２ピンチ点３２において
放射された特性Ｘｌ１３４は、Ｘ線透過孔３０からＸ線
取り出し窓４０に導かれ、マスク４４に形成しであるパ
ターンをウェハ４２に転写する。この際。
永久磁石３６による直交磁界３８は、特性Ｘ＠３４とと
もにＸ線透過孔３０を通過してきた高温プラズマ中の高
エネルギー荷１粒子の軌道を曲げ。
もにＸ線透過孔３０を通過してきた高温プラズマ中の高
エネルギー荷１粒子の軌道を曲げ。
高エネルギー荷電粒子がＸ線取り出し窓４ｏを直撃し、
Ｘ線取り出し窓４０を損傷するのを防止している。
Ｘ線取り出し窓４０を損傷するのを防止している。
ところが、上記のような永久磁石を用いたプラズマＸ５
（２１装置には１次のような欠点があった。
（２１装置には１次のような欠点があった。
■ 永久磁石は、高精能なコバルト磁石やサマリウム磁
石等を用いても起磁力に限界がある。このため、永久磁
石３６を用いた従来のプラズマＸ線源装置は、直交磁界
３８の磁界強度【限界があり。
石等を用いても起磁力に限界がある。このため、永久磁
石３６を用いた従来のプラズマＸ線源装置は、直交磁界
３８の磁界強度【限界があり。
ギャップ長等を考慮すると、敬千ガウスの磁界強度を得
るのが限度であった。このため、非常にエネルギーの高
い荷電粒子の軌道を十分に曲げることができず、Ｘ線取
り出し窓４０の防護には必ずしも十分でなかった。
るのが限度であった。このため、非常にエネルギーの高
い荷電粒子の軌道を十分に曲げることができず、Ｘ線取
り出し窓４０の防護には必ずしも十分でなかった。
■ 永久磁石３６は、数百に人の大成流が流れる陰極２
２に近接して配設されているため、大電流が流れること
によって生ずる大きな交番起磁力により、減磁がひどく
、寿命が短かいっ 本発明は、上記従来技術の欠点を解消するためになされ
たもので、Ｘ線取り出し耶を高エネルギー荷電粒子の損
傷から防止できるプラズマＸ線源装置を提供することを
目的とする。
２に近接して配設されているため、大電流が流れること
によって生ずる大きな交番起磁力により、減磁がひどく
、寿命が短かいっ 本発明は、上記従来技術の欠点を解消するためになされ
たもので、Ｘ線取り出し耶を高エネルギー荷電粒子の損
傷から防止できるプラズマＸ線源装置を提供することを
目的とする。
本発明は、、Ａ；空容器内を減圧する排気手段と、前記
真空容器内に対向させて配設した少なくとも一対の成極
と、このｌ１１ｉの一方に形成したＸ線が通過するＸ線
透過孔と、前記一対のｔＷに接続され、真空容器内のガ
スをプラズマ化し、Ｘ線を発生させる電源とを有するプ
ラズマＸ線源装置において、前記Ｘ線の進行方向の前記
Ｘ線透過孔より前方に配設され、前記゛電源からの電流
を受けて。
真空容器内に対向させて配設した少なくとも一対の成極
と、このｌ１１ｉの一方に形成したＸ線が通過するＸ線
透過孔と、前記一対のｔＷに接続され、真空容器内のガ
スをプラズマ化し、Ｘ線を発生させる電源とを有するプ
ラズマＸ線源装置において、前記Ｘ線の進行方向の前記
Ｘ線透過孔より前方に配設され、前記゛電源からの電流
を受けて。
前記Ｘ線の進行方間にＩ■交した磁界を発生する磁界発
生手段を設けたことを特徴とするプラズマＸ線源装置で
ある。
生手段を設けたことを特徴とするプラズマＸ線源装置で
ある。
上記のごとく構成した本発明においては、を啄間におけ
る大底流放電の際の直流を磁界発生手段に供給し、永久
磁石によっては得ることができない、Ｘｆｓの通過径路
に直交した大きな磁界を発生させ、高エネルギー荷電粒
子の方向をＸ線の通過径路から曲げ、高エネルギー荷電
粒子がＸ線取り出し窓に到達しないようにし、Ｘ線取り
出し窓の高エネルギー債′６粒子による損傷を防止でき
るようにしたものである。
る大底流放電の際の直流を磁界発生手段に供給し、永久
磁石によっては得ることができない、Ｘｆｓの通過径路
に直交した大きな磁界を発生させ、高エネルギー荷電粒
子の方向をＸ線の通過径路から曲げ、高エネルギー荷電
粒子がＸ線取り出し窓に到達しないようにし、Ｘ線取り
出し窓の高エネルギー債′６粒子による損傷を防止でき
るようにしたものである。
本発明に係るプラズマＸ線源装置の好ましい実施例を、
添付図面に従って詳説する。なお、前記従来技＃に２い
て説明した部分に対応する部分については、同一の符号
を付し、その説明を省略する。
添付図面に従って詳説する。なお、前記従来技＃に２い
て説明した部分に対応する部分については、同一の符号
を付し、その説明を省略する。
第１図は、本発明に係るプラズマＸ線源装置の実施例を
示す概略購成図である。
示す概略購成図である。
第１ｉｄにおいて、陰極２２の下部には、磁界発生手段
５６が配設しである。この０８界発生手段５６は、ルー
プ状をなしており、一端が陰極２２に接続されて、隔離
２２と一体に形成され、他端が大直流電源４８に接続し
である。また、磁界発生手段５６は、第２図（Ａ）に示
すように、特性Ｘ線３４の通過径路（取り出し径路）の
両側に、かつ特性Ｘ線３４の取り出し径路を含む平面に
略平行な一対のループからなっており、電流ｉが流れた
ときに、特性Ｘ＠３４のｊ収り出し径路に対し、直交し
た磁界のを生ずるようになっている。
５６が配設しである。この０８界発生手段５６は、ルー
プ状をなしており、一端が陰極２２に接続されて、隔離
２２と一体に形成され、他端が大直流電源４８に接続し
である。また、磁界発生手段５６は、第２図（Ａ）に示
すように、特性Ｘ線３４の通過径路（取り出し径路）の
両側に、かつ特性Ｘ線３４の取り出し径路を含む平面に
略平行な一対のループからなっており、電流ｉが流れた
ときに、特性Ｘ＠３４のｊ収り出し径路に対し、直交し
た磁界のを生ずるようになっている。
上記のごとく構成しである実施例のｒ［用は１次のとお
りである。
りである。
前記した従来技術において述べたように、真空容器内に
Ａｒ等の高速ガスが導入され、スイッチ５４が閉じられ
て陽極２０と陰極２２との間に大電流放電が発生すると
、！雅したＡｒガスによる高温プラズマを介して陽極２
０とＩ書類２２との間に流れた電流が、磁界発生手段５
６にも流れる。
Ａｒ等の高速ガスが導入され、スイッチ５４が閉じられ
て陽極２０と陰極２２との間に大電流放電が発生すると
、！雅したＡｒガスによる高温プラズマを介して陽極２
０とＩ書類２２との間に流れた電流が、磁界発生手段５
６にも流れる。
この結果、磁界発生手段５６は１％性Ｘ線３４の取り出
し径路に対して直交した磁界のを発生する。
し径路に対して直交した磁界のを発生する。
このＳ界Φは、第１図の紙面の裏側に向かう方向の磁界
であって、第２図（Ａ）に示すごとく、電離したアルゴ
ンイオンＡｒ０が第１図の紙面の手前側に、電子ｅが紙
面の裏側に軌道を曲げられる。
であって、第２図（Ａ）に示すごとく、電離したアルゴ
ンイオンＡｒ０が第１図の紙面の手前側に、電子ｅが紙
面の裏側に軌道を曲げられる。
磁界発生手段５６が発生する磁界の中心部における磁束
密度Ｂは、次式により求めることかできる。
密度Ｂは、次式により求めることかできる。
ここに、μ０は透磁率であり、■は電流、Ｘは第２図（
Ｂ）に示した磁界発生手段５６．５６間の１７２の距離
を示し、ａは磁界発生手段５６のループの半径を示して
いる。
Ｂ）に示した磁界発生手段５６．５６間の１７２の距離
を示し、ａは磁界発生手段５６のループの半径を示して
いる。
したがって、例えば＆ Ｘ ＝ ０．０２５ ｍ、
ａ ＝０．０２５ｍ、 Ｉ＝３０ＱｋＡとすると、Ｂ
＝５．３Ｔとなり。
ａ ＝０．０２５ｍ、 Ｉ＝３０ＱｋＡとすると、Ｂ
＝５．３Ｔとなり。
通常の永久磁石の磁束密度０．１ Ｔの５０倍以上もの
強い磁界を発生させることができる。この結果。
強い磁界を発生させることができる。この結果。
プラズマ中の高エネルギー荷電粒子の軌道を確実に曲げ
ることができ、高エネルギー荷電粒子がＸ線堆り出し窓
４０を直撃し、Ｘ線取り出し窓４０を損傷するのを防止
することができる。また、永久磁石を使用した場合のご
とく、減磁による寿命の問題も生じ々い。しかも、Ｘ機
を発生させる電流を用いて磁界を発生させるため、特別
な電源を必要とせず、安価でコンパクトな装置にするこ
とができる。
ることができ、高エネルギー荷電粒子がＸ線堆り出し窓
４０を直撃し、Ｘ線取り出し窓４０を損傷するのを防止
することができる。また、永久磁石を使用した場合のご
とく、減磁による寿命の問題も生じ々い。しかも、Ｘ機
を発生させる電流を用いて磁界を発生させるため、特別
な電源を必要とせず、安価でコンパクトな装置にするこ
とができる。
第３図および第４図は、ガスパフ放蔵管式プラズマＸ線
源装置の他の実施例を示したものである。
源装置の他の実施例を示したものである。
本実施例は、磁界発生手段５６が断面り字状をなし、陰
極２２とともにＵ字状をなして、Ｘ線取り出し径路を横
切る形で配設されている、そして、磁界発生手段５６の
Ｘａ取り出し径路に対応した部分には、透孔５８が形成
してあり、２ピンチ点３２にて発生した特性Ｘ線３４を
、Ｘ線取り出し窓４０に導くことができるようＫなって
いる。
極２２とともにＵ字状をなして、Ｘ線取り出し径路を横
切る形で配設されている、そして、磁界発生手段５６の
Ｘａ取り出し径路に対応した部分には、透孔５８が形成
してあり、２ピンチ点３２にて発生した特性Ｘ線３４を
、Ｘ線取り出し窓４０に導くことができるようＫなって
いる。
本実施例の場合においても、磁界発生手段５６に電流ｉ
が流れることにより、Ｘ線取り出し径路に（α交し１１
１界Φが発生し、高エネルギー荷電粒子の軌道を曲げ、
Ｘ線取り出し窓４０の損傷を防止できる。
が流れることにより、Ｘ線取り出し径路に（α交し１１
１界Φが発生し、高エネルギー荷電粒子の軌道を曲げ、
Ｘ線取り出し窓４０の損傷を防止できる。
第５図は、真空スパーク式のＸ線源装置の実施例を示し
たものである。
たものである。
第５図において、陰極２２と一体に形成しである磁界発
生手段５６は、特性Ｘ線３４を通過させる透孔５８が形
成されるとともに、円筒部６０を有しており、この円筒
部６０の７ランク部がＸ空容器１０に支持されている。
生手段５６は、特性Ｘ線３４を通過させる透孔５８が形
成されるとともに、円筒部６０を有しており、この円筒
部６０の７ランク部がＸ空容器１０に支持されている。
そして、陽極２０は。
絶縁材６２を介して真空容器１０に城り付けられ。
先端部が円筒゛部６０内に挿入されて、陰極２２との間
に所定の間隙をもって対向配置されている。
に所定の間隙をもって対向配置されている。
本実施例における磁界Φの発生は、第４図に示したとほ
ぼ同様であり、前記した各実施例と同様の効果を得るこ
とができろう 第６図および第７図は、真空スパーク式Ｘ線源装置４の
他の実施例を示したものである。
ぼ同様であり、前記した各実施例と同様の効果を得るこ
とができろう 第６図および第７図は、真空スパーク式Ｘ線源装置４の
他の実施例を示したものである。
本実施例は、磁界発生手段５６が上磁界発生部６４と下
磁界発生部６６とを有しており、第７図に示すように上
磁界発生部６４と下磁界発生部６６とを流れる通流が反
対方向となるようになっている。そして、下磁界発生部
６６と陰極２２との間には、第６図の紙面の裏側に向け
て磁界Φｌが発生し、上磁界発生部６４と陰隠２２との
間の空間には、紙面の手前に向けて磁界Φ２が発生する
。本実施例においても、前記した各実施例と同様の効果
を得ることができる。
磁界発生部６６とを有しており、第７図に示すように上
磁界発生部６４と下磁界発生部６６とを流れる通流が反
対方向となるようになっている。そして、下磁界発生部
６６と陰極２２との間には、第６図の紙面の裏側に向け
て磁界Φｌが発生し、上磁界発生部６４と陰隠２２との
間の空間には、紙面の手前に向けて磁界Φ２が発生する
。本実施例においても、前記した各実施例と同様の効果
を得ることができる。
以上に説明したごとく、本発明ンこよれば、Ｘ線の進行
方向に対し、電極に設けたＸ ｉａの透過孔より前方に
、Ｘ線を発生させるための屯源に接続した磁界発生手段
を設け、Ｘ線取り比し径路ＫＰＭ交した磁界を発生させ
ることにより、高エネルギー荷電粒子の軌道を曲げ、高
エネルギー荷電粒子によるｘ？ｓ取り出し窓の損傷を防
止することができる。
方向に対し、電極に設けたＸ ｉａの透過孔より前方に
、Ｘ線を発生させるための屯源に接続した磁界発生手段
を設け、Ｘ線取り比し径路ＫＰＭ交した磁界を発生させ
ることにより、高エネルギー荷電粒子の軌道を曲げ、高
エネルギー荷電粒子によるｘ？ｓ取り出し窓の損傷を防
止することができる。
第１図は本発明に係るプラズマＸ線源装置の実施例を示
す概略構成図、ｉｇ２図（Ａ）は第１図に示した実施例
により発生した磁界と荷電粒子の軌道との説明図、Ｋ２
図（Ｂ）は第１図に示した実施例による磁束密度を求め
るための説明図、第３図はガスバフ放電管式プラズマＸ
、ｌｉ源装置の他の実施例の概略構成図、第４図は第３
図に示した実施例の磁界と荷電粒子の軌道との説明図、
第５図は真空スパーク式Ｘ線源装置の実施例の概略構成
図、７Ｍ６図は真空スパーク式Ｘ線源装置の他の実施例
の概略構成図、第７図は第６図に示した実施例の磁界と
荷電粒子の軌道との説明図、第８図は従来のガスパフ放
電管式プラズマＸ線源装置の概略構成図である。 １０・・・真空容器、１４・・・真空ボ／プ、２０・・
・陽極。 ２２・・・陰蓮、３０・・・Ｘ線透過孔、３２・・・２
ピンチ点、４８・・・大４ａｔＫ源、５６・・・磁界発
生手段、５８・・・透孔。
す概略構成図、ｉｇ２図（Ａ）は第１図に示した実施例
により発生した磁界と荷電粒子の軌道との説明図、Ｋ２
図（Ｂ）は第１図に示した実施例による磁束密度を求め
るための説明図、第３図はガスバフ放電管式プラズマＸ
、ｌｉ源装置の他の実施例の概略構成図、第４図は第３
図に示した実施例の磁界と荷電粒子の軌道との説明図、
第５図は真空スパーク式Ｘ線源装置の実施例の概略構成
図、７Ｍ６図は真空スパーク式Ｘ線源装置の他の実施例
の概略構成図、第７図は第６図に示した実施例の磁界と
荷電粒子の軌道との説明図、第８図は従来のガスパフ放
電管式プラズマＸ線源装置の概略構成図である。 １０・・・真空容器、１４・・・真空ボ／プ、２０・・
・陽極。 ２２・・・陰蓮、３０・・・Ｘ線透過孔、３２・・・２
ピンチ点、４８・・・大４ａｔＫ源、５６・・・磁界発
生手段、５８・・・透孔。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、真空容器内を減圧する排気手段と、前記真空容器内
に対向させて配設した少なくとも一対の電極と、この電
極の一方に形成したＸ線が通過するＸ線透過孔と、前記
一対の電極に接続され、真空容器内のガスをプラズマ化
し、Ｘ線を発生させる電源とを有するプラズマＸ線源装
置において、前記Ｘ線の進行方向の前記Ｘ線透過孔より
前方に配設され、前記電源からの電流を受けて、前記Ｘ
線の進行方向に直交した磁界を発生する磁界発生手段を
設けたことを特徴とするプラズマＸ線源装置。 ２、特許請求の範囲第１項において、磁界発生手段は、
Ｘ線透過孔を有する電極と一体に形成されていることを
特徴とするプラズマＸ線源装置。 ３、特許請求の範囲第２項において、磁界発生手段は、
Ｘ線の通過径路の両側に設けた、この通過径路を含む平
面に平行な一対のループからなることを特徴とするプラ
ズマＸ線源装置。 ４、特許請求の範囲第２項において、磁界発生手段は、
Ｘ線の通過径路に直交した平板状に形成され、前記Ｘ線
の通過径路に対応した部分に透孔を有していることを特
徴とするプラズマＸ線源装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60287268A JPS62145633A (ja) | 1985-12-20 | 1985-12-20 | プラズマｘ線源装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60287268A JPS62145633A (ja) | 1985-12-20 | 1985-12-20 | プラズマｘ線源装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62145633A true JPS62145633A (ja) | 1987-06-29 |
Family
ID=17715203
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60287268A Pending JPS62145633A (ja) | 1985-12-20 | 1985-12-20 | プラズマｘ線源装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS62145633A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006191057A (ja) * | 2004-12-28 | 2006-07-20 | Asml Netherlands Bv | デブリ粒子を抑制するための放射線源装置、リソグラフィ装置、照明システム、および方法 |
| JP2009259447A (ja) * | 2008-04-14 | 2009-11-05 | Gigaphoton Inc | 極端紫外光源装置 |
-
1985
- 1985-12-20 JP JP60287268A patent/JPS62145633A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006191057A (ja) * | 2004-12-28 | 2006-07-20 | Asml Netherlands Bv | デブリ粒子を抑制するための放射線源装置、リソグラフィ装置、照明システム、および方法 |
| JP2015109468A (ja) * | 2004-12-28 | 2015-06-11 | エーエスエムエル ネザーランズ ビー．ブイ． | デブリ粒子を抑制するための放射線源装置、リソグラフィ装置、照明システム、および方法 |
| JP2009259447A (ja) * | 2008-04-14 | 2009-11-05 | Gigaphoton Inc | 極端紫外光源装置 |
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